JPH0567819A - 圧電セラミツクトランス - Google Patents
圧電セラミツクトランスInfo
- Publication number
- JPH0567819A JPH0567819A JP3229995A JP22999591A JPH0567819A JP H0567819 A JPH0567819 A JP H0567819A JP 3229995 A JP3229995 A JP 3229995A JP 22999591 A JP22999591 A JP 22999591A JP H0567819 A JPH0567819 A JP H0567819A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric ceramic
- transformer
- piezoelectric
- side end
- piezoelectric transformer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 238000010248 power generation Methods 0.000 abstract description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 abstract description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 241000981595 Zoysia japonica Species 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/40—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and electrical output, e.g. functioning as transformers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は高周波帯で動作可能な、小型化、低
ノイズ化が要求されるオンボード電源用圧電トランスを
目的としたものである。 【構成】 本発明に基づく圧電トランスは、図1に示す
如く、圧電セラミック円板10の径方向中心部分におい
て、厚み方向に対向する内部電極14を有する高インピ
ーダンス部分12とその外側に電極を有しない絶縁環状
部分10、更に、その外側に厚み方向に相対向する複数
対の内部電極13を有する低インピーダンス部11から
なり、高インピーダンス部分12の内部電極14の一端
は低インピーダンス部11の内部電極13に接する事が
無く圧電セラミック円板の側端面に露出し外部電極19
により一層毎に接続され、電気端子15、15’が接続
される。また、低インピーダンス部11の内部電極13
の一端は圧電セラミック円板の側端面に露出し外部電極
18を介し側端面上で一層毎に交互に接続され、更に、
電気端子16、16’が接続してなることを特徴とする
圧電セラミックトランスである。
ノイズ化が要求されるオンボード電源用圧電トランスを
目的としたものである。 【構成】 本発明に基づく圧電トランスは、図1に示す
如く、圧電セラミック円板10の径方向中心部分におい
て、厚み方向に対向する内部電極14を有する高インピ
ーダンス部分12とその外側に電極を有しない絶縁環状
部分10、更に、その外側に厚み方向に相対向する複数
対の内部電極13を有する低インピーダンス部11から
なり、高インピーダンス部分12の内部電極14の一端
は低インピーダンス部11の内部電極13に接する事が
無く圧電セラミック円板の側端面に露出し外部電極19
により一層毎に接続され、電気端子15、15’が接続
される。また、低インピーダンス部11の内部電極13
の一端は圧電セラミック円板の側端面に露出し外部電極
18を介し側端面上で一層毎に交互に接続され、更に、
電気端子16、16’が接続してなることを特徴とする
圧電セラミックトランスである。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はオンボード電源用圧電ト
ランスに関する。
ランスに関する。
【0002】
【従来の技術】近年、電子装置の電源回路を小型にする
ために、スイッチング電源には電磁トランスが用いられ
ており、スイッチング電源の小型化にはスイッチング周
波数の高周波化が望まれている。しかしながら、スイッ
チング周波数を高くすると、電磁トランスに用いられて
いる磁性材料のヒステリシス損失、渦電流損失や導線の
表皮効果による損失が急激に増大し、トランスの効率が
非常に低くなる欠点があった。このため、電磁トランス
の実用的な周波数帯域の上限はせいぜい500kHzで
あった。
ために、スイッチング電源には電磁トランスが用いられ
ており、スイッチング電源の小型化にはスイッチング周
波数の高周波化が望まれている。しかしながら、スイッ
チング周波数を高くすると、電磁トランスに用いられて
いる磁性材料のヒステリシス損失、渦電流損失や導線の
表皮効果による損失が急激に増大し、トランスの効率が
非常に低くなる欠点があった。このため、電磁トランス
の実用的な周波数帯域の上限はせいぜい500kHzで
あった。
【0003】これに対して、積層型圧電トランスは、共
振状態で使用され、一般の電磁トランスに比べて (1)同一周波数においてエネルギー密度が高いため小
型化が図れる。 (2)不燃化が図れる。 (3)電磁誘導によるノイズがでないこと。 等数多くの長所を有している。
振状態で使用され、一般の電磁トランスに比べて (1)同一周波数においてエネルギー密度が高いため小
型化が図れる。 (2)不燃化が図れる。 (3)電磁誘導によるノイズがでないこと。 等数多くの長所を有している。
【0004】図6に従来の代表的な積層型圧電トランス
であるローゼン型圧電トランスの構造を示す。以下、図
面に沿って説明する。表面に電極が設けられた圧電板に
おいて、61で示す部分は圧電トランスの低インピーダ
ンス部の駆動部分であり、その上下面に電極63、64
