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JPH0550727B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0550727B2
JPH0550727B2 JP60137380A JP13738085A JPH0550727B2 JP H0550727 B2 JPH0550727 B2 JP H0550727B2 JP 60137380 A JP60137380 A JP 60137380A JP 13738085 A JP13738085 A JP 13738085A JP H0550727 B2 JPH0550727 B2 JP H0550727B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
terminal
electrode
column
row
pixel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP60137380A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS61294414A (en
Inventor
Yoshihiko Hirai
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP60137380A priority Critical patent/JPS61294414A/en
Publication of JPS61294414A publication Critical patent/JPS61294414A/en
Publication of JPH0550727B2 publication Critical patent/JPH0550727B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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  • Liquid Crystal (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は情報端末及びパーソナルコンピユタ等
に用いる大表示容量の液晶表示装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a liquid crystal display device with a large display capacity used in information terminals, personal computers, etc.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

近年ツイスト・ネマテイツク型を中心とした液
晶表示装置(LCD)の応用が発展し、腕時計や
電卓の分野で大量に用いられている。それに加
え、近年文字、図形、等の任意の表示が可能なマ
トリツクス型LCDも使われている。このマトリ
ツクス型LCDの応用分野を広げるためには、表
示容量の増大が必要である。
In recent years, the application of liquid crystal displays (LCDs), mainly twisted nematic type, has developed and is now being used in large quantities in the fields of wristwatches and calculators. In addition, matrix-type LCDs, which can display arbitrary characters, figures, etc., have recently been used. In order to expand the application fields of this matrix type LCD, it is necessary to increase the display capacity.

従来のLCDは電圧−透過率変化特性の立上り
はあまり急峻ではないので、クロストークを起こ
しやすく、コントラストと視野角との点から、走
査本数は100本ぐらいが限界である。この限界を
大幅に改善する為に、近年、LCDの各画素にス
イツチング素子を配置したアクテイブマトリツク
スLCDが考案されている。スイツチング素子に
は、アモルフアスシリコン(a−Si)やポリシリ
コン(poly−Si)を半導体材料とした薄膜トラン
ジスタ素子(TFT)や、金属−絶縁体−金属素
子(以下MIMと略す)等の非線形抵抗素子があ
る。これらを用いたLCDの原理的な回路図を第
2図に示す。第2図イは、非線形抵抗素子11
が、液晶画素10と直列に接続され、更に画素行
電極12と画素列電極13とに接続した回路であ
る。ロは、薄膜トランジスタ素子14のゲートが
画素行電極12に、ソースが画素列電極13に、
ドレインが液晶画素10に接続された例を示して
いる。なお、液晶画素10の他方は対向電極にな
る。詳細は、高橋、他著「非線形・能動素子を用
いた液晶表示装置」シヤープ技報、24巻、頁19
(1983年発行)に詳しい。
Conventional LCDs do not have a very steep rise in voltage-transmittance change characteristics, so crosstalk is likely to occur, and the number of scan lines is limited to about 100 in terms of contrast and viewing angle. In order to significantly improve this limitation, active matrix LCDs have recently been devised in which a switching element is arranged in each pixel of the LCD. Switching elements include thin film transistor elements (TFT) made of amorphous silicon (a-Si) or polysilicon (poly-Si) as semiconductor materials, and nonlinear resistors such as metal-insulator-metal elements (hereinafter abbreviated as MIM). There is an element. Figure 2 shows the basic circuit diagram of an LCD using these devices. FIG. 2A shows the nonlinear resistance element 11
is a circuit connected in series with the liquid crystal pixel 10 and further connected to the pixel row electrode 12 and the pixel column electrode 13. B, the gate of the thin film transistor element 14 is connected to the pixel row electrode 12, the source is connected to the pixel column electrode 13,
An example is shown in which the drain is connected to the liquid crystal pixel 10. Note that the other side of the liquid crystal pixel 10 becomes a counter electrode. For details, see Takahashi et al., “Liquid Crystal Display Device Using Nonlinear Active Elements,” Sharp Technical Review, Volume 24, Page 19.
(published in 1983) for details.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

ところが、このような方法により表示容量が増
大すると、それに伴い端子数も増加する。将来必
要とされるA4版程度の大きさの1000×1000画素
程度のLCDにおいては、端子の接続が困難とな
るばかりでなく、周辺駆動用ICの個数も増加し、
ひいては周辺回路関係部品が占める容積の増加を
もたらし、又、コスト高となる。
However, when the display capacity is increased by such a method, the number of terminals also increases accordingly. In the future, LCDs with approximately 1000 x 1000 pixels, which are about the size of an A4 sheet of paper, will not only have difficulty connecting terminals, but will also require an increase in the number of peripheral drive ICs.
This results in an increase in the volume occupied by peripheral circuit-related components, and also increases costs.

