JPH05238011A - Thermal ink jet head - Google Patents
Thermal ink jet headInfo
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- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、サーマルインクジェッ
トヘッドの構造に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the structure of a thermal ink jet head.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、サーマルインクジェットヘッドの
構造として、特公昭６２−３３６４８号公報に記載され
ているような構造が知られている。図９はその概略を説
明するための断面図である。図中、１１は基板、１２は
酸化膜、１３はヒーター、１４は絶縁膜、１５は配線
層、１６はＳｉ3 Ｎ4 膜、１７はＴａ膜、１８はＰＳＧ
膜、１９はピット層、２０はチャネルウエハ、２２はイ
ンクリザーバ、２３はチャネル部、２６はダイシング溝
である。2. Description of the Related Art Conventionally, as a structure of a thermal ink jet head, a structure as described in Japanese Patent Publication No. 62-33648 is known. FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the outline. In the figure, 11 is a substrate, 12 is an oxide film, 13 is a heater, 14 is an insulating film, 15 is a wiring layer, 16 is a Si 3 N 4 film, 17 is a Ta film, and 18 is PSG.
A film, 19 is a pit layer, 20 is a channel wafer, 22 is an ink reservoir, 23 is a channel portion, and 26 is a dicing groove.
【０００３】このようなインクジェットヘッドにおける
チャネルウエハにおいては、Ｓｉウェハを用いて異方性
エッチング（ＯＤＥ：Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ Ｄｅｐ
ｅｎｄｅｄ Ｅｔｃｈｉｎｇ）により、インクを吐出す
るチャネル部と外部からインク供給を行なうインクリザ
ーバが作られる。異方性エッチングでは、正方形や長方
形のパターンは精度よく形成できるとしても、これを連
結した形状では、連結部分の精度が落ちる。したがっ
て、インクリザーバ２２とチャネル部２３とは分離して
形成するから、インクリザーバ２２とチャネル部２３と
の境界部分に点線で図示した未エッチング部が存在す
る。未エッチング部を除去して、インクリザーバ２２と
チャネル部２３とを連結する流路を形成するために、２
６で示した部分にダイシングによって溝を形成し、イン
クリザーバ２２とチャネル部２３とを連結する。したが
って、 インクリザーバ２２とチャネル部２３とを接続する
ためのダイシング工程を必要とする。 ダイシングによる溝は、ヘッド端部まで貫通して形
成されたるめ、ヘッドのチップエッジにできる連結溝の
部分は、埋めておかなければならず、充填補修作業を必
要とする。 という問題がある。For a channel wafer in such an ink jet head, a Si wafer is used to perform anisotropic etching (ODE: Orientation Dep).
Ended etching forms a channel portion that ejects ink and an ink reservoir that supplies ink from the outside. Although the square or rectangular pattern can be formed with high accuracy by anisotropic etching, the accuracy of the connected portion is reduced in the connected shape. Therefore, since the ink reservoir 22 and the channel portion 23 are formed separately, an unetched portion shown by a dotted line exists at the boundary portion between the ink reservoir 22 and the channel portion 23. In order to remove the unetched portion and form a flow path connecting the ink reservoir 22 and the channel portion 23, 2
A groove is formed in the portion indicated by 6 by dicing to connect the ink reservoir 22 and the channel portion 23. Therefore, a dicing process for connecting the ink reservoir 22 and the channel portion 23 is required. Since the groove formed by dicing is formed so as to penetrate to the end of the head, the portion of the connecting groove formed at the chip edge of the head must be filled up and a filling and repairing work is required. There is a problem.
【０００４】上述した問題点を解消するために、図１０
に示すように、チャネルウエハ２０におけるインクリザ
ーバ２２とチャネル部２３との間の未エッチング部分に
対向するヒータープレートのピット層１９に溝（バイパ
スピット）２１を形成し、それを経由してインクリザー
バ２２とチャネル部２３を接続させる、いわゆるバイパ
スピット構造が提唱されている（例えば、特開昭６２−
８００５４号公報や特開平１−１４８５６０号公報など
に記載されている）。しかし、バイパスピットを採用し
た構造においては、ヘッドの寿命が短いという問題があ
った。In order to solve the above problems, FIG.
As shown in FIG. 3, a groove (bypass pit) 21 is formed in the pit layer 19 of the heater plate facing the unetched portion between the ink reservoir 22 and the channel portion 23 in the channel wafer 20, and the ink reservoir is passed through it. A so-called bypass pit structure for connecting the channel 22 and the channel portion 23 has been proposed (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 62-62-62).
