JPH0555105A - 半導体焼付露光装置 - Google Patents
半導体焼付露光装置Info
- Publication number
- JPH0555105A JPH0555105A JP3236911A JP23691191A JPH0555105A JP H0555105 A JPH0555105 A JP H0555105A JP 3236911 A JP3236911 A JP 3236911A JP 23691191 A JP23691191 A JP 23691191A JP H0555105 A JPH0555105 A JP H0555105A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- focus
- value
- shots
- shot
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 複数のウエハのそれぞれについてウエハをス
テップ移動させながらそのウエハ上の複数のショットに
露光を行なう半導体焼付露光装置において、露光処理速
度および歩留りの少なくとも一方を他方を損なうことな
く向上する。 【構成】 フォーカス位置計測装置（ＬＤ，ＰＤ）を有
する半導体焼付露光装置に対して、各ショットおよび各
ウエハのフォーカス位置計測値を記憶する手段（ＣＢ）
と、この記憶手段による記憶値に基づいて、その後のフ
ォーカス位置の計測値が正しくなるような補正値を統計
処理により得る演算手段（ＣＢ）と、その補正値に基づ
いてフォーカス位置を制御する制御手段（ＣＢ）を設け
る。
テップ移動させながらそのウエハ上の複数のショットに
露光を行なう半導体焼付露光装置において、露光処理速
度および歩留りの少なくとも一方を他方を損なうことな
く向上する。 【構成】 フォーカス位置計測装置（ＬＤ，ＰＤ）を有
する半導体焼付露光装置に対して、各ショットおよび各
ウエハのフォーカス位置計測値を記憶する手段（ＣＢ）
と、この記憶手段による記憶値に基づいて、その後のフ
ォーカス位置の計測値が正しくなるような補正値を統計
処理により得る演算手段（ＣＢ）と、その補正値に基づ
いてフォーカス位置を制御する制御手段（ＣＢ）を設け
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体焼付露光装置に
関し、更に詳しくはステッパ等のマスクアライナにおい
てフォーカス位置合わせのためにフォーカス計測装置を
備えた型式の半導体焼付露光装置に関する。
関し、更に詳しくはステッパ等のマスクアライナにおい
てフォーカス位置合わせのためにフォーカス計測装置を
備えた型式の半導体焼付露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスはＩＣからＬＳ
Ｉ、そして超ＬＳＩへとパターンの微細化と高集積化な
らびに大画面化がめざましく、半導体焼付露光装置の分
野でもこれに応えるために各種方式のステッパが開発さ
れている。ステッパでは、レンズの解像力を高めるため
に高ＮＡ化すると、その焦点深度が小さくなるという欠
点があり、このためフォーカスの位置合せ精度を高める
努力がなされている。
Ｉ、そして超ＬＳＩへとパターンの微細化と高集積化な
らびに大画面化がめざましく、半導体焼付露光装置の分
野でもこれに応えるために各種方式のステッパが開発さ
れている。ステッパでは、レンズの解像力を高めるため
に高ＮＡ化すると、その焦点深度が小さくなるという欠
点があり、このためフォーカスの位置合せ精度を高める
努力がなされている。
【０００３】フォーカスの位置合せ精度を高める手段と
して、各ショットの多点またはショット全面で計測をし
たり、ウエハの傾きを取り除くために、チルト計測およ
び駆動をフォーカス計測の前に実施したり、焼き付けた
パターンの影響を相殺するために、パターンオフセット
をあらかじめ計測したりしている。
して、各ショットの多点またはショット全面で計測をし
たり、ウエハの傾きを取り除くために、チルト計測およ
び駆動をフォーカス計測の前に実施したり、焼き付けた
パターンの影響を相殺するために、パターンオフセット
をあらかじめ計測したりしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では計測したショットにおけるフォーカス計測値の
