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JPH0528825B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0528825B2
JPH0528825B2 JP3167785A JP3167785A JPH0528825B2 JP H0528825 B2 JPH0528825 B2 JP H0528825B2 JP 3167785 A JP3167785 A JP 3167785A JP 3167785 A JP3167785 A JP 3167785A JP H0528825 B2 JPH0528825 B2 JP H0528825B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acid
photoinitiator
copper
binder
resist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP3167785A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS61194438A (en
Inventor
Arubaato Koberesukii Richaado
Ruuku Rii Shunnyan
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
EIDP Inc
Original Assignee
EI Du Pont de Nemours and Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by EI Du Pont de Nemours and Co filed Critical EI Du Pont de Nemours and Co
Publication of JPS61194438A publication Critical patent/JPS61194438A/en
Publication of JPH0528825B2 publication Critical patent/JPH0528825B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は光重合性レジスト物質に関する。より
特定的には銅表面に積層させることのできる水性
の処理可能(Processable)なレジスト組成物に
関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to photopolymerizable resist materials. More particularly, it relates to aqueous processable resist compositions that can be laminated to copper surfaces.

光重合性レジスト物質は米国特許第3469982号
明細書から既知であるが、これはカバーシートと
一時支持体の間にサンドイツチ化された光重合性
層の形のフイルムレジストの製造を記載してい
る。このフイルムレジストを次いで銅または銅積
層板に積層させ、そして露光および処理して以後
のエツチング用のレジストとして働く光重合性層
を与える。
Photopolymerizable resist materials are known from US Pat. No. 3,469,982, which describes the production of film resists in the form of a sandwiched photopolymerizable layer between a cover sheet and a temporary support. . This film resist is then laminated to a copper or copper laminate and exposed and processed to provide a photopolymerizable layer that serves as a resist for subsequent etching.

水性の処理可能な光重合性レジストはより低い
コストおよび環境安全性の観点から印刷回路産業
に対して有意な利点を与える、酸結合剤はその様
なレジスト装置においては重要な役割を演じてい
る、酸結合剤はドイツ特許第2123702米国特許第
4273857、同第3458311および英国特許第1507704
各号明細書に記載されている。
Aqueous processable photopolymerizable resists offer significant advantages to the printed circuit industry in terms of lower cost and environmental safety, and acid binders play an important role in such resist devices. , the acid binder is German Patent No. 2123702 and U.S. Patent No.
4273857, UK Patent No. 3458311 and UK Patent No. 1507704
It is stated in each specification.

フイルムレジストエレメントからの印刷回路板
の製造においては、エレメントの光感受性層を基
材板に積層させることが必要である。米国特許第
3547730号明細書は以後の現像、エツチングおよ
びメツキのフオトレジストの処理段階に耐えるに
充分なだけの基材への接着を積層させた層が達成
する様な積層法を開示している。レジスト使用に
関する問題の一つは接着性である。米国特許第
3622334号明細書は複素環窒素含有化合物例えば
ベンズイミダゾールを重合性組成物に加えて水性
めつき溶液中で使用される光重合体レジストフイ
ルムの接着を改善させることを記載している。こ
の技術は有機溶媒で除去されるレジストに対して
は有利ではあるけれども、特に積層と現像の間に
数日が経過した場合には、水性の処理可能な酸結
合剤レジスト組成物を積層させた銅表面上ではス
テイン(Stain)およびスカム(Scum)形成を来
たすものである。
In the manufacture of printed circuit boards from film resist elements, it is necessary to laminate the photosensitive layer of the element to a substrate board. US Patent No.
No. 3,547,730 discloses a lamination process in which the laminated layers achieve sufficient adhesion to the substrate to withstand subsequent photoresist processing steps of development, etching, and plating. One of the problems with resist use is adhesion. US Patent No.
No. 3,622,334 describes the addition of heterocyclic nitrogen-containing compounds such as benzimidazole to polymerizable compositions to improve the adhesion of photopolymer resist films used in aqueous plating solutions. Although this technique is advantageous for resists that are removed with organic solvents, it may be useful to deposit aqueous processable acid binder resist compositions, especially if several days elapse between deposition and development. It causes stain and scum formation on copper surfaces.

本発明によれば、銅の基材と、処理可能な光重
合性レジスト組成物とから成るものであつて、こ
の光重合性レジスト組成物は光重合性エチレン性
不飽和単量体、光開始剤または光開始剤系および
100以上の酸価を有する結合剤より成るものであ
り、そして300を越えない分子量、20℃で100gの
水中に少くともその0.01gが溶解する溶解度およ
び1×10-5〜5×10-2の範囲の解離定数を有する
酸をこの組成物中に配合することを改良点とする
上記した処理可能な重合性レジスト組成物を積層
した銅基材からなる改善されたエレメントが提案
される。この酸は銅表面上でのステインまたはス
カム形成を阻止させるに充分な量で存在させる。
According to the present invention, the photopolymerizable resist composition comprises a copper substrate and a processable photopolymerizable resist composition, the photopolymerizable resist composition comprising a photopolymerizable ethylenically unsaturated monomer, a photoinitiated agent or photoinitiator system and
consisting of a binder having an acid value of 100 or more, and a molecular weight not exceeding 300, a solubility of at least 0.01 g in 100 g of water at 20°C, and a solubility of 1 x 10 -5 to 5 x 10 -2 An improved element comprising a copper substrate laminated with the processable polymerizable resist composition described above is proposed, the improvement being the incorporation into the composition of an acid having a dissociation constant in the range of . The acid is present in an amount sufficient to prevent stain or scum formation on the copper surface.

光重合性エチレン性不飽和単量体、光開始剤ま
たは開始剤系および100以上の酸価を有する結合
剤を含有する在来の水性の処理可能な光重合性レ
ジスト組成物についての第一義的に結合剤による
望ましくない結果は組成物を積層させた銅表面上
に起る望ましくないスカムまたはステインの形成
である。レジストが数時間以上の間銅に接触残留
していた場合には許容しうる結果は得られない。
積層したレジストを速やかに処理することによつ
て問題を最小化させることは可能であるけれど、
多数の積層板を単一の処理機械で処理しなくては
ならない場合にはこのやり方は実際的解決とはな
らない。積層されたレジストに対して1つ以上の
処理の段階が要求されているような場合には、現
像を遅延させなくてはならない。
First definition for conventional aqueous processable photopolymerizable resist compositions containing a photopolymerizable ethylenically unsaturated monomer, a photoinitiator or initiator system, and a binder having an acid number greater than or equal to 100. A particularly undesirable result of the binder is the formation of an undesirable scum or stain on the copper surface to which the composition is laminated. If the resist remains in contact with the copper for more than a few hours, acceptable results will not be obtained.
Although it is possible to minimize the problem by quickly processing the laminated resist,
This is not a practical solution if a large number of laminates must be processed in a single processing machine. In such cases, where more than one processing step is required for the stacked resist, development must be delayed.

