JPH052033A - 電流センサ及びその検出電流範囲の設定方法 - Google Patents
電流センサ及びその検出電流範囲の設定方法Info
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- JPH052033A JPH052033A JP3194558A JP19455891A JPH052033A JP H052033 A JPH052033 A JP H052033A JP 3194558 A JP3194558 A JP 3194558A JP 19455891 A JP19455891 A JP 19455891A JP H052033 A JPH052033 A JP H052033A
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- G01R15/20—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices
- G01R15/205—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices using magneto-resistance devices, e.g. field plates
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗素子と検出電流が流れる導体とを利
用した電流センサ及びその検出電流範囲の設定方法に関
し、高周波応答特性の改善を目的とする。 【構成】 検出電流ｉを流すことによって電流磁界を発
生させる導体１と、導体１に対応して配され作動電流の
供給を受けて該電流磁界を検出する磁気抵抗素子２と、
導体１及び磁気抵抗素子２を外部磁界から磁気的に遮蔽
する磁気シールド部材３とを備える電流センサにおい
て、磁気シールド部材３が絶縁性ソフトフェライト材料
から形成されるように構成する。検出電流範囲の設定に
は、磁気抵抗素子２と対峙する導体１の所定部の断面形
状を選定するように構成する。
用した電流センサ及びその検出電流範囲の設定方法に関
し、高周波応答特性の改善を目的とする。 【構成】 検出電流ｉを流すことによって電流磁界を発
生させる導体１と、導体１に対応して配され作動電流の
供給を受けて該電流磁界を検出する磁気抵抗素子２と、
導体１及び磁気抵抗素子２を外部磁界から磁気的に遮蔽
する磁気シールド部材３とを備える電流センサにおい
て、磁気シールド部材３が絶縁性ソフトフェライト材料
から形成されるように構成する。検出電流範囲の設定に
は、磁気抵抗素子２と対峙する導体１の所定部の断面形
状を選定するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電流センサ及び電流セ
ンサの検出電流範囲の設定方法に関し、特に、高周波応
答特性の改善を図った電流センサ並びに検出電流範囲の
設定の容易性を図った電流センサの検出電流範囲の設定
方法に関する。
ンサの検出電流範囲の設定方法に関し、特に、高周波応
答特性の改善を図った電流センサ並びに検出電流範囲の
設定の容易性を図った電流センサの検出電流範囲の設定
方法に関する。
【０００２】電流センサとして、センサの小形化及びセ
ンサ感度の向上等の目的のため、磁気抵抗素子を介して
検出電流が発生させる電流磁界を検出する方式を採用し
た磁気抵抗効果利用型の電流センサ（磁気検出装置）が
特開平１−２９９４８１号公報に提案されている。
ンサ感度の向上等の目的のため、磁気抵抗素子を介して
検出電流が発生させる電流磁界を検出する方式を採用し
た磁気抵抗効果利用型の電流センサ（磁気検出装置）が
特開平１−２９９４８１号公報に提案されている。
【０００３】
【従来の技術】図１６に基づいて、前記公報記載の磁気
抵抗効果利用型の従来の電流センサについて説明する。
同図において、１は導体、２は磁気抵抗素子、３はパー
マロイ板から成る磁気遮蔽容器である。この電流センサ
では、導体１に外部から流入する検出電流ｉによって電
流磁界Ｈを発生させ、別に作動のための電流をリード部
６を介して供給されている磁気抵抗素子２によって前記
電流磁界Ｈを抵抗変化に変えており、別の検出部を介し
てこの抵抗変化を検出する。電流センサの外側には、外
部磁界Ｈｅｘから電流センサを磁気的に遮蔽するための
磁気遮蔽容器３が電流センサ全体を取り囲むように配さ
れている。
抵抗効果利用型の従来の電流センサについて説明する。
同図において、１は導体、２は磁気抵抗素子、３はパー
マロイ板から成る磁気遮蔽容器である。この電流センサ
では、導体１に外部から流入する検出電流ｉによって電
流磁界Ｈを発生させ、別に作動のための電流をリード部
６を介して供給されている磁気抵抗素子２によって前記
電流磁界Ｈを抵抗変化に変えており、別の検出部を介し
てこの抵抗変化を検出する。電流センサの外側には、外
部磁界Ｈｅｘから電流センサを磁気的に遮蔽するための
磁気遮蔽容器３が電流センサ全体を取り囲むように配さ
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記公報記載の電流セ
ンサの場合、磁気遮蔽容器３はパーマロイ板材から形成
されている。パーマロイ板材から成る磁気遮蔽は、磁気
遮蔽としてきわめて一般的で効果的な方法として知られ
ている。しかし、この磁気遮蔽は、検出電流によって発
生する電流磁界のために磁気遮蔽容器内部に渦電流が発
生するという問題がある。この渦電流による磁界は、検
出電流による電流磁界を弱めるように作用し、このため
検出電流がパルス波形等の如き急峻な波形を有する場合
には、この電流センサの出力波形が検出電流のパルス波
形を忠実に再現できないことにつながり、繰返し周波数
の高いパルス電流の検出には使用できない等、センサの
用途に制約が生ずる。
ンサの場合、磁気遮蔽容器３はパーマロイ板材から形成
されている。パーマロイ板材から成る磁気遮蔽は、磁気
遮蔽としてきわめて一般的で効果的な方法として知られ
ている。しかし、この磁気遮蔽は、検出電流によって発
生する電流磁界のために磁気遮蔽容器内部に渦電流が発
生するという問題がある。この渦電流による磁界は、検
出電流による電流磁界を弱めるように作用し、このため
