JPH05102506A - 光起電力素子 - Google Patents
光起電力素子Info
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- JPH05102506A JPH05102506A JP3256589A JP25658991A JPH05102506A JP H05102506 A JPH05102506 A JP H05102506A JP 3256589 A JP3256589 A JP 3256589A JP 25658991 A JP25658991 A JP 25658991A JP H05102506 A JPH05102506 A JP H05102506A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、有機/有機pnタイプの光
起動力素子に対し、安定性がよく且つピンホールを生じ
にくく、長波長に分光感度を有する新しい有効な電子受
容性有機物を見いだすことにより、有機光起電力素子と
しては高い変換効率を与える素子を提供することにあ
る。 【構成】 少なくとも一方が透光性である2つの電極の
間に、少なくとも電子受容性有機物層、電子供与性有機
物層の連続した2つの層からなる部分を含む光起電力素
子において、前記電子受容性有機物層がインダンスロン
顔料及び/又はアントラキノンアクリドン顔料を有効成
分として含有する層であることを特徴とする光起電力素
子。
起動力素子に対し、安定性がよく且つピンホールを生じ
にくく、長波長に分光感度を有する新しい有効な電子受
容性有機物を見いだすことにより、有機光起電力素子と
しては高い変換効率を与える素子を提供することにあ
る。 【構成】 少なくとも一方が透光性である2つの電極の
間に、少なくとも電子受容性有機物層、電子供与性有機
物層の連続した2つの層からなる部分を含む光起電力素
子において、前記電子受容性有機物層がインダンスロン
顔料及び/又はアントラキノンアクリドン顔料を有効成
分として含有する層であることを特徴とする光起電力素
子。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光センサ等にも有用な
光起電力素子に関する。
光起電力素子に関する。
【0002】
【従来の技術】有機物を能動材料として用いた光起電力
素子が多く研究されている。その目的は、単結晶、多結
晶、アモルファスのSiでは達成が困難とされている。
安価で毒性のない光起電力素子を開発するためである。
素子が多く研究されている。その目的は、単結晶、多結
晶、アモルファスのSiでは達成が困難とされている。
安価で毒性のない光起電力素子を開発するためである。
【0003】光起電力素子は、光エネルギを電気エネル
ギ(電圧×電流)に変換する素子であるため、変換効率
がその主要な評価対象となる。光電流の生成には内部電
界の存在が必要であるが、内部電界を生成する方法とし
ていくつかの素子構成が知られている。
ギ(電圧×電流)に変換する素子であるため、変換効率
がその主要な評価対象となる。光電流の生成には内部電
界の存在が必要であるが、内部電界を生成する方法とし
ていくつかの素子構成が知られている。
【0004】 1)ショットキー接合またはMIS型接合 金属/半導体接合で生じる内部電界を利用したもの。有
機半導体材料としてメロシアニン染料、フタロシアニン
顔料等が報告されている(A.K.Ghoshら J.
Appl.Phys.49,5982(1978))。
この素子は、開放電圧(Voc)は大きくとれるが、電
極として金属材料が用いられているため、電極の光透過
率が低くなる。実際の光透過率は、よくても30%、通
常は10%前後である。また、これらの材料は耐酸化性
に乏しい。従って、この素子形態では高い変換効率と、
安定した特性を作り出すことは望めない。
機半導体材料としてメロシアニン染料、フタロシアニン
顔料等が報告されている(A.K.Ghoshら J.
