JPH05166739A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH05166739A JPH05166739A JP33508091A JP33508091A JPH05166739A JP H05166739 A JPH05166739 A JP H05166739A JP 33508091 A JP33508091 A JP 33508091A JP 33508091 A JP33508091 A JP 33508091A JP H05166739 A JPH05166739 A JP H05166739A
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- heater
- furnace
- wafer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ウェハの加熱を行うヒータの連設部の温度差を
緩和し、当該ウェハの温度を均一に保つことが可能な半
導体製造装置を提供する。 【構成】ヒータ3A〜3Cを縦型加熱炉10の長手方向
に移動可能に独立して連設し、ヒータ3A〜3Cに、ヒ
ータ3A〜3Cの移動を行うヒータ駆動装置4を接続し
た。
緩和し、当該ウェハの温度を均一に保つことが可能な半
導体製造装置を提供する。 【構成】ヒータ3A〜3Cを縦型加熱炉10の長手方向
に移動可能に独立して連設し、ヒータ3A〜3Cに、ヒ
ータ3A〜3Cの移動を行うヒータ駆動装置4を接続し
た。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置に係
り、特に、ウェハの加熱を行うヒータの連設部(接続
部)の温度差を緩和し、当該ウェハの温度を均一に保つ
ことが可能な半導体製造装置に関する。
り、特に、ウェハの加熱を行うヒータの連設部(接続
部)の温度差を緩和し、当該ウェハの温度を均一に保つ
ことが可能な半導体製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、例えば、ウェハを加熱して熱酸化
や拡散を行う炉は、通常、その片端又は両端が開口とな
っている。このため、炉内の中央部に比べて周辺部の温
度が低くなり易いという問題があった。そこで、この問
題を解決するために、通常、前記炉内の昇温を行うヒー
タを、例えば、その長手方向に対して3〜4分割し、当
該炉内の中心部に位置しているヒータの温度と、周辺部
に位置しているヒータの温度を、それぞれ独立に制御し
て、前記炉内の温度勾配の発生等を阻止し、炉内の温度
分布を均一化して、当該炉内で加熱されるウェハの温度
を一定に保っている。
や拡散を行う炉は、通常、その片端又は両端が開口とな
っている。このため、炉内の中央部に比べて周辺部の温
度が低くなり易いという問題があった。そこで、この問
題を解決するために、通常、前記炉内の昇温を行うヒー
タを、例えば、その長手方向に対して3〜4分割し、当
該炉内の中心部に位置しているヒータの温度と、周辺部
に位置しているヒータの温度を、それぞれ独立に制御し
て、前記炉内の温度勾配の発生等を阻止し、炉内の温度
分布を均一化して、当該炉内で加熱されるウェハの温度
を一定に保っている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記ヒ
ータを分割した従来例では、隣合うヒータの温度が各々
異なるため、この温度差により、前記分割されたヒータ
が連設する部分(接続部)では、温度分布にバラツキが
生じ、ウェハの温度を均一に保つことが困難であるとい
う問題があった。
ータを分割した従来例では、隣合うヒータの温度が各々
異なるため、この温度差により、前記分割されたヒータ
が連設する部分(接続部)では、温度分布にバラツキが
生じ、ウェハの温度を均一に保つことが困難であるとい
う問題があった。
【0004】本発明は、このような問題を解決すること
を課題とするものであり、ウェハの加熱を行うヒータの
連設部の温度差を緩和し、当該ウェハの温度を均一に保
つことが可能な半導体製造装置を提供することを目的と
する。
を課題とするものであり、ウェハの加熱を行うヒータの
連設部の温度差を緩和し、当該ウェハの温度を均一に保
つことが可能な半導体製造装置を提供することを目的と
する。
【0005】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、複数のヒータを炉内に備えると共に、前
記ヒータを当該炉の長手方向に連設し、当該ヒータによ
りウェハを加熱する半導体装置において、前記ヒータ
を、前記炉の長手方向に移動可能に設置したことを特徴
とする半導体製造装置を提供するものである。