検出電流がパルス波形等の如き急峻な波形を有する場合
には、この電流センサの出力波形が検出電流のパルス波
形を忠実に再現できないことにつながり、繰返し周波数
の高いパルス電流の検出には使用できない等、センサの
用途に制約が生ずる。
【０００５】また、電流センサは、きわめて小形化が要
請されており、小さな磁気遮蔽容器内部に収容する必要
があるため、導体及び磁気抵抗素子の形状・寸法等の構
造に大きな制約が加えられる。このため、その構造の簡
素化及び製作コストの低減、並びに大量生産に適合した
構造とすることを前提として、様々な電流値を有する検
出電流に対していかに電流センサの検出電流範囲を設定
するかという点が問題となる。しかし、前記公報の場
合、この点についての開示はない。
請されており、小さな磁気遮蔽容器内部に収容する必要
があるため、導体及び磁気抵抗素子の形状・寸法等の構
造に大きな制約が加えられる。このため、その構造の簡
素化及び製作コストの低減、並びに大量生産に適合した
構造とすることを前提として、様々な電流値を有する検
出電流に対していかに電流センサの検出電流範囲を設定
するかという点が問題となる。しかし、前記公報の場
合、この点についての開示はない。
【０００６】本発明の第一の目的は、上記従来の電流セ
ンサの問題に鑑み、パルス波形等の急峻な波形を有する
検出電流についても、センサの出力波形において検出電
流波形を忠実に再現でき、繰返し周波数の高いパルス電
流についても精度の高い電流センサを提供することに存
する。
ンサの問題に鑑み、パルス波形等の急峻な波形を有する
検出電流についても、センサの出力波形において検出電
流波形を忠実に再現でき、繰返し周波数の高いパルス電
流についても精度の高い電流センサを提供することに存
する。
【０００７】更に本発明の第二の目的は、同様に従来の
電流センサの有する問題に鑑み、センサ形状が簡素化で
き、製作コストが低減できると共に大量生産が可能な電
流センサの検出電流範囲の設定方法の提供に存する。
電流センサの有する問題に鑑み、センサ形状が簡素化で
き、製作コストが低減できると共に大量生産が可能な電
流センサの検出電流範囲の設定方法の提供に存する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の基本構成
を示す概念図である。同図において１は導体、２は磁気
抵抗素子、３は磁気シールド部材を夫々示す。本発明で
は、前記第一の目的を達成するため、検出電流ｉを介し
て電流磁界を発生する導体１と、作動電流の供給を受け
ると共に導体１と対応して配される磁気抵抗素子２と、
導体１及び磁気抵抗素子２を外部磁界から磁気的に遮蔽
する磁気シールド部材３とを備える電流センサにおい
て、磁気シールド部材３が絶縁性ソフトフェライト材料
から形成されるように構成し、また前記第二の目的を達
成するため、検出電流ｉを介して電流磁界を発生する導
体１と、作動電流の供給を受けると共に導体１と対応し
て配される磁気抵抗素子２と、導体１及び磁気抵抗素子
２を外部磁界から磁気的に遮蔽する磁気シールド部材３
とを備える電流センサの検出電流範囲の設定方法におい
て、導体１の、磁気抵抗素子２と対峙する所定部の断面
形状の選定により、前記検出電流の範囲を設定するよう
に、さらに所定部の断面形状の選定に際して、導体１の
所定部の幅寸法または厚さ寸法を変えることによって構
成する。
を示す概念図である。同図において１は導体、２は磁気
抵抗素子、３は磁気シールド部材を夫々示す。本発明で
は、前記第一の目的を達成するため、検出電流ｉを介し
て電流磁界を発生する導体１と、作動電流の供給を受け
ると共に導体１と対応して配される磁気抵抗素子２と、
導体１及び磁気抵抗素子２を外部磁界から磁気的に遮蔽
する磁気シールド部材３とを備える電流センサにおい
て、磁気シールド部材３が絶縁性ソフトフェライト材料
から形成されるように構成し、また前記第二の目的を達
成するため、検出電流ｉを介して電流磁界を発生する導
体１と、作動電流の供給を受けると共に導体１と対応し
て配される磁気抵抗素子２と、導体１及び磁気抵抗素子
２を外部磁界から磁気的に遮蔽する磁気シールド部材３
とを備える電流センサの検出電流範囲の設定方法におい
て、導体１の、磁気抵抗素子２と対峙する所定部の断面
形状の選定により、前記検出電流の範囲を設定するよう
に、さらに所定部の断面形状の選定に際して、導体１の
所定部の幅寸法または厚さ寸法を変えることによって構
成する。
【０００９】
【作用】磁気シールド部材を絶縁性フェライトから形成
することで、電流磁界のために磁気シールド部材内に発
生する渦電流を防止できるので電流磁界を弱める虞れが
なく、また絶縁性ソフトフェライト材料は透磁率μの周
波数特性が一様であるため、検出電流の波形が忠実に再
現できる。
することで、電流磁界のために磁気シールド部材内に発
生する渦電流を防止できるので電流磁界を弱める虞れが
なく、また絶縁性ソフトフェライト材料は透磁率μの周
波数特性が一様であるため、検出電流の波形が忠実に再
現できる。
【００１０】導体の所定部の断面形状の選定によって電
流センサの検出電流範囲を設定するという構成により、
磁気抵抗素子及び磁気シールド部材の形状・寸法を変え
ることなく、多数の検出電流値に適合可能な電流センサ
を供給できる。
流センサの検出電流範囲を設定するという構成により、
磁気抵抗素子及び磁気シールド部材の形状・寸法を変え
ることなく、多数の検出電流値に適合可能な電流センサ
を供給できる。
【００１１】
【実施例】図面に基いて本発明を更に説明する。図２は
本発明の一実施例に係る電流センサの要部を示す斜視図
である。同図において、１は導体、２は磁気抵抗素子、
３は磁気シールド部材を成す遮蔽板を夫々示す。この実
施例の電流センサでは、非磁性材料、好ましくは樹脂材
料から形成される支持ボード５上に磁気抵抗素子２が支
持されており、磁気抵抗素子２の図示されないリード部
は支持ボード５を図面上で見て下側に貫通している。
本発明の一実施例に係る電流センサの要部を示す斜視図
である。同図において、１は導体、２は磁気抵抗素子、
３は磁気シールド部材を成す遮蔽板を夫々示す。この実
施例の電流センサでは、非磁性材料、好ましくは樹脂材
料から形成される支持ボード５上に磁気抵抗素子２が支
