JPH05343796A - 面出射形半導体レーザ - Google Patents
面出射形半導体レーザInfo
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- JPH05343796A JPH05343796A JP14704992A JP14704992A JPH05343796A JP H05343796 A JPH05343796 A JP H05343796A JP 14704992 A JP14704992 A JP 14704992A JP 14704992 A JP14704992 A JP 14704992A JP H05343796 A JPH05343796 A JP H05343796A
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】反射鏡を構成する材料の屈折率の比を大きく
し、少ない積層層厚と優れた反射率特性が期待できる反
射板を用いた低閾値の面出射形半導体レーザを提供する
ことにある。 【構成】本発明による面出射形半導体レーザでは、多層
反射膜１１及び１３を構成する２種の層のうち低屈折率
層に発振波長より小さいバンドギャップ波長を有しＩｎ
Ｐに格子整合するＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を用いて
いる。そのため、従来のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を
用いる場合に比べ屈折率が３．１７から２．４程度と小
さくできる為、１１周期の積層構造で反射率が９９．９
％で、積層層厚は３μｍと従来にくらべて非常に薄くか
つ高反射率化できる。従って、従来に比べ積層層厚が低
減でき、かつ、反射率を高くできる為発振閾値をより低
減できる。
し、少ない積層層厚と優れた反射率特性が期待できる反
射板を用いた低閾値の面出射形半導体レーザを提供する
ことにある。 【構成】本発明による面出射形半導体レーザでは、多層
反射膜１１及び１３を構成する２種の層のうち低屈折率
層に発振波長より小さいバンドギャップ波長を有しＩｎ
Ｐに格子整合するＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を用いて
いる。そのため、従来のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を
用いる場合に比べ屈折率が３．１７から２．４程度と小
さくできる為、１１周期の積層構造で反射率が９９．９
％で、積層層厚は３μｍと従来にくらべて非常に薄くか
つ高反射率化できる。従って、従来に比べ積層層厚が低
減でき、かつ、反射率を高くできる為発振閾値をより低
減できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は面出射形半導体レーザに
関するものである。
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】面出射形半導体レーザは９９．９％以上
の高い反射率を持つ反射鏡を共振器に用いることで、従
来の端面出射形半導体レーザに比べ、低駆動電流化、２
次元アレイ化、高速変調等の改善が期待できる。このよ
うな半導体レーザの従来例がアプライドフィジクスレタ
ーズ誌、１９９０年、５７巻、１６号、１６０５−１６
０７ページに報告されている。この従来の半導体レーザ
は、半導体基板上にフォトリソグラフィーとドライエッ
チングで光出射方向と平行な方向に形成した円柱部分に
発光層及び２つの多層反射鏡が配置された構造になって
いる。反射鏡には砒化アルミニウム（ＡｌＡｓ）と砒化
ガリウム（ＧａＡｓ）の四分の一波長板を交互に２２〜
２８層積層した構造を用いることで、９９．９％以上の
高い反射率を実現し低閾値電流を得ている。また、光通
信波長帯の面出射形半導体レーザの高反射率反射鏡の例
がアプライドフィジクスレターズ誌、１９９１年、５９
巻、９号、１０１１−１０１２ページに報告されてい
る。この従来例ではＩｎＧａＡｌＡｓ、ＩｎＡｌＡｓか
らなる四分の一波長板を交互に３０周期積層して反射鏡
を形成し、９９％以上の高い反射率を得ている。
の高い反射率を持つ反射鏡を共振器に用いることで、従
来の端面出射形半導体レーザに比べ、低駆動電流化、２
次元アレイ化、高速変調等の改善が期待できる。このよ
うな半導体レーザの従来例がアプライドフィジクスレタ
ーズ誌、１９９０年、５７巻、１６号、１６０５−１６
０７ページに報告されている。この従来の半導体レーザ
は、半導体基板上にフォトリソグラフィーとドライエッ
チングで光出射方向と平行な方向に形成した円柱部分に
発光層及び２つの多層反射鏡が配置された構造になって
いる。反射鏡には砒化アルミニウム（ＡｌＡｓ）と砒化