このような欠点を除去する方法として、従来は
周辺駆動ICをTFT化し、LCDの基板上に積層す
る方法が提案され、poly−SiTFTを用いた試作
品が発表されている。しかし、poly−SiTFTは
素子製作温度の関係で、石英基板を用いる必要が
あり、又、製造設備も基板の大面積化の対応が困
難であるので、大面積化、低コスト化は困難であ
る。又、シリコンICの機能をそのままTFT化す
るため歩留りは低いことが予想される。
As a method to eliminate these drawbacks, a method has been proposed in which the peripheral drive IC is made into a TFT and laminated on the LCD substrate, and a prototype using poly-Si TFT has been announced. However, poly-SiTFT requires the use of a quartz substrate due to the element manufacturing temperature, and the manufacturing equipment is difficult to accommodate larger substrate areas, making it difficult to increase the area and reduce costs. . In addition, yields are expected to be low because the functions of silicon ICs are directly converted into TFTs.

本発明の目的は、このような従来の欠点を除去
し、外部駆動回路と接続する端子数を減少せしめ
たマトリツクス端子型液晶表示装置を提供するこ
とにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a matrix terminal type liquid crystal display device that eliminates such conventional drawbacks and reduces the number of terminals connected to an external drive circuit.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明は、行デコーダ部または列デコーダ部の
少なくとも一方を表示部と同一の基板上に形成し
てなるマトリツクス端子型液晶表示装置であつ
て、前記表示部は多数の行電極端子および多数の
列電極端子を有するアクテイブマトリツクス液晶
表示装置からなり、前記行デコーダ部は前記各行
電極端子に接続し、該各行電極端子を周辺二端子
素子を介したマトリツクス配線により端子行電極
と端子列電極とに変換し、前記列デコーダ部は前
記各列電極端子に接続し、該各列電極端子を周辺
二端子素子を介したマトリツクス配線により端子
行電極と端子列電極とに変換することを特徴とす
るマトリツクス端子型液晶表示装置である。本発
明において、二端子素子とは、代表的には、コン
デンサ素子又は、抵抗素子をいう。第2図イ,ロ
に示したような各液晶画素に接続される非線形抵
抗素子と区別する為に、端子のマトリツクス化に
用いるためのこのような二端子素子を以下周辺二
端子素子という。
The present invention provides a matrix terminal type liquid crystal display device in which at least one of a row decoder section and a column decoder section is formed on the same substrate as a display section, wherein the display section has a large number of row electrode terminals and a large number of columns. The display device is an active matrix liquid crystal display device having electrode terminals, and the row decoder section is connected to each row electrode terminal, and each row electrode terminal is connected to a terminal row electrode and a terminal column electrode by matrix wiring via peripheral two-terminal elements. The column decoder section is connected to each column electrode terminal, and each column electrode terminal is converted into a terminal row electrode and a terminal column electrode by matrix wiring via peripheral two-terminal elements. It is a terminal type liquid crystal display device. In the present invention, the two-terminal element typically refers to a capacitor element or a resistance element. In order to distinguish it from the nonlinear resistance elements connected to each liquid crystal pixel as shown in FIGS. 2A and 2B, such a two-terminal element used for forming a matrix of terminals will be hereinafter referred to as a peripheral two-terminal element.

また、アクテイブマトリツクス液晶表示装置と
は、第2図イ,ロに示されるように、各液晶画素
にスイツチング素子を直列に配置したLCDをい
う。
Furthermore, the active matrix liquid crystal display device refers to an LCD in which a switching element is arranged in series for each liquid crystal pixel, as shown in FIGS. 2A and 2B.

本発明によつて得られる液晶表示装置の回路列
を第1図に示し、以下、第1図に基づき本発明の
構成を説明する。
A circuit array of a liquid crystal display device obtained by the present invention is shown in FIG. 1, and the structure of the present invention will be explained below based on FIG.