種々の結合剤成分を使用したレジストの積層お
よび除去テストにおいては、使用された銅表面上
に明るいタン色のステインが観察された。最も顕
著なステインは高い酸価例えば少くとも100の酸
価、そしてより一般には少くとも200の酸価を有
する低分子量(約6000)結合剤を使用した場合に
生ずる。一週間またはそれ以上の間レジスト処方
を銅表面に積層させた試料について更にテストを
実施した場合には、そのレジストをアルカリ性溶
液で溶解除去した後にも、銅表面は不規則な残留
被覆をとどめていた。
In resist lay-up and removal tests using various binder components, a light tan stain was observed on the copper surfaces used. The most significant stains occur when low molecular weight (approximately 6000) binders with high acid numbers, such as at least 100, and more commonly at least 200, are used. Further testing on samples in which the resist formulation was deposited on a copper surface for a week or more revealed that the copper surface remained coated with irregular residual coverage after the resist was dissolved away with an alkaline solution. Ta.

本発明によれば、300を越えない分子量であつ
ても、20℃で100gの水中少なくともその0.01g
が溶解する溶解度および1×10-5〜5×10-2の範
囲の解離定数を有する酸の添加がスカムまたはス
テイン形成を減少または最小化させるのである。
一般にこの酸は250以上ではない分子量を有する
ものである。この酸は光重合性レジスト組成物
(通常はフイルムとして存在するものである)中
に、スカムまたはステイン形成への耐性を改善す
るのに充分な量で導入するものである。0.01〜
1.0重量%の酸(光重合性組成物のその他の成分
の重量、即ち光重合性単量体、光開始剤または開
始剤系および結合剤の重量に基づいて)の添加は
満足すべきものである。認められるようなスカム
またはステイン形成への耐性を得るための好まし
い範囲は0.1〜0.5%である。しかしながらより高
い酸濃度をも使用しうる。酸は光重合性組成物の
接着を認められる程に妨害するべきものではない
という限度以外には、酸の量の上限は臨界的では
ない。この酸は好ましくはカルボン酸である。
According to the invention, at least 0.01 g of at least 0.01 g in 100 g at 20° C., even if the molecular weight does not exceed 300.
The addition of an acid having a solubility of 1×10 −5 to 5×10 −2 and a dissociation constant in the range of 1×10 −5 to 5×10 −2 reduces or minimizes scum or stain formation.
Generally, the acid will have a molecular weight of no more than 250. The acid is incorporated into the photopolymerizable resist composition (usually present as a film) in an amount sufficient to improve resistance to scum or stain formation. 0.01〜
Addition of 1.0% by weight of acid (based on the weight of the other components of the photopolymerizable composition, i.e. photopolymerizable monomer, photoinitiator or initiator system and binder) is satisfactory. . The preferred range is 0.1-0.5% to provide resistance to appreciable scum or stain formation. However, higher acid concentrations can also be used. The upper limit on the amount of acid is not critical, other than that the acid should not appreciably interfere with the adhesion of the photopolymerizable composition. This acid is preferably a carboxylic acid.

本発明の酸の示す望ましい性質は水溶性である
ことおよび容易にプロントを放出することであ
る。1×10-5以下の解離定数を有する弱有機酸は
除外される。本発明により与えられるステインお
よびスカム生成からの防護はこれらの酸が銅表面
に拡散して、結合剤上の酸基が銅表面に結合され
た状態になる前に保護コーテイングを生成するこ
との能力によると信じられる。この結果は強すぎ
てはならない。そうでないと酸はレジストの水性
によつて除去されないことになる。この望ましく
ない効果は銅表面と強い結合を形成させる蓚酸
(解離定数5.4×10-2)の場合に生ずる。
Desirable properties of the acids of this invention are that they are water soluble and readily release pronto. Weak organic acids with dissociation constants below 1×10 −5 are excluded. The protection from stain and scum formation provided by the present invention is due to the ability of these acids to diffuse to the copper surface and create a protective coating before the acid groups on the binder become bound to the copper surface. It is believed that. This result should not be too strong. Otherwise, the acid will not be removed by the aqueous nature of the resist. This undesirable effect occurs in the case of oxalic acid (dissociation constant 5.4×10 −2 ), which forms strong bonds with the copper surface.

本発明の実施に特に有用であることの見出され
ている酸はクエン酸、マロン酸、リンゴ酸、およ
びマレイン酸である。またセバシン酸、安息香
酸、クロロコハク酸、ピメリン酸、アゼライン
酸、アジピン酸、グルタル酸、フタル酸およびコ
ハク酸もまた有用であることが見出されている。
Acids that have been found to be particularly useful in the practice of this invention are citric acid, malonic acid, malic acid, and maleic acid. Also found to be useful are sebacic acid, benzoic acid, chlorosuccinic acid, pimelic acid, azelaic acid, adipic acid, glutaric acid, phthalic acid and succinic acid.

この水性の処理可能なレジスト組成物は銅基材
に直接通用することが要求される。本文において
は、「直接」とは、比較しうるレジスト組成物即
ち酸を存在させていない組成物の銅基材のステイ
ン形成を阻止させうる様なタイプの中間層を存在
させていないということを意味している。例えば
銅とレジスト組成物の中間の少量の接着剤は許容
され得る。一般に介在物質は存在させず、そして
レジスト組成物を銅基材に接触させる。
This aqueous processable resist composition is required to be compatible directly with copper substrates. In this text, "direct" refers to the absence of the type of interlayer that would inhibit stain formation on the copper substrate of comparable resist compositions, i.e., compositions without the presence of acid. It means. For example, a small amount of adhesive between the copper and the resist composition may be acceptable. Generally no intervening material is present and the resist composition is contacted with the copper substrate.

どの理論にも拘束されるものではないが、水性
の光重合性組成物中への本発明の酸の添加は銅基
材へのコーテイング接着性の上昇の効果とは異つ
た役割を果たすのもと考えられる。米国特許第
3622334号明細書は光重合性レジストの基材への
接着性の上昇のための化合物例えばベンゾトリア
ゾールおよび5−クロロベンゾトリアゾールを開
示している。
Without wishing to be bound by any theory, it is believed that the addition of the acids of the present invention into aqueous photopolymerizable compositions may play a role distinct from the effect of increasing coating adhesion to copper substrates. it is conceivable that. US Patent No.
No. 3,622,334 discloses compounds such as benzotriazole and 5-chlorobenzotriazole for increasing the adhesion of photopolymerizable resists to substrates.