みを用いてフォーカス位置合せを行なうため、 （１）ウエハの異物やレジストの塗りムラなどのあるシ
ョットでは、フォーカス位置を正しく測定できない （２）毎ショット必ずフォーカス計測をする必要がある
ので、スループットが悪い などの欠点があった。
来例では計測したショットにおけるフォーカス計測値の
みを用いてフォーカス位置合せを行なうため、 （１）ウエハの異物やレジストの塗りムラなどのあるシ
ョットでは、フォーカス位置を正しく測定できない （２）毎ショット必ずフォーカス計測をする必要がある
ので、スループットが悪い などの欠点があった。
【０００５】本発明は、上記従来例における欠点を解消
すべくなされたもので、ゴミやレジスト等によるフォー
カス計測の異常を迅速に知ることができ、不良ショット
を少なくすることが可能な半導体焼付露光装置を提供す
ることを目的とする。
すべくなされたもので、ゴミやレジスト等によるフォー
カス計測の異常を迅速に知ることができ、不良ショット
を少なくすることが可能な半導体焼付露光装置を提供す
ることを目的とする。
【０００６】または、不良ショットを増加することなく
スループットを向上することが可能な半導体焼付装置を
提供することを目的とする。
スループットを向上することが可能な半導体焼付装置を
提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明では、複数のウエハのそれぞれについてウエ
ハをステップ移動させながらそのウエハ上の複数の領域
に露光する半導体焼付装置において、先行してフォーカ
ス計測され露光された単数または複数のウエハにおける
同一ショットのフォーカス値を記憶し、統計処理を行な
い、新たなウエハのフォーカス計測を行なう際、前記の
記憶し演算した値と比較し、異常の有無を検出するか、
または前記先行ウエハの各ショットごとのフォーカス計
測値を記憶し、統計処理を行ない、新たなウエハの一部
のショットについて前記の記憶し統計処理を行なった値
を用いてフォーカス値を算出するようにしている。
め、本発明では、複数のウエハのそれぞれについてウエ
ハをステップ移動させながらそのウエハ上の複数の領域
に露光する半導体焼付装置において、先行してフォーカ
ス計測され露光された単数または複数のウエハにおける
同一ショットのフォーカス値を記憶し、統計処理を行な
い、新たなウエハのフォーカス計測を行なう際、前記の
記憶し演算した値と比較し、異常の有無を検出するか、
または前記先行ウエハの各ショットごとのフォーカス計
測値を記憶し、統計処理を行ない、新たなウエハの一部
のショットについて前記の記憶し統計処理を行なった値
を用いてフォーカス値を算出するようにしている。
【０００８】
【作用】本発明によれば、フォーカス位置計測装置を有
する半導体焼付露光装置に対して、各ショットおよび各
ウエハのフォーカス位置計測値を記憶する手段と、この
記憶手段による記憶値に基づいて、その後のフォーカス
位置の計測値が正しくなるような補正値を統計処理によ
り得る演算手段およびその補正値に基づいてフォーカス
位置を制御する制御手段が装備される。したがって、新
たなウエハについてのフォーカス計測した値を前記補正
値と比較してこのフォーカス値を評価するようにすれ
ば、ゴミやレジスト等によるフォーカス計測の異常を迅
速に知ることが可能になり、不良ショットを少なくでき
る。また、新たなウエハについては前記補正値を用いて
フォーカス計測ショット数を軽減するようにすれば、半
導体焼付装置のスループットを向上させることができ
る。
する半導体焼付露光装置に対して、各ショットおよび各
ウエハのフォーカス位置計測値を記憶する手段と、この
記憶手段による記憶値に基づいて、その後のフォーカス
位置の計測値が正しくなるような補正値を統計処理によ
り得る演算手段およびその補正値に基づいてフォーカス
位置を制御する制御手段が装備される。したがって、新
たなウエハについてのフォーカス計測した値を前記補正
値と比較してこのフォーカス値を評価するようにすれ
ば、ゴミやレジスト等によるフォーカス計測の異常を迅
速に知ることが可能になり、不良ショットを少なくでき
る。また、新たなウエハについては前記補正値を用いて
フォーカス計測ショット数を軽減するようにすれば、半
導体焼付装置のスループットを向上させることができ
る。
【０００９】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。
る。
