JPH05234874A - Processor - Google Patents
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- JPH05234874A JPH05234874A JP4073173A JP7317392A JPH05234874A JP H05234874 A JPH05234874 A JP H05234874A JP 4073173 A JP4073173 A JP 4073173A JP 7317392 A JP7317392 A JP 7317392A JP H05234874 A JPH05234874 A JP H05234874A
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- cup
- wafer
- flow path
- annular flow
- outer peripheral
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 装置内の排気を良好に行って、ミスト状にな
った処理液の被処理体の表裏面への飛来を防止する。
【構成】 ウエハWを水平に保持して回転するスピンチ
ャック21のウエハ保持部の下方を内カップ29にて包
囲し、これらスピンチャック21と内カップ29の外方
を外カップ30にて囲繞する。外カップ30の底部に起
立された仕切部材34によって区画される内外二重の環
状流路の内側環状流路15に排気口32を開口する。内
カップ29の上部外周から垂下される外周部29dにて
環状流路を外側環状流路36と中間環状流路37とに区
画すると共に、この外側環状流路36と中間環状流路3
7の流路面積S1 ,S2 を相等しく設定する。
(57) [Summary] [Purpose] Exhaust the inside of the device favorably to prevent the mist-like treatment liquid from flying to the front and back surfaces of the object to be treated. An inner cup 29 surrounds a lower portion of a wafer holding portion of a spin chuck 21 which holds a wafer W horizontally and rotates, and an outer cup 30 surrounds the outer sides of the spin chuck 21 and the inner cup 29. .. The exhaust port 32 is opened in the inner annular flow passage 15 of the inner and outer double annular flow passages defined by the partition member 34 standing upright on the bottom of the outer cup 30. The outer peripheral flow path 29 d hangs from the outer periphery of the upper portion of the inner cup 29 to partition the annular flow path into an outer annular flow path 36 and an intermediate annular flow path 37.
The flow passage areas S1 and S2 of 7 are set equal to each other.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体ウエハ
等の板状被処理体の表面にレジスト液等の処理液を供給
する処理装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing apparatus for supplying a processing liquid such as a resist liquid onto the surface of a plate-shaped object to be processed such as a semiconductor wafer.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来のこの種の処理装置を使用して板状
の被処理体に処理液を塗布する際、回転する被処理体か
ら振り切られて飛散した処理液がカップ内壁ではね返っ
て被処理体表面に付着するのを防止するため、例えばカ
ップの底部より排気を行うことにより、カップ内にその
上部開口部よりエア−(クリンル−ム内のダウンフロ
−)を導入し、被処理体表面に沿って外方へ流れる気流
を発生させている。2. Description of the Related Art When a processing liquid is applied to a plate-shaped object to be processed using a conventional processing apparatus of this type, the processing liquid that has been shaken off from the rotating object to be processed is splashed on the inner wall of the cup to be covered. In order to prevent adherence to the surface of the object to be treated, air is introduced from the upper opening of the cup (downflow in the clean room), for example, by exhausting air from the bottom of the cup, and the surface of the object to be treated is introduced. Generates an airflow that flows outward along.
【0003】従来この種の装置として、図8に示すレジ
スト塗布装置が知られている。この装置は、被処理体で
ある半導体ウエハW(以下にウエハという)を吸着保持
し、これを水平回転させるスピンチャック51と、この
スピンチャック51上に保持されたウエハWの表面に処
理液を供給する処理液供給ノズル52と、スピンチャッ
ク51の周囲を囲うように配置された環状の内カップ5
3と、これらスピンチャック51及び内カップ53を包
囲して処理液の飛散を防止する外カップ54とで主要部
が構成されている。A resist coating apparatus shown in FIG. 8 is conventionally known as this type of apparatus. This apparatus attracts and holds a semiconductor wafer W (hereinafter referred to as a wafer), which is an object to be processed, and spin-rotates a wafer horizontally held by the spin-chuck 51. The processing liquid is applied to the surface of the wafer W held on the spin-chuck 51. A processing liquid supply nozzle 52 for supplying and an annular inner cup 5 arranged so as to surround the spin chuck 51.
3 and an outer cup 54 that surrounds the spin chuck 51 and the inner cup 53 to prevent the processing liquid from scattering, and constitutes a main part.
【0004】内カップ53は、外カップ54の底部より
起立されてスピンチャック51の周囲を実質的に囲む円
筒状の起立部53aと、起立部53aの上端部に形成さ
れ、この内カップ53の上面57を構成する水平部53
bと、この水平部53bの外周縁部より斜め下方に拡径
されつつ延出された傾斜部53cと、この傾斜部53c
の外周縁部より外カップ54の底部近傍に延出された外
周部53dとで構成される。外カップ54はウエハWの
出し入れができるよう上部が大きく開口され、底部には
排気口55並びに排液口56が設けられている。また、
外カップ54の底部には起立部53aの周囲下部を囲む
環状の仕切部材58が設けられており、排気口55は、
この仕切部材58と内カップ53の起立部53aとの間
に設けられ、排液口56は、外カップ54の内壁近傍に
設けられている。The inner cup 53 is formed on a cylindrical standing portion 53a which stands up from the bottom of the outer cup 54 and substantially surrounds the periphery of the spin chuck 51, and an upper end portion of the standing portion 53a. Horizontal part 53 that constitutes the upper surface 57
b, a slanted portion 53c that extends obliquely downward from the outer peripheral edge of the horizontal portion 53b and extends, and the slanted portion 53c.