本発明は表示部1、行デコーダ部2、列デコー
ダ部3、駆動部4で構成される。表示部1は、従
来のツイスト・ネマテイツク(TN)型液晶を用
いた単純マトリツクスLCDでもよいが、表示容
量とコントラストとの点で各画素5を第2図イ,
ロに示す回路構成としたアクテイブ・マトリツク
スLCDが望ましい。
The present invention includes a display section 1, a row decoder section 2, a column decoder section 3, and a drive section 4. The display unit 1 may be a simple matrix LCD using a conventional twisted nematic (TN) type liquid crystal, but in terms of display capacity and contrast, each pixel 5 is
An active matrix LCD with the circuit configuration shown in (b) is desirable.

行デコーダ部及び列デコーダ部が本発明の主要
な個所である。前者は、第1図に示すように、各
画素行電極を引き出した画素行電極端子6を周辺
二端子素子28の媒介によりマトリツクス化し、
端子行電極7と端子列電極8とに変換する。一種
のデコーダである。画素行電極端子6がN本の場
合は、端子行電極、端子列電極、各々の数が√
本となり、合計した2√本が外部の駆動部4と
接続される。√が整数でない場合は、√より
大きく、且つこれに一番近い整数が端子行及び列
電極の本数になる。又、端子行及び列電極の数は
同数である必要はなく、これらを掛けて画素行電
極端子の数に等しいか、又はそれ以上になればよ
い。後者の列デコーダ部も行デコーダ部と基本的
には同じ構成である。
The row decoder section and the column decoder section are the main parts of the present invention. In the former, as shown in FIG. 1, pixel row electrode terminals 6 from which each pixel row electrode is drawn are formed into a matrix through peripheral two-terminal elements 28.
The terminal row electrodes 7 and terminal column electrodes 8 are converted into terminal row electrodes 7 and terminal column electrodes 8. It is a kind of decoder. When there are N pixel row electrode terminals 6, the number of terminal row electrodes and terminal column electrodes is √
A total of 2√ books is connected to the external drive unit 4. If √ is not an integer, the number of terminal row and column electrodes is an integer larger than √ and closest to it. Further, the numbers of terminal row and column electrodes do not need to be the same, and it is sufficient that the number of terminal rows and column electrodes is equal to or greater than the number of pixel row electrode terminals by multiplying them. The latter column decoder section also has basically the same configuration as the row decoder section.

行デコーダ部及び、列デコーダ部、各々の端子
行電極と端子列電極は駆動部に接続される。駆動
部は、通常、1個又は数個の集積回路素子(IC)
で構成される。
A terminal row electrode and a terminal column electrode of the row decoder section and the column decoder section are connected to a driving section. The drive section is typically one or several integrated circuit devices (ICs).
Consists of.

本発明のマトリツクス端子型液晶表示装置の駆
動方法を以下に述べる。
A method for driving the matrix terminal type liquid crystal display device of the present invention will be described below.

表示部の画素行電極端子6と画素列電極端子9
に印加される電圧波形は、基本的には、通常の単
純マトリツクス型、又はアクテイブマトリツクス
型LCDと同じである。又、そのような電圧波形
が出るように、端子行電極8と端子列電極7に印
加する電圧波形を設定する。ここで、端子行・列
電極8,7に印加した電圧と、画素行又は列電極
端子6,9に印加される電圧との関係は、二端子
素子がコンデンサ素子又は抵抗素子いずれの場合
でも、単純マトリツクスの行・列端子電圧と液晶
への印加電圧の関係と同じである。従つて、本発
明の表示装置にも電圧平均化法的な駆動方法が用
いられる。薄膜トランジスタ(TFT)を積層し
たTFT−LCDに本発明を適用した場合の駆動方
法について、具体的に説明する。
Pixel row electrode terminal 6 and pixel column electrode terminal 9 of the display section
The voltage waveform applied to the LCD is basically the same as that of a normal simple matrix type or active matrix type LCD. Further, the voltage waveforms applied to the terminal row electrodes 8 and the terminal column electrodes 7 are set so that such voltage waveforms are obtained. Here, the relationship between the voltage applied to the terminal row/column electrodes 8 and 7 and the voltage applied to the pixel row or column electrode terminals 6 and 9 is as follows, regardless of whether the two-terminal element is a capacitor element or a resistor element. The relationship is the same as the relationship between the row and column terminal voltages of a simple matrix and the voltage applied to the liquid crystal. Therefore, the voltage averaging driving method is also used in the display device of the present invention. A driving method when the present invention is applied to a TFT-LCD in which thin film transistors (TFT) are stacked will be specifically explained.

