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JPH05294004A - Optical writing device - Google Patents

Optical writing device

Info

Publication number
JPH05294004A
JPH05294004A JP4125425A JP12542592A JPH05294004A JP H05294004 A JPH05294004 A JP H05294004A JP 4125425 A JP4125425 A JP 4125425A JP 12542592 A JP12542592 A JP 12542592A JP H05294004 A JPH05294004 A JP H05294004A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser beam
electro
optical element
optical
scanning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4125425A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Minoru Koshimizu
実 小清水
Toru Teshigahara
亨 勅使川原
Takeo Kakinuma
武夫 柿沼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Business Innovation Corp
Original Assignee
Fuji Xerox Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Xerox Co Ltd filed Critical Fuji Xerox Co Ltd
Priority to JP4125425A priority Critical patent/JPH05294004A/en
Publication of JPH05294004A publication Critical patent/JPH05294004A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Laser Beam Printer (AREA)
  • Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
  • Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
  • Fax Reproducing Arrangements (AREA)
  • Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
  • Color, Gradation (AREA)

Abstract

PURPOSE:To make it possible to optically write gradation image having excellently stable gradation by providing a means for applying voltage selectively and a scanning means for scanning and exposing, on a photosensitive body, a laser beam passed through an electro-optical element. CONSTITUTION:A laser beam jetted from a semiconductor laser 1 is converted into a parallel light by a collimator lens 2 and injected into an electro-optical element 4 after it is converged by a cylindrical lens 3. The laser beam jetted from the electro-optical element 4 is converged by a condenser 5 and jetted on a scanning mirror 6. Thereafter, it is scanned and exposed along a direction of axis of rotation of a photosensitive drum 9. At this time, the laser beam is converged in the horizontal and vertical directions as a spot of a predetermined shape on the photosensitive drum 9 by an ftheta image-formation optical system consisting of an ftheta lens 7 and a cylindrical mirror 8. Further, it is scanned and exposed on the photosensitive drum 9 and optical writing corresponding to image information is performed on the photosensitive drum 9.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、デジタル複写機やプ
リンタ等の画像記録装置に使用され、感光体上に画像情
報に応じて選択的に光を照射し、静電潜像を形成するた
めの光書き込み装置に関し、特に、良好な潜像コントラ
ストを得ることができるとともに階調表現が可能な光書
き込み装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is used in an image recording apparatus such as a digital copying machine or a printer, and is intended to form an electrostatic latent image by selectively irradiating a photoconductor with light according to image information. The present invention relates to an optical writing device, in particular, an optical writing device that can obtain good latent image contrast and can express gradation.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、上記光書き込み装置としては、例
えば、図9に示すようなものがある。この光書き込み装
置は、半導体レーザー100から出射されたレーザービ
ームを、コリメータレンズ101によって平行光に変換
した後、シリンドリカルレンズ102によって走査ミラ
ー103上に副走査方向に一旦集光する。そして、この
集光されたビームを、走査ミラー103によって感光体
ドラム104の回転軸方向に沿って走査し、fθレンズ
105及びシリンドリカルミラー106からなるfθ結
像光学系によって、感光体ドラム104上で均一な径の
スポットとして主走査および副走査方向に集光し、感光
体ドラム104上に画像の書き込みを行うように構成さ
れている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as the above-mentioned optical writing device, for example, there is one shown in FIG. In this optical writing device, a laser beam emitted from the semiconductor laser 100 is converted into parallel light by a collimator lens 101, and then is temporarily condensed on a scanning mirror 103 by a cylindrical lens 102 in the sub-scanning direction. Then, the condensed beam is scanned by the scanning mirror 103 along the rotation axis direction of the photoconductor drum 104, and is moved on the photoconductor drum 104 by the fθ imaging optical system including the fθ lens 105 and the cylindrical mirror 106. A spot having a uniform diameter is condensed in the main scanning direction and the sub scanning direction, and an image is written on the photosensitive drum 104.

【0003】上記スポットによる感光体ドラム104上
の露光プロファイルは、良好な静電潜像のコントラスト
を得るという点からすれば、図10に示すような矩形状
が望ましく、特開昭62−257268号公報に開示さ
れている方法のように、複数の発光部を有する半導体レ
ーザーを用いてこれらを集束面上で合成することにより
これを達成している例もある。しかし、通常の単一レー
ザービームによる露光プロファイルは、図11に示すよ
うに、ほぼガウス分布で近似できる形となっている。
The exposure profile on the photosensitive drum 104 by the spot is preferably rectangular as shown in FIG. 10 from the viewpoint of obtaining a good electrostatic latent image contrast, and is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-257268. In some cases, as in the method disclosed in the publication, this is achieved by using a semiconductor laser having a plurality of light emitting portions and combining them on a focusing surface. However, as shown in FIG. 11, the exposure profile of a normal single laser beam can be approximated by a Gaussian distribution.

【0004】また、このような光書き込み装置を用いた
画像記録装置においては、画像の高画質化を図るために
階調記録が行われる。その方法として代表的なものは、
図12に示すように、半導体レーザーの点灯時間をパル
ス幅を制御することによって変化させ、レーザービーム
による記録の一画素における露光面積を制御するものが
挙げられる。
Further, in an image recording device using such an optical writing device, gradation recording is performed in order to improve the image quality of the image. A typical method is
As shown in FIG. 12, there is one in which the lighting time of the semiconductor laser is changed by controlling the pulse width to control the exposure area of one pixel for recording by the laser beam.