キレート剤(Chelator)例えばベンゾトリアゾ
ールは銅表面に強く結合することができる。G.
W.ポリングによるCorros.Sci.、10(5)、359、
(1970)に報告されているX線回析および電気機
械的研究はベンゾトリアゾールが表面上で銅イオ
ンと化学的コンプレツクス形成することにより機
能して、高度に非透過性の物理的障壁層を生成さ
せることを示している。最初は、高い酸価の結合
剤を含有するレジスト処方中へのベンゾトリアゾ
ールの添加は銅の上のステインおよびスカム形成
阻止の方法であると信じられた。結果は、ベンゾ
トリアゾールおよび5−クロロベンゾトリアゾー
ルは、いくらかの改善を与えることはできるが、
しかし200の酸価を有する結合剤を使用して2週
間の時間をかけた試料に関しては、完全に満足す
べき結果は得られないということを示した。銅回
路板に4週間積層保持させたこの同一処方の試料
レジストは前記に観察されたものよりも高度の沈
着物を銅上に残留させ、即ち、表面相互作用は遅
いがしかし連続的な反応であつことを示した。
100以下の酸価の結合剤と共にベンゾトリアゾー
ルおよび5−クロロベンゾトリアゾールを示す使
用した場合には優れた結果を得ることができるけ
れども、この技術ははるかにより大なる酸性の結
合剤を使用したテストにおいては不合格であつ
た。
Chelators such as benzotriazole can bind strongly to copper surfaces. G.
Corros.Sci. by W. Polling, 10 (5), 359,
(1970), X-ray diffraction and electromechanical studies have shown that benzotriazole functions by forming a chemical complex with copper ions on the surface, creating a highly impermeable physical barrier layer. This indicates that it will be generated. Initially, it was believed that the addition of benzotriazole into resist formulations containing high acid value binders was a method of inhibiting stain and scum formation on copper. The results show that benzotriazole and 5-chlorobenzotriazole can provide some improvement, but
However, it was shown that a sample with a binder having an acid number of 200 and a time period of two weeks did not give completely satisfactory results. A sample resist of this same formulation left in laminate to a copper circuit board for 4 weeks left a higher degree of deposits on the copper than observed previously, i.e. surface interactions were slow but continuous. It showed that it was hot.
Although excellent results can be obtained when using benzotriazole and 5-chlorobenzotriazole with binders with acid numbers below 100, this technique has been tested with binders of much greater acidity. was unsuccessful.

ステインおよびスカムは、それらをエツチング
剤によつて除去することができない場合またはそ
れらがエツチング剤による攻撃を受けない場合に
は、エツチングを阻害しうる表面残留物となる。
浸漬および/またはクリーニング段階をエツチン
グの前のステインまたはスカム除去のために使用
することもできるが、これは高い酸性の結合剤に
使用する関連するより速やかなまたはより低温で
の処理の利点を無効にしてしまう。
Stain and scum become surface residues that can inhibit etching if they cannot be removed by the etching agent or if they are not attacked by the etching agent.
Soaking and/or cleaning steps can also be used for stain or scum removal prior to etching, but this negates the benefits of faster or lower temperature processing associated with highly acidic binders. I end up making it.

テスト処方のエツチング時間を同一条件下の新
たにスクラビングした比較試験片のエツチングに
要する時間と比較することによつて、エツチング
に及ぼす表面ステインまたはスカム残留物の影響
に対する大ざつぱな考えを得ることが可能であ
る。しかしこれはこれら残留物に対する敏感な試
験ではなかつた。そしてより敏感な試験が開発さ
れた。
By comparing the etching time of the test formulation to the time required to etch a freshly scrubbed control specimen under the same conditions, a rough idea of the effect of surface stain or scum residue on etching can be obtained. It is possible. However, this was not a sensitive test to these residues. And more sensitive tests have been developed.

接触角試験(contact angle test)は残留物量
を決定する。それは銅パネル上の水または水溶液
に対する平衡接触角がエツチング剤デイツプ時間
と共にどの様に変化するかを測定することを包含
する。接触角は、常に10°以下の接触角を与える
新たにスクラビングされ、そしてエツチングされ
たパネルに比べ、どのくらい銅パネルが清浄かを
示す敏感な尺度である。比較としては、積層およ
び現像されたパネル上では、接触角は約60°〜70°
であり、これは残留物の存在を示す。10°以下の
角度を得さしめるためのエツチング剤中の浸漬時
間の長さは次いで残留物の程度の定量的尺度を表
わす、一定の結果のためには、エツチング剤の温
度、攪拌、エツチング剤から除去と水洗の間の時
間および測定に対する注意深い制御が実施されな
くてはならない。銅表面への空気酸化の効果の故
に測定はエツチングと清浄の5分以内に実施され
るべきである。水は使用するに最も便利な湿潤剤
であるけれども、このテスト感度は2%エチルセ
ルソルブ水溶液の使用により上昇させることがで
きる。
A contact angle test determines the amount of residue. It involves measuring how the equilibrium contact angle for water or an aqueous solution on a copper panel changes with etchant dip time. Contact angle is a sensitive measure of how clean a copper panel is compared to a freshly scrubbed and etched panel, which consistently gives a contact angle of 10 degrees or less. For comparison, on laminated and developed panels, the contact angle is approximately 60° to 70°
, which indicates the presence of residue. The length of immersion time in the etching agent to obtain an angle of less than 10° then represents a quantitative measure of the extent of the residue; for certain results, the temperature of the etching agent, the agitation, the etching agent Careful control over the time and measurements between removal and washing must be implemented. Because of the effect of air oxidation on the copper surface, measurements should be performed within 5 minutes of etching and cleaning. Although water is the most convenient wetting agent to use, the sensitivity of this test can be increased by the use of a 2% ethyl cellosolve solution in water.

光重合性レジスト組成物は重合体成分(結合
剤)、単量体成分、開始剤および場合により重合
防止剤から調製される。
Photopolymerizable resist compositions are prepared from a polymer component (binder), a monomer component, an initiator, and optionally a polymerization inhibitor.

単独結合剤としてまたは他のものとの組合せで
使用することのできる適当な結合剤としては以下
のもの、即ちポリアクリレートおよびα−アルキ
ルポリアクリレートエステル例えばポリメチルメ
タアクリレートおよびポリエチルメタアクリレー
ト、ポリビニルエステル例えばポリビニルアセテ
ート、ポリビニルアセテート/アクリレート、ポ
リビニルアセテート/メタアクリレートおよび加
水分解したポリビニルアセテート、エチレン/ビ
ニルアセテート共重合体、ポリスチレン重合体お
よびこれと例えば無水マレイン酸およびそのエス
テルとの共重合体、ビニリデンクロリド共重合体
例えばビニリデンクロリド/アクリロニトリル、
ビニリデンクロリド/メタアクリレートおよびビ
ニリデンクロリド/ビニルアセテート共重合体、
ポリ塩化ビニルおよび共重合体例えばポリ塩化ビ
ニル/ビニルアセテート、飽和および不飽和ポリ
ウレタン、合成ゴム例えばブタジエン/アクリロ
ニトリル、アクリロニトリル/ブタジエン/スチ
レン、メタアクリレート/アクリロニトリル/ブ
タジエン/スチレン共重合体、2−クロロブタジ
エン1,3重合体、塩素化ゴムおよびスチレン/
ブタジエン/スチレン、スチレン/イソプレン/
スチレンブロツク共重合体、約4000〜1000000の
平均分子量を有する高分子量ポリグリコールポリ
エチレンオキサイド、エポキサイド、例えばアク
リレートまたはメタアクリレート基含有のエポキ
サイド、共ポリエステル、例えば式HO(CH2o
OH(式中nは2〜10の整数である)ポリメチル
グリコールと(1)ヘキサヒドロテレフタン酸、セバ
シン酸、およびテレフタル酸、(2)テレフタル酸、
イソフタル酸およびセバシン酸、(3)テレフタル酸
およびセバシン酸、(4)テレフタル酸およびイソフ
タル酸、との反応生成物から製造されたものおよ
び(5)前記グリコールと()テレフタル酸、イソ
フタル酸およびセバシン酸および()テレフタ
ル酸、イソフタル酸、セバシン酸およびアジピン
酸から製造された共ポリエステルの混合物、ナイ
ロンまたはポリアミド例えばN−メトキシメチル
ポリヘキサメチレンアジパミド、セルロースエス
テル例えばセルロースアセテート、セルロースア
セテートサクシネートおよびセルロースアセテー
トブチレート、セルロースエーテル例えばメチル
セルロース、エチルセルロースおよびベンジルセ
ルロース、ポリカーボネート、ポリビニルアセタ
ール、例えばポリビニルブチラール、ポリビニル
ホルマール、ポリホルムアルデヒドがあげられ
る。
Suitable binders which can be used as sole binders or in combination with others include polyacrylates and alpha-alkyl polyacrylate esters such as polymethyl methacrylate and polyethyl methacrylate, polyvinyl esters. For example, polyvinyl acetate, polyvinyl acetate/acrylate, polyvinyl acetate/methacrylate and hydrolyzed polyvinyl acetate, ethylene/vinyl acetate copolymers, polystyrene polymers and their copolymers with e.g. maleic anhydride and its esters, vinylidene chloride. Copolymers such as vinylidene chloride/acrylonitrile,
vinylidene chloride/methacrylate and vinylidene chloride/vinyl acetate copolymers,
Polyvinyl chloride and copolymers such as polyvinyl chloride/vinyl acetate, saturated and unsaturated polyurethanes, synthetic rubbers such as butadiene/acrylonitrile, acrylonitrile/butadiene/styrene, methacrylate/acrylonitrile/butadiene/styrene copolymers, 2-chlorobutadiene 1,3 polymer, chlorinated rubber and styrene/
Butadiene/styrene, styrene/isoprene/
Styrene block copolymers, high molecular weight polyglycol polyethylene oxides with an average molecular weight of approximately 4,000 to 1,000,000, epoxides such as those containing acrylate or methacrylate groups, copolyesters such as those of the formula HO(CH 2 ) o
OH (where n is an integer from 2 to 10) polymethyl glycol and (1) hexahydroterephthanic acid, sebacic acid, and terephthalic acid, (2) terephthalic acid,
(3) terephthalic acid and sebacic acid; (4) terephthalic acid and isophthalic acid; Acids and () mixtures of copolyesters made from terephthalic acid, isophthalic acid, sebacic acid and adipic acid, nylons or polyamides such as N-methoxymethyl polyhexamethylene adipamide, cellulose esters such as cellulose acetate, cellulose acetate succinate and Mention may be made of cellulose acetate butyrate, cellulose ethers such as methylcellulose, ethylcellulose and benzylcellulose, polycarbonates, polyvinyl acetals such as polyvinyl butyral, polyvinyl formal, polyformaldehyde.

