JPH053258A - 層間絶縁膜の形成方法 - Google Patents
層間絶縁膜の形成方法Info
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- JPH053258A JPH053258A JP3231840A JP23184091A JPH053258A JP H053258 A JPH053258 A JP H053258A JP 3231840 A JP3231840 A JP 3231840A JP 23184091 A JP23184091 A JP 23184091A JP H053258 A JPH053258 A JP H053258A
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- insulating film
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- forming
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- H10P14/60—
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- H10P14/69215—
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
- C23C16/402—Silicon dioxide
-
- H10P14/6334—
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- H10P14/6686—
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- H10P14/6922—
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/118—Oxide films
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 成膜速度が速く、低温で成膜しても良好な平
坦性を得ることができる層間絶縁膜の形成方法を提供す
る。 【構成】 半導体装置の半導体素子と金属配線間、ある
いは金属配線同士の間に形成する層間絶縁膜を、有機シ
ラン材料を原料ガスに用い、オゾンを酸化剤に用いて、
加圧下において化学蒸着法で形成することを特徴とする
層間絶縁膜の形成方法。
坦性を得ることができる層間絶縁膜の形成方法を提供す
る。 【構成】 半導体装置の半導体素子と金属配線間、ある
いは金属配線同士の間に形成する層間絶縁膜を、有機シ
ラン材料を原料ガスに用い、オゾンを酸化剤に用いて、
加圧下において化学蒸着法で形成することを特徴とする
層間絶縁膜の形成方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子と金属配線
間、あるいは金属配線同士の間に形成する層間絶縁膜の
形成方法に関するものであり、特に、TEOS(tetra ethoh
y silane)、HMDS (hexa methyl disiloxane) 、OMCTS
(octa methyl cyclo tetrasiloxane)等に代表される有
機シラン−Ｏ3 ＣＶＤ膜を使った層間絶縁膜の形成方法
に関するものである。
間、あるいは金属配線同士の間に形成する層間絶縁膜の
形成方法に関するものであり、特に、TEOS(tetra ethoh
y silane)、HMDS (hexa methyl disiloxane) 、OMCTS
(octa methyl cyclo tetrasiloxane)等に代表される有
機シラン−Ｏ3 ＣＶＤ膜を使った層間絶縁膜の形成方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＶＬＳＩデバイスの高集積化、高
密度化が急速に進み、半導体加工技術はサブミクロン加
工が必須のものとなってきている。サブミクロン加工が
進むと共に、デバイス表面の凹凸はますます激しくな