持されており、磁気抵抗素子２の図示されないリード部
は支持ボード５を図面上で見て下側に貫通している。
【００１２】導体１は、両端の端子部１Ａで幅が広く形
成され、磁気抵抗素子２に対峙する中央部（所定部）１
Ｂで幅が狭く形成されており、全体として帯状をなす銅
板から製作され、図示しない静電遮蔽を兼ねるケースに
よって絶縁材を介して支持される。
成され、磁気抵抗素子２に対峙する中央部（所定部）１
Ｂで幅が狭く形成されており、全体として帯状をなす銅
板から製作され、図示しない静電遮蔽を兼ねるケースに
よって絶縁材を介して支持される。
【００１３】さらに、磁気抵抗素子２の中心を通る垂線
２ａが、導体中央部１Ｂの長さ方向の中心線１ａに交差
する導体１は、磁気抵抗素子２と対峙する所定部を成す
中央部１Ｂにおいて幅ａの大きさを所定値に選定され、
磁気シールド部材を成す磁気遮蔽板３は、その一部を破
線にて示すように、支持ボード５の溝５１内に挿入され
て支持される。この実施例の導体１の場合、導体厚みｔ
が３mm、導体全長が約３０mm、導体幅は、１Ａ部分では
約１５mm、１Ｂ部分のａの値として約５mmが、夫々採用
されている。
２ａが、導体中央部１Ｂの長さ方向の中心線１ａに交差
する導体１は、磁気抵抗素子２と対峙する所定部を成す
中央部１Ｂにおいて幅ａの大きさを所定値に選定され、
磁気シールド部材を成す磁気遮蔽板３は、その一部を破
線にて示すように、支持ボード５の溝５１内に挿入され
て支持される。この実施例の導体１の場合、導体厚みｔ
が３mm、導体全長が約３０mm、導体幅は、１Ａ部分では
約１５mm、１Ｂ部分のａの値として約５mmが、夫々採用
されている。
【００１４】図３（イ）及び（ロ）は夫々、図２で示し
た実施例のセンサの全体構造を示すための側面断面図及
び平面図である。なお、同図に示したように、この電流
センサは静電遮蔽をなすケース４で全体が覆われた構造
を有し、ケース４内部に支持ボード５が支持されてい
る。
た実施例のセンサの全体構造を示すための側面断面図及
び平面図である。なお、同図に示したように、この電流
センサは静電遮蔽をなすケース４で全体が覆われた構造
を有し、ケース４内部に支持ボード５が支持されてい
る。
【００１５】磁気抵抗素子２は、絶縁カバー８内に収納
され、支持ボード５を貫通するリード部２Ａを介して支
持ボード５に支持されており、リード部２Ａと外部リー
ド線６とが接続される。多数の磁気遮蔽板３は前記の如
く支持ボード５の構内に挿入されて支持ボード５によっ
て支持されており、内部点検等のため取外し自在であ
る。
され、支持ボード５を貫通するリード部２Ａを介して支
持ボード５に支持されており、リード部２Ａと外部リー
ド線６とが接続される。多数の磁気遮蔽板３は前記の如
く支持ボード５の構内に挿入されて支持ボード５によっ
て支持されており、内部点検等のため取外し自在であ
る。
【００１６】図４は、本発明の電流センサで磁気遮蔽と
して採用される絶縁性ソフトフェライトの一般的な透磁
率μの周波数特性を通常の磁気遮蔽材であるパーマロイ
の透磁率μの周波数特性と対照させて示したものであ
る。
して採用される絶縁性ソフトフェライトの一般的な透磁
率μの周波数特性を通常の磁気遮蔽材であるパーマロイ
の透磁率μの周波数特性と対照させて示したものであ
る。
【００１７】同図に示したように各種の選択ソフトフェ
ライト材料は、いずれも透磁率μの周波数特性がきわめ
て平坦であり、このためパルス波からなる入力電流の検
出にあたっても、パーマロイを磁気遮蔽として使用した
従来の電流センサに比して、出力波形における入力波形
の再現性がきわめて良好となる。
ライト材料は、いずれも透磁率μの周波数特性がきわめ
て平坦であり、このためパルス波からなる入力電流の検
出にあたっても、パーマロイを磁気遮蔽として使用した
従来の電流センサに比して、出力波形における入力波形
の再現性がきわめて良好となる。
【００１８】図３に戻り、導体１は取付孔９内に挿入さ
れる取付ボルトを介して絶縁台７上部に支持されて磁気
抵抗素子２の絶縁カバー８直下に配されている。導体１
は、両端の端子部１Ａにおいて外部リード６と接続され
て検出電流ｉを供給される。導体１は、磁気抵抗素子２
と対峙する所定部を成す中央部１Ｂの幅ａの大きさ、或
いは厚みｔの寸法によって、検出電流範囲が設定され
る。好ましくは、厚みｔを一定として中央部１Ｂの幅ａ
の選定が採用される。
れる取付ボルトを介して絶縁台７上部に支持されて磁気
抵抗素子２の絶縁カバー８直下に配されている。導体１
は、両端の端子部１Ａにおいて外部リード６と接続され
て検出電流ｉを供給される。導体１は、磁気抵抗素子２
と対峙する所定部を成す中央部１Ｂの幅ａの大きさ、或
いは厚みｔの寸法によって、検出電流範囲が設定され
る。好ましくは、厚みｔを一定として中央部１Ｂの幅ａ
の選定が採用される。
【００１９】導体１の厚みｔを、中央部１Ｂの長さに対
して十分に小さくすれば、検出電流ｉによって磁気抵抗
素子２に生ずる電流電界は、 Ｈ＝（１／４π）・（ｉ／ａ）・（θ１−θ２） （但しθ１及びθ２は磁界測定点と導体両側部とを結ぶ
線と導体面のなす角度）である。導体１と磁気抵抗素子
２との相対位置を決めることでθ１−θ２は一定とな
り、この式によって導体１の中央部１Ｂの幅ａによっ
て、磁気抵抗素子２の位置における磁界の大きさが選定
される。
して十分に小さくすれば、検出電流ｉによって磁気抵抗
素子２に生ずる電流電界は、 Ｈ＝（１／４π）・（ｉ／ａ）・（θ１−θ２） （但しθ１及びθ２は磁界測定点と導体両側部とを結ぶ
線と導体面のなす角度）である。導体１と磁気抵抗素子
２との相対位置を決めることでθ１−θ２は一定とな
り、この式によって導体１の中央部１Ｂの幅ａによっ
て、磁気抵抗素子２の位置における磁界の大きさが選定
される。
【００２０】導体幅の選定の様子は図１１のグラフに示
されている。同図において、横軸は磁気抵抗素子２と対
峙する所定部を成す導体１の中央部１Ｂの幅を、縦軸
は、検出電流の通電によって生ずる導体内部の電力損
（Ｗ）及び換算発生磁界（０ｅ）をとっている。なお、
図の値は導体厚みｔを３mmとしたときの値である。
されている。同図において、横軸は磁気抵抗素子２と対
峙する所定部を成す導体１の中央部１Ｂの幅を、縦軸