And an outer peripheral portion 53d extending from the outer peripheral edge portion to the vicinity of the bottom portion of the outer cup 54. The outer cup 54 has a large opening at the top so that the wafer W can be taken in and out, and an exhaust port 55 and a drain port 56 are provided at the bottom. Also,
An annular partition member 58 is provided at the bottom of the outer cup 54 so as to surround the lower portion of the upright portion 53a.
The drainage port 56 is provided between the partition member 58 and the rising portion 53 a of the inner cup 53, and the drainage port 56 is provided near the inner wall of the outer cup 54.
【0005】このように構成された従来のレジスト塗布
装置において、排気口55より外カップ54内の排気を
行うと、外カップ54の上部開口部より導入されたエア
ーAは、ウエハWの表面に沿って放射状に流された後、
内カップ53と外カップ54との間を下降し、内カップ
53の外周部53dと仕切部材58との間、仕切部材5
8と起立部53aとの間を順次通って排気口55に至り
排気される。回転塗布の際にウエハWの周縁部より振り
切られて飛散し、外カップ54の内壁に当たってミスト
状になったレジスト液は、上述したようにウエハWの表
面に沿って放射状に流れたのち下降するエアーAの流れ
に搬送されて、排気口55よりエアーAと共に排出され
る。また、外カップ54の内壁に付着し水滴状になった
レジスト液は、内壁に沿って下降し、底部で集積されて
排液口56より排出される。When the inside of the outer cup 54 is evacuated through the exhaust port 55 in the conventional resist coating apparatus having the above-described structure, the air A introduced from the upper opening of the outer cup 54 is applied to the surface of the wafer W. After being radiated along,
It descends between the inner cup 53 and the outer cup 54, and between the outer peripheral portion 53d of the inner cup 53 and the partition member 58, the partition member 5
8 and the standing portion 53a are sequentially passed to reach the exhaust port 55 and exhausted. At the time of spin coating, the resist solution which is shaken off from the peripheral portion of the wafer W and scattered, hits the inner wall of the outer cup 54 and becomes a mist, flows radially along the surface of the wafer W and then descends as described above. It is conveyed in the flow of air A and is discharged together with air A from the exhaust port 55. Further, the resist liquid that has adhered to the inner wall of the outer cup 54 and is in the form of water drops descends along the inner wall, is accumulated at the bottom portion, and is discharged from the liquid discharge port 56.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のこの種
の装置では、排気口55が設けられた側のエアーAの流
れは良好に発生するが、排気口55から離れた位置、特
に排気口55とは反対側のエアーAの流れは不足しがち
であり、その結果、外カップ54の内壁に当ってミスト
状になったレジスト液が完全に下方へ搬送されずにウエ
ハWの表面に飛来して付着し、塗布膜の均一性を低下す
るという問題が生じていた。このエアーAの流れが排気
口55から離れた位置程不足するその主な原因は、本発
明者等が検討した結果、外カップ54と内カップ53の
外周部53dとの間に形成された環状の流路と、内カッ
プ53の外周部53dと仕切部材58との間に形成され
た環状の流路とにおける流路面積の差にあるということ
が判った。すなわち、従来の装置では、内カップ53の
外周部53dの径は、外カップ54の径と仕切部材58
の径の中間に設定されていたため、外側の流路の方が内
側の流路よりも流路面積が大きく、そのために生じる圧
力損失が排気口5から離れる程顕著にあらわれるものと
考えられる。However, in the conventional device of this type, although the flow of the air A on the side where the exhaust port 55 is provided satisfactorily occurs, the position away from the exhaust port 55, particularly the exhaust port 55 The flow of the air A on the side opposite to 55 tends to be insufficient, and as a result, the resist solution in the form of a mist that hits the inner wall of the outer cup 54 is not conveyed completely downward, and splashes onto the surface of the wafer W. Then, there is a problem in that they adhere to each other and deteriorate the uniformity of the coating film. As a result of examination by the present inventors, the main cause of the shortage of the flow of the air A in the position away from the exhaust port 55 is an annular shape formed between the outer cup 54 and the outer peripheral portion 53d of the inner cup 53. It has been found that there is a difference in the flow passage area between the flow passage and the annular flow passage formed between the outer peripheral portion 53d of the inner cup 53 and the partition member 58. That is, in the conventional device, the diameter of the outer peripheral portion 53d of the inner cup 53 is equal to the diameter of the outer cup 54 and the partition member 58.
It is considered that since the outer flow passage has a larger flow passage area than the inner flow passage, the pressure loss caused by the outer flow passage is more remarkable as the distance from the exhaust port 5 increases.
【0007】更に、従来のこの種の装置では、内カップ
53の上面57の周縁部の径がウエハWの径よりも小さ
いため、図9に示すように、ウエハWの周縁部より裏面
側に回り込んだエアーAが、ウエハWの裏面と内カップ
53の上面7との間に流れ込みやすく、ウエハWの裏面
や内カップ53の上面57にレジスト液が付着し、その
後乾燥してパーティクルが発生するという問題があっ
た。Further, in the conventional apparatus of this type, since the diameter of the peripheral portion of the upper surface 57 of the inner cup 53 is smaller than the diameter of the wafer W, as shown in FIG. The air A that has flown around easily flows between the back surface of the wafer W and the upper surface 7 of the inner cup 53, and the resist liquid adheres to the back surface of the wafer W and the upper surface 57 of the inner cup 53, and then is dried to generate particles. There was a problem to do.