好ましくは結合剤は、水性の現像液中でこの組
成物を処理可能なものとするに充分な酸性のまた
はその他の基を含有しているべきである。有用な
水性の処理可能な結合剤としては米国特許第
1507704号明細書開示のものがあげられる。有用
な両性重合体としては、N−アルキルアクリルア
ミドまたはメタアクリルアミド、酸性フイルム形
成性共単量体およびアルキルまたはヒドロキシア
ルキルアクリレートから誘導されるインター重合
体例えば米国特許第3927199号明細書に開示のも
のがあげられる。
Preferably, the binder should contain sufficient acidic or other groups to render the composition processable in aqueous developer solutions. Useful aqueous processable binders include U.S. Pat.
Examples include those disclosed in specification No. 1507704. Useful amphoteric polymers include interpolymers derived from N-alkylacrylamides or methacrylamides, acidic film-forming comonomers, and alkyl or hydroxyalkyl acrylates, such as those disclosed in U.S. Pat. No. 3,927,199. can give.

単独単量体として、または他との組合せにおい
て使用しうる適当な単量体としては以下のもの、
即ちt−ブチルアクリレート、1,5−ペンタジ
オールジアクリレート、N,N−ジエチルアミノ
エチルアクリレート、エチレングリコールジアク
リレート、1,4−ブタンジオールジアクリレー
ト、ジエチレングリコールジアクリレート、ヘキ
サメチレングリコールジアクリレート、1,3−
プロパンジオールジアクリレート、デカメチレン
グリコールジアクリレート、デカトチレングリコ
ールジアクリレート、1,4−シクロヘキサンジ
オールジアクリレート、2,2−ジメチロールプ
ロパンジアクリレート、グリセロールジアクリレ
ート、トリプロピレングリコールジアクリレー
ト、グリセロールトリアクリレート、トリメチロ
ールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリ
トールトリアクリレート、ポリオキシエチル化ト
リメチルロールプロパントリアクリレート、およ
びトリメタアクリレート、および米国特許第
3380831号明細書に開示の同様の化合物、2,2
−ジ(p−ヒドロキシフエニル)−プロパンジア
クリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリ
レート、2,2−ジ−(p−ヒドロキシフエニル)
−プロパンジメタアクリレート、トリエチレング
リコールジアクリレート、ポリオキシエチル−
2,2−ジ−(p−ヒドロキシフエニル)−プロパ
ンジメタアクリレート、ビスフエノール−Aのジ
−(3−メタアクリルオキシ−2−ヒドロキシプ
ロピル)エーテル、ビスフエノール−Aのジ−
(2−メタアクリルオキシエチル)エーテル、ビ
スフエノール−Aのジ−(3−メタアクリルオキ
シ−2−ヒドロキシプロピル)エーテル、ビスフ
エノール−Aのジ−(2−アクリルオキシエチル)
エーテル、テトラクロロビスフエノール−Aのジ
−(3−メタアクリルオキシ−2−ヒドロキシプ
ロピル)エーテル、テトラクロロ−ビスフエノー
ル−Aのジ−(2−メタアクリルオキシエチル)
エーテル、テトラブロモビスフエノール−Aのジ
−(3−タアクリルオキシ−2−ヒドロキシプロ
ピル)エーテル、テトラブロモビスフエノール−
Aのジ−(2−メタアクリルオキシエチル)エー
テル、1,4−ブタンジオールのジ−(3−メタ
アクリルオキシ−2−ヒドロキシプロピル)エー
テル、ジフエノール酸のジ−(3−メタアクリル
オキシ−2−ヒドロキシプロピル)エーテル、ト
リエチルグリコールジメタアクリレート、ポリオ
キシプロピルトリメチロールプロパントリアクリ
レート(462)、エチレングリコールジメタアクリ
レート、ブチレングリコールジメタアクリレー
ト、1,3−プロパンジオールジメタアクリレー
ト、1,2,4−ブタントリオールトリメタアク
リレート、2,2,4−トリメチル−1,3−ペ
ンタンジオールジメタアクリレート、ペンタエリ
スリトールトリメタアクリレート、1−フエニル
エチレン−1,2−ジメタアクリレート、ペンタ
エリスリトールテトラメタアクリレート、トリメ
チロールプロパントリアクリレート、1,5−ペ
ンタンジオールジメタアクリレート、ジアリルフ
マレート、スチレン、1,4−ベンゼンジオール
ジメタアクリレート、1,4−ジイソプロペニル
ベンゼンおよび1,3,5−トリイソプロペニル
ベンゼンがあげられる。
Suitable monomers that may be used as sole monomers or in combination with others include:
Namely, t-butyl acrylate, 1,5-pentadiol diacrylate, N,N-diethylaminoethyl acrylate, ethylene glycol diacrylate, 1,4-butanediol diacrylate, diethylene glycol diacrylate, hexamethylene glycol diacrylate, 1,3 −
Propanediol diacrylate, decamethylene glycol diacrylate, decatotylene glycol diacrylate, 1,4-cyclohexanediol diacrylate, 2,2-dimethylolpropane diacrylate, glycerol diacrylate, tripropylene glycol diacrylate, glycerol triacrylate , trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, polyoxyethylated trimethylolpropane triacrylate, and trimethacrylate, and U.S. Pat.
Similar compounds disclosed in No. 3380831, 2,2
-di(p-hydroxyphenyl)-propane diacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, 2,2-di-(p-hydroxyphenyl)
-Propane dimethacrylate, triethylene glycol diacrylate, polyoxyethyl-
2,2-di-(p-hydroxyphenyl)-propane dimethacrylate, di-(3-methacryloxy-2-hydroxypropyl) ether of bisphenol-A, di-
(2-methacryloxyethyl) ether, di-(3-methacryloxy-2-hydroxypropyl) ether of bisphenol-A, di-(2-acryloxyethyl) of bisphenol-A
Ether, di-(3-methacryloxy-2-hydroxypropyl) ether of tetrachlorobisphenol-A, di-(2-methacryloxyethyl) of tetrachloro-bisphenol-A
Ether, di-(3-taacryloxy-2-hydroxypropyl)ether of tetrabromobisphenol-A, tetrabromobisphenol-A
Di-(2-methacryloxyethyl) ether of A, di-(3-methacryloxy-2-hydroxypropyl) ether of 1,4-butanediol, di-(3-methacryloxy-2-hydroxypropyl) ether of diphenolic acid -Hydroxypropyl) ether, triethyl glycol dimethacrylate, polyoxypropyltrimethylolpropane triacrylate (462), ethylene glycol dimethacrylate, butylene glycol dimethacrylate, 1,3-propanediol dimethacrylate, 1,2, 4-butanetriol trimethacrylate, 2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol dimethacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, 1-phenylethylene-1,2-dimethacrylate, pentaerythritol tetramethacrylate acrylate, trimethylolpropane triacrylate, 1,5-pentanediol dimethacrylate, diallyl fumarate, styrene, 1,4-benzenediol dimethacrylate, 1,4-diisopropenylbenzene and 1,3,5-tri Examples include isopropenylbenzene.

