JPH05198407A - 厚膜サーミスタ組成物 - Google Patents
厚膜サーミスタ組成物Info
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
ツキがなく熱的安定性の高い優れた品質の製品を安価に
大量に提供できる。 【構成】 Mn、Co、Ni、Cuの各イオンの混合水
溶液にしゅう酸水溶液を加え、MnにCo、Ni、Cu
のうち少なくとも1つからなる、一般式化1(ただし、
p+q+r+s=3、p≠0、q、r、sのうち少なく
とも1つは0でない)で示される組成となる割合に共沈
させて精製した沈澱物を、600℃〜800℃で熱分解
して得られるスピネル構造の酸化物粉末が60〜98重
量%の割合で含有しており、残りの2〜40重量%には
ガラス粉末が含有していることにより焼成後においてB
定数の膜厚の依存性がないことを特徴とする。 【化1】
Description
く、且つ熱に対する安定性にも優れた厚膜サーミスタ組
成物に関する。
次に挙げる(1)乃至(3)のものがある。
酸化物粉末をそれぞれ所定のスピネル構造の組成物と成
るように混合した後、高温に置ける固相反応により合成
し、これを粉砕した粉末(平均粒径約2μm)とガラス
粉末を用いたもの。
O等の酸化物粉末(平均粒径1μm以下)とガラス粉末
を用いて、厚膜焼成時においてスピネル構造の酸化物を
生成させるもの。
たは硝酸塩の混合水溶液にアルカリ水溶液を加えて共沈
させ、この沈澱物を精製し、これを熱分解して得られる
スピネル構造の酸化物粉末とガラス粉末を用いたもの。
どの金属導電性物質をこれらに添加する方法も採られて
いる。
で作製されるサーミスタ素子は、抵抗値やB定数のバラ
ツキが大きく、また、熱に対する安定性(例えば、15
0℃放置における抵抗値の変化)も悪く、製品として信
頼性に欠けるものであった。
た粉末は、粒径が大きく且つ不均一であるため、厚膜焼
成時における焼結性が乏しく、また厚膜の構造が不均一
になって抵抗値のバラツキが大きくなる。さらに、粉末
合成時の反応温度が高いために、組成によっては高温相
が残存し、高温放置において相変化が生じ、熱安定性が
悪くなる。
では、厚膜焼成時におけるスピネル生成反応が不安定
(温度依存性、雰囲気依存性が大きい)であるため、抵
抗値及びB定数の厚膜依存性があり、抵抗値のバラツキ
が大きくなる。
法は、沈澱物が微細であるため、ろ過及び精製が行い難
く、アルカリ元素の混入するおそれもある。また、熱分
解して得られる酸化物の粉末は微細すぎるため、かえっ
て凝集が生じたり焼結性が悪くなったりして、抵抗値の
バラツキは比較的小さいものの熱安定性に欠けることに
なる。
ヒクルを加えてプレス成形した後1200℃〜1500
℃で焼結して得られるいわゆるバルク焼結体型のサーミ
スタに比べて、厚膜タイプのサーミスタはあまり利用さ
れていないのが現状である。
スタを製造する場合には、通常一度の印刷でアルミナ基
板に多数の素子を作製するものであるが、1枚の基板に
おける各サーミスタ素子の抵抗値のバラツキは、従来の
ものでは±15%程度あったために、レーザー加工など
により抵抗トリミングを施すことによって、所定の値の
抵抗値にする必要があった。しかも、トリミング処理を
する際に受ける熱がもたらす温度変化によって、感温抵
抗素子であるサーミスタ素子の抵抗値が変化してしまう
ので、その変化を考慮しながらトリミングを行わなけれ
ばならず、通常の厚膜固定抵抗器の場合に比べて、正確
にトリミング処理を行うために時間が掛かり、製造工程
が煩雑なものになる。
中のトリミング処理を省くと共に、抵抗値のバラツキを
±5%以下に押さえることができ、安価で品質の優れた
製品を得ることのできる厚膜サーミスタ組成物を提供す
ることにある。
て、1000時間で抵抗値が10%程度変化するため、
予め熱エージング処理を行った後に製品とする煩雑さも
あった。
0℃放置において、予め熱エージング処理を行なわなく
ても、1000時間で抵抗値変化を3%以下にできる厚
膜サーミスタ組成物を提供することにある。
体を低温焼成するために、各種の化学的な原料粉末合成
法が検討されてきている。本発明者らは、種々の研究実
験を重ねた結果、これらのなかで、しゅう酸塩沈澱を6
00℃〜800℃で熱分解して得られるスピネル構造の
酸化物粉末に着目し、これが特に、ガラス粉末の存在下
における液相焼結性に非常に優れていることを見い出し