まず、行デコーダ部について説明する。簡単の
為、画素行電極端子6が4本で、端子行電極7が
2本、端子列電極8が2本の場合を説明するが、
画素行電極端子がN本で端子行電極と端子列電極
とが各々√本の場合に、当然本駆動法は適用で
きる。本行デコーダの一例を第7図に示す。この
ように本行デコーダは、二端子素子にコンデンサ
を用いており、コンデンサが2個交点にある2×
2のマトリツクスになつている。画素行電極は2
個のコンデンサの間に接続されている。これは第
1図の一部を抽出したものに対応する。次に、第
一端子行電極A1、第二端子行電極A2、第一端
子列電極B1、第二端子列電極B2各々に印加さ
れる電圧波形を第8図に示す。ここに示した駆動
波形例は、いわゆる1/3バイアスマルチプレツク
ス駆動法に基づくものである。このような波形を
印加した場合の第一から第四画素行電極に印加さ
れる信号C1,C2,C3,C4は、端子行電極
と端子列電極各々に印加される信号の平均値にな
り、その波形を第8図に示す。
First, the row decoder section will be explained. For simplicity, a case will be explained in which there are four pixel row electrode terminals 6, two terminal row electrodes 7, and two terminal column electrodes 8.
Naturally, this driving method can be applied when there are N pixel row electrode terminals and √ terminal row electrodes and terminal column electrodes each. An example of a main line decoder is shown in FIG. In this way, our decoder uses a capacitor as a two-terminal element, and the 2×
2 matrix. The pixel row electrode is 2
connected between two capacitors. This corresponds to a portion extracted from FIG. Next, FIG. 8 shows voltage waveforms applied to each of the first terminal row electrode A1, the second terminal row electrode A2, the first terminal column electrode B1, and the second terminal column electrode B2. The drive waveform example shown here is based on the so-called 1/3 bias multiplex drive method. When such a waveform is applied, the signals C1, C2, C3, and C4 applied to the first to fourth pixel row electrodes are the average values of the signals applied to the terminal row electrodes and the terminal column electrodes, respectively. The waveform is shown in FIG.

このように、T1,T2,T3,T4に対応し
て、第一から第四端子行電極に高い電圧が印加さ
れ、この高電圧パルスに対応してTFTのゲート
がONし液晶が充電される。このピーク電圧とバ
イアス電圧の比は3であり、このピーク電圧が
TFTのゲートに印加されるオン電圧、バイアス
電圧がオフ電圧になる。また、端子行、列電極に
印加される電圧は比が決まつているだけで、その
絶対値はTFTの電流−電圧特性から決める。ま
た、オフセツトを付けることも容易であり、任意
のTFTの電流−電圧に対応できる。
In this way, high voltages are applied to the first to fourth terminal row electrodes in response to T1, T2, T3, and T4, and in response to these high voltage pulses, the gates of the TFTs are turned on and the liquid crystal is charged. . The ratio of this peak voltage to the bias voltage is 3, and this peak voltage is
The on voltage and bias voltage applied to the TFT gate become the off voltage. Furthermore, the ratio of the voltages applied to the terminal row and column electrodes is only determined, and the absolute value is determined from the current-voltage characteristics of the TFT. Further, it is easy to add an offset, and it can correspond to any TFT current-voltage.

第8図に示された第一から第四画素行電極に印
加される電圧波形C1,C2,C3,C4による
TFT−LCDの駆動を次に説明する。第9図に示
されたドレイン電流−ゲート電圧特性は、TFT
特性の一例である。一般にTFT−LCDを駆動す
るためには、液晶画素に電圧を書き込むTFTの
オン時にはTFTのドレイン電流は約10-6アンペ
ア以上、電圧を保持するTFTのオフ時にはドレ
イン電流は約10-12アンペア以下であればよい。
第9図に示したようにTFTのドレイン電流−ゲ
ート電圧特性は強い非線形特性を有するため、オ
フ電圧が4V、オン電圧が12Vと両者の比が1:
3であつても、状のドレイン電流の条件を満たす
ことができる。
Based on the voltage waveforms C1, C2, C3, and C4 applied to the first to fourth pixel row electrodes shown in FIG.
The driving of the TFT-LCD will be explained next. The drain current-gate voltage characteristics shown in Figure 9 are
This is an example of a characteristic. Generally, to drive a TFT-LCD, the drain current of the TFT is about 10 -6 amperes or more when the TFT, which writes voltage to the liquid crystal pixels, is on, and about 10 -12 amperes or less when the TFT, which holds the voltage, is off. That's fine.
As shown in Figure 9, the drain current-gate voltage characteristics of TFTs have strong nonlinear characteristics, so the off voltage is 4V, the on voltage is 12V, and the ratio of the two is 1:
3, it is possible to satisfy the drain current condition of .