が設けられており、この部分は厚み方向に分極されてい
る(図中の矢印で示す)また、同様に62で示す部分は
高インピーダンス部の発電部であり、その端面に電極6
5が設けられており、発電部分62は圧電板の長さ方向
に分極されている(図中の矢印で示す)この圧電トラン
スの動作は、例えば高電圧を取り出そうとする場合、駆
動電圧が印加されると横効果縦振動モード(31モー
ド)で電気機械結合係数k3 1 を介して縦振動が励振さ
れ、さらに発電部分では、電気機械結合係数k3 1 を介
して、縦効果縦振動モード(33モード)により高電圧
が取り出される。一方、高電圧を入力し、低電圧を出力
させようとする場合には、縦効果の高インピーダンス部
分を入力側、横効果の低インピーダンス部分を出力側と
すればよいことは言うまでもない。
であるローゼン型圧電トランスの構造を示す。以下、図
面に沿って説明する。表面に電極が設けられた圧電板に
おいて、61で示す部分は圧電トランスの低インピーダ
ンス部の駆動部分であり、その上下面に電極63、64
が設けられており、この部分は厚み方向に分極されてい
る(図中の矢印で示す)また、同様に62で示す部分は
高インピーダンス部の発電部であり、その端面に電極6
5が設けられており、発電部分62は圧電板の長さ方向
に分極されている(図中の矢印で示す)この圧電トラン
スの動作は、例えば高電圧を取り出そうとする場合、駆
動電圧が印加されると横効果縦振動モード(31モー
ド)で電気機械結合係数k3 1 を介して縦振動が励振さ
れ、さらに発電部分では、電気機械結合係数k3 1 を介
して、縦効果縦振動モード(33モード)により高電圧
が取り出される。一方、高電圧を入力し、低電圧を出力
させようとする場合には、縦効果の高インピーダンス部
分を入力側、横効果の低インピーダンス部分を出力側と
すればよいことは言うまでもない。
【0005】また、このようなローゼン型圧電トランス
の他にも、図7(a)、(b)に示したような円板の径
拡がり振動モードを用いた圧電トランスが知られてい
る。図7に示した圧電トランスの動作原理はローゼンタ
イプのものと全く同じである。図において矢印は分極方
向を示し、71は低インピーダンス部分、72は高イン
ピーダンス部分、73、74、75は電極を示す。ま
た、76、77は電気端子、78はアースを示す。この
ような電圧トランスでは、いずれも縦効果の高インピー
ダンス部分は、長さ方向あるいは径方向に分極されてお
り、周知の如く分極処理を行う場合、直流電圧を必要と
する。例えば、PZT系圧電磁器の場合、必要な分極電
界の強さは約4kV/mmに達し、高インピーダンス部
分の電極間の距離が長いほど分極電圧は高くなる。従っ
て、この高い分極電圧の為分極処理時に圧電トランスが
破壊される恐れがあった。
の他にも、図7(a)、(b)に示したような円板の径
拡がり振動モードを用いた圧電トランスが知られてい
る。図7に示した圧電トランスの動作原理はローゼンタ
イプのものと全く同じである。図において矢印は分極方
向を示し、71は低インピーダンス部分、72は高イン
ピーダンス部分、73、74、75は電極を示す。ま
た、76、77は電気端子、78はアースを示す。この
ような電圧トランスでは、いずれも縦効果の高インピー
ダンス部分は、長さ方向あるいは径方向に分極されてお
り、周知の如く分極処理を行う場合、直流電圧を必要と
する。例えば、PZT系圧電磁器の場合、必要な分極電
界の強さは約4kV/mmに達し、高インピーダンス部
分の電極間の距離が長いほど分極電圧は高くなる。従っ
て、この高い分極電圧の為分極処理時に圧電トランスが
破壊される恐れがあった。
【0006】さらに、このような従来の圧電トランスの
動作周波数は、長さ縦共振あるいは基本径拡がり共振を
用いているため、せいぜい200kHzにとどまってい
た。
動作周波数は、長さ縦共振あるいは基本径拡がり共振を
用いているため、せいぜい200kHzにとどまってい
た。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】以上の従来例で示した
ように、従来の圧電トランスの適用周波数はせいぜい2
00kHz以下の低周波帯に限られていた。従って、低
周波帯でしか使用できないため、多くの電流を流すこと
が出来ず、電源用トランスとしては不向きであった。ま
た、長さ、もしくは径方向に分極処理を行わねばならな
いため直流高電圧を印加する必要がある。このため分極
時に圧電トランスが破壊する恐れがあった。また、ロー
ゼン型圧電トランスは縦効果の結合係数k3 3 に比べて
著しく小さい横効果の結合係数k3 1 を用いざるを得な
いため、励振効率が良くないという欠点があった。本発
明は、少なくとも500kHz以上の高周波帯におい
て、低損失で十分な機能を有する小型電源用圧電トラン
スを提供するためになされたものである。
ように、従来の圧電トランスの適用周波数はせいぜい2
00kHz以下の低周波帯に限られていた。従って、低
周波帯でしか使用できないため、多くの電流を流すこと
が出来ず、電源用トランスとしては不向きであった。ま
た、長さ、もしくは径方向に分極処理を行わねばならな
いため直流高電圧を印加する必要がある。このため分極
時に圧電トランスが破壊する恐れがあった。また、ロー
ゼン型圧電トランスは縦効果の結合係数k3 3 に比べて
著しく小さい横効果の結合係数k3 1 を用いざるを得な
いため、励振効率が良くないという欠点があった。本発
明は、少なくとも500kHz以上の高周波帯におい
て、低損失で十分な機能を有する小型電源用圧電トラン
スを提供するためになされたものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は圧電セラミック
円板の径方向中心部において厚み方向に対向する内部電
極を有する高インピーダンス部分と、その外側に電極を
有しない絶縁環状部分と、更に、その外側に厚み方向に
相対向する内部電極を有する低インピーダンス部とから
なる圧電セラミックトランスにおいて、高インピーダン
ス部分の内部電極の一端が低インピーダンス部の内部電