前記エチレン性不飽和単量体の他にこの層はま
た少くとも300の分子量を有する次のフリーラジ
カルで開始された連鎖延長付加重合可能なエチレ
ン不飽和化合物の少くとも一つを含有しうる。こ
のタイプの好まし単量体は2〜15個のアルキレン
グリコールまたは1〜10のエーテル結合のポリア
ルキレンエーテルグリコールから製造されたアル
キレンまたはポリアルキレングリコールジアクリ
レートおよび米国特許第2927022号明細書に開示
のもの例えば特に末端結合として存在している場
合の複数の付加重合性エチレン結合を有するもの
である。特に好ましいものはその様な少くとも一
つが、そして好ましくはそのほどんどが炭素−炭
素二重結合および炭素と複素原子例えば窒素、酸
素および硫黄との二重結合を含む粗二重結合炭素
と共役しているものである。顕著なものはエチレ
ン性不飽和基特にビニリデン基がエステルまたは
アミド構造と共役しているものである。
In addition to the ethylenically unsaturated monomers, this layer may also contain at least one of the following free radical-initiated chain-extending addition polymerizable ethylenically unsaturated compounds having a molecular weight of at least 300: Preferred monomers of this type are alkylene or polyalkylene glycol diacrylates prepared from 2 to 15 alkylene glycols or polyalkylene ether glycols of 1 to 10 ether linkages and as disclosed in U.S. Pat. No. 2,927,022. For example, those having a plurality of addition-polymerizable ethylene bonds, especially when present as terminal bonds. Particularly preferred are those in which at least one, and preferably most, of such carbons are conjugated with coarse double-bonded carbons, including carbon-carbon double bonds and double bonds between carbon and heteroatoms such as nitrogen, oxygen and sulfur. This is what we are doing. Notable are those in which ethylenically unsaturated groups, especially vinylidene groups, are conjugated with ester or amide structures.

活性光線により活性化可能な、そして185℃お
よびそれ以下では熱的に不活性な好ましいフリー
ラジカル生成付加重合開始剤としては、共役炭素
環系中に2個の環内炭素を有する化合物である置
換または無置換の多核キノン例えば9,10−アン
トラキノン、1−クロロアントラキノン、2−ク
ロロアントラキノン、2−メチルアントラキノ
ン、2−エチルアントラキノン、2−第三ブチル
アントラキノン、オクタメチルアントラキノン、
1,4−ナフトキノン、9,10−フエナントレン
キノン、1,2−ベンズアントラキノン、2,3
−ベンズアントラキノン、2−メチル−1,4−
ナフトキノン、2,3−ジクロロナフトキノン、
1,4−ジメチルアントラキノン、2,3−ジメ
チルアントラキノン、2−フエニルアントラキノ
ン、2,3−ジフエニルアントラキノン、アント
ラキノンα−スルホン酸のナトリウム塩、3−ク
ロロ−2−メチル−アントラキノン、レテンキノ
ン、7,8,9,10−テトラヒドロナフタセンキ
ノン、1,2,3,4−テトラヒドロナフタセン
キノンおよび1,2,3,4−テトラヒドロベン
ズ(a)アントラセン−7,12−ジオンがあげられ
る。それらのあるものは85℃の低い温度でも熱的
に活性でありうるにしてもこれまた有用なその他
の光開始剤が米国特許第2760863号明細書に記載
されており、これらとしてはビシナルケトアルド
ニルアルコール例えばベンゾイン、ピバロイン、
アシロインエーテル、例えばベンゾインメチルお
よびエチルエーテル、α−メチルベンゾイン、α
−アリルベンゾインおよびα−フエニルベンゾイ
ンを含むα−炭化水素置換芳香族アシロインがあ
げられる。米国特許第2850445号、同第2875047、
同第3097096、同第3074974、同第3097097および
同第3145104各号明細書に開示の光還元性染料お
よび還元剤ならびにフエナジン、オキサジンおよ
びキノン群の染料、ミヒラーのケトン、ベンゾフ
エノン、2,4,5−トリフエニルイミダジリル
二重体と水素ドナーとの組合せ、およびその混合
物で米国特許第3427161号、同第3479185および同
第3549367各号明細書記載のものも開始剤として
使用できる。また光開始剤および光阻止剤と共に
用いることで有用な増感剤は米国特許第4162162
号明細書に開示されている。
Preferred free radical-generating addition initiators that are activatable by actinic radiation and thermally inert at and below 185°C include substituted compounds having two endocyclic carbons in a conjugated carbocyclic ring system. or unsubstituted polynuclear quinone, such as 9,10-anthraquinone, 1-chloroanthraquinone, 2-chloroanthraquinone, 2-methylanthraquinone, 2-ethylanthraquinone, 2-tert-butylanthraquinone, octamethylanthraquinone,
1,4-naphthoquinone, 9,10-phenanthrenequinone, 1,2-benzanthraquinone, 2,3
-Benzanthraquinone, 2-methyl-1,4-
naphthoquinone, 2,3-dichloronaphthoquinone,
1,4-dimethylanthraquinone, 2,3-dimethylanthraquinone, 2-phenylanthraquinone, 2,3-diphenylanthraquinone, anthraquinone α-sulfonic acid sodium salt, 3-chloro-2-methylanthraquinone, retenquinone, 7 , 8,9,10-tetrahydronaphthacenequinone, 1,2,3,4-tetrahydronaphthacenequinone and 1,2,3,4-tetrahydrobenz(a) anthracene-7,12-dione. Other photoinitiators that are also useful are described in U.S. Pat. No. 2,760,863, although some of them can be thermally active at temperatures as low as 85°C, including vicinal keto Aldonyl alcohols such as benzoin, pivaloin,
Acilloin ethers, such as benzoin methyl and ethyl ether, α-methylbenzoin, α
α-hydrocarbon-substituted aromatic acyloins, including -allylbenzoin and α-phenylbenzoin. U.S. Patent No. 2850445, U.S. Patent No. 2875047,
Photoreducible dyes and reducing agents disclosed in Patent Nos. 3097096, 3074974, 3097097 and 3145104, as well as dyes of the phenazine, oxazine and quinone groups, Michler's ketones, benzophenones, 2,4,5 -Triphenylimidazylyl duplex and hydrogen donor combinations and mixtures thereof described in US Pat. Nos. 3,427,161, 3,479,185 and 3,549,367 can also be used as initiators. Sensitizers also useful in conjunction with photoinitiators and photoinhibitors are disclosed in U.S. Pat.
It is disclosed in the specification of No.