は、検出電流の通電によって生ずる導体内部の電力損
（Ｗ）及び換算発生磁界（０ｅ）をとっている。なお、
図の値は導体厚みｔを３mmとしたときの値である。
【００２１】曲線（ａ），（ｂ）は夫々、検出電流が２
００Ａのときの電流損及び発生磁界を、曲線（ｃ），
（ｄ）は夫々、検出電流が１００Ａのときの電流損及び
換算発生磁界を、曲線（ｅ），（ｆ）は夫々、検出電流
が５０Ａのときの電流損及び換算発生磁界を、示してい
る。
００Ａのときの電流損及び発生磁界を、曲線（ｃ），
（ｄ）は夫々、検出電流が１００Ａのときの電流損及び
換算発生磁界を、曲線（ｅ），（ｆ）は夫々、検出電流
が５０Ａのときの電流損及び換算発生磁界を、示してい
る。
【００２２】電流損の0.4 Ｗの位置に示した下向きの矢
印は、各検出電流値に対して電力損をこの値0.4 Ｗ以下
にするように導体幅ａを選定することを意味し、換算発
生磁界の１５０ｅの位置に示した上向きの矢印は、磁気
抵抗素子の磁界検出感度を考慮して検出電流の発生磁界
Ｈｘがこの値１５０ｅ以上となるように導体幅を選定す
ることを意味している。
印は、各検出電流値に対して電力損をこの値0.4 Ｗ以下
にするように導体幅ａを選定することを意味し、換算発
生磁界の１５０ｅの位置に示した上向きの矢印は、磁気
抵抗素子の磁界検出感度を考慮して検出電流の発生磁界
Ｈｘがこの値１５０ｅ以上となるように導体幅を選定す
ることを意味している。
【００２３】例えば検出電流の最大値が１００Ａの場合
には、電力損0.4 Ｗ上になる曲線（ｄ）の位置Ａから、
導体幅が約３mm以上として得られ、発生磁界１５０ｅ上
にある曲線（ｃ）の位置Ｂから導体幅１２mm以下が得ら
れ、この範囲内の導体幅、例えば7.5mm 幅の導体幅が選
定される。
には、電力損0.4 Ｗ上になる曲線（ｄ）の位置Ａから、
導体幅が約３mm以上として得られ、発生磁界１５０ｅ上
にある曲線（ｃ）の位置Ｂから導体幅１２mm以下が得ら
れ、この範囲内の導体幅、例えば7.5mm 幅の導体幅が選
定される。
【００２４】このようにすると、他の部材、及び要素の
サイズ、配置、形状等の変更を要することなく、単に導
体幅ａの選定のみで種々の大きさの検出電流に対してセ
ンサの最も適当な磁界感度範囲を適合させることができ
て好適である。
サイズ、配置、形状等の変更を要することなく、単に導
体幅ａの選定のみで種々の大きさの検出電流に対してセ
ンサの最も適当な磁界感度範囲を適合させることができ
て好適である。
【００２５】導体の所定部の幅ａの選定に代えて厚みｔ
の選定によって検出電流範囲を設定することも可能であ
り、また導体の側面部を磁気抵抗素子に対峙させ、導体
の幅ａの選定により検出電流範囲を設定することもで
き、いずれも本発明の電流センサの検出電流範囲の設定
方法に含まれる。後者の場合、厚みｔを小として Ｈ＝（１／４π）・（ｉ／ａ）・ｌｏｇ（ｒ２／ｒ１） （ｒ１，ｒ２は夫々導体両側面と磁気抵抗素子との距
離）の式が利用できる。
の選定によって検出電流範囲を設定することも可能であ
り、また導体の側面部を磁気抵抗素子に対峙させ、導体
の幅ａの選定により検出電流範囲を設定することもで
き、いずれも本発明の電流センサの検出電流範囲の設定
方法に含まれる。後者の場合、厚みｔを小として Ｈ＝（１／４π）・（ｉ／ａ）・ｌｏｇ（ｒ２／ｒ１） （ｒ１，ｒ２は夫々導体両側面と磁気抵抗素子との距
離）の式が利用できる。
【００２６】上記実施例では、磁気抵抗素子はバーバー
ポール形磁気抵抗素子が採用されている。図６は、この
実施例で採用されるバーバーポール形磁気抵抗素子２の
構成を示す平面略図である。
ポール形磁気抵抗素子が採用されている。図６は、この
実施例で採用されるバーバーポール形磁気抵抗素子２の
構成を示す平面略図である。
【００２７】図６において、四個の各磁気抵抗素子部分
２−１〜２−４は外部端子２１〜２４を介してホイート
ストーンブリッジとして接続されており、導体パターン
の形成方向を除いて互いに同じ形状を有する。この形式
の磁気抵抗素子２は、特開昭６４−２２０７６号公報に
記載されたものと同様な構成を有している。各磁気抵抗
素子部分２−１〜２−４は長い直線状部２５がつづら状
に直列に接続されている。
２−１〜２−４は外部端子２１〜２４を介してホイート
ストーンブリッジとして接続されており、導体パターン
の形成方向を除いて互いに同じ形状を有する。この形式
の磁気抵抗素子２は、特開昭６４−２２０７６号公報に
記載されたものと同様な構成を有している。各磁気抵抗
素子部分２−１〜２−４は長い直線状部２５がつづら状
に直列に接続されている。
【００２８】図７は上記バーバーポール形磁気抵抗素子
の直線状部２５の基本構成を略図的に示す各磁気抵抗素
子部分２−１〜２−４の部分拡大平面図であり、同図
（イ）は四つの内二つの磁気抵抗素子部分２−１及び２
−３の直線状部２５の構成を、同図（ロ）は別の二つの
磁気抵抗素子部分２−２及び２−４の直線状部２５の構
成を、夫々示す。同図において、２６は例えばパーマロ
イ（Ｎｉ−Ｆｅ）から成る磁性薄膜を、２７，２８は例
えば金（Ａｕ）から成る導体パターンを示し、導体パタ
ーンは両端の電極部２７と中央の帯状導体層２８とから
成る。
の直線状部２５の基本構成を略図的に示す各磁気抵抗素
子部分２−１〜２−４の部分拡大平面図であり、同図
（イ）は四つの内二つの磁気抵抗素子部分２−１及び２
−３の直線状部２５の構成を、同図（ロ）は別の二つの
磁気抵抗素子部分２−２及び２−４の直線状部２５の構
成を、夫々示す。同図において、２６は例えばパーマロ
イ（Ｎｉ−Ｆｅ）から成る磁性薄膜を、２７，２８は例
えば金（Ａｕ）から成る導体パターンを示し、導体パタ
ーンは両端の電極部２７と中央の帯状導体層２８とから
成る。
【００２９】磁性薄膜２６は図示Ｍ方向に一軸磁気異方
性を与えられると共に初期磁化されており、各導体パタ
ーン２７，２８は、この磁性膜２６上に薄層として形成
され、左右両端の電極部分２６を結ぶ線に対し４５度で
傾斜して所定間隔で配列された多数の帯状導体層２８と
でバーバーポール様のパターンに形成される。
性を与えられると共に初期磁化されており、各導体パタ
ーン２７，２８は、この磁性膜２６上に薄層として形成
され、左右両端の電極部分２６を結ぶ線に対し４５度で