【００１０】図１は、本発明の一実施例に係る露光装置
の概略構成図である。同図において、ＺＳはウエハをＺ
方向に上下させるＺステージ、１ＤとＰＤは光学式オー
トフォーカス装置におけるそれぞれ発光部と受光部、Ｃ
ＢはＣＰＵ（中央演算装置）やメモリ等からなる制御回
路を備えたコントロールボックス、ＷＦはウエハ、ＬＮ
はレンズである。
の概略構成図である。同図において、ＺＳはウエハをＺ
方向に上下させるＺステージ、１ＤとＰＤは光学式オー
トフォーカス装置におけるそれぞれ発光部と受光部、Ｃ
ＢはＣＰＵ（中央演算装置）やメモリ等からなる制御回
路を備えたコントロールボックス、ＷＦはウエハ、ＬＮ
はレンズである。
【００１１】次に、この装置による半導体ウエハの露光
法を説明する。例として２枚のウエハを露光することに
する。以下、図２のフローチャートに従って図１の動作
を詳細に説明する。
法を説明する。例として２枚のウエハを露光することに
する。以下、図２のフローチャートに従って図１の動作
を詳細に説明する。
【００１２】露光を開始すると、まずステップ１０１に
おいて、１枚目のウエハ（以下、第１ウエハという）を
搬入し、ステップ１０２で焼付投影レンズＬＮ下の露光
位置に来るようにウエハＷＦを移動し、ステップ１０３
でフォーカス計測を行なう。計測終了後、計測したショ
ットの番号、ＸＹステージＸＹＳの位置およびフォーカ
ス計測値を記憶装置に記憶させる。そして、ステップ１
０５でＺステージを露光位置に移動し、ステップ１０６
で露光する。そしてステップ１０７で最終ショットの露
光が終了したかどうかの判定を行なう。全ショットの露
光が終了した所でステップ１０８に進み、第１ウエハの
全ショットのフォーカス値の平均および分散を計算す
る。そしてステップ１０９で第１ウエハを搬出する。ス
テップ１１０で２枚目のウエハ（以下、第２ウエハとい
う）を搬入する。ステップ１１１でウエハＷＦを露光位
置へ移動してステップ１１２でフォーカス計測を行な
う。そしてステップ１１３において今回計測した値と第
１ウエハの同一位置のショットで計測した値とを比較し
てその差があらかじめ設定された値よりも大きかった場
合にはステップ１１４に進む。ステップ１１４では、ス
テップ１０８で求めた平均とも比較し、その差が別にあ
らかじめ設定された値よりも大きい時は、一時停止や警
告等の緊急処理を行なう。ステップ１１３またはステッ
プ１１４の判定結果がＯＫの場合は、ステップ１１６以
下の処理を続行する。ステップ１１６〜１２１の処理
は、ステップ１２０の統計処理がフォーカス計測済の第
１および第２ウエハ双方のフォーカス値について行なわ
れることを除き、前述したステップ１０４〜１０９の処
理と同じである。
おいて、１枚目のウエハ（以下、第１ウエハという）を
搬入し、ステップ１０２で焼付投影レンズＬＮ下の露光
位置に来るようにウエハＷＦを移動し、ステップ１０３
でフォーカス計測を行なう。計測終了後、計測したショ
ットの番号、ＸＹステージＸＹＳの位置およびフォーカ
ス計測値を記憶装置に記憶させる。そして、ステップ１
０５でＺステージを露光位置に移動し、ステップ１０６
で露光する。そしてステップ１０７で最終ショットの露
光が終了したかどうかの判定を行なう。全ショットの露
光が終了した所でステップ１０８に進み、第１ウエハの
全ショットのフォーカス値の平均および分散を計算す
る。そしてステップ１０９で第１ウエハを搬出する。ス
テップ１１０で２枚目のウエハ（以下、第２ウエハとい
う）を搬入する。ステップ１１１でウエハＷＦを露光位
置へ移動してステップ１１２でフォーカス計測を行な
う。そしてステップ１１３において今回計測した値と第
１ウエハの同一位置のショットで計測した値とを比較し
てその差があらかじめ設定された値よりも大きかった場
合にはステップ１１４に進む。ステップ１１４では、ス
テップ１０８で求めた平均とも比較し、その差が別にあ
らかじめ設定された値よりも大きい時は、一時停止や警
告等の緊急処理を行なう。ステップ１１３またはステッ
プ１１４の判定結果がＯＫの場合は、ステップ１１６以
下の処理を続行する。ステップ１１６〜１２１の処理
は、ステップ１２０の統計処理がフォーカス計測済の第
１および第２ウエハ双方のフォーカス値について行なわ
れることを除き、前述したステップ１０４〜１０９の処
理と同じである。
【００１３】このような手順によれば、同じロットの中
で同じパターンのウエハを露光して行く場合、前のウエ
