JPH05152334A - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタの製造方法Info
- Publication number
- JPH05152334A JPH05152334A JP33582891A JP33582891A JPH05152334A JP H05152334 A JPH05152334 A JP H05152334A JP 33582891 A JP33582891 A JP 33582891A JP 33582891 A JP33582891 A JP 33582891A JP H05152334 A JPH05152334 A JP H05152334A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- amorphous silicon
- insulating film
- silicon film
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 アモルファスシリコン膜を結晶化する際、シ
リコンの膜厚方向に均一な結晶成長を得る。 【構成】 絶縁基板１１上に酸化シリコンからなる下層
絶縁膜１２が堆積され、その上にアモルファスシリコン
膜１３が堆積され、その上に窒化シリコンからなる上層
絶縁膜１５が堆積されている。そして、エキシマレーザ
を照射すると、アモルファスシリコン膜１３全体が溶融
した時点ではアモルファスシリコン膜１３の上面の温度
が最低で下部に向かうに従って漸次高くなっている。と
ころで、窒化シリコンの熱伝導率は酸化シリコンのそれ
よりも大きいので、アモルファスシリコン膜１３の下面
から下層絶縁膜１２に放出される熱量よりもアモルファ
スシリコン膜１３の上面から上層絶縁膜１５に放出され
る熱量が大きくなる。この結果、アモルファスシリコン
膜１３の上面側からのみ固化が始まり、シリコンの膜厚
方向に均一な結晶成長が得られる。
リコンの膜厚方向に均一な結晶成長を得る。 【構成】 絶縁基板１１上に酸化シリコンからなる下層
絶縁膜１２が堆積され、その上にアモルファスシリコン
膜１３が堆積され、その上に窒化シリコンからなる上層
絶縁膜１５が堆積されている。そして、エキシマレーザ
を照射すると、アモルファスシリコン膜１３全体が溶融
した時点ではアモルファスシリコン膜１３の上面の温度
が最低で下部に向かうに従って漸次高くなっている。と
ころで、窒化シリコンの熱伝導率は酸化シリコンのそれ
よりも大きいので、アモルファスシリコン膜１３の下面
から下層絶縁膜１２に放出される熱量よりもアモルファ
スシリコン膜１３の上面から上層絶縁膜１５に放出され
る熱量が大きくなる。この結果、アモルファスシリコン
膜１３の上面側からのみ固化が始まり、シリコンの膜厚
方向に均一な結晶成長が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は薄膜トランジスタの製
造方法に関する。
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】アモルファスシリコンを結晶化して薄膜
トランジスタを製造する場合、例えば図９に示すよう
に、ガラス等からなる絶縁基板１の上面に酸化シリコン
からなる下層絶縁膜２を形成し、下層絶縁膜２の上面に
アモルファスシリコン膜３を形成し、アモルファスシリ
コン膜３側からエキシマレーザを照射することにより、
アモルファスシリコン膜３を結晶化してポリシリコン膜
とし、このポリシリコン膜を素子分離して薄膜トランジ
スタ形成領域を形成するようにしている。この場合、ア
モルファスシリコン膜３にエキシマレーザを照射する
と、まずアモルファスシリコン膜３の上面が高温となっ
て溶融し、次いでこの高温となった上面の熱および上面
の溶融により発生した潜熱がアモルファスシリコン膜３
の上面下部に伝わり、この上面下部が高温となって溶融
し、以下このようなことが繰り返されることにより、ア
モルファスシリコン膜３全体が溶融し、そしてアモルフ
ァスシリコン膜３から熱が放出されることにより固化す
る過程で結晶化が行われる。
トランジスタを製造する場合、例えば図９に示すよう
に、ガラス等からなる絶縁基板１の上面に酸化シリコン
からなる下層絶縁膜２を形成し、下層絶縁膜２の上面に
アモルファスシリコン膜３を形成し、アモルファスシリ
コン膜３側からエキシマレーザを照射することにより、
アモルファスシリコン膜３を結晶化してポリシリコン膜
とし、このポリシリコン膜を素子分離して薄膜トランジ
スタ形成領域を形成するようにしている。この場合、ア
モルファスシリコン膜３にエキシマレーザを照射する
と、まずアモルファスシリコン膜３の上面が高温となっ
て溶融し、次いでこの高温となった上面の熱および上面
の溶融により発生した潜熱がアモルファスシリコン膜３
の上面下部に伝わり、この上面下部が高温となって溶融