り、この凹凸がデバイス製造上の制約になることが予想
される。この問題解決のために、最も強く望まれている
のが層間絶縁膜の平坦化技術であると言える。
密度化が急速に進み、半導体加工技術はサブミクロン加
工が必須のものとなってきている。サブミクロン加工が
進むと共に、デバイス表面の凹凸はますます激しくな
り、この凹凸がデバイス製造上の制約になることが予想
される。この問題解決のために、最も強く望まれている
のが層間絶縁膜の平坦化技術であると言える。
【０００３】サブミクロンデバイス用の層間絶縁膜に要
求される特性としては、サブミクロンスペースを取るこ
と、及び、高アスペクト比をもつパターン上への優れた
平坦性を実現すること等がある。このような要求を満た
す層間絶縁膜の形成方法のひとつとして、例えば、特開
昭61−77695 号公報に開示されているような有機シラン
−Ｏ3 系ガスを使用した常圧ＣＶＤ法がある。特開昭61
−77695 号公報においては、有機シラン材料としてＴＥ
ＯＳを使用した成膜方法が開示されている。
求される特性としては、サブミクロンスペースを取るこ
と、及び、高アスペクト比をもつパターン上への優れた
平坦性を実現すること等がある。このような要求を満た
す層間絶縁膜の形成方法のひとつとして、例えば、特開
昭61−77695 号公報に開示されているような有機シラン
−Ｏ3 系ガスを使用した常圧ＣＶＤ法がある。特開昭61
−77695 号公報においては、有機シラン材料としてＴＥ
ＯＳを使用した成膜方法が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
有機シラン−Ｏ3 系ガスを使用した常圧ＣＶＤ法では、
絶縁膜の成膜速度が遅い、成膜温度が比較的高いなどの
問題があった。成膜速度に関しては、例えば従来のＴＥ
ＯＳ( Si(OC2H5)4）−Ｏ3 常圧ＣＶＤ法では成膜速度
は、成膜温度を 400℃に設定して、１分間当たり 500〜
700 Å程度であり、１μm の膜厚の層間絶縁膜を形成し
て、25枚のウエハを処理するのに、約６〜８時間を要し
ていた。また、成膜温度を 400℃近辺まで上げないと、
良好な平坦性を得ることができなかった。
有機シラン−Ｏ3 系ガスを使用した常圧ＣＶＤ法では、
絶縁膜の成膜速度が遅い、成膜温度が比較的高いなどの
問題があった。成膜速度に関しては、例えば従来のＴＥ
ＯＳ( Si(OC2H5)4）−Ｏ3 常圧ＣＶＤ法では成膜速度
は、成膜温度を 400℃に設定して、１分間当たり 500〜
700 Å程度であり、１μm の膜厚の層間絶縁膜を形成し
て、25枚のウエハを処理するのに、約６〜８時間を要し
ていた。また、成膜温度を 400℃近辺まで上げないと、
良好な平坦性を得ることができなかった。
【０００５】本発明は、上記問題を解決して、成膜速度
が速く、また成膜温度を下げても良好な平坦性を得るこ
とができる層間絶縁膜の形成方法を提供することを目的
とするものである。
が速く、また成膜温度を下げても良好な平坦性を得るこ
とができる層間絶縁膜の形成方法を提供することを目的
とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用】上記課題を解決
するために、本発明の層間絶縁膜の形成方法は、半導体
装置の半導体素子と金属配線間、あるいは金属配線同士
の間に形成する層間絶縁膜を、有機シランを原料ガスに
用い、オゾンを酸化剤に用いて、加圧下において化学蒸
着法で形成することを特徴とするものである。
するために、本発明の層間絶縁膜の形成方法は、半導体
装置の半導体素子と金属配線間、あるいは金属配線同士
の間に形成する層間絶縁膜を、有機シランを原料ガスに
用い、オゾンを酸化剤に用いて、加圧下において化学蒸
着法で形成することを特徴とするものである。
【０００７】上述した問題の主な原因としては、従来の
有機シラン−Ｏ3 ＣＶＤ法では、常圧下で成膜するた
め、Ｏ3 の寿命が短いことが考えられる。したがって、
上述の問題を解決するため、有機シラン−Ｏ3 雰囲気中
のＯ3 の分圧を増加させることも考えられるが、この場