光重合性組成物中に使用しうる熱重合防止剤は
p−メトキシフエノール、ヒドロキノンおよびア
ルキルおよびアリール置換ヒドロキノン、および
キノン、第三ブチルカテコール、ピロガロール、
銅レジネート、ナフチルアミン、β−ナフトー
ル、塩化第一銅、2,6−ジ第三ブチル−p−ク
レゾール、フエノチアジン、ピリジン、ニトロベ
ンゼンおよびジニトロベンゼン、p−トルキノン
およびクロラニルである。また米国特許第
4168982号明細書に開示のニトロソ組成物もまた
熱重合防止に対して有用である。
Thermal polymerization inhibitors that can be used in the photopolymerizable composition include p-methoxyphenol, hydroquinone and alkyl- and aryl-substituted hydroquinones, and quinones, tert-butylcatechol, pyrogallol,
Copper resinate, naphthylamine, β-naphthol, cuprous chloride, 2,6-di-tert-butyl-p-cresol, phenothiazine, pyridine, nitrobenzene and dinitrobenzene, p-torquinone and chloranil. Also, U.S. Patent No.
The nitroso compositions disclosed in US Pat. No. 4,168,982 are also useful for preventing thermal polymerization.

種々の染料および顔料を加えてレジスト画像の
可視性を上昇させることができる。使用されるす
べての着色剤はしかし好ましくは使用される活性
放射に対して透明であるべきである。
Various dyes and pigments can be added to increase the visibility of resist images. All colorants used should however preferably be transparent to the activating radiation used.

印刷回路形成を含む本発明の方法に対して一般
に適当な基材は機械強度、化学的耐性、および良
好な誘電特性を有するものである。即ち印刷回路
用のほとんどの板材料は通常補強充填剤と組合せ
た熱硬化性または熱可撓性樹脂である。補強充填
剤を有する熱硬化性樹脂は通常剛性板に対して使
用され、一方補強剤なしの熱可撓性樹脂は通常可
とう性回路板に使用される。
Generally suitable substrates for the methods of the present invention involving printed circuit formation are those that have mechanical strength, chemical resistance, and good dielectric properties. That is, most board materials for printed circuits are thermoset or thermoflex resins, usually in combination with reinforcing fillers. Thermoset resins with reinforcing fillers are typically used for rigid boards, while thermoflex resins without reinforcement are typically used for flexible circuit boards.

典型的な構造は紙上のフエノールまたはエポキ
シ樹脂、紙−ガラス複合体ならびにガラス上のポ
リエステル、エポキシ、ポリイミド、ポリテトラ
フルオロエチレンまたはポリエチレンの様な組合
せ物を包含する。ほとんどの場合、板は強い電気
伝導性金属層で被覆されているが、これら金属の
中では銅が最も一般的である。
Typical structures include phenolic or epoxy resins on paper, paper-glass composites, and combinations such as polyester, epoxy, polyimide, polytetrafluoroethylene or polyethylene on glass. In most cases, the plates are coated with a layer of strongly electrically conductive metals, copper being the most common of these metals.

積層させるべき印刷回路基材表面が清浄であり
かつ表面のいくらかでもの認めうる程の部分を非
湿潤性とさせうる様な外来性物質を含有しないも
のであることが好ましいということは当業者によ
り認識されているところである。この理由の故
に、印刷回路板製造分野では周知のいくつかの清
浄性の一つまたはそれ以上を使用して積層の前に
印刷回路基材を清浄化させることがしばしば望ま
れることである。特定の清浄化の型式は汚染が有
機、粒子、または金属のいずれによる汚染型式で
あるかによつて決まるのである。その様な方法と
しては溶媒および溶媒乳剤による脱脂、機械的ス
クラビング、アルカリ含浸、酸性処理その他およ
びそれに続く清浄および乾燥があげられる。
It will be appreciated by those skilled in the art that the surface of the printed circuit substrate to be laminated is preferably clean and free of extraneous materials that could render any appreciable portion of the surface non-wetting. It is being recognized. For this reason, it is often desirable in the printed circuit board manufacturing field to clean printed circuit substrates prior to lamination using one or more of several cleansers known in the art. The particular type of cleaning depends on whether the contamination is organic, particulate, or metallic. Such methods include degreasing with solvents and solvent emulsions, mechanical scrubbing, alkali impregnation, acid treatment, etc. and subsequent cleaning and drying.

本発明の実施においては、レジストエレメント
用に種々の基材を使用することができる。温度変
化に対して高度の寸法安定性を有している適当な
支持体は、例えばポリアミド、ポリオレフイン、
ポリエステル、ビニル重合体、およびセルロース
エステルの様な高度重合体から構成されている広
範な種々のフイルムから選ぶことができる。本発
明に対して好まし支持体は、ポリエチレンテレフ
タレートである。
A variety of substrates can be used for resist elements in the practice of the present invention. Suitable supports having a high degree of dimensional stability against temperature changes are, for example, polyamides, polyolefins,
One can choose from a wide variety of films constructed from high polymers such as polyesters, vinyl polymers, and cellulose esters. A preferred support for the present invention is polyethylene terephthalate.

適当な保護カバーシートは支持体として列記さ
れているものと同一の重合体フイルム群から選ぶ
ことができる。ポリエチレンおよびポリエチレン
テレフタレートは本発明のレジストエレメント用
のカバーシートとして特に有用である。
Suitable protective cover sheets can be selected from the same group of polymeric films listed as supports. Polyethylene and polyethylene terephthalate are particularly useful as cover sheets for resist elements of the present invention.

本発明は、以下の実施例を参照することによつ
て、より明白に理解されるであろう。
The invention will be more clearly understood by reference to the following examples.

例 1 水性のレジストフイルムを以下の方法で製造し
た。
Example 1 A water-based resist film was manufactured by the following method.