【0008】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、装置内の排気を良好に行って、ミスト状になったレ
ジスト液などの処理液の被処理体の表裏面への飛来を防
ぎ、更に、被処理体裏面などへの処理液の付着を防止し
て、良好な処理を行うことができる処理装置を提供する
ことを目的とするものである。The present invention has been made in view of the above circumstances, and evacuates the apparatus satisfactorily to prevent a processing solution such as a mist-like resist solution from flying to the front and back surfaces of the object to be processed. Another object of the present invention is to provide a processing apparatus capable of performing good processing by preventing the processing liquid from adhering to the back surface of the object to be processed.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第1の処理装置は、被処理体を保持して
回転する回転保持手段と、この回転保持手段を囲繞する
外カップと、上記回転保持手段の被処理体保持部の下方
を包囲すべく上記外カップの底部から起立する内カップ
と、上記外カップの底部に起立された仕切部材によって
区画される内外二重の環状流路の内側環状流路に開口す
る排気口とを具備し、上記内カップの上部外周から垂下
される外周部にて上記環状流路を外側及び中間環状流路
に区画すると共に、この外側環状流路と中間環状流路の
流路面積を相等しく設定するものである。In order to achieve the above-mentioned object, a first processing apparatus of the present invention is a rotation holding means for holding and rotating an object to be processed, and an outer cup surrounding the rotation holding means. An inner cup that stands up from the bottom of the outer cup to surround the lower part of the object to be processed holding portion of the rotation holding means, and an inner-outer double ring that is partitioned by a partition member that stands up at the bottom of the outer cup. The inner annular passage of the flow passage is provided with an exhaust port, and the outer peripheral portion hanging from the upper outer periphery of the inner cup divides the annular passage into an outer annular passage and an intermediate annular passage. The flow passage areas of the flow passage and the intermediate annular flow passage are set equal to each other.
【0010】また、この発明の第2の処理装置は、被処
理体を保持して回転する回転保持手段と、この回転保持
手段の被処理体保持部の下方を包囲する環状の内カップ
とを具備する処理装置において、上記内カップの上面外
周縁部に、上記被処理体の径に合わせて半径方向外方に
延出する外周縁部を形成してなるものである。Further, according to the second processing apparatus of the present invention, there is provided rotation holding means for holding and rotating the object to be processed, and an annular inner cup surrounding the object holding part of the rotation holding means. In the processing apparatus provided, an outer peripheral edge portion that extends outward in the radial direction according to the diameter of the object to be processed is formed on the outer peripheral edge portion of the upper surface of the inner cup.
【0011】この発明において、上記排気口は内側環状
流路に開口するものであれば、その深さは任意でよい
が、好ましくは排気口の開口部と同径の筒状流量干渉部
を設けると共に、この流量干渉部の深さを可及的に長く
形成する方がよい。In the present invention, the exhaust port may have any depth as long as it is open to the inner annular flow passage, but preferably a cylindrical flow rate interference part having the same diameter as the opening part of the exhaust port is provided. At the same time, it is better to form the depth of the flow rate interference portion as long as possible.
【0012】上記外カップの開口部は被処理体の出し入
れに支障をきたさない大きさであれば、開口縁は単にカ
ットしたものであっても差し支えないが、好ましくは開
口端から内側に向ってV字状あるいはU字状に折り返さ
れる上部開口縁部を形成する方がよい。この上部開口縁
部の折返し角度は水平面に対して例えば45°〜60°
に設定する方がよい。As long as the opening of the outer cup has a size that does not hinder the insertion and removal of the object to be processed, the opening edge may be simply cut, but preferably the opening edge is directed inward. It is better to form the upper opening edge that is folded back in a V shape or a U shape. The folding angle of the upper opening edge is, for example, 45 ° to 60 ° with respect to the horizontal plane.
It is better to set to.
【0013】[0013]
【作用】上記のように構成される第1の発明の処理装置
によれば、上記排気口より外カップ内の排気を行うと、
上部開口部より導入されたエアーは、被処理体の表面に
沿って放射状に流れた後、内カップと外カップとの間を
下降し、上記外側の環状流路、中間の環状流路、更に内
側の環状流路の順に流れ排気口に至り、装置の外に排気
される。外側の環状流路の流路面積と中間の環状流路の
流路面積とが相等しくなるように設定されるので、流路
面積の違いによる圧力損失は解消され、排気口から離れ
た位置においてもエア−の流れを良好に発生させること
ができる。したがって、外カップの内壁に当ってミスト
状になった処理液をエア−の流れによって良好に搬送・
排出して、被処理体の表面への飛来を防止し、塗布膜等
の均一性を向上させることができる。According to the processing apparatus of the first aspect of the invention configured as described above, when the inside of the outer cup is exhausted from the exhaust port,
The air introduced from the upper opening flows radially along the surface of the object to be processed, then descends between the inner cup and the outer cup, and the outer annular channel, the intermediate annular channel, and It flows in the order of the inner annular flow path, reaches the exhaust port, and is exhausted to the outside of the device. Since the flow passage area of the outer annular flow passage and the flow passage area of the middle annular flow passage are set to be equal to each other, the pressure loss due to the difference in flow passage area is eliminated, and at the position away from the exhaust port. Also, the air flow can be satisfactorily generated. Therefore, the treatment liquid that has hit the inner wall of the outer cup and becomes a mist can be satisfactorily conveyed by the air flow.
It is possible to prevent the particles from being discharged and fly to the surface of the object to be processed, and improve the uniformity of the coating film and the like.