Appl.Phys.49,5982(1978))。
この素子は、開放電圧(Voc)は大きくとれるが、電
極として金属材料が用いられているため、電極の光透過
率が低くなる。実際の光透過率は、よくても30%、通
常は10%前後である。また、これらの材料は耐酸化性
に乏しい。従って、この素子形態では高い変換効率と、
安定した特性を作り出すことは望めない。
【0005】2)n型無機半導体/p型有機半導体接合
を利用したヘテロpn接合 n型無機半導体/p型有機半導体を接合したときに生じ
る内部電界を利用したもの。n型材料としてCdS.Z
nO等が用いられている。p型有機半導体材料としてメ
ロシアニン染料、フタロシアニン等が報告されている
(A.HorらAppl.Phys.Lett.,4
2,15(1983))。この素子は、電荷生成が主と
して有機層でなされるため、分光感度の制限を受ける。
通常、有機層は単一の材料から形成されるが、400か
ら例えば800nmまで強い光吸収をもつ有機半導体は
現在存在しないからである。従って、この素子構成では
光入射電極の光透過性や、電極の安定性の問題はクリア
できるが、分光感度領域が狭いため、高い変換効率は望
めない。
を利用したヘテロpn接合 n型無機半導体/p型有機半導体を接合したときに生じ
る内部電界を利用したもの。n型材料としてCdS.Z
nO等が用いられている。p型有機半導体材料としてメ
ロシアニン染料、フタロシアニン等が報告されている
(A.HorらAppl.Phys.Lett.,4
2,15(1983))。この素子は、電荷生成が主と
して有機層でなされるため、分光感度の制限を受ける。
通常、有機層は単一の材料から形成されるが、400か
ら例えば800nmまで強い光吸収をもつ有機半導体は
現在存在しないからである。従って、この素子構成では
光入射電極の光透過性や、電極の安定性の問題はクリア
できるが、分光感度領域が狭いため、高い変換効率は望
めない。
【0006】 3)有機/有機ヘテロpn接合を利用したもの 電子受容性の有機物と電子供与性の有機物を接合したと
きに生じる電界を利用したもの。
きに生じる電界を利用したもの。
【0007】この電子受容性有機物としてはマラカイト
グリーン、メチルバイオレット、ピリリウム等の染料、
フラバンスロン、ペリレン顔料等の縮合多環芳香族化合
物が報告されており、電子供与性有機物としてはフタロ
シアニン顔料、メロシアニン染料等が報告されている
(C.Tang Appl.Phys.Lett.,4
8,183(1986))。上記2種の構成と較べ、現
在のところ最も望ましいものである。透明電極からの光
照射が行え、また、2種の材料で光電荷生成が可能であ
るため、分光感度も広げることができる。しかし、Ta
ng氏の技術は次の様な欠点を有している。
グリーン、メチルバイオレット、ピリリウム等の染料、
フラバンスロン、ペリレン顔料等の縮合多環芳香族化合
物が報告されており、電子供与性有機物としてはフタロ
シアニン顔料、メロシアニン染料等が報告されている
(C.Tang Appl.Phys.Lett.,4
8,183(1986))。上記2種の構成と較べ、現
在のところ最も望ましいものである。透明電極からの光
照射が行え、また、2種の材料で光電荷生成が可能であ
るため、分光感度も広げることができる。しかし、Ta
ng氏の技術は次の様な欠点を有している。
【0008】前記電子供与性有機物及び電子受容性有機
物の光電流、開放電圧、安定性等の特性及び成膜時ピン
ホールが生じやすい等未だ十分な特性が得られていな
い。また、記されている材料が電子受容性有機物は短波
長領域に分光感度を有し、電子供与性有機物は長波長領
域に分光感度を有しているため積層する組み合わせが限
定され材料の制約が生じてしまう。
物の光電流、開放電圧、安定性等の特性及び成膜時ピン
ホールが生じやすい等未だ十分な特性が得られていな