(Japanese Patent Application Laid-Open No. 80054 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-148560). However, the structure employing the bypass pit has a problem that the life of the head is short.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した問
題点に鑑みてなされたもので、長寿命のバイパスピット
構造を有するサーマルインクジェットヘッドを提供する
ことを目的とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and an object thereof is to provide a thermal ink jet head having a long-lived bypass pit structure.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は、バイパスピッ
ト構造を有するサーマルインクジェットヘッドにおい
て、バイパスピットの底部に保護層を設けたことを特徴
とするものである。この保護層は、ヒーター部分におけ
る保護層と同一の構成としてもよい。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is characterized in that a thermal ink jet head having a bypass pit structure is provided with a protective layer at the bottom of the bypass pit. This protective layer may have the same structure as the protective layer in the heater portion.
【０００７】[0007]
【作用】本発明によれば、バイパスピットの底部に保護
層を設けたので、インクが直接バイパスピットの底部、
例えばＰＳＧ膜に触れることがなく、バイパスピットの
底部の劣化を防止でき、ひいては、内部回路などの腐食
を防止できる。これにより、ヘッドの長寿命化を達成す
ることが可能となる。According to the present invention, since the protective layer is provided on the bottom of the bypass pit, the ink directly contacts the bottom of the bypass pit,
For example, it is possible to prevent deterioration of the bottom of the bypass pit without touching the PSG film, and thus prevent corrosion of the internal circuit and the like. As a result, it is possible to extend the life of the head.
【０００８】[0008]
【実施例】図１は、本発明サーマルインクジェットヘッ
ドの断面図である。図１において図３と同一の部分には
同じ番号を付して説明を省略する。２４はＳｉ3 Ｎ4
膜、２５はＴａ膜である。Ｓｉ3 Ｎ4 膜２４及びＴａ膜
２５によって、バイパスピット２１の底部の保護層を形
成している。FIG. 1 is a sectional view of a thermal ink jet head of the present invention. In FIG. 1, the same parts as those in FIG. 24 is Si 3 N 4
The film 25 is a Ta film. The Si 3 N 4 film 24 and the Ta film 25 form a protective layer at the bottom of the bypass pit 21.
【０００９】この保護層は、Ｓｉ3 Ｎ4 膜及びＴａ膜に
よって形成される必要はなく、インクからＰＳＧ膜１８
を保護できればどのような材質のものを用いてもよい。
また、２層である必要もなく、１層であってもよい。This protective layer does not need to be formed of the Si 3 N 4 film and the Ta film, but can be formed from the ink to the PSG film 18
Any material may be used as long as it can protect the.
Further, it does not have to be two layers, and may be one layer.
【００１０】この実施例では、バイパスピット２１の底
部の保護層は、ヒーター１３の保護層と同一のものを用
いている。その理由としては、ヒーター１３の保護層
は、製造時にバイパスピット２１の底部になる部分にも
同時に形成されるから、エッチングの際に、ヒーター１
３の上部とともにバイパスピット２１の底部となる部分
にも残すようにするだけで、バイパスピット２１にも保
護層が形成できるからである。続いて、ポリイミド層を
コーティングし、ピットおよびバイパスピットを開孔す
る。このようにすると、ヘッドの作製工程に特別な工程
を付加せずにバイパスピット２１の底部に保護層を形成
でき、生産性を低下させずにヘッドを製造することがで
きる。In this embodiment, the protective layer at the bottom of the bypass pit 21 is the same as the protective layer of the heater 13. The reason is that the protective layer of the heater 13 is formed at the same time as the bottom of the bypass pit 21 at the time of manufacturing, so that the heater 1 is not removed during etching.
This is because the protective layer can be formed in the bypass pit 21 only by leaving the upper pit 3 and the bottom pit of the bypass pit 21. Subsequently, a polyimide layer is coated, and pits and bypass pits are opened. In this way, the protective layer can be formed at the bottom of the bypass pit 21 without adding a special step to the head manufacturing process, and the head can be manufactured without lowering productivity.
【００１１】保護層を設ける理由を説明する。図１０に
示されたバイパスピット構造ではインクリザーバ２２か
らチャネル部２３へとインクが流れる際に、バイパスピ
ット２１の底部に露出する保護膜、すなわち、この実施
例ではＰＳＧ膜（燐を添加したＣＶＤ酸化膜）１８に直
接インクが触れることになる。このＰＳＧ膜は、インク
により劣化してしまうことが、本発明者らの研究によっ
てわかった。バイパスピット２１の底部に露出する保護
膜のＰＳＧ膜１８がインクに侵されると、その箇所から
インクが素子内部へ侵入し、内部回路が腐食され、ヘッ
ドの寿命を短くする。図１に示すように、バイパスピッ
ト２１の底部に保護層を設け、この保護層によってバイ
パスピット２１の底部の露出をなくし、インクの素子内
部への侵入を防ぎ、インクによる内部回路の腐食を防止
しようとすることができる。ＰＳＧ膜に限らず、絶縁膜
にインクに対する耐性の小さい材料を用いた場合も同様
である。The reason for providing the protective layer will be described. In the bypass pit structure shown in FIG. 10, when the ink flows from the ink reservoir 22 to the channel portion 23, a protective film exposed at the bottom of the bypass pit 21, that is, a PSG film (a CVD with phosphorus added in this embodiment). The ink directly contacts the oxide film) 18. It has been found by the study of the present inventors that the PSG film is deteriorated by the ink. When the PSG film 18, which is a protective film exposed at the bottom of the bypass pit 21, is invaded by ink, the ink penetrates into the inside of the element from that portion, corrodes the internal circuit, and shortens the life of the head. As shown in FIG. 1, a protective layer is provided on the bottom of the bypass pit 21 to prevent the bottom of the bypass pit 21 from being exposed to prevent the ink from entering the inside of the element and to prevent the internal circuit from being corroded by the ink. You can try. The same applies not only to the PSG film but also to the insulating film made of a material having low resistance to ink.