ハの計測値が次のウエハの計測値の良否を判定する基準
となるので、計測値が正しい測定によるものかどうかが
判断でき、間違ったフォーカス位置での露光を事前に防
いだり、異常なショットがあったことを現像前に知るこ
とができる。また、露光枚数を増やすに従い、それまで
の全ウエハの同一ショットでのフォーカス値の平均値
や、いままでの全ウエハの全ショットでのフォーカス値
の平均値も判断の基準に適用することができる。
で同じパターンのウエハを露光して行く場合、前のウエ
ハの計測値が次のウエハの計測値の良否を判定する基準
となるので、計測値が正しい測定によるものかどうかが
判断でき、間違ったフォーカス位置での露光を事前に防
いだり、異常なショットがあったことを現像前に知るこ
とができる。また、露光枚数を増やすに従い、それまで
の全ウエハの同一ショットでのフォーカス値の平均値
や、いままでの全ウエハの全ショットでのフォーカス値
の平均値も判断の基準に適用することができる。
【００１４】なお、上述においては、全ショットを必ず
計測する場合について例示したが、本発明は、ウエハ内
のあらかじめ定められた複数ショットをフォーカス計測
ショットとして選択、処理する場合にも適用することが
できる。
計測する場合について例示したが、本発明は、ウエハ内
のあらかじめ定められた複数ショットをフォーカス計測
ショットとして選択、処理する場合にも適用することが
できる。
【００１５】
【他の実施例】前のウエハのショット情報を記憶するこ
とは、上述のようにフォーカス値のチェックに適用でき
るが、その考えをさらに進めると、前のウエハまでの値
を用いれば、各ショットでのフォーカス計測を省略する
ことが可能になる。
とは、上述のようにフォーカス値のチェックに適用でき
るが、その考えをさらに進めると、前のウエハまでの値
を用いれば、各ショットでのフォーカス計測を省略する
ことが可能になる。
【００１６】まず、１枚目のウエハでは必ず全ショット
の計測を行ない、２枚目以降については、あらかじめ定
めたショットのみでフォーカス計測のみを行なう。そし
て測定した各ショットの値と１枚目のウエハの同一ショ
ットの値とを比較し、あらかじめ定めた範囲内であれ
ば、各ショットでのフォーカス計測を省略し露光のみを
行なう。また範囲外であればそのウエハについては全シ
ョットで計測と露光を行ない、３枚目以降の比較データ
に反映させる。こうすることで、従来各ショットで必ず
必要であったフォーカス計測を必要最小限にすることが
でき、高スループットを実現することが可能となる。
の計測を行ない、２枚目以降については、あらかじめ定
めたショットのみでフォーカス計測のみを行なう。そし
て測定した各ショットの値と１枚目のウエハの同一ショ
ットの値とを比較し、あらかじめ定めた範囲内であれ
ば、各ショットでのフォーカス計測を省略し露光のみを
行なう。また範囲外であればそのウエハについては全シ
ョットで計測と露光を行ない、３枚目以降の比較データ
に反映させる。こうすることで、従来各ショットで必ず
必要であったフォーカス計測を必要最小限にすることが
でき、高スループットを実現することが可能となる。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、複数の
ウエハを露光していく場合に、前ウエハまでの全ショッ
トの計測値を統計処理することで、（イ）ゴミやレジス
ト等によるフォーカス計測の異常を迅速に知ることが可
能になり、不良ショットを少なくできる、あるいは
（ロ）１枚のウエハでのショット毎のフォーカス情報を
用いて２枚目以降のフォーカス計測ショット数を軽減さ
せることで、半導体焼付装置のスループットが向上する
という効果が得られる。
ウエハを露光していく場合に、前ウエハまでの全ショッ
トの計測値を統計処理することで、（イ）ゴミやレジス
ト等によるフォーカス計測の異常を迅速に知ることが可
能になり、不良ショットを少なくできる、あるいは
（ロ）１枚のウエハでのショット毎のフォーカス情報を
用いて２枚目以降のフォーカス計測ショット数を軽減さ
せることで、半導体焼付装置のスループットが向上する
という効果が得られる。
【図１】 本発明の一実施例に係る露光装置の概略構成
図である。
図である。
【図２】 図１の装置の動作説明のためのフローチャー
トである。
トである。
ＺＳ：Ｚステージ、１Ｄ：光学式オートフォーカス装置
の発光部、ＰＤ：光学式オートフォーカス装置の受光