い。また、記されている材料が電子受容性有機物は短波
長領域に分光感度を有し、電子供与性有機物は長波長領
域に分光感度を有しているため積層する組み合わせが限
定され材料の制約が生じてしまう。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、有機
/有機pnタイプの光起動力素子に対し、安定性がよく
且つピンホールを生じにくく、長波長に分光感度を有す
る新しい有効な電子受容性有機物を見いだすことによ
り、有機光起電力素子としては高い変換効率を与える素
子を提供することにある。
/有機pnタイプの光起動力素子に対し、安定性がよく
且つピンホールを生じにくく、長波長に分光感度を有す
る新しい有効な電子受容性有機物を見いだすことによ
り、有機光起電力素子としては高い変換効率を与える素
子を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、鋭意検討した結果、少なくとも一方が透光性である
2つの電極の間に、少なくとも電子受容性有機物層と電
子供与性有機層の積層された光起電力素子において、電
子受容性有機物層に特定の顔料を選択することが有効で
あることを見いだし、本発明に至った。
め、鋭意検討した結果、少なくとも一方が透光性である
2つの電極の間に、少なくとも電子受容性有機物層と電
子供与性有機層の積層された光起電力素子において、電
子受容性有機物層に特定の顔料を選択することが有効で
あることを見いだし、本発明に至った。
【0011】すなわち、本発明は、少なくとも一方が透
光性である2つの電極の間に、少なくとも電子受容性有
機物層、電子供与性有機物層の連続した2つの層からな
る部分を含む光起電力素子において、前記電子受容性有
機物層がインダンスロン顔料及び/又はアントラキノン
アクリドン顔料を有効成分として含有する層であること
を特徴とする光起電力素子である。
光性である2つの電極の間に、少なくとも電子受容性有
機物層、電子供与性有機物層の連続した2つの層からな
る部分を含む光起電力素子において、前記電子受容性有
機物層がインダンスロン顔料及び/又はアントラキノン
アクリドン顔料を有効成分として含有する層であること
を特徴とする光起電力素子である。
【0012】本発明に使用するインダンスロン顔料は下
記一般式(I)で、又アントラキノンアクリドン顔料は
下記一般式(II)又は(III)で表わされる。
記一般式(I)で、又アントラキノンアクリドン顔料は
下記一般式(II)又は(III)で表わされる。
【0013】
【化4】
【0014】(式中、R1 ,R2 はハロゲン原子、置換
又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアミノ基、
アルコキシ基、ヒドロキシル基、アセチル基、アルボキ
シル基、ニトロ基、シアノ基を表し、n,mは0〜4の
整数を表わす。n,mが2以上であるとき、R1 ,R2
はそれぞれ同一でも異なってもよい。
又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアミノ基、
アルコキシ基、ヒドロキシル基、アセチル基、アルボキ
シル基、ニトロ基、シアノ基を表し、n,mは0〜4の
整数を表わす。n,mが2以上であるとき、R1 ,R2
はそれぞれ同一でも異なってもよい。
【0015】R3 ,R4 は水素原子、アルキル基を表
す。)
す。)
【0016】
【化5】
【0017】(式中、R5 はハロゲン原子、置換又は無
置換のアルキル基、置換又は無置換のアミノ基、ヒドロ
キシル基、アルコキシ基、アセチル基、カルボキシル
基、ニトロ基、シアノ基を表し、pは0〜3の整数を表
す。X1 は置換又は無置換のアリール環を示す。)
置換のアルキル基、置換又は無置換のアミノ基、ヒドロ
キシル基、アルコキシ基、アセチル基、カルボキシル