極に接することが無く圧電セラミック円板の側端面に露
出し外部電極を介し一層毎に交互に接続され、かつそれ
ぞれ電気端子に接続され、更に、低インピーダンス部の
内部電極の一端は圧電セラミック円板の側端面に露出し
外部電極を介し側端面上で一層毎に交互に接続され、か
つ、それぞれ電気端子に接続してなることを特徴とする
圧電セラミックトランスであり、また圧電セラミック円
板の側端面に露出した高インピーダンス部分の内部電極
の一端は側端部から圧電セラミック円板の厚み方向の上
下面の径方向中心部にまで形成された外部電極に接続
し、該中心部に電気端子が形成され、更に、圧電セラミ
ック円板の側端面に露出した低インピーダンス部の内部
電極の一端は外部電極を介し圧電セラミック円板の厚み
方向の上下面の該低インピーダンス部内部電極の径方向
の幅の中心部に対応する位置に形成された電気端子に接
続してなることを特徴とする圧電セラミックトランスで
ある。
円板の径方向中心部において厚み方向に対向する内部電
極を有する高インピーダンス部分と、その外側に電極を
有しない絶縁環状部分と、更に、その外側に厚み方向に
相対向する内部電極を有する低インピーダンス部とから
なる圧電セラミックトランスにおいて、高インピーダン
ス部分の内部電極の一端が低インピーダンス部の内部電
極に接することが無く圧電セラミック円板の側端面に露
出し外部電極を介し一層毎に交互に接続され、かつそれ
ぞれ電気端子に接続され、更に、低インピーダンス部の
内部電極の一端は圧電セラミック円板の側端面に露出し
外部電極を介し側端面上で一層毎に交互に接続され、か
つ、それぞれ電気端子に接続してなることを特徴とする
圧電セラミックトランスであり、また圧電セラミック円
板の側端面に露出した高インピーダンス部分の内部電極
の一端は側端部から圧電セラミック円板の厚み方向の上
下面の径方向中心部にまで形成された外部電極に接続
し、該中心部に電気端子が形成され、更に、圧電セラミ
ック円板の側端面に露出した低インピーダンス部の内部
電極の一端は外部電極を介し圧電セラミック円板の厚み
方向の上下面の該低インピーダンス部内部電極の径方向
の幅の中心部に対応する位置に形成された電気端子に接
続してなることを特徴とする圧電セラミックトランスで
ある。
【0009】
【作用】本発明に基づく圧電トランスは、径拡がり3次
モードを積極的に利用するため、内部電極は励振効率の
良い適切な位置に配置され、厚み方向に相対向した構造
となっている。また、該内部電極の一端は、圧電セラミ
ック円板の側端面に露出しており一層毎に外部電極材に
よって側端面上で接続されている。即ち、同一面上に高
インピーダンス部及び、低インピーダンス部の内部電極
がある場合、高インピーダンス部の内部電極をセラミッ
ク円板の側端面に露出するため、低インピーダンスの内
部電極に切り込みを入れ、電極の無いセラミック部分に
導電材を配置することにより高インピーダンス部の内部
電極を側端面上に取り出すことを可能にしている。この
場合、内部電極への切り込み部分は電界が不活性層にな
るため切り込み幅は電源効率に影響をもたらすが、本発
明者等による多くの実験結果によれば内部電極の切り込
み幅は、圧電セラミックトランスの径の10%以内であ
れば電源効率に問題が無い事が明らかとなった。また、
圧電セラミックトランスの側端面は圧電トランスの径拡
がり3次モードの振動変位分布が最大となるため、側端
面からの電気端子の取り出しは出来るだけ小さいポイン
トあるいは、圧電トランスの径拡がり3次モードの振動
変位分布が極小となる位置、即ち、内部電極の径方向中
心部と内部電極の環状幅方向の中心部に電極端子の取り
出し配置が好ましい。このような電気端子の配置によ
り、内部電極からの電気端子取り出しに伴う振動応力分
布を阻害することが無く、振動効率の良い圧電トランス
を実現出来る。
モードを積極的に利用するため、内部電極は励振効率の
良い適切な位置に配置され、厚み方向に相対向した構造
となっている。また、該内部電極の一端は、圧電セラミ
ック円板の側端面に露出しており一層毎に外部電極材に
よって側端面上で接続されている。即ち、同一面上に高
インピーダンス部及び、低インピーダンス部の内部電極
がある場合、高インピーダンス部の内部電極をセラミッ
ク円板の側端面に露出するため、低インピーダンスの内
部電極に切り込みを入れ、電極の無いセラミック部分に
導電材を配置することにより高インピーダンス部の内部
電極を側端面上に取り出すことを可能にしている。この
場合、内部電極への切り込み部分は電界が不活性層にな
るため切り込み幅は電源効率に影響をもたらすが、本発
明者等による多くの実験結果によれば内部電極の切り込
み幅は、圧電セラミックトランスの径の10%以内であ
れば電源効率に問題が無い事が明らかとなった。また、
圧電セラミックトランスの側端面は圧電トランスの径拡
がり3次モードの振動変位分布が最大となるため、側端
面からの電気端子の取り出しは出来るだけ小さいポイン
トあるいは、圧電トランスの径拡がり3次モードの振動
変位分布が極小となる位置、即ち、内部電極の径方向中
心部と内部電極の環状幅方向の中心部に電極端子の取り
出し配置が好ましい。このような電気端子の配置によ
り、内部電極からの電気端子取り出しに伴う振動応力分
布を阻害することが無く、振動効率の良い圧電トランス
を実現出来る。
【0010】本圧電トランスは積層セラミック技術(ド
クターブレード法)で製造することが出来る。この方法
で製造した場合、低インピーダンス部分11において層
間隔10μm程度まで薄く実現することが可能である。
クターブレード法)で製造することが出来る。この方法
で製造した場合、低インピーダンス部分11において層
間隔10μm程度まで薄く実現することが可能である。
【0011】次に本圧電トランスの動作原理について説
明する。図1、図2(a)に本発明に基づく圧電トラン
スの平面図、(b)、(c)に断面図を示す。図1にお
いて例えば、降圧を目的とし、電気入力端子を15、1
5’、出力端子16、16’とする。この場合、12部
分が駆動部、11部分が発電部となる。電気端子15、