【0014】また、第2の発明の処理装置によれば、内
カップの上面外周縁部を被処理体の径に合わせて半径方
向外方に延出させておくことにより、被処理体の周縁部
より裏面側に回り込もうとするエア−を内カップの延出
された上面外周縁部の裏面で阻止することができる。し
たがって、被処理体の裏面や内カップの上面に対する処
理液の付着及びパーティクルの発生をより確実にを防止
することができる。Further, according to the processing apparatus of the second aspect of the present invention, the outer peripheral edge of the upper surface of the inner cup is extended outward in the radial direction in accordance with the diameter of the object to be processed. It is possible to prevent the air, which tends to go around from the portion toward the back surface side, on the back surface of the outer peripheral edge portion of the upper surface from which the inner cup extends. Therefore, it is possible to more reliably prevent the processing liquid from adhering to the back surface of the object to be processed or the upper surface of the inner cup and to prevent the generation of particles.
【0015】[0015]
【実施例】以下に、この発明の実施例を図面に基づいて
詳細に説明する。この実施例はレジスト塗布現像装置に
適用したものである。Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. This embodiment is applied to a resist coating / developing apparatus.
【0016】レジスト塗布現像装置は、図1に示すよう
に、被処理体例えば半導体ウエハ(以下、単にウエハと
いう)Wに種々の処理を施す処理機構が配置された処理
機構ユニット10と、処理機構ユニット10にウエハW
を自動的に搬入・搬出する搬入・搬出機構1とで主要部
が構成されている。As shown in FIG. 1, the resist coating / developing apparatus includes a processing mechanism unit 10 in which a processing mechanism for performing various processes on an object to be processed, for example, a semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as a wafer) W is arranged, and a processing mechanism. Wafer W on unit 10
The main part is composed of a loading / unloading mechanism 1 for automatically loading and unloading.
【0017】搬入・搬出機構1は、処理前のウエハWを
収納するウエハキャリア2と、処理後のウエハWを収納
するウエハキャリア3と、ウエハWを吸着保持するア−
ム4と、このア−ム4をX,Y(水平),Z(垂直)及
びθ(回転)方向に移動させる移動機構5と、ウエハW
がアライメントされかつ処理機構ユニット10との間で
ウエハWの受け渡しがなされるアライメントステージ6
とを備えている。The loading / unloading mechanism 1 includes a wafer carrier 2 for storing the unprocessed wafer W, a wafer carrier 3 for storing the processed wafer W, and an chuck for holding the wafer W by suction.
The wafer 4, the moving mechanism 5 for moving the arm 4 in the X, Y (horizontal), Z (vertical) and θ (rotation) directions, and the wafer W.
The alignment stage 6 in which the wafer W is aligned and the wafer W is transferred to and from the processing mechanism unit 10.
It has and.
【0018】処理機構ユニット10には、アライメント
ステージ6よりX方向に形成された搬送路11に沿って
移動自在に搬送機構12が設けられている。搬送機構1
2にはY,Z及びθ方向に移動自在にメインア−ム13
が設けられている。搬送路11の一方の側には、ウエハ
Wとレジスト液膜との密着性を向上させるためのアドヒ
ージョン処理を行うアドヒージョン処理機構14と、ウ
エハWに塗布されたレジスト中に残存する溶剤を加熱蒸
発させるためのプリベーク機構15と、加熱処理された
ウエハWを冷却する冷却機構16とが配置されている。
搬送路11の他方の側にはウエハWの表面にレジストを
塗布する処理液塗布機構17(この発明の処理装置)
と、露光工程時に光乱反射を防止するために、ウエハW
のレジスト上にCEL膜などを塗布形成する表面被覆層
塗布機構18とが配置されている。The processing mechanism unit 10 is provided with a transfer mechanism 12 movably along a transfer path 11 formed in the X direction from the alignment stage 6. Transport mechanism 1
2 has a main arm 13 movably in Y, Z and θ directions.
Is provided. On one side of the transfer path 11, an adhesion processing mechanism 14 for performing an adhesion process for improving the adhesion between the wafer W and the resist liquid film, and a solvent remaining in the resist applied on the wafer W are heated and evaporated. A pre-baking mechanism 15 for performing the heating and a cooling mechanism 16 for cooling the heat-treated wafer W are arranged.
On the other side of the transfer path 11, a processing liquid coating mechanism 17 for coating a resist on the surface of the wafer W (the processing apparatus of the present invention).
In order to prevent diffuse reflection during the exposure process, the wafer W
And a surface coating layer coating mechanism 18 for coating and forming a CEL film or the like on the resist.
【0019】以上のように構成されるレジスト塗布現像
装置において、まず、処理前のウエハWは、搬入・搬出
機構1のア−ム4によってウエハキャリア2から搬出さ
れてアライメントステージ6上に載置される。次いで、
アライメントステージ6上のウエハWは、搬送機構12
のメインア−ム13に保持されて、各処理機構14〜1
8へと搬送される。そして、処理後のウエハWはメイン
ア−ム13によってアライメントステージ6に戻され、
更にア−ム4により搬送されてウエハキャリア3に収納
されることになる。In the resist coating and developing apparatus configured as described above, first, the unprocessed wafer W is unloaded from the wafer carrier 2 by the arm 4 of the loading / unloading mechanism 1 and placed on the alignment stage 6. To be done. Then
The wafer W on the alignment stage 6 is transferred by the transfer mechanism 12
Is held by the main arm 13 of each of the processing mechanisms 14-1.