基、ニトロ基、シアノ基を表し、pは0〜3の整数を表
す。X1 は置換又は無置換のアリール環を示す。)
【0018】
【化6】
【0019】(式中、R6 はハロゲン原子、置換又は無
置換のアルキル基、置換又は無置換のアミノ基、ヒドロ
キシル基、アルコキシ基、アセチル基、カルボキシル
基、ニトロ基、シアノ基を表し、qは0〜3の整数を表
す。X2 ,X3 は置換又は無置換のアリール環を示
す。)本発明において、電子受容性有機物層に使用され
る前記一般式(I)で表されるインダンスロン顔料は既
に周知の方法、例えば2−アミノアントラキノンのカセ
イアルカリ溶融法により製造される。
置換のアルキル基、置換又は無置換のアミノ基、ヒドロ
キシル基、アルコキシ基、アセチル基、カルボキシル
基、ニトロ基、シアノ基を表し、qは0〜3の整数を表
す。X2 ,X3 は置換又は無置換のアリール環を示
す。)本発明において、電子受容性有機物層に使用され
る前記一般式(I)で表されるインダンスロン顔料は既
に周知の方法、例えば2−アミノアントラキノンのカセ
イアルカリ溶融法により製造される。
【0020】本発明の電子受容性有機物層に使用される
インダンスロン顔料の具体例としては以下の構造の化合
物が挙げられるが、これらの化合物に限定されるもので
はない。
インダンスロン顔料の具体例としては以下の構造の化合
物が挙げられるが、これらの化合物に限定されるもので
はない。
【0021】
【化7】
【0022】
【化8】
【0023】
【化9】
【0024】本発明において電子受容性有機物層に使用
される前記一般式(II)または(III)で表されるアント
ラキノンアクリドン顔料は公知の方法により製造され
る。
される前記一般式(II)または(III)で表されるアント
ラキノンアクリドン顔料は公知の方法により製造され
る。
【0025】例えば、一般式(II)の化合物は1−アリ
ルアミノアントラキノン−2−カルボン酸または1−ア
リルアミノアントラキノン−2′−カルボン酸を濃硫
酸,弱発煙硫酸,クロルスルホン酸を用い60〜100
℃で脱水閉環して製造される。一般式(III)についても
同様に製造される。
ルアミノアントラキノン−2−カルボン酸または1−ア
リルアミノアントラキノン−2′−カルボン酸を濃硫
酸,弱発煙硫酸,クロルスルホン酸を用い60〜100
℃で脱水閉環して製造される。一般式(III)についても
同様に製造される。
【0026】本発明の電子受容性有機物層に使用される
アントラキノンアクリドン顔料の具体例としては以下の
構造の化合物が挙げられる。
アントラキノンアクリドン顔料の具体例としては以下の
構造の化合物が挙げられる。
【0027】一般式(II)として、
【0028】
【化10】
【0029】
【化11】
【0030】
【化12】
【0031】
【化13】
【0032】
【化14】
【0033】
【化15】
【0034】本発明は有機/有機pnタイプの光起電力
素子において、電子受容性有機物層に特定の顔料を用い
るものであるが、かかる光電変換素子は例えば図1、図
2、図3、図4、図5、図6の形態で使用される。
素子において、電子受容性有機物層に特定の顔料を用い
るものであるが、かかる光電変換素子は例えば図1、図
2、図3、図4、図5、図6の形態で使用される。
【0035】本発明の光起電力素子の1つの態様は図1
に通りである。
に通りである。
【0036】ここで、支持体は背面電極側にあってもよ
い。また、電子受容性層と電子供与性層の順が逆であっ
てもよい。
い。また、電子受容性層と電子供与性層の順が逆であっ
てもよい。
【0037】また、本発明の別の態様として図2のもの
が挙げられる。
が挙げられる。
【0038】この構成の特徴は透光性n型無機半導体層
が挿入されたことにある。n型無機半導体層は背面電極
側にあってもよく、この場合には、透光性である必要は
ないが透明電極側から電子供与性有機物層、電子受容性