15’から交流電圧を印加した場合、本構成の圧電トラ
ンスは3次径拡がり振動が強勢に励振されると同時に、
出力端子16、16’から効率良く降圧された交流電圧
を取り出すことができる。一般に、この3次径拡がり振
動の共振周波数は、基本径拡がり振動の共振周波数の約
2.7倍に達する。径拡がり振動に関する圧電セラミッ
ク円板の音速(位相速度)をV、共振周波数をfrとす
ると中心軸から距離rだけ離れた点での変位U(r)は
明する。図1、図2(a)に本発明に基づく圧電トラン
スの平面図、(b)、(c)に断面図を示す。図1にお
いて例えば、降圧を目的とし、電気入力端子を15、1
5’、出力端子16、16’とする。この場合、12部
分が駆動部、11部分が発電部となる。電気端子15、
15’から交流電圧を印加した場合、本構成の圧電トラ
ンスは3次径拡がり振動が強勢に励振されると同時に、
出力端子16、16’から効率良く降圧された交流電圧
を取り出すことができる。一般に、この3次径拡がり振
動の共振周波数は、基本径拡がり振動の共振周波数の約
2.7倍に達する。径拡がり振動に関する圧電セラミッ
ク円板の音速(位相速度)をV、共振周波数をfrとす
ると中心軸から距離rだけ離れた点での変位U(r)は
【0012】
【数1】
【0013】となる。ただしZ=2πfr・r/Vであ
り、J1(Z)は第1種1次のベッセル関数である。こ
れより径方向の振動変位分布を知ることができる。
り、J1(Z)は第1種1次のベッセル関数である。こ
れより径方向の振動変位分布を知ることができる。
【0014】また、応力T(r)分布は大略U(r)を
rで微分した形となり、
rで微分した形となり、
【0015】
【数2】
【0016】となる。ただしJ0 (Z)は第1種0次ベ
ッセル関数である。
ッセル関数である。
【0017】本発明の圧電トランスの場合、効率の良い
駆動、発電を行うため各駆動、発電電極の中央部は振動
応力の大きさ(絶対値)が最大となる部分に一致してい
る。
駆動、発電を行うため各駆動、発電電極の中央部は振動
応力の大きさ(絶対値)が最大となる部分に一致してい
る。
【0018】本圧電トランスの変成比は入力及び出力の
静電容量を変えることにより、容易に所望の変成比を実
現できる。具体的には入力、出力側の積層数を変えるこ
とにより所望の変成比を実現することが可能で、入力側
の円形電極の直径あるいは出力側環状電極の幅をかえる
ことで所望の変成比を実現する方法よりはるかに有効で
ある。なぜなら、積層数をn倍にすると静電容量はn2
倍になり、変成比を容易にしかも大きく変化させること
が出来るからである。なお、本圧電トランスの電極構成
で3次径拡がり振動モードを励振する場合の電気機械変
換効率の目安となる径拡がり振動の電気機械結合係数k
p は、PZT系圧電セラミックスの場合、少なくとも
0.5以上であり、この値は横効果の棒あるいは板の縦
振動の電気機械結合係数k3 1 の実に2倍以上である。
従って、kp は一般に横効果の結合係数であるにも拘ら
ず、横効果の厚み縦振動の結合係数kt とほぼ同等、も
しくはそれ以上の値となっている。すなわち、kp を利
用していることで、電極の適正装置を行うことにより、
エネルギー変換効率の極めて高い圧電トランスを実現す
ることが出来る。
静電容量を変えることにより、容易に所望の変成比を実
現できる。具体的には入力、出力側の積層数を変えるこ
とにより所望の変成比を実現することが可能で、入力側
の円形電極の直径あるいは出力側環状電極の幅をかえる
ことで所望の変成比を実現する方法よりはるかに有効で
ある。なぜなら、積層数をn倍にすると静電容量はn2
倍になり、変成比を容易にしかも大きく変化させること
が出来るからである。なお、本圧電トランスの電極構成
で3次径拡がり振動モードを励振する場合の電気機械変
換効率の目安となる径拡がり振動の電気機械結合係数k
p は、PZT系圧電セラミックスの場合、少なくとも
0.5以上であり、この値は横効果の棒あるいは板の縦
振動の電気機械結合係数k3 1 の実に2倍以上である。
従って、kp は一般に横効果の結合係数であるにも拘ら
ず、横効果の厚み縦振動の結合係数kt とほぼ同等、も
しくはそれ以上の値となっている。すなわち、kp を利
用していることで、電極の適正装置を行うことにより、
エネルギー変換効率の極めて高い圧電トランスを実現す
ることが出来る。
【0019】また、本発明の圧電トランスは、振動によ
って生じる応力の加わる方向が電極面に平行であるた
め、ハイパワー駆動時においても内部電極が剥離する恐
れが殆どないこと、および、電極部分に応力が集中する
ことがないため、PZT系圧電セラミックスがもつ機械
的品質係数値(Qm値)をトランスにした状態でも保持
できるという長所を有する。
って生じる応力の加わる方向が電極面に平行であるた
め、ハイパワー駆動時においても内部電極が剥離する恐
れが殆どないこと、および、電極部分に応力が集中する
ことがないため、PZT系圧電セラミックスがもつ機械
的品質係数値(Qm値)をトランスにした状態でも保持
できるという長所を有する。
【0020】
【実施例】本発明に基づく圧器トランスの一実施例とし
て図1及び、図2に示した径拡がり3次モードで動作す
る圧電トランスを試作した。
て図1及び、図2に示した径拡がり3次モードで動作す
る圧電トランスを試作した。
【0021】次に、実施例に基づいて説明する。まず圧
電材料としてPZT系圧電セラミック粉末(株式会社
トーキン製、NEPEC−61(商品名))を有機バイ
ンダーと共に溶媒中に分散しスラリー状とする。これを
ドクターブレードを用いたキャスティング法によって、
厚さが約70μmのグリーンシートを作製する。このグ
リーンシートに内部電極層及び、導電材としてPt、バ
インダー、有機溶剤からなるPtペーストをスクリーン
印刷法により印刷する。(図3(a)、(b)に印刷後
の各種パターンの断面図を示す。(a)の内部電極13
の切り込み幅は0.3mmであり、内部電極14からの
圧電セラミックの側端面への導電材幅は0.1mmであ
る。)その後、熱プレス機で積層圧着するために必要な