に、本発明は、複数のヒータを炉内に備えると共に、前
記ヒータを当該炉の長手方向に連設し、当該ヒータによ
りウェハを加熱する半導体装置において、前記ヒータ
を、前記炉の長手方向に移動可能に設置したことを特徴
とする半導体製造装置を提供するものである。
【0006】そして、前記ヒータを前記炉の長手方向に
一括して移動するヒータ駆動装置を備えたことを特徴と
する半導体製造装置を提供するものである。さらに、前
記隣合うヒータを互いに干渉しないように設置し、前記
各々のヒータを前記炉の長手方向に各々独立して移動す
るヒータ駆動装置を設けたことを特徴とする半導体製造
装置を提供するものである。
一括して移動するヒータ駆動装置を備えたことを特徴と
する半導体製造装置を提供するものである。さらに、前
記隣合うヒータを互いに干渉しないように設置し、前記
各々のヒータを前記炉の長手方向に各々独立して移動す
るヒータ駆動装置を設けたことを特徴とする半導体製造
装置を提供するものである。
【0007】
【作用】請求項1記載の発明によれば、ウェハの加熱中
に、前記ヒータを炉の長手方向に移動することができる
ため、当該ヒータの連設部に対応する領域の温度分布に
バラツキが生じても、このバラツキを広範囲に亘って拡
散することができる。従って、前記ヒータの連設部の温
度差を緩和することができ、前記ウェハの温度を均一に
保つことができる。
に、前記ヒータを炉の長手方向に移動することができる
ため、当該ヒータの連設部に対応する領域の温度分布に
バラツキが生じても、このバラツキを広範囲に亘って拡
散することができる。従って、前記ヒータの連設部の温
度差を緩和することができ、前記ウェハの温度を均一に
保つことができる。
【0008】そして、請求項2記載の発明によれば、前
記ヒータを炉の長手方向に一括して移動するヒータ駆動
装置を設けたことで、前記作用に加え、ヒータ全体を自
動的にスムーズに移動することができる。従って、簡単
に前記ウェハの温度を均一に保つことができる。さら
に、請求項3記載の発明によれば、前記隣合うヒータを
互いに干渉しないように設置し、前記各々のヒータを炉
の長手方向に各々独立して移動するヒータ駆動装置を設
けたことで、前記作用に加え、当該連設部に対応する領
域の温度分布にバラツキを、より不規則に広範囲に亘っ
て自動的に拡散することができる。従って、前記ヒータ
の連設部の温度差をより確実に緩和することができ、前
記ウェハの温度を簡単により均一に保つことができる。
記ヒータを炉の長手方向に一括して移動するヒータ駆動
装置を設けたことで、前記作用に加え、ヒータ全体を自
動的にスムーズに移動することができる。従って、簡単
に前記ウェハの温度を均一に保つことができる。さら
に、請求項3記載の発明によれば、前記隣合うヒータを
互いに干渉しないように設置し、前記各々のヒータを炉
の長手方向に各々独立して移動するヒータ駆動装置を設
けたことで、前記作用に加え、当該連設部に対応する領
域の温度分布にバラツキを、より不規則に広範囲に亘っ
て自動的に拡散することができる。従って、前記ヒータ
の連設部の温度差をより確実に緩和することができ、前
記ウェハの温度を簡単により均一に保つことができる。
【0009】
【実施例】次に、本発明に係る実施例について、図面を
参照して説明する。 (実施例1)図1は、本発明の実施例1に係る半導体装
置における縦型加熱炉の一部を示す断面図である。
参照して説明する。 (実施例1)図1は、本発明の実施例1に係る半導体装
置における縦型加熱炉の一部を示す断面図である。
【0010】図1に示す縦型加熱炉10は、円筒形の石
英チューブ1の外周部に、隙間を介して均熱管2が設置
されており、さらに、均熱管2の外周部に、隙間を介し
てヒータ3が設置されている。前記ヒータ3は、縦型加
熱炉10の長手方向、即ち上下方向に、3つに分割(独
立)されたヒータ3A〜3Cから構成されている。この
ヒータ3A〜3Cは、直径が同じ寸法からなり、各々が
連設した状態で設置されており、縦型加熱炉10の長手
方向に往復移動可能な状態で設置されている。
英チューブ1の外周部に、隙間を介して均熱管2が設置
されており、さらに、均熱管2の外周部に、隙間を介し
てヒータ3が設置されている。前記ヒータ3は、縦型加
熱炉10の長手方向、即ち上下方向に、3つに分割(独
立)されたヒータ3A〜3Cから構成されている。この
ヒータ3A〜3Cは、直径が同じ寸法からなり、各々が
連設した状態で設置されており、縦型加熱炉10の長手
方向に往復移動可能な状態で設置されている。
【0011】さらに、前記ヒータ3A〜3Cには、当該
ヒータ3A〜3Cを、縦型加熱炉10の長手方向に一括
して移動するヒータ駆動装置4が接続されている。この
ヒータ駆動装置4は、ヒータ3A〜3Cの移動距離(ス