【0005】このような技術としては、例えば、特開昭
62−39972号公報に開示されているものがある。
この特開昭62−39972号公報に係る画像処理装置
は、デイジタル入力信号に応答する画像処理装置であっ
て、一連の連続した走査ラインを発生するためのラスタ
走査プリント部と、該装置へのデイジタル入力信号から
パルス幅変調信号を発生するための手段と、該パルス幅
変調信号を該プリント部に供給し、該プリント部からラ
インセグメントの連続として前記各走査ラインを発生せ
しめる手段とを具備し、該ラインセグメントの長さが該
パルス幅変調信号に従って制御されて、該ラインセグメ
ントから、濃度の可変で該ラインセグメント複数個から
なるスクリーンを生じさせるように構成したものであ
る。
As such a technique, for example, there is one disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 62-39972.
The image processing apparatus according to Japanese Patent Laid-Open No. 62-39972 is an image processing apparatus which responds to a digital input signal, and includes a raster scanning print unit for generating a series of continuous scanning lines, and a raster scanning printing unit for the apparatus. A means for generating a pulse width modulated signal from the digital input signal; and means for supplying the pulse width modulated signal to the printing portion to generate each scanning line as a series of line segments from the printing portion. The length of the line segment is controlled in accordance with the pulse width modulation signal to generate a screen having a plurality of line segments with variable density from the line segment.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
の場合には、次のような問題点を有している。すなわ
ち、上記従来の光書き込み装置は、感光体ドラム104
上の集光スポットの露光プロファイルが、図11に示す
ように、ほぼガウス分布で近似できる形となっているた
め、感光体ドラム104上に形成される静電潜像の電位
も、ほぼガウス分布を逆さにした形で近似できる。その
ため、スポット径に近い幅を持つ細線などを書き込む場
合には、潜像のエッジがシャープにならなかったり、現
像レベルの変動によって線幅にむらが生じたりする虞れ
があるという問題点を有するものであった。
However, the above-mentioned prior art has the following problems. That is, the above-mentioned conventional optical writing device has the photosensitive drum 104.
As shown in FIG. 11, the exposure profile of the above focused spot has a shape that can be approximated by a Gaussian distribution, so the potential of the electrostatic latent image formed on the photoconductor drum 104 is also a Gaussian distribution. Can be approximated in an inverted form. Therefore, when writing a thin line or the like having a width close to the spot diameter, there is a problem that the edge of the latent image may not be sharp or the line width may be uneven due to fluctuations in the development level. It was a thing.

【0007】また、ガウス型プロファイルを持つビーム
を用いた従来の露光時間変調による階調記録方法として
は、上述した特開昭62−39972号公報において開
示されているように、基準の三角波と画像階調信号を比
較してパルス幅の変調信号を生成するものが知られてい
る。このパルス幅変調されたスポットによる露光は、そ
のスポット径以上の範囲を露光する場合、電子写真プロ
セスに対して安定した2値による面積階調に近い潜像を
形成することができる。ところが、パルス幅がごく短く
なると、光源である半導体レーザの駆動回路の応答特性
や電子写真プロセスにおけるスレッショルド近辺の変動
に対する不安定性を反映して、スポットによる露光は、
面積変調的挙動よりむしろ強度変調的挙動を示すように
なり、階調再現が不安定性を示すようになるという問題
点がある。この電子写真プロセスにおけるアナログ的な
階調再現における不安定性は、露光のスポットサイズを
無限小にすることにより解消することができるが、実際
には光学系の限界があるため、これを無限小にすること
は不可能であるという問題点を有している。
Further, as a conventional gradation recording method by exposure time modulation using a beam having a Gaussian profile, as disclosed in the above-mentioned JP-A-62-39972, a reference triangular wave and an image are used. It is known to generate a pulse width modulation signal by comparing gradation signals. The exposure with the pulse-width modulated spot can form a latent image close to an area gradation by binary values which is stable for the electrophotographic process, when the area larger than the spot diameter is exposed. However, when the pulse width becomes extremely short, the exposure by the spot reflects the instability with respect to the response characteristics of the drive circuit of the semiconductor laser which is the light source and the fluctuation near the threshold in the electrophotographic process.
There is a problem in that the intensity modulation behavior is displayed rather than the area modulation behavior, and gradation reproduction becomes unstable. This instability in analog gradation reproduction in the electrophotographic process can be solved by making the exposure spot size infinitely small, but in reality there is a limit to the optical system. It is impossible to do this.

【0008】上述した潜像のエッジのシャープさや現像
レベルの変動による線幅のむらを防止するためには、前
記したような複数の発光部を有する半導体レーザー光源
を用いてプロファイルを矩形状に合成することが考えら
れる。
In order to prevent the unevenness of the line width due to the above-mentioned sharpness of the edge of the latent image and the variation of the development level, the semiconductor laser light source having a plurality of light emitting portions as described above is used to synthesize the profile into a rectangular shape. It is possible.

【0009】しかし、この場合には、半導体レーザーに
形成された発光部の位置は一定であるため、一旦、結像
光学系を定めて位置合わせをすると、感光体ドラム上に
おける集光スポットの位置も特定される。そのため、任
意に合成プロファイルの形を変更することができず、合
成プロファイルのスポット幅を調節して階調記録を行う
ことができないという問題点が新たに生じる。
However, in this case, since the position of the light emitting portion formed on the semiconductor laser is constant, once the image forming optical system is determined and aligned, the position of the focused spot on the photosensitive drum is determined. Is also specified. Therefore, there is a new problem that the shape of the composite profile cannot be changed arbitrarily and gradation recording cannot be performed by adjusting the spot width of the composite profile.

【0010】また、高画質化や安定性に優れた階調記録
を行うための方法としては、特開昭60−68317号
公報や特開平1−262519号公報等に開示されてい
るように、レーザービームのスポット径を変える技術も
いくつか提案されている。
Further, as a method for performing gradation recording with high image quality and excellent stability, as disclosed in JP-A-60-68317, JP-A1-262519, and the like, Several techniques for changing the spot diameter of the laser beam have also been proposed.

【0011】特開昭60−68317号公報に開示され
たレーザービームプリンタの光学走査装置は、映像信号
によって変調された発散レーザビームを発射する光源
と、該光源から発射された該発散レーザビームを平行レ
ーザビームに変換する光束変換手段と、該光束変換手段
からの該レーザビームを偏向する偏向手段と、該偏向手
段からの該レーザビームを結像させるための結像光学系
と、該結像光学系によって該レーザビームが結像する像
担持体とを備えたレーザビームプリンタの光学走査装置
において、該偏向手段に入射される該平行レーザビーム
の径を制御するビーム径制御手段を備えるように構成し
たものである。
An optical scanning device for a laser beam printer disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 60-68317 discloses a light source for emitting a divergent laser beam modulated by a video signal, and a divergent laser beam emitted from the light source. A light beam converting means for converting into a parallel laser beam, a deflecting means for deflecting the laser beam from the light beam converting means, an imaging optical system for imaging the laser beam from the deflecting means, and the imaging In an optical scanning device of a laser beam printer including an image carrier on which the laser beam is imaged by an optical system, a beam diameter control means for controlling the diameter of the parallel laser beam incident on the deflection means is provided. It is composed.