形状、すなわち、プレス金型に適合する大きさにパンチ
ング機により打ち抜き切断する。その後、所定の組み合
わせに従い積み重ねた後、熱プレス機にて熱圧着し、一
体のグリーン積層体とする。このグリーン積層体を60
0℃で空気中で熱処理して脱バインダーする。その後、
1200℃2時間焼成した後、所定寸法に切断し圧電磁
器トランス素子を作製する。次に、図1、図2の
(b)、(c)に積層体の断面を示すように圧電磁器ト
ランスの上下面を平行平面研磨し外部電極18、19を
焼き付け電気端子15、15’、16、16’をそれぞ
れ接続する。電気端子15と15’間、16と16’間
に4kV/mmの直流電圧を印加し分極させる。試作し
た圧電トランスの外径は9.6mm、厚さ1.5mmで
ある圧電トランスの低インピーダンス側11部分は、圧
電セラミック層が4層からなり、内部電極の環状幅は3
mmであり、円板中心部の内部電極の直径は3.5mm
である。隣接する圧電セラミック層間において前途の如
く分極方向は互いに逆向きになっている。本圧電トラン
スの集中定数近似等価回路は、図4のように表すことが
できる。図4においてCd 1 、Cd 2 はそれぞれ入力
側、出力側の制動容量、A1 、A2 は力係数、m、C、
Rmはそれぞれ径拡がり3次モードに関する等価質量、
等価コンプライアンス、等価機械抵抗である。本圧電ト
ランスは図4に示した等価回路に基づいて設計された。
電材料としてPZT系圧電セラミック粉末(株式会社
トーキン製、NEPEC−61(商品名))を有機バイ
ンダーと共に溶媒中に分散しスラリー状とする。これを
ドクターブレードを用いたキャスティング法によって、
厚さが約70μmのグリーンシートを作製する。このグ
リーンシートに内部電極層及び、導電材としてPt、バ
インダー、有機溶剤からなるPtペーストをスクリーン
印刷法により印刷する。(図3(a)、(b)に印刷後
の各種パターンの断面図を示す。(a)の内部電極13
の切り込み幅は0.3mmであり、内部電極14からの
圧電セラミックの側端面への導電材幅は0.1mmであ
る。)その後、熱プレス機で積層圧着するために必要な
形状、すなわち、プレス金型に適合する大きさにパンチ
ング機により打ち抜き切断する。その後、所定の組み合
わせに従い積み重ねた後、熱プレス機にて熱圧着し、一
体のグリーン積層体とする。このグリーン積層体を60
0℃で空気中で熱処理して脱バインダーする。その後、
1200℃2時間焼成した後、所定寸法に切断し圧電磁
器トランス素子を作製する。次に、図1、図2の
(b)、(c)に積層体の断面を示すように圧電磁器ト
ランスの上下面を平行平面研磨し外部電極18、19を
焼き付け電気端子15、15’、16、16’をそれぞ
れ接続する。電気端子15と15’間、16と16’間
に4kV/mmの直流電圧を印加し分極させる。試作し
た圧電トランスの外径は9.6mm、厚さ1.5mmで
ある圧電トランスの低インピーダンス側11部分は、圧
電セラミック層が4層からなり、内部電極の環状幅は3
mmであり、円板中心部の内部電極の直径は3.5mm
である。隣接する圧電セラミック層間において前途の如
く分極方向は互いに逆向きになっている。本圧電トラン
スの集中定数近似等価回路は、図4のように表すことが
できる。図4においてCd 1 、Cd 2 はそれぞれ入力
側、出力側の制動容量、A1 、A2 は力係数、m、C、
Rmはそれぞれ径拡がり3次モードに関する等価質量、
等価コンプライアンス、等価機械抵抗である。本圧電ト
ランスは図4に示した等価回路に基づいて設計された。
【0022】試作した圧電トランスの共振周波数は60
2kHz、機械的品質係数Q値は830、最大エネルギ
ィ変換効率は97%、また安定供給電力は4.5Wであ
った。この圧電トランスの周波数に対する降圧比Vo/
Vi(Vi;入力圧電、Vo;出力圧電)と効率ζの実
測値を図5に示す。図5より、試作した圧電トランス
は、トランスの降圧機能及び、高いエネルギー変換効率
を実現していることがあきらかである。
2kHz、機械的品質係数Q値は830、最大エネルギ
ィ変換効率は97%、また安定供給電力は4.5Wであ
った。この圧電トランスの周波数に対する降圧比Vo/
Vi(Vi;入力圧電、Vo;出力圧電)と効率ζの実
測値を図5に示す。図5より、試作した圧電トランス
は、トランスの降圧機能及び、高いエネルギー変換効率
を実現していることがあきらかである。
【0023】なお、入力端子を低インピーダンス部分、
出力端子を高インピーダンス部分から取り出すことによ
り昇圧用トランスとしても用いることが可能であること
は言うまでもない。
出力端子を高インピーダンス部分から取り出すことによ
り昇圧用トランスとしても用いることが可能であること
は言うまでもない。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に従った圧
電トランスは500kHz以上の高周波帯で使用するこ
とができ、かつ小型で高効率であるという従来の圧電ト
ランスにはみられない長所があり、工業的価値も多大で
ある。
電トランスは500kHz以上の高周波帯で使用するこ
とができ、かつ小型で高効率であるという従来の圧電ト
ランスにはみられない長所があり、工業的価値も多大で
ある。
【図1】本発明の圧電セラミックトランスの構成例を示
す図である。
す図である。
【図2】本発明の圧電セラミックトランスの構成例を示
す図である。
す図である。
【図3】グリーンシートに内部電極を形成した状態を示
す図である。
す図である。
【図4】圧電トランスの集中定数等価回路図である。
【図5】本発明の圧電トランスの特性図である。
【図6】従来のローゼン型圧電トランスを示す図であ
る。
る。
【図7】圧電磁器円板を利用した従来の圧電トランスを
示す図である。
示す図である。
10 圧電磁器 11、61、71 低インピーダンス部分 12、62、72 高インピーダンス部分 13、14 内部電極層 15、15’、16、16’、76、77 電気端子 18、19 外部電極 63、64、65、73、74、75 電極 78 アース