ガリウム（ＧａＡｓ）の四分の一波長板を交互に２２〜
２８層積層した構造を用いることで、９９．９％以上の
高い反射率を実現し低閾値電流を得ている。また、光通
信波長帯の面出射形半導体レーザの高反射率反射鏡の例
がアプライドフィジクスレターズ誌、１９９１年、５９
巻、９号、１０１１−１０１２ページに報告されてい
る。この従来例ではＩｎＧａＡｌＡｓ、ＩｎＡｌＡｓか
らなる四分の一波長板を交互に３０周期積層して反射鏡
を形成し、９９％以上の高い反射率を得ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
屈折率の異なる半導体の４分の１波長板を多周期積層し
た構造になる反射鏡は高い反射率を得るためには０．９
μｍ帯の発光波長用で２０周期以上、特に通信波長帯用
のＩｎＰ基板上の面射出形半導体レーザ用では３０周期
以上が必要になる。その結果、以下２つの問題点が生じ
る。第１に、積層層厚が２つの反射板で１０〜１４μｍ
必要であるために多大の結晶成長時間を要し平坦性に欠
けること、第２に、多層反射板内での荷電担体や不純物
による吸収が無視できなくなり９９．９％以上の高い反
射率が得にくいことである。
屈折率の異なる半導体の４分の１波長板を多周期積層し
た構造になる反射鏡は高い反射率を得るためには０．９
μｍ帯の発光波長用で２０周期以上、特に通信波長帯用
のＩｎＰ基板上の面射出形半導体レーザ用では３０周期
以上が必要になる。その結果、以下２つの問題点が生じ
る。第１に、積層層厚が２つの反射板で１０〜１４μｍ
必要であるために多大の結晶成長時間を要し平坦性に欠
けること、第２に、多層反射板内での荷電担体や不純物
による吸収が無視できなくなり９９．９％以上の高い反
射率が得にくいことである。
【０００４】本発明は以上述べた様な従来の事情に鑑み
てなされたもので、反射鏡を構成する材料の屈折率の比
を大きくできる構造とし、より少ない積層層厚と優れた
反射率特性が期待できる反射板を用いたより平坦な形状
でありかつ低閾値の面出射形半導体レーザを提供するこ
とにある。
てなされたもので、反射鏡を構成する材料の屈折率の比
を大きくできる構造とし、より少ない積層層厚と優れた
反射率特性が期待できる反射板を用いたより平坦な形状
でありかつ低閾値の面出射形半導体レーザを提供するこ
とにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ
は、発光層と前記発光層を挟む２つの反射鏡とがＩｎＰ
基板上に積層された構造を有する面出射形半導体レーザ
において、前記反射鏡のうち少なくとも基板側の反射鏡
が出射光の波長より小さいバンドギャップ波長を有しＩ
ｎＰに格子整合した組成ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層と
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層との少なくとも１周期の繰
り返しからなる多層反射膜であることを特徴としてい
る。特に前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層にＩｎＰに格
子整合したＩＩ−ＶＩ族化合物半導体としてはＣｄＳＳ
ｅ、ＺｎＴｅＳ、ＺｎＴｅＳｅを用いることを特徴とし
ている。
は、発光層と前記発光層を挟む２つの反射鏡とがＩｎＰ
基板上に積層された構造を有する面出射形半導体レーザ
において、前記反射鏡のうち少なくとも基板側の反射鏡
が出射光の波長より小さいバンドギャップ波長を有しＩ
ｎＰに格子整合した組成ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層と
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層との少なくとも１周期の繰
り返しからなる多層反射膜であることを特徴としてい
る。特に前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層にＩｎＰに格
子整合したＩＩ−ＶＩ族化合物半導体としてはＣｄＳＳ
ｅ、ＺｎＴｅＳ、ＺｎＴｅＳｅを用いることを特徴とし
ている。
【０００６】
【作用】一般に、４分の１波長の層厚を有する２種類の
誘電体を多周期積層した多層反射膜の反射率は次式で与
えられることが知られている。
誘電体を多周期積層した多層反射膜の反射率は次式で与
えられることが知られている。
【０００７】
【０００８】式中、Ｒ、ｎ0 、ｎs 、ｎ1 、ｎ2 、及び
Ｎは、多層反射膜の反射率、入射側の媒質の屈折率、基
板の屈折率、第１の誘電体の屈折率、第２の誘電体の屈
折率、及び、積層した周期数をそれぞれ示す。
Ｎは、多層反射膜の反射率、入射側の媒質の屈折率、基
