JPH05166957A

JPH05166957A - 高周波素子用パッケージ

Info

Publication number: JPH05166957A
Application number: JP35228791A
Authority: JP
Inventors: Takaharu Miyamoto; 隆春宮本; Fumio Miyagawa; 文雄宮川
Original assignee: Shinko Electric Industries Co Ltd
Current assignee: Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority date: 1991-12-13
Filing date: 1991-12-13
Publication date: 1993-07-02

Abstract

(57)【要約】【目的】信号線路上方又はその下方のパッケージの周
壁を構成するセラミック層間に、グランドプレーン効果
の充分得られる厚くて導体抵抗値の低いグランド層を備
えた高周波素子用パッケージを得る。【構成】信号線路４０下方のパッケージの周壁を構成
するセラミック層１０，２０を上下に分離する。上下に
分離したセラミック層１０上面とセラミック層２０下面
には、めっきを施したメタライズ層１２，２２をそれぞ
れ備える。メタライズ層１２，２２間は、導体抵抗率の
低い金属を多量に含むろう材７０を用いて気密にろう付
け接合する。そして、それらの上下２層のメタライズ層
１２，２２とそれらの間を接合したろう材７０とからな
るグランド層８０を、セラミック層１０，２０間に備え
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高速信号で動作させる
半導体チップ等の高周波素子を収容する、高周波素子用
パッケージに関する。

【０００２】

【従来の技術】上記パッケージとして、従来より、その
周壁をセラミック層を３層以上積層して形成すると共
に、その周壁中途部のセラミック層上面に、周壁を貫通
して周壁内外に連なるメタライズからなる信号線路を備
えたパッケージがある。

【０００３】このパッケージでは、その信号線路下方又
はその上方の周壁中途部のセラミック層間にメタライズ
層を備えて、そのメタライズ層で、信号線路をストリッ
プ線路又はマイクロストリップ線路に形成し、その信号
線路の特性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマッチ
ングさせている。そして、その信号線路を高周波信号を
伝送損失少なく伝えることができるようにしている。

【０００４】具体的には、図１１に示したパッケージに
あっては、その周壁を、高周波素子搭載用の板状をした
Ａｌ₂Ｏ₃等からなるセラミック層１０上面周囲に、該
層上面に備えたメタライズ層１２を介して、方形枠体状
をした下段セラミック層２０と上段セラミック層３０と
を順次２層積層して形成している。そして、下段及び上
段セラミック層２０，３０内側に、高周波素子収容用の
キャビティ１８を形成している。下段セラミック層２０
上面には、メタライズからなる信号線路４０を細幅の上
段セラミック層３０下面をくぐり抜けて備えている。信
号線路４０は、その下方の板状をしたセラミック層１０
と下段セラミック層２０との間に備えたメタライズ層１
２で、ストリップ線路又はマイクロストリップ線路に形
成し、その特性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマ
ッチングさせている。

【０００５】また、図１２に示したパッケージにあって
は、その周壁を、高熱伝導率のＣｕ−Ｗ合金等からなる
高周波素子搭載用の板状をしたメタルベース１００上面
周囲に、方形枠体状をした下段セラミック層２０と中段
セラミック層５０と上段セラミック層３０とを順次３層
積層して形成している。そして、下段、中段及び上段セ
ラミック層２０，５０，３０内側に、底深いキャビティ
１８を形成して、そのキャビティ１８に丈高の高周波素
子を収容できるようにしている。中段セラミック層５０
上面には、メタライズからなる信号線路４０を細幅の上
段セラミック層３０下面をくぐり抜けて備えている。中
段セラミック層５０と下段セラミック層２０との間に
は、メタライズ層２４を備えて、そのメタライズ層２４
で、その上方の信号線路４０をストリップ線路又はマイ
クロストリップ線路に形成して、その信号線路４０の特
性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマッチングさせ
ている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記パ
ッケージにおいては、信号線路下方又はその上方のセラ
ミック層間に備えた高抵抗率のタングステン、モリブデ
ン等からなるメタライズ層が薄くてその導体抵抗値が高
く、そのメタライズ層をグランドプレーン効果が充分に
得られる電位差のほとんどないグランド層に形成できな
かった。

