JPH06101147B2 - Optical disk manufacturing method - Google Patents
Optical disk manufacturing methodInfo
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- JPH06101147B2 JPH06101147B2 JP2246587A JP2246587A JPH06101147B2 JP H06101147 B2 JPH06101147 B2 JP H06101147B2 JP 2246587 A JP2246587 A JP 2246587A JP 2246587 A JP2246587 A JP 2246587A JP H06101147 B2 JPH06101147 B2 JP H06101147B2
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- recording film
- blistering
- optical disk
- resin substrate
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、デジタルメモリ用デイスク等の光学的情報記
録部材に係り、特に、高信頼性,高寿命の得られる光学
的情報記録部材を製造するための製造方法に関するもの
である。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to an optical information recording member such as a disk for a digital memory, and in particular, to manufacture an optical information recording member with high reliability and long life. The present invention relates to a manufacturing method for doing so.
光学的情報記録部材(以下、光デイスクと称す。)に
は、ビデオデイスク、コンパクトデイスク,デジタルメ
モリ用デイスク等があるが、なかでもデジタルメモリ用
デイスクには、デジタル情報を扱うという点から、高信
頼性,高寿命が要求される。その様なデイスクの高信頼
性や高寿命を表す一つの目安としては、60℃,95%RH
(相対湿度)の環境下にデイスクを1000時間放置して
も、そのデイスクに情報が保持されていることが挙げら
れる。Optical information recording members (hereinafter referred to as optical discs) include video discs, compact discs, digital memory discs, and the like. Among them, digital memory discs are high in terms of handling digital information. Reliability and long life are required. One measure of high reliability and long life of such disks is 60 ° C, 95% RH.
Even if the disk is left for 1000 hours in an environment of (relative humidity), the information is retained on the disk.
第2図は一般的なデジタルメモリ用デイスクの部分的な
断面を示した断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a partial section of a general digital memory disk.
上記デジタルメモリ用デイスクは、通常、第2図に示す
ように、透明なプラスチツク樹脂基板1と、カルコゲナ
イド化合物等の記録膜2と、紫外線硬化樹脂による保護
膜3と、接着剤等による接着層4と、により構成されて
いる。As shown in FIG. 2, the above-mentioned disk for digital memory generally includes a transparent plastic resin substrate 1, a recording film 2 of a chalcogenide compound, a protective film 3 of an ultraviolet curable resin, and an adhesive layer 4 of an adhesive or the like. It consists of and.
尚、この種の光デイスクとして関連するものには、例え
ば、特開昭61−99951号公報、特開昭61−131249号公報
等が挙げられる。Incidentally, examples related to this type of optical disk include, for example, JP-A-61-99951 and JP-A-61-131249.
従来においては、第2図に示す如く構成されたデジタル
メモリ用デイスクを上記60℃,95%RHの環境下に50〜100
時間放置し、室温に取り出すと、記録膜2の部分に第3
図に示す様なふくれ5が発生する場合があり、情報の読
み出しあるいは書き込みが困難になるという問題点があ
つた。尚、第3図において、第2図と同一のものは同一
番号で付してある。Conventionally, a disk for digital memory configured as shown in FIG. 2 is used in an environment of 60 ° C. and 95% RH for 50 to 100.
When left for a period of time and taken out at room temperature, the third portion of the recording film 2
The swelling 5 shown in the figure may occur, which makes it difficult to read or write information. In FIG. 3, the same parts as those in FIG. 2 are designated by the same reference numerals.
ところで、上記ふくれ現象についての報告例はこれまで
になかつたが、これは、民生用として広く用いられてい
るビデオデイスクやコンパクトデイスクでは、デジタル
情報を扱うデジタルメモリ用デイスクほど、高信頼性,
高寿命が要求されず、上記の様な過酷な環境試験につい
ては行われていなかつたためと考えられる。By the way, there have been no reports of the above-mentioned blistering phenomenon until now. This is because a video disk or a compact disk widely used for consumer use has a higher reliability than a digital memory disk that handles digital information.
It is considered that a long life is not required and the harsh environmental test as described above has not been performed.
そこで、本発明の目的は、上記した従来の問題点を解決
し、高温高湿の環境下に長時間さらされても、記録膜の
ふくれ現象(以下、ふくれ欠陥と称する。)の発生する
ことのない光デイスクの製造方法を提供することにあ
る。Therefore, an object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, and to cause a blistering phenomenon (hereinafter referred to as a blistering defect) of a recording film even when exposed to a high temperature and high humidity environment for a long time. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing an optical disc that does not have any type.
本発明者等は、ふくれ欠陥の発生状況について十分検討
を行ない、その原因がプラスチツク樹脂基板中に含まれ
た水分が該基板と記録膜の界面にわき出すことにあると
いうことを見出した。The inventors of the present invention have thoroughly studied the occurrence of swelling defects, and have found that the cause is that the water contained in the plastic resin substrate is exposed at the interface between the substrate and the recording film.
さらに、上述したわき出す力はプラスチツク樹脂基板の
物性値に大きく依存するが、上記わき出す力と基板−記
録膜間の付着力との大小関係がふくれ欠陥の発生と大き
くかかわり合つていることに着目し、本発明者等は、光
デイスク製造方法のうちで、基板と記録膜の付着力を増
大させる方法について、基板の種類,基板の前処理方
法,記録膜の形成方法を種々検討した。Furthermore, although the above-mentioned force of ejection largely depends on the physical properties of the plastic resin substrate, the magnitude relationship between the force of ejection and the adhesive force between the substrate and the recording film is greatly related to the occurrence of blistering defects. Focusing attention, among the optical disk manufacturing methods, the present inventors have studied various methods of increasing the adhesive force between the substrate and the recording film, such as the type of the substrate, the substrate pretreatment method, and the recording film forming method.