トローク)、移動周期、移動方向等の決定及び実行を行
なっている。尚、本実施例では、有効炉長が800mm
の縦型加熱炉10を用いた。
ヒータ3A〜3Cを、縦型加熱炉10の長手方向に一括
して移動するヒータ駆動装置4が接続されている。この
ヒータ駆動装置4は、ヒータ3A〜3Cの移動距離(ス
トローク)、移動周期、移動方向等の決定及び実行を行
なっている。尚、本実施例では、有効炉長が800mm
の縦型加熱炉10を用いた。
【0012】次に、実施例1に係る縦型加熱炉10を使
用した具体的な実施例について説明する。先ず、各々の
ヒータ3A〜3Cを所定温度に昇温する。この時、縦型
加熱炉10の両端が開口となっているため、縦型加熱炉
10の両端付近の温度が中央部の温度に比べて低くなら
ないように、ヒータ3A及び3Cの温度をヒータ3Bの
温度より高く設定した。
用した具体的な実施例について説明する。先ず、各々の
ヒータ3A〜3Cを所定温度に昇温する。この時、縦型
加熱炉10の両端が開口となっているため、縦型加熱炉
10の両端付近の温度が中央部の温度に比べて低くなら
ないように、ヒータ3A及び3Cの温度をヒータ3Bの
温度より高く設定した。
【0013】その後、ヒータ駆動装置4のスイッチを入
れ、ヒータ3A〜3Cを縦型加熱炉10の長手方向に一
括して往復移動させる。このように、ヒータ3A〜3C
を一括して往復移動させることで、ヒータ3A〜3Cの
各々隣接する連設部に対応する領域の温度分布にバラツ
キが生じても、このバラツキを広範囲に亘って拡散する
ことができる。従って、前記連設部に生じている温度差
を緩和することができる。また、ヒータ3A〜3Cを一
括して移動するため、ヒータ3全体を自動的にスムーズ
に移動することができる。
れ、ヒータ3A〜3Cを縦型加熱炉10の長手方向に一
括して往復移動させる。このように、ヒータ3A〜3C
を一括して往復移動させることで、ヒータ3A〜3Cの
各々隣接する連設部に対応する領域の温度分布にバラツ
キが生じても、このバラツキを広範囲に亘って拡散する
ことができる。従って、前記連設部に生じている温度差
を緩和することができる。また、ヒータ3A〜3Cを一
括して移動するため、ヒータ3全体を自動的にスムーズ
に移動することができる。
【0014】次いで、縦型加熱炉10内の所定位置に、
ウェハをセットして加熱する。この時、前記ヒータ3A
〜3Cの往復運動は、当該ウェハの加熱が終了するまで
継続して行う。このように、ヒータ3A〜3Cの各々の
連設部の温度差を緩和した状態でウェハを加熱するた
め、ウェハの温度を一定に保ちながら当該ウェハを加熱
することができる。
ウェハをセットして加熱する。この時、前記ヒータ3A
〜3Cの往復運動は、当該ウェハの加熱が終了するまで
継続して行う。このように、ヒータ3A〜3Cの各々の
連設部の温度差を緩和した状態でウェハを加熱するた
め、ウェハの温度を一定に保ちながら当該ウェハを加熱
することができる。
【0015】次に、本発明に係る縦型加熱炉10の有効
炉長に対する温度分布と、従来の縦型加熱炉の有効炉長
に対する温度分布を測定した。この結果を図2に示す。
尚、従来の縦型加熱炉は、ヒータが往復移動を行わない
以外は、本発明に係る縦型加熱炉10と同条件のものを
使用した。図2から、本発明に係る縦型加熱炉10の有
効炉長に対する温度分布は、従来のものに比べ、温度の
バラツキが極めて少ないことが立証された。 (実施例2)次に、本発明に係る実施例2について図面
を参照して説明する。
炉長に対する温度分布と、従来の縦型加熱炉の有効炉長
に対する温度分布を測定した。この結果を図2に示す。
尚、従来の縦型加熱炉は、ヒータが往復移動を行わない
以外は、本発明に係る縦型加熱炉10と同条件のものを
使用した。図2から、本発明に係る縦型加熱炉10の有
効炉長に対する温度分布は、従来のものに比べ、温度の
バラツキが極めて少ないことが立証された。 (実施例2)次に、本発明に係る実施例2について図面
を参照して説明する。
【0016】図3は、本発明の実施例2に係る半導体装
置における縦型加熱炉の一部を示す断面図である。図3
に示す縦型加熱炉10は、図1に示す縦型加熱炉と同様
の構造を有する石英チューブ1と均熱管2を備え、均熱
管2の外周部には、隙間を介してヒータ3が設置されて
いる。
置における縦型加熱炉の一部を示す断面図である。図3
に示す縦型加熱炉10は、図1に示す縦型加熱炉と同様
の構造を有する石英チューブ1と均熱管2を備え、均熱
管2の外周部には、隙間を介してヒータ3が設置されて
いる。
【0017】このヒータ3は、縦型加熱炉10の長手方
向、即ち上下方向に、3つに分割(独立)されたヒータ
3A〜3Cから構成されている。このヒータ3A〜3C
は、各々が連設した状態で設置されており、縦型加熱炉