【０００７】具体的には、上記パッケージは、そのセラ
ミック層１０，２０，３０又は２０，５０，３０を３層
積層してなるパッケージの周壁と、その周壁中途部のセ
ラミック層２０又は５０上面に備えるメタライズからな
る信号線路４０とセラミック層１０，２０又は２０，５
０間に備えるメタライズ層１２又は２４とを、それらの
形成部材を共に高温炉内に入れて、同時に一体焼成して
形成していた。

【０００８】そのため、その一体焼成により形成したセ
ラミック層１０，２０又は２０，５０間のメタライズ層
１２又は２４が、導体抵抗率の高いタングステン、モリ
ブデン等からなる１層の薄くて導体抵抗値の高いグラン
ド層に形成されてしまった。そして、そのメタライズ層
１２又は２４で、その上方の信号線路４０の特性インピ
ーダンスを一定値の５０Ω等に正確にマッチングさせる
ことができなかった。

【０００９】このように、信号線路下方又はその上方の
セラミック層間に備えたグランド層が１層の薄くて導体
抵抗値の高いメタライズ層で形成されていると、信号線
路に１０ＧＨｚ以上の超高周波信号を伝えた場合に、特
に、その信号線路を伝わる超高周波信号の伝送損失が大
きくなってしまった。

【００１０】なお、このような難点を解消するために、
セラミック層間に備えるメタライズ層を厚く形成して、
そのメタライズ層の導体抵抗値を低く抑えるようにする
ことが考えられる。

【００１１】しかしながら、セラミック層間に備えるメ
タライズ層は、せいぜい１０〜２５μｍまでしか厚く形
成できず、それ以上厚く形成した場合には、メタライズ
層の上部層部分を構成しているタングステン、モリブデ
ン等の粒子間に、それらの粒子間の隙間を埋めるガラス
質が這い上がれずに、メタライズ層表面が多孔質の巣状
面となってしまう。そして、そのメタライズ層を介して
接合するセラミック層間の気密性、即ちパッケージの周
壁の気密性が損なわれてしまう。

【００１２】本発明は、このような課題に鑑みてなされ
たもので、信号線路上方又はその下方のセラミック層間
に厚くて導体抵抗値の低いグランド層を備えて、信号線
路の特性インピーダンスを一定値の５０Ω等に正確にマ
ッチングさせることの可能な高周波素子用パッケージ
（以下、パッケージという）を提供することを目的とし
ている。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のパッケージは、セラミック層を複数層積層
して形成してなるパッケージの周壁中途部のセラミック
層上面に、前記周壁を貫通して周壁内外に連なる信号線
路を備えた高周波素子用パッケージにおいて、前記信号
線路下方又はその上方の周壁中途部のセラミック層を上
下に分離して、その上下に分離した上部セラミック層下
面と下部セラミック層上面とにろう材に濡れやすいめっ
きを施したメタライズ層をそれぞれ備えると共に、それ
らのメタライズ層間をろう材を用いて気密にろう付け接
合し、それらのめっきを施したメタライズ層とろう材と
を用いて、前記周壁中途部のセラミック層間に前記信号
線路をストリップ線路又はマイクロストリップ線路に形
成するためのグランド層を設けたことを特徴としてい
る。

【００１４】本発明のパッケージにおいては、グランド
層を、セラミック層を貫通して設けた導体を充填したヴ
ィアフィルを介して、周壁上方又はその下方のグランド
導体に接続することを好適としている。

【００１５】

【作用】上記構成のパッケージにおいては、信号線路下
方又はその上方の周壁中途部の上下に分離した上部セラ
ミック層下面と下部セラミック層上面とに備えたメタラ
イズ層表面を、導体抵抗率の低いろう材に濡れやすいめ
っきで覆っている。そして、それらの導体抵抗率の高い
タングステン、モリブデン等からなるメタライズ層の導
体抵抗値を、それらの表面に施した上記めっきにより低
下させている。

【００１６】それと共に、それらのめっきを施したセラ
ミック層間を、導体抵抗率の低い銀、銅等の金属を多量
に含むろう材を用いて接合している。そして、上部セラ
ミック層下面と下部セラミック層上面とに備えたメタラ
イズ層間に、導体抵抗値の低い金属を含むろう材層を備
えている。

【００１７】そして、それらのめっきを施してその導体
抵抗値を低めた上下２層のメタライズ層とそれらのメタ
ライズ層間に備えた導体抵抗値の低いろう材層とを用い
て、パッケージの周壁中途部のセラミック層間に厚めの
グランド層を備えている。