部、ＣＢ：コントロールボックス、ＷＦ：ウエハ、Ｌ
Ｎ：レンズ。
の発光部、ＰＤ：光学式オートフォーカス装置の受光
部、ＣＢ：コントロールボックス、ＷＦ：ウエハ、Ｌ
Ｎ：レンズ。
Claims (3)
- 【請求項１】 複数のウエハのそれぞれについてウエハ
をステップ移動させながらそのウエハ上の複数のショッ
トに露光を行なう半導体焼付露光装置において、先行し
て処理された単数または複数のウエハにおけるフォーカ
ス計測値を各ショットごとに記憶する手段と、この記憶
手段による記憶値を統計処理する演算手段と、統計処理
により得られた値に基づいてフォーカス位置を制御する
制御手段とを具備することを特徴とする半導体焼付露光
装置。 - 【請求項２】 前記制御手段が、新たなウエハのフォー
カス計測を行なう際、新たなウエハのフォーカス計測値
を前記の統計処理により先行するウエハの同一のショッ
トに関して得られた値と比較して異常の有無を検出する
請求項１記載の半導体焼付露光装置。 - 【請求項３】 前記制御手段が、新たなウエハの一部の
ショットのフォーカス値を、この新たなウエハの他のシ
ョットのフォーカス計測値と前記の統計処理により得ら
れた値とに基づいて算出する請求項１記載の半導体焼付
露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3236911A JPH0555105A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 半導体焼付露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3236911A JPH0555105A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 半導体焼付露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555105A true JPH0555105A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=17007585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3236911A Pending JPH0555105A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 半導体焼付露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555105A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009060116A (ja) * | 2008-09-29 | 2009-03-19 | Canon Inc | 走査露光装置およびデバイス製造方法 |
| US8985876B2 (en) | 2009-10-28 | 2015-03-24 | Sei Optifrontier Co., Ltd. | Ferrule holder |
| JP2020003617A (ja) * | 2018-06-27 | 2020-01-09 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、および物品の製造方法 |
-
1991
- 1991-08-26 JP JP3236911A patent/JPH0555105A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009060116A (ja) * | 2008-09-29 | 2009-03-19 | Canon Inc | 走査露光装置およびデバイス製造方法 |
| US8985876B2 (en) | 2009-10-28 | 2015-03-24 | Sei Optifrontier Co., Ltd. | Ferrule holder |
| JP2020003617A (ja) * | 2018-06-27 | 2020-01-09 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、および物品の製造方法 |
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