その結果、プラスチツク樹脂基板,特に、耐熱性の高い
ポリカーボネート樹脂基板の場合には、プラズマ照射を
行なつた後、直ちに記録膜(カルコゲナイド化合物等よ
り成る)をスパツタリング形成し、そして、紫外線硬化
樹脂保護膜を形成し、さらに、接着貼合せを行なう工程
により、光デイスクを製造する方法が最も適しており、
特に基板の表面にプラズマ照射を行つた後、直ちに記録
膜をスパツタリング形成することによつて、上記ふくれ
欠陥の発生を完全に防止できることを見い出した。As a result, in the case of a plastic resin substrate, particularly a polycarbonate resin substrate with high heat resistance, after the plasma irradiation, the recording film (comprising a chalcogenide compound) is sputtered immediately and the UV curable resin is protected. The most suitable method is to produce an optical disk by the steps of forming a film and then performing adhesive bonding.
In particular, it has been found that the formation of the blistering defect can be completely prevented by sputtering the recording film immediately after the surface of the substrate is irradiated with plasma.
したがつて、上記した目的を達成するために、本発明で
は、光デイスクの製造方法として、プラスチツク樹脂基
板の表面にプラズマを照射する第1の工程と、プラズマ
照射された該プラスチツク樹脂基板の表面に記録膜をス
パツタリング形成する第2の工程と、を少なくとも含む
ようにしたものである。Therefore, in order to achieve the above-mentioned object, in the present invention, as a method of manufacturing an optical disk, a first step of irradiating the surface of a plastic resin substrate with plasma and a surface of the plastic resin substrate irradiated with the plasma are performed. And a second step of forming the recording film by sputtering.
まず初めに、上記ふくれ欠陥の発生状況の検討結果につ
いて述べる。First, the results of examination of the occurrence status of the blistering defect will be described.
第3図に示した様に、記録膜2の部分に発生するふくれ
5は、ほぼ円形状で直径1〜50μmの大きさである。こ
の様なふくれ欠陥は、前述したように、60℃,95%RHの
環境下に50〜100時間放置した後に室温に取り出し、取
り出し直後には見られないが、30分〜1時間後に徐々に
表われるものである。As shown in FIG. 3, the blisters 5 generated on the recording film 2 are substantially circular and have a diameter of 1 to 50 μm. As described above, such blistering defects are not observed immediately after taking out at room temperature after being left in an environment of 60 ° C and 95% RH for 50 to 100 hours, but gradually after 30 minutes to 1 hour. It appears.
ところで、光デイスクとして用いられている透明なプラ
スチツク樹脂基板の代表的なものは、アクリル樹脂基板
とポリカーボネート樹脂基板である。このうち、デジタ
ルメモリ用デイスクとしての基板は、高信頼性,高寿命
を得る上で、高耐熱性を有するポリカーボネート樹脂基
板が適する。一方、上記ふくれ欠陥は、アクリル樹脂基
板では発生せず、ポリカーボネート樹脂基板を用いた光
デイスクで発生した。また、ポリカーボネート基板で
も、60℃乾燥状態に50〜100時間放置した場合は、ふく
れ欠陥の発生は全くなかつた。By the way, typical transparent plastic resin substrates used as optical disks are acrylic resin substrates and polycarbonate resin substrates. Of these, a polycarbonate resin substrate having high heat resistance is suitable for a substrate as a disk for a digital memory in order to obtain high reliability and a long life. On the other hand, the blistering defect did not occur in the acrylic resin substrate, but occurred in the optical disk using the polycarbonate resin substrate. Even with the polycarbonate substrate, no blister defects were observed when left in a dry state at 60 ° C for 50 to 100 hours.
以上のことから,ふくれ欠陥に湿度の影響のあることは
推測できるが、ポリカーボネート樹脂基板でふくれ欠陥
が発生し、アクリル樹脂基板で発生しない理由を解明す
ることが必要であつた。特に、ポリカーボネート樹脂の
吸水率はアクリル樹脂に較べて1桁程度小さいにもかか
わらず、ふくれ欠陥が発生し、しかもふくれ欠陥が湿度
と密接に関係しているという、一見矛盾している点を明
らかにすることが必要であつた。From the above, it can be inferred that the blistering defect is affected by humidity, but it was necessary to elucidate the reason why the blistering defect occurs in the polycarbonate resin substrate and does not occur in the acrylic resin substrate. In particular, although the water absorption rate of polycarbonate resin is smaller than that of acrylic resin by about one digit, swelling defects occur, and the swelling defects are closely related to humidity. It was necessary to
第4図(a)はポリカーボネート樹脂の吸水特性を示す
グラフであり、第4図(b)はアクリル樹脂の吸水特性
を示すグラフである。FIG. 4 (a) is a graph showing the water absorption characteristics of the polycarbonate resin, and FIG. 4 (b) is a graph showing the water absorption characteristics of the acrylic resin.
第4図(a)において、縦軸は吸水率であり、横軸は放
置時間であり、そして、同図では、温度100℃の水中に
放置した場合と、20℃の水中に放置した場合と、大気中
に放置した場合のそれぞれの特性が示されている。ま
た、第4図(b)において、縦軸は吸水率であり、横軸
は放置日数であり、そして、同図では10℃,27℃,60℃,8
0℃の各温度の水中にそれぞれ放置した場合の特性が示
されている。In Fig. 4 (a), the vertical axis is the water absorption rate, the horizontal axis is the standing time, and in the same figure, the case of standing in water at a temperature of 100 ° C and the case of standing in water at 20 ° C are shown. The respective characteristics when left in the atmosphere are shown. Also, in FIG. 4 (b), the vertical axis is the water absorption rate, the horizontal axis is the number of days left, and in the same figure, 10 ° C, 27 ° C, 60 ° C, 8 ° C.
The characteristics are shown when left in water at each temperature of 0 ° C.
そこで、本発明者等は、上記した吸水率自体ではなく、
第4図に示すような吸水特性に着目した。すなわち、第
4図に示す様に、ポリカーボネート樹脂は吸水速度がア
クリル樹脂に較べて非常に速く、しかも温度による飽和
吸水率の違いが大きい点に着目した。Therefore, the inventors of the present invention, not the above water absorption rate itself,
Attention was paid to the water absorption characteristics as shown in FIG. That is, as shown in FIG. 4, attention was paid to the fact that the polycarbonate resin has a much higher water absorption rate than the acrylic resin, and the difference in the saturated water absorption rate depending on the temperature is large.