傾斜して所定間隔で配列された多数の帯状導体層２８と
でバーバーポール様のパターンに形成される。
【００３０】図７（イ），（ロ）にて示したように磁気
抵抗素子部分２−１，２−３と磁気抵抗素子部分２−
２，２−４とは互いに９０度異なる方向に帯状導体層２
８が配されており、いずれの帯状導体層の方向も初期磁
化の方向Ｍ及び電流磁界Ｈの方向と４５度方向又は１３
５度方向である。この構成に従い、各磁性薄膜２６を流
れる電流方向ｍは図示した方向、即ち帯状導体層２８の
長軸と直角方向である。
抵抗素子部分２−１，２−３と磁気抵抗素子部分２−
２，２−４とは互いに９０度異なる方向に帯状導体層２
８が配されており、いずれの帯状導体層の方向も初期磁
化の方向Ｍ及び電流磁界Ｈの方向と４５度方向又は１３
５度方向である。この構成に従い、各磁性薄膜２６を流
れる電流方向ｍは図示した方向、即ち帯状導体層２８の
長軸と直角方向である。
【００３１】図８は各バーバーポール形磁気抵抗素子部
分における抵抗変化を示す作用説明図である。曲線
（ａ），（ｂ）は夫々図７に示した磁気抵抗素子の直線
状部２５の構成説明図の（イ），（ロ）と対応して示し
てある。
分における抵抗変化を示す作用説明図である。曲線
（ａ），（ｂ）は夫々図７に示した磁気抵抗素子の直線
状部２５の構成説明図の（イ），（ロ）と対応して示し
てある。
【００３２】図８に示したように電流磁界Ｈの増加に伴
って、図７（イ）の直線状部２５を有する磁気抵抗素子
部分２−１，２−３は抵抗値が増大し、図７（ロ）の直
線状部２５を有する磁気抵抗素子部分２−２，２−４は
抵抗値が減少する。
って、図７（イ）の直線状部２５を有する磁気抵抗素子
部分２−１，２−３は抵抗値が増大し、図７（ロ）の直
線状部２５を有する磁気抵抗素子部分２−２，２−４は
抵抗値が減少する。
【００３３】更に、外部磁界が反転する場合には抵抗変
化は逆になり、通常の磁気抵抗素子が磁界の正負方向に
対して同じ抵抗変化を起こすのとは異なる。このため、
ホイートストーンブリッジ回路として構成した実施例の
電流センサの場合、検出電流の極性の判別も可能であ
る。
化は逆になり、通常の磁気抵抗素子が磁界の正負方向に
対して同じ抵抗変化を起こすのとは異なる。このため、
ホイートストーンブリッジ回路として構成した実施例の
電流センサの場合、検出電流の極性の判別も可能であ
る。
【００３４】図９（イ），（ロ）に示した各曲線は、磁
性薄膜７１の初期磁化と夫々逆方向又は順方向に永久磁
石によって磁気抵抗素子にバイアス磁界を与えた場合の
抵抗変化を示す特性図である。
性薄膜７１の初期磁化と夫々逆方向又は順方向に永久磁
石によって磁気抵抗素子にバイアス磁界を与えた場合の
抵抗変化を示す特性図である。
【００３５】同図に示すように、永久磁石のバイアス磁
界の方向及び大きさを種々選定することにより、特定回
路の制御電流の大きさに適合させることができる。ま
た、同図（ロ）の順方向バイアスの場合、バイアス磁界
を大きくすると、曲線Ｆから順次曲線Ｋに移行し、磁界
と抵抗変化との関係が、リニアになるというメリットも
ある。同図（イ）の如く永久磁石のバイアス方向を初期
磁化の方向と逆方向にする場合において、バイアス磁界
が大きいときには磁気抵抗素子は感度が低下し、更に大
きいときには出力特性が逆転する。
界の方向及び大きさを種々選定することにより、特定回
路の制御電流の大きさに適合させることができる。ま
た、同図（ロ）の順方向バイアスの場合、バイアス磁界
を大きくすると、曲線Ｆから順次曲線Ｋに移行し、磁界
と抵抗変化との関係が、リニアになるというメリットも
ある。同図（イ）の如く永久磁石のバイアス方向を初期
磁化の方向と逆方向にする場合において、バイアス磁界
が大きいときには磁気抵抗素子は感度が低下し、更に大
きいときには出力特性が逆転する。
【００３６】図１０はバーバーポール形磁気抵抗素子の
一般的な構造を示すための断面図である。なお、同図で
は磁気抵抗素子２の磁性薄膜の初期磁化方向Ｍと同方向
Ｍ0 に、永久磁石２０１のバイアス磁界を与える例につ
いて示してある。
一般的な構造を示すための断面図である。なお、同図で
は磁気抵抗素子２の磁性薄膜の初期磁化方向Ｍと同方向
Ｍ0 に、永久磁石２０１のバイアス磁界を与える例につ
いて示してある。
【００３７】同図において、この磁気抵抗素子２は、永
久磁石２０１上にＳｉ基板２０２を設け、該Ｓｉ基板上
に、ＳｉＯ2 膜２０３，パーマロイの磁性薄膜２０４，
密着層２０５，導体層２０６を順次積層すると共に所定
のパターンに形成し、更にその上から保護層２０７によ
って全体が覆われる。
久磁石２０１上にＳｉ基板２０２を設け、該Ｓｉ基板上
に、ＳｉＯ2 膜２０３，パーマロイの磁性薄膜２０４，
密着層２０５，導体層２０６を順次積層すると共に所定
のパターンに形成し、更にその上から保護層２０７によ
って全体が覆われる。
【００３８】磁性薄膜２０４は、図示Ｍ方向に一軸磁気
異方性が与えられ、且つ初期磁化がなされている。永久
磁石として、フェライト磁石，Ｆｅ−Ｃｒ−Ｃｏ磁石，
或いはアルニコ磁石等を用いることができる。
異方性が与えられ、且つ初期磁化がなされている。永久
磁石として、フェライト磁石，Ｆｅ−Ｃｒ−Ｃｏ磁石，
或いはアルニコ磁石等を用いることができる。
【００３９】図１２は上記実施例の電流センサ及びそれ
に付属する増幅器を介して得られる出力波形を説明する
ための図であり、（イ）は検出電流（入力電流）波形
を、（ロ）は本実施例の電流センサの出力波形を、夫々
示している。
に付属する増幅器を介して得られる出力波形を説明する
ための図であり、（イ）は検出電流（入力電流）波形
を、（ロ）は本実施例の電流センサの出力波形を、夫々
示している。
【００４０】同図に示したように本実施例の電流センサ
の出力波形は、検出される入力電流波形をかなり忠実に
再現できており、高周波応答特性（特にスリューレー
ト）の改善がなされている。
の出力波形は、検出される入力電流波形をかなり忠実に
再現できており、高周波応答特性（特にスリューレー
ト）の改善がなされている。
【００４１】なお、上記実施例の出力波形との比較のた
め、一例として磁気コアとコイルとを使用した形式の従
来の電流センサの出力波形を同図（ハ）に示した。図５