有機物層、n型無機半導体層の順になる。図2の場合も
図1同様支持体は背面電極側にあってもよい。
が挿入されたことにある。n型無機半導体層は背面電極
側にあってもよく、この場合には、透光性である必要は
ないが透明電極側から電子供与性有機物層、電子受容性
有機物層、n型無機半導体層の順になる。図2の場合も
図1同様支持体は背面電極側にあってもよい。
【0039】また、本発明の別の態様として図3のもの
が挙げられる。
が挙げられる。
【0040】ここで、支持体は背面電極側にあってもよ
い。また、電子受容性層と電子供与性層の順が逆であっ
てもよく、その場合は、電子供与性有機物層(2)、電
子供与性有機物層(1)、電子受容性有機物層の順とな
る。
い。また、電子受容性層と電子供与性層の順が逆であっ
てもよく、その場合は、電子供与性有機物層(2)、電
子供与性有機物層(1)、電子受容性有機物層の順とな
る。
【0041】また、本発明の別の更に好ましい態様とし
て図4のものが挙げられる。
て図4のものが挙げられる。
【0042】この構成は図3の素子に透光性n型無機半
導体層が挿入されたものである。本層は背面電極側にあ
ってもよく、この場合には、透光性である必要はなく、
また、図2と同様に有機物層の順も反対となる。
導体層が挿入されたものである。本層は背面電極側にあ
ってもよく、この場合には、透光性である必要はなく、
また、図2と同様に有機物層の順も反対となる。
【0043】本発明の光起電力素子の更に別な態様は図
5の通りである。
5の通りである。
【0044】ここで、支持体は背面電極側にあってもよ
い。また、電子受容性層と電子供与性層の順が逆であっ
てもよく、その場合は、電子受容性有機物層(2)、電
子受容性有機物層(1)、電子供与性有機物層の順とな
る。
い。また、電子受容性層と電子供与性層の順が逆であっ
てもよく、その場合は、電子受容性有機物層(2)、電
子受容性有機物層(1)、電子供与性有機物層の順とな
る。
【0045】また、本発明の別の態様として図6のもの
が挙げられる。
が挙げられる。
【0046】この構成は図5にn型無機半導体層が挿入
されたものである。このn型無機半導体層は透明電極側
にあってもよく、この場合には、透光性である必要があ
り、また、図2、図4同様有機層の順序は逆になる。
されたものである。このn型無機半導体層は透明電極側
にあってもよく、この場合には、透光性である必要があ
り、また、図2、図4同様有機層の順序は逆になる。
【0047】上記、図1から図6の本素子が光起電力能
を有する理由は、電子受容性有機物層と電子供与性有機
物層の界面で両層のフェルミレベルの違いによって生ず
る局所的な内部電界に起因している。この内部電界が働
いている部分に光が吸収されることによりキャリアが発
生する。これが最終的に外部に電流として取り出され
る。従って、この界面にいかに多くの光が到達し吸収さ
れるか、電子受容性有機物層と電子供与性有機物層の間
に生ずる内部電界の大きさ、等のキャリア発生能と電子
受容性有機物層、電子供与有機物層の電子及び正孔の移
動能及び注入性等が光起電力素子の変換効率の大きな因
子となる。これらは電子受容性有機物層、電子供与有機
物層に使用される材料に大きく左右されるものである
が、現在のところどの様な材料がそれぞれの層に適切か
は全くわかっていない。
を有する理由は、電子受容性有機物層と電子供与性有機
物層の界面で両層のフェルミレベルの違いによって生ず
る局所的な内部電界に起因している。この内部電界が働
いている部分に光が吸収されることによりキャリアが発
生する。これが最終的に外部に電流として取り出され
る。従って、この界面にいかに多くの光が到達し吸収さ
れるか、電子受容性有機物層と電子供与性有機物層の間
に生ずる内部電界の大きさ、等のキャリア発生能と電子
受容性有機物層、電子供与有機物層の電子及び正孔の移