つまり、光デイスクを60℃,95%RHの環境下に長時間放
置した後、例えば25℃,50%RH程度の室内に取り出した
場合、温度は比較的早く下がるために、基板内の水分は
過飽和状態となり、外に出ようとする。この際、アクリ
ル樹脂基板の場合は、第4図(b)に示す吸水特性よ
り、水分の放出速度は比較的遅いと予想できるが、ポリ
カーボネート樹脂基板の場合は、第4図(a)に示す如
く、温度による飽和吸水率が大きく異なり、かつ放水速
度は早い(吸水速度と同程度である)ために、水分が基
板外に出ようとする力は、非常に大きいと考えられる。In other words, if the optical disk is left in an environment of 60 ° C, 95% RH for a long time and then taken out in a room of about 25 ° C, 50% RH, the temperature will drop relatively quickly, and the moisture in the substrate will Oversaturated and trying to get out. At this time, in the case of the acrylic resin substrate, the water release rate can be expected to be relatively slow due to the water absorption characteristics shown in FIG. 4 (b), but in the case of the polycarbonate resin substrate, it is shown in FIG. 4 (a). As described above, the saturated water absorption rate is greatly different depending on the temperature, and the water discharge rate is fast (about the same as the water absorption rate), so that it is considered that the force of the water to go out of the substrate is very large.
一方、記録膜は半金属あるいは半導体であり、水分をあ
まり透過させないため、記録膜と基板との界面に、上記
した水分のわき出し力が働く。ここで、該わき出し力が
記録膜−基板間の付着力に打ち勝つ部分があれば、その
部分に水分がわき出し、記録膜がふくれたようになる。On the other hand, the recording film is a semi-metal or a semiconductor and does not allow water to pass therethrough, so that the above-mentioned force of moisture to be drawn acts on the interface between the recording film and the substrate. Here, if there is a portion where the squeezing force overcomes the adhesive force between the recording film and the substrate, water is squeezed out to that portion, and the recording film appears to swell.
以上の発生原因の他、その他の発生原因として、上記ふ
くれ欠陥の内部が基板中の残留モノマー(分子レベルで
見た場合において、有機物として鎖でつながらないで、
残るもの)であることが考えられ、本発明者等もこの点
について検討を行なつたが、基板全面に多数ふくれ欠陥
が存在すること、ポリカーボネート樹脂ペレツトの熱プ
レス板(残留モノマーは射出成形品に比べて非常に少な
い)を用いた光デイスクにおいても多数発生することな
どから、ふくれ欠陥の原因が残留モノマーにあるという
可能性はほとんどない。In addition to the above-mentioned causes, as other causes, the inside of the blistering defect is the residual monomer in the substrate (when viewed at the molecular level, it is not chained as an organic substance,
The present inventors have also examined this point, but the fact that there are many blistering defects on the entire surface of the substrate and the hot press plate of polycarbonate resin pellets (residual monomer is an injection molded product). It is very unlikely that the residual monomer is the cause of the blistering defect.
従つて、以上の検討の結果から、本発明者等は、ふくれ
欠陥の発生原因が、プラスチツク樹脂基板中に含まれた
水分が、該基板と記録膜との界面にわき出すことにある
という結論に達した。Therefore, from the results of the above studies, the present inventors conclude that the cause of the blistering defect is that the water contained in the plastic resin substrate is exposed at the interface between the substrate and the recording film. Reached
また、ポリカーボネート樹脂基板と記録膜との付着力
と、アクリル樹脂基板と記録膜との付着力と、をそれぞ
れ引つかき法(膜の付着力を測定するための一般的な方
法)により測定した結果、5〜6×108dyne/cm2とほと
んど等しかつたことから、上記わき出し力と該付着力の
大小関係により、ふくれ欠陥の発生の有無が決まり、ア
クリル樹脂基板においてはふくれ欠陥が発生しないのは
該わき出し力が小さいためであると考えられる。Further, the adhesive force between the polycarbonate resin substrate and the recording film and the adhesive force between the acrylic resin substrate and the recording film were measured by the attracting method (a general method for measuring the adhesive force of the film). As a result, since it was almost equal to 5 to 6 × 10 8 dyne / cm 2 , the presence or absence of the blistering defect was determined by the magnitude relationship between the above-mentioned squeezing force and the adhesive force, and the blistering defect was observed in the acrylic resin substrate. It is considered that the reason why the generation is not caused is that the pulling-out force is small.
上記わき出し力はプラスチツク樹脂の物性値(具体的に
は透水率や吸水率など)でほとんど決まるために、ふく
れ欠陥を防止するには、基板と記録膜との付着力を増大
させることが必要となる。そこで、次に、本発明者等は
基板と記録膜との付着力を増大させる方法について検討
した。Since the above-mentioned blowing force is almost determined by the physical properties of the plastic resin (specifically, water permeability and water absorption), it is necessary to increase the adhesive force between the substrate and the recording film in order to prevent blistering defects. Becomes Therefore, the present inventors next examined a method of increasing the adhesive force between the substrate and the recording film.
ガラスやSi等の無機基板の場合には、上記の付着力を増
大させるための方法として種々の方法があり、例えば、
薄膜ハンドブツク(オーム社発行)P22〜P25,P33〜P35
に記載されている。一方、プラスチツク樹脂基板につい
ても、同じく薄膜ハンドブツクP881〜P882に示されてい
るが、該基板と薄膜(記録膜)との付着力は弱い場合が
多い。これは、プラスチツク樹脂基板特有の内部含有物
の放出、あるいは耐熱性が低いことによる薄膜形成条件
が制限されることによる。In the case of inorganic substrates such as glass and S i, there is a variety of methods as a method for increasing the adhesion of the, for example,
Thin film handbook (Ohm Publishing) P22-P25, P33-P35
It is described in. On the other hand, regarding the plastic resin substrate, the thin film handbooks P881 to P882 are also shown, but the adhesive force between the substrate and the thin film (recording film) is often weak. This is because the release of the internal inclusions peculiar to the plastic resin substrate or the low heat resistance limits the thin film forming conditions.
