[go: up one dir, main page]

JPH056855A - Coating device and coating method - Google Patents

Coating device and coating method

Info

Publication number
JPH056855A
JPH056855A JP3158151A JP15815191A JPH056855A JP H056855 A JPH056855 A JP H056855A JP 3158151 A JP3158151 A JP 3158151A JP 15815191 A JP15815191 A JP 15815191A JP H056855 A JPH056855 A JP H056855A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer chuck
cup
coating
wafer
shutter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP3158151A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masaru Umeki
賢 梅木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP3158151A priority Critical patent/JPH056855A/en
Publication of JPH056855A publication Critical patent/JPH056855A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 塗布液の塗布装置及び塗布方法に係り、特に
ウエーハにレジストを塗布する装置及び塗布方法の改良
に関し、簡単な構造のシャッタをウエーハチャックの回
転軸の周囲に設け、このシャッタの開度の調整により回
転軸とカップとの間隙から吸い込まれる空気量を調節す
ることを目的とする。 【構成】 被塗布基板5を搭載するウエーハチャック2
と、この被塗布基板5の表面に塗布液を滴下するノズル
3と、このウエーハチャック2の周囲に配設されたこの
ウエーハチャック2の周囲の空気の流れを整流する整流
板1a及びこの空気を排気する排気口1bと、このウエーハ
チャック2の周囲を包囲するカップ1と、このカップ1
に飛着した塗布液を排出する排液口1cとを具備する塗布
装置であって、このウエーハチャック2の回転軸2aとこ
の回転軸2aが緩挿されてなるこのカップ1の中心部の孔
との間隙1dを調整できるシャッタ4を具備するように構
成する。
(57) [Abstract] [PROBLEMS] To provide a coating liquid coating apparatus and coating method, and particularly to improve a coating apparatus and a coating method of a resist on a wafer, and provide a shutter having a simple structure around a rotation axis of a wafer chuck. The purpose is to adjust the amount of air sucked from the gap between the rotary shaft and the cup by adjusting the opening of the shutter. [Structure] Wafer chuck 2 on which substrate 5 to be coated is mounted
A nozzle 3 for dropping a coating liquid onto the surface of the substrate 5 to be coated, a rectifying plate 1a arranged around the wafer chuck 2 for rectifying the air flow around the wafer chuck 2 and the air. An exhaust port 1b for exhausting, a cup 1 surrounding the wafer chuck 2 and the cup 1
A coating device having a drainage port 1c for discharging the coating liquid splashed on the surface of the cup 1, which is formed by loosely inserting the rotary shaft 2a of the wafer chuck 2 and the rotary shaft 2a. It is configured to include a shutter 4 capable of adjusting a gap 1d between and.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、塗布液の塗布装置及び
塗布方法に係り、特にウエーハにレジストを塗布する装
置及び塗布方法の改良に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a coating liquid coating apparatus and coating method, and more particularly to improvements in a coating apparatus and coating method for coating a wafer with a resist.

【0002】半導体装置の製造工程のフォトリソグラフ
ィー工程において、半導体ウエーハの表面にレジストを
塗布する場合に、レジストが半導体ウエーハの背面に付
着すると、ゴミが付着したのと同じ状態になり、露光工
程における局部フォーカスずれの原因になっている。
In the photolithography process of a semiconductor device manufacturing process, when a resist is applied to the front surface of a semiconductor wafer, if the resist adheres to the back surface of the semiconductor wafer, it becomes the same state as dust adheres. This is the cause of local focus shift.

【0003】以上のような状況から、半導体ウエーハの
表面へのレジストの塗布工程において、半導体ウエーハ
の背面にレジストが付着するのを防止できる塗布装置及
び塗布方法が要望されている。
Under the circumstances as described above, there is a demand for a coating apparatus and a coating method capable of preventing the resist from adhering to the back surface of the semiconductor wafer in the step of coating the resist on the surface of the semiconductor wafer.

【0004】[0004]

【従来の技術】従来のレジスト塗布装置及び塗布方法に
ついて図2により詳細に説明する。図2は従来のレジス
ト塗布装置を示す側断面図である。
2. Description of the Related Art A conventional resist coating apparatus and coating method will be described in detail with reference to FIG. FIG. 2 is a side sectional view showing a conventional resist coating apparatus.