た。さらに、このことが、通常のバルク焼結体サーミス
タに利用するよりも、むしろ厚膜サーミスタの組成物に
用いることの方が遥かに有効であることを見い出し、遂
に発明を完成するに至った。
結性が優れ、1160℃程度で焼結することが既に知ら
れており、これによってバルク焼結体サーミスタを得る
ことができるが、組成によっては、前記焼成温度でもス
ピネル相以外の相が生成し、熱に対して不安定なものに
なりやすく、従って、熱に対して安定なものを得るに
は、B定数の範囲が限られたものになってしまう。
ンの混合水溶液にしゅう酸水溶液を加え、MnにCo、
Ni、Cuのうち少なくとも1つからなる、一般式化5
(ただし、p+q+r+s=3、p≠0、q、r、sの
うち少なくとも1つは0でない)で示される組成となる
割合に共沈させて精製したしゅう酸塩沈澱を600℃〜
800℃で熱分解して得られる酸化物粉末は、適度な粒
度分布が得られ、特にガラス粉末の存在下における液相
焼結性が非常に優れているために、広い組成範囲におい
てスピネル相のみが存在するので、熱に対しても大へん
安定したものが広いB定数の範囲にわたって得られた。
十分な焼結性を示し、抵抗値及びB定数のいずれも再現
性が良く、バラツキがきわめて小さいものであった。そ
して前記スピネル構造の酸化物粉末を60〜98重量%
の割合にし、残り2〜40重量%の割合でガラス粉末を
混合して得た厚膜サーミスタの組成物が、シート抵抗値
のバラツキがきわめて小さく、電気的特性に優れている
ものであった。
ツキが小さく然も熱に対しての安定性に優れた均質な厚
膜サーミスタを、トリミング処理や熱エージング処理を
することなく簡略化した製造工程により安価に得ること
ができる。特に、電子機器の小形化が進む現状におい
て、強く求められているチップタイプなどの厚膜サーミ
スタとして、有効に利用することが可能である。
なるように秤量し、水に溶かして0.5mol/1の水
溶液とする。これに0.2mol/1のしゅう酸アンモ
ニウム水溶液を所定量加え、室温で攪拌し、しゅう酸塩
を共沈させる。この沈澱物を吸引ろ過して120℃で乾
燥した後、空気中800℃で2時間熱分解する。
末に、所定量のバインダーガラスと有機ビヒクルを加え
て自動混合機で混練し、印刷可能な厚膜サーミスタペー
ストを作り上げる。
6%)上に焼き付けたAg/pd系電極間に橋渡しする
状態で印刷し、これを800℃〜950℃の所定温度で
10分間焼成し厚膜サーミスタ素子を作製した。
子の諸特性を、次の表1に示す。
のものに比べて、シート抵抗値のバラツキが遥かに小さ
いことが判かる。また、表1から、ガラス粉末の混合量
が多くなるのに伴なって抵抗値のバラツキが大きくなる
傾向にあり、No7のケースのように、混合量が50wt%
になると、抵抗値のバラツキが5%を大きく超えること
になる。さらに、No9のケースのように、スピネル構造
酸化物粉末の合成温度が900℃になった場合にも、抵
抗値のバラツキが5%を超えることになる。
澱物を得ることができない場合がある。このような場合
には、pHの異なる複数のしゅう酸塩水溶液によって、複
数の沈澱物を作製し、これらを混合した後、熱分解する
ことによって得られたスピネル酸化物粉末を用いること
ができる。これによって、幅広い組成の利用が可能とな
り、幅広い特性の厚膜サーミスタを得ることができる。
添加することによって、より低い抵抗のものを得ること
も可能である。
諸特性を表3に示す。
のものに比べて、シート抵抗値の低い組成においても、
抵抗値のバラツキの小さいものを得ることができる。ま
た、スピネル構造酸化物の組成や化9混合比を選ぶこと
によって、幅広い特性において抵抗値のバラツキの小さ
なものを得ることができる。
ら、本発明品C(表3のNo4のもの)及び本発明品B
(表3のNo6のもの)によるものは、従来品A(表4の
No1のもの)に比べて、熱に対する安定性が遥かに優れ
ていることが判かる。
果をグラフで示す説明図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 Mn、Co、Ni、Cuの各イオンの混
合水溶液にしゅう酸水溶液を加え、MnにCo、Ni、
Cuのうち少なくとも1つからなる、一般式化1(ただ
し、p+q+r+s=3、p≠0、q、r、sのうち少
なくとも1つは0でない)で示される組成となる割合に
共沈させ、この沈澱物を精製し、これを600℃〜80
0℃で熱分解して得られるスピネル構造の酸化物粉末が
