JPH0514904B2 - - Google Patents
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- JPH0514904B2 JPH0514904B2 JP59147006A JP14700684A JPH0514904B2 JP H0514904 B2 JPH0514904 B2 JP H0514904B2 JP 59147006 A JP59147006 A JP 59147006A JP 14700684 A JP14700684 A JP 14700684A JP H0514904 B2 JPH0514904 B2 JP H0514904B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum chamber
- gas
- drum substrate
- layer
- substrate
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、アモルフアスシリコン電子写真用感
光体の製造方法に関するものである。
光体の製造方法に関するものである。
従来技術
従来、電子写真式複写機等の画像形成システム
においては、感光体としてアルミニウムまたはア
ルミニウム系合金から成る基板の表面に水素原子
を含むアモルフアスシリコン（以下ａ−Siとい
う）層を堆積させたａ−Si感光体が使用されてお
り、このａ−Si感光体は例えば第１図に示すよう
なプラズマCVD（Chemical Vopour
Deposition）装置により製造される。即ち、第１
図において、１は真空チヤンバー、２は真空チヤ
ンバー１内を真空に排気するための補助的なメカ
ニカルブースターポンプ、３は真空チヤンバー１
内を真空に排気するためのロータリーポンプ、４
は真空チヤンバー１内にセツトされ且つモータ５
により回転せしめられ得るアルミニウムまたはア
ルミニウム系合金から成るドラム基板、６はドラ
ム基板４を設定温度に加熱するための温度制御装
置、７は真空チヤンバー１内にセツトされたドラ
ム基板４を同心的に包囲するRF電極で、その外
側面には材料ガスを導入するための入口７ａが、
またその内側面には複数のガス噴出孔７ｂが備え
られている。８はRF電極７への給電を行なうこ
とにより該RF電極７とドラム基板４との間にグ
ロー放電を生ぜしめるための高周波電源であり、
このように構成されたプラズマCVD装置を用い
てａ−Si感光体を製造する場合、先づ研磨洗浄し
たドラム基板４をプラズマCVD装置の真空チヤ
ンバー１内にセツトしてからメカニカルブースタ
ーポンプ２及びロータリーポンプ３により該真空
チヤンバー１内の排気を行ない、続いて温度制御
装置６によりドラム基板４を所定の設定温度に加
熱し、次に該真空チヤンバー１内にRF電極７を
介して即ち入口７ａより該RF電極７内部を通つ
てその内側面のガス噴出孔７ｂからSiH4，B2
H6，PH3等の材料ガスを導入した後、高周波電
源８により該真空チヤンバー１内で該RF電極７
とドラム基板４との間にグロー放電を生ぜしめる
ことにより該材料ガスをSi−Ｈ等のラジカル（遊
離基）に分散せしめてドラム基板４上にａ−Si層
を堆積せしめ、かくしてａ−Si感光体が製造され
る。しかしながら、このようにして製造されたａ
−Si感光体は、真空チヤンバー１内にセツトして
からａ−Si層を堆積せしめるまでの間に残留する
Si系の粉末、フレークが該ドラム基板４上に付着
してしまい、そのままａ−Si層の堆積を行なうと
前記Si系の粉末、フレークが付着した部分でａ−
Si層のドラム基板４への密着性が低くなるのでこ
の部分でａ−Si層の剥離や亀裂が生じやすくなつ
たり、前記シリコン系の粉末、フレークが小さい
場合は、そのままの状態でａ−Si層中に埋め込ま
れ感光体として使用した場合に黒い点状欠陥、白
ヌケ等の画像欠陥の原因となつていた。またａ−
Si感光体のドラムへの流れ込み電流Icに対する表