【0005】図に示すように、被塗布基板である半導体
ウエーハ5はウエーハチャック12に真空吸着されてお
り、ウエーハチャック12は回転軸12a を中心として回転
可能であり、ウエーハチャック12の上部に設けられてい
るノズル13から塗布液、例えばレジストを滴下するよう
になっている。
As shown in the figure, the semiconductor wafer 5, which is the substrate to be coated, is vacuum-adsorbed on the wafer chuck 12, and the wafer chuck 12 is rotatable about a rotation shaft 12a and is provided above the wafer chuck 12. A coating liquid, for example, a resist is dropped from the nozzle 13 provided.

【0006】半導体ウエーハ5の周囲は図示のようにカ
ップ11で包囲されており、半導体ウエーハ5の表面に滴
下した塗布液で半導体ウエーハ5の表面に塗布されなか
った塗布液は回転している半導体ウエーハ5の周囲に飛
散され、カップ11の内壁に付着したレジストは流れ落ち
て下部の排液口11cから排出されるようになっている。
As shown in the figure, the periphery of the semiconductor wafer 5 is surrounded by a cup 11, and the coating liquid dropped onto the surface of the semiconductor wafer 5 but not applied to the surface of the semiconductor wafer 5 is a rotating semiconductor. The resist scattered around the wafer 5 and adhering to the inner wall of the cup 11 flows down and is discharged from the lower liquid outlet 11c.

【0007】カップ11の上部には図示のような開口部11
e が設けられており、ウエーハチャック12の下にはウエ
ーハチャック12の回転軸12a との間に微小な間隙11d を
有する整流板11aが全周に設けられている。
At the top of the cup 11 is an opening 11 as shown.
e is provided, and a current plate 11a having a minute gap 11d between the wafer chuck 12 and the rotation shaft 12a of the wafer chuck 12 is provided under the wafer chuck 12 all around.

【0008】カップ11の下部には排気口11b が設けられ
ており、カップ11内の空気を排気しているので、開口部
11e から流れ込む空気は図示の矢印の方向に流れて排気
される。この流れ込んだ空気の一部が半導体ウエーハ5
と整流板11a との間を通って流れ込むと渦流が生じ、こ
の空気に微量ではあるがレジストのミストを含有してい
るので、半導体ウエーハ5の背面にレジストのミストが
付着することがある。
An exhaust port 11b is provided in the lower part of the cup 11, and the air in the cup 11 is exhausted.
The air flowing in from 11e flows in the direction of the arrow shown and is exhausted. Part of this air that has flowed in is the semiconductor wafer 5.
A vortex is generated when it flows in between the rectifying plate 11a and the rectifying plate 11a, and since the air contains a slight amount of resist mist, the resist mist may adhere to the back surface of the semiconductor wafer 5.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来の塗
布装置においては、図2に矢印にて示すように、カップ
11の上部の開口部11e から流入した空気の一部が半導体
ウエーハ5と整流板11aの間を通って流れ込み半導体ウ
エーハ5の背面に到達すると、この空気に含有されてい
るレジストのミストが半導体ウエーハ5の背面に付着
し、半導体ウエーハ5の背面にゴミと同様に付着するよ
うになり、図3に示すように露光工程において半導体ウ
エーハ5をウエーハステージ16の表面に載置すると、図
3のA部に図示するように半導体ウエーハ5の表面に歪
みが生じ、局部フォーカスズレが発生するという問題点
があった。
In the conventional coating apparatus described above, as shown by the arrow in FIG.
When a part of the air flowing in from the opening 11e in the upper part of 11 flows through between the semiconductor wafer 5 and the rectifying plate 11a and reaches the back surface of the semiconductor wafer 5, the mist of the resist contained in the air is transferred to the semiconductor wafer. 5 adheres to the back surface of the semiconductor wafer 5 and adheres to the back surface of the semiconductor wafer 5 in the same manner as dust. When the semiconductor wafer 5 is placed on the surface of the wafer stage 16 in the exposure step as shown in FIG. As shown in the figure, there is a problem that the surface of the semiconductor wafer 5 is distorted and a local defocus occurs.