は本発明の別の実施例の電流センサである。図２に示し
た実施例１の電流センサとの違いは、導体１が静電遮蔽
ケース及び磁気シールド部材の開口部から露出してお
り、且つ静電ケース下側から交換可能にした点である。
め、一例として磁気コアとコイルとを使用した形式の従
来の電流センサの出力波形を同図（ハ）に示した。図５
は本発明の別の実施例の電流センサである。図２に示し
た実施例１の電流センサとの違いは、導体１が静電遮蔽
ケース及び磁気シールド部材の開口部から露出してお
り、且つ静電ケース下側から交換可能にした点である。
【００４２】このようにすると一つの電流センサにおい
て導体の所定部の断面形状、例えば導体幅を変えること
により、種々の検出電流範囲に対応可能とすることがで
きるという利点がある。この場合導体幅の選定範囲を、
単に所定部を成す中央部の範囲にとどめることとすれ
ば、導体取付部の形状を変える必要がないので、導体の
互換性が確保される。
て導体の所定部の断面形状、例えば導体幅を変えること
により、種々の検出電流範囲に対応可能とすることがで
きるという利点がある。この場合導体幅の選定範囲を、
単に所定部を成す中央部の範囲にとどめることとすれ
ば、導体取付部の形状を変える必要がないので、導体の
互換性が確保される。
【００４３】図１３は本発明の他の実施例による電流セ
ンサの要部を示す斜視図、図１４は図１３に示す導体を
使用した電流センサの測定電流と発生磁界，電力損失と
の関係を示す図（その１）、図１５は図１３に示す導体
を使用した電流センサの測定電流と発生磁界，電力損失
との関係を示す図（その２）である。
ンサの要部を示す斜視図、図１４は図１３に示す導体を
使用した電流センサの測定電流と発生磁界，電力損失と
の関係を示す図（その１）、図１５は図１３に示す導体
を使用した電流センサの測定電流と発生磁界，電力損失
との関係を示す図（その２）である。
【００４４】図１３において、１は導体、２は磁気抵抗
素子であり、平面視コ字形の導体１は、磁気抵抗素子２
に対峙する中央部１Ｄが両端の端子部１Ｃより小断面に
形成されている。導体１は、磁気抵抗素子２に対峙する
中央部（所定部）１Ｄの中心線１ａが磁気抵抗素子２の
中心を通る垂線２ａと交差しないように配せられ、中央
部１Ｄの幅をａ，厚さをｔとしたとき、検出電流の強さ
に対する中央部１Ｄの断面形状は、幅ａまたは厚さｔを
変えることになる。
素子であり、平面視コ字形の導体１は、磁気抵抗素子２
に対峙する中央部１Ｄが両端の端子部１Ｃより小断面に
形成されている。導体１は、磁気抵抗素子２に対峙する
中央部（所定部）１Ｄの中心線１ａが磁気抵抗素子２の
中心を通る垂線２ａと交差しないように配せられ、中央
部１Ｄの幅をａ，厚さをｔとしたとき、検出電流の強さ
に対する中央部１Ｄの断面形状は、幅ａまたは厚さｔを
変えることになる。
【００４５】そこで、例えば銅板よりなり検出電流が２
００Ａである導体１が、図１３に実線で示すコ字形であ
りその厚さｔが６mm, 幅ａが４mmのとき、検出電流が１
００Ａである導体１は、図１３に破線で示す如く削除し
て幅ａを1.５mmとし、検出電流を５０Ａとするには、図
１３に二点鎖線で示す如く削除して幅ａを0.８mmとす
る。
００Ａである導体１が、図１３に実線で示すコ字形であ
りその厚さｔが６mm, 幅ａが４mmのとき、検出電流が１
００Ａである導体１は、図１３に破線で示す如く削除し
て幅ａを1.５mmとし、検出電流を５０Ａとするには、図
１３に二点鎖線で示す如く削除して幅ａを0.８mmとす
る。
【００４６】図１４は、図１３に示す導体中央部の厚さ
を変える方法で形成した５０Ａ用，１００Ａ用，２００
Ａ用導体１に付いて発生磁界（Ｏe)を実測し、その測定
値をプロットしたものである。図１５は、図１３に示す
導体中央部の幅を変える方法で形成した５０Ａ用，１０
０Ａ用，２００Ａ用導体１に付いて発生磁界（Ｏe)を実
測し、その測定値をプロットしたものである。
を変える方法で形成した５０Ａ用，１００Ａ用，２００
Ａ用導体１に付いて発生磁界（Ｏe)を実測し、その測定
値をプロットしたものである。図１５は、図１３に示す
導体中央部の幅を変える方法で形成した５０Ａ用，１０
０Ａ用，２００Ａ用導体１に付いて発生磁界（Ｏe)を実
測し、その測定値をプロットしたものである。
【００４７】図１４および図１５から明らかなように、
導体中央部の断面形状を変えることによって、２００Ａ
用導体１から実用的な５０Ａ用，１００Ａ用導体１が、
容易に製造される。しかし、コ字形導体１を基本体とし
たとき、導体中央部の断面形状の変化は、幅を変えたも
のより厚さを変えた方が、低電流に対する発生磁界が大
きくなるため有利である。
導体中央部の断面形状を変えることによって、２００Ａ
用導体１から実用的な５０Ａ用，１００Ａ用導体１が、
容易に製造される。しかし、コ字形導体１を基本体とし
たとき、導体中央部の断面形状の変化は、幅を変えたも
のより厚さを変えた方が、低電流に対する発生磁界が大
きくなるため有利である。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、磁気シールド部材を絶縁性ソフトフェライト材料か
ら形成したことにより、高周波応答特性に秀れ、検出電
流の波形を忠実に再現できる電流センサを提供すること
ができる。また導体幅の選定により検出電流範囲を設定
することで、磁気抵抗素子及び磁気遮蔽部材の変更を要
することなく種々の電流値に対応可能となるので、互換
性に秀れる電流センサの検出電流範囲の設定方法を提供
できる。
は、磁気シールド部材を絶縁性ソフトフェライト材料か
ら形成したことにより、高周波応答特性に秀れ、検出電
流の波形を忠実に再現できる電流センサを提供すること
ができる。また導体幅の選定により検出電流範囲を設定
することで、磁気抵抗素子及び磁気遮蔽部材の変更を要
することなく種々の電流値に対応可能となるので、互換
性に秀れる電流センサの検出電流範囲の設定方法を提供
できる。
【図１】 本発明の電流センサの基本的構成図である。
【図２】 実施例１の電流センサの要部斜視図である。
【図３】 実施例１の電流センサの断面図と平面図であ
る。
る。
【図４】 フェライトとパーマロイの透磁率μの周波数
特性の説明図である。
特性の説明図である。