以上は行デコーダ部の駆動法の説明であるが、
列デコーダ部の駆動も液晶の電気光学特性の非線
形特性を利用して同様の方法で駆動できる。ま
た、以上の説明はTFT−LCDの駆動に関する説
明であるが、非線形抵抗素子である金属−絶縁体
−金属(MIM)素子を用いたアクテイブマトリ
ツクスLCDに、本発明を適用した場合において
も同様な駆動法が用いられる。
The above is an explanation of the driving method for the row decoder section.
The column decoder section can also be driven in a similar manner using the nonlinear electro-optic characteristics of the liquid crystal. Furthermore, although the above explanation relates to driving a TFT-LCD, the same applies when the present invention is applied to an active matrix LCD using a metal-insulator-metal (MIM) element, which is a nonlinear resistance element. A driving method is used.

〔実施例〕〔Example〕

以下実施例に基づいて本発明を詳細に説明す
る。
The present invention will be described in detail below based on Examples.

実施例 1 本実施例は、非線形抵抗素子の一種である金属
−絶縁体−金属(MIM)素子を用いたアクテイ
ブ・マトリツクス型LCDに、本発明を適用した
例である。周辺二端子素子28には、コンデンサ
素子を用いる。MIM素子及び液晶画素の代表例
の断面図を第3図に示す。デコーダのコンデンサ
素子の代表例の断面図を第4図に示す。
Example 1 This example is an example in which the present invention is applied to an active matrix type LCD using a metal-insulator-metal (MIM) element, which is a type of nonlinear resistance element. A capacitor element is used as the peripheral two-terminal element 28. FIG. 3 shows a cross-sectional view of a representative example of an MIM element and a liquid crystal pixel. A cross-sectional view of a typical example of a capacitor element of a decoder is shown in FIG.

まず、下部ガラス基板19上に膜形成工程を説
明する。第3図,第4図において、最初に下部ガ
ラス基板19をTa2O5、SiO2等の保護層18で被
覆する。この保護層18はガラスからのナトリウ
ムイオン等の侵入を防ぐものであるが不可欠なも
のではないので省略できる。この上にタンタル
(Ta)を通常のアルゴン(Ar)中、DCスパツタ
で4000Å形成する。通常のドライ・エツチングを
用いたフオトリソグラフイによりパターン化し、
画素行電極12と周辺下部電極21とした。レジ
ストにより被覆した後、0.1wt%クエン酸中で陽
極酸化を行うことにより、画素行電極12上に
500Åの五酸化タンタル(Ta2O5)からなる絶縁
体層14、周辺下部電極21上に、2000Åの
Ta2O5の誘電体22を形成した。上部電極15と
周辺上部電極23とはクロム(Cr)とし、通常
の真空蒸着法により形成後、フオトリソグラフイ
によりパターン化した。画素電極16は、透明電
極の酸化インジウム−酸化スズ(ITO)とし、マ
グネトロン・スパツタリングにより形成し、通常
のフオト・リソグラフイ法によりパターン化し
た。
First, the process of forming a film on the lower glass substrate 19 will be explained. In FIGS. 3 and 4, the lower glass substrate 19 is first coated with a protective layer 18 of Ta 2 O 5 , SiO 2 or the like. Although this protective layer 18 prevents sodium ions and the like from entering from the glass, it is not essential and can be omitted. On top of this, tantalum (Ta) is formed to a thickness of 4000 Å using DC sputtering in ordinary argon (Ar). Patterned by photolithography using normal dry etching,
A pixel row electrode 12 and a peripheral lower electrode 21 were used. After coating with resist, anodic oxidation is performed in 0.1wt% citric acid to form a layer on the pixel row electrode 12.
An insulating layer 14 made of tantalum pentoxide (Ta 2 O 5 ) with a thickness of 500 Å and a layer of 2000 Å on the peripheral lower electrode 21.
A dielectric material 22 of Ta 2 O 5 was formed. The upper electrode 15 and the upper peripheral electrode 23 were made of chromium (Cr) and were formed by a normal vacuum deposition method and then patterned by photolithography. The pixel electrode 16 was made of a transparent indium oxide-tin oxide (ITO) electrode, formed by magnetron sputtering, and patterned by ordinary photolithography.