したがつて、プラスチツク樹脂基板と記録膜との付着力
を増大させるためには、光デイスク製造工程のプロセス
を種々検討し、ふくれ欠陥防止に適した製造方法を見い
出さなければならない。Therefore, in order to increase the adhesive force between the plastic resin substrate and the recording film, it is necessary to examine various processes of the optical disc manufacturing process and find a manufacturing method suitable for preventing the blistering defect.
上記のことより、ふくれ欠陥防止のためには、プラスチ
ツク樹脂基板内に含まれる含有物(例えば,水分、可塑
剤,残留モノマー等)を減すことも当然考えられるが、
本発明者等は、射出成形条件等によりこれらをなくすこ
とは不可能であると考え、基板の表面処理方法および記
録膜形成方法について重点的に検討を行なつた。From the above, it is naturally conceivable to reduce the contents (for example, water, plasticizer, residual monomer, etc.) contained in the plastic resin substrate in order to prevent the blistering defect.
The present inventors considered that it is impossible to eliminate these due to the injection molding conditions and so on, and intensively studied the surface treatment method of the substrate and the recording film forming method.
まず、記録膜形成方法として、代表的な真空蒸着とスパ
ツタリングについて検討を行なつた。First, as a recording film forming method, typical vacuum deposition and sputtering were studied.
真空蒸着では、Bi,SeとSbをそれぞれ別々の蒸着ボート
に入れ、真空度を5×10-3Pa(パスカル)にした後、基
板を回転させながら、上記蒸着ボートに同時に電流を流
し、同時蒸着することにより、Se−Sb−Bi系記録膜を形
成した。In vacuum deposition, B i, put S e and S b, respectively different deposition boat, after the degree of vacuum 5 × 10 -3 P a (Pascal), while rotating the substrate, at the same time current to the evaporation boat flushed, by co-evaporation, to form a S e -S b -B i based recording film.
また、スパツタリングでは、真空度を5×10-3Paにした
後、Arガスを0.7Paになるまで導入し、基板を回転させ
ながら、Bi−Se合金ターゲツトとSb−Se合金ターゲツト
に同時に高周波電圧を印加し、同時スパツタリングを行
なうことにより、Sb−Se−Bi系記録膜を形成した。Further, in the Supatsutaringu, after the vacuum degree of 5 × 10 -3 P a, introduced until the A r gas 0.7 P a, while rotating the substrate, B i -S e alloy Tagetsuto and S b -S the high frequency voltage is applied simultaneously to the e alloy Tagetsuto, by performing simultaneous Supatsutaringu, to form a S b -S e -B i based recording film.
尚、これら2つの方法によつてそれぞれ形成されたSb−
Se−Bi系記録膜の膜厚は約1000Åである。また、記録膜
形成後は、紫外線硬化樹脂による保護膜を30μmの厚さ
に形成し、ホツトメルト系の接着剤により、2枚の基板
を貼り合せて、第2図に示したような光デイスクを構成
する。In addition, S b − formed respectively by these two methods
The film thickness of the S e -B i based recording film is approximately 1000 Å. After forming the recording film, a protective film made of an ultraviolet curable resin is formed to a thickness of 30 μm, and the two substrates are bonded together with a hotmelt adhesive to form an optical disc as shown in FIG. Constitute.
基板としては、透明なプラスチツク樹脂基板の中で、代
表的なアクリル樹脂基板とポリカーボネート樹脂基板を
用いた。前述したように、デジタルメモリ用デイスクの
基板としては高信頼性,高寿命を満足させるために高耐
熱性を有するポリカーボネート樹脂基板が良い。したが
つて、本発明においてはポリカーボネート樹脂基板を用
いた光デイスクについてふくれ欠陥を防止することに主
眼を置いた。Among the transparent plastic resin substrates, typical acrylic resin substrates and polycarbonate resin substrates were used as the substrates. As described above, a polycarbonate resin substrate having high heat resistance is preferable as a substrate of a disk for digital memory in order to satisfy high reliability and long life. Therefore, in the present invention, the focus is on preventing blistering defects in the optical disk using the polycarbonate resin substrate.
そこで、上記2種類の基板(即ち、アクリル樹脂基板と
ポリカーボネート樹脂基板)を用い、各々に上記2種類
の記録膜形成方法(即ち、真空蒸着とスパツタリング)
で記録膜を形成した場合において、形成された各々の記
録膜のセロテープはく離試験(付着力の大小をおおまか
に測定する方法)の結果を第5図に示し、また、各々の
基板及び記録膜で構成される光デイスクのふくれ欠陥の
発生状況を第6図に示した。Therefore, the above two types of substrates (that is, an acrylic resin substrate and a polycarbonate resin substrate) are used, and each of the above two types of recording film forming methods (that is, vacuum deposition and sputtering).
Fig. 5 shows the results of the cellophane tape peeling test (a method of roughly measuring the magnitude of the adhesive force) of each recording film formed in the case where the recording film was formed by Fig. 6 shows the occurrence of blistering defects in the optical discs.
尚、第6図においては、60℃,95%RHの環境下に100時間
放置後、室温に取り出し、1〜2時間経過後、ふくれ欠
陥の発生状況を顕微鏡で観察し、その結果を、○,△,
×で分類した。○印はふくれ欠陥が発生しなかつたも
の、△印はふくれ欠陥は発生したが、発生数が少なかつ
たもの、×印はふくれ欠陥が発生し、発生数が多かつた
ものである。In addition, in FIG. 6, after left in an environment of 60 ° C. and 95% RH for 100 hours, taken out at room temperature, and after 1 to 2 hours, the occurrence state of blistering defects is observed with a microscope, and the result is ○. , △,
It was classified by x. O marks indicate that no blistering defects occurred, Δ marks indicate that blistering defects occurred but the number was small, and X marks indicate that blistering defects occurred and the number of occurrences was large.
また、第5図においては、セロテープはく離試験を行つ
た結果、記録膜のはく離が生じたものを×印,はく離し
なかつたものを○印とした。尚、この試験の結果として
は、記録膜のはく離の生じないものの方が、基板と記録
膜との付着力がより強いことを意味している。Further, in FIG. 5, as a result of a cellotape peeling test, as a result of the peeling of the recording film, a mark x is given, and a piece without peeling is marked with a mark o. As a result of this test, it is meant that the adhesiveness between the substrate and the recording film is stronger when the recording film is not peeled.
