JPH05121621A - Lead terminal solder processor of semiconductor element - Google Patents
Lead terminal solder processor of semiconductor elementInfo
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- JPH05121621A JPH05121621A JP30969891A JP30969891A JPH05121621A JP H05121621 A JPH05121621 A JP H05121621A JP 30969891 A JP30969891 A JP 30969891A JP 30969891 A JP30969891 A JP 30969891A JP H05121621 A JPH05121621 A JP H05121621A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の組立工程
におけるリード端子の表面処理に関し、特に前後工程と
の複合化が可能な半田処理装置の構造に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface treatment of lead terminals in a semiconductor element assembling process, and more particularly to a structure of a solder treatment apparatus which can be combined with a front and rear process.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の半導体素子のリード表面処理に使
用される半田処理装置は図4に示すように、樹脂封止済
みの半導体素子1を複数個整列させ、リード端子2以外
の部分をチャック3により把持し、回転又は水平送りに
より各処理槽へ順次搬送し、上下動により各槽内に浸漬
可能な搬送機構により、前処理槽4,フラックス槽5,
半田槽6,洗浄槽7,水切り槽8及び乾燥槽9へと半導
体素子1が搬送され表面処理を行っていた。2. Description of the Related Art As shown in FIG. 4, a conventional solder processing apparatus used for treating the surface of a lead of a semiconductor element aligns a plurality of resin-sealed semiconductor elements 1 and chucks a portion other than a lead terminal 2. 3 and then sequentially conveys to each treatment tank by rotating or horizontal feeding, and by a conveying mechanism that can be immersed in each tank by vertical movement, pretreatment tank 4, flux tank 5,
The semiconductor element 1 was transferred to the solder bath 6, the cleaning bath 7, the draining bath 8 and the drying bath 9 for surface treatment.
【0003】前処理槽4では一般に酸系統の溶液をオー
バーフローさせている槽内に指定時間リード端子2を浸
漬し、リード端子2の表面の酸化膜を除去し、次に搬送
機構により移送・上下動を繰り返し、フラックス槽5,
半田槽6に送られ、半田槽6でリード端子2の表面に半
田層が形成される。In the pretreatment tank 4, the lead terminal 2 is generally immersed in a tank in which an acid-based solution is overflowing for a specified time to remove the oxide film on the surface of the lead terminal 2, and then the carrier is moved and moved up and down. The flux tank 5,
The solder layer is sent to the solder bath 6, and a solder layer is formed on the surface of the lead terminal 2 in the solder bath 6.
【0004】その後、前処理槽4,フラックス槽5で付
着した酸並びに表面活性剤を除去するため、洗浄槽7に
浸漬し流水洗浄後、水切り槽8でエアノズル10から乾
燥エアを吹き出し、最後に乾燥槽9の熱風ノズル10′
からの吹き出しにより乾燥していた。After that, in order to remove the acid and the surface-active agent adhering to the pretreatment tank 4 and the flux tank 5, after immersing in the cleaning tank 7 and washing with running water, dry air is blown from the air nozzle 10 in the draining tank 8 and finally. Hot air nozzle 10 'of the drying tank 9
It was dry due to the blowout from.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】この従来の半田処理装
置では、前処理槽4に酸の溶液を使用していること、及
びフラックス槽5に表面活性剤を含む溶液を使用してい
るため、リード端子2の浸漬・移動の際に、各槽の周囲
又は移動経路で溶液の飛散,滴下により装置の汚れ,酸
によるサビの発生等の問題があった。In this conventional solder processing apparatus, since the acid solution is used in the pretreatment tank 4 and the solution containing the surfactant is used in the flux tank 5, When the lead terminal 2 was dipped and moved, there was a problem that the solution was scattered or dropped around each tank or in the moving route to stain the device, or rust due to acid was generated.