動能及び注入性等が光起電力素子の変換効率の大きな因
子となる。これらは電子受容性有機物層、電子供与有機
物層に使用される材料に大きく左右されるものである
が、現在のところどの様な材料がそれぞれの層に適切か
は全くわかっていない。
【0048】光起電力素子の変換効率(η)は次式によ
って表される。
って表される。
【0049】 上式において、Vocは開放時の電圧、Jscは短絡時
の電流、ffはフィルファクターと呼ばれる光照射時の
電圧−電流曲線の因子を示す値である。Pinは入射光
エネルギーである。
の電流、ffはフィルファクターと呼ばれる光照射時の
電圧−電流曲線の因子を示す値である。Pinは入射光
エネルギーである。
【0050】図2、図4、図6設けられているn型無機
半導体層は、電子受容性有機物層と電極材料とのエネル
ギー障壁をなくし電荷の移動をスムースにする役割と、
電子受容性有機物層のピンホールの影響を消失させる役
割をはたしていると考えられる。
半導体層は、電子受容性有機物層と電極材料とのエネル
ギー障壁をなくし電荷の移動をスムースにする役割と、
電子受容性有機物層のピンホールの影響を消失させる役
割をはたしていると考えられる。
【0051】図3、図4の電子供与性有機物層(2)、
及び図5、図6の電子受容性有機物層(2)は、光活性
層における吸収光の有効利用、生成した電荷の再結合確
立の低減などの役割をしていると考えられる。
及び図5、図6の電子受容性有機物層(2)は、光活性
層における吸収光の有効利用、生成した電荷の再結合確
立の低減などの役割をしていると考えられる。
【0052】本発明は図1から図6における電子供与性
有機物層と接する電子受容性有機物層の材料としてイン
ダンスロン顔料及び/又はアントラキノンアクリドン顔
料が有効であることを見いだしたものであるが、このイ
ンダンスロン顔料及び/又はアントラキノンアクリドン
顔料は図5、図6の電子受容性有機物層(2)の材料と
しても有効である。このインダンスロン顔料及び/又は
アントラキノンアクリドン顔料が有機/有機pnタイプ
の光起電力素子の電子受容性有機物質の材料として有効
な理由は現在のところ不明である。かかるインダンスロ
ン顔料及び/又はアントラキノンアクリドン顔料の電子
受容性有機物質層は蒸着、スピンコート、ディッピング
にて成膜される。薄膜化、均一化には蒸着が好ましい。
膜厚は50〜3000Åが好ましい。
有機物層と接する電子受容性有機物層の材料としてイン
ダンスロン顔料及び/又はアントラキノンアクリドン顔
料が有効であることを見いだしたものであるが、このイ
ンダンスロン顔料及び/又はアントラキノンアクリドン
顔料は図5、図6の電子受容性有機物層(2)の材料と
しても有効である。このインダンスロン顔料及び/又は
アントラキノンアクリドン顔料が有機/有機pnタイプ
の光起電力素子の電子受容性有機物質の材料として有効
な理由は現在のところ不明である。かかるインダンスロ
ン顔料及び/又はアントラキノンアクリドン顔料の電子
受容性有機物質層は蒸着、スピンコート、ディッピング
にて成膜される。薄膜化、均一化には蒸着が好ましい。
膜厚は50〜3000Åが好ましい。
【0053】次に本発明の光起電力素子に使用される各
種の材料、製法等について説明する。
種の材料、製法等について説明する。
【0054】本発明において使用する透明絶縁支持体と
しては、ガラス、プラスチックフィルム等が用いられ
る。
しては、ガラス、プラスチックフィルム等が用いられ
る。
【0055】本発明において使用する透明電極として
は、酸化スズインジウム(ITO)、酸化スズ、酸化イ
ンジウム、酸化亜鉛、半透明Au等が用いられる。好ま
しい厚さは100〜10000Åである。
は、酸化スズインジウム(ITO)、酸化スズ、酸化イ
ンジウム、酸化亜鉛、半透明Au等が用いられる。好ま
しい厚さは100〜10000Åである。
【0056】本発明において使用するn型半導体層とし