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大西修 東京都港区芝五丁目7番1号日本電気株式 会社内 (72)発明者 佐々木 康弘 東京都港区芝五丁目7番1号日本電気株式 会社内
Claims (2)
- 【請求項1】 圧電セラミック円板の径方向中心部にお
いて厚み方向に対向する内部電極を有する高インピーダ
ンス部分と、その外側に電極を有しない絶縁環状部分
と、更に、その外側に厚み方向に相対向する環状の内部
電極を有する低インピーダンス部とを備えた圧電セラミ
ックトランスにおいて、高インピーダンス部分の内部電
極の一端が低インピーダンス部の内部電極に接すること
が無く圧電セラミック円板の側端面に露出し外部電極を
介し一層毎に交互に接続され、かつそれぞれ電気端子に
接続され、更に、低インピーダンス部の内部電極の一端
は圧電セラミック円板の側端面に露出し外部電極を介し
側端面上で一層毎に交互に接続され、かつ、それぞれ電
気端子に接続してなることを特徴とする圧電セラミック
トランス。 - 【請求項2】 請求項(1)の圧電セラミックトランス
において、圧電セラミック円板の側端面に露出した高イ
ンピーダンス部分の内部電極の一端は側端部から圧電セ
ラミック円板の厚み方向の上下面の径方向中心部にまで
形成された外部電極に接続し、該中心部に電気端子が形
成され、更に、圧電セラミック円板の側端面に露出した
低インピーダンス部の内部電極の一端は外部電極を介し
圧電セラミック円板の厚み方向の上下面の該低インピー
ダンス部内部電極の径方向の幅の中心部に対応する位置
に形成された電気端子に接続してなることを特徴とする
圧電セラミックトランス。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3229995A JPH0567819A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | 圧電セラミツクトランス |
| US07/940,024 US5278471A (en) | 1991-09-10 | 1992-09-03 | Piezoelectric ceramic transformer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3229995A JPH0567819A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | 圧電セラミツクトランス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0567819A true JPH0567819A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=16900958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3229995A Pending JPH0567819A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | 圧電セラミツクトランス |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5278471A (ja) |
| JP (1) | JPH0567819A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6037403A (en) * | 1995-12-13 | 2000-03-14 | Nippon Petrochemicals Company Limited | High viscosity fluid composition and vibration energy damping device utilizing the same |
| JP2001135875A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-05-18 | Tamura Seisakusho Co Ltd | 圧電トランス |
| US6573638B1 (en) | 1997-01-31 | 2003-06-03 | Nec Corporation | Piezoelectric ceramic transformer and driving method therefor |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4233256C1 (de) * | 1992-10-02 | 1993-12-02 | Endress Hauser Gmbh Co | Schall- oder Ultraschallwandler |
| JP2508575B2 (ja) * | 1993-01-28 | 1996-06-19 | 日本電気株式会社 | 圧電磁器トランスとその駆動方法 |
| US5684884A (en) * | 1994-05-31 | 1997-11-04 | Hitachi Metals, Ltd. | Piezoelectric loudspeaker and a method for manufacturing the same |
| JPH07335951A (ja) * | 1994-06-14 | 1995-12-22 | Philips Japan Ltd | 圧電アクチュエータ |
| JP2606667B2 (ja) * | 1994-07-22 | 1997-05-07 | 日本電気株式会社 | 圧電磁器トランス及びその駆動方法 |
| JPH08153914A (ja) * | 1994-11-25 | 1996-06-11 | Philips Japan Ltd | 圧電磁器トランス |
| JP2757835B2 (ja) * | 1995-09-29 | 1998-05-25 | 日本電気株式会社 | 圧電トランス |