合、有機シラン分圧が逆に減少するので、成膜速度を上
げることができない。
有機シラン−Ｏ3 ＣＶＤ法では、常圧下で成膜するた
め、Ｏ3 の寿命が短いことが考えられる。したがって、
上述の問題を解決するため、有機シラン−Ｏ3 雰囲気中
のＯ3 の分圧を増加させることも考えられるが、この場
合、有機シラン分圧が逆に減少するので、成膜速度を上
げることができない。
【０００８】本発明では、有機シラン−Ｏ3 ＣＶＤ法に
よる成膜を加圧下において行うようにしているため、有
機シラン−Ｏ3 ガス雰囲気中におけるＯ3 の寿命が長く
なり、成膜速度を速めることができると共に、低温で成
膜しても膜の平坦性が損なわれることがない。
よる成膜を加圧下において行うようにしているため、有
機シラン−Ｏ3 ガス雰囲気中におけるＯ3 の寿命が長く
なり、成膜速度を速めることができると共に、低温で成
膜しても膜の平坦性が損なわれることがない。
【０００９】
【実施例】図１は、本発明の層間絶縁膜の形成方法を実
施する成膜装置の構成を示す図である。図１に示すよう
に、炉１内にウエハ２を装填し、このウエハ２をヒータ
３で加熱する。炉１には、オゾン発生装置４で発生した
Ｏ3 ガスと、恒温槽５でバブリングさせて生成するＴＥ
ＯＳ等の有機シランガスと、キャリアガスとしてのＮ2
ガスとが供給される。尚、符号６は、炉１に供給したガ
スをウエハ２に一様にふきつけるためのフィンである。実施例１ 本実施例では、有機シラン材料としＴＥＯＳを用いた。
施する成膜装置の構成を示す図である。図１に示すよう
に、炉１内にウエハ２を装填し、このウエハ２をヒータ
３で加熱する。炉１には、オゾン発生装置４で発生した
Ｏ3 ガスと、恒温槽５でバブリングさせて生成するＴＥ
ＯＳ等の有機シランガスと、キャリアガスとしてのＮ2
ガスとが供給される。尚、符号６は、炉１に供給したガ
スをウエハ２に一様にふきつけるためのフィンである。実施例１ 本実施例では、有機シラン材料としＴＥＯＳを用いた。
【００１０】Ｏ3 ガスとＴＥＯＳを３：50の割合で混合
したガス雰囲気中で、圧力を２気圧、成膜時間480 秒、
基板温度を350 ℃として、SiO2膜の成膜を行った。炉１
内の成膜温度は 400℃に、恒温槽５内のガスバブラー5a
の温度は 65 ℃に設定した。又、オゾン発生装置４へ供
給するＯ2 ガスの流量は 7.5 l／分に、恒温槽５内のガ
スバブラー5aへバブリング用に供給するＮ2 ガスの流量
は 3.0 l／分、炉１へキャリアガスとして供給するＮ2
ガスの流量は 18.0 l/分とした。又、オゾン発生装置に
おけるＯ3 ガス発生率は 4.0％であった。比較例１ 比較例として、実施例１と同様にＴＥＯＳを有機シラン
材料として用い、常圧下において SiO2 膜を成膜した。
したガス雰囲気中で、圧力を２気圧、成膜時間480 秒、
基板温度を350 ℃として、SiO2膜の成膜を行った。炉１
内の成膜温度は 400℃に、恒温槽５内のガスバブラー5a
の温度は 65 ℃に設定した。又、オゾン発生装置４へ供
給するＯ2 ガスの流量は 7.5 l／分に、恒温槽５内のガ
スバブラー5aへバブリング用に供給するＮ2 ガスの流量
は 3.0 l／分、炉１へキャリアガスとして供給するＮ2
ガスの流量は 18.0 l/分とした。又、オゾン発生装置に
おけるＯ3 ガス発生率は 4.0％であった。比較例１ 比較例として、実施例１と同様にＴＥＯＳを有機シラン
材料として用い、常圧下において SiO2 膜を成膜した。
【００１１】Ｏ3 ガスとＴＥＯＳを３：50の割合で混合
したガス雰囲気中で、圧力を１気圧、成膜時間1200秒、
基板温度を 350℃として、SiO2膜の成膜を行った。成膜
装置の他の条件は実施例１と同様に設定した。これらの
実験結果を下記の表１に示す。 表１から明らかなように、従来の常圧下におけるＴＥ
ＯＳ−Ｏ3 ＣＶＤ法で成膜した場合（比較例１）は、成
膜速度が１分間当たり 400Åであったのに対して、本発
明を適用した実施例、すなわち原料ガスとしてＴＥＯＳ
を用い、２気圧に加圧した条件の下で成膜した場合は、
１分間当たり1000Åと、成膜速度が倍以上に改善されて