上部ガラス基板20上の膜形成、パターン化は
下部ガラス基板のそれとほとんど同じである。た
だし、TaとTa2O5は、デコーダ中のコンデンサ
素子の形成のみに用い、MIM素子は形成しない。
又、画素列電極13はITOであり、通常の単純マ
ルチプレツクスと同じくストライプ状に形成す
る。
Film formation and patterning on the upper glass substrate 20 are almost the same as those on the lower glass substrate. However, Ta and Ta 2 O 5 are used only to form capacitor elements in the decoder and not to form MIM elements.
Furthermore, the pixel column electrodes 13 are made of ITO, and are formed in a stripe shape as in a normal simple multiplex.

以上の製作法により、400本の画素行電極12
と400本の画素列電極13とを形成し、画素ピツ
チ0.3mm、400×400画素の表示部を形成した。第
1図に示すごとく、コンデンサ素子により、行・
列デコーダを形成し、各端子行・列電極を各20本
にした。即ち、本発明により、外部への端子数は
800本から80本と1桁の減少をみた。これにより、
駆動用ICの数も20個から2個に減少し、著しい
低コスト化を実現できた。
By the above manufacturing method, 400 pixel row electrodes 12
and 400 pixel column electrodes 13 were formed to form a display section of 400×400 pixels with a pixel pitch of 0.3 mm. As shown in Figure 1, the capacitor element
A column decoder was formed, with 20 terminal rows and 20 column electrodes each. That is, according to the present invention, the number of external terminals is
There was a single-digit decrease from 800 to 80. This results in
The number of drive ICs was also reduced from 20 to 2, resulting in significant cost reductions.

これらの上部・下部ガラス基板を、通常のTN
型LCDに用いられている方法で、張り合わせて
シールし、TN型液晶(メルク製、ZLI−1565)
を注入し、偏光板を張ることにより、本発明によ
るLCDを完成した。セル厚は8μm、偏光板は日
東電工製のNPF−1100Hである。
These upper and lower glass substrates are connected to ordinary TN
TN type LCD (Merck, ZLI-1565) is pasted and sealed using the method used for type LCDs.
The LCD according to the present invention was completed by injecting the liquid and attaching a polarizing plate. The cell thickness is 8 μm, and the polarizing plate is NPF-1100H manufactured by Nitto Denko.

本実施例によるLCDを1/5バイアスの電圧平均
化法により駆動したところ、コントラスト比5:
1の得られる視野角が、±50°と広く、殆んどスタ
テイツク並の表示特性が得られた。
When the LCD according to this example was driven using a 1/5 bias voltage averaging method, the contrast ratio was 5:
The viewing angle obtained with No. 1 was as wide as ±50°, and display characteristics almost equivalent to that of a static display were obtained.

本実施例では、画素行電極側にMIMを形成し
たが、画素列電極側にMIMを形成することによ
つても、本実施例と同じ機能を有するLCDが実
現できる。
In this embodiment, the MIM is formed on the pixel row electrode side, but an LCD having the same function as this embodiment can also be realized by forming the MIM on the pixel column electrode side.

又、本実施例では、画素行電極端子と画素列電
極端子との両方にデコーダを設け、マトリツクス
化したが、どちらか一方のみをマトリツクス化す
ることは可能であり、それのみでも端子数は半分
近くに減少する。
Furthermore, in this embodiment, decoders are provided for both the pixel row electrode terminals and the pixel column electrode terminals to form a matrix, but it is also possible to form only one of them into a matrix, and this alone can reduce the number of terminals by half. Decrease nearby.

実施例 2 本実施例では周辺二端子素子を第4図に示され
るコンデンサ素子から、第5図に示される抵抗素
子に変えた以外は、全て、実施例1と同じ製法で
試作した。薄膜抵抗体24は、Ta又は窒化タン
タル(TaN)である。前者はアルゴン中の、後
者は窒素を若干含有するアルゴン中のTaのDCス
パツタリングにより形成した。パターニングはド
ライエツチングによるフオトリソグラフイにより
行つた。又、抵抗値を調整する為に、薄膜抵抗体
24は適宜、蛇行のパターン等を用いた。
Example 2 In this example, a prototype was manufactured using the same manufacturing method as in Example 1, except that the peripheral two-terminal element was changed from the capacitor element shown in FIG. 4 to the resistor element shown in FIG. 5. The thin film resistor 24 is Ta or tantalum nitride (TaN). The former was formed by DC sputtering of Ta in argon and the latter in argon containing some nitrogen. Patterning was performed by photolithography using dry etching. Further, in order to adjust the resistance value, a meandering pattern or the like was used for the thin film resistor 24 as appropriate.