【００１２】図１で説明したサーマルインクジェットヘ
ッドの製造方法について述べる。図２ないし図８は各製
造段階における工程図である。まず、従来から行なわれ
ているように、基板１１に１．５μｍ程度の酸化膜１２
を熱酸化法により形成する。この酸化膜１２上にヒータ
ー部１３に相当するＰｏｌｙ−Ｓｉパターンを形成す
る。続いて全面をＣＶＤ法により絶縁膜１４にて被覆
し、さらに熱処理により平坦化を行なう（図２）。A method of manufacturing the thermal ink jet head described with reference to FIG. 1 will be described. 2 to 8 are process diagrams in each manufacturing stage. First, as is conventionally done, an oxide film 12 of about 1.5 μm is formed on the substrate 11.
Are formed by a thermal oxidation method. A Poly-Si pattern corresponding to the heater portion 13 is formed on the oxide film 12. Subsequently, the entire surface is covered with the insulating film 14 by the CVD method, and further planarized by heat treatment (FIG. 2).
【００１３】そして、電極の接続孔を形成後、配線材と
してのＡｌ膜をスパッタ法により、１．５μｍ程度着膜
し、エッチングにより配線層１５をパターニングする
（図３）。After forming the electrode connection holes, an Al film as a wiring material is deposited by sputtering to a thickness of about 1.5 μm, and the wiring layer 15 is patterned by etching (FIG. 3).
【００１４】その後、フォトレジストをマスクとしてＢ
ＨＦ（バファードフッ酸）液中で絶縁膜１４をエッチン
グし、ヒーター１３上の絶縁膜１４をパターニングして
除去する（Ｒ−ＶＩＡパターニング）。この時、ヒータ
ー１３のＰｏｌｙ−Ｓｉパターンは、Ｒ−ＶＩＡパター
ニングの底部に露出する（図４）。After that, using the photoresist as a mask, B
The insulating film 14 is etched in a HF (buffed hydrofluoric acid) solution, and the insulating film 14 on the heater 13 is patterned and removed (R-VIA patterning). At this time, the Poly-Si pattern of the heater 13 is exposed at the bottom of the R-VIA patterning (FIG. 4).
【００１５】続いて、ヒーター１３の保護層として、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 膜１６とＴａ膜１７の積層膜を着膜する。Ｓｉ
3 Ｎ4 膜はプラズマＣＶＤ法により２０００Å程度、Ｔ
ａ膜はスパッタ法により５０００Å程度着膜する（図
５）。Then, as a protective layer of the heater 13, S
A laminated film of the i 3 N 4 film 16 and the Ta film 17 is deposited. Si
The 3 N 4 film has a thickness of about 2000 Å and T by the plasma CVD method.
The film a is deposited by the sputtering method to a thickness of about 5000Å (Fig. 5).
【００１６】Ｓｉ3 Ｎ4 膜１６とＴａ膜１７との積層膜
をヒーター部とバイパスピットが形成される箇所に残す
ようにＣＦ4 ガスプラズマによりドライエッチングにて
パターニングする。この時、Ｓｉ3 Ｎ4 膜１６とＴａ膜
１７は、ほぼ同一のエッチングレートを有するため、特
別な方法を用いなくても積層膜を一度にエッチングする
ことができる（図６）。The laminated film of the Si 3 N 4 film 16 and the Ta film 17 is patterned by dry etching with CF 4 gas plasma so as to be left in the place where the heater part and the bypass pit are formed. At this time, since the Si 3 N 4 film 16 and the Ta film 17 have almost the same etching rate, the laminated film can be etched at a time without using a special method (FIG. 6).
【００１７】さらに、ＣＶＤ法によりＰＳＧ膜１８を
１．２μｍ程度着膜して保護層を形成し、Ａｌの電極部
分、Ｒ−ＶＩＡ部分およびバイパスピット２１の部分の
みをＢＨＦにてエッチング開口する（図７）。Further, the PSG film 18 is deposited to a thickness of about 1.2 μm by the CVD method to form a protective layer, and only the Al electrode portion, the R-VIA portion and the bypass pit 21 are opened by etching with BHF ( (Fig. 7).