第5図と第6図から明らかな様に、アクリル樹脂基板を
用いた光デイスクでは、上記付着力が弱いにもかかわら
ずふくれ欠陥が発生しない場合があり、ポリカーボネー
ト樹脂基板を用いた光デイスクでは、上記付着力が強い
にもかかわらずふくれ欠陥が生じた。これは、前述した
ように、前記わき出し力と上記付着力の大小関係でふく
れ欠陥発生の有無が決定されることを示すものである。As is clear from FIGS. 5 and 6, in the optical disk using the acrylic resin substrate, the blistering defect may not occur even though the adhesive force is weak, and in the optical disk using the polycarbonate resin substrate, Despite the strong adhesion, the blistering defect occurred. This indicates that, as described above, the presence / absence of a blistering defect is determined based on the magnitude relationship between the pull-out force and the adhesive force.
また、第6図に示すように、ポリカーボネート樹脂基板
を用いた光デイスクでは、上記2種類の記録膜形成方法
共にふくれ欠陥が発生するため、さらに基板と記録膜間
の付着力を増大させる方法として基板の表面処理方法に
ついて検討した。Further, as shown in FIG. 6, in an optical disc using a polycarbonate resin substrate, swelling defects occur in both of the above two types of recording film forming methods. Therefore, as a method of further increasing the adhesive force between the substrate and the recording film. The surface treatment method of the substrate was examined.
表面処理方法については、薄膜ハンドブツクのP22〜P2
5,P33〜P35に記載されているような種々の方法がある
が、本発明者等はこの中で、ポリカーボネート基板を用
いた光デイスクにおけるふくれ欠陥防止に有効な表面処
理方法を見い出した。For the surface treatment method, see P22 to P2 of the thin film handbook.
Although there are various methods as described in 5, P33 to P35, the present inventors found a surface treatment method effective in preventing blistering defects in an optical disk using a polycarbonate substrate.
第7図に、基板の各表面処理方法に対するふくれ欠陥の
発生状況について示した。以下、各々の処理方法につい
て説明する。FIG. 7 shows the occurrence status of blistering defects for each surface treatment method of the substrate. Hereinafter, each processing method will be described.
(1)中性洗剤によるスクラブ洗浄 中性洗剤を吹き付けながら、回転するブラシ(ブラシは
プラスチツク基板をきずつけないようなやわらかい布,
例えば、プラスセーム(鐘紡株式会社の商品名)等を用
いた。)で基板を洗浄し、次に純水を吹きつけながら、
同様のブラシでスクラブ洗浄し、窒素ガスを吹きつけな
がら回転乾燥させた。(1) Scrub cleaning with a neutral detergent A brush that rotates while spraying a neutral detergent (a brush is a soft cloth that does not scratch the plastic substrate,
For example, PLUS CHAM (trade name of Kanebo Co., Ltd.) or the like was used. ) To wash the substrate, then spraying pure water,
Scrub cleaning was performed with the same brush, and spin drying was performed while blowing nitrogen gas.
(2)フロン蒸気洗浄 沸点に加熱したフロンの蒸気槽に基板を入れ、2〜3分
間揺動させた後、上記槽内から取り出した。(2) Flon vapor cleaning The substrate was placed in a vapor bath of CFC heated to the boiling point, shaken for 2 to 3 minutes, and then taken out from the bath.
(3)高温加熱 基板を真空中で、80℃,20分間加熱した。尚、この処理
方法においては、高温加熱後、直ちに記録膜を形成した
方がより効果的であるので、実際には、基板を蒸着装置
内に入れ、真空中で、60℃,20分間加熱し、その後、真
空槽内で記録膜を蒸着形成した。尚、スパツタリングの
場合は、装置の関係上,高温加熱の検討は行なわなかつ
た。(3) High temperature heating The substrate was heated in vacuum at 80 ° C for 20 minutes. In this treatment method, it is more effective to form the recording film immediately after heating at high temperature, so in practice, the substrate is placed in a vapor deposition apparatus and heated in vacuum at 60 ° C. for 20 minutes. After that, a recording film was formed by vapor deposition in a vacuum chamber. In the case of spattering, we did not consider high temperature heating because of the device.
(4)紫外線・オゾン洗浄 低圧水銀灯とオゾン発生器を備えた装置の中に基板を入
れ、60秒間紫外線を照射した。基板と上記水銀灯の距離
は10mm,紫外線強度は6mW/cmである。(4) Ultraviolet / ozone cleaning The substrate was placed in an apparatus equipped with a low-pressure mercury lamp and an ozone generator, and was irradiated with ultraviolet rays for 60 seconds. The distance between the substrate and the mercury lamp is 10 mm, and the ultraviolet intensity is 6 mW / cm.
(5)プラズマ照射 スパツタリング装置内に基板を入れ、真空度を5×10-3
Paにした後、窒素ガス又はアルゴンガス0.3Paになるま
で導入した。次にターゲツト側をアースにし、基板側に
電圧を印加し、グロー放電を起こすことにより、プラズ
マ照射を行なつた。入力パワーは300W,照射時間は90秒
である。上記したように、放電ガスとして、窒素ガスと
アルゴンガスの2種類について検討した。(5) Plasma irradiation Put the substrate in the sputtering device and set the vacuum degree to 5 × 10 -3.
After the P a, it was introduced to a nitrogen gas or argon gas 0.3P a. Next, the target side was grounded, a voltage was applied to the substrate side, and a glow discharge was generated to perform plasma irradiation. The input power is 300W and the irradiation time is 90 seconds. As described above, two types of discharge gas, nitrogen gas and argon gas, were examined.
以上の表面処理方法について各々検討した結果、第7図
に示す様に、ふくれ欠陥防止に有効な光デイスク作成プ
ロセスはプラズマ照射とスパツタリングを組み合わせる
ことである。真空蒸着においては、(1)〜(5)の如
何なる表面処理方法を用いてもふくれ欠陥の発生を防止
することはできなかつた。As a result of examining each of the above surface treatment methods, as shown in FIG. 7, an optical disk forming process effective for preventing blistering defects is to combine plasma irradiation and spattering. In vacuum deposition, it was not possible to prevent the occurrence of blistering defects by using any of the surface treatment methods (1) to (5).