本実施例によるLCDも実施例1と同じく、ス
タテイツク駆動時並の表示特性が得られた。
Similarly to Example 1, the LCD according to this example also had display characteristics comparable to those obtained when statically driven.

実施例 3 本実施例はa−Si TFTを用いたアクテイブ・
マトリツクスLCDに本発明を適用した例である。
周辺二端子素子にはコンデンサ素子を用いた、
TFT素子及び液晶画素の代表例の断面図を第6
図に示す。デコーダのコンデンサ素子の代表例の
断面図は、既に、第4図に示したとうりである。
本実施例では、行・列デコーダともに下部ガラス
基板側に形成されている。工程は原則的に実施例
1と同じである。第3図,第4図と同一構成部分
は同一番号を付して説明する。
Example 3 This example describes an active film using a-Si TFT.
This is an example in which the present invention is applied to a matrix LCD.
A capacitor element is used for the peripheral two-terminal element,
Section 6 shows a cross-sectional view of typical examples of TFT elements and liquid crystal pixels.
As shown in the figure. A cross-sectional view of a typical example of a capacitor element of a decoder is already shown in FIG.
In this embodiment, both the row and column decoders are formed on the lower glass substrate side. The steps are basically the same as in Example 1. Components that are the same as those in FIGS. 3 and 4 will be explained using the same numbers.

本実施例では最初に、タンタルをDCスパツタ
により、保護層18の上に形成した。それをドラ
イエツチングによりパターン化し、画素行電極1
2とコンデンサの周辺下部電極とした。これらを
陽極酸化することにより2000ÅのTa2O5を形成
し、ゲート絶縁層25と誘電体とした。この後は
通常のTFTの製法と同じく、a−Si層26を形
成し、Cr等の金属で、画素列電極と接続電極2
7を形成した。又、デコーダ部の周辺上部電極も
同時に、Crで形成した。その後、ITOで、画素
電極を形成した。
In this example, tantalum was first formed on the protective layer 18 by DC sputtering. It is patterned by dry etching, and the pixel row electrode 1
2 and the peripheral lower electrode of the capacitor. These were anodized to form Ta 2 O 5 with a thickness of 2000 Å, which served as the gate insulating layer 25 and a dielectric. After this, the a-Si layer 26 is formed and the pixel column electrodes and connection electrodes 26 are made of metal such as Cr, as in the normal TFT manufacturing method.
7 was formed. Furthermore, the upper peripheral electrode of the decoder section was also formed of Cr at the same time. After that, a pixel electrode was formed using ITO.

上部ガラス基板20は、保護層18の上にITO
の対向電極15をベタに付けたのみである。
The upper glass substrate 20 has ITO on the protective layer 18.
The counter electrode 15 is simply attached solidly.

これらの2枚の基板を組み合わせて実施例1と
同じ方法により、TN型LCDを製作した。これを
実施例1と同じ方法で駆動することにより、スタ
テイツク駆動時並の表示特性が得られた。
A TN type LCD was manufactured by combining these two substrates and using the same method as in Example 1. By driving this in the same manner as in Example 1, display characteristics comparable to static driving were obtained.