し、以下このようなことが繰り返されることにより、ア
モルファスシリコン膜３全体が溶融し、そしてアモルフ
ァスシリコン膜３から熱が放出されることにより固化す
る過程で結晶化が行われる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このような薄膜トランジスタでは、アモルファスシリコ
ン膜３の膜厚方向への熱の移動および潜熱の発生によ
り、アモルファスシリコン膜３全体を溶融しているの
で、全体が溶融した時点でアモルファスシリコン膜３の
上面の温度が最低で下部に向かうに従って漸次高くな
り、このため図９において矢印Ａで示すようにアモルフ
ァスシリコン膜３の上面側から固化が始まるが、アモル
ファスシリコン膜３の下面から下層絶縁膜２に熱が放出
され、このため同図において矢印Ｂで示すようにアモル
ファスシリコン膜３の下面側からも同時に固化が始ま
り、この結果上面側からの固化に伴う結晶と下面側から
の固化に伴う結晶とがシリコン内部でぶつかり合い、ひ
いてはシリコンの膜厚方向に均一な結晶成長が得られな
いという問題があった。この発明の目的は、シリコンの
膜厚方向に均一な結晶成長を得ることのできる薄膜トラ
ンジスタの製造方法を提供することにある。
このような薄膜トランジスタでは、アモルファスシリコ
ン膜３の膜厚方向への熱の移動および潜熱の発生によ
り、アモルファスシリコン膜３全体を溶融しているの
で、全体が溶融した時点でアモルファスシリコン膜３の
上面の温度が最低で下部に向かうに従って漸次高くな
り、このため図９において矢印Ａで示すようにアモルフ
ァスシリコン膜３の上面側から固化が始まるが、アモル
ファスシリコン膜３の下面から下層絶縁膜２に熱が放出
され、このため同図において矢印Ｂで示すようにアモル
ファスシリコン膜３の下面側からも同時に固化が始ま
り、この結果上面側からの固化に伴う結晶と下面側から
の固化に伴う結晶とがシリコン内部でぶつかり合い、ひ
いてはシリコンの膜厚方向に均一な結晶成長が得られな
いという問題があった。この発明の目的は、シリコンの
膜厚方向に均一な結晶成長を得ることのできる薄膜トラ
ンジスタの製造方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明は、絶縁基板ま
たは下層絶縁膜上にアモルファスシリコン膜を形成し、
該アモルファスシリコン膜上に熱伝導率が前記絶縁基板
または下層絶縁膜の熱伝導率よりも大きい上層絶縁膜を
形成し、該上層絶縁膜側からレーザを照射することによ
り、前記アモルファスシリコン膜を結晶化するようにし
たものである。
たは下層絶縁膜上にアモルファスシリコン膜を形成し、
該アモルファスシリコン膜上に熱伝導率が前記絶縁基板
または下層絶縁膜の熱伝導率よりも大きい上層絶縁膜を
形成し、該上層絶縁膜側からレーザを照射することによ
り、前記アモルファスシリコン膜を結晶化するようにし
たものである。
【０００５】
【作用】この発明によれば、上層絶縁膜の熱伝導率が絶
縁基板または下層絶縁膜の熱伝導率よりも大きいので、
アモルファスシリコン膜の下面から絶縁基板または下層
絶縁膜に放出される熱量よりもアモルファスシリコン膜
の上面から上層絶縁膜に放出される熱量が大きくなり、
この結果アモルファスシリコン膜の上面側からのみ固化
が始まり、したがってシリコンの膜厚方向に均一な結晶
成長を得ることができる。
縁基板または下層絶縁膜の熱伝導率よりも大きいので、
アモルファスシリコン膜の下面から絶縁基板または下層
絶縁膜に放出される熱量よりもアモルファスシリコン膜
の上面から上層絶縁膜に放出される熱量が大きくなり、
この結果アモルファスシリコン膜の上面側からのみ固化
が始まり、したがってシリコンの膜厚方向に均一な結晶
成長を得ることができる。
【０００６】
【実施例】図１〜図７はそれぞれこの発明の一実施例に
おける薄膜トランジスタの各製造工程を示したものであ
る。そこで、これらの図を順に参照しながら、薄膜トラ
ンジスタの製造方法について説明する。
おける薄膜トランジスタの各製造工程を示したものであ
る。そこで、これらの図を順に参照しながら、薄膜トラ
ンジスタの製造方法について説明する。
【０００７】まず、図１に示すように、ガラス等からな
る絶縁基板１１の上面に常圧ＣＶＤにより酸化シリコン
（ＳｉＯ2）からなる下層絶縁膜１２を２０００Å程度
の厚さに堆積する。次に、下層絶縁膜１２の上面に減圧
ＣＶＤによりアモルファスシリコン膜１３を１０００Å
程度の厚さに堆積する。次に、図２に示すように、フォ
トレジスト１４をマスクとしてイオン注入装置により、
ソース・ドレイン領域１６ｂを形成すべき部分のアモル
ファスシリコン膜１３に不純物を注入する。この後、イ
オン注入マスクとしてのフォトレジスト１４をエッチン
グして除去する。
る絶縁基板１１の上面に常圧ＣＶＤにより酸化シリコン
（ＳｉＯ2）からなる下層絶縁膜１２を２０００Å程度
の厚さに堆積する。次に、下層絶縁膜１２の上面に減圧
ＣＶＤによりアモルファスシリコン膜１３を１０００Å
程度の厚さに堆積する。次に、図２に示すように、フォ
トレジスト１４をマスクとしてイオン注入装置により、
ソース・ドレイン領域１６ｂを形成すべき部分のアモル
ファスシリコン膜１３に不純物を注入する。この後、イ
オン注入マスクとしてのフォトレジスト１４をエッチン
グして除去する。
【０００８】次に、図３に示すように、アモルファスシ
リコン膜１３の上面にプラズマＣＶＤにより窒化シリコ
ン（Ｓｉ3Ｎ4）からなる上層絶縁膜１５を２０００Å程
度の厚さに堆積する。次に、上層絶縁膜１５側からエキ
シマレーザを照射し、アモルファスシリコン膜１３を結
晶化してポリシリコン膜からなる半導体薄膜１６とする
と共に、注入した不純物を活性化する。この場合、エキ
シマレーザを照射したとき、アモルファスシリコン膜１
３と上層絶縁膜１５の境界面で反射される反射光と上層
絶縁膜１５の上面から入射する入射光の位相が合ってい
ると、エキシマレーザの透過率が高くなり、このためア
モルファスシリコン膜１３に到達するレーザエネルギが
最大となる。そこで、上層絶縁膜１５の膜厚は、アモル
ファスシリコン膜１３に到達するレーザエネルギが最大
となるようにしている。また、エキシマレーザのエネル
ギは、上層絶縁膜１５に奪われる熱を補うために、従来
よりも高エネルギとしている。
リコン膜１３の上面にプラズマＣＶＤにより窒化シリコ
ン（Ｓｉ3Ｎ4）からなる上層絶縁膜１５を２０００Å程
度の厚さに堆積する。次に、上層絶縁膜１５側からエキ
シマレーザを照射し、アモルファスシリコン膜１３を結
晶化してポリシリコン膜からなる半導体薄膜１６とする
と共に、注入した不純物を活性化する。この場合、エキ
シマレーザを照射したとき、アモルファスシリコン膜１
３と上層絶縁膜１５の境界面で反射される反射光と上層
絶縁膜１５の上面から入射する入射光の位相が合ってい
ると、エキシマレーザの透過率が高くなり、このためア
モルファスシリコン膜１３に到達するレーザエネルギが
最大となる。そこで、上層絶縁膜１５の膜厚は、アモル
ファスシリコン膜１３に到達するレーザエネルギが最大
となるようにしている。また、エキシマレーザのエネル
ギは、上層絶縁膜１５に奪われる熱を補うために、従来
よりも高エネルギとしている。
【０００９】ここで、エキシマレーザの照射によりアモ
ルファスシリコン膜１３を結晶化する場合について、図
８を参照しながら詳述する。アモルファスシリコン膜１
３にエキシマレーザを照射すると、従来の場合と同様
に、まずアモルファスシリコン膜１３の上面が高温とな
って溶融し、次いでこの高温となった上面の熱および上
面の溶融により発生した潜熱がアモルファスシリコン膜
１３の上面下部に伝わり、この上面下部が高温となって
溶融し、以下このようなことが繰り返されることによ
り、アモルファスシリコン膜１３全体が溶融する。この
ように全体が溶融した時点ではアモルファスシリコン膜
１３の上面の温度が最低で下部に向かうに従って漸次高
くなっている。ところで、アモルファスシリコン膜１３
の上面に設けられた窒化シリコンからなる上層絶縁膜１
５の熱伝導率は、アモルファスシリコン膜１３の下面に
設けられた酸化シリコンからなる下層絶縁膜１２の熱伝
導率よりも大きい。このため、アモルファスシリコン膜
１３の下面から下層絶縁膜１２に放出される熱量より
も、アモルファスシリコン膜１３の上面から上層絶縁膜
１５に放出される熱量が大きくなる。この結果、図８に
おいて矢印Ｃで示すようにアモルファスシリコン膜１３
の上面側からのみ固化が始まり、シリコンの膜厚方向に
均一な結晶成長が得られることになる。なお、下層絶縁
膜１２を酸化タルタン（Ｔａ2Ｏ5）によって形成して
も、同様の効果を得ることができる。
ルファスシリコン膜１３を結晶化する場合について、図
８を参照しながら詳述する。アモルファスシリコン膜１
３にエキシマレーザを照射すると、従来の場合と同様
に、まずアモルファスシリコン膜１３の上面が高温とな
って溶融し、次いでこの高温となった上面の熱および上
面の溶融により発生した潜熱がアモルファスシリコン膜
１３の上面下部に伝わり、この上面下部が高温となって
溶融し、以下このようなことが繰り返されることによ
り、アモルファスシリコン膜１３全体が溶融する。この
ように全体が溶融した時点ではアモルファスシリコン膜
１３の上面の温度が最低で下部に向かうに従って漸次高
くなっている。ところで、アモルファスシリコン膜１３
の上面に設けられた窒化シリコンからなる上層絶縁膜１
５の熱伝導率は、アモルファスシリコン膜１３の下面に
設けられた酸化シリコンからなる下層絶縁膜１２の熱伝
導率よりも大きい。このため、アモルファスシリコン膜
１３の下面から下層絶縁膜１２に放出される熱量より
も、アモルファスシリコン膜１３の上面から上層絶縁膜
１５に放出される熱量が大きくなる。この結果、図８に
おいて矢印Ｃで示すようにアモルファスシリコン膜１３
の上面側からのみ固化が始まり、シリコンの膜厚方向に
均一な結晶成長が得られることになる。なお、下層絶縁
膜１２を酸化タルタン（Ｔａ2Ｏ5）によって形成して
も、同様の効果を得ることができる。
【００１０】さて、図３に戻って説明を続けると、アモ
ルファスシリコン膜１３を結晶化してポリシリコン膜か
らなる半導体薄膜１６としたら、上層絶縁膜１５をエッ
チングして除去する。次に、図４に示すように、フォト
リソグラフィ技術により不要な部分の半導体薄膜１６を
エッチングして除去することにより、薄膜トランジスタ
形成領域のみに半導体薄膜１６をパターン形成する。こ
の状態では、既に不純物を注入しているので、半導体薄
膜１６の中央部はチャネル領域１６ａとされ、その両側
は不純物領域からなるソース・ドレイン領域１６ｂとさ
れている。次に、図５に示すように、全表面にスパッタ
リング装置を用いて酸化シリコンからなるゲート絶縁膜
１７を１０００〜１５００Å程度の厚さに堆積する。次
に、チャネル領域１６ａに対応する部分のゲート絶縁膜
１７の上面にスパッタリング装置を用いてアルミニウム
やクロム等からなるゲート電極１８を１０００Å程度の
厚さにパターン形成する。次に、図６に示すように、全
上面にプラズマＣＶＤ法により窒化シリコンからなる層
間絶縁膜１９を３０００Å程度の厚さに堆積する。次
に、ソース・ドレイン領域１６ｂに対応する部分におけ
る層間絶縁膜１９およびゲート絶縁膜１７にコンタクト
ホール２０を形成する。次に、図７に示すように、コン
タクトホール２０および層間絶縁膜１９の上面の所定の
個所にスパッタリング装置を用いてアルミニウムからな
るソース・ドレイン電極２１を５０００Å程度の厚さに
パターン形成し、ソース・ドレイン領域１６ｂと接続さ
せる。かくして、薄膜トランジスタが製造される。
ルファスシリコン膜１３を結晶化してポリシリコン膜か
らなる半導体薄膜１６としたら、上層絶縁膜１５をエッ
チングして除去する。次に、図４に示すように、フォト
リソグラフィ技術により不要な部分の半導体薄膜１６を
エッチングして除去することにより、薄膜トランジスタ
形成領域のみに半導体薄膜１６をパターン形成する。こ
の状態では、既に不純物を注入しているので、半導体薄
膜１６の中央部はチャネル領域１６ａとされ、その両側
は不純物領域からなるソース・ドレイン領域１６ｂとさ
れている。次に、図５に示すように、全表面にスパッタ
リング装置を用いて酸化シリコンからなるゲート絶縁膜
１７を１０００〜１５００Å程度の厚さに堆積する。次
に、チャネル領域１６ａに対応する部分のゲート絶縁膜
１７の上面にスパッタリング装置を用いてアルミニウム
やクロム等からなるゲート電極１８を１０００Å程度の
厚さにパターン形成する。次に、図６に示すように、全
上面にプラズマＣＶＤ法により窒化シリコンからなる層
間絶縁膜１９を３０００Å程度の厚さに堆積する。次
に、ソース・ドレイン領域１６ｂに対応する部分におけ
る層間絶縁膜１９およびゲート絶縁膜１７にコンタクト
ホール２０を形成する。次に、図７に示すように、コン
タクトホール２０および層間絶縁膜１９の上面の所定の
個所にスパッタリング装置を用いてアルミニウムからな
るソース・ドレイン電極２１を５０００Å程度の厚さに
パターン形成し、ソース・ドレイン領域１６ｂと接続さ
せる。かくして、薄膜トランジスタが製造される。
【００１１】なお、上記実施例では、アモルファスシリ
コン膜１３を絶縁基板１１上に形成した下層絶縁膜１２
上に形成する場合で説明したが、アモルファスシリコン
膜１３を絶縁基板１１上に直接形成する場合にも適用で
きる。また、絶縁基板１１がガラス基板等の透明材料の
場合には、エキシマレーザを絶縁基板１１側から照射す
るようにしてもよい。勿論、この場合には、エキシマレ
ーザ照射側の絶縁膜の熱伝導率は、反対面側の熱伝導率
よりも大きくしておくことが絶対条件である。
コン膜１３を絶縁基板１１上に形成した下層絶縁膜１２
上に形成する場合で説明したが、アモルファスシリコン
膜１３を絶縁基板１１上に直接形成する場合にも適用で
きる。また、絶縁基板１１がガラス基板等の透明材料の
場合には、エキシマレーザを絶縁基板１１側から照射す
るようにしてもよい。勿論、この場合には、エキシマレ
ーザ照射側の絶縁膜の熱伝導率は、反対面側の熱伝導率
よりも大きくしておくことが絶対条件である。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、上層絶縁膜の熱伝導率が絶縁基板または下層絶縁膜
の熱伝導率よりも大きいので、アモルファスシリコン膜
の下面から下層絶縁膜に放出される熱量よりもアモルフ
ァスシリコン膜の上面から上層絶縁膜に放出される熱量
が大きくなり、この結果アモルファスシリコン膜の上面
側からのみ固化が始まり、したがってシリコンの膜厚方
向に均一な結晶成長を得ることができる。
ば、上層絶縁膜の熱伝導率が絶縁基板または下層絶縁膜
の熱伝導率よりも大きいので、アモルファスシリコン膜
の下面から下層絶縁膜に放出される熱量よりもアモルフ
ァスシリコン膜の上面から上層絶縁膜に放出される熱量
が大きくなり、この結果アモルファスシリコン膜の上面
側からのみ固化が始まり、したがってシリコンの膜厚方
向に均一な結晶成長を得ることができる。
【図１】この発明の一実施例における薄膜トランジスタ
の製造に際し、絶縁基板の上面に形成した下層絶縁膜の
上面にアモルファスシリコン膜を形成した状態の断面
図。
の製造に際し、絶縁基板の上面に形成した下層絶縁膜の
上面にアモルファスシリコン膜を形成した状態の断面
図。
【図２】同薄膜トランジスタの製造に際し、アモルファ
スシリコン膜に不純物を注入した状態の断面図。
スシリコン膜に不純物を注入した状態の断面図。
【図３】同薄膜トランジスタの製造に際し、上層絶縁膜
を形成した後、エキシマレーザの照射により、アモルフ
ァスシリコン膜を結晶化すると共に注入不純物を活性化
した状態の断面図。
を形成した後、エキシマレーザの照射により、アモルフ
ァスシリコン膜を結晶化すると共に注入不純物を活性化
した状態の断面図。
【図４】同薄膜トランジスタの製造に際し、不要な部分
の半導体薄膜をエッチングして除去した状態の断面図。
の半導体薄膜をエッチングして除去した状態の断面図。
【図５】同薄膜トランジスタの製造に際し、ゲート絶縁
膜およびゲート電極を形成した状態の断面図。
膜およびゲート電極を形成した状態の断面図。
【図６】同薄膜トランジスタの製造に際し、層間絶縁膜
を形成した後コンタクトホールを形成した状態の断面
図。
を形成した後コンタクトホールを形成した状態の断面
図。
【図７】同薄膜トランジスタの製造に際し、ソース・ド
レイン電極を形成した状態の断面図。
レイン電極を形成した状態の断面図。
【図８】同薄膜トランジスタの製造に際し、エキシマレ
ーザの照射によるアモルファスシリコン膜の結晶化を説
明するために示す断面図。
ーザの照射によるアモルファスシリコン膜の結晶化を説
明するために示す断面図。
【図９】従来の薄膜トランジスタのの製造に際し、エキ
シマレーザの照射によるアモルファスシリコン膜の結晶
化を説明するために示す断面図。
シマレーザの照射によるアモルファスシリコン膜の結晶
化を説明するために示す断面図。
【符号の説明】 １１ 絶縁基板 １２ 下層絶縁膜 １３ アモルファスシリコン膜 １５ 上層絶縁膜
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁基板または下層絶縁膜上にアモルフ
ァスシリコン膜を形成し、該アモルファスシリコン膜上
に熱伝導率が前記絶縁基板または下層絶縁膜の熱伝導率
よりも大きい上層絶縁膜を形成し、該上層絶縁膜側から
レーザを照射することにより、前記アモルファスシリコ
ン膜を結晶化することを特徴とする薄膜トランジスタの
製造方法。 - 【請求項２】 前記下層絶縁膜は酸化シリコンまたは酸
化タルタンからなり、前記上層絶縁膜は窒化シリコンか
らなることを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジス
タの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33582891A JPH05152334A (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33582891A JPH05152334A (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152334A true JPH05152334A (ja) | 1993-06-18 |
Family
ID=18292861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33582891A Pending JPH05152334A (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05152334A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6528397B1 (en) | 1997-12-17 | 2003-03-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor thin film, method of producing the same, apparatus for producing the same, semiconductor device and method of producing the same |
-
1991
- 1991-11-27 JP JP33582891A patent/JPH05152334A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6528397B1 (en) | 1997-12-17 | 2003-03-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor thin film, method of producing the same, apparatus for producing the same, semiconductor device and method of producing the same |
| US6806498B2 (en) | 1997-12-17 | 2004-10-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor thin film, method and apparatus for producing the same, and semiconductor device and method of producing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI294648B (en) | Method for manufacturing polysilicon film | |
| JP3586558B2 (ja) | 薄膜の改質方法及びその実施に使用する装置 | |
| JPS6281709A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| EP0822581B1 (en) | A method of manufacturing a thin film transistor | |
| US4773964A (en) | Process for the production of an oriented monocrystalline silicon film with localized defects on an insulating support | |
| JPH03244136A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| US5580801A (en) | Method for processing a thin film using an energy beam | |
| JP4203141B2 (ja) | 非晶質シリコン層の結晶化方法及びこれを使用する薄膜トランジスターの製造方法 | |
| JP2502789B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPS62160712A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0450746B2 (ja) | ||
| JP3206071B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH0917729A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US4678538A (en) | Process for the production of an insulating support on an oriented monocrystalline silicon film with localized defects | |
| JPH0883766A (ja) | 非晶質シリコンの結晶化方法および薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH05152334A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPS6230314A (ja) | 結晶性半導体薄膜の製造方法 | |
| JPH0955509A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0580159B2 (ja) | ||
| JP2838155B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH05315361A (ja) | 半導体薄膜の製造方法及び半導体素子 | |
| KR100646962B1 (ko) | 결정화 방법 및 그 결정화 방법을 이용한 박막트랜지스터및 그의 제조방법 | |
| US6130120A (en) | Method and structure for crystallizing a film | |
| JPH08293464A (ja) | 半導体基板及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH09260286A (ja) | 半導体装置の製造方法 |