板の屈折率、第１の誘電体の屈折率、第２の誘電体の屈
折率、及び、積層した周期数をそれぞれ示す。
【０００９】本発明による面出射形半導体レーザでは、
反射鏡を構成する２種類の層に、発振波長より小さいバ
ンドギャップ波長を有する組成でかつ４分の１波長の層
厚を有するＩｎＰに格子整合した組成のＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体層とＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層とを用いて
いる。ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層の屈折率ｎ2 は従来
のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層（たとえばＩｎＰ）を用
いた場合に比べ、発振波長１．５５μｍの場合では３．
１７から２．４〜２．６の小さいため、少ない積層周期
数で高い反射率が得られる。たとえば、発振波長１．５
５μｍの場合、ＩｎＰとＣｄＳＳｅとを用いた反射率９
９，９％の多層反射膜では１４周期、計４μｍの厚さで
済み、従来にくらべて非常に薄くできる。従って、従来
に比べ集積化が容易な平坦な形状にでき、かつ、反射率
を高くできる為、発振閾値をより低減できる。
反射鏡を構成する２種類の層に、発振波長より小さいバ
ンドギャップ波長を有する組成でかつ４分の１波長の層
厚を有するＩｎＰに格子整合した組成のＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体層とＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層とを用いて
いる。ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層の屈折率ｎ2 は従来
のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層（たとえばＩｎＰ）を用
いた場合に比べ、発振波長１．５５μｍの場合では３．
１７から２．４〜２．６の小さいため、少ない積層周期
数で高い反射率が得られる。たとえば、発振波長１．５
５μｍの場合、ＩｎＰとＣｄＳＳｅとを用いた反射率９
９，９％の多層反射膜では１４周期、計４μｍの厚さで
済み、従来にくらべて非常に薄くできる。従って、従来
に比べ集積化が容易な平坦な形状にでき、かつ、反射率
を高くできる為、発振閾値をより低減できる。
【００１０】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。
る。
【００１１】図１は本発明の実施例を説明するための断
面模式図である。出射光２０は基板１０の裏面から基板
面に垂直な方向に出射する。基板１０は（１００）面の
Ｓドープｎ形ＩｎＰ基板を用いた。ダブルヘテロ構造１
２はｎ形ＩｎＰ層、ＩｎＧａＡｓ発光層１６、及びｐ形
ＩｎＰ層を順次積層した構造で、発光波長が１．５５μ
ｍとなる発光層厚を有する量子井戸構造である。ダブル
ヘテロ構造１２を上下から挟む位置に、ｎ形多層反射膜
１１及びｐ形多層反射膜１３を形成した。ｎ形多層反射
膜１１は、厚さ１１２ｎｍのｎ形ＩｎＧａＡｓＰ層１８
（バンドギャップ波長１．４５μｍ）と厚さ１６４ｎｍ
のｎ形ＣｄＳＳｅ層１９を交互に１１周期積層した構造
である。ｐ形多層反射膜１３は厚さ１１２ｎｍのｐ形Ｉ
ｎＡｓＰ層（バンドギャップ波長１．４５μｍ）と厚さ
１６４ｎｍのｐ形ＣｄＳＳｅ層を１５周期積層した後、
１０μｍ角に整形して発振領域を制限している。電流注
入に関しては、ＩｎＧａＡｓ発光層１６に注入される担
体のうち電子は基板裏面のｎ形電極１４から、基板１０
を経て、ｎ形多層反射膜１１を通じて注入される。一
方、正孔は多層反射膜１３上のｐ形電極１５からｐ形多
層反射膜１３を通じて注入される。電子と正孔の再結合
は主に発光領域１７で起き、ｐ形多層反射膜１３の部分
でのみ共振器が形成されるため、発振以降の注入電流は
発光領域１７にのみ流れることになり、低駆動電流、高
効率の発振が可能になる。
面模式図である。出射光２０は基板１０の裏面から基板
面に垂直な方向に出射する。基板１０は（１００）面の
Ｓドープｎ形ＩｎＰ基板を用いた。ダブルヘテロ構造１
２はｎ形ＩｎＰ層、ＩｎＧａＡｓ発光層１６、及びｐ形
ＩｎＰ層を順次積層した構造で、発光波長が１．５５μ
ｍとなる発光層厚を有する量子井戸構造である。ダブル
ヘテロ構造１２を上下から挟む位置に、ｎ形多層反射膜
１１及びｐ形多層反射膜１３を形成した。ｎ形多層反射
膜１１は、厚さ１１２ｎｍのｎ形ＩｎＧａＡｓＰ層１８
（バンドギャップ波長１．４５μｍ）と厚さ１６４ｎｍ
のｎ形ＣｄＳＳｅ層１９を交互に１１周期積層した構造