60〜98重量%の割合で含有しており、残りの2〜4
0重量%にはガラス粉末が含有していることにより焼成
後においてB定数の膜厚の依存性がないことを特徴とす
る厚膜サーミスタ組成物。 【化1】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3351414A JP2774890B2 (ja) | 1991-12-11 | 1991-12-11 | 厚膜サーミスタ組成物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP3351414A JP2774890B2 (ja) | 1991-12-11 | 1991-12-11 | 厚膜サーミスタ組成物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05198407A true JPH05198407A (ja) | 1993-08-06 |
| JP2774890B2 JP2774890B2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=18417122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3351414A Expired - Lifetime JP2774890B2 (ja) | 1991-12-11 | 1991-12-11 | 厚膜サーミスタ組成物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2774890B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006332192A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Tateyama Kagaku Kogyo Kk | 厚膜サーミスタ組成物とその製造方法並びに厚膜サーミスタ素子 |
| JP2008294326A (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Tateyama Kagaku Kogyo Kk | 厚膜サーミスタ組成物とその製造方法並びに厚膜サーミスタ素子 |
| JP2020112701A (ja) * | 2019-01-11 | 2020-07-27 | 東芝ライテック株式会社 | ヒータおよび画像形成装置 |
| CN112992449A (zh) * | 2020-12-09 | 2021-06-18 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 一种低温尖晶石氧化物负温度系数热敏电阻器及其制备方法 |
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| JPS54119695A (en) * | 1978-03-08 | 1979-09-17 | Hitachi Ltd | Composite material for thick film thermistor |
| JPS6230625A (ja) * | 1985-06-04 | 1987-02-09 | ユニヴエルシテ・ポ−ル・サバチエ・(トウ−ル−ズ・3) | 新規亜マンガン酸塩組成物及びその製造方法 |
| JPS63248774A (ja) * | 1987-04-03 | 1988-10-17 | 科学技術庁無機材質研究所長 | 多成分セラミツクスの製造法 |
-
1991
- 1991-12-11 JP JP3351414A patent/JP2774890B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| CN112992449A (zh) * | 2020-12-09 | 2021-06-18 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 一种低温尖晶石氧化物负温度系数热敏电阻器及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2774890B2 (ja) | 1998-07-09 |
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