【図５】 実施例２の電流センサの断面図である。
【図６】 バーバーポール形磁気抵抗素子の概略平面図
である。
である。
【図７】 バーバーポール形磁気抵抗素子の直線状部の
構成説明図である。
構成説明図である。
【図８】 バーバーポール形磁気抵抗素子の作用説明図
である。
である。
【図９】 バーバーポール形磁気抵抗素子のバイアス磁
界による安定化の説明図である。
界による安定化の説明図である。
【図１０】 バーバーポール形磁気抵抗素子の構造断面
図である。
図である。
【図１１】 電流センサの導体幅と電力損及び発生磁界
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
【図１２】 電流センサの波形説明図である。
【図１３】 本発明の他の実施例による電流センサの要
部を示す斜視図である。
部を示す斜視図である。
【図１４】 図１３に示す導体を使用した電流センサの
測定電流と発生磁界，電力損失との関係を示す図（その
１）である。
測定電流と発生磁界，電力損失との関係を示す図（その
１）である。
【図１５】 図１３に示す導体を使用した電流センサの
測定電流と発生磁界，電力損失との関係を示す図（その
２）である。
測定電流と発生磁界，電力損失との関係を示す図（その
２）である。
【図１６】 磁気抵抗素子を使用した従来の電流センサ
の斜視図である。
の斜視図である。
１，１１は導体
１Ｂ，１Ｄは導体の中央部（所定部）
２は磁気抵抗素子
３は磁気シールド部材
Claims (8)
- 【請求項１】 検出電流（ｉ）を流すことによって電流
磁界を発生させる導体（１）と、該導体（１）に対応し
て配され作動電流の供給を受けて該電流磁界を検出する
磁気抵抗素子（２）と、該導体（１）及び該磁気抵抗素
子（２）を外部磁界から磁気的に遮蔽する磁気シールド
部材（３）とを備える電流センサにおいて、該磁気シー
ルド部材（３）が絶縁性ソフトフェライト材料から形成
されることを特徴とする電流センサ。 - 【請求項２】 前記導体（１）は、前記磁気抵抗素子
（２）と対峙する所定部の断面が他の導体部分の断面よ
りも小さく形成されていることを特徴とする請求項１記
載の電流センサ。 - 【請求項３】 前記導体（１）は、前記所定部の長さ方
向の中心線が前記磁気抵抗素子（２）の中心を通る垂線
に交差することを特徴とする請求項２記載の電流セン
サ。 - 【請求項４】 前記導体（１）は、前記所定部の長さ方
向の中心線が前記磁気抵抗素子（２）の中心を通る垂線
から一側にずれていることを特徴とする請求項２記載の
電流センサ。 - 【請求項５】 前記磁気シールド部材（３）が、前記導
体（１）の配される面側に該導体（１）の形状よりも大
きな開口を備えることを特徴とする請求項１又は２に記
載の電流センサ。 - 【請求項６】 検出電流（ｉ）を介して電流磁界を発生
させる導体（１）と、該導体（１）に対応して配され作
動電流の供給を受けて該電流磁界を検出する磁気抵抗素
子（２）と、前記導体（１）及び前記磁気抵抗素子
（２）を外部磁界から磁気的に遮蔽する磁気シールド部
材（３）とを備える電流センサの検出電流範囲の設定方
法において、前記導体（１）の、磁気抵抗素子（２）と
対峙する所定部の断面形状の選定により、前記検出電流
（ｉ）の範囲を設定することを特徴とする電流センサの
検出電流範囲の設定方法。 - 【請求項７】 前記導体（１）の所定部の断面形状の選
定が、該所定部の幅寸法の変化であることを特徴とする
請求項６記載の電流センサの検出電流範囲の設定方法。 - 【請求項８】 前記導体（１）の所定部の断面形状の選
定が、該所定部の厚さ寸法の変化であることを特徴とす
る請求項６記載の電流センサの検出電流範囲の設定方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3194558A JPH052033A (ja) | 1990-11-15 | 1991-08-03 | 電流センサ及びその検出電流範囲の設定方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30920490 | 1990-11-15 | ||
| JP2-309204 | 1990-11-15 | ||
| JP3194558A JPH052033A (ja) | 1990-11-15 | 1991-08-03 | 電流センサ及びその検出電流範囲の設定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH052033A true JPH052033A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=26508570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3194558A Withdrawn JPH052033A (ja) | 1990-11-15 | 1991-08-03 | 電流センサ及びその検出電流範囲の設定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH052033A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997011475A1 (fr) * | 1995-09-20 | 1997-03-27 | Hitachi, Ltd. | Coupe-circuit |
| US6734671B2 (en) | 2001-03-07 | 2004-05-11 | Denso Corporation | Magnetic sensor and manufacturing method therefor |
| WO2006098372A1 (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-21 | Omron Corporation | 高周波インターフェース素子 |
| JP2007113965A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Denso Corp | 電流センサ |