混合用に空気攪拌装置を付した容器に次の成分
を加えた。
The following ingredients were added to a vessel equipped with an air agitator for mixing.

(1) メチレンクロリド 810.00g (2) メタノール 80.00g (3) スチレンブチルマレアート、酸価185、分子
量20000(モンサント社からスクリプセツト
640として入手可能) 157.50g (4) スチレンアクリル酸、酸価200、軟化点144℃
(ジヨンソンワツクス社からジヨンクリルと
して入手可能) 114.80g これを30分間攪拌した。
(1) Methylene chloride 810.00g (2) Methanol 80.00g (3) Styrene butyl maleate, acid value 185, molecular weight 20000 (script set from Monsanto Company)
640) 157.50g (4) Styrene acrylic acid, acid value 200, softening point 144°C
(Available as Jyonkryl from Jyonson Wax Co., Ltd.) 114.80g This was stirred for 30 minutes.

(5) 2,2′−ビス−(o−クロロフエニル)−4,
4′,5,5′−テトラフエニルビイミダゾール
7.60g これを5分間攪拌した。
(5) 2,2'-bis-(o-chlorophenyl)-4,
4',5,5'-tetraphenylbiimidazole
7.60g This was stirred for 5 minutes.

(6) ベンゾフエノン 22.50g (7) ミヒラーのケトン 22.50g (8) ロイコクリスタルバイオレツトCI 42555
1.80g (9) p−トルエンスルホン酸 0.45g これを5分間攪拌した。
(6) Benzophenone 22.50g (7) Michler's Ketone 22.50g (8) Leuco Crystal Violet CI 42555
1.80g (9) p-Toluenesulfonic acid 0.45g This was stirred for 5 minutes.

(10) トリメチロールプロパントリアクリレート
126.00g (11) トリエチレングリコールジメタアクリレ
ート 13.50g これを5分間攪拌した。
(10) Trimethylolpropane triacrylate
126.00g (11) Triethylene glycol dimethacrylate 13.50g This was stirred for 5 minutes.

(12) C.I.ベーシツクグリーン 0.14g (13) 1,4,4−トリメチル−2,5−ジア
ゾビシクロ〔3.2.2〕−ノン−2−エン−N,N
−ジオキサイド 0.45g これを30分間攪拌した。
(12) CI Basic Green 0.14g (13) 1,4,4-trimethyl-2,5-diazobicyclo[3.2.2]-non-2-ene-N,N
-Dioxide 0.45g This was stirred for 30 minutes.

次いでこの最終組成物298gを、5gのメタノ
ールに溶解させた以下の固体を含有する3個の容
器の各々に加えた。
298 g of this final composition was then added to each of three containers containing the following solids dissolved in 5 g of methanol.

A 0.4gベンゾトリアゾール B 0.4g5−クロロベンゾトリアゾール C 0.4g無水のクエン酸 AおよびBは比較例としてのもので米国特許第
3622334号明細書に教示された接着促進剤を含有
するものである。
A 0.4g benzotriazole B 0.4g 5-chlorobenzotriazole C 0.4g anhydrous citric acid A and B are comparative examples and are based on U.S. Pat.
No. 3,622,334.

低分子量の水溶性酸としてクエン酸を含有する
Cは本発明の着想を代表するものである。
C containing citric acid as a low molecular weight water-soluble acid represents the idea of the present invention.

0.0152cmのドクターナイフを使用してこれら溶
液をポリエチレンテレフタレートを支持体にコー
テイングして0.0035〜0.0038cmの厚さのコーテイ
ングを生成させた。
These solutions were coated onto a polyethylene terephthalate support using a 0.0152 cm doctor knife to produce a 0.0035-0.0038 cm thick coating.

これらレジストフイルムを次いで銅被覆エポキ
シセンイ板に積層させ、そして種々の時間の間保
持させて銅上のスカム形成または表面ステインを
測定した。積層は100〜115℃の、3ポンド/直線
インチのニツプ圧の、2フイート/分の速度での
ゴムコーテイングしたローラー操作の助けにより
実施された。
These resist films were then laminated to copper coated epoxy resin boards and held for various times to measure scum formation or surface stain on the copper. Lamination was carried out with the aid of rubber coated roller operation at a speed of 2 feet/minute at 100 DEG -115 DEG C. and a nip pressure of 3 pounds/linear inch.

板の露光は、照射源としての走査水銀アーク、
DMVL(コライト社、ミネアポリス、ミネソタ
州)を使用した。15秒の露光の後、ポリエチレン
テレフタレート支持体フイルムをはぎ取つて捨
て、露光レジストを銅表面上に接着残留させた。
次いでこの板をスプレーノズルから6インチの距
離で105〓の0.04N NaOHの30ポンド/平方イン
チのスプレー中に置くことによつて現像させた。
この段階は露光透明画の透明部分のパタンのなま
のレジストを銅上に残留させた。この方法を最も
有用なものとするためには、補完的不透明部分に
はレジストは残留させるべきではない。
Exposure of the plate was performed using a scanning mercury arc as the irradiation source,
DMVL (Corite, Inc., Minneapolis, MN) was used. After the 15 second exposure, the polyethylene terephthalate support film was stripped off and discarded, leaving the exposed resist adhered to the copper surface.
The plate was then developed by placing it in a 30 lb/in2 spray of 105ⓓ 0.04N NaOH at a distance of 6 inches from the spray nozzle.
This step left a raw resist pattern on the copper in the transparent areas of the exposed transparency. For this method to be most useful, no resist should remain in the complementary opaque areas.

レジストを銅上に1回保持させた場合にもステ
インまたはスカムは観察されなかつた。Bの組成
物の場合には4日間保持させた後では強いステイ
ンが観察された。一方Aの組成物は弱いステイン
を示したがしかし本発明のC組成物はステインを
示さなかつた。AおよびBの組成物の比較例で
は、同一の3週間期間保持させた場合銅表面には
ひどいステインおよびスカムを有していた。
No stain or scum was observed when the resist was held on copper once. In the case of composition B, strong staining was observed after being kept for 4 days. On the other hand, composition A showed weak staining, but composition C of the present invention showed no staining. Comparative examples of compositions A and B had severe staining and scum on the copper surface when held for the same three week period.

ベンゾトリアゾールまたは5−クロロベンゾト
リアゾールに対して本発明のクエン酸を置換させ
ることは、劣化時ステインまたはスカム形成なし
に銅表面に積層保持される能力においてはるかに
より優れている改善されたフイルムを与えた。比
較例に相対的に、実験フイルムのライン保持に減
少が観察された。即ちAおよびBに対する2〜3
ミルラインに対してCに対しては4〜5ミルライ
ンであつた。エツチング速度、感度、可撓性およ
び湿潤性その他の性質は、比較例に等しいか、ま
たはそれより良好であつた。
The substitution of citric acid of the present invention for benzotriazole or 5-chlorobenzotriazole provides an improved film that is much better in its ability to hold onto copper surfaces without staining or scum formation upon aging. Ta. A decrease in line retention was observed for the experimental film relative to the comparative example. i.e. 2-3 for A and B
The mil line was 4-5 mil line for C. Etching speed, sensitivity, flexibility and wettability and other properties were equal to or better than the comparative example.