【００１８】そのため、そのセラミック層間に備えたグ
ランド層を、厚くて導体抵抗値の低い、グランドプレー
ン効果が充分得られる電位差のほとんどないグランド層
に形成できる。

【００１９】また、グランド層を、セラミック層を貫通
して設けた導体を充填したヴィアフィルを介して、周壁
上方又はその下方のグランド導体に接続したパッケージ
にあっては、パッケージの周壁中途部のセラミック層間
に備えた２層のメタライズ層とそれらの間に備えたろう
材層とからなるグランド層を上記グランド導体に接続し
て接地し、グランド層のグランドプレーン効果を高める
ことができる。

【００２０】

【実施例】次に、本発明の実施例を図面に従い説明す
る。図１ないし図４はそれぞれ本発明のパッケージの好
適な実施例を示し、詳しくはそれらの正面断面図を示し
ている。以下、これらの図中のパッケージを説明する。

【００２１】図において、１０は、高周波素子を搭載す
る板状をしたＡｌ₂Ｏ₃等からなるセラミック層であ
る。

【００２２】図１と図２に示したパッケージにあって
は、セラミック層１０の上下面をメタライズ層１２で覆
っている。セラミック層１０には、複数本のメタライズ
を充填したヴィアフィル１４をセラミック層１０を上下
に貫通して備えて、そのヴィアフィル１４でセラミック
層１０の上下面に備えたメタライズ層１２間を接続して
いる。そして、セラミック層１０を疑似メタルベースに
形成している。

【００２３】また、図３と図４に示したパッケージにあ
っては、セラミック層１０の周囲全体をメタライズ層１
２で隙間なく連続して覆っている。そして、セラミック
層１０を疑似メタルベースに形成している。

【００２４】セラミック層１０上面周囲には、方形枠体
状をした下段セラミック層２０と上段セラミック層３０
とを順次２層積層している。

【００２５】下段セラミック層２０上面には、細帯状を
したメタライズからなる信号線路４０を、細幅の上段セ
ラミック層３０下面をくぐり抜けて、下段セラミック層
２０上面を横断して複数本備えている。

【００２６】上段セラミック層３０上面には、キャップ
９０封着用のろう材に濡れやすいニッケルめっき等のめ
っきを施したメタライズ層３２を備えている。

【００２７】そして、図１と図３に示したパッケージに
あっては、そのメタライズ層３２を備えた上段セラミッ
ク層３０上面に、方形枠体状をしたメタルシールリング
６０をろう材７０を用いて気密に接合している。そし
て、そのメタルシールリング６０上面にキャップ９０を
ろう材７０を用いて気密に封着できるようにしている。

【００２８】また、図２と図４に示したパッケージにあ
っては、そのメタライズ層３２を備えた上段セラミック
層３０上面にキャップ９０をろう材７０を用いて直接に
気密に封着できるようにしている。

【００２９】以上の構成は、従来のパッケージと同様で
あるが、図のパッケージでは、高周波素子を搭載するセ
ラミック層１０を、その上面に備えたメタライズ層１２
と共に下段セラミック層２０下面から分離している。

【００３０】具体的には、メタライズ層１２を備えたセ
ラミック層１０を、下段及び上段セラミック層２０，３
０と共に一体焼成して形成せずに、それらと別個に焼成
して形成している。

【００３１】メタライズ層１２には、ろう材に濡れやす
いニッケルめっき等のめっきを施している。

【００３２】下段セラミック層２０下面には、ろう材に
濡れやすいニッケルめっき等のめっきを施したメタライ
ズ層２２を備えている。

【００３３】そして、それらのめっきを施したメタライ
ズ層１２，２２間を、導体抵抗率の低い銀、銅等の金属
を多量に含む銀ろう等のろう材７０を用いて気密にろう
付け接合している。

【００３４】そして、セラミック層１０と下段セラミッ
ク層２０との間に、上記導体抵抗率の低いめっきを施し
た上下２層のメタライズ層１２，２２とそれらのメタラ
イズ層１２，２２間を接合した導体抵抗率の低い金属を
多量に含むろう材層７２とからなる、グランドプレーン
効果の充分得られる厚くて導体抵抗値の低いグランド層
８０を備えている。

【００３５】グランド層８０は、グランド導体を構成す
るセラミック層１０上面のメタライズ層１２に連ねてい
る。そして、グランド層８０を接地して、そのグランド
プレーン効果を高めることができるようにしている。