【0012】また、特開平1−262519号公報に開
示された画像形成装置は、レーザービームの照射により
感光体上に潜像を形成する画像形成装置に於いて、前記
レーザービームの光路中に所定の周期で光路を遮断する
可動スリットを配設するように構成したものである。
Further, the image forming apparatus disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 1-262519 is an image forming apparatus which forms a latent image on a photosensitive member by irradiation of a laser beam, and a predetermined image is formed in the optical path of the laser beam. The movable slit for blocking the optical path is arranged at the cycle.

【0013】しかし、これらの提案に係るものは、コリ
メータレンズを移動させたり、光路中に可動スリットを
設けてビーム径を切り替えたりするといったメカニカル
な駆動方法を必要とするため、1ピクセルごとを変調す
る数十MHzの高速動作には適さないといった問題点を
有している。
However, these proposals require a mechanical driving method such as moving the collimator lens or providing a movable slit in the optical path to switch the beam diameter, so that each pixel is modulated. It has a problem that it is not suitable for high-speed operation of several tens of MHz.

【0014】そこで、この発明は、上記従来技術の問題
点を解決するためになされたもので、その目的とすると
ころは、良好なコントラストを有する潜像を得るための
エッジがシャープな露光プロファイルを形成することが
できるとともに、この露光プロファイルのスポット径を
1ピクセルごとに高速に変調して階調の安定性に優れた
階調画像の光書き込みが可能な光書き込み装置を提供す
ることにある。
Therefore, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and its object is to provide an exposure profile having a sharp edge for obtaining a latent image having good contrast. It is an object of the present invention to provide an optical writing device capable of forming a spot image of the exposure profile at high speed for each pixel and rapidly writing a gradation image having excellent gradation stability.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】この発明の上記目的は、
次の構成によって達成される。
The above objects of the present invention are as follows.
It is achieved by the following configuration.

【0016】すなわち、この発明は、画像情報によって
オン/オフ制御されるレーザービームを感光体上に走査
露光し、当該感光体上に画像情報に応じた静電潜像を形
成するための光書き込み装置において、上記レーザービ
ームの光路中にあって、該レーザービームが通過する空
間領域の少なくとも一部に配置され、レーザービームの
光路に沿って配列された複数の電極を有する電気光学素
子と、前記複数の電極に画像情報の階調信号に応じて選
択的に電圧を印加する電圧印加手段と、前記電気光学素
子を通過したレーザービームを、感光体上に走査露光す
る走査手段とを備えるように構成したものである。
That is, according to the present invention, optical writing is performed to scan and expose a laser beam on / off controlled by image information on a photoconductor to form an electrostatic latent image on the photoconductor according to the image information. In the device, an electro-optical element having a plurality of electrodes arranged in the optical path of the laser beam, disposed in at least a part of a spatial region through which the laser beam passes, and arranged along the optical path of the laser beam, A voltage applying unit that selectively applies a voltage to a plurality of electrodes according to a gradation signal of image information, and a scanning unit that scans and exposes a laser beam that has passed through the electro-optical element onto a photosensitive member are provided. It is composed.

【0017】上記電気光学素子には、その電極に電圧印
加手段によって所定のパターンで電圧を印加することに
より、電気光学素子中に屈折率の周期的変化を利用した
位相格子が形成される。
A voltage grating is applied to the electrode of the electro-optical element in a predetermined pattern by a voltage applying means to form a phase grating in the electro-optical element by utilizing a periodic change in the refractive index.

【0018】また、前記位相格子として作用する電気光
学素子に入射するビームは、電気光学素子の端部から内
部に入射し、位相格子が形成されている結晶の内面で全
反射し、再び素子外部に出射するようにそのビーム経路
が形成される。
The beam incident on the electro-optical element acting as the phase grating enters from the end of the electro-optical element to the inside, is totally reflected on the inner surface of the crystal in which the phase grating is formed, and is again outside the element. The beam path is formed so as to exit to.

【0019】さらに、前記位相格子として作用する電気
光学素子に入射するビームは、電気光学素子の基板上に
形成された導波路内に導かれ、導波路上に形成された位
相格子を通過するようにそのビーム経路を構成するよう
にしても良い。
Further, the beam incident on the electro-optical element acting as the phase grating is guided into the waveguide formed on the substrate of the electro-optical element and passes through the phase grating formed on the waveguide. Alternatively, the beam path may be configured.

【0020】[0020]

【作用】この発明では、レーザービームの光路中にあっ
て、該レーザービームが通過する空間領域の少なくとも
一部に配置され、レーザービームの光路に沿って配列さ
れた複数の電極を有する電気光学素子と、前記複数の電
極に画像情報の階調信号に応じて選択的に電圧を印加す
る電圧印加手段と、前記電気光学素子を通過したレーザ
ービームを、感光体上に走査露光する走査手段とを備え
るように構成されているので、前記電気光学素子の電極
に電圧印加手段によって所定のパターンで電圧を印加す
ることにより、電気光学素子中に屈折率の周期的変化を
利用した位相格子を形成することができる。そのため、
上記電気光学素子中に入射したレーザービームは、屈折
率が周期的に変化する位相格子によって回折され、電気
光学素子からは、多次の回折光と0次光ビームが出射さ
れる。そして、これらの多次の回折光と0次光ビーム
は、走査手段によって感光体上に走査露光されるため、
感光体上には、所定の角度回折された多次の回折光と0
次光ビームが重ね合わされたレーザービームを照射する
ことができ、ビームの露光プロファイルをエッジがシャ
ープな形状に形成することができる。
According to the present invention, the electro-optical element having a plurality of electrodes arranged in the optical path of the laser beam, disposed in at least a part of the spatial region through which the laser beam passes, and arranged along the optical path of the laser beam. And a voltage applying unit that selectively applies a voltage to the plurality of electrodes according to a gradation signal of image information, and a scanning unit that scans and exposes a laser beam that has passed through the electro-optical element onto a photoconductor. As described above, by applying a voltage to the electrode of the electro-optical element in a predetermined pattern by the voltage applying means, a phase grating utilizing a periodic change in the refractive index is formed in the electro-optical element. be able to. for that reason,
The laser beam incident on the electro-optical element is diffracted by the phase grating whose refractive index changes periodically, and the electro-optical element emits multi-order diffracted light and zero-order light beam. The multi-order diffracted light and the zero-order light beam are scanned and exposed on the photoconductor by the scanning means,
Multi-order diffracted light diffracted at a predetermined angle and 0
It is possible to irradiate a laser beam in which a subsequent light beam is superposed, and to form an exposure profile of the beam in a shape with a sharp edge.