面電位Vsの関係は第２図に実線Ａで示すように
なつているので、通常複写機において画像濃度を
上げるためにIcを増やすことによつてVsを上げ
るようにしているが、この場合Icを増大し過ぎる
と帯電チヤージヤーからドラム基板表面に火花放
電が飛びやすくなりａ−Si層の放電破壊が起こつ
たり、またVsがａ−Si層の絶縁耐圧以上になる
と絶縁破壊が起こつてしまう。さらにこれらのａ
−Si層の破壊は直接的な画像欠陥の原因となり、
ａ−Si感光体の交換が必要となる。
においては、感光体としてアルミニウムまたはア
ルミニウム系合金から成る基板の表面に水素原子
を含むアモルフアスシリコン（以下ａ−Siとい
う）層を堆積させたａ−Si感光体が使用されてお
り、このａ−Si感光体は例えば第１図に示すよう
なプラズマCVD（Chemical Vopour
Deposition）装置により製造される。即ち、第１
図において、１は真空チヤンバー、２は真空チヤ
ンバー１内を真空に排気するための補助的なメカ
ニカルブースターポンプ、３は真空チヤンバー１
内を真空に排気するためのロータリーポンプ、４
は真空チヤンバー１内にセツトされ且つモータ５
により回転せしめられ得るアルミニウムまたはア
ルミニウム系合金から成るドラム基板、６はドラ
ム基板４を設定温度に加熱するための温度制御装
置、７は真空チヤンバー１内にセツトされたドラ
ム基板４を同心的に包囲するRF電極で、その外
側面には材料ガスを導入するための入口７ａが、
またその内側面には複数のガス噴出孔７ｂが備え
られている。８はRF電極７への給電を行なうこ
とにより該RF電極７とドラム基板４との間にグ
ロー放電を生ぜしめるための高周波電源であり、
このように構成されたプラズマCVD装置を用い
てａ−Si感光体を製造する場合、先づ研磨洗浄し
たドラム基板４をプラズマCVD装置の真空チヤ
ンバー１内にセツトしてからメカニカルブースタ
ーポンプ２及びロータリーポンプ３により該真空
チヤンバー１内の排気を行ない、続いて温度制御
装置６によりドラム基板４を所定の設定温度に加
熱し、次に該真空チヤンバー１内にRF電極７を
介して即ち入口７ａより該RF電極７内部を通つ
てその内側面のガス噴出孔７ｂからSiH4，B2
H6，PH3等の材料ガスを導入した後、高周波電
源８により該真空チヤンバー１内で該RF電極７
とドラム基板４との間にグロー放電を生ぜしめる
ことにより該材料ガスをSi−Ｈ等のラジカル（遊
離基）に分散せしめてドラム基板４上にａ−Si層
を堆積せしめ、かくしてａ−Si感光体が製造され
る。しかしながら、このようにして製造されたａ
−Si感光体は、真空チヤンバー１内にセツトして
からａ−Si層を堆積せしめるまでの間に残留する
Si系の粉末、フレークが該ドラム基板４上に付着
してしまい、そのままａ−Si層の堆積を行なうと
前記Si系の粉末、フレークが付着した部分でａ−
Si層のドラム基板４への密着性が低くなるのでこ
の部分でａ−Si層の剥離や亀裂が生じやすくなつ
たり、前記シリコン系の粉末、フレークが小さい
場合は、そのままの状態でａ−Si層中に埋め込ま
れ感光体として使用した場合に黒い点状欠陥、白
ヌケ等の画像欠陥の原因となつていた。またａ−
Si感光体のドラムへの流れ込み電流Icに対する表
面電位Vsの関係は第２図に実線Ａで示すように
なつているので、通常複写機において画像濃度を
上げるためにIcを増やすことによつてVsを上げ
るようにしているが、この場合Icを増大し過ぎる
と帯電チヤージヤーからドラム基板表面に火花放
電が飛びやすくなりａ−Si層の放電破壊が起こつ
たり、またVsがａ−Si層の絶縁耐圧以上になる
と絶縁破壊が起こつてしまう。さらにこれらのａ
−Si層の破壊は直接的な画像欠陥の原因となり、
ａ−Si感光体の交換が必要となる。
目 的
本発明は以上の点に鑑み、ａ−Si層が基板に安
定的に即ち密着性が低下することなく堆積され、
また表面欠陥のないアモルフアスシリコン電子写
真用感光体の製造方法を提供することを目的とし
ている。