【００３６】上段セラミック層３０上面のメタライズ層
３２は、上段及び下段セラミック層３０，２０を上下に
貫通して備えたメタライズ等の導体を充填したヴィアフ
ィル１４ｃを介して下段セラミック層２０下面のグラン
ド層８０を構成するメタライズ層２２に接続している。
そして、メタライズ層３２を接地して、そのグランドプ
レーン効果を高めることができるようにしている。

【００３７】図１ないし図４に示したパッケージは、そ
れぞれ以上のように構成している。

【００３８】図５と図６はそれぞれ本発明のパッケージ
の他の好適な実施例を示し、詳しくはそれらの正面断面
図を示している。以下、これらの図中のパッケージを説
明する。

【００３９】図のパッケージでは、高周波素子を搭載す
るベースに、高熱伝導率のＣｕ−Ｗ合金等からなるメタ
ルベース１００を用いている。

【００４０】メタルベース１００周囲表面には、ろう材
に濡れやすいニッケルめっき等のめっきを施している。

【００４１】メタルベース１００上面周囲には、方形枠
体状をした下段セラミック層２０と中段セラミック層５
０と上段セラミック層３０とを順次３層積層している。

【００４２】そして、それらの３層のセラミック層２
０，５０，３０でメタルベース１００中央上面の高周波
素子搭載箇所１６周囲を気密に囲むようにして、それら
の３層のセラミック層２０，５０，３０内側に、丈高の
高周波素子を収容可能な底深いキャビティ１８を形成し
ている。

【００４３】下段セラミック層２０下面には、ろう材に
濡れやすいめっきを施したメタライズ層２２を備えて、
そのメタライズ層２２を介して、下段セラミック層２０
下面を、上記めっきを施したメタルベース１００上面に
ろう材７０を用いて気密に接合している。

【００４４】中段セラミック層５０上面には、メタライ
ズからなる細帯状の信号線路４０を、細幅の上段セラミ
ック層３０下面をくぐり抜けて、中段セラミック層５０
上面を横断して複数本備えている。

【００４５】上段セラミック層３０上面には、ろう材に
濡れやすいめっきを施したメタライズ層３２を備えてい
る。

【００４６】そして、図５に示したパッケージにあって
は、そのメタライズ層３２を備えた上段セラミック層３
０上面に、キャップ９０封着用のメタルシールリング６
０をろう材７０を用いて気密にろう付け接合している。
そして、そのメタルシールリング６０上面にキャップ９
０をろう材７０を用いて気密に封着できるようにしてい
る。

【００４７】また、図６に示したパッケージにあって
は、そのメタライズ層３２を備えた上段セラミック層３
２上面にキャップ９０をろう材７０を用いて直接に気密
に封着できるようにしている。

【００４８】以上の構成は、従来のパッケージと同様で
あるが、図のパッケージでは、下段セラミック層２０を
中段セラミック層５０下面から分離している。

【００４９】具体的には、下段セラミック層２０を、そ
の上方の中段セラミック層５０や上段セラミック層３０
と共に一体焼成して形成せずに、それらと別個に焼成し
て形成している。

【００５０】下段セラミック層２０上面と中段セラミッ
ク層５０下面とには、ろう材に濡れやすいめっきを施し
たメタライズ層２４，５２をそれぞれ備えている。

【００５１】そして、それらのめっきを施したメタライ
ズ層２４，５２間を、導体抵抗率の低い銀、銅等の金属
を多量に含む銀ろう等のろう材７０を用いて気密にろう
付け接合している。

【００５２】そして、下段セラミック層２０と中段セラ
ミック層５０との間に、導体抵抗率の低いめっきを施し
た上下２層のメタライズ層５２，２４と、それらのメタ
ライズ層５２，２４間を接合した導体抵抗率の低い金属
を多量に含むろう材層７２とからなる、グランドプレー
ン効果の充分得られる厚くて導体抵抗値の低いグランド
層８２を備えている。

【００５３】グランド層８２は、下段セラミック層２０
を上下に貫通して備えたメタライズ等の導体を充填した
ヴィアフィル１４ａを介して、グランド導体を構成する
メタルベース１００に接続している。そして、グランド
層８２を接地して、そのグランドプレーン効果を高める
ことができるようにしている。