レイム・ハート(Rame−Haet)接触角角度
計(モデルA100)を使用して処理板を過硫酸ア
ンモニウム中で10秒間エツチングさせた後に水中
での2%エチルセロソルブの0.01cm3小滴の接触角
を測定した。より低い接触角はよりきれいな表面
を示す。表1は等しい処理を行なつたが異つた時
間をかけた積層フイルム上で得られた接触角の結
果を示している。
A Rame-Haet contact angle goniometer (Model A100) was used to measure the contact angle of a 0.01 cm 3 drop of 2% ethyl cellosolve in water after etching the treated plate in ammonium persulfate for 10 seconds. It was measured. A lower contact angle indicates a cleaner surface. Table 1 shows the contact angle results obtained on laminated films subjected to equal treatments but for different times.

表 1 フイルム 1日 4日 7日 A 17 20 57 B 11 12 24 C 8 8 8 表1に示されている様に、1〜7日間保持した
後でさえも本発明は汚染表面の徴候を示さなかつ
た。一方比較例はステイン形成に相関したより高
いそしてより上昇した接触角を示した。接触角テ
ストは一日の間銅表面に積層保持させた後のフイ
ルムの差を示すが、一方視覚的観察ではこれらの
どれにもステインは観察されなかつた。
Table 1 Film 1 day 4 days 7 days Nakatsuta. The comparative examples, on the other hand, exhibited higher and more elevated contact angles that correlated with stain formation. Contact angle tests show differences in the films after being laminated to a copper surface for one day, while visual observation did not observe any staining on any of them.

例 2 例1をくりかえしたが但しコハク酸の代りに
0.4g量のマロン酸、リンゴ酸およびマレイン酸
が使用された。クエン酸に対して例1で観察され
たものと同様のステインおよびスカム形成への耐
性の改善が得られた。
Example 2 Example 1 was repeated, but instead of succinic acid
Malonic, malic and maleic acids were used in amounts of 0.4g. Improvements in resistance to stain and scum formation similar to those observed in Example 1 for citric acid were obtained.

例 3 例1のレジスト処方中にセバシン酸、安息香
酸、蓚酸、クロロコハク酸、ピメリン酸、アゼラ
イン酸、アジピン酸、グルタル酸、フタル酸およ
びコハク酸を配合させた場合、スカムおよびステ
イン形成への耐性の改善が得られた。1週間まで
のステイン阻止に対しては、これらは例1および
2で記載した酸の場合にそうである程には有効で
はなかつた。
Example 3 Resistance to scum and stain formation when sebacic acid, benzoic acid, oxalic acid, chlorosuccinic acid, pimelic acid, azelaic acid, adipic acid, glutaric acid, phthalic acid and succinic acid were combined in the resist formulation of Example 1. improvement was obtained. For stain inhibition for up to one week, these were not as effective as were the acids described in Examples 1 and 2.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 銅の基材と、それに直接積層させた水性の処
理可能で光重合可能なレジスト組成物のフイルム
とから成り、このレジスト組成物は光重合性エチ
レン性不飽和単量体、光開始剤または光開始剤
系、100以上の酸価を有する結合剤、および300を
越えない分子量と20℃で100gの水中に少くとも
その0.01gが溶解する溶解度と1×10-5〜5×
10-2の範囲の解離定数とを有する酸とから成るも
のであり、そして前記の酸は銅表面上での前記組
成物のステインまたはスカムの形成を阻止するの
に充分な量で存在させるものとし、かくして走査
水銀アークに部分露光させそして105Fで0.04Nの
NaOHを用いて現像した後に、そのフイルムが
水銀アークに露光された部分では接着性であるが
水銀アークに露光されなかつた部分では非接着性
である様な性質をそのフイルムが有する様にさせ
たことを特徴とする、上記銅の基材とレジスト組
成物のフイルムとから成るエレメント。 2 酸が250以上ではない分子量を有している前
記特許請求の範囲第1項記載のエレメント。 3 レジスト組成物が銅基材に接触している、前
記特許請求の範囲第1項記載のエレメント。 4 酸がカルボン酸である前記特許請求の範囲第
1項記載のエレメント。 5 酸を、前記単量体、光開始剤または光開始剤
系および結合剤の0.01〜1.0重量%量で存在させ
る、前記特許請求の範囲第1項記載のエレメン
ト。 6 酸を、前記単量体、光開始剤または光開始剤
系および結合剤の0.1〜5重量%量で存在させる、
前記特許請求の範囲第1項記載のエレメント。 7 酸がクエン酸、マロン酸、リンゴ酸およびマ
イレン酸より成る群から選ばれる前記特許請求の
範囲第1項記載のエレメント。 8 酸がセバシン酸、安息香酸、クロロコハク
酸、ピメリン酸、アゼライン酸、アジピン酸、グ
ルタル酸、フタル酸およびコハク酸より成る群か
ら選ばれる前記特許請求の範囲第1項記載のエレ
メント。 9 酸を、前記単量体、光開始剤または光開始剤
系および結合剤の0.01〜1.0重量%量で存在させ
る接触特許請求の範囲第8項記載のエレメント。 10 カバーシートをフイルムに接触させて有し
ている、前記特許請求の範囲第1項記載のエレメ
ント。 11 カバーシートがポリエチレンまたはポリエ
チレンテレフタレートよりなる、前記特許請求の
範囲第10項記載のエレメント。
[Scope of Claims] 1 Consists of a copper substrate and a film of an aqueous processable photopolymerizable resist composition directly laminated thereon, the resist composition comprising a photopolymerizable ethylenically unsaturated monomer. a photoinitiator or photoinitiator system, a binder having an acid value of 100 or more, and a molecular weight not exceeding 300 and a solubility of at least 0.01 g in 100 g of water at 20°C and 1 x 10 -5 ~5×
an acid having a dissociation constant in the range of 10-2 , said acid being present in an amount sufficient to inhibit stain or scum formation of said composition on the copper surface. and thus partially exposed to a scanning mercury arc and 0.04N at 105F.
After development with NaOH, the film was made to have the property of being adhesive in areas where it was exposed to a mercury arc, but non-adhesive in areas that were not exposed to a mercury arc. An element comprising the above-mentioned copper base material and a film of a resist composition. 2. The element according to claim 1, wherein the acid has a molecular weight not greater than 250. 3. The element of claim 1, wherein the resist composition is in contact with the copper substrate. 4. The element according to claim 1, wherein the acid is a carboxylic acid. 5. The element of claim 1, wherein the acid is present in an amount of 0.01 to 1.0% by weight of the monomer, photoinitiator or photoinitiator system and binder. 6 the acid is present in an amount of 0.1 to 5% by weight of said monomer, photoinitiator or photoinitiator system and binder;
An element according to claim 1. 7. The element of claim 1, wherein the acid is selected from the group consisting of citric acid, malonic acid, malic acid and maleic acid. 8. The element of claim 1, wherein the acid is selected from the group consisting of sebacic acid, benzoic acid, chlorosuccinic acid, pimelic acid, azelaic acid, adipic acid, glutaric acid, phthalic acid and succinic acid. 9. The element of claim 8, wherein the acid is present in an amount of 0.01 to 1.0% by weight of the monomer, photoinitiator or photoinitiator system and binder. 10. The element according to claim 1, comprising a cover sheet in contact with the film. 11. The element according to claim 10, wherein the cover sheet is made of polyethylene or polyethylene terephthalate.
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