It is transported to 8. Then, the processed wafer W is returned to the alignment stage 6 by the main arm 13.
Further, it is transferred by the arm 4 and stored in the wafer carrier 3.
【0020】この発明の処理装置17は、図2に示すよ
うに、板状の被処理体である半導体ウエハWを水平に吸
着保持し、これを水平回転させる回転保持手段であるス
ピンチャック21と、このスピンチャック21上に移動
されてウエハWの表面に処理液であるレジスト液を供給
する処理液供給ノズル22と、スピンチャック21のウ
エハ保持部21Aの下方の周囲を囲うように同心状に配
置された環状の内カップ29と、これらスピンチャック
21及び内カップ29を包囲して装置外への処理液の飛
散を防止する外カップ30とで主要部が構成されてい
る。As shown in FIG. 2, the processing apparatus 17 of the present invention includes a spin chuck 21 as a rotation holding means for horizontally adsorbing and holding a semiconductor wafer W, which is a plate-shaped object, and horizontally rotating it. The processing liquid supply nozzle 22 that is moved onto the spin chuck 21 and supplies the resist liquid, which is a processing liquid, to the surface of the wafer W, and the spin chuck 21 are concentrically formed so as to surround the periphery below the wafer holding portion 21A of the spin chuck 21. An annular inner cup 29 arranged and an outer cup 30 which surrounds the spin chuck 21 and the inner cup 29 to prevent the processing liquid from scattering outside the apparatus, constitute a main part.
【0021】内カップ29は、外カップ30の底部より
起立されてスピンチャック21の周囲を実質的に囲む円
筒状の起立部29aと、この起立部29aの上端部に形
成されて、この内カップ29の上面31を構成する外径
がウエハWと同径の水平部29bと、水平部29bの外
周縁部のやや内側より斜め下方に拡径されつつ延出され
た傾斜部29cと、この傾斜部29cの外周縁部より外
カップ30の底部近傍に垂下された外周部29dとで構
成される。この内カップ29は、外カップ30の内周部
に下部が連通した内外二重の環状流路(内側環状流路3
5、外側環状流路36)を区画形成する。また、内カッ
プ29の水平部29bの上面31の外周端部はウエハW
のエッジと等しい位置におかれ、ウエハWの裏面にレジ
スト液が入り込むのを阻止し得るようにしてある。な
お、傾斜部29cの水平面に対する角度αは、α=30
°〜45°に設定されている(図4参照)。The inner cup 29 is formed from a bottom portion of the outer cup 30 to substantially surround the spin chuck 21 and a cylindrical standing portion 29a, and an upper end portion of the standing portion 29a. A horizontal portion 29b having the same outer diameter as the upper surface 31 of the wafer W and the same diameter as the wafer W, and a slanted portion 29c extending while being slanted downward from slightly inside the outer peripheral edge portion of the horizontal portion 29b, and this slant The outer peripheral portion of the portion 29c is configured to have an outer peripheral portion 29d that hangs from the outer peripheral portion of the portion 29c near the bottom portion of the outer cup 30. The inner cup 29 has a double inner / outer annular flow path (inner annular flow path 3) whose lower portion communicates with the inner peripheral portion of the outer cup 30.
5, the outer annular flow path 36) is defined. Further, the outer peripheral edge of the upper surface 31 of the horizontal portion 29b of the inner cup 29 has the wafer W
Is located at the same position as the edge of the wafer W so that the resist solution can be prevented from entering the back surface of the wafer W. The angle α of the inclined portion 29c with respect to the horizontal plane is α = 30
The angle is set to ° to 45 ° (see FIG. 4).
【0022】外カップ30はウエハWの出し入れができ
るよう上部が大きく開口され、底部には後述する排気口
32並びに排液口33が設けられている。外カップ30
の上部開口縁部30aは、内側に断面V字状ないしU字
状に折返されている。この上部開口縁部30aの折返し
角βは、β=45°〜60°の範囲内に設定されている
(図5参照)。また、外カップ30の底部には起立部2
9aの周囲下部を囲む環状の仕切部材34が設けられ
て、内側環状流路35と外側環状流路36との間に中間
環状流路37を形成している。そして、内側環状流路3
5内に排気口32が開口し、外側環状流路36の近傍位
置に排液口33が開口している。なお、仕切部材34の
高さは、内カップ29の外周部29dの下端部よりも若
干高く設定されている。The outer cup 30 has a large opening at the top so that the wafer W can be taken in and out, and an exhaust port 32 and a drain port 33, which will be described later, are provided at the bottom part. Outer cup 30
The upper opening edge portion 30a is folded inward in a V-shaped or U-shaped cross section. The folding angle β of the upper opening edge portion 30a is set within a range of β = 45 ° to 60 ° (see FIG. 5). In addition, the standing portion 2 is provided on the bottom of the outer cup 30.
An annular partition member 34 that surrounds the lower part of the periphery of 9a is provided, and an intermediate annular flow passage 37 is formed between the inner annular flow passage 35 and the outer annular flow passage 36. And the inner annular flow path 3
An exhaust port 32 is opened inside 5, and a drain port 33 is opened near the outer annular flow path 36. The height of the partition member 34 is set to be slightly higher than the lower end portion of the outer peripheral portion 29d of the inner cup 29.