【0021】また、電気光学素子の電極に印加する電圧
のパターンを、画像情報の階調信号に応じて変化させる
ことにより、露光プロファイルのスポット径を1ピクセ
ルごとに高速に変調して階調の安定性に優れた階調画像
の光書き込みを行なうことができる。
Further, by changing the pattern of the voltage applied to the electrodes of the electro-optical element according to the gradation signal of the image information, the spot diameter of the exposure profile is modulated at a high speed for each pixel to obtain the gradation. Optical writing of a gradation image having excellent stability can be performed.

【0022】[0022]

【実施例】以下にこの発明を図示の実施例に基づいて説
明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below based on the illustrated embodiments.

【0023】図1はこの発明に係る光書き込み装置の一
実施例を示すものである。
FIG. 1 shows an embodiment of the optical writing device according to the present invention.

【0024】図において、1はレーザー光源としての半
導体レーザーを示すものであり、この半導体レーザー1
としては、例えば、発光波長が780nm程度のものが
用いられる。この半導体レーザー1から出射されたレー
ザービームは、コリメータレンズ2によって平行光に変
換された後、シリンドリカルレンズ3によってビームの
副走査方向に集光される。この集光されたレーザービー
ムは、電気光学素子4の鏡面研磨された側面4aからあ
る角度を持って入射し、電気光学素子4内部の後述する
位相格子が形成される領域にあたる内面4bで最もビー
ム径が絞られ、この内面4bで全反射した後、やはり鏡
面研磨された他方の側面4cから出射されるようになっ
ている。
In the figure, reference numeral 1 denotes a semiconductor laser as a laser light source.
For example, those having an emission wavelength of about 780 nm are used. The laser beam emitted from the semiconductor laser 1 is converted into parallel light by the collimator lens 2 and then condensed by the cylindrical lens 3 in the sub-scanning direction of the beam. The condensed laser beam enters from the mirror-polished side surface 4a of the electro-optical element 4 at a certain angle, and is most beamed on the inner surface 4b in the electro-optical element 4 where the phase grating described later is formed. The diameter is reduced, and after being totally reflected by the inner surface 4b, the light is emitted from the other side surface 4c which is also mirror-polished.

【0025】上記電気光学素子4から出射されたレーザ
ービームは、集光レンズ5によって集光されて走査ミラ
ー6上に照射され、この走査ミラー6によって感光体ド
ラム9の回転軸方向に沿って走査露光される。その際、
レーザービームは、fθレンズ7及びシリンドリカルミ
ラー8からなるfθ結像光学系によって、感光体ドラム
9上で所定形状のスポットとして主走査および副走査方
向に集光され、感光体ドラム9上に走査露光され、感光
体ドラム9上には、画像情報に応じた光書き込みが行わ
れる。
The laser beam emitted from the electro-optical element 4 is condensed by the condenser lens 5 and irradiated on the scanning mirror 6, and the scanning mirror 6 scans the photosensitive drum 9 in the direction of the rotation axis. Exposed. that time,
The laser beam is focused as a spot of a predetermined shape on the photosensitive drum 9 in the main scanning direction and the sub-scanning direction by the fθ imaging optical system including the fθ lens 7 and the cylindrical mirror 8, and scanning exposure is performed on the photosensitive drum 9. Then, the optical writing according to the image information is performed on the photosensitive drum 9.

【0026】ところで、この実施例では、上記レーザー
ビームの光路中にあって、該レーザービームが通過する
空間領域の少なくとも一部に配置され、レーザービーム
の光路に沿って配列された複数の電極を有する電気光学
素子と、前記複数の電極に画像情報の階調信号に応じて
選択的に電圧を印加する電圧印加手段と、前記電気光学
素子を通過したレーザービームを、感光体上に走査露光
する走査手段とを備えるように構成されている。
By the way, in this embodiment, a plurality of electrodes disposed in the optical path of the laser beam are arranged in at least a part of the spatial region through which the laser beam passes, and are arranged along the optical path of the laser beam. An electro-optical element having the same, a voltage applying means for selectively applying a voltage to the plurality of electrodes according to a gradation signal of image information, and a laser beam that has passed through the electro-optical element are scanned and exposed on the photoconductor. And scanning means.

【0027】すなわち、上記シリンドリカルレンズ3と
集光レンズ5との間には、レーザービームの光路中にあ
って、レーザービームが通過する空間領域を全て含むよ
うに電気光学素子4が配置されている。この電気光学素
子4の材料としては、例えば、1次の電気光学効果(ポ
ッケルス効果)を有する結晶であるLiNbO3 の結晶
が用いられる。しかし、これ以外にも、電気光学素子4
の材料としては、1次の電気光学効果(ポッケルス効
果)を有するLiTaO3 、BaTiO3 、KH2 PO
4 (KHP)、KD2 PO4 (KDP)、ZnO等の結
晶が用いられる。
That is, the electro-optical element 4 is arranged between the cylindrical lens 3 and the condenser lens 5 in the optical path of the laser beam so as to include all the spatial regions through which the laser beam passes. .. As a material of the electro-optical element 4, for example, a crystal of LiNbO 3 which is a crystal having a first-order electro-optical effect (Pockels effect) is used. However, in addition to this, the electro-optical element 4
Examples of the material include LiTaO 3 , BaTiO 3 , and KH 2 PO having a first-order electro-optical effect (Pockels effect).
Crystals such as 4 (KHP), KD 2 PO 4 (KDP) and ZnO are used.