ところで、スクラブ洗浄およびフロン蒸気洗浄はそれぞ
れ基板表面に付着したゴミを取り除くのに有効であり、
高温加熱は、吸着ガス,吸着水分等を除去する効果があ
る。また紫外線・オゾン洗浄は有機質汚染物の除去に効
果的であり、プラズマ照射は、吸着物質を除去する効果
がある。さらにまた、プラズマ照射および紫外線・オゾ
ン洗浄は、それぞれプラスチツク表面を改質する効果が
ある。ここで、一方のプラズマ照射の方はふくれ欠陥防
止に有効であり、もう一方の紫外線・オゾン洗浄の方は
あまり有効でないということは、上記したプラスチツク
表面の改質効果自体は、ふくれ欠陥防止について大きな
役割を果たすものではないということが推定できる。By the way, scrub cleaning and Freon vapor cleaning are effective in removing dust adhering to the substrate surface.
The high temperature heating has an effect of removing adsorbed gas, adsorbed water and the like. Ultraviolet / ozone cleaning is effective in removing organic contaminants, and plasma irradiation is effective in removing adsorbed substances. Furthermore, plasma irradiation and ultraviolet / ozone cleaning have the effect of modifying the plastic surface, respectively. Here, one plasma irradiation is more effective in preventing blistering defects, and the other UV / ozone cleaning is not so effective. It can be inferred that it does not play a major role.
上記のような表面処理方法の特徴と、真空蒸着とスパツ
タリングの両者のふくれ欠陥の発生状況の明らかな違い
により、本発明者等は、基板と記録膜の付着力を低下さ
せているのは、基板内に含まれている、それも基板のご
く表面に含まれている水分であるという推論に達した。Due to the features of the surface treatment method as described above, and the apparent difference in the occurrence state of blistering defects in both vacuum deposition and sputtering, the present inventors have reduced the adhesive force between the substrate and the recording film. We have come to the inference that it is the water contained within the substrate, which is also the water contained on the very surface of the substrate.
すなわち、真空蒸着とスパツタリングでは、成膜時の真
空度が大きく異なり、真空蒸着では真空度が10-3Pa程
度、スパツタリングでは10-1Paである。したがつて真空
度の悪い、低真空で行なうスパツタリングの方が、基板
から放出される水分が少なく、その為、付着力が強い。
これを確かめるために、真空度を10-2Paに下げて真空蒸
着を行なつたところ、第7図に示す様にふくれ欠陥の発
生が少なくなつた。ただし、真空度を下げると蒸着ボー
トの温度を大幅に高くしないと、成膜することができな
いために、10-2Paが限度であつた。That is, in the vacuum deposition and Supatsutaringu, vacuum degree varies greatly during the deposition, the vacuum deposition vacuum of 10 -3 P a degree, in Supatsutaringu a 10 -1 P a. Therefore, spattering, which is performed in a low vacuum with a low degree of vacuum, releases less water from the substrate, and therefore has a stronger adhesive force.
To confirm this, where was the line summer vacuum evaporation by lowering the degree of vacuum 10 -2 P a, less occurrence of defects blister as shown in Figure 7 Natsuta. However, without significantly increasing the temperature of the deposition boat and reduce the degree of vacuum, because it can not be formed, Atsuta 10 -2 P a is the extent.
さらに、基板を成形した直後はほとんど吸湿していない
ことから、基板成形後の放置期間を1時間以内と1週間
以上の2種類のサンプルについて、検討した結果、第7
図に示すように、放置期間の短い方がふくれ欠陥防止に
ついて効果的であることがわかつた。従つて、基板成形
後1時間以内にスパツタリングによつて記録膜を形成す
るようにすれば、上記したプラズマ照射による表面処理
を行わなくても、ふくれ欠陥を防止することができる
が、しかし、基板成形後の放置時間をこの様に時間オー
ダーで管理することは簡単ではなく、量産には不適であ
る。Further, since the substrate hardly absorbs moisture immediately after being molded, two types of samples having a standing time of 1 hour or less and 1 week or more after molding the substrate were examined.
As shown in the figure, it has been found that a shorter leaving period is more effective in preventing blistering defects. Therefore, if the recording film is formed by spattering within 1 hour after the substrate is formed, the swelling defect can be prevented without performing the above-mentioned surface treatment by plasma irradiation. It is not easy to manage the leaving time after molding in this way on an hourly basis, and it is not suitable for mass production.
以上説明したように、ふくれ欠陥の原因をつきつめてみ
ると、その原因は基板中に含まれる水分であり、従つ
て、ふくれ欠陥を防止するには、基板中に含まれる水分
を除き、成膜中においても水分の放出をおさえることが
重要なポイントとなる。As described above, the cause of the blistering defect is investigated. The cause is the moisture contained in the substrate. Therefore, in order to prevent the blistering defect, the moisture contained in the substrate should be removed to form the film. Even inside, it is an important point to suppress the release of water.
そこで、本発明では、プラスチツク樹脂基板の表面にプ
ラズマを照射することにより、基板中に含まれる水分を
除いており、また、その後、記録膜をスパツタリング形
成することによつて、基板からの水分の放出をおさえな
がら記録膜の形成を行つている。従つて、本発明によれ
ば、ふくれ欠陥の発生を完全に防止することができる。Therefore, in the present invention, the moisture contained in the substrate is removed by irradiating the surface of the plastic resin substrate with plasma, and thereafter, the sputtering film is formed on the recording film to remove the moisture from the substrate. The recording film is being formed while suppressing the release. Therefore, according to the present invention, it is possible to completely prevent the occurrence of blistering defects.