【００５４】上段セラミック層３０上面のメタライズ層
３２は、上段及び中段セラミック層３０，５０を上下に
貫通して備えたメタライズ等の導体を充填したヴィアフ
ィル１４ｄを介して、中段セラミック層５０下面のグラ
ンド層８２を構成するメタライズ層５２に接続してい
る。そして、メタライズ層３２を接地して、そのグラン
ドプレーン効果を高めることができるようにしている。

【００５５】図５と図６に示したパッケージは、それぞ
れ以上のように構成している。

【００５６】図７と図８はそれぞれ本発明のパッケージ
のもう一つの好適な実施例を示し、詳しくはそれらの正
面断面図を示している。以下、これらの図中のパッケー
ジを説明する。

【００５７】図のパッケージでは、下段セラミック層２
０を、その中途部から縦方向に分断している。そして、
下段セラミック層２０を、リング状をした内側セラミッ
ク層２０ａと外側セラミック層２０ｂとにそれぞれ分離
している。

【００５８】具体的には、内側セラミック層２０ａを、
外側セラミック層２０ｂと別個に焼成して形成してい
る。

【００５９】外側セラミック層２０ｂは、その上方の中
段セラミック層５０や上段セラミック層３０と共に一体
焼成して形成している。

【００６０】内側セラミック層２０ａ下面とその上面に
は、ろう材に濡れやすいめっきを施したメタライズ層２
２ａ，２４ａをそれぞれ備えている。

【００６１】外側セラミック層２０ｂ下面には、ろう材
に濡れやすいめっきを施したメタライズ層２２ｂを備え
ている。

【００６２】内側セラミック層２０ａ上面に対向する中
段セラミック層５０内側下面には、ろう材に濡れやすい
めっきを施したメタライズ層５２ａを備えている。

【００６３】内側セラミック層２０ａ上面に備えたメタ
ライズ層２４ａは、それに対向する中段セラミック層５
０内側下面に備えたメタライズ層５２ａに、ろう材７０
を用いて気密にろう付け接合している。

【００６４】そして、内側セラミック層２０ａ上面とそ
れに対向する中段セラミック層５０内側下面との間に、
めっきを施したメタライズ層２４ａ，５２ａと、それら
のメタライズ層２４ａ，５２ａ間を接合したろう材層７
２とからなる、グランドプレーン効果の充分得られる厚
くて導体抵抗値の低いグランド層８４を備えている。

【００６５】そして、グランド層８４でその上方の中段
セラミック層５０上面に備えた信号線路４０内側をマイ
クロストリップ線路に形成して、その信号線路４０内側
の特性インピーダンスを一定値の５０Ω等に正確にマッ
チングさせている。

【００６６】グランド層８４は、内側セラミック層２０
を上下に貫通して備えたメタライズ等の導体を充填した
ヴィアフィル１４ｂを介して、内側セラミック層２０ａ
下面のメタライズ層２２ａに接続している。

【００６７】内側セラミック層２０ａ下面のメタライズ
層２２ａと外側セラミック層２０ｂ下面のメタライズ層
２２ｂとは、それらに対向するメタルベース１００上面
に、ろう材７０を用いてそれぞれ気密にろう付け接合し
ている。そして、グランド層８４を、グランド導体を構
成するメタルベース１００に接続して接地し、そのグラ
ンドプレーン効果を高めることができるようにしてい
る。

【００６８】上段セラミック層３０上面のメタライズ層
３２は、上段、中段及び下段セラミック層３０，５０，
２０を上下に貫通して備えたメタライズ等の導体を充填
したヴィアフィル１４ｅを介して、下段セラミック層２
０下面のグランド層２０ｂに接続している。そして、メ
タライズ層３２を、グランド導体を構成するメタルベー
ス１００に接続して接地し、そのグランドプレーン効果
を高めることができるようにしている。

【００６９】その他は、前述図５と図６にそれぞれ示し
たパッケージと同様に構成していて、その同一部材には
同一符号を付し、その説明を省略する。

【００７０】図９と図１０はそれぞれ本発明のパッケー
ジのさらにもう一つの好適な実施例を示し、詳しくはそ
れらの正面断面図を示している。以下、これらの図中の
パッケージを説明する。

【００７１】図９に示したパッケージにあっては、高熱
伝導率のＣｕ−Ｗ合金等からなる板状をしたメタルベー
ス１００上面周囲に、方形枠体状をした下段セラミック
層２０と中段セラミック層５０と上段セラミック層３０
とを、順次３層積層している。そして、それらの下段セ
ラミック層２０と中段セラミック層５０と上段セラミッ
ク層３０との内側のメタルベース１００上に丈高の高周
波素子を収容可能な底深いキャビティ１８を形成してい
る。