実施例 4 本実施例は周辺二端子素子をコンデンサ素子か
ら、第3図に示されたMIM素子に代えた以外は
全て実施例1と同じ製法で試作した。本実施例に
よるLCDも実施例1と同じくスタテイツク駆動
時並の表示性能が得られた。
Example 4 This example was fabricated using the same manufacturing method as Example 1, except that the peripheral two-terminal element was replaced with the MIM element shown in FIG. 3 instead of a capacitor element. Similarly to Example 1, the LCD according to this example had a display performance comparable to that achieved when statically driven.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、本発明によれば、大表示
容量の液晶表示装置から外部に取り出す端子数を
1桁程度減少させて端子接続個所の大巾減、駆動
用ICの数の大巾減の実現が可能となり、コスト
低減、装置のコンパクト化に大きく寄与できる効
果を有するものである。
As explained above, according to the present invention, the number of terminals taken out to the outside from a large display capacity liquid crystal display device can be reduced by about one order of magnitude, thereby significantly reducing the number of terminal connection points and the number of driving ICs. This can be realized and has the effect of greatly contributing to cost reduction and downsizing of the device.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明によるマトリツクス端子型液晶
表示装置の一実施例の回路図、第2図イ,ロは、
アクテイブ・マトリツクス型LCDの一画素の回
路図、第3図は、実施例1・2の一画素の構造断
面図、第4図は、実施例1・3の周辺二端子素子
の構造断面図、第5図は、実施例2の周辺二端子
素子の構造断面図、第6図は、実施例3の一画素
の構造断面図である。第7図は行デコーダの一例
を示す図であり、第8図は端子行電極と端子列電
極に印加される信号とそれにより画素行電極端子
に印加される信号を示した図であり、第9図は、
TFTのドレイン電流−ゲート電圧特性の一例を
示す図である。 1……表示部、2……行デコーダ部、3……列
デコーダ部、4……駆動部、5……画素、6……
画素行電極端子、7……端子行電極、8……端子
列電極、9……画素列電極端子、10……液晶画
素、11……非線形抵抗素子、12……画素行電
極、13……画素列電極、14……薄膜トランジ
スタ素子、15……対向電極(上部電極)、16
……画素電極、17……液晶層、18……画素列
電極、19……下部ガラス基板、20……上部ガ
ラス基板、21……周辺下部電極、22……誘電
体、23……周辺上部電極、24……薄膜抵抗
体、25……ゲート絶縁層、26……d−Si層、
27……接続電極、28……周辺二端素子。
FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of a matrix terminal type liquid crystal display device according to the present invention, and FIG.
A circuit diagram of one pixel of an active matrix type LCD, FIG. 3 is a cross-sectional view of the structure of one pixel of Examples 1 and 2, and FIG. 4 is a cross-sectional view of the structure of the peripheral two-terminal element of Examples 1 and 3. 5 is a structural sectional view of a peripheral two-terminal element of Example 2, and FIG. 6 is a structural sectional view of one pixel of Example 3. FIG. 7 is a diagram showing an example of a row decoder, and FIG. 8 is a diagram showing signals applied to terminal row electrodes and terminal column electrodes, and signals applied to pixel row electrode terminals accordingly. Figure 9 is
FIG. 3 is a diagram showing an example of drain current-gate voltage characteristics of a TFT. 1... Display section, 2... Row decoder section, 3... Column decoder section, 4... Drive section, 5... Pixel, 6...
Pixel row electrode terminal, 7...Terminal row electrode, 8...Terminal column electrode, 9...Pixel column electrode terminal, 10...Liquid crystal pixel, 11...Nonlinear resistance element, 12...Pixel row electrode, 13... Pixel column electrode, 14... Thin film transistor element, 15... Counter electrode (upper electrode), 16
... Pixel electrode, 17 ... Liquid crystal layer, 18 ... Pixel column electrode, 19 ... Lower glass substrate, 20 ... Upper glass substrate, 21 ... Lower peripheral electrode, 22 ... Dielectric, 23 ... Upper peripheral electrode, 24... thin film resistor, 25... gate insulating layer, 26... d-Si layer,
27... Connection electrode, 28... Peripheral two-terminal element.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 行デコーダ部または列デコーダ部の少なくと
も一方を表示部と同一の基板上に形成してなるマ
トリツクス端子型液晶表示装置であつて、前記表
示部は多数の行電極端子および多数の列電極端子
を有するアクテイブマトリツクス液晶表示装置か
らなり、前記行デコーダ部は前記各行電極端子に
接続し、該各行電極端子を周辺二端子素子を介し
たマトリツクス配線により端子行電極と端子列電
極とに変換し、前記列デコーダ部は前記各列電極
端子に接続し、該各列電極端子を周辺二端子素子
を介したマトリツクス配線により端子行電極と端
子列電極とに変換することを特徴とするマトリツ
クス端子型液晶表示装置。
1. A matrix terminal type liquid crystal display device in which at least one of a row decoder section and a column decoder section is formed on the same substrate as a display section, wherein the display section has a large number of row electrode terminals and a large number of column electrode terminals. The row decoder section is connected to each row electrode terminal, and each row electrode terminal is converted into a terminal row electrode and a terminal column electrode by matrix wiring via peripheral two-terminal elements, The column decoder section is connected to each column electrode terminal, and each column electrode terminal is converted into a terminal row electrode and a terminal column electrode by matrix wiring via a peripheral two-terminal element. Display device.
JP60137380A 1985-06-24 1985-06-24 Matrix terminal type liquid crystal display device Granted JPS61294414A (en)

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