10の長手方向に往復移動可能な状態で設置されてい
る。そして、前記ヒータ3A〜3Cは、互いに干渉しな
いように、ヒータ3Aの直径は、ヒータ3Bの直径より
小さく設計されており、ヒータ3Aの端部とヒータ3B
の端部とが重なり合えるようになっている。また、ヒー
タ3Cの直径も、ヒータ3Bの直径より小さく設計され
ており、ヒータ3Cの端部とヒータ3Bの端部とが重な
り合えるようになっている。即ち、ヒータ3Bに、ヒー
タ3A或いはヒータ3Cが内設可能となっている。
向、即ち上下方向に、3つに分割(独立)されたヒータ
3A〜3Cから構成されている。このヒータ3A〜3C
は、各々が連設した状態で設置されており、縦型加熱炉
10の長手方向に往復移動可能な状態で設置されてい
る。そして、前記ヒータ3A〜3Cは、互いに干渉しな
いように、ヒータ3Aの直径は、ヒータ3Bの直径より
小さく設計されており、ヒータ3Aの端部とヒータ3B
の端部とが重なり合えるようになっている。また、ヒー
タ3Cの直径も、ヒータ3Bの直径より小さく設計され
ており、ヒータ3Cの端部とヒータ3Bの端部とが重な
り合えるようになっている。即ち、ヒータ3Bに、ヒー
タ3A或いはヒータ3Cが内設可能となっている。
【0018】さらに、前記ヒータ3A〜3Cには、当該
ヒータ3A〜3Cを、縦型加熱炉10の長手方向に各々
独立して移動するヒータ駆動装置4が接続されている。
このヒータ駆動装置4は、ヒータ3A〜3Cの移動距
離、移動周期、移動方向等の決定及び実行を行なってい
る。尚、本実施例では、有効炉長が800mmの縦型加
熱炉10を用いた。
ヒータ3A〜3Cを、縦型加熱炉10の長手方向に各々
独立して移動するヒータ駆動装置4が接続されている。
このヒータ駆動装置4は、ヒータ3A〜3Cの移動距
離、移動周期、移動方向等の決定及び実行を行なってい
る。尚、本実施例では、有効炉長が800mmの縦型加
熱炉10を用いた。
【0019】次に、実施例2に係る縦型加熱炉10を使
用した具体的な実施例について説明する。先ず、実施例
1と同様の動作を行なった後、ヒータ駆動装置4のスイ
ッチを入れ、ヒータ3A〜3Cを縦型加熱炉10の長手
方向に各々独立にコントロールして往復移動させる。こ
の時、例えば、ヒータ3Aとヒータ3Bとが異なった動
きをして、一方が他の領域を侵しても、ヒータ3Aの直
径がヒータ3Bの直径より小さいため、ヒータ3Aの端
部がヒータ3Bの端部と重なり合うため、ヒータ同士が
ぶつかることがない。このように、ヒータ3A〜3Cを
個別に往復移動させることで、ヒータ3A〜3Cの各々
隣接する連設部に対応する領域の温度分布のバラツキ
を、より不規則に広範囲に亘って自動的に拡散すること
ができる。従って、ヒータ3A〜3Cの各々の連設部に
生じる温度差をより確実に緩和することができる。
用した具体的な実施例について説明する。先ず、実施例
1と同様の動作を行なった後、ヒータ駆動装置4のスイ
ッチを入れ、ヒータ3A〜3Cを縦型加熱炉10の長手
方向に各々独立にコントロールして往復移動させる。こ
の時、例えば、ヒータ3Aとヒータ3Bとが異なった動
きをして、一方が他の領域を侵しても、ヒータ3Aの直
径がヒータ3Bの直径より小さいため、ヒータ3Aの端
部がヒータ3Bの端部と重なり合うため、ヒータ同士が
ぶつかることがない。このように、ヒータ3A〜3Cを
個別に往復移動させることで、ヒータ3A〜3Cの各々
隣接する連設部に対応する領域の温度分布のバラツキ
を、より不規則に広範囲に亘って自動的に拡散すること
ができる。従って、ヒータ3A〜3Cの各々の連設部に
生じる温度差をより確実に緩和することができる。
【0020】次いで、実施例1と同様にしてウェハを加
熱する。この時、前記ヒータ3A〜3Cの往復運動は、
当該ウェハの加熱が終了するまで継続して行う。このよ
うに、ヒータ3A〜3Cの各々の連設部に生じる温度差
を緩和した状態でウェハを加熱するため、ウェハの温度
を一定に保ちながら当該ウェハを加熱することができ
る。
熱する。この時、前記ヒータ3A〜3Cの往復運動は、
当該ウェハの加熱が終了するまで継続して行う。このよ
うに、ヒータ3A〜3Cの各々の連設部に生じる温度差
を緩和した状態でウェハを加熱するため、ウェハの温度
を一定に保ちながら当該ウェハを加熱することができ
る。
【0021】次に、本実施例に係る縦型加熱炉10の有
効炉長に対する温度分布を測定したところ、実施例1同
様に、温度のバラツキが極めて少ないことが立証され
た。尚、実施例2では、隣合うヒータが互いに干渉しな
いように、隣合うヒータの径を各々異なる寸法とした
が、これに限らず、隣合うヒータが互いに嵌合しあうよ
うな嵌合部を設ける等、隣合うヒータが互いに干渉しな
ければ、他の構造を有してもよい。
効炉長に対する温度分布を測定したところ、実施例1同