【００７２】また、図１０に示したパッケージにあって
は、板状をしたＡｌ₂Ｏ₃等からなるセラミック層１０
上面周囲に、方形枠体状をした下段セラミック層２０と
中段セラミック層５０と上段セラミック層３０とを順次
３層積層している。そして、それらの下段セラミック層
２０と中段セラミック層５０と上段セラミック層３０と
の内側のセラミック層１０上に丈高の高周波素子を収容
可能な底深いキャビティ１８を形成している。

【００７３】セラミック層１０は、その上下面にメタラ
イズ層１２をそれぞれ備えて、それらのメタライズ層１
２間をセラミック層１０を上下に貫通して備えたメタラ
イズ等の導体を充填したヴィアフィル１４で接続してい
る。そして、セラミック層１０を疑似メタルベースに形
成している。

【００７４】下段セラミック層２０上面には、信号線路
４０を、細幅の中段セラミック層５０下面をくぐり抜け
て、下段セラミック層２０上面を横断して備えている。

【００７５】以上の構成は、従来のパッケージと同様で
あるが、図のパッケージでは、上段セラミック層３０
を、それを積層した中段セラミック層５０や下段セラミ
ック層２０と共に一体焼成せずに、それらと別個に焼成
して形成している。

【００７６】上段セラミック層３０下面には、ろう材に
濡れ易いめっきを施したメタライズ層３４を備えてい
る。

【００７７】中段セラミック層５０上面には、ろう材に
濡れ易いめっきを施したメタライズ層５２を備えてい
る。

【００７８】上段セラミック層３０下面に備えたメタラ
イズ層３４は、それに対向する中段セラミック層５０上
面に備えたメタライズ層５２に、ろう材７０を用いて気
密にろう付け接合している。

【００７９】そして、上段セラミック層３０下面とそれ
に対向する中段セラミック層５０上面との間に、めっき
を施したメタライズ層３４，５２と、それらのメタライ
ズ層３４，５２間を接合したろう材層７２とからなる、
グランドプレーン効果の充分得られる厚くて導体抵抗値
の低いグランド層８６を備えている。

【００８０】そして、グランド層８６でその下方の下段
セラミック層２０上面に備えた信号線路４０部分をスト
リップ線路に形成して、その信号線路４０部分の特性イ
ンピーダンスを一定値の５０Ω等に正確にマッチングさ
せている。

【００８１】具体的には、図９に示したパッケージにあ
っては、グランド層８６と、下段セラミック層２０下面
に備えためっきを施したメタライズ層２２とメタルベー
ス１００とそれらの間を接合したろう材層７２とからな
るグランドプレーン効果の充分得られるグランド層と
で、中段セラミック層５０下面をくぐり抜けて備えた下
段セラミック層２０上面の信号線路４０部分をストリッ
プ線路に形成して、その特性インピーダンスを一定値に
正確にマッチングさせている。

【００８２】また、図１０に示したパッケージにあって
は、グランド層８６と、前述図１と同様な、下段セラミ
ック層２０下面に備えためっきを施したメタライズ層２
２とセラミック層１０上面に備えためっきを施したメタ
ライズ層１２とそれらのメタライズ層２２，１２間を接
合したろう材層７２とからなるグランドプレーン効果の
充分得られるグランド層８０とで、中段セラミック層５
０下面をくぐり抜けて備えた下段セラミック層２０上面
の信号線路４０部分をストリップ線路に形成して、その
特性インピーダンスを一定値に正確にマッチングさせて
いる。

【００８３】グランド層８６は、中段及び下段セラミッ
ク層５０，２０を上下に貫通して備えたメタライズ等の
導体を充填したヴィアフィル１４ｆを介して、下段セラ
ミック層２０下面のメタライズ層２２に接続している。
メタライズ層２２は、ろう材層７２を介して、グランド
導体を構成するメタルベース１００又はセラミック層１
０上面のメタライズ層１２に接続している。そして、グ
ランド層８６を接地して、そのグランドプレーン効果を
高めることができるようにしている。

【００８４】上段セラミック層３０上面のメタライズ層
３２は、上段セラミック層３０を上下に貫通して備えた
メタライズ等の導体を充填したヴィアフィル１４ｇを介
して、グランド層８６に接続している。そして、メタラ
イズ層３２を接地して、そのグランドプレーン効果を高
めることができるようにしている。