【0028】上記電気光学素子4を形成する結晶は、図
2に示すように、比較的薄い直方体状に形成されてい
る。そして、この電気光学素子4は、その長手方向がレ
ーザービームの光路と直交するように配置されている。
上記電気光学素子4には、上述したように、シリンドリ
カルレンズ5によって集光されたレーザービームが、鏡
面研磨された側面4aからある角度を持って入射され、
電気光学素子4内部の後述する位相格子が形成される領
域にあたる内面4bで最もビーム径が絞られ、この内面
bで全反射した後、やはり鏡面研磨された他方の側面c
から出射されるようになっている。
The crystal forming the electro-optical element 4 is formed in a relatively thin rectangular parallelepiped shape as shown in FIG. The electro-optical element 4 is arranged so that its longitudinal direction is orthogonal to the optical path of the laser beam.
As described above, the laser beam focused by the cylindrical lens 5 is incident on the electro-optical element 4 from the mirror-polished side surface 4a at an angle.
The beam diameter is most narrowed on an inner surface 4b, which is a region where a phase grating described later is formed, inside the electro-optical element 4, and after the inner surface b is totally reflected, the other side surface c is also mirror-polished.
Is emitted from.

【0029】上記電気光学素子4を形成する結晶の主面
方位は、図3に示すように、Y面であり、電気光学素子
4のY面に相当する下側の外面4b’上には、Z軸方向
に沿って電界を形成するための櫛形のアルミニウム電極
10、10…が複数形成されている。これらのアルミニ
ウム電極10、10…は、レーザービームの光路方向に
沿って形成されており、互いに所定の間隔をおいて平行
に配列されている。上記アルミニウム電極10、10…
は、例えば、幅が10μmで20μmのピッチで配列さ
れる。いま、入射するレーザービームの直径を約2.5
mmとすると、位相格子を形成する領域の幅をこれに合
わせるため、電極10、10…の総数は、128本に設
定される。
The principal plane orientation of the crystal forming the electro-optical element 4 is the Y plane, as shown in FIG. 3, and on the lower outer surface 4b 'corresponding to the Y plane of the electro-optical element 4, A plurality of comb-shaped aluminum electrodes 10, 10, ... For forming an electric field are formed along the Z-axis direction. These aluminum electrodes 10, 10, ... Are formed along the optical path direction of the laser beam, and are arranged in parallel with each other at a predetermined interval. The aluminum electrodes 10, 10 ...
Are arranged with a width of 10 μm and a pitch of 20 μm, for example. Now, the diameter of the incident laser beam is about 2.5
.. mm, the total number of electrodes 10, 10 ... Is set to 128 in order to match the width of the region forming the phase grating.

【0030】上記アルミニウム電極10、10…は、電
気光学素子4を形成するLiNbO3 基板上にアルミニ
ウム薄膜を一様な厚さに着膜した後、この着膜したアル
ミニウム薄膜をフォトリソグラフィ技術によりパターニ
ングし、エッチングすることによって作製される。この
作製されたアルミニウム電極10、10…は、個別に電
圧が印加できるように、図3に示すように、引き出し線
11、11…を介してそれぞれ独立に引き出されてい
る。これらの引き出し線11、11…は、熱圧着等の手
段によって図示しないFPC(Flexible Pr
inted Circuit)と接続されており、図示
しないFPCを介して電圧印加手段12に接続されてい
る。そして、上記各アルミニウム電極10、10…に
は、電圧印加手段12によって画像情報の階調信号に従
ったパターンの電圧が選択的に印加されるようになって
いる。
The aluminum electrodes 10, 10 ... Are formed by depositing an aluminum thin film to a uniform thickness on a LiNbO 3 substrate forming the electro-optical element 4, and then patterning the deposited aluminum thin film by photolithography. Then, it is manufactured by etching. The aluminum electrodes 10, 10 ... Produced as described above are independently drawn out via lead lines 11, 11 ... As shown in FIG. 3, so that a voltage can be applied individually. These lead wires 11, 11, ... Are connected to an FPC (Flexible Pr) (not shown) by means such as thermocompression bonding.
An integrated circuit) and is connected to the voltage applying means 12 via an FPC (not shown). A voltage of a pattern according to a gradation signal of image information is selectively applied to each of the aluminum electrodes 10, 10 ...

【0031】以上の構成において、この実施例に係る光
書き込み装置では、次のようにして感光体ドラムへの光
書き込みが行われる。すなわち、半導体レーザー1から
出射されたレーザービームは、図1に示すように、コリ
メータレンズ2によって平行光に変換された後、シリン
ドリカルレンズ3によってビーム副走査方向に集光され
る。この集光されたビームは、電気光学素子4中を通過
した後、集光レンズ5によって集光されて走査ミラー6
上に照射され、走査ミラー6によって感光体ドラム9の
回転軸方向に沿ってfθレンズ7及びシリンドリカルミ
ラー8からなるfθ結像光学系を介して走査露光され、
感光体ドラム9上には、画像情報に応じた光書き込みが
行われる。
With the above structure, the optical writing apparatus according to this embodiment performs optical writing on the photosensitive drum as follows. That is, as shown in FIG. 1, the laser beam emitted from the semiconductor laser 1 is converted into parallel light by the collimator lens 2 and then condensed by the cylindrical lens 3 in the beam sub-scanning direction. This condensed beam, after passing through the electro-optical element 4, is condensed by the condenser lens 5 to be scanned by the scanning mirror 6.
It is irradiated to the upper side, and is scanned and exposed by the scanning mirror 6 along the rotation axis direction of the photoconductor drum 9 through the fθ imaging optical system including the fθ lens 7 and the cylindrical mirror 8.
Optical writing according to image information is performed on the photosensitive drum 9.

【0032】その際、上記電気光学素子4には、図2に
示すように、結晶のX軸方向に沿ってレーザービームが
入射した後、このレーザービームは、アルミニウム電極
10、10…が形成されている結晶のX−Z軸平面と平
行な一方の表面の丁度内側の面4bで全反射する。この
電気光学素子4を形成する結晶に入射するビームの偏光
方向は、Z軸方向に平行になっている。
At this time, as shown in FIG. 2, after the laser beam is incident on the electro-optical element 4 along the X-axis direction of the crystal, aluminum electrodes 10, 10 ... Are formed on the laser beam. Total reflection is performed on the surface 4b, which is just inside one of the surfaces of the crystal that is parallel to the X-Z axis plane. The polarization direction of the beam incident on the crystal forming the electro-optical element 4 is parallel to the Z-axis direction.