様に、温度のバラツキが極めて少ないことが立証され
た。尚、実施例2では、隣合うヒータが互いに干渉しな
いように、隣合うヒータの径を各々異なる寸法とした
が、これに限らず、隣合うヒータが互いに嵌合しあうよ
うな嵌合部を設ける等、隣合うヒータが互いに干渉しな
ければ、他の構造を有してもよい。
【0022】尚、本発明に係る半導体製造装置のヒータ
3A〜3Cの移動距離、移動周期、移動方向等は、所望
により任意に決定してよい。また、本実施例では、ヒー
タ3を3つに分割したが、これに限らず、ヒータ3の分
割数は、所望により決定してよい。そして、本実施例で
は、縦型加熱炉におけるヒータについて説明したが、こ
れに限らず、横型加熱炉等、他の構造を有する加熱炉の
ヒータに応用してもよいことは勿論である。
3A〜3Cの移動距離、移動周期、移動方向等は、所望
により任意に決定してよい。また、本実施例では、ヒー
タ3を3つに分割したが、これに限らず、ヒータ3の分
割数は、所望により決定してよい。そして、本実施例で
は、縦型加熱炉におけるヒータについて説明したが、こ
れに限らず、横型加熱炉等、他の構造を有する加熱炉の
ヒータに応用してもよいことは勿論である。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1記載の発
明によれば、ウェハの加熱中に、前記ヒータを炉の長手
方向に移動することができるため、当該連設部に対応す
る領域の温度分布にバラツキが生じても、このバラツキ
を広範囲に亘って拡散することができる。従って、ヒー
タの連設部に生じる温度差を緩和することができる。従
って、ウェハの温度を一定に保つことができる結果、ウ
ェハ間のバラツキがない信頼性の高いウェハを高歩留り
で提供することができる。
明によれば、ウェハの加熱中に、前記ヒータを炉の長手
方向に移動することができるため、当該連設部に対応す
る領域の温度分布にバラツキが生じても、このバラツキ
を広範囲に亘って拡散することができる。従って、ヒー
タの連設部に生じる温度差を緩和することができる。従
って、ウェハの温度を一定に保つことができる結果、ウ
ェハ間のバラツキがない信頼性の高いウェハを高歩留り
で提供することができる。
【0024】そして、請求項2記載の発明によれば、前
記ヒータを炉の長手方向に一括して移動するヒータ駆動
装置を設けたことで、前記効果に加え、ヒータ全体を自
動的にスムーズに移動することができる。従って、簡単
にヒータの連設部に生じる温度差を緩和することができ
る結果、ウェハの温度を一定に保つことができる。この
ため、ウェハ間のバラツキがない信頼性の高いウェハを
高歩留りで提供することができる。
記ヒータを炉の長手方向に一括して移動するヒータ駆動
装置を設けたことで、前記効果に加え、ヒータ全体を自
動的にスムーズに移動することができる。従って、簡単
にヒータの連設部に生じる温度差を緩和することができ
る結果、ウェハの温度を一定に保つことができる。この
ため、ウェハ間のバラツキがない信頼性の高いウェハを
高歩留りで提供することができる。
【0025】さらに、請求項3記載の発明によれば、前
記隣合うヒータを互いに干渉しないように設置し、当該
ヒータを炉の長手方向に各々独立して移動するヒータ駆
動装置を設けたことで、前記効果に加え、当該連設部に
対応する領域の温度分布にバラツキを、より不規則に広
範囲に亘って自動的に拡散することができる。従って、
簡単にヒータの連設部に生じる温度差をより確実に緩和
することができる結果、ウェハの温度を一定に保つこと
ができ、ウェハ間のバラツキがない信頼性の高いウェハ
を高歩留りで提供することができる。
記隣合うヒータを互いに干渉しないように設置し、当該
ヒータを炉の長手方向に各々独立して移動するヒータ駆
動装置を設けたことで、前記効果に加え、当該連設部に
対応する領域の温度分布にバラツキを、より不規則に広
範囲に亘って自動的に拡散することができる。従って、
簡単にヒータの連設部に生じる温度差をより確実に緩和
することができる結果、ウェハの温度を一定に保つこと
ができ、ウェハ間のバラツキがない信頼性の高いウェハ
を高歩留りで提供することができる。
【図1】本発明の実施例1に係る半導体装置における縦
型加熱炉の一部を示す断面図である。
型加熱炉の一部を示す断面図である。
【図2】本発明の実施例1に係る縦型加熱炉10の有効
炉長に対する温度分布と、従来の縦型加熱炉の有効炉長
に対する温度分布を示す図である。
炉長に対する温度分布と、従来の縦型加熱炉の有効炉長
に対する温度分布を示す図である。
【図3】本発明の実施例2に係る半導体装置における縦
型加熱炉の一部を示す断面図である。
型加熱炉の一部を示す断面図である。