【００８５】その他は、前述図１又は図５に示したパッ
ケージとそれぞれ同様に構成していて、その同一部材に
は同一符号を付し、その説明を省略する。

【００８６】参考までに述べると、上述パッケージの、
セラミック層１０と上段セラミック層２０との間に備え
たグランド層８０と、中段セラミック層５０と下段セラ
ミック層２０との間に備えたグランド層８２，８４と、
上段セラミック層３０と中段セラミック層５０との間に
備えたグランド層８６との厚さは、それぞれ例えば次の
ようになる。

【００８７】上記グランド層８０，８２，８４，８６を
構成する上下２層のメタライズ層１２，２２又は２４，
５２又は２４ａ，５２ａ又は３４，５２の厚さは、それ
ぞれ通常約２０μｍあり、それらの上下２層のメタライ
ズ層間を接合したろう材層７２の厚さは通常約２０μｍ
となる。従って、それらの上下２層のメタライズ層とろ
う材層とからなるグランド層８０，８２，８４，８６の
厚さは、６０μｍプラス上下２層のメタライズ層１２，
２２又は２４，５２又は２４ａ，５２ａ又は３４，５２
にそれぞれ施しためっきの厚さの合計値となる。即ち、
グランド層８０，８２，８４，８６の厚さは、従来の約
２０μｍの１層のメタライズ層のみからなるグランド層
の厚さの約３倍以上となる。

【００８８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のパッケー
ジによれば、セラミック層を複数層積層して形成してな
るパッケージの周壁中途部に備えた信号線路上方又はそ
の下方の周壁を構成するセラミック層間に、グランドプ
レーン効果の充分得られる電位差のほとんどない厚くて
導体抵抗値の低いグランド層を備えることができる。そ
して、そのグランド層を用いて、該層上方又はその下方
の周壁中途部に備えた信号線路の特性インピーダンスを
一定値の５０Ω等に正確にマッチングさせることができ
る。そして、その信号線路を、１０ＧＨｚ以上の超高周
波信号等の高周波信号を伝送損失少なく効率良く伝える
ことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のパッケージの正面断面図である。

【図２】本発明のパッケージの正面断面図である。

【図３】本発明のパッケージの正面断面図である。

【図４】本発明のパッケージの正面断面図である。

【図５】本発明のパッケージの正面断面図である。

【図６】本発明のパッケージの正面断面図である。

【図７】本発明のパッケージの正面断面図である。

【図８】本発明のパッケージの正面断面図である。

【図９】本発明のパッケージの正面断面図である。

【図１０】本発明のパッケージの正面断面図である。

【図１１】従来のパッケージの正面断面図である。

【図１２】従来のパッケージの正面断面図である。

【符号の説明】

１０セラミック層１２メタライズ層１４、１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄヴィアフィル１４ｅ、１４ｆ、１４ｇヴィアフィル１６高周波素子搭載箇所１８キャビティ２０下段セラミック層２０ａ内側セラミック層２０ｂ外側セラミック層２２、２２ａ、２２ｂ、２４、２４ａ、３２、３４メ
タライズ層５２、５２ａメタライズ層３０上段セラミック層４０信号線路５０中段セラミック層６０メタルシールリング７０ろう材７２ろう材層８０、８２、８４、８６グランド層９０キャップ１００メタルベース

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミック層を複数層積層して形成して
なるパッケージの周壁中途部のセラミック層上面に、前
記周壁を貫通して周壁内外に連なる信号線路を備えた高
周波素子用パッケージにおいて、前記信号線路下方又は
その上方の周壁中途部のセラミック層を上下に分離し
て、その上下に分離した上部セラミック層下面と下部セ
ラミック層上面とにろう材に濡れやすいめっきを施した
メタライズ層をそれぞれ備えると共に、それらのメタラ
イズ層間をろう材を用いて気密にろう付け接合し、それ
らのめっきを施したメタライズ層とろう材とを用いて、
前記周壁中途部のセラミック層間に前記信号線路をスト
リップ線路又はマイクロストリップ線路に形成するため
のグランド層を設けたことを特徴とする高周波素子用パ
ッケージ。
【請求項２】グランド層を、セラミック層を貫通して
設けた導体を充填したヴィアフィルを介して、周壁上方
又はその下方のグランド導体に接続した請求項１記載の
高周波素子用パッケージ。