定的に即ち密着性が低下することなく堆積され、
また表面欠陥のないアモルフアスシリコン電子写
真用感光体の製造方法を提供することを目的とし
ている。
概 要
この目的は、プラズマCVD装置によるａ−Si
電子写真用感光体の製造方法において、基板加熱
中の任意の時間に好ましくはａ−Si堆積直前に先
づ該真空チヤンバー内にCF4ガスまたはCF4＋O2
ガスを導入し且つ該真空チヤンバー内にグロー放
電を生ぜしめることによりドラム基板上に付着し
たSi系の粉、フレーク等をエツチング除去し、次
に真空に排気後該真空チヤバー内にH2ガスを導
入し且つ該真空チヤンバー内にRFグロー放電を
生ぜしめることによりH2プラズマ処理を行なう
段階を備えたことを特徴とする、アモルフアスシ
リコン電子写真用感光体の製造方法により解決さ
れる。
電子写真用感光体の製造方法において、基板加熱
中の任意の時間に好ましくはａ−Si堆積直前に先
づ該真空チヤンバー内にCF4ガスまたはCF4＋O2
ガスを導入し且つ該真空チヤンバー内にグロー放
電を生ぜしめることによりドラム基板上に付着し
たSi系の粉、フレーク等をエツチング除去し、次
に真空に排気後該真空チヤバー内にH2ガスを導
入し且つ該真空チヤンバー内にRFグロー放電を
生ぜしめることによりH2プラズマ処理を行なう
段階を備えたことを特徴とする、アモルフアスシ
リコン電子写真用感光体の製造方法により解決さ
れる。
即ち、本発明によれば、
ａ ドラム基板を研磨洗浄処理する；
ｂ 研磨洗浄したドラム基板をプラズマCVD装
置の真空チヤンバー内にセツトして該真空チヤ
ンバー内が真空状態となるように排気を行な
う； ｃ 該ドラム基板を設定温度に加熱する； ｄ 基板加熱中の任意の時間に好ましくはａ−Si
層の堆積直前に 先づ該真空チヤンバー内にCF4ガスまたは
CF4＋O2ガスを導入し且つ該真空チヤンバー
内にグロー放電を生ぜしめることにより該ド
ラム基板上に付着したSi系の粉、フレーク等
をエツチング除去し 次に真空チヤンバー内を真空に排気した後
該真空チヤンバー内にH2ガスを導入し且つ
該真空チヤンバー内にグロー放電を生ぜしめ
ることによりH2プラズマ処理を行なう； ｅ 真空チヤンバー内にSiH4，B2H6，PH3等の
材料ガスを導入し且つ該真空チヤンバー内にグ
ロー放電を生ぜしめることにより該ドラム基板
上にアモルフアスシリコン層を堆積せしめる； という工程を順次行なうことにより、アモルフア
スシリコン電子写真用感光体が製造される。而も
ドラム基板を真空チヤンバー内にセツトしてから
ａ−Si層を堆積せしめるまでの間に該ドラム基板
上に付着したSi系の粉末、フレーク等のエツチン
グ機構は次のようになる。段階ｄ）の）におい
て真空チヤンバー内に導入されたCF4ガスはグロ
ー放電による次の平衡状態にある； CF4＋ｅCF+/3＋F*＋2e により、ここで生じるフツ素ラジカルF*がドラ
ム基板上に付着したSiと反応し、 Si＋4F*→SiF4↑ の如く揮発性の高いSiF4を生成することにより、
エツチング除去される。尚、このときドラム基板
上にはフルオロカーボン系の生成物が付着してし
まうので、CF4ガスにO2ガスを添加することによ
り該生成物をCOまたはCO2として除去してもよ
く、このO2ガスの添加はF*の再結合を防止し且
つ CF*/3＋Ｏ＋ｅ→COF2＋F* の反応を促進してF*を増加せしめることにより、
前記エツチングの速度を上げるが、この際アルミ
ニウムまたはアルミニウム系合金から成るドラム
基板の表面がO2ガスにより酸化し、アルマイト
化してしまい、これは例えば５〜100μmのａ−Si
層を堆積させるような場合にはａ−Si層の密着性
を低下させる原因となり該ａ−Si層の剥離、亀裂
が生じやすくなる。このため次に、段階ｄ）の
）においてH2プラズマ処理を行なうことによ
り、CF4ガスによるエツチングの際にドラム基板
上に付着したフルオロカーボン系の生成物は、水
素ラジカルと反応してフツ化水素HFとして除去
され、またCF4＋O2ガスによるエツチングの際に
ドラム基板表面に生じた酸化膜は水素の還元作用
により除去され、ドラム基板の表面は清浄な状態
で続いてａ−Si層が堆積せしめられる。
置の真空チヤンバー内にセツトして該真空チヤ
ンバー内が真空状態となるように排気を行な
う； ｃ 該ドラム基板を設定温度に加熱する； ｄ 基板加熱中の任意の時間に好ましくはａ−Si
層の堆積直前に 先づ該真空チヤンバー内にCF4ガスまたは
CF4＋O2ガスを導入し且つ該真空チヤンバー
内にグロー放電を生ぜしめることにより該ド
ラム基板上に付着したSi系の粉、フレーク等
をエツチング除去し 次に真空チヤンバー内を真空に排気した後
該真空チヤンバー内にH2ガスを導入し且つ
該真空チヤンバー内にグロー放電を生ぜしめ
ることによりH2プラズマ処理を行なう； ｅ 真空チヤンバー内にSiH4，B2H6，PH3等の
材料ガスを導入し且つ該真空チヤンバー内にグ
ロー放電を生ぜしめることにより該ドラム基板
上にアモルフアスシリコン層を堆積せしめる； という工程を順次行なうことにより、アモルフア
スシリコン電子写真用感光体が製造される。而も
ドラム基板を真空チヤンバー内にセツトしてから
ａ−Si層を堆積せしめるまでの間に該ドラム基板
上に付着したSi系の粉末、フレーク等のエツチン
グ機構は次のようになる。段階ｄ）の）におい
て真空チヤンバー内に導入されたCF4ガスはグロ
ー放電による次の平衡状態にある； CF4＋ｅCF+/3＋F*＋2e により、ここで生じるフツ素ラジカルF*がドラ
ム基板上に付着したSiと反応し、 Si＋4F*→SiF4↑ の如く揮発性の高いSiF4を生成することにより、
エツチング除去される。尚、このときドラム基板
上にはフルオロカーボン系の生成物が付着してし
まうので、CF4ガスにO2ガスを添加することによ
り該生成物をCOまたはCO2として除去してもよ
く、このO2ガスの添加はF*の再結合を防止し且
つ CF*/3＋Ｏ＋ｅ→COF2＋F* の反応を促進してF*を増加せしめることにより、
前記エツチングの速度を上げるが、この際アルミ
ニウムまたはアルミニウム系合金から成るドラム
基板の表面がO2ガスにより酸化し、アルマイト
化してしまい、これは例えば５〜100μmのａ−Si
層を堆積させるような場合にはａ−Si層の密着性
を低下させる原因となり該ａ−Si層の剥離、亀裂
が生じやすくなる。このため次に、段階ｄ）の
）においてH2プラズマ処理を行なうことによ
り、CF4ガスによるエツチングの際にドラム基板
上に付着したフルオロカーボン系の生成物は、水
素ラジカルと反応してフツ化水素HFとして除去
され、またCF4＋O2ガスによるエツチングの際に
ドラム基板表面に生じた酸化膜は水素の還元作用
により除去され、ドラム基板の表面は清浄な状態
で続いてａ−Si層が堆積せしめられる。
さらに上記方法で製造されたａ−Si感光体を電
子写真式複写機で使用する場合の該感光体のドラ
ムへの流れ込み電流Icに対する表面電位Vsの関
係は、第２図において破壊Ｂまたは鎖線Ｃで示す
ようになつており、画像濃度を上げるためにIcを
増大せしめてもVsは絶縁破壊電圧までには達せ
ず、而もＢ，Ｃで示すような特性曲線の立上り位
置は、H2プラズマ処理によつてドラム基板表面
とａ−Si層のオーム性接触を制御し得ると考えら
れるので、H2プラズマ処理における放電パワー、
H2ガス流量、処理時間によつて容易に制御可能
である。かくして、ａ−Si感光体のIc−Vs特性
を制御することにより実機中で充分に画像濃度を
上げ而もVsを絶縁破壊電圧以下に抑制すること
ができるので、より高品質で長寿命のａ−Si感光
体が得られる。
子写真式複写機で使用する場合の該感光体のドラ
ムへの流れ込み電流Icに対する表面電位Vsの関
係は、第２図において破壊Ｂまたは鎖線Ｃで示す
ようになつており、画像濃度を上げるためにIcを
増大せしめてもVsは絶縁破壊電圧までには達せ
ず、而もＢ，Ｃで示すような特性曲線の立上り位
置は、H2プラズマ処理によつてドラム基板表面
とａ−Si層のオーム性接触を制御し得ると考えら
れるので、H2プラズマ処理における放電パワー、
H2ガス流量、処理時間によつて容易に制御可能
である。かくして、ａ−Si感光体のIc−Vs特性
を制御することにより実機中で充分に画像濃度を
上げ而もVsを絶縁破壊電圧以下に抑制すること
ができるので、より高品質で長寿命のａ−Si感光
体が得られる。
また本発明方法は、ドラム基板の加熱時に並行
してCF4ガスまたはCF4＋O2ガスによるエツチン
グ処理及びH2プラズマ処理が行なわれるので特
に作業時間が延びるようなことがなく、而も真空
チヤンバー内に一度ドラム基板をセツトした後は
真空状態を保持したままCF4ガスまたはCF4＋O2
ガスによるエツチング処理、H2プラズマ処理並
びにａ−Si層の堆積が材料ガスを変更するのみで
連続的に行なわれ得るので操作が単純である。
してCF4ガスまたはCF4＋O2ガスによるエツチン
グ処理及びH2プラズマ処理が行なわれるので特
に作業時間が延びるようなことがなく、而も真空
チヤンバー内に一度ドラム基板をセツトした後は
真空状態を保持したままCF4ガスまたはCF4＋O2
ガスによるエツチング処理、H2プラズマ処理並
びにａ−Si層の堆積が材料ガスを変更するのみで
連続的に行なわれ得るので操作が単純である。
実施例
以下に、第１図のプラズマCVD装置により本
発明に従つて製造したａ−Si感光体の一実施例を
説明する。
発明に従つて製造したａ−Si感光体の一実施例を
説明する。
１ CF4ガスによるエツチング処理の条件
CF4ガス流量 30〜100c.c.／min
真空度 0.5〜5Torr
RF パワー 100〜500W
２ H2プラズマ処理の条件
H2ガス流量 50〜300c.c.／min
真空度 0.1〜5Torr
RF パワー 100〜500W
３ 結果
ａ 基礎静電特性（分光感度、暗減衰率等）
良好
ｂ Ic−Vs特性
Ic立上り位置でのVs＝700V
（実機中の帯電電位は500V前後なので
画像の黒濃度としては充分である。）
ｃ 画像
黒い点状欠陥、白ヌケ等の画像欠陥はな
く、良質な画像が安定して得られた。
く、良質な画像が安定して得られた。
発明の効果
以上述べたように本発明によれば、基板加熱中
の任意の時間に好ましくはａ−Si層の堆積直前に
先づCF4ガスまたはCF4＋O2ガスによるエツチン
グ処理を行ない。次にH2プラズマ処理を行なう
ようにしたから、ドラム基板を真空チヤンバー内
にセツトしてからａ−Si層を堆積せしめるまでの
間にドラム基板上に付着するSi系の粉、フレーク
等が確実に除去され得るので、ａ−Si層がドラム
基板に安定的に密着して堆積せしめられ得、また
Ic−Vs特性をH2プラズマ処理により制御し得る
ので絶縁破壊電圧以下のVsで充分な画像濃度が
得られ、かくして画像欠陥のない良質で寿命の長
いａ−Si電子写真用感光体が提供される。
の任意の時間に好ましくはａ−Si層の堆積直前に
先づCF4ガスまたはCF4＋O2ガスによるエツチン
グ処理を行ない。次にH2プラズマ処理を行なう
ようにしたから、ドラム基板を真空チヤンバー内
にセツトしてからａ−Si層を堆積せしめるまでの
間にドラム基板上に付着するSi系の粉、フレーク
等が確実に除去され得るので、ａ−Si層がドラム
基板に安定的に密着して堆積せしめられ得、また
Ic−Vs特性をH2プラズマ処理により制御し得る
ので絶縁破壊電圧以下のVsで充分な画像濃度が
得られ、かくして画像欠陥のない良質で寿命の長
いａ−Si電子写真用感光体が提供される。
第１図は、プラズマCVD装置の一例を示す概
略図、第２図はIc−Vs特性を示すグラフである。 １……真空チヤンバー、２……メカニカルブー
スターポンプ、３……ロータリーポンプ、４……
ドラム基板、５……モータ、６……温度制御装
置、７……RF電極、８……高周波電源。
略図、第２図はIc−Vs特性を示すグラフである。 １……真空チヤンバー、２……メカニカルブー
スターポンプ、３……ロータリーポンプ、４……
ドラム基板、５……モータ、６……温度制御装
置、７……RF電極、８……高周波電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ドラム基板をプラズマCVD装置の真空チヤ
ンバー内にセツトして該真空チヤンバーの真空排
気を行なう段階と、続いて該ドラム基板を設定温
度に加熱する段階と、次に該真空チヤンバー内に
SiH4を含む材料ガスを導入し且つ該真空チヤン
バー内にグロー放電を生ぜしめることにより該ド
ラム基板上にアモルフアスシリコン層を堆積せし
める段階とを含む、アモルフアスシリコン電子写
真用感光体の製造方法において、 基板加熱中の任意の時間に好ましくはａ−Si層
の堆積直前に先ず該真空チヤンバー内にCF4ガス
またはCF4＋O2ガスを導入し且つ該真空チヤンバ
ー内にグロー放電を生ぜしめることにより該ドラ
ム基板上に付着した残留物質をエツチング除去
し、次に真空排気後該真空チヤンバー内にH2ガ
スを導入し且つ該真空チヤンバー内にグロー放電
を生ぜしめることによりH2プラズマ処理を行う
段階とを備えたことを特徴とする、アモルフアス
シリコン電子写真用感光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14700684A JPS6126051A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | アモルフアスシリコン電子写真用感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14700684A JPS6126051A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | アモルフアスシリコン電子写真用感光体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6126051A JPS6126051A (ja) | 1986-02-05 |
| JPH0514904B2 true JPH0514904B2 (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=15420426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14700684A Granted JPS6126051A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | アモルフアスシリコン電子写真用感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6126051A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07100865B2 (ja) * | 1986-03-13 | 1995-11-01 | 富士通株式会社 | 減圧ｃｖｄ処理装置のクリーニング法 |
| JPH0291658A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-03-30 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59136739A (ja) * | 1983-01-25 | 1984-08-06 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 非晶質シリコン電子写真感光体の再生方法 |
-
1984
- 1984-07-17 JP JP14700684A patent/JPS6126051A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6126051A (ja) | 1986-02-05 |
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