【0023】外カップ30の内周壁と内カップ29の外
周部29dとの間隔は、仕切部材34と内カップ29の
外周部29dとの間隔よりも所定間隔狭くなっており、
これによって、上記外側環状流路36の流路面積S1 と
中間環状流路37の流路面積S2 は相等しく設定されて
いる(図3参照)。The distance between the inner peripheral wall of the outer cup 30 and the outer peripheral portion 29d of the inner cup 29 is smaller than the distance between the partition member 34 and the outer peripheral portion 29d of the inner cup 29 by a predetermined distance.
As a result, the flow passage area S1 of the outer annular flow passage 36 and the flow passage area S2 of the intermediate annular flow passage 37 are set equal (see FIG. 3).
【0024】排気口32には、これと同径の筒状の流速
干渉部42が設けられており、流速干渉部42の先端に
排気口32よりも小径の配管38が接続されている。こ
の流速干渉部42は、排気口32の近くにおけるエアー
Aの流れが排気口32から離れたところにおける流れよ
りも極端に強くならないようにするために設けられたも
のであり、その長さ(深さ)は長ければ長い程、流速の
平均化には効果がある。なお、配管38の途中には、排
気量を調節するためのダンパ39が設けられている。こ
のダンパ39は、外カップ30の上部壁に内方空間に望
ませて取り付けられた排気流量センサ41による排気流
量検出値に基づいて図示しないダンパ駆動装置により駆
動され、排気流量を正確にコントロ−ルすることができ
るようになっている。なお、排液口33は、配管40を
介して図示しない排液貯留槽に接続されている。The exhaust port 32 is provided with a cylindrical flow velocity interference section 42 having the same diameter as the exhaust port 32, and a pipe 38 having a diameter smaller than that of the exhaust port 32 is connected to the tip of the flow velocity interference unit 42. The flow velocity interfering portion 42 is provided to prevent the flow of the air A near the exhaust port 32 from becoming extremely stronger than the flow away from the exhaust port 32, and its length (depth) Is longer, the more effective is the averaging of the flow velocity. A damper 39 for adjusting the exhaust amount is provided in the middle of the pipe 38. The damper 39 is driven by a damper drive device (not shown) based on an exhaust flow rate detection value by an exhaust flow rate sensor 41, which is desirably attached to the inner space on the upper wall of the outer cup 30, to accurately control the exhaust flow rate. You can do this. The drainage port 33 is connected to a drainage storage tank (not shown) via a pipe 40.
【0025】上記のように構成されるこの発明に係るレ
ジスト塗布装置において、排気口32より外カップ30
内の排気を行うと、外カップ30の上部開口部より導入
されたエアーAは、ウエハWの表面に沿って放射状に流
されたのち、内カップ29と外カップ30との間を下降
し、外側環状流路36、中間環状流路37、更に内側環
状流路35の順に流れて排気口32に至り、ダンパ39
を経て排気される。外側の環状流路36の流路面積S1
と中間の環状流路37の流路面積S2 とが相等しく設定
されているので、流路面積の違いによる内外流路間の圧
力損失は小さく抑えられ、排気口32の位置による排気
のアンバランスが低減され外側環状流路36の全域に亘
り排気流量が均一化される。更に、排気口32と配管と
の間に上記の流速干渉部22が設けられているので、排
気口32から離れた位置においてもエアーAの流れを良
好に発生させることができる。したがって、外カップ3
0の内壁に当ってミスト状になったレジスト液をエアー
Aの流れによって良好に搬送・排出して、ウエハWの表
面への飛来を防止し、塗布膜の均一性を向上させること
ができる。In the resist coating apparatus according to the present invention having the above-mentioned structure, the outer cup 30 is opened from the exhaust port 32.
When the inside is evacuated, the air A introduced from the upper opening of the outer cup 30 is made to flow radially along the surface of the wafer W, and then descends between the inner cup 29 and the outer cup 30, The outer annular flow path 36, the intermediate annular flow path 37, and the inner annular flow path 35 flow in this order to reach the exhaust port 32, and the damper 39
Is exhausted through. Channel area S1 of the outer annular channel 36
Since the flow path area S2 of the intermediate annular flow path 37 is set to be equal to each other, the pressure loss between the inner and outer flow paths due to the difference in the flow path area is suppressed to a small level, and the exhaust gas imbalance due to the position of the exhaust port 32. Is reduced and the exhaust flow rate is made uniform over the entire area of the outer annular flow path 36. Further, since the flow velocity interference portion 22 is provided between the exhaust port 32 and the pipe, the flow of the air A can be satisfactorily generated even at a position away from the exhaust port 32. Therefore, the outer cup 3
It is possible to favorably convey and discharge the resist solution which has become a mist by hitting the inner wall of No. 0 by the flow of the air A to prevent the resist solution from flying to the surface of the wafer W and improve the uniformity of the coating film.
【0026】また、排気流量センサ21による排気流量
の検出値に基づいてダンパ39が駆動され、排気流量が
常に適性にコントロ−ルされるので、排気の強すぎによ
り排気流に乱流が発生したりしてレジスト膜に流線む
ら、ストリエーション等が発生するなどの不都合は生じ
ない。また、内カップ29の傾斜部29cの傾斜角αが
30°〜45°に設定されているので、エアーAの流れ
を整流化してウエハWの裏面や内カップ29の上面31
に対するレジスト液の付着を防止することができる。更
に、外カップ30の上部開口縁部30aが、上述したよ
うに所定の折返し角βで折り返されているので、外カッ
プ30の内壁に当ってミスト状になったレジスト液が万
一内壁に沿って上昇しても、図5に示すように折返し部
によってこれより先への移動を阻止し、ウエハW上への
飛散を防止できる。Further, since the damper 39 is driven based on the detected value of the exhaust flow rate by the exhaust flow rate sensor 21 and the exhaust flow rate is constantly controlled appropriately, turbulent flow occurs in the exhaust flow due to too strong exhaust. However, there is no inconvenience such as streamline unevenness or striation occurring in the resist film. Further, since the inclination angle α of the inclined portion 29c of the inner cup 29 is set to 30 ° to 45 °, the flow of the air A is rectified and the rear surface of the wafer W or the upper surface 31 of the inner cup 29 is rectified.