いる。
したガス雰囲気中で、圧力を１気圧、成膜時間1200秒、
基板温度を 350℃として、SiO2膜の成膜を行った。成膜
装置の他の条件は実施例１と同様に設定した。これらの
実験結果を下記の表１に示す。 表１から明らかなように、従来の常圧下におけるＴＥ
ＯＳ−Ｏ3 ＣＶＤ法で成膜した場合（比較例１）は、成
膜速度が１分間当たり 400Åであったのに対して、本発
明を適用した実施例、すなわち原料ガスとしてＴＥＯＳ
を用い、２気圧に加圧した条件の下で成膜した場合は、
１分間当たり1000Åと、成膜速度が倍以上に改善されて
いる。
【００１２】膜の平坦性については、アルミ配線の上に
SiO2 膜を成膜し、そのステップカバレージで評価し
た。図２は、有機シラン材料としてＴＥＯＳを用い、加
圧下でアルミ配線上に成膜した（実施例１） SiO2 膜の
断面図であり、図３は有機シラン材料としてＴＥＯＳを
用い、常圧下でアルミ配線上に成膜した（比較例１） S
iO2 膜の断面図である。
SiO2 膜を成膜し、そのステップカバレージで評価し
た。図２は、有機シラン材料としてＴＥＯＳを用い、加
圧下でアルミ配線上に成膜した（実施例１） SiO2 膜の
断面図であり、図３は有機シラン材料としてＴＥＯＳを
用い、常圧下でアルミ配線上に成膜した（比較例１） S
iO2 膜の断面図である。
【００１３】図２及び図３に示すように、アルミ配線11
の側部に成長した絶縁膜12の膜厚ａと、その上方、すな
わちアルミ配線11の側壁11a の延長線と絶縁膜12の側壁
間での距離ｂの比で絶縁膜のオーバーハングの度合を表
して評価するようにした。上記の表１におけるオーバー
ハングの度合は、 ｂ／ａ−１ から算出した。
の側部に成長した絶縁膜12の膜厚ａと、その上方、すな
わちアルミ配線11の側壁11a の延長線と絶縁膜12の側壁
間での距離ｂの比で絶縁膜のオーバーハングの度合を表
して評価するようにした。上記の表１におけるオーバー
ハングの度合は、 ｂ／ａ−１ から算出した。
【００１４】上記表１のオーバーハングの度合から明ら
かな通り、従来の常圧下におけるＣＶＤ法（比較例１）
で成膜した絶縁膜では、オーバーハングが認められたの
に対して、本発明を適用した実施例１ではオーバーハン
グが認められなかった。上述した実施例１においては、
２気圧に加圧したＴＥＯＳ−Ｏ3 混合ガス雰囲気中で層
間絶縁膜を成膜した例について述べたが、1.5 気圧〜５
気圧までの間であれば、本発明の効果を得ることが可能
であり、好ましくは、２気圧の下で成膜したときが、成
膜速度、平坦性に関して最も優れた層間絶縁膜を形成す
ることができる。実施例２ 実施例２では有機シラン材料としてＨＭＤＳを用いた。
Ｏ3 ガスとＨＭＤＳ（(CH3)6Si2O) を３：50の割合で混
合したガス雰囲気中で、圧力を２気圧、成膜時間 400
秒、基板温度を 350℃として、SiO2膜の成膜を行った。
炉１内の成膜温度は 400℃に、恒温槽５内のガスバブラ
ー5aの温度は 65 ℃に設定した。又、オゾン発生装置４
へ供給するＯ2 ガスの流量は 7.5 l／分に恒温槽５内の
ガスバブラー5aへバブリング用に供給するＮ2 ガスの流
量は 3.0 l／分、炉１へキャリアガスとして供給するＮ
2 ガスの流量は 18.0 l/分とした。又、オゾン発生装置
におけるＯ3 ガス発生率は 4.0％であった。比較例２ 比較例として実施例２と同様にＨＭＤＳを有機シラン材
料として用い、常圧下において SiO2 膜を成膜した。
かな通り、従来の常圧下におけるＣＶＤ法（比較例１）
で成膜した絶縁膜では、オーバーハングが認められたの
に対して、本発明を適用した実施例１ではオーバーハン
グが認められなかった。上述した実施例１においては、
２気圧に加圧したＴＥＯＳ−Ｏ3 混合ガス雰囲気中で層
間絶縁膜を成膜した例について述べたが、1.5 気圧〜５
気圧までの間であれば、本発明の効果を得ることが可能
であり、好ましくは、２気圧の下で成膜したときが、成
膜速度、平坦性に関して最も優れた層間絶縁膜を形成す
ることができる。実施例２ 実施例２では有機シラン材料としてＨＭＤＳを用いた。