【００１８】最後に、ピット層１９として感光性ポリイ
ミドを４０〜５０μｍ程度塗布し、ピットおよびバイパ
スピット２１に相当するパターンを形成し、キュアリン
グを施し、ヒーターウェハが形成される（図８）。Finally, photosensitive polyimide is applied as the pit layer 19 to a thickness of about 40 to 50 μm, a pattern corresponding to the pits and the bypass pits 21 is formed, and curing is performed to form a heater wafer (FIG. 8).
【００１９】上記製造過程における各層の形成方法およ
びパターニング、エッチング方法は公知の他の手法を用
いてもよいことは自明である。また、各層の材質および
厚さも上述した実施例に限定されるものではなく適宜変
更することは可能である。It is obvious that other known methods may be used for forming each layer, patterning and etching in the above manufacturing process. Further, the material and thickness of each layer are not limited to those in the above-described embodiments, and can be changed as appropriate.
【００２０】[0020]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、バイパスピットの底部に保護層を設けたの
で、バイパスピットの底部の劣化を防止して、内部への
インクの侵入を防ぐことができる。したがって、デバイ
ス内部の損傷を防止でき、長寿命のサーマルインクジェ
ットヘッドを提供することができるという効果がある。As is apparent from the above description, according to the present invention, since the protective layer is provided at the bottom of the bypass pit, deterioration of the bottom of the bypass pit can be prevented and ink can be prevented from entering the inside. Can be prevented. Therefore, there is an effect that damage to the inside of the device can be prevented and a long-life thermal inkjet head can be provided.
【図１】 本発明のサーマルインクジェットヘッドの一
実施例の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of an embodiment of a thermal inkjet head of the present invention.
【図２】〜[Figure 2]
【図８】 図１に示されたヘッドの各製造段階における
工程図である。8A to 8D are process diagrams in each manufacturing stage of the head shown in FIG.
【図９】 ダイシング溝を有する従来のサーマルインク
ジェットヘッドの断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view of a conventional thermal inkjet head having a dicing groove.
【図１０】 バイパスピットを有する従来のサーマルイ
ンクジェットヘッドの断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view of a conventional thermal inkjet head having a bypass pit.
１１ 基板、１２ 酸化膜、１３ ヒーター、１４ 絶
縁膜、１５ 配線層、１６，２４ Ｓｉ3 Ｎ4 膜、１
７，２５ Ｔａ膜、１８ ＰＳＧ膜、１９ ピット層、
２０ チャネルウエハ、２１ バイパスピット、２２
インクリザーバ、２３ チャネル部、２６ ダイシング
溝。11 substrate, 12 oxide film, 13 heater, 14 insulating film, 15 wiring layer, 16, 24 Si 3 N 4 film, 1
7,25 Ta film, 18 PSG film, 19 pit layer,
20 channel wafer, 21 bypass pit, 22
Ink reservoir, 23 channel section, 26 dicing groove.
Claims (1)
に形成された溝部分を経由して接続させるサーマルイン
クジェットヘッドにおいて、前記ピット層に形成された
溝部分の底に保護層を設けたことを特徴とするサーマル
インクジェットヘッド。1. A thermal ink jet head for connecting an ink reservoir and a channel portion via a groove portion formed in a pit layer, wherein a protective layer is provided at the bottom of the groove portion formed in the pit layer. And thermal inkjet head.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7572192A JP3237176B2 (en) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | Thermal inkjet head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7572192A JP3237176B2 (en) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | Thermal inkjet head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05238011A true JPH05238011A (en) | 1993-09-17 |
| JP3237176B2 JP3237176B2 (en) | 2001-12-10 |
Family
ID=13584415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7572192A Expired - Fee Related JP3237176B2 (en) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | Thermal inkjet head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3237176B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6155674A (en) * | 1997-03-04 | 2000-12-05 | Hewlett-Packard Company | Structure to effect adhesion between substrate and ink barrier in ink jet printhead |
| JP2001071502A (en) * | 1999-08-27 | 2001-03-21 | Hewlett Packard Co <Hp> | Printer having ink jet print head, manufacture thereof and method for printing |
-
1992
- 1992-02-27 JP JP7572192A patent/JP3237176B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6155674A (en) * | 1997-03-04 | 2000-12-05 | Hewlett-Packard Company | Structure to effect adhesion between substrate and ink barrier in ink jet printhead |
| JP2001071502A (en) * | 1999-08-27 | 2001-03-21 | Hewlett Packard Co <Hp> | Printer having ink jet print head, manufacture thereof and method for printing |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3237176B2 (en) | 2001-12-10 |
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