【0006】さらに、半田槽6は常時半田を溶融状態に
しておくため、半田ガスによる装置の汚れ,室内雰囲気
の汚染という問題があり、組立工程のクリーンルーム内
に装置を設置することができず、工程の複合化に対しネ
ックとなっていた。Further, since the solder bath 6 keeps the solder in a molten state at all times, there is a problem that the device is contaminated by solder gas and the indoor atmosphere is contaminated, and the device cannot be installed in a clean room during the assembly process. It was a hindrance to the combination of processes.
【0007】また、酸系統の溶液を使用しているため、
洗浄水を廃水処理しなければならないことにより、廃水
処理施設への投資及び排水の水質管理の面でコストアッ
プの要因となっていた。Since an acid-based solution is used,
Since the wash water has to be treated as wastewater, it has been a factor in increasing costs in terms of investment in wastewater treatment facilities and quality control of wastewater.
【0008】本発明の目的は、リード端子の表面処理を
クリーン化し、かつ生産ラインの合理化を図る半導体素
子のリード端子半田処理装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide a lead terminal soldering apparatus for a semiconductor element, which cleans the surface treatment of the lead terminals and rationalizes the production line.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体素子のリード端子半田処理装置
においては、半導体素子組立における樹脂封止後のリー
ド端子の半田処理装置であって、前記リード部をカバー
するチャンバとチャンバ内に還元ガスを供給するための
複数個のガス吹出しノズルを有するリート表面処理部
と、半田収納容器と半田供給ノズル及び半田供給ノズル
駆動機構からなる半田塗布部と、前記リード端子にレー
ザ光線を照射しながら光線を移動させ半田を溶融させる
半田溶融部とを含むものである。In order to achieve the above object, a lead terminal soldering apparatus for a semiconductor element according to the present invention is a lead terminal soldering apparatus after resin sealing in semiconductor element assembly, A chamber for covering the lead section, a REIT surface treatment section having a plurality of gas blowing nozzles for supplying a reducing gas into the chamber, and a solder coating section including a solder storage container, a solder supply nozzle, and a solder supply nozzle drive mechanism. And a solder melting portion for moving the light beam while irradiating the lead terminal with the laser beam to melt the solder.
【0010】また、前記半田溶融部に赤外線を用いたも
のである。In addition, infrared rays are used in the solder melting portion.
【0011】[0011]
【作用】リード端子表面の処理をドライ化すること、半
田ガス発生を抑えることにより、汚染ガスの発生を極小
にして、組立工程をクリーン化する。また、設備の複合
化を図り、生産ラインの合理化を図る。The dry process of the lead terminal surface and the suppression of the generation of solder gas minimize the generation of pollutant gas and clean the assembly process. In addition, the production line will be rationalized by combining equipment.
【0012】[0012]
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図1は、本発明の一実施例であり、半田処理装置の
リード表面処理部と半田塗布部の断面図である。図2
は、本発明の半田溶融部の断面図である。図3は、本発
明の半田処理装置における基本機能の構成を示すブロッ
ク図である。The present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view of a lead surface treatment section and a solder application section of a solder processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Figure 2
FIG. 4 is a cross-sectional view of a solder melting portion of the present invention. FIG. 3 is a block diagram showing the configuration of basic functions in the solder processing apparatus of the present invention.
【0013】図1において、1は半導体素子で、モータ
又はシリンダ等から構成した搬送機構に取り付けられた
チャック3に把持される。In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a semiconductor element, which is held by a chuck 3 attached to a transfer mechanism composed of a motor or a cylinder.
【0014】11は、リード処理部をカバーするチャン
バで、内部に還元ガス(不活性ガスでも可)を吹出すた
めに複数個の吹出しノズル12を設置してある。Reference numeral 11 denotes a chamber that covers the lead processing section, and has a plurality of blowing nozzles 12 installed therein for blowing a reducing gas (or an inert gas).
【0015】13は、半田収納容器で、先端に半田供給
ノズル14を有し、ノズル駆動機構15に取り付けられ
ている。A solder container 13 has a solder supply nozzle 14 at its tip and is attached to a nozzle drive mechanism 15.