| TW420883B (en) * | 1996-02-08 | 2001-02-01 | Tokin Corp | A piezoelectric transformer |
| WO1998002927A1 (en) * | 1996-07-12 | 1998-01-22 | Nihon Cement Kabushiki Kaisha | Piezoelectric transformer device |
| US5892318A (en) * | 1997-01-02 | 1999-04-06 | Motorola Inc. | Piezoelectric transformer with multiple output |
| US5814922A (en) * | 1997-11-18 | 1998-09-29 | The Penn State Research Foundation | Annular piezoelectric transformer |
| DE19802302A1 (de) * | 1998-01-22 | 1999-07-29 | Bosch Gmbh Robert | Piezoelektrischer Aktor |
| DE69916344T2 (de) * | 1998-01-23 | 2005-05-12 | Océ-Technologies B.V. | Pizoelektrischer Betätiger für Tintenstrahldruckkopf |
| TW432731B (en) * | 1998-12-01 | 2001-05-01 | Murata Manufacturing Co | Multilayer piezoelectric part |
| US6362559B1 (en) * | 1999-02-12 | 2002-03-26 | Face International Corp. | Piezoelectric transformer with segmented electrodes |
| US6278226B1 (en) | 1999-10-20 | 2001-08-21 | Dong Il Technology Ltd. | Piezo ceramic transformer and circuit using the same |
| DE10025561A1 (de) * | 2000-05-24 | 2001-12-06 | Siemens Ag | Energieautarker Hochfrequenzsender |
| US6346764B1 (en) * | 2000-12-15 | 2002-02-12 | Face International Corp. | Multilayer piezoelectric transformer |
| US6476542B2 (en) | 2000-12-20 | 2002-11-05 | Cts Corporation | Piezoelectric transformer with dual-phase input drive |
| US6597084B2 (en) * | 2001-01-05 | 2003-07-22 | The Hong Kong Polytechnic University | Ring-shaped piezoelectric transformer having an inner and outer electrode |
| US6674222B2 (en) | 2001-04-05 | 2004-01-06 | Mide Technology Corporation | Single crystal piezoelectric transformer |
| CN102594329A (zh) | 2001-07-03 | 2012-07-18 | 布拉德伯里·R·法塞 | 自供电开关启动系统 |
| JP2003086854A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-20 | Oce Technologies Bv | 多層圧電アクチュエータ |
| DE10150128C2 (de) * | 2001-10-11 | 2003-10-02 | Enocean Gmbh | Drahtloses Sensorsystem |
| US7429816B2 (en) * | 2002-09-27 | 2008-09-30 | Innochips Technology | Piezoelectric vibrator and fabricating method thereof |
| DE602004024626D1 (de) | 2003-09-24 | 2010-01-28 | Tdk Corp | Piezoelektrische keramische Zusammenstellung und Herstellung derselben, und piezoelektrisches Element |
| DE10345730A1 (de) * | 2003-10-01 | 2005-04-21 | Bosch Gmbh Robert | Piezoaktor |
| DE102006049919A1 (de) * | 2006-10-23 | 2008-04-24 | Epcos Ag | Piezotransformator |
| DE102007003280A1 (de) * | 2007-01-23 | 2008-07-24 | Epcos Ag | Piezoelektrisches Bauelement |
| WO2009073859A1 (en) * | 2007-12-07 | 2009-06-11 | Zevex, Inc. | Method of inducing transverse motion in langevin type transducers using split electroding of ceramic elements |