ところで、上述したように、プラズマ照射による表面処
理はふくれ欠陥の防止に効果的であるが、ふくれ欠陥の
発生原因が基板中の水分にあるという観点からすれば、
高温加熱処理も効果的であると思われる。ただし、ここ
では、装置の関係で、高温加熱処理とスパツタリングと
いう組み合わせについては検討できなかつたが、これに
よつて、ふくれ欠陥を防止できる可能性は十分にある。By the way, as described above, the surface treatment by plasma irradiation is effective in preventing the blistering defect, but from the viewpoint that the cause of the blistering defect is the water content in the substrate,
High temperature heat treatment also seems to be effective. However, here, it was not possible to study a combination of high-temperature heat treatment and spattering due to the device, but there is a sufficient possibility of preventing the blistering defect.
以下、本発明の一実施例について説明する。 An embodiment of the present invention will be described below.
第1図は、本発明の一実施例における光デイスク製造プ
ロセスの流れを示した説明図である。FIG. 1 is an explanatory view showing the flow of an optical disk manufacturing process in one embodiment of the present invention.
先ず、第1図に示す様に、ステツプaにおいて、射出成
形によつて、直径130mm,厚さ(t)1.2mmのポリカーボ
ネート樹脂より成る基板を成形する。次に、ステツプb
において、該基板をスパツタリング装置内に入れ、真空
度を5×10-3Paにした後、窒素(N2)ガス(純度99.999
%)を0.3Paになるまで導入し、プラズマ照射を行う。
プラズマ照射時はターゲツト側をアースにし、基板側に
電圧を印加することにより、基板側に高いエネルギーの
イオンが飛来するようにする。また、入力パワーは300
W,照射時間は90秒とする。First, as shown in FIG. 1, in step a, a substrate made of a polycarbonate resin having a diameter of 130 mm and a thickness (t) of 1.2 mm is formed by injection molding. Next, step b
In putting the substrate into Supatsutaringu apparatus, after the vacuum degree of 5 × 10 -3 P a, nitrogen (N 2) gas (purity 99.999
The%) was introduced until the 0.3P a, plasma irradiation.
During plasma irradiation, the target side is grounded and a voltage is applied to the substrate side so that high-energy ions fly to the substrate side. The input power is 300
W, irradiation time is 90 seconds.
次に、ステツプcにおいて、再び真空度を5×10-3Paに
なるまで排気した後、アルゴン(Ar)ガス(純度99.999
%)を0.7Paになるまで導入し、記録膜のスパツタリン
グ形成を行う。ターゲツトは、Bi−Se合金ターゲツトと
Sb−Se合金ターゲツトの2つを用い、該ターゲツトに同
時に高周波電圧を印加し、同時スパツタリングを行うこ
とにより、ターゲツト上方で回転する基板上にSb−Se−
Bi系記録膜を形成する。尚、Sb−Se−Bi系記録膜の膜厚
は約1000Åである。次に、ステツプdにおいて、紫外線
硬化樹脂保護膜をスピナーにより30μmの厚さに回転塗
布し、紫外線照射により硬化させ保護膜とする。最後
に、ステツプeにおいて、上記のようにして形成された
2枚のデイスクをホツトメルト系の黒色接着剤により貼
り合わせ、第2図に示すような光デイスクを得る。Then, in step c, after evacuating again to become the degree of vacuum to 5 × 10 -3 P a, argon (A r) gas (purity 99.999
%) Was introduced until 0.7 P a, performs Supatsutaringu formation of the recording film. Tagetsuto is, and B i -S e alloy Tagetsuto
S b -S e using two alloys Tagetsuto, a high frequency voltage is applied simultaneously to the Tagetsuto, by simultaneous Supatsutaringu, S b -S e on the substrate rotating at Tagetsuto above -
A B i recording film is formed. The thickness of the S b -S e -B i based recording film is approximately 1000 Å. Next, in step d, an ultraviolet curable resin protective film is spin-coated with a spinner to a thickness of 30 .mu.m and cured by ultraviolet irradiation to form a protective film. Finally, in step e, the two disks formed as described above are bonded together with a hot-melt type black adhesive to obtain an optical disk as shown in FIG.
以上の様にして製造された光デイスクにおいては、60
℃,96%RHの環境下に100時間放置した後、室温に取り出
しても、ふくれ欠陥の発生はなかつた。In the optical disk manufactured as above, 60
No blister defects occurred even after leaving the sample at room temperature for 100 hours in an environment of ℃, 96% RH.
また、プラズマ照射時のガスとして、上記した窒素ガス
のかわりに、アルゴンガスを用い、同様のプロセスで光
デイスクを製造したが、このデイスクにおいても、上記
試験の結果、ふくれ欠陥の発生はなかつた。Further, an optical disk was manufactured in the same process by using argon gas instead of the above-mentioned nitrogen gas as the gas at the time of plasma irradiation. However, even in this disk, as a result of the above-mentioned test, no blistering defect was generated. .
次に、本実施例における光デイスク製造プロセスにおい
て、プラズマ照射のガス圧と照射時間を変えた時のふく
れ欠陥の発生状況を調べ、その結果を第8図に示した。
尚、ガスは窒素ガスを用い、入力パワーは300Wとした。Next, in the optical disk manufacturing process of this example, the occurrence state of blistering defects when the gas pressure of plasma irradiation and the irradiation time were changed was examined, and the results are shown in FIG.
The gas used was nitrogen gas, and the input power was 300W.
第8図において、60℃,95%RHの環境下に100時間放置
し、室温に取り出した時に,ふくれ欠陥が発生しなかつ
たものを○印,少しでもふくれ欠陥が発生したものを×
印で示した。In Fig. 8, when the sample was left in an environment of 60 ° C and 95% RH for 100 hours and taken out at room temperature, the ones that did not have blistering defects were marked with a circle, and those that had even a few blistering defects were marked with ×.
It is indicated by a mark.
第8図に示す様に、ふくれ欠陥を防止するには、ガス圧
よりも照射時間のパラメータが重要で、照射時間60秒以
上必要であることがわかる。As shown in FIG. 8, it is understood that the irradiation time parameter is more important than the gas pressure and the irradiation time is 60 seconds or more in order to prevent the blistering defect.