である。ｐ形多層反射膜１３は厚さ１１２ｎｍのｐ形Ｉ
ｎＡｓＰ層（バンドギャップ波長１．４５μｍ）と厚さ
１６４ｎｍのｐ形ＣｄＳＳｅ層を１５周期積層した後、
１０μｍ角に整形して発振領域を制限している。電流注
入に関しては、ＩｎＧａＡｓ発光層１６に注入される担
体のうち電子は基板裏面のｎ形電極１４から、基板１０
を経て、ｎ形多層反射膜１１を通じて注入される。一
方、正孔は多層反射膜１３上のｐ形電極１５からｐ形多
層反射膜１３を通じて注入される。電子と正孔の再結合
は主に発光領域１７で起き、ｐ形多層反射膜１３の部分
でのみ共振器が形成されるため、発振以降の注入電流は
発光領域１７にのみ流れることになり、低駆動電流、高
効率の発振が可能になる。
【００１２】本発明の面出射形半導体レーザは、まず、
（１００）面を有するｎ形ＩｎＰ基板１０の上に、Ｉｎ
Ｐに格子整合した厚さ１１２ｎｍのｎ形ＩｎＧａＡｓＰ
層１８（バンドギャップ波長１，４５μｍ）と厚さ１６
４ｎｍのｎ形ＣｄＳＳｅ層１９を交互に１１周期積層す
る。積層には、独立したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体用成
長室とＩＩ−ＶＩ族化合物半導体用成長室が真空搬送室
で結合された構造を持つＭＢＥ成長装置を用い、それぞ
れの成長室にＩｎＰ基板１０を往復させて積層する。次
に、ｎ形ＩｎＰ層、ＩｎＧａＡｓ発光層、及びｐ形Ｉｎ
Ｐ層を順次積層し、発光波長が１．５５μｍとなる発光
層厚を有するダブルヘテロ構造１２を成長する。さら
に、ｐ形多層反射膜１３は厚さ１１２ｎｍのｐ形ＩｎＧ
ａＡｓＰ層（バンドギャップ波長１．４５μｍ）と厚さ
１６４ｎｍのｐ形ＣｄＳＳｅ層を１５周期積層する。Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体のＭＢＥ成長法では、９５０℃
に加熱したクラッキングセルを通してアルシン、ホスフ
ィンガスを高真空チャンバーに導入し、Ｉｎ、Ｇａ金属
をそれぞれクヌーセンセルで加熱しシャッターで制御し
てＩｎＰ基板１０に照射して成長させる。ＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体のＭＢＥ成長法ではＫセルを加熱してＣ
ｄ、Ｓ、及びＳｅをＩｎＰ基板１０に照射して成長させ
る。ｐ形多層反射膜１３を積層後、通常のフォトリソグ
ラフィーで形成したレジストをマスクとして、ｐ形多層
反射膜１３を１０μｍ角にドライエッチングで整形し、
ＳｉＯ2 層２１、ｎ形電極１４及びｐ形電極１５を形成
すると図１の半導体レーザが完成する。
（１００）面を有するｎ形ＩｎＰ基板１０の上に、Ｉｎ
Ｐに格子整合した厚さ１１２ｎｍのｎ形ＩｎＧａＡｓＰ
層１８（バンドギャップ波長１，４５μｍ）と厚さ１６
４ｎｍのｎ形ＣｄＳＳｅ層１９を交互に１１周期積層す
る。積層には、独立したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体用成
長室とＩＩ−ＶＩ族化合物半導体用成長室が真空搬送室
で結合された構造を持つＭＢＥ成長装置を用い、それぞ
れの成長室にＩｎＰ基板１０を往復させて積層する。次
に、ｎ形ＩｎＰ層、ＩｎＧａＡｓ発光層、及びｐ形Ｉｎ
Ｐ層を順次積層し、発光波長が１．５５μｍとなる発光
層厚を有するダブルヘテロ構造１２を成長する。さら
に、ｐ形多層反射膜１３は厚さ１１２ｎｍのｐ形ＩｎＧ
ａＡｓＰ層（バンドギャップ波長１．４５μｍ）と厚さ
１６４ｎｍのｐ形ＣｄＳＳｅ層を１５周期積層する。Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体のＭＢＥ成長法では、９５０℃
に加熱したクラッキングセルを通してアルシン、ホスフ
ィンガスを高真空チャンバーに導入し、Ｉｎ、Ｇａ金属
をそれぞれクヌーセンセルで加熱しシャッターで制御し
てＩｎＰ基板１０に照射して成長させる。ＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体のＭＢＥ成長法ではＫセルを加熱してＣ
ｄ、Ｓ、及びＳｅをＩｎＰ基板１０に照射して成長させ
る。ｐ形多層反射膜１３を積層後、通常のフォトリソグ
ラフィーで形成したレジストをマスクとして、ｐ形多層
反射膜１３を１０μｍ角にドライエッチングで整形し、
ＳｉＯ2 層２１、ｎ形電極１４及びｐ形電極１５を形成
すると図１の半導体レーザが完成する。
【００１３】本発明の面出射形半導体レーザは多層反射
膜に高屈折率層及び低屈折率層としてＩｎＧａＡｓＰ
（バンドギャップ波長１．４５μｍ）及びＣｄＳＳｅ
（Ｓ組成８０％｝を用いており、その発振波長における
屈折率はそれぞれ３．４６６及び２．３５７と互いの屈
折率差が大きい。そのため、１１周期であっても９９．
９％の高い反射率が得られる。その結果、ｎ形多層反射