| DE102010048781B4 (de) * | 2010-10-18 | 2018-01-11 | Epcos Ag | Hochspannungsgenerator und Verfahren zu seinem Betrieb |
| WO2013052910A2 (en) | 2011-10-05 | 2013-04-11 | Ross Bird | Slat-constructed autonomic transformers |
| CN110200635B (zh) * | 2019-07-05 | 2024-02-02 | 北京中硕众联智能电子科技有限公司 | 一种检测步行时足底三轴力的传感器及相应的检测方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2830274A (en) * | 1954-01-04 | 1958-04-08 | Gen Electric | Electromechanical transducer |
| US3271622A (en) * | 1963-07-05 | 1966-09-06 | Little Inc A | Piezoelectric ballast apparatus |
| US4564782A (en) * | 1983-09-02 | 1986-01-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic filter using multiple thin piezoelectric layers |
| JPS61205100A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-11 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電発音体 |
-
1991
- 1991-09-10 JP JP3229995A patent/JPH0567819A/ja active Pending
-
1992
- 1992-09-03 US US07/940,024 patent/US5278471A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6037403A (en) * | 1995-12-13 | 2000-03-14 | Nippon Petrochemicals Company Limited | High viscosity fluid composition and vibration energy damping device utilizing the same |
| US6573638B1 (en) | 1997-01-31 | 2003-06-03 | Nec Corporation | Piezoelectric ceramic transformer and driving method therefor |
| JP2001135875A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-05-18 | Tamura Seisakusho Co Ltd | 圧電トランス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5278471A (en) | 1994-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0567819A (ja) | 圧電セラミツクトランス | |
| JP3064458B2 (ja) | 厚み縦振動圧電磁器トランスとその駆動方法 | |
| US6366006B1 (en) | Composite piezoelectric transformer | |
| Priya | High power universal piezoelectric transformer | |
| JP2830503B2 (ja) | 圧電セラミックトランス及びその製造方法 | |
| US6278227B1 (en) | Piezoelectric transformer | |
| JP2666562B2 (ja) | 圧電セラミックトランスとその駆動方法 | |
| JP2940282B2 (ja) | 厚み縦振動圧電磁器トランス及びその駆動方法 | |
| JP3060666B2 (ja) | 厚み縦振動圧電磁器トランスとその駆動方法 | |
| JP3706509B2 (ja) | 圧電トランス | |
| JPH07176804A (ja) | 圧電磁器トランスとその駆動方法 | |
| JP2910392B2 (ja) | 厚み振動圧電磁器トランスの製造方法 | |
| JPH065944A (ja) | 圧電磁器トランスフィルタとその駆動方法 | |
| JP2576648B2 (ja) | 厚み縦振動圧電磁器トランスとその駆動方法 | |
| JPH06181346A (ja) | 圧電磁器トランスフィルタ | |
| JPH05251784A (ja) | 厚み縦振動圧電磁器トランスおよびその製造方法 | |
| JP2907153B2 (ja) | 圧電トランスおよびその製造方法 | |
| JPH04291773A (ja) | 厚み縦振動圧電磁器トランス及びその製造方法 | |
| JPH05251781A (ja) | 厚み縦振動圧電磁器トランスおよびその製造方法 | |
| JP2757561B2 (ja) | 厚み縦振動圧電磁器トランスとその駆動方法 | |
| JPH08306984A (ja) | 圧電トランス | |
| JP3709114B2 (ja) | 圧電トランス | |
| JP2655450B2 (ja) | 厚み縦振動圧電磁器トランスとその製造方法および駆動方法 | |
| JPH088472A (ja) | 圧電磁器トランスとその駆動方法 | |
| JPH05235434A (ja) | 厚み縦振動圧電磁器トランス及びその駆動方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |