JPH05158053A - Liquid crystal display manufacturing method - Google Patents
Liquid crystal display manufacturing methodInfo
- Publication number
- JPH05158053A JPH05158053A JP32207291A JP32207291A JPH05158053A JP H05158053 A JPH05158053 A JP H05158053A JP 32207291 A JP32207291 A JP 32207291A JP 32207291 A JP32207291 A JP 32207291A JP H05158053 A JPH05158053 A JP H05158053A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- substrate
- spacer
- film
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は液晶表示装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の液晶表示装置の一例を図4に示し
て構成を説明する。ガラス基板51a上に透明電極52
a,絶縁膜53a,配向膜54aの順に各層が形成され
たものが、基板59である。ここで、透明電極52aは
複数本の透明電極が互いに平行となるようにストライプ
状に配列して形成され、配向膜54aには一軸配向処理
がほどこされた構造になっている。2. Description of the Related Art An example of a conventional liquid crystal display device will be described with reference to FIG. Transparent electrode 52 on glass substrate 51a
The substrate 59 is formed by forming a, an insulating film 53a, and an alignment film 54a in this order. Here, the transparent electrode 52a is formed by arranging a plurality of transparent electrodes in a stripe shape so as to be parallel to each other, and the alignment film 54a has a uniaxial alignment treatment.
【0003】一方、もう片側のガラス基板51b上にも
同様の条件で透明電極52b,絶縁膜53b,配向膜5
4bの順に各層が形成されたものが、基板60である。
透明電極52b,配向膜54bは基板59と同様、透明
電極52bは複数本の透明電極が互いに平行となるよう
にストライプ状に配列して形成され、配向膜54bには
一軸配向処理がほどこされた構造になっている。On the other hand, the transparent electrode 52b, the insulating film 53b, and the alignment film 5 are also formed on the other side of the glass substrate 51b under the same conditions.
The substrate 60 is one in which each layer is formed in the order of 4b.
Similar to the substrate 59, the transparent electrode 52b and the alignment film 54b are formed by arranging a plurality of transparent electrodes in a stripe shape so as to be parallel to each other, and the alignment film 54b is subjected to uniaxial alignment treatment. It is structured.
【0004】ついで、この基板59と基板60は、互い
に配向膜54a,54bが対向しあい、基板59と60
で液晶組成物のねじれ角が所望の値となるようにd/p
0 (=セル厚/自然ピッチ)とチルト角の発生する方向
とを合わせてある。セル厚dは2〜8μnの間隔を隔て
てシール部材56で貼り合わせる。これらの基板59,
60間には液晶組成物57を介在させて液晶セル61が
作成される。Next, the alignment films 54a and 54b of the substrates 59 and 60 are opposed to each other, and the substrates 59 and 60 are formed.
D / p so that the twist angle of the liquid crystal composition becomes a desired value.
0 (= cell thickness / natural pitch) and the direction in which the tilt angle occurs are matched. The cell thickness d is pasted with the seal member 56 at an interval of 2 to 8 μn. These substrates 59,
A liquid crystal composition 57 is interposed between 60 to form a liquid crystal cell 61.
【0005】ここで、液晶組成物57が充填されるの
は、上下の2つの配向膜の間であり、その厚さ(d)は
液晶表示装置の設計、構成によって決まるが、1.0〜
20.0μm程度、好ましくは5.0〜8.0μmであ
る。しかし、かかる広い間隔はTN(ツイステイック・
ネマツテイック)型液晶においては必要があるが、カイ
ラル・スメクテイックスC相を用いる強誘電性液晶(以
下FLCという)を使用するならば、3μm以下、一般
には2±0.5μmが求められている。Here, the liquid crystal composition 57 is filled between the two upper and lower alignment films, and its thickness (d) depends on the design and configuration of the liquid crystal display device.
It is about 20.0 μm, preferably 5.0 to 8.0 μm. However, such a wide interval is TN (twisted
Although necessary for a nematic liquid crystal, if a ferroelectric liquid crystal (hereinafter referred to as FLC) using a chiral smectic C phase is used, it is required to be 3 μm or less, generally 2 ± 0.5 μm.
【0006】従来、この10μmの間隔に表面弾力を用
いて公知のTN液晶を充填する場合、この間隔を制御す
るスペーサが考えだされた。すなわち、スペーサは一般
に有機樹脂の球形を有する粒子であって、例えばミクロ
パールSP−210(平均粒径10.0±0.5μm)
を用いている。このミクロパールはジビニルベンゼン系
架橋重合であり、透明な真球数粒子である。Conventionally, when a known TN liquid crystal is filled in the space of 10 μm by using surface elasticity, a spacer for controlling this space has been devised. That is, the spacer is generally a spherical particle of an organic resin, for example, Micropearl SP-210 (average particle size 10.0 ± 0.5 μm).
Is used. This micropearl is a divinylbenzene-based cross-linking polymer and is a transparent true sphere particle.
【0007】しかし、表示部即ち液晶(57)が充填さ
れた領域において、外部より透明基板の機械的なストレ
スが加った場合、または基板の平坦性のなさにより2つ
の透明電極が互いにショートまたは近接しやすい。その
結果、液晶が透光性でなくなったり、一部が黒化して不
良が発生してしまいやすかった。このため、液晶部に対
しても他のミクロパールスペーサを散在させて、それぞ
れの電極がショートしないよう一定の距離に保たせてい
た。However, when the transparent substrate is mechanically stressed from the outside in the display portion, that is, in the region where the liquid crystal 57 is filled, or due to the lack of flatness of the substrate, the two transparent electrodes are short-circuited with each other or Easy to approach. As a result, the liquid crystal is not translucent, and a part of the liquid crystal is blackened, and defects are likely to occur. For this reason, other micro pearl spacers are also scattered in the liquid crystal part to keep the respective electrodes at a constant distance so as not to short-circuit.
【0008】しかし、このスペーサは単に配向膜に散在
させたのみであり、それぞれと点接触となり、この接触
部は局部荷重が大きく加わってしまった。そしてこの接
触部にもしアクテイブ素子があると、この素子を破壊し
てしまうこともありうる。そこで、点接触となり、応力
集中を防ぐための電極間の絶縁領域にのみ線状の”貝
柱”のスペーサを形成したものが工夫されてきた。However, the spacers were merely scattered on the alignment film, and each of them made point contact with each other, and a large local load was applied to this contact portion. And, if there is an active element at this contact portion, this element may be destroyed. Therefore, it has been devised that a linear "shell" spacer is formed only in an insulating region between electrodes for preventing point concentration and stress concentration.
【0009】一方、従来の配向膜を形成する方法として
は印刷法とスピンコートの2つがあった。ただし、これ
までは、配向膜を形成した後、スペーサを散布していた
ために、これらの方法を用いて配向膜を形成した場合で
あっても、特に問題となることはなく、良好な配向が得
られていた。しかし、高い精度でセルギャップを確保す
るためには、スペーサを散布する方法と比較し、スペー
サを形成する方が高い精度が得られるため、この方法が
確立されている。On the other hand, there are two conventional methods for forming an alignment film: a printing method and spin coating. However, until now, since the spacers were scattered after forming the alignment film, there is no particular problem even when the alignment film is formed using these methods, and good alignment is obtained. Had been obtained. However, in order to secure the cell gap with high accuracy, higher accuracy can be obtained by forming spacers as compared with the method of spraying spacers, and thus this method has been established.
【0010】[0010]
【発明が解決しようとする課題】従来の技術のうち印刷
法では、先にスペーサが形成された基板に対して配向膜
を形成する場合、基板上に形成したスペーサの凸部によ
り、その周辺に配向膜が形成されないという欠点があっ
た。また、スピンコートの方法では、遠心力によるもの
なので、基板上に形成したスペーサの凸部により、配向
膜の塗りむらが起きるという欠点があった。Among the conventional techniques, in the printing method, when the alignment film is formed on the substrate on which the spacer is previously formed, the protrusion of the spacer formed on the substrate causes There is a drawback that the alignment film is not formed. Further, the spin coating method has a drawback that unevenness in coating of the alignment film occurs due to the convex portion of the spacer formed on the substrate because it is caused by centrifugal force.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】この発明は、一対の透光
性基板に、その各対向し合う表面に透明電極とそれを被
覆する配向膜が形成され、その少なくとも一方の基板に
樹脂によるスペーサまたは樹脂で固定されたスペーサを
設け、液晶を挟持した液晶表示装置の製造において、予
め、少なくとも一方の基板に樹脂によるスペーサまたは
樹脂で固定されたスペーサを形成した後に、真空蒸着重
合法によって配向膜を形成することを特徴とする液晶表
示装置の製造方法に関する。According to the present invention, a transparent electrode and an alignment film for covering the transparent electrode are formed on a pair of translucent substrates, which face each other, and a spacer made of resin is formed on at least one of the substrates. Alternatively, in manufacturing a liquid crystal display device in which a spacer fixed by a resin is provided and a liquid crystal is sandwiched, a spacer made of a resin or a spacer fixed by the resin is formed on at least one substrate in advance, and then an alignment film is formed by a vacuum evaporation polymerization method. And a liquid crystal display device manufacturing method.
【0012】上記の真空蒸着重合法に使用される縮合重
合の昇華し易いジアミン成分としては、1、4−フェニ
レンジアミン、ジアミノジフェニルエーテル、ジアミノ
ジフェニルメチレン等があげられる。このうち、ジアミ
ノジフェニルエーテルとジアミノジフェニルメチレンが
好ましい。Examples of the diamine component which is easily sublimated in the condensation polymerization used in the above vacuum vapor deposition polymerization method include 1,4-phenylenediamine, diaminodiphenyl ether, diaminodiphenylmethylene and the like. Of these, diaminodiphenyl ether and diaminodiphenylmethylene are preferred.
【0013】また、昇華し易いテトラカルボン酸成分と
しては、無水ピロメリット酸、1,2,3,4−シクロ
ブタンテトラカルボン酸類、1,2,3,4−シクロペ
ンタンテトラカルボン酸類、2,3,5−トリカルボキ
シシクロペンチル酸類、3,5,6−トリカルボキシ−
ノルボルナン−2−酢酸類、5−(2,5−ジオキソテ
トラヒドロフリル)−3−メチル−シクロヘキセンジカ
ルボン酸類、ビシクロ−(2,2,2)−オクト−7−
エン−テトラカルボン酸、1,2,3,4−フランテト
ラカルボン酸類、3,3’,4,4’−パーフルオロイ
ソプピリデンテトラカルボン酸類などがある。このう
ち、無水ピロメリット酸が好ましい。As the tetracarboxylic acid component which easily sublimes, pyromellitic dianhydride, 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic acid, 1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic acid, 2,3 , 5-Tricarboxycyclopentylic acid, 3,5,6-tricarboxy-
Norbornane-2-acetic acid, 5- (2,5-dioxotetrahydrofuryl) -3-methyl-cyclohexene dicarboxylic acid, bicyclo- (2,2,2) -oct-7-
Examples include ene-tetracarboxylic acid, 1,2,3,4-furantetracarboxylic acid, and 3,3 ′, 4,4′-perfluoroisopropylidenetetracarboxylic acid. Of these, pyromellitic dianhydride is preferable.
【0014】またモノマーの種類を選択することにより
ポリアミド、ポリユレア、ポリウレタンといった配向膜
を形成することが可能であるが、配向の安定性の点でポ
リイミドが最も優れている。上記重合反応を実施する装
置は公知のもの、例えば特開昭61-78463のものが利用で
きる。It is possible to form an alignment film such as polyamide, polyurea, or polyurethane by selecting the type of monomer, but polyimide is the most excellent in terms of alignment stability. As a device for carrying out the above-mentioned polymerization reaction, a known device such as that disclosed in JP-A-61-78463 can be used.
【0015】この装置では真空中でポリイミドの原料モ
ノマーを蒸発させて電極基板の電極側表面にポリアミッ
クの皮膜を形成し、そのポリアミックをポリイミドに重
合することができる。ここでポリイミドの原料モノマー
の蒸発を真空中で行うのは、蒸発したモノマーが互い
に、あるいは重合装置内壁に衝突するのを防ぎ、モノマ
ー蒸気を直接電極基板上に付着させて、均一なポリアミ
ックの皮膜を形成するためで、一般に1×10-6Tor
r程度の真空度に設定する。In this apparatus, the raw material monomer of polyimide is evaporated in vacuum to form a polyamic film on the electrode side surface of the electrode substrate, and the polyamic can be polymerized to polyimide. Here, the evaporation of the raw material monomers of the polyimide in a vacuum is to prevent the evaporated monomers from colliding with each other or the inner wall of the polymerization apparatus, and to deposit the monomer vapor directly on the electrode substrate to form a uniform polyamic film. 1 × 10 −6 Tor in general
Set the degree of vacuum to about r.
【0016】また、グロー放電を併用する方法によって
重合されたポリイミドは液晶配向性を示す。これはグロ
ー放電中に発生するイオンや電子等が電場によってポリ
アミックの皮膜表面に水平に近い角度で入射し、これに
よりラビング処理と同じ効果を生じ、その状態でポリイ
ミドに重合されるためであると考えられる。さらに重合
反応するモノマーを加熱する必要があるときは、予め保
温したモノマーを使用したり、室温で基板上に堆積させ
た後その基板を加熱するような方法が適用されている。Further, the polyimide polymerized by the method using glow discharge together exhibits liquid crystal orientation. This is because ions and electrons generated during glow discharge are incident on the surface of the polyamic film at an angle close to horizontal due to the electric field, which produces the same effect as the rubbing treatment and is polymerized to polyimide in that state. Conceivable. Further, when it is necessary to heat the monomer that undergoes the polymerization reaction, a method of using a monomer kept warm in advance or a method of heating the substrate after being deposited on the substrate at room temperature is applied.
【0017】即ち、真空中への昇華を促進するため、基
板加熱用熱源によりテトラカルボン酸モノマー側を16
0℃程度に加熱、ジアミンモノマーを140℃程度に加
熱することが好適である。さらにポリアミック反応を促
進するため、電極基板を40℃以上に加熱することが好
適である。既成の真空蒸着重合装置としては、日本真空
技術株式会社製真空蒸着重合装置VEP−100 A型など
が利用できる。That is, in order to promote sublimation into a vacuum, the tetracarboxylic acid monomer side is heated to 16 by a heat source for heating the substrate.
It is preferable to heat to about 0 ° C. and to heat the diamine monomer to about 140 ° C. Further, in order to promote the polyamic reaction, it is preferable to heat the electrode substrate to 40 ° C. or higher. As a ready-made vacuum vapor deposition polymerization apparatus, a vacuum vaporization polymerization apparatus VEP-100A type manufactured by Nippon Vacuum Technology Co., Ltd. can be used.
【0018】スペーサに使用する樹脂組成物はポリスチ
レン、シリカ、アクリル、塩化ビニリデン、ナイロン等
が挙げられる。このうち、ポリスチレン、シリカが好適
に利用される。スペーサ形状は基板に固定されないとき
は、できるだけ応力集中が小さい形状が適当であり、
球、円柱や楕円体の形状がよい。基板に固定されて利用
されるときは球、楕円体形状が適当である。The resin composition used for the spacer includes polystyrene, silica, acrylic, vinylidene chloride, nylon and the like. Of these, polystyrene and silica are preferably used. When the spacer shape is not fixed to the substrate, it is appropriate that the stress concentration is as small as possible.
The shape of a sphere, cylinder or ellipsoid is good. When it is used by being fixed on a substrate, a spherical or ellipsoidal shape is suitable.
【0019】スペーサの大きさは1〜30μmが適用さ
れるが、4〜15μmが好適である。The size of the spacer is 1 to 30 μm, but 4 to 15 μm is preferable.
【0020】[0020]
【作用】本発明では、基板上に形成したスペーサの凸部
の周辺にも均一な配向の膜を形成することができた。According to the present invention, a film having a uniform orientation can be formed around the convex portions of the spacer formed on the substrate.
【0021】[0021]
【実施例】本発明の詳細を実施例で説明するが、この実
施例に限定されない。EXAMPLES The present invention will be described in detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
【0022】実施例1 ここで、この発明のスペーサ設置近傍に限定して、詳細
に説明する。図1に薄膜トランジスタ近傍の断面図を示
した。ここで1はゲート電極2はゲート絶縁膜、3はア
モルファスシリコン半導体膜、4はn+−アモルファスシ
リコン膜、5はソース電極、6はドレイン電極、7は絵
素電極、8は保護膜、9は透明電極、10は絶縁膜、1
1は配向膜、12は有色樹脂による遮光膜、13は液
晶、14は基板を示す。まずガラス、石英などでできた
基板上にアルミニウム、タンタル、チタン、銅などを用
いてゲート電極(この実施例ではタンタル)を形成し、
窒化シリコン、酸化シリコンなどを用いてゲート絶縁膜
(この実施例では窒化シリコン)を形成した。続いてC
VDを用いてアモルファスシリコン半導体膜、さらにn
+−アモルファスシリコン膜を形成した後、アルミニウ
ム、タンタル、チタン、銅などを用いてソース電極及び
ドレイン電極(この実施例ではチタン)を形成した。こ
のようにして薄膜トランジスタを形成した後、ITOを
用いて絵素電極を形成した。その上に窒化シリコン、酸
化シリコンなどを用いて保護膜(この実施例では酸化シ
リコン)を形成した。この保護膜は特に必要のあるもの
ではないが、有色樹脂膜の絶縁性が余り高くないか、有
色樹脂膜の膜中にイオン性の不純物が含まれている場合
には特性劣化を防止する効果がある。ここで有色樹脂に
よる遮光膜を形成する。この有色樹脂としては商品とし
てはカラーモザイクCK(商品名:富士ハントエレクト
ロニクステクノロジー株式会社製)があるが他にポリイ
ミド、ポリアミド、ポリアミド酸、アクリルなどにカー
ボン、染料、顔料などで着色したものを用いることが可
能である(この実施例ではカラーモザイクCK)。カラ
ーモザイクCKを用いた場合はスピンコート1400rpm、1
0秒で約1μmの膜厚を塗布することができ、この場合
の可視光透過率は550nmで約1.7%である。ここではこの
遮光膜をスペーサとして用いるため膜厚を5μmとし
た。Example 1 Here, the present invention will be described in detail, limited to the vicinity of the spacer of the present invention. FIG. 1 shows a cross-sectional view near the thin film transistor. Here, 1 is a gate electrode 2, 2 is a gate insulating film, 3 is an amorphous silicon semiconductor film, 4 is an n + -amorphous silicon film, 5 is a source electrode, 6 is a drain electrode, 7 is a pixel electrode, 8 is a protective film, and 9 is Transparent electrode, 10 is an insulating film, 1
Reference numeral 1 is an alignment film, 12 is a light-shielding film made of a colored resin, 13 is a liquid crystal, and 14 is a substrate. First, a gate electrode (tantalum in this embodiment) is formed by using aluminum, tantalum, titanium, copper or the like on a substrate made of glass, quartz or the like,
A gate insulating film (silicon nitride in this embodiment) was formed using silicon nitride, silicon oxide, or the like. Then C
Amorphous silicon semiconductor film using VD, and n
After forming the + -amorphous silicon film, a source electrode and a drain electrode (titanium in this embodiment) were formed using aluminum, tantalum, titanium, copper, or the like. After forming the thin film transistor in this manner, a pixel electrode was formed using ITO. A protective film (silicon oxide in this embodiment) was formed on top of it by using silicon nitride, silicon oxide, or the like. This protective film is not particularly necessary, but the effect of preventing characteristic deterioration when the insulating property of the colored resin film is not very high or the film of the colored resin film contains ionic impurities There is. Here, a light shielding film made of a colored resin is formed. As this colored resin, there is a color mosaic CK (trade name: manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) as a product, but in addition, a product obtained by coloring polyimide, polyamide, polyamic acid, acrylic or the like with carbon, dye, pigment or the like is used. It is possible (color mosaic CK in this example). When using color mosaic CK, spin coat 1400 rpm, 1
A film thickness of about 1 μm can be applied in 0 seconds, and the visible light transmittance in this case is about 1.7% at 550 nm. Here, since this light-shielding film is used as a spacer, the film thickness is set to 5 μm.
【0023】実施例2 図2に本発明の液晶分子配向膜を形成するための装置の
該略図を示した。ここで15はモノマー用るつぼA、1
6はモノマー用るつぼB、17はモノマーA、18はモ
ノマーB、19はモノマー加熱用熱源A、20はモノマ
ー加熱用熱源B、21はシャッターA、22はシャッタ
ーB、23は基板用マスク、24は基板、25は形成さ
れた液晶分子配向膜、26は基板加熱用源、27はベル
ジャー、28はモノマー回収トラップ、29は真空ポン
プを示す。Example 2 FIG. 2 shows a schematic view of an apparatus for forming a liquid crystal molecular alignment film of the present invention. Here, 15 is a crucible A for monomers, 1
6 is a crucible B for a monomer, 17 is a monomer A, 18 is a monomer B, 19 is a heat source A for heating a monomer, 20 is a heat source B for heating a monomer, 21 is a shutter A, 22 is a shutter B, 23 is a mask for a substrate, 24 Is a substrate, 25 is a formed liquid crystal molecular alignment film, 26 is a substrate heating source, 27 is a bell jar, 28 is a monomer recovery trap, and 29 is a vacuum pump.
【0024】まずベルジャー内の所定の位置にもモノマ
ーA、B及び基板をセットし、ベルジャー内を10-5T
orr以下の真空にした後、モノマー加熱用熱源A、B
及び基板加熱用源を作動させそれぞれのモノマーを昇華
させる。基板が40°Cに達し、モノマーの温度が所定
の値(無水ピロメリット酸とジアミノジフェニルエーテ
ルなら160°Cと140°C)に達したらシャッターを
開け、基板上に高分子による液晶分子配向膜を蒸着し重
合させる。高分子膜が膜厚(800Å)に達したらシャ
ッターを閉じ、熱源を切り、ベルジャー内を常圧に戻し
た後基板を取り出すことにより基板上に液晶分子配向膜
が形成される。ここでポリイミドを配向膜とするとモノ
マーAとしては無水ピロメリット酸が用いられ、モノマ
ーBとしてはジアミノジフェニルエーテルを用い、化学
量論化となるような割合で昇華させれば良い。膜厚とし
ては600〜1000Å程度が(この実施例では800Å)で
ある。ただし、ポリイミドの場合は蒸着重合した段階で
はポリアミック酸であるので、例えばピロメリットイミ
ドを得る場合であれば200°C程度の温度で30分以上加
熱してイミド化反応を行いポリイミドとする必要があ
る。First, the monomers A and B and the substrate were set at predetermined positions in the bell jar, and the inside of the bell jar was set to 10 -5 T.
After applying a vacuum of orr or lower, heat sources A and B for heating the monomer
And the substrate heating source is activated to sublimate each monomer. When the substrate reaches 40 ° C and the temperature of the monomer reaches the specified value (160 ° C and 140 ° C for pyromellitic dianhydride and diaminodiphenyl ether), the shutter is opened, and the polymer liquid crystal molecular alignment film is formed on the substrate. Evaporate and polymerize. When the polymer film reaches the film thickness (800Å), the shutter is closed, the heat source is turned off, the inside of the bell jar is returned to normal pressure, and then the substrate is taken out to form a liquid crystal molecule alignment film on the substrate. Here, when polyimide is used as the alignment film, pyromellitic dianhydride is used as the monomer A, and diaminodiphenyl ether is used as the monomer B, and the sublimation may be performed at a stoichiometric ratio. The film thickness is about 600 to 1000Å (800Å in this embodiment). However, in the case of polyimide, since it is a polyamic acid at the stage of vapor deposition polymerization, for example, in the case of obtaining pyromellitic imide, it is necessary to heat it at a temperature of about 200 ° C. for 30 minutes or more to perform an imidization reaction to obtain a polyimide. is there.
【0025】実施例3〜4 図3に本発明で作成した液晶デバイスの構造を示す。こ
こで30はガラス基板、31は透明導電膜、32は本発
明の方法によって形成した配向膜、33はシール、34
は液晶、35は遮光膜スペーサを示す。上記の方法で形
成された基板と透明導電膜上に配向膜の形成された基板
ラビング法によって配向処理を行った後、一方の基板上
にシールを形成し、2枚の基板を貼り合わせ、液晶を注
入した後注入口を封止することにより液晶デバイスを得
た。Examples 3 to 4 FIG. 3 shows the structure of the liquid crystal device produced by the present invention. Here, 30 is a glass substrate, 31 is a transparent conductive film, 32 is an alignment film formed by the method of the present invention, 33 is a seal, 34
Is a liquid crystal, and 35 is a light-shielding film spacer. The substrate formed by the above method and the substrate on which the alignment film is formed on the transparent conductive film are subjected to the alignment treatment by the rubbing method, and then a seal is formed on one of the substrates and the two substrates are bonded to each other. After injecting, the liquid crystal device was obtained by sealing the injection port.
【0026】ここで適用される液晶としてはZLI−1
565,ZLI−4217,ZLI−4353などがあ
げられる。(実施例3ではZLI−1565、実施例4
ではZLI−1565)The liquid crystal applied here is ZLI-1.
565, ZLI-4217, ZLI-4353 and the like. (ZLI-1565 in Example 3, Example 4
ZLI-1565)
【0027】また図4に実施例4を示した。ここで36
はガラス基板、37は透明導電膜、38は本発明の方法
によって形成した配向膜、39はシール、40は液晶、
41はスペーサ、42は遮光膜を示す。ここでは、請求
項1における遮光膜を形成する時に樹脂中に3wt%の
スペーサ(直径5μm)を混入して形成することによ
り、スペーサの固定された遮光膜を行った。この時の遮
光膜の厚さはスペーサを固定でき、かつ十分な遮光性が
必要であるため2〜3μmが適当である。Example 4 is shown in FIG. 36 here
Is a glass substrate, 37 is a transparent conductive film, 38 is an alignment film formed by the method of the present invention, 39 is a seal, 40 is a liquid crystal,
Reference numeral 41 is a spacer, and 42 is a light shielding film. Here, when the light-shielding film according to the first aspect is formed, spacers (diameter 5 μm) of 3 wt% are mixed in the resin to form the light-shielding film with the spacers fixed. At this time, the thickness of the light-shielding film is preferably 2 to 3 μm because the spacer can be fixed and sufficient light-shielding property is required.
【0028】ここで実施例3および4における作製方法
と従来法である印刷法およびスピンコータ法とでセル厚
を比較した結果を表1に表した。Table 1 shows the results of comparing the cell thicknesses between the fabrication methods of Examples 3 and 4 and the conventional printing method and spin coater method.
【0029】[0029]
【表1】 [Table 1]
【0030】表1より分かるように本発明の方法は、従
来法のいずれの方法よりも厚みのばらつきが小さく、均
一なセル厚が得られていることが分かる。以上の方法で
液晶表示装置を作成した場合、いずれも均一なセル厚が
得られ、なお、完壁な配向が得られた。As can be seen from Table 1, the method of the present invention has a smaller variation in thickness than any of the conventional methods, and a uniform cell thickness is obtained. When a liquid crystal display device was produced by the above method, a uniform cell thickness was obtained in each case and perfect alignment was obtained.
【0031】[0031]
【発明の効果】本発明によって作られた液晶表示装置
は、均一なセル厚が得られ、なお、完壁な配向が得られ
るため、直視用ディスプレイ、高精細プロジェクターな
どにも良好な表示品位が得られる。The liquid crystal display device manufactured according to the present invention has a uniform cell thickness and a perfect orientation, and thus has a good display quality for direct-view displays, high-definition projectors and the like. can get.
【図1】図1は本発明の請求項1の一実施例における薄
膜トランジスタ近傍の断面概略図を示した。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of the vicinity of a thin film transistor according to an embodiment of claim 1 of the present invention.
【図2】図2は本発明の液晶分子配向膜を形成するため
の装置の概略図を示した。FIG. 2 shows a schematic view of an apparatus for forming a liquid crystal molecular alignment film of the present invention.
【図3】図3は本発明で作成した液晶デバイスの概略構
造を示した。FIG. 3 shows a schematic structure of a liquid crystal device prepared according to the present invention.
【図4】図4は本発明で作成した液晶デバイスの他の概
略図である。FIG. 4 is another schematic view of a liquid crystal device produced according to the present invention.
【図5】図5は従来の液晶装置の概略図である。FIG. 5 is a schematic view of a conventional liquid crystal device.
1 ゲート電極 2 ゲート絶縁膜 3 アモルファスシリコン半導体膜 4 n+-アモルファスシリコン膜 5 ソース電極 6 ドレイン電極 7 絵素電極 8 保護膜 9 透明電極 10 絶縁膜 11 配向膜 12 有色樹脂による遮光膜 13 液晶 14 基板 15 モノマーるつぼA 16 モノマーるつぼB 17 モノマーA 18 モノマーB 19 モノマー加熱用熱源A 20 モノマー加熱用熱源B 21 シャッターA 22 シャッターB 23 基板用マスク 24 基板 25 形成された液晶分子配向膜 26 基板加熱用熱源 27 ベルジャー 28 モノマー回収トラップ 29 真空ポンプ 30 ガラス基板 31 透明導電膜 32 本発明の方法によって形成した配向膜 33 シール 34 液晶 35 スペーサ 36 ガラス基板 37 透明導電膜 38 本発明の方法によって形成した配向膜 39 シール 40 液晶 41 スペーサ 42 遮光膜 51a,51b ガラス基板 52a,52b 透明電極 53a,53b 絶縁膜 54a,54b 配向膜 56 シール部材 57 強誘電性液晶組成物 59,60 基板 61 液晶セル 62a,62b 偏光板1 gate electrode 2 gate insulating film 3 amorphous silicon semiconductor film 4 n + -amorphous silicon film 5 source electrode 6 drain electrode 7 picture element electrode 8 protective film 9 transparent electrode 10 insulating film 11 alignment film 12 light-shielding film 13 with colored resin 13 liquid crystal 14 Substrate 15 Monomer crucible A 16 Monomer crucible B 17 Monomer A 18 Monomer B 19 Monomer heating heat source A 20 Monomer heating heat source B 21 Shutter A 22 Shutter B 23 Substrate mask 24 Substrate 25 Formed liquid crystal molecular alignment film 26 Substrate heating Heat source 27 bell jar 28 monomer recovery trap 29 vacuum pump 30 glass substrate 31 transparent conductive film 32 alignment film formed by the method of the present invention 33 seal 34 liquid crystal 35 spacer 36 glass substrate 37 transparent conductive film 38 by the method of the present invention Alignment film 39 seal 40 Liquid crystal 41 Spacer 42 Light-shielding film 51a, 51b Glass substrate 52a, 52b Transparent electrode 53a, 53b Insulating film 54a, 54b Alignment film 56 Seal member 57 Ferroelectric liquid crystal composition 59, 60 Substrate 61 Liquid crystal cell 62a, 62b Polarizing plate
Claims (2)
表面に透明電極とそれを被覆する配向膜が形成され、そ
の少なくとも一方の基板に樹脂によるスペーサまたは樹
脂で固定されたスペーサを設け、液晶を挟持した液晶表
示装置の製造において、 予め、少なくとも一方の基板に樹脂によるスペーサまた
は樹脂で固定されたスペーサを形成した後に、真空蒸着
重合法によって配向膜を形成することを特徴とする液晶
表示装置の製造方法。1. A pair of translucent substrates each having a transparent electrode and an alignment film covering the transparent electrode formed on its opposing surfaces, and a spacer made of resin or a spacer fixed by the resin is provided on at least one of the substrates. In the manufacturing of the liquid crystal display device in which the liquid crystal is sandwiched, the spacers made of resin or the spacers fixed by the resin are formed on at least one substrate in advance, and then the alignment film is formed by the vacuum vapor deposition polymerization method. Liquid crystal display device manufacturing method.
を固定する樹脂が着色されている請求項1項に記載の方
法。2. The method according to claim 1, wherein the resin forming the spacer or the resin fixing the spacer is colored.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32207291A JPH05158053A (en) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | Liquid crystal display manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32207291A JPH05158053A (en) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | Liquid crystal display manufacturing method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05158053A true JPH05158053A (en) | 1993-06-25 |
Family
ID=18139606
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32207291A Pending JPH05158053A (en) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | Liquid crystal display manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05158053A (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6266121B1 (en) | 1996-11-28 | 2001-07-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display element and method of manufacturing same |
KR100669099B1 (en) * | 2004-12-14 | 2007-01-16 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | LCD panel and manufacturing method |
JP2010049288A (en) * | 2009-12-02 | 2010-03-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Liquid crystal display |
WO2010103953A1 (en) * | 2009-03-13 | 2010-09-16 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus, trap device, method for controlling substrate processing apparatus, and method for controlling trap device |
JP2011186453A (en) * | 2010-02-12 | 2011-09-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Liquid crystal display device |
JP2013050737A (en) * | 1999-07-06 | 2013-03-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Display device and electronic apparatus |
-
1991
- 1991-12-05 JP JP32207291A patent/JPH05158053A/en active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6266121B1 (en) | 1996-11-28 | 2001-07-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display element and method of manufacturing same |
JP2013050737A (en) * | 1999-07-06 | 2013-03-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Display device and electronic apparatus |
US9052551B2 (en) | 1999-07-06 | 2015-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
US9069215B2 (en) | 1999-07-06 | 2015-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
US9395584B2 (en) | 1999-07-06 | 2016-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
KR100669099B1 (en) * | 2004-12-14 | 2007-01-16 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | LCD panel and manufacturing method |
WO2010103953A1 (en) * | 2009-03-13 | 2010-09-16 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus, trap device, method for controlling substrate processing apparatus, and method for controlling trap device |
JP2010049288A (en) * | 2009-12-02 | 2010-03-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Liquid crystal display |
JP2011186453A (en) * | 2010-02-12 | 2011-09-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Liquid crystal display device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11681184B2 (en) | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof | |
US8582057B2 (en) | Liquid crystal display and method of manufacturing the same | |
WO2004053582A1 (en) | Liquid crystal display and method for manufacturing same | |
JPH10232400A (en) | Optical orienting composition, alignment layer formed from that composition, and liquid crystal display element equipped with that alignment layer | |
CN105319777B (en) | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof | |
JP3179976B2 (en) | Liquid crystal element | |
JPH05158053A (en) | Liquid crystal display manufacturing method | |
US5637359A (en) | Plastic substrate liquid crystal display device, method of making, and product produced by the method | |
JPH0611716A (en) | Liquid crystal display | |
JP3271384B2 (en) | Method for forming liquid crystal alignment film for phase control element | |
JP2002202509A (en) | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
JP2728578B2 (en) | Liquid crystal display | |
JP2000147507A (en) | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
JPH1164853A (en) | Method of manufacturing ferroelectric liquid crystal device and ferroelectric liquid crystal device | |
JPH05289112A (en) | Liquid crystal display device | |
JPH0229624A (en) | Production of oriented film of ferroelectric liquid crystal element | |
JPH08179328A (en) | Method for producing liquid crystal alignment film and method for producing liquid crystal element using the same | |
JPH05297380A (en) | Liquid crystal display | |
JP2968157B2 (en) | Liquid crystal display device, method of manufacturing the same, and display system | |
JP2556586B2 (en) | Liquid crystal element | |
KR100260627B1 (en) | Polymer orientation layer fabrication method for lcd | |
JPH10123525A (en) | Orientation treatment of liquid crystal | |
JP2556585B2 (en) | Liquid crystal element | |
JP2898159B2 (en) | Method for manufacturing polyimide thin film, liquid crystal molecule alignment film using the same, and method for manufacturing liquid crystal display device | |
JPH05173145A (en) | Production of oriented film for liquid crystal display device |