膜１１の層厚は３μｍと、従来に比べ著しく積層層厚が
低減される。また、９９．９９％以上の非常に高い屈折
率も１５周期の多層反射膜で得られ、発振閾値が低減で
きる。
膜に高屈折率層及び低屈折率層としてＩｎＧａＡｓＰ
（バンドギャップ波長１．４５μｍ）及びＣｄＳＳｅ
（Ｓ組成８０％｝を用いており、その発振波長における
屈折率はそれぞれ３．４６６及び２．３５７と互いの屈
折率差が大きい。そのため、１１周期であっても９９．
９％の高い反射率が得られる。その結果、ｎ形多層反射
膜１１の層厚は３μｍと、従来に比べ著しく積層層厚が
低減される。また、９９．９９％以上の非常に高い屈折
率も１５周期の多層反射膜で得られ、発振閾値が低減で
きる。
【００１４】上記実施例では低屈折率層としてＣｄＳＳ
ｅを用いたが、この他にＩｎＰに格子整合する組成とし
てＺｎＴｅＳ（Ｔｅ組成約６７％｝、ＺｎＴｅＳｅ（Ｔ
ｅ組成約４６％）を用いても良い。
ｅを用いたが、この他にＩｎＰに格子整合する組成とし
てＺｎＴｅＳ（Ｔｅ組成約６７％｝、ＺｎＴｅＳｅ（Ｔ
ｅ組成約４６％）を用いても良い。
【００１５】上記実施例では上下ともＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体層とＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層とからなる多
層反射膜を用いたが、上記構造の多層反射膜を下側反射
鏡（基板に隣接した反射膜）にのみ用い、上側反射鏡は
誘電体多層反射膜を蒸着等の方法で形成しても良い。特
にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の高濃度ｐ形またはｎ形の
一方が結晶の性質上形成しにくい場合、形成し易い導電
形を下側多層反射膜に用いても良い。
物半導体層とＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層とからなる多
層反射膜を用いたが、上記構造の多層反射膜を下側反射
鏡（基板に隣接した反射膜）にのみ用い、上側反射鏡は
誘電体多層反射膜を蒸着等の方法で形成しても良い。特
にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の高濃度ｐ形またはｎ形の
一方が結晶の性質上形成しにくい場合、形成し易い導電
形を下側多層反射膜に用いても良い。
【００１６】上記実施例では下側多層反射膜をｎ形とし
たがｐ形基板を用いればｐ形ｎ形を変えても同様の効果
が得られる。
たがｐ形基板を用いればｐ形ｎ形を変えても同様の効果
が得られる。
【００１７】上記実施例ではエピタキシャル成長法に２
成長室を有するＭＢＥ法を用いたが、本発明はこれに限
定されるものではない。
成長室を有するＭＢＥ法を用いたが、本発明はこれに限
定されるものではない。
【００１８】
【発明の効果】本発明による半導体レーザは、反射鏡を
構成する材料の屈折率の比を大きくできる構造であるた
めに、より少ない積層層厚で優れた反射率特性が得ら
れ、その結果、平坦かつ低閾値の面出射形半導体レーザ
を得ることができる。
構成する材料の屈折率の比を大きくできる構造であるた
めに、より少ない積層層厚で優れた反射率特性が得ら
れ、その結果、平坦かつ低閾値の面出射形半導体レーザ
を得ることができる。
【図１】本発明の半導体レーザの一実施例を説明するた
めの断面模式図である。
めの断面模式図である。
１０ 基板 １１ ｎ形多層反射膜 １２ ダブルヘテロ構造 １３ ｐ形多層反射膜 １４ ｎ形電極 １５ ｐ形電極 １６ ＩｎＧａＡｓ発光層 １７ 発光領域 １８ ｎ形ＩｎＧａＡｓＰ層 １９ ｎ形ＣｄＳＳｅ層 ２０ 出射光 ２１ ＳｉＯ2 層
Claims (4)
- 【請求項１】 発光層と、前記発光層を挟む２つの反射
鏡とがＩｎＰ基板上に積層された構造を有する面出射形
半導体レーザにおいて、前記反射鏡のうち少なくとも基
板側の反射鏡が出射光の波長より小さいバンドギャップ
波長を有しＩｎＰに格子整合した組成ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体層とＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層との少なくと
も１周期の繰り返しからなる多層反射膜であることを特
徴とする面出射形半導体レーザ。 - 【請求項２】 前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層にＩｎ
Ｐに格子整合した組成のＣｄＳＳｅを用いた請求項１記
載の面射出形半導体レーザ。 - 【請求項３】 前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層にＩｎ
Ｐに格子整合した組成のＺｎＴｅＳを用いた請求項１記