【0033】以下に、電気光学素子4中におけるレーザ
ービームの挙動について述べる。電気光学素子4に入射
したレーザービームがその内面4bで全反射するための
角度条件は、LiNbO3 の屈折率(n=2.2)から
決められる。この場合、電気光学素子4の内部反射面4
bへの入射角θが、θ=sin-1(1/2.2)=27
deg以上であれば、光損失がなく全反射することにな
る。従って、電気光学素子4の内部反射面4bへの入射
角θは、27deg以上に設定される。
The behavior of the laser beam in the electro-optical element 4 will be described below. The angle condition for the laser beam incident on the electro-optical element 4 to be totally reflected on the inner surface 4b thereof is determined by the refractive index (n = 2.2) of LiNbO 3 . In this case, the internal reflection surface 4 of the electro-optical element 4
The incident angle θ on b is θ = sin −1 (1 / 2.2) = 27
If it is deg or more, there is no light loss and total reflection occurs. Therefore, the incident angle θ on the internal reflection surface 4b of the electro-optical element 4 is set to 27 deg or more.

【0034】上記電気光学素子4の下側外面4b’上に
形成されたアルミニウム電極10、10…には、電圧印
加手段12によってそれぞれに現在光書き込みを行って
いるピクセルの階調信号に対応したパターンの電圧が選
択的に印加される。
The aluminum electrodes 10, 10 ... Formed on the lower outer surface 4b 'of the electro-optical element 4 correspond to the gradation signals of the pixel currently being optically written by the voltage applying means 12, respectively. The voltage of the pattern is selectively applied.

【0035】いま、上記アルミニウム電極10、10…
に、図4に示すように、交互にプラス(+)、マイナス
(−)の電圧を印加すると、電気光学素子4には、アル
ミニウム電極10、10…の配列ピッチPと等しい間隔
で、Z方向に向かって電界Eが形成される。この電気光
学素子4の電界Eが形成された部分は、1次の電気光学
効果によってZ方向に沿って屈折率の変化を生じる。こ
の屈折率の変化は、電界のかからない電極面上には起こ
らず、電極間のみで起こるため、電界の形成された格子
のピッチに応じた周期で電界による屈折率変化の格子が
形成され、ここを通過するレーザービームにこの周期を
持った位相の変化を生じさせる。即ち、上記電気光学素
子4は、位相格子として作用する。
Now, the aluminum electrodes 10, 10 ...
As shown in FIG. 4, when positive (+) and negative (-) voltages are applied alternately, the electro-optical element 4 is arranged in the Z direction at an interval equal to the arrangement pitch P of the aluminum electrodes 10, 10 ,. An electric field E is formed toward. In the portion of the electro-optical element 4 where the electric field E is formed, the refractive index changes along the Z direction due to the first-order electro-optical effect. This change in the refractive index does not occur on the electrode surface where the electric field is not applied, but only between the electrodes, so that the grid of the refractive index change due to the electric field is formed at a cycle according to the pitch of the grid where the electric field is formed. A phase change having this period is generated in the laser beam passing through the. That is, the electro-optical element 4 acts as a phase grating.

【0036】そのため、この電気光学素子4を通過した
レーザービームには、回折が生じる。レーザービームが
電極10、10…に沿って平行に入射した場合は、ラマ
ン・ナス回折が生じ、レーザービームは、直進する0次
光の両側に、1次光、2次光、…m次光の回折光が発生
する。その際、光源として半導体レーザ1を用いた場合
には、多次光の殆どは1次光成分である。これらのm次
回折光の回折角θは、位相格子のピッチΛとの間に次の
ような関係がある。 sinθ=mλ/Λ(mは光の次数) (1)
Therefore, diffraction occurs in the laser beam that has passed through the electro-optical element 4. When the laser beam is incident in parallel along the electrodes 10, 10, ..., Raman-Nass diffraction occurs, and the laser beam goes on both sides of the 0th-order light that travels straight, the 1st-order light, the 2nd-order light ,. Diffracted light is generated. At that time, when the semiconductor laser 1 is used as the light source, most of the multi-order light is the primary light component. The diffraction angle θ of the m-th order diffracted light has the following relationship with the pitch Λ of the phase grating. sin θ = mλ / Λ (m is the order of light) (1)

【0037】ここで、λはレーザー光の波長である。
今、電極10、10…に印加する電圧パターンを図4の
ように+の電圧と0Vを交互に印加するように設定した
とすると、形成された位相格子のピッチΛは、電極1
0、10…のピッチ20μmと等しくなる。このときの
1次光の回折角θを求めてみると、 θ=sin-1(0.78/20) が得られる。さらに、電圧パターンを図5に示すように
隣接する2本の電極ずつ交互に+の電圧と0Vを加えた
場合、形成される位相格子のピッチΛは、電極ピッチの
2倍の40μmになる。このときの1次光の回折角θを
(1)式から同様に求めると、1.12degになる。
同じようにして、電極に印加する電圧パターンを制御
し、形成する位相格子のピッチを可変することができ
る。
Here, λ is the wavelength of the laser light.
Now, assuming that the voltage pattern applied to the electrodes 10, 10, ... Is set so that + voltage and 0 V are alternately applied as shown in FIG. 4, the pitch Λ of the formed phase grating is
The pitch of 0, 10 ... Is equal to 20 μm. When the diffraction angle θ of the primary light at this time is obtained, θ = sin −1 (0.78 / 20) is obtained. Further, as shown in FIG. 5, when a voltage of + and 0 V are applied alternately to every two adjacent electrodes, the pitch Λ of the formed phase grating is 40 μm, which is twice the electrode pitch. When the diffraction angle θ of the primary light at this time is similarly obtained from the equation (1), it is 1.12 deg.
Similarly, the voltage pattern applied to the electrodes can be controlled to change the pitch of the phase grating formed.

【0038】レーザービームが通過する領域全てに於い
て等しいピッチの位相格子を形成する場合、具体的に
は、電極ピッチ20μmを基本としてその整数倍のピッ
チを有する位相格子が作成可能であり、最大、電極総数
128本を3つの領域に分割してそれぞれの領域に+の
電圧と0Vを交互に割りつけた場合、ピッチ850μm
程度までの位相格子を得ることができる。
When forming a phase grating having the same pitch in all the regions through which the laser beam passes, specifically, a phase grating having an integer multiple of the electrode pitch can be prepared on the basis of an electrode pitch of 20 μm, and the maximum. , The total number of electrodes 128 is divided into three regions, and + voltage and 0V are alternately assigned to the respective regions, the pitch is 850 μm
Phase gratings up to the degree can be obtained.

【0039】この場合の1次光の回折角は、(1)式か
ら約0.0526degと求まる。本実施例において形
成可能な位相格子のピッチとそれによって得られる1次
光の回折角の関係を図6に示す。位相格子のピッチが8
50μm近辺で20μm程度変化した場合の回折角の変
化は、非常に微妙であり、例えば、ピッチ840μmで
回折角は0.0532deg、ピッチ860μmで回折
角は、0.0520degとなる。この回折角の違い
は、例えば、感光体ドラム9上に集光された0次光と1
次光のスポット位置の差としては、集光系の焦点距離に
よって異なるがだいたい数μm程度のオーダーとなる。
良好なコントラストを得るための矩形に近い露光プロフ
ァイルは、0次光と1次光の重なり方を同様に微妙に変
化させることによって得ることができる。
In this case, the diffraction angle of the first-order light is found to be about 0.0526 deg from the equation (1). FIG. 6 shows the relationship between the pitch of the phase grating that can be formed in this embodiment and the diffraction angle of the primary light obtained thereby. The phase grating pitch is 8
The change in the diffraction angle when changing by about 20 μm in the vicinity of 50 μm is very subtle. For example, the diffraction angle is 0.0532 deg at a pitch of 840 μm, and the diffraction angle is 0.0520 deg at a pitch of 860 μm. The difference between the diffraction angles is, for example, that the 0th-order light condensed on the photosensitive drum 9 and the 1st-order light
The difference in the spot position of the next light varies depending on the focal length of the condensing system, but is on the order of several μm.
An exposure profile close to a rectangle for obtaining good contrast can be obtained by subtly changing the overlapping manner of the 0th-order light and the 1st-order light.

【0040】以上のような方法で、1次光の回折角を電
極への入力電圧パターン、つまり位相格子のピッチを制
御することで、デジタル的に微妙に変化できることが明
らかである。
It is apparent that the diffraction angle of the primary light can be delicately changed digitally by controlling the input voltage pattern to the electrodes, that is, the pitch of the phase grating by the above method.

【0041】その結果、感光体ドラム9上において、0
次光と1次光の集光される位置は、図7(a)に模式的
に表したように、回折光の回折角θと集光光学系の焦点
距離によって決まる。このとき、回折角θが大きい程、
感光体ドラム9上では0次光と1次光のプロファイルが
離れた合成プロファイルが、矩形に近い形になるように
回折の度合いと回折角を調節する。また、階調信号に従
って図7(b)〜(e)に示すように0次光と1次光の
重なり方を制御し、合成された露光プロファイルのスポ
ット径を変えることができる。このとき、電子写真プロ
セスに対して安定した面積階調的な階調表現を得ること
ができる。
As a result, on the photosensitive drum 9, 0
The position at which the secondary light and the primary light are focused is determined by the diffraction angle θ of the diffracted light and the focal length of the focusing optical system, as schematically shown in FIG. 7A. At this time, the larger the diffraction angle θ,
On the photoconductor drum 9, the degree of diffraction and the diffraction angle are adjusted so that the combined profile in which the 0th-order light profile and the 1st-order light profile are separated becomes a shape close to a rectangle. Further, according to the gradation signal, as shown in FIGS. 7B to 7E, it is possible to control how the 0th-order light and the 1st-order light overlap with each other to change the spot diameter of the combined exposure profile. At this time, it is possible to obtain stable area gradation gradation expression for the electrophotographic process.

【0042】なお、前記実施例の電気光学素子4におい
ては、その外側面4b’上に電極10、10…を形成
し、位相格子として機能する領域の幅を、レーザビーム
径に合わせて2.5μm程度に定めている。従って、得
ることのできる格子ピッチの最大値は、全ての電極1
0、10…を3つの領域に分割した場合であって、全幅
のの1/3である850μm程度に制限されているが、
入射するビームをビームエクスパンダーなどで拡大して
使用する場合、それに合わせて電極の形成する領域の幅
を広げたデバイスを作成し、より大きなピッチの位相格
子を形成することもできる。こうした場合には、電気光
学素子4によるレーザービームの1次光の回折角を大幅
に小さくできる。
In the electro-optical element 4 of the above-mentioned embodiment, the electrodes 10, 10 ... Are formed on the outer side surface 4b ', and the width of the region functioning as a phase grating is set to 2. It is set to about 5 μm. Therefore, the maximum value of the grating pitch that can be obtained is for all electrodes 1
When 0, 10, ... Are divided into three regions, and are limited to about 850 μm, which is ⅓ of the total width.
When the incident beam is expanded and used by a beam expander or the like, it is also possible to form a device in which the width of the region formed by the electrode is widened to form a phase grating with a larger pitch. In such a case, the diffraction angle of the primary light of the laser beam by the electro-optical element 4 can be greatly reduced.

【0043】また、前記実施例では、電極10、10…
のピッチを20μmとしたが、これをさらに小さくする
ことにより、ピッチの制御に関する分解能を高め、回折
角のより微妙な制御を可能にすることもできる。
In the above embodiment, the electrodes 10, 10 ...
The pitch is set to 20 μm, but by further reducing the pitch, the resolution regarding pitch control can be increased, and more delicate control of the diffraction angle can be made possible.

【0044】第二実施例 図8はこの発明の第二実施例を示すものであり、前記実
施例と同一の部分には同一の符号を付して説明すると、
前記第一の実施例で説明した位相格子となる電気光学素
子4は、バルク状態のLiNbO3 単結晶中にビームを
入射し、電極面近傍における位相格子が形成されている
領域での全反射を利用して回折を起こさせるものがある
が、基本的に格子のピッチが可変できる位相格子によっ
て回折を起こすことが可能な電気光学素子の素材と構造
であればこれに限定されるものではない。
Second Embodiment FIG. 8 shows a second embodiment of the present invention. The same parts as those in the above embodiment are designated by the same reference numerals,
The electro-optical element 4 serving as the phase grating described in the first embodiment causes a beam to enter the bulk LiNbO 3 single crystal and causes total reflection in a region near the electrode surface where the phase grating is formed. There is a device that causes diffraction, but basically it is not limited to this as long as it is a material and structure of an electro-optical element that can cause diffraction by a phase grating whose grating pitch can be changed.