【0010】本発明は以上のような状況から、簡単な構
造のシャッタをウエーハチャックの回転軸の周囲に設
け、このシャッタの開度の調整により回転軸とカップと
の間隙から吸い込まれる空気量を調節することが可能と
なる塗布装置及び塗布方法の提供を目的としたものであ
る。
In view of the above situation, the present invention provides a shutter having a simple structure around the rotary shaft of the wafer chuck, and adjusts the opening of the shutter to control the amount of air sucked from the gap between the rotary shaft and the cup. It is intended to provide a coating device and a coating method that can be adjusted.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明の塗布装置は、被
塗布基板を搭載するウエーハチャックと、この被塗布基
板の表面に塗布液を滴下するノズルと、このウエーハチ
ャック周囲の空気の流れを整流する整流板及びこの空気
を排気する排気口と、このウエーハチャックの周囲を包
囲するカップと、このカップに飛着した塗布液を排出す
る排液口とを具備する塗布装置であって、ウエーハチャ
ックの回転軸とこの回転軸が緩挿されてなるこのカップ
の中心部の孔との間隙を調整できるシャッタを具備する
ように構成する。
A coating apparatus of the present invention comprises a wafer chuck for mounting a substrate to be coated, a nozzle for dropping a coating liquid onto the surface of the substrate to be coated, and a flow of air around the wafer chuck. What is claimed is: 1. A wafer coating apparatus comprising: a current plate for rectifying air; an exhaust port for exhausting the air; a cup that surrounds the periphery of the wafer chuck; and an exhaust port for exhausting the coating liquid splashing on the cup. A shutter is provided which can adjust the gap between the rotary shaft of the chuck and the hole at the center of the cup in which the rotary shaft is loosely inserted.

【0012】本発明の塗布方法は、上記の塗布装置を用
いる塗布方法であって、上記の塗布装置を用いる塗布方
法であって、このシャッタの開度の調整により、このカ
ップの上部の開口部から流入する空気量と、このカップ
の中心部の間隙から流入する空気量との比率を調節する
ように構成する。
The coating method of the present invention is a coating method using the coating apparatus described above, wherein the opening of the upper portion of the cup is adjusted by adjusting the opening of the shutter. It is configured to adjust the ratio between the amount of air flowing in from the chamber and the amount of air flowing in from the gap at the center of the cup.

【0013】[0013]

【作用】即ち本発明においては、シャッタをウエーハチ
ャックの回転軸の周囲に設けて回転軸とカップの孔との
間隙を調節することができるから、カップの上部の開口
部から流入する空気量と、カップの中心部の間隙から流
入する空気量との比率を調節することができるので、こ
れらの空気量の比率の調節により被塗布基板の背面に塗
布液が付着するのを防止することが可能となる。
That is, in the present invention, since the shutter can be provided around the rotating shaft of the wafer chuck to adjust the gap between the rotating shaft and the hole of the cup, the amount of air flowing in from the opening in the upper part of the cup can be adjusted. , It is possible to adjust the ratio with the amount of air flowing in from the gap in the center of the cup, so adjusting the ratio of these amounts of air can prevent the coating liquid from adhering to the back surface of the substrate to be coated. Becomes

【0014】[0014]

【実施例】以下図1により本発明の一実施例について詳
細に説明する。図1は本発明による一実施例のレジスト
塗布装置を示す側断面図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to FIG. FIG. 1 is a side sectional view showing a resist coating apparatus according to an embodiment of the present invention.

【0015】図に示すように、被塗布基板である半導体
ウエーハ5はウエーハチャック2に真空吸着されてお
り、ウエーハチャック2は回転軸2aを中心として回転可
能であり、ウエーハチャック2の上部に設けられている
ノズル3から塗布液、例えばレジストを滴下するように
なっている。
As shown in the figure, the semiconductor wafer 5 which is the substrate to be coated is vacuum-sucked to the wafer chuck 2, and the wafer chuck 2 is rotatable about a rotation shaft 2a and is provided above the wafer chuck 2. A coating liquid, for example, a resist is dropped from the nozzle 3 provided.

【0016】半導体ウエーハ5の周囲は図示のようにカ
ップ1で包囲されており、半導体ウエーハ5の表面に滴
下した塗布液で半導体ウエーハ5の表面に塗布されなか
った塗布液は回転している半導体ウエーハ5の周囲に飛
散され、カップ1の内壁に付着したレジストは流れ落ち
て下部の排液口1cから排出されるようになっている。
The periphery of the semiconductor wafer 5 is surrounded by a cup 1 as shown in the drawing, and the coating liquid dropped onto the surface of the semiconductor wafer 5 but not applied to the surface of the semiconductor wafer 5 is a rotating semiconductor. The resist scattered around the wafer 5 and adhering to the inner wall of the cup 1 flows down and is discharged from the lower liquid outlet 1c.