載の面射出形半導体レーザ。 - 【請求項４】 前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層にＩｎ
Ｐに格子整合した組成のＺｎＴｅＳｅを用いた請求項１
記載の面射出形半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14704992A JPH05343796A (ja) | 1992-06-08 | 1992-06-08 | 面出射形半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14704992A JPH05343796A (ja) | 1992-06-08 | 1992-06-08 | 面出射形半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343796A true JPH05343796A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15421348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14704992A Withdrawn JPH05343796A (ja) | 1992-06-08 | 1992-06-08 | 面出射形半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05343796A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008503090A (ja) * | 2004-06-18 | 2008-01-31 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | ＩｎＰ基板上のＩＩ−ＶＩ／ＩＩＩ−Ｖ層状構造 |
| JP2009520377A (ja) * | 2005-12-20 | 2009-05-21 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | ＩｎＰ基板上のＩＩ−ＶＩ／ＩＩＩ−Ｖ層状構造体 |
| US8385380B2 (en) | 2008-09-04 | 2013-02-26 | 3M Innovative Properties Company | Monochromatic light source |
| US8488641B2 (en) | 2008-09-04 | 2013-07-16 | 3M Innovative Properties Company | II-VI MQW VSEL on a heat sink optically pumped by a GaN LD |
-
1992
- 1992-06-08 JP JP14704992A patent/JPH05343796A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008503090A (ja) * | 2004-06-18 | 2008-01-31 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | ＩｎＰ基板上のＩＩ−ＶＩ／ＩＩＩ−Ｖ層状構造 |
| JP2009520377A (ja) * | 2005-12-20 | 2009-05-21 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | ＩｎＰ基板上のＩＩ−ＶＩ／ＩＩＩ−Ｖ層状構造体 |
| EP1963094A4 (en) * | 2005-12-20 | 2014-03-19 | 3M Innovative Properties Co | II-VI / III-V-DESIGNED CONSTRUCTION ON AN INP SUBSTRATE |
| US8385380B2 (en) | 2008-09-04 | 2013-02-26 | 3M Innovative Properties Company | Monochromatic light source |
| US8488641B2 (en) | 2008-09-04 | 2013-07-16 | 3M Innovative Properties Company | II-VI MQW VSEL on a heat sink optically pumped by a GaN LD |
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|---|---|---|---|
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