【0045】例えば、図8に示すように、LiTaO3
基板の上にLiTaO3 にNbを拡散して作った光導波
路20にビームを導き、光導波路上にフォトリソグラフ
ィ技術によってアルミニウム薄膜をパターニングして作
製した交差指電極10、10…に階調信号に従った電極
パターンで電圧を印加することにより、位相格子のピッ
チを制御し、所望の回折角を得て、0次光と1次光の合
成プロファイルのビーム径を変化させるように構成して
も良い。
For example, as shown in FIG. 8, LiTaO 3
A beam is guided to an optical waveguide 20 formed by diffusing Nb in LiTaO 3 on a substrate, and a grayscale signal is applied to the interdigital electrodes 10, 10 ... Produced by patterning an aluminum thin film on the optical waveguide by photolithography technology. By applying a voltage with a compliant electrode pattern, the pitch of the phase grating is controlled, a desired diffraction angle is obtained, and the beam diameter of the combined profile of 0th-order light and 1st-order light is changed. good.

【0046】その他の構成及び作用は前記第一の実施例
と同様であるので、その説明を省略する。
The other structure and operation are the same as those of the first embodiment, and therefore the description thereof is omitted.

【0047】[0047]

【発明の効果】この発明は、以上の構成及び作用よりな
るもので、良好なコントラストを有する潜像を得るため
のエッジがシャープな露光プロファイルを形成すること
ができるとともに、この露光プロファイルのスポット径
を1ピクセルごとに高速に変調して階調の安定性に優れ
た階調画像の光書き込みが可能な光書き込み装置を提供
することができる。
According to the present invention, which has the above-described structure and operation, it is possible to form an exposure profile having a sharp edge for obtaining a latent image having a good contrast, and a spot diameter of this exposure profile. It is possible to provide an optical writing device capable of optically writing a gradation image excellent in gradation stability by modulating each pixel at high speed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 図1はこの発明に係る光書き込み装置の一実
施例を示す構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of an optical writing device according to the present invention.

【図2】 図2は電気光学素子を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing an electro-optical element.

【図3】 図3は電気光学素子を示す裏面図である。FIG. 3 is a rear view showing the electro-optical element.

【図4】 図4は電気光学素子の作用を示す説明図であ
る。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing the operation of the electro-optical element.

【図5】 図5は電気光学素子の作用を示す説明図であ
る。
FIG. 5 is an explanatory view showing the operation of the electro-optical element.

【図6】 図6は電気光学素子に形成される位相格子の
ピッチと1次光の回折角との関係を示すグラフである。
FIG. 6 is a graph showing the relationship between the pitch of the phase grating formed in the electro-optical element and the diffraction angle of the primary light.

【図7】 図7(a)〜(e)は電気光学素子によって
回折されたレーザービームの照射状態をそれぞれ示す光
路説明図及び合成プロファイルの説明図である。
7 (a) to 7 (e) are an optical path explanatory diagram and an explanatory diagram of a combined profile showing an irradiation state of a laser beam diffracted by an electro-optical element, respectively.

【図8】 図8はこの発明に係る光書き込み装置の他の
実施例を示す電気光学素子の構成図である。
FIG. 8 is a configuration diagram of an electro-optical element showing another embodiment of the optical writing device according to the present invention.

【図9】 図9は従来の光書き込み装置を示す構成図で
ある。
FIG. 9 is a block diagram showing a conventional optical writing device.

【図10】 図10は露光プロファイルを示す説明図で
ある。
FIG. 10 is an explanatory diagram showing an exposure profile.

【図11】 図11は露光プロファイルを示す説明図で
ある。
FIG. 11 is an explanatory diagram showing an exposure profile.

【図12】 図12は従来の階調表現方法を示す説明図
である。
FIG. 12 is an explanatory diagram showing a conventional gradation expression method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体レーザー、2 コリメータレンズ、3 シリ
ンドリカルレンズ、4電気光学素子、5 集光レンズ、
6 走査ミラー、7 fθレンズ、8 シリンドリカル
ミラー、9 感光体ドラム、10 電極、12 電圧印
加手段。
1 semiconductor laser, 2 collimator lens, 3 cylindrical lens, 4 electro-optical element, 5 condenser lens,
6 scanning mirror, 7 fθ lens, 8 cylindrical mirror, 9 photosensitive drum, 10 electrodes, 12 voltage applying means.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G02F 1/03 503 H04N 1/04 104 A 7251−5C 1/23 103 B 9186−5C ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 5 Identification number Office reference number FI technical display location G02F 1/03 503 H04N 1/04 104 A 7251-5C 1/23 103 B 9186-5C

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 画像情報によってオン/オフ制御される
レーザービームを感光体上に走査露光し、当該感光体上
に画像情報に応じた静電潜像を形成するための光書き込
み装置において、上記レーザービームの光路中にあっ
て、該レーザービームが通過する空間領域の少なくとも
一部に配置され、レーザービームの光路に沿って配列さ
れた複数の電極を有する電気光学素子と、前記複数の電
極に画像情報の階調信号に応じて選択的に電圧を印加す
る電圧印加手段と、前記電気光学素子を通過したレーザ
ービームを、感光体上に走査露光する走査手段とを備え
たことを特徴とする光書き込み装置。
1. An optical writing device for scanning and exposing a laser beam on / off controlled by image information onto a photoconductor to form an electrostatic latent image according to the image information on the photoconductor. An electro-optical element having a plurality of electrodes arranged in at least a part of a space region through which the laser beam passes, in the optical path of the laser beam, and the plurality of electrodes. It is characterized by further comprising: a voltage applying means for selectively applying a voltage in accordance with a gradation signal of image information; and a scanning means for scanning and exposing a laser beam having passed through the electro-optical element onto a photoconductor. Optical writing device.
JP4125425A 1992-04-20 1992-04-20 Optical writing device Pending JPH05294004A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002303837A (en) * 2000-12-16 2002-10-18 Lissotschenko Vitalij Irradiation system generating modulated light beam

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