It is possible to prevent the resist solution from adhering to. Further, since the upper opening edge portion 30a of the outer cup 30 is folded back at the predetermined folding angle β as described above, the resist solution which has become a mist and hits the inner wall of the outer cup 30 along the inner wall. Even when the wafer W is raised, as shown in FIG. 5, the folded-back portion prevents the further movement of the folded-back portion and prevents the wafer W from scattering.
【0027】図6はこの発明の第二実施例の概略断面
図、図7は第二実施例における要部の断面図が示されて
いる。FIG. 6 is a schematic sectional view of a second embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a sectional view of a main part of the second embodiment.
【0028】第二実施例における処理装置は、ウエハW
と内カップ29の上面31との間にレジスト液が入り込
むのを更に確実に阻止し得るようにした場合である。す
なわち、内カップ29の上面31の外周縁部に、ウエハ
Wの径に合わせて半径方向外方に延出する外周縁部31
aを形成した場合である。このように形成することによ
り、傾斜部29cが水平部29bの外周縁部のやや内側
に設けられ、内カップ29の上面外周縁部31aがウエ
ハWの径に合わせて半径方向外方に延出されているの
で、図7に示すようにウエハWの周縁部より裏面側に回
り込もうとするエアーAを延出された上面外周縁部31
aの裏面で阻止することができる。したがって、ウエハ
Wの裏面や内カップ29の上面に対するレジスト液の付
着を防止することができると共に、付着し乾燥したレジ
ストによるパーティクルの発生を防止することができ
る。The processing apparatus in the second embodiment is a wafer W.
This is a case where it is possible to more reliably prevent the resist liquid from entering between the upper surface 31 of the inner cup 29 and the inner cup 29. That is, the outer peripheral edge portion 31 extending radially outward along the outer peripheral edge portion of the upper surface 31 of the inner cup 29 according to the diameter of the wafer W.
This is the case where a is formed. By forming in this way, the inclined portion 29c is provided slightly inside the outer peripheral edge portion of the horizontal portion 29b, and the upper outer peripheral edge portion 31a of the inner cup 29 extends radially outward in accordance with the diameter of the wafer W. Therefore, as shown in FIG. 7, the upper surface outer peripheral edge portion 31 from which the air A that tries to go around from the peripheral edge portion of the wafer W to the back surface side is extended.
It can be blocked on the back side of a. Therefore, it is possible to prevent the resist liquid from adhering to the back surface of the wafer W or the upper surface of the inner cup 29, and to prevent the generation of particles due to the resist that has adhered and dried.
【0029】なお、第二実施例において、その他の部分
は上記第一実施例と同じであるので、同一部分には同一
符号を付して、その説明は省略する。Since the other parts of the second embodiment are the same as those of the first embodiment, the same parts are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
【0030】上記実施例では板状被処理体が半導体ウエ
ハの場合について説明したが、これに限られるものでは
なく、例えばLCD基板あるいはプリント基板等につい
て同様に処理液を回転塗布するものにも適用できるもの
である。また、上記実施例では回転塗布装置をレジスト
塗布装置に適用した場合について説明したが、レジスト
塗布装置以外にも、例えばエッチング液塗布装置や磁性
液塗布処理等を行う装置にも適用できることは勿論であ
る。In the above embodiment, the case where the plate-shaped object is a semiconductor wafer has been described, but the present invention is not limited to this. For example, the present invention is also applicable to the case where a processing liquid is similarly spin-coated on an LCD substrate or a printed circuit board. It is possible. Further, in the above embodiment, the case where the spin coater is applied to the resist coater has been described, but it is needless to say that the invention can be applied not only to the resist coater but also to, for example, an etching liquid coater or a device for performing a magnetic liquid coater. is there.
【0031】[0031]
【発明の効果】以上説明したように、この発明の処理装
置によれば、以下のような優れた効果が得られる。As described above, according to the processing apparatus of the present invention, the following excellent effects can be obtained.
【0032】1)請求項1記載の処理装置によれば、外
側環状流路の流路面積と中間環状流路の流路面積とを相
等しく設定するので、流路面積の違いによる圧力損失は
小さく抑えられ、排気口から離れた位置においてもエア
−の流れを良好に発生させることができる。したがっ
て、外カップの内壁に当ってミスト状になった処理液を
エア−の流れによって良好に搬送・排出して、被処理体
の表面への飛来を防止し、塗布膜等の均一性を向上させ
ることができる。1) According to the processing apparatus of the first aspect, since the flow passage area of the outer annular flow passage and the flow passage area of the intermediate annular flow passage are set equal to each other, the pressure loss due to the difference in the flow passage area is reduced. It can be kept small, and good air flow can be generated even at a position away from the exhaust port. Therefore, the mist-like treatment liquid that hits the inner wall of the outer cup is satisfactorily conveyed and discharged by the air flow to prevent the treatment liquid from flying to the surface of the object to be treated and improve the uniformity of the coating film. Can be made
【0033】2)請求項2記載の処理装置によれば、内
カップの上面外周縁部を被処理体の径に合わせて半径方
向外方に延出させたので、被処理体の周縁部より裏面側
に回り込もうとするエア−の流れを延出された上面外周
縁部の裏面で阻止することができる。したがって、被処
理体の裏面や内カップの上面に対する処理液の付着を防
止すると共に、パーティクルの発生を防止することがで
きる。2) According to the processing apparatus of claim 2, since the outer peripheral edge portion of the upper surface of the inner cup is extended outward in the radial direction according to the diameter of the object to be processed, the peripheral edge portion of the object to be processed is It is possible to prevent the flow of air that tends to go around to the back surface side at the back surface of the extended outer peripheral edge portion. Therefore, it is possible to prevent the processing liquid from adhering to the back surface of the object to be processed and the upper surface of the inner cup, and to prevent the generation of particles.