Ｏ3 ガスとＨＭＤＳ（(CH3)6Si2O) を３：50の割合で混
合したガス雰囲気中で、圧力を２気圧、成膜時間 400
秒、基板温度を 350℃として、SiO2膜の成膜を行った。
炉１内の成膜温度は 400℃に、恒温槽５内のガスバブラ
ー5aの温度は 65 ℃に設定した。又、オゾン発生装置４
へ供給するＯ2 ガスの流量は 7.5 l／分に恒温槽５内の
ガスバブラー5aへバブリング用に供給するＮ2 ガスの流
量は 3.0 l／分、炉１へキャリアガスとして供給するＮ
2 ガスの流量は 18.0 l/分とした。又、オゾン発生装置
におけるＯ3 ガス発生率は 4.0％であった。比較例２ 比較例として実施例２と同様にＨＭＤＳを有機シラン材
料として用い、常圧下において SiO2 膜を成膜した。
【００１５】Ｏ3 ガスとＨＭＤＳを３：50の割合で混合
したガス雰囲気中で、圧力を１気圧、成膜時間 400秒、
基板温度を 350℃として、SiO2膜の成膜を行った。成膜
装置の他の条件は実施例２と同様である。これらの実験
結果を下記の表２に示す。 表２から明らかなように、従来の常圧下におけるＨＭ
ＤＳ−Ｏ3 ＣＶＤ法で成膜した場合（比較例２）は、成
膜速度が１分間当たり 550Åであったのに対して、本発
明を適用した実施例、すなわち原料ガスにＨＭＤＳを用
い、２気圧に加圧した条件の下で成膜した場合は、１分
間当たり1100Åと、成膜速度が倍以上に改善されてい
る。
したガス雰囲気中で、圧力を１気圧、成膜時間 400秒、
基板温度を 350℃として、SiO2膜の成膜を行った。成膜
装置の他の条件は実施例２と同様である。これらの実験
結果を下記の表２に示す。 表２から明らかなように、従来の常圧下におけるＨＭ
ＤＳ−Ｏ3 ＣＶＤ法で成膜した場合（比較例２）は、成
膜速度が１分間当たり 550Åであったのに対して、本発
明を適用した実施例、すなわち原料ガスにＨＭＤＳを用
い、２気圧に加圧した条件の下で成膜した場合は、１分
間当たり1100Åと、成膜速度が倍以上に改善されてい
る。
【００１６】膜の平坦性については、実施例１、比較例
１で行ったと同様にアルミ配線の上に SiO2 膜を成膜
し、そのステップカバレージで評価した。図４は有機シ
ラン材料としてＨＭＤＳを用い、加圧下でアルミ配線上
に成膜した（実施例２） SiO2 膜の断面図であり、図５
は有機シラン材料としてＨＭＤＳを用い常圧下でアルミ
配線上に成膜した（比較例２） SiO2 膜の断面図であ
る。
１で行ったと同様にアルミ配線の上に SiO2 膜を成膜
し、そのステップカバレージで評価した。図４は有機シ
ラン材料としてＨＭＤＳを用い、加圧下でアルミ配線上
に成膜した（実施例２） SiO2 膜の断面図であり、図５
は有機シラン材料としてＨＭＤＳを用い常圧下でアルミ
配線上に成膜した（比較例２） SiO2 膜の断面図であ
る。
【００１７】図４及び図５に示すように、アルミ配線21
の側壁に成長した絶縁膜22の膜厚ａと、その上方、すな
わちアルミ配線21の側壁21a の延長線と絶縁膜22の側壁
間での距離ｂの比で絶縁膜のオーバーハングの度合を表
して評価するようにした。上記の表におけるオーバーハ
ングの度合は、 ｂ／ａ−１ から算出した。
の側壁に成長した絶縁膜22の膜厚ａと、その上方、すな
わちアルミ配線21の側壁21a の延長線と絶縁膜22の側壁
間での距離ｂの比で絶縁膜のオーバーハングの度合を表
して評価するようにした。上記の表におけるオーバーハ
ングの度合は、 ｂ／ａ−１ から算出した。
【００１８】表２のオーバーハングの度合から明らかな
通り、従来の常圧下におけるＣＶＤ法（比較例２）で成
膜した絶縁膜では、オーバーハングが認められたのに対
して、本発明を適用した実施例ではオーバーハングが認
められなかった。上述した実施例２においては、２気圧
に加圧したＨＭＤＳ−Ｏ3 混合ガス雰囲気中で層間絶縁
膜を成膜した例について述べたが、1.5 気圧〜５気圧ま
での間であれば、本発明の効果を得ることが可能であ
り、好ましくは、２気圧の下で成膜したときが、成膜速
度、平坦性に関して最も優れた層間絶縁膜を形成するこ