1 石英チューブ 2 均熱管 3 ヒータ 4 ヒータ駆動装置 10 縦型加熱炉
Claims (3)
- 【請求項1】 複数のヒータを炉内に備えると共に、前
記ヒータを当該炉の長手方向に連設し、当該ヒータによ
りウェハを加熱する半導体装置において、 前記ヒータを、前記炉の長手方向に移動可能に設置した
ことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項2】 前記ヒータを前記炉の長手方向に一括し
て移動するヒータ駆動装置を備えたことを特徴とする請
求項1記載の半導体製造装置。 - 【請求項3】 前記隣合うヒータを互いに干渉しないよ
うに設置し、前記各々のヒータを前記炉の長手方向に各
々独立して移動するヒータ駆動装置を設けたことを特徴
とする請求項1記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33508091A JPH05166739A (ja) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33508091A JPH05166739A (ja) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05166739A true JPH05166739A (ja) | 1993-07-02 |
Family
ID=18284545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33508091A Pending JPH05166739A (ja) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05166739A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6807143B1 (en) | 1998-07-06 | 2004-10-19 | Nec Corporation | Information-recording medium and information reproducing apparatus |
| US7311520B2 (en) | 2002-09-24 | 2007-12-25 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus |
| CN101846451A (zh) * | 2009-03-24 | 2010-09-29 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用于半导体炉的可旋转可调节的加热器 |
-
1991
- 1991-12-18 JP JP33508091A patent/JPH05166739A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6807143B1 (en) | 1998-07-06 | 2004-10-19 | Nec Corporation | Information-recording medium and information reproducing apparatus |
| US7311520B2 (en) | 2002-09-24 | 2007-12-25 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus |
| EP1544900A4 (en) * | 2002-09-24 | 2008-08-13 | Tokyo Electron Ltd | HEAT TREATMENT DEVICE |
| CN101846451A (zh) * | 2009-03-24 | 2010-09-29 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用于半导体炉的可旋转可调节的加热器 |
| US8536491B2 (en) | 2009-03-24 | 2013-09-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Rotatable and tunable heaters for semiconductor furnace |
| US9105591B2 (en) | 2009-03-24 | 2015-08-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Rotatable and tunable heaters for semiconductor furnace |
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