| JP2008241678A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Koshin Denki Kk | 電流センサおよび電流検出装置 |
| JP2009156874A (ja) * | 1999-03-12 | 2009-07-16 | Eaton Corp | 電動モータ用ソフトスタータ |
| JP2010014729A (ja) * | 2002-09-20 | 2010-01-21 | Allegro Microsyst Inc | 集積電流センサ |
| WO2014196203A1 (ja) | 2013-06-06 | 2014-12-11 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 画像取得装置、画像取得方法、およびプログラム |
| CN104820125A (zh) * | 2015-04-27 | 2015-08-05 | 江苏多维科技有限公司 | 采用z轴磁电阻梯度计和引线框电流的集成电流传感器 |
| WO2016190087A1 (ja) * | 2015-05-22 | 2016-12-01 | アルプス・グリーンデバイス株式会社 | 電流センサ |
| JP2019120687A (ja) * | 2018-01-05 | 2019-07-22 | メレクシス・テクノロジーズ・ソシエテ・アノニムＭｅｌｅｘｉｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｓａ | オフセットされた電流センサ構造体 |
| EP4075151A1 (en) * | 2021-04-18 | 2022-10-19 | Melexis Technologies SA | Current sensor system |
| CN119165228A (zh) * | 2024-09-24 | 2024-12-20 | 中国南方电网有限责任公司 | 电流检测方法、装置、计算机设备和存储介质 |
-
1991
- 1991-08-03 JP JP3194558A patent/JPH052033A/ja not_active Withdrawn
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997011475A1 (fr) * | 1995-09-20 | 1997-03-27 | Hitachi, Ltd. | Coupe-circuit |
| JP2009156874A (ja) * | 1999-03-12 | 2009-07-16 | Eaton Corp | 電動モータ用ソフトスタータ |
| US6734671B2 (en) | 2001-03-07 | 2004-05-11 | Denso Corporation | Magnetic sensor and manufacturing method therefor |
| US7078238B2 (en) | 2001-03-07 | 2006-07-18 | Denso Corporation | Method for manufacturing magnetic sensor |
| JP2010014729A (ja) * | 2002-09-20 | 2010-01-21 | Allegro Microsyst Inc | 集積電流センサ |
| WO2006098372A1 (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-21 | Omron Corporation | 高周波インターフェース素子 |
| JP2007113965A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Denso Corp | 電流センサ |
| JP2008241678A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Koshin Denki Kk | 電流センサおよび電流検出装置 |
| WO2014196203A1 (ja) | 2013-06-06 | 2014-12-11 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 画像取得装置、画像取得方法、およびプログラム |
| US9426363B2 (en) | 2013-06-06 | 2016-08-23 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Image forming apparatus image forming method and image sensor |
| CN104820125A (zh) * | 2015-04-27 | 2015-08-05 | 江苏多维科技有限公司 | 采用z轴磁电阻梯度计和引线框电流的集成电流传感器 |
| WO2016190087A1 (ja) * | 2015-05-22 | 2016-12-01 | アルプス・グリーンデバイス株式会社 | 電流センサ |
| JP2019120687A (ja) * | 2018-01-05 | 2019-07-22 | メレクシス・テクノロジーズ・ソシエテ・アノニムＭｅｌｅｘｉｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｓａ | オフセットされた電流センサ構造体 |
| EP4075151A1 (en) * | 2021-04-18 | 2022-10-19 | Melexis Technologies SA | Current sensor system |
| US11796573B2 (en) | 2021-04-18 | 2023-10-24 | Melexis Technologies Sa | Current sensor system |
| CN119165228A (zh) * | 2024-09-24 | 2024-12-20 | 中国南方电网有限责任公司 | 电流检测方法、装置、计算机设备和存储介质 |
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