とができる。尚、装置の構成上、５気圧以上に加圧する
ことは困難であり危険が伴う。
通り、従来の常圧下におけるＣＶＤ法（比較例２）で成
膜した絶縁膜では、オーバーハングが認められたのに対
して、本発明を適用した実施例ではオーバーハングが認
められなかった。上述した実施例２においては、２気圧
に加圧したＨＭＤＳ−Ｏ3 混合ガス雰囲気中で層間絶縁
膜を成膜した例について述べたが、1.5 気圧〜５気圧ま
での間であれば、本発明の効果を得ることが可能であ
り、好ましくは、２気圧の下で成膜したときが、成膜速
度、平坦性に関して最も優れた層間絶縁膜を形成するこ
とができる。尚、装置の構成上、５気圧以上に加圧する
ことは困難であり危険が伴う。
【００１９】
【発明の効果】上述した通り、本発明の絶縁膜の製造方
法においては、有機シラン−Ｏ3 ＣＶＤ膜を加圧下で成
膜するようにしているため、有機シラン−Ｏ3 ガス中の
Ｏ3 の寿命が常圧下における場合に比べて長くなり、し
たがって、絶縁膜の成膜速度が早くなると共に、良好な
平坦性をもった絶縁膜を低温下で形成することができ
る。
法においては、有機シラン−Ｏ3 ＣＶＤ膜を加圧下で成
膜するようにしているため、有機シラン−Ｏ3 ガス中の
Ｏ3 の寿命が常圧下における場合に比べて長くなり、し
たがって、絶縁膜の成膜速度が早くなると共に、良好な
平坦性をもった絶縁膜を低温下で形成することができ
る。
【００２０】
【００２１】
【図１】本発明の層間絶縁膜の形成方法を実施するため
の成膜装置の構成を示す図である。
の成膜装置の構成を示す図である。
【００２２】
【図２】本発明の実施例１を適用して形成したSiO2膜の
形状を示す断面図、
形状を示す断面図、
【００２３】
【図３】比較例１を適用して形成したSiO2膜の形状を示
す断面図、
す断面図、
【００２４】
【図４】本発明の実施例２を適用して形成したSiO2膜の
形状を示す断面図、
形状を示す断面図、
【００２５】
【図５】比較例２を適用して形成したSiO2膜の形状を示
す断面図である。
す断面図である。
【００２６】
１ 炉 ２ 半導体ウエハ ３ ヒータ ４ オゾン発生装置 ５ 恒温槽 5a バブラー ６ フィン 11, 21 アルミ配線 12, 22 層間絶縁膜
フロントページの続き (72)発明者 片桐 智治 千葉県千葉市川崎町１番地 川崎製鉄株式 会社技術研究本部内 (72)発明者 橋本 毅 千葉県千葉市川崎町１番地 川崎製鉄株式 会社技術研究本部内 (72)発明者 太田 与洋 千葉県千葉市川崎町１番地 川崎製鉄株式 会社技術研究本部内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 半導体装置の半導体素子と金属配線間、
あるいは金属配線同士の間に形成する層間絶縁膜を、有
機シラン材料を原料ガスに用い、オゾンを酸化剤に用い
て、加圧下において化学蒸着法で形成することを特徴と
する層間絶縁膜の形成方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3231840A JPH053258A (ja) | 1990-09-25 | 1991-09-11 | 層間絶縁膜の形成方法 |
| CA002051989A CA2051989A1 (en) | 1990-09-25 | 1991-09-20 | Method of forming interlayer-insulating film |
| US07/764,901 US5290736A (en) | 1990-09-25 | 1991-09-24 | Method of forming interlayer-insulating film using ozone and organic silanes at a pressure above atmospheric |
| KR1019910016708A KR920007116A (ko) | 1990-09-25 | 1991-09-25 | 내층 절연막 형성방법 |
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