【0017】カップ1の上部には図示のような開口部1e
が設けられており、ウエーハチャック2の下にはウエー
ハチャック2の回転軸2aとの間に間隙1dを有する整流板
1aが全周に設けられている。
At the top of the cup 1 is an opening 1e as shown.
Is provided below the wafer chuck 2 and has a gap 1d between the wafer chuck 2 and the rotating shaft 2a of the wafer chuck 2.
1a is provided all around.

【0018】カップ1の下部には排気口1bが設けられて
おり、カップ1内の空気を排気しているので、開口部1e
から流れ込む空気は図示の矢印の方向に流れて排気され
る。この場合シャッタ4を用いてウエーハチャック2の
回転軸2aとカップ1の中心部の間隙1dを調節すると、こ
の間隙1dから流れ込む空気量と上部の開口部1eから流れ
込む空気量との比を、3:7或いは4:6に調節する
と、半導体ウエーハ5の背面部では渦流が生じなくなる
ので、レジストのミストが半導体ウエーハ5の背面に付
着しなくなる。
An exhaust port 1b is provided in the lower part of the cup 1 to exhaust the air in the cup 1, so that the opening 1e is formed.
The air flowing in from the above flows in the direction of the arrow shown and is exhausted. In this case, when the gap 1d between the rotary shaft 2a of the wafer chuck 2 and the center of the cup 1 is adjusted by using the shutter 4, the ratio of the amount of air flowing from this gap 1d to the amount of air flowing from the upper opening 1e is set to 3 When the ratio is adjusted to 7 or 4: 6, a vortex does not occur on the back surface of the semiconductor wafer 5, so that the resist mist does not adhere to the back surface of the semiconductor wafer 5.

【0019】[0019]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば極めて簡単な構造の変更により、被塗布基板の
背面に塗布液が付着するのを防止することが可能となる
利点があり、著しい信頼性向上の効果が期待できる塗布
装置及び塗布方法の提供が可能である。
As is clear from the above description, according to the present invention, it is possible to prevent the coating liquid from adhering to the back surface of the substrate to be coated by a very simple structure change. Further, it is possible to provide a coating apparatus and a coating method which can be expected to have an effect of remarkably improving reliability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明による一実施例のレジスト塗布装置を
示す側断面図、
FIG. 1 is a side sectional view showing a resist coating apparatus according to an embodiment of the present invention,

【図2】 従来のレジスト塗布装置を示す側断面図、FIG. 2 is a side sectional view showing a conventional resist coating apparatus,

【図3】 従来のレジスト塗布装置の問題点を示す図、FIG. 3 is a diagram showing a problem of a conventional resist coating apparatus,

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1はカップ、1aは整流板、1bは排気口、1cは排液口、1d
は間隙、1eは開口部、2はウエーハチャック、2aは回転
軸、3はノズル、4はシャッタ、5は半導体ウエーハ、
1 is a cup, 1a is a current plate, 1b is an exhaust port, 1c is a drain port, 1d
Is a gap, 1e is an opening, 2 is a wafer chuck, 2a is a rotation axis, 3 is a nozzle, 4 is a shutter, 5 is a semiconductor wafer,

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G03F 7/16 502 7818−2H H01L 21/68 S 8418−4M ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification number Office reference number FI technical display location G03F 7/16 502 7818-2H H01L 21/68 S 8418-4M