【0016】図2に示す半田溶融部について、16はレ
ーザ照射口で、ヘッド移動ガイド17によりXY方向の
移動可能である。18は、照射されたレーザ光をリード
端子2の裏面に集めるように設置した凹面をもつ反射鏡
である。In the solder melting portion shown in FIG. 2, 16 is a laser irradiation port, which can be moved in the XY directions by a head moving guide 17. Reference numeral 18 denotes a reflecting mirror having a concave surface installed so as to collect the irradiated laser light on the back surface of the lead terminal 2.
【0017】次に動作を説明する。半導体素子1は図3
に示すように搬送機構部25のチャック3に把持され、
かつ制御部24の制御の下に供給部20からリード処理
部21,半田塗布部22,半田溶融部23の順に収納部
26まで送られる。Next, the operation will be described. The semiconductor device 1 is shown in FIG.
As shown in FIG.
Further, under the control of the control unit 24, the supply unit 20 sends the lead processing unit 21, the solder coating unit 22, and the solder melting unit 23 in this order to the storage unit 26.
【0018】リード処理部21では、吹出しノズル12
から吹出される還元ガスによってリード端子2表面の酸
化膜が除去される。次に半田供給ノズル14からクリー
ム状の半田(粉末でも可)が供給され、ノズル駆動機構
15によりXYに動きリード端子2全面に半田が塗布さ
れる。In the lead processing section 21, the blowing nozzle 12
The oxide film on the surface of the lead terminal 2 is removed by the reducing gas blown out from. Next, cream-like solder (powder may be used) is supplied from the solder supply nozzle 14, and the nozzle drive mechanism 15 moves XY to apply the solder to the entire surface of the lead terminal 2.
【0019】その後、半導体素子1は、半田溶融部22
に移動して、レーザ照射口16がヘッド移動ガイド17
により案内され、レーザ照射によりリード端子2の半田
を溶融し固着させる。半田溶融部22は、チャンバ11
によりカバーされ溶融により発生するガスは、チャンバ
11の外部にもれることはなく、チャンバ11に接続さ
れているダクトにより排気される。After that, the semiconductor element 1 has the solder melting portion 22.
The laser irradiation port 16 to the head movement guide 17
The solder of the lead terminal 2 is melted and fixed by laser irradiation. The solder melting portion 22 is connected to the chamber 11
The gas that is covered by the gas and that is generated by melting does not leak to the outside of the chamber 11 and is exhausted through a duct connected to the chamber 11.
【0020】本発明の別の実施例では、半田溶融部22
においてレーザ照射口16の移動に関し、ヘッド移動ガ
イド17によりXY方向に移動させるのでなく、図5に
示すようなポリゴンミラー19によりレーザ光を振るこ
とによっても、リード端子2全面を均一に半田溶融する
ことも可能である。In another embodiment of the invention, the solder fusion zone 22
With respect to the movement of the laser irradiation port 16, the entire surface of the lead terminal 2 is uniformly melted by shaking the laser light by the polygon mirror 19 as shown in FIG. 5 instead of moving the head moving guide 17 in the XY directions. It is also possible.
【0021】また、半田溶融手段としてレーザのかわり
に赤外線を適用した場合においても同様の作用を得るこ
とができる。Also, when infrared rays are used instead of laser as the solder melting means, the same effect can be obtained.
【0022】[0022]
【発明の効果】以上説明したように本発明は、リード表
面処理部を従来の酸を使用したウェット方式から還元ガ
スを使用するドライ方式にしたこと、リード端子に必要
量の半田のみを供給することにより、酸による汚染がま
ったくなくなり、及び半田から発生するガスが極めて少
ないことにより、組立工程内の空気を汚染することがな
い。さらに前後工程との工程複合化が可能となり、一貫
生産による合理化ラインの導入が可能となり、製造リー
ドタイムの短縮及び水処理施設の不要によるランニング
コストの低減等の効果を得ることができる。As described above, according to the present invention, the lead surface treatment portion is changed from the conventional wet method using acid to the dry method using reducing gas, and only the required amount of solder is supplied to the lead terminals. As a result, the contamination with acid is completely eliminated, and the gas generated from the solder is extremely small, so that the air in the assembly process is not contaminated. Furthermore, it becomes possible to combine the processes with the preceding and following processes, and it is possible to introduce a rationalized line by integrated production, and it is possible to obtain effects such as a reduction in manufacturing lead time and a reduction in running cost because a water treatment facility is unnecessary.
【図1】本発明の一実施例におけるリード表面処理部と
半田塗布部の断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a lead surface treatment portion and a solder application portion according to an embodiment of the present invention.
【図2】半田溶融部の断面図である。FIG. 2 is a sectional view of a solder melting portion.
【図3】本発明による半田処理装置の全体システムを示
すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram showing an overall system of a solder processing apparatus according to the present invention.
【図4】従来の半田処理装置の例を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing an example of a conventional solder processing apparatus.
【図5】本発明による別の実施例を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing another embodiment according to the present invention.
1 半導体素子 2 リード端子 3 チャック 4 前処理槽 5 フラックス槽 6 半田槽 7 洗浄槽 8 水切り槽 9 乾燥槽 10 エアノズル 10′ 熱風ノズル 11 チャンバ 12 吹出しノズル 13 半田収納容器 14 半田供給ノズル 15 ノズル駆動機構 16 レーザ照射光 17 ヘッド移動ガイド 18 反射鏡 19 ポリゴンミラー DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor element 2 Lead terminal 3 Chuck 4 Pretreatment tank 5 Flux tank 6 Solder tank 7 Cleaning tank 8 Draining tank 9 Drying tank 10 Air nozzle 10 'Hot air nozzle 11 Chamber 12 Blow-out nozzle 13 Solder container 14 Solder supply nozzle 15 Nozzle drive mechanism 16 Laser irradiation light 17 Head movement guide 18 Reflecting mirror 19 Polygon mirror
Claims (2)
ード端子の半田処理装置であって、 前記リード部をカバーするチャンバとチャンバ内に還元
ガスを供給するための複数個のガス吹出しノズルを有す
るリート表面処理部と、 半田収納容器と半田供給ノズル及び半田供給ノズル駆動
機構からなる半田塗布部と、 前記リード端子にレーザ光線を照射しながら光線を移動
させ半田を溶融させる半田溶融部とを含むことを特徴と
する半導体素子のリード端子半田処理装置。1. A solder processing device for a lead terminal after resin encapsulation in a semiconductor device assembly, comprising: a chamber covering the lead portion; and a plurality of gas blowing nozzles for supplying a reducing gas into the chamber. A solder surface treatment unit, a solder application unit including a solder container, a solder supply nozzle, and a solder supply nozzle drive mechanism, and a solder melting unit that moves the light beam while irradiating the lead terminal with a laser beam to melt the solder A semiconductor device lead terminal solder processing device characterized by the above.
特徴とする請求項1に記載の半導体素子のリード端子半
田処理装置。2. The lead terminal solder processing apparatus for a semiconductor element according to claim 1, wherein infrared rays are used for said solder melting portion.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30969891A JPH05121621A (en) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | Lead terminal solder processor of semiconductor element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30969891A JPH05121621A (en) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | Lead terminal solder processor of semiconductor element |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05121621A true JPH05121621A (en) | 1993-05-18 |
Family
ID=17996212
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30969891A Pending JPH05121621A (en) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | Lead terminal solder processor of semiconductor element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05121621A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009501980A (en) * | 2005-07-15 | 2009-01-22 | レボリューション マネー,インコーポレイテッド | Transaction card immediate issuance system and method |
US7649152B2 (en) | 2004-09-24 | 2010-01-19 | Tdk Corporation | Conductive ball bonding method and conductive ball bonding apparatus |
-
1991
- 1991-10-29 JP JP30969891A patent/JPH05121621A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7649152B2 (en) | 2004-09-24 | 2010-01-19 | Tdk Corporation | Conductive ball bonding method and conductive ball bonding apparatus |
JP2009501980A (en) * | 2005-07-15 | 2009-01-22 | レボリューション マネー,インコーポレイテッド | Transaction card immediate issuance system and method |
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