次に、本実施例において、窒素ガス圧を0.3Pa,入力パ
ワーを300Wとした時の、プラズマ照射時間と光デイスク
のノイズレベルとの関係を調べ、その結果を第9図に示
した。Then, in this embodiment, the nitrogen gas pressure 0.3P a, when the input power was 300 W, examined the relationship between plasma exposure time and optical disc of the noise level, and the results are shown in Figure 9.
第9図に示す様に、プラズマ照射時間を180秒より多く
すると、プラズマによつて基板表面が荒らされることに
より、基板表面ノイズが上昇する。したがつて、プラズ
マ照射時間は、60秒〜180秒の間が適する。As shown in FIG. 9, when the plasma irradiation time is longer than 180 seconds, the surface of the substrate is roughened by the plasma and the substrate surface noise increases. Therefore, the plasma irradiation time is suitable between 60 seconds and 180 seconds.
また、本実施例では入力パワー300W一定としたが、入力
パワーを下げると、プラズマ照射時間の適する範囲は長
時間側にずれ、逆に入力パワーを上げると短時間側にず
れる。しかし、プラズマ照射時間が長いと、タクトタイ
ム(処理時間)が長くなり、決められた時間内に多くの
処理ができず、量産に支障をきたし、また、短かすぎる
と、プロセス安定性に問題があるので、上記した60秒〜
180秒が最も適する。Further, although the input power is fixed at 300 W in the present embodiment, when the input power is lowered, the suitable range of the plasma irradiation time shifts to the long side, and conversely, when the input power is raised, it shifts to the short side. However, if the plasma irradiation time is long, the takt time (processing time) becomes long, and many processes cannot be performed within the set time, which hinders mass production. If it is too short, process stability becomes a problem. Since there is 60 seconds ~
180 seconds is most suitable.
尚、本実施例においては、ポリカーボネート樹脂基板に
ついて説明したが、これに限るものではなく、温度によ
る飽和吸水率が大きく異なる樹脂基板についても、ふく
れ欠陥が発生することが多いので、本発明の製造方法を
適用できるということはいうまでもない。In addition, although the polycarbonate resin substrate has been described in the present embodiment, the present invention is not limited to this, and swelling defects often occur even in resin substrates whose saturated water absorption varies greatly depending on temperature. It goes without saying that the method can be applied.
本発明によれば、高温高湿の環境下に長時間さらされて
も、ふくれ欠陥を発生することのない光デイスクを得る
ことができるので、光デイスクの信頼性を大幅に高める
という効果がある。According to the present invention, it is possible to obtain an optical disk that does not cause a blistering defect even when it is exposed to a high temperature and high humidity environment for a long time, and therefore, there is an effect that the reliability of the optical disk is significantly improved. .
第1図は本発明の一実施例における光デイスク製造プロ
セスの流れを示した説明図、第2図は一般的なデジタル
メモリ用デイスクの部分的な断面を示した断面図、第3
図はふくれ欠陥が発生した場合におけるデジタルメモリ
用デイスクの部分的な断面を示した断面図、第4図はプ
ラスチツク樹脂の吸水特性を示すグラフ、第5図は各基
板及び各記録膜形成方法に対する記録膜のセロテープは
く離試験の結果を示した説明図、第6図は各基板及び各
記録膜形成方法に対するふくれ欠陥の発生状況を示した
説明図、第7図は基板の各表面処理方法等に対するふく
れ欠陥の発生状況を示した説明図、第8図は第1図の実
施例においてプラズマ照射のガス圧と照射時間を変えた
時のふくれ欠陥の発生状況を示した説明図、第9図は第
1図の実施例においてプラズマ照射時間と光デイスクの
ノイズレベルとの関係を示したグラフ、である。 符号の説明 1……プラスチツク樹脂基板、2……記録膜、3……保
護膜、4……接着層、5……ふくれFIG. 1 is an explanatory view showing a flow of an optical disk manufacturing process in one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view showing a partial section of a general digital memory disk, and FIG.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a partial cross-section of a digital memory disk when a swelling defect occurs, FIG. 4 is a graph showing the water absorption characteristics of plastic resin, and FIG. 5 is for each substrate and each recording film forming method. FIG. 6 is an explanatory view showing the result of the cellophane tape peeling test of the recording film, FIG. 6 is an explanatory view showing the occurrence of blistering defects for each substrate and each recording film forming method, and FIG. 7 is for each surface treatment method of the substrate. FIG. 8 is an explanatory view showing the occurrence of blistering defects, FIG. 8 is an explanatory view showing the occurrence of blistering defects when the gas pressure of plasma irradiation and the irradiation time are changed in the embodiment of FIG. 1, and FIG. 9 is 3 is a graph showing the relationship between the plasma irradiation time and the noise level of the optical disc in the embodiment of FIG. 1. Explanation of reference numerals 1 ... plastic resin substrate, 2 ... recording film, 3 ... protective film, 4 ... adhesive layer, 5 ... blister
Claims (3)
して成る光デイスクの製造方法において、前記プラスチ
ツク樹脂基板の表面にプラズマを照射する第1の工程
と、プラズマ照射された該プラスチツク樹脂基板の表面
に前記記録膜をスパツタリング形成する第2の工程と、
を少なくとも含んだことを特徴とする光デイスクの製造
方法。1. A method of manufacturing an optical disk comprising an information recording film on a plastic resin substrate, the first step of irradiating the surface of the plastic resin substrate with plasma, and the plasma resin substrate irradiated with the plasma. A second step of forming the recording film on the surface of the film by sputtering.
A method for producing an optical disk, which comprises at least:
おいて、前記プラスチツク樹脂基板は、ポリカーボネー
ト樹脂基板より成ることを特徴とする光デイスクの製造
方法。2. The method of manufacturing an optical disk according to claim 1, wherein the plastic resin substrate is a polycarbonate resin substrate.
おいて、前記第1の工程におけるプラズマ照射の時間を
60秒乃至180秒としたことを特徴とする光デイスクの製
造方法。3. The manufacturing method according to claim 1, wherein the plasma irradiation time in the first step is
A method for producing an optical disk, which is characterized by being 60 seconds to 180 seconds.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
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| JPS63191335A JPS63191335A (en) | 1988-08-08 |
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Families Citing this family (2)
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