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被塗布基板(5) を搭載するウエーハチャ
ック(2) と、前記被塗布基板(5) の表面に塗布液を滴下
するノズル(3) と、前記ウエーハチャック(2) の周囲に
配設された前記ウエーハチャック(2) 周囲の空気の流れ
を整流する整流板(1a)及び該空気を排気する排気口(1b)
と、前記ウエーハチャック(2) の周囲を包囲するカップ
(1) と、前記カップ(1) に飛着した塗布液を排出する排
液口(1c)とを具備する塗布装置であって、前記ウエーハ
チャック(2) の回転軸(2a)と前記回転軸(2a)が緩挿され
てなる前記カップ(1) の中心部の孔との間隙(1d)を調整
できるシャッタ(4) を具備することを特徴とする塗布装
置。
1. A wafer chuck (2) on which a substrate (5) to be coated is mounted, a nozzle (3) for dropping a coating liquid onto the surface of the substrate (5) to be coated, and a periphery of the wafer chuck (2). The wafer chuck (2) arranged on the wafer chuck (2) A rectifying plate (1a) for rectifying the flow of air around the wafer chuck and an exhaust port (1b) for exhausting the air
And a cup surrounding the wafer chuck (2).
A coating device comprising a (1) and a drain port (1c) for discharging the coating liquid splashing on the cup (1), wherein the rotation axis (2a) of the wafer chuck (2) and the rotation shaft A coating device comprising a shutter (4) capable of adjusting a gap (1d) with a hole at a central portion of the cup (1) in which the shaft (2a) is loosely inserted.
【請求項2】 請求項1記載の塗布装置を用いる塗布方
法であって、前記シャッタ(4) の開度の調整により、前
記カップ(1) の上部の開口部(1e)から流入する空気量
と、前記カップ(1) の中心部の間隙(1d)から流入する空
気量との比率を調節することを特徴とする塗布方法。
2. A coating method using the coating device according to claim 1, wherein an amount of air flowing in from an opening (1e) at an upper portion of the cup (1) by adjusting an opening of the shutter (4). And the ratio of the amount of air flowing in from the gap (1d) at the center of the cup (1) are adjusted.
JP3158151A 1991-06-28 1991-06-28 Coating device and coating method Withdrawn JPH056855A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3158151A JPH056855A (en) 1991-06-28 1991-06-28 Coating device and coating method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3158151A JPH056855A (en) 1991-06-28 1991-06-28 Coating device and coating method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH056855A true JPH056855A (en) 1993-01-14

Family

ID=15665380

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3158151A Withdrawn JPH056855A (en) 1991-06-28 1991-06-28 Coating device and coating method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH056855A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5962193A (en) * 1998-01-13 1999-10-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Method and apparatus for controlling air flow in a liquid coater
JP2003031460A (en) * 2001-07-11 2003-01-31 Tokyo Electron Ltd Liquid processing apparatus and method
CN103275497A (en) * 2013-05-14 2013-09-04 长安大学 Asphalt modifier and modified road asphalt prepared from asphalt modifier
JP2020098841A (en) * 2018-12-17 2020-06-25 株式会社Screenホールディングス Substrate processing apparatus

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5962193A (en) * 1998-01-13 1999-10-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Method and apparatus for controlling air flow in a liquid coater
JP2003031460A (en) * 2001-07-11 2003-01-31 Tokyo Electron Ltd Liquid processing apparatus and method
CN103275497A (en) * 2013-05-14 2013-09-04 长安大学 Asphalt modifier and modified road asphalt prepared from asphalt modifier
JP2020098841A (en) * 2018-12-17 2020-06-25 株式会社Screenホールディングス Substrate processing apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5705223A (en) Method and apparatus for coating a semiconductor wafer
JPS6377569A (en) Rotary type surface treatment device for substrate
JP3102831B2 (en) Rotary processing equipment
US5529626A (en) Spincup with a wafer backside deposition reduction apparatus
US6569241B2 (en) Substrate spinning apparatus
JP3095202B2 (en) Rotating cup type liquid supply device
JPH056855A (en) Coating device and coating method
US20030116535A1 (en) Method and apparatus for removing coating layers from alignment marks on a wafer
KR100902724B1 (en) Development Apparatus
KR19990014327A (en) Resist Development Method
US5962193A (en) Method and apparatus for controlling air flow in a liquid coater
JPH07308625A (en) Substrate spin coating device
JPH03175617A (en) Rotary-type surface treating apparatus for substrate
JPH05109612A (en) Resist coating apparatus
JP2009105353A (en) Manufacturing method of semiconductor device
JPS6342526Y2 (en)
JP2658710B2 (en) Resist coating equipment
JPS60161767A (en) Automatic rotary coating machine
CN221960409U (en) Wafer photoetching equipment
JP2907387B2 (en) Rotary processing equipment
JP2002164277A (en) Semiconductor manufacturing equipment
US6395086B1 (en) Shield for wafer station
JP2603431B2 (en) Coating device
JPH01260823A (en) Developing apparatus for semiconductor wafer
KR100724190B1 (en) Photoresist Coating Device

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19980903