【図1】この発明の処理装置を有するレジスト塗布現像
装置の全体を示す概略平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view showing an entire resist coating / developing apparatus having a processing apparatus of the present invention.
【図2】この発明の処理装置の第一実施例を示す断面斜
視図である。FIG. 2 is a sectional perspective view showing a first embodiment of the processing apparatus of the present invention.
【図3】図2の III−III 線に沿う断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along line III-III in FIG.
【図4】この発明における内カップの傾斜部を示す拡大
断面図である。FIG. 4 is an enlarged sectional view showing an inclined portion of the inner cup according to the present invention.
【図5】この発明における外カップの上部開口部を示す
拡大断面図である。FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view showing an upper opening portion of the outer cup according to the present invention.
【図6】この発明の処理装置の第二実施例を示す概略断
面図である。FIG. 6 is a schematic sectional view showing a second embodiment of the processing apparatus of the present invention.
【図7】第二実施例における上面外周縁部を示す拡大断
面図である。FIG. 7 is an enlarged sectional view showing an outer peripheral edge portion of the upper surface in the second embodiment.
【図8】従来の処理装置を示す概略縦断面図である。FIG. 8 is a schematic vertical sectional view showing a conventional processing apparatus.
【図9】図8のIX部を示す拡大断面図である。9 is an enlarged cross-sectional view showing an IX part in FIG.
21 スピンチャック(回転保持手段) 29 内カップ 29a 起立部 29d 外周部 30 外カップ 31a 上面外周縁部 32 排気口 34 仕切部材 35 内側環状流路 36 外側環状流路 37 中間環状流路 S1 外側環状流路の流路面積 S2 中間環状流路の流路面積 W ウエハ(板状被処理体) 21 spin chuck (rotating and holding means) 29 inner cup 29a standing portion 29d outer peripheral portion 30 outer cup 31a upper surface outer peripheral edge portion 32 exhaust port 34 partition member 35 inner annular flow passage 36 outer annular flow passage 37 intermediate annular flow passage S1 outer annular flow Passage area of the passage S2 Passage area of the intermediate annular passage W Wafer (Plate shaped object)
Claims (2)
段と、この回転保持手段を囲繞する外カップと、上記回
転保持手段の被処理体保持部の下方を包囲すべく上記外
カップの底部から起立する内カップと、上記外カップの
底部に起立された仕切部材によって区画される内外二重
の環状流路の内側環状流路に開口する排気口とを具備
し、 上記内カップの上部外周から垂下される外周部にて上記
環状流路を外側及び中間環状流路に区画すると共に、こ
の外側環状流路と中間環状流路の流路面積を相等しく設
定したことを特徴とする処理装置。1. A rotation holding means for holding and rotating an object to be processed, an outer cup surrounding the rotation holding means, and an outer cup for surrounding the lower part of the object holding portion of the rotation holding means. An inner cup standing upright from the bottom, and an exhaust port opening to the inner annular channel of the inner-outer double annular channel partitioned by the partition member standing upright on the bottom of the outer cup, and the upper part of the inner cup A process characterized in that the annular flow path is divided into an outer side and an intermediate annular flow path by an outer peripheral portion that hangs from the outer circumference, and the flow path areas of the outer annular flow path and the intermediate annular flow path are set equal to each other. apparatus.
段と、この回転保持手段の被処理体保持部の下方を包囲
する環状の内カップとを具備する処理装置において、 上記内カップの上面外周縁部に、上記被処理体の径に合
わせて半径方向外方に延出する外周縁部を形成してなる
ことを特徴とする処理装置。2. A processing apparatus comprising: a rotation holding means for holding and rotating an object to be processed; and an annular inner cup surrounding a lower part of the object to be processed holding portion of the rotation holding means. A processing apparatus, wherein an outer peripheral edge portion is formed on the outer peripheral edge portion of the upper surface and extends outward in the radial direction according to the diameter of the object to be processed.
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|---|---|---|---|
| JP4073173A JP2976082B2 (en) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | Processing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007067059A (en) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Tokyo Electron Ltd | Coating film forming device |
| EP2006031A4 (en) * | 2006-03-01 | 2012-04-18 | Tokuyama Corp | PROCESS FOR PRODUCING LAMINATE |
-
1992
- 1992-02-25 JP JP4073173A patent/JP2976082B2/en not_active Expired - Fee Related
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| US8287954B2 (en) | 2005-08-30 | 2012-10-16 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method of forming an applied film |
| EP2006031A4 (en) * | 2006-03-01 | 2012-04-18 | Tokuyama Corp | PROCESS FOR PRODUCING LAMINATE |
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| JP2976082B2 (en) | 1999-11-10 |
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