ては、酸化亜鉛、3価の金属がドープされた酸化亜鉛、
CdS、酸化チタン、リンをドープしたアモルファスシ
リコン、n型結晶シリコン等が用いられる。このうち、
透光性が必要である場合は、酸化亜鉛、3価の金属がド
ープされた酸化亜鉛、CdS、酸化チタン等が用いられ
る。厚さは、透光性である場合には10〜10000
Å、そうでない場合には、更に厚いことも可能である。
ては、酸化亜鉛、3価の金属がドープされた酸化亜鉛、
CdS、酸化チタン、リンをドープしたアモルファスシ
リコン、n型結晶シリコン等が用いられる。このうち、
透光性が必要である場合は、酸化亜鉛、3価の金属がド
ープされた酸化亜鉛、CdS、酸化チタン等が用いられ
る。厚さは、透光性である場合には10〜10000
Å、そうでない場合には、更に厚いことも可能である。
【0057】本発明において用いる電子受容性有機物層
(2)またはインダンスロン顔料及び/又はアントラキ
ノンアクリドン顔料を電子受容性層(2)として用いた
ときの電子受容性有機物層(1)は、ペリレン系顔料
Pigment Red(以下PR)179,PR19
0,PR149,PR189,PR123,Pigme
nt Brown 26等、ペリノン系顔料 Pigm
ent Orange43,PR194等、アントラキ
ノン系顔料 PR168,PR177,Vat Yel
low 4等、フラバンスロン等の含キノン黄色顔料、
クリスタルバイオレット、メチルバイオレット、マラカ
イトグリーン等の染料フルオレノン、2,4,7トリニ
トロフルオレノン、テトラシアノキノジメタン、テトラ
シアノエチレン等のアクセプタ化合物を挙げることがで
きる。これらは蒸着、スピンコート、ディッピングにて
成膜される。薄膜化、均一化には蒸着が好ましい。膜厚
は100〜3000Åが好ましい。
(2)またはインダンスロン顔料及び/又はアントラキ
ノンアクリドン顔料を電子受容性層(2)として用いた
ときの電子受容性有機物層(1)は、ペリレン系顔料
Pigment Red(以下PR)179,PR19
0,PR149,PR189,PR123,Pigme
nt Brown 26等、ペリノン系顔料 Pigm
ent Orange43,PR194等、アントラキ
ノン系顔料 PR168,PR177,Vat Yel
low 4等、フラバンスロン等の含キノン黄色顔料、
クリスタルバイオレット、メチルバイオレット、マラカ
イトグリーン等の染料フルオレノン、2,4,7トリニ
トロフルオレノン、テトラシアノキノジメタン、テトラ
シアノエチレン等のアクセプタ化合物を挙げることがで
きる。これらは蒸着、スピンコート、ディッピングにて
成膜される。薄膜化、均一化には蒸着が好ましい。膜厚
は100〜3000Åが好ましい。
【0058】本発明に使用する電子供与性有機物層
(1)、(2)としては、フタロシアニン系顔料(中心
金属がCu,Zn,Co,Ni,Pb,Pt,Fe,M
g等の2価のもの、無金属フタロシアニン、アルミニウ
ムクロルフタロシアニン、インジウムクロルフタロシア
ニン、インジウムブロムフタロシニアン、ガリウムクロ
ルフタロシアニン等のハロゲン原子が配位した3価金属
のフタロシアニン、塩素化銅フタロシアニン、塩素化亜
鉛フタロシアニン、その他バナジルフタロシアニン、チ
タニルフタロシアニン等の酸素が配位したフタロシアニ
ン)、インジゴ、チオインジゴ系顔料(Pigment
Blue 66,Pigment,Violet 3
6等)、キナクリドン系顔料(Pigment Vio
let 19,Pigment Red 122等)、
メロシアニン化合物、シアニン化合物、スクアリウム化
合物等の染料、π電子共役を有する高分子及び孤立電子
対(例えば窒素のLone pair)をふくむπ電子
共役を有する高分子を指す。例えば以下に示すものが挙
げられる。
(1)、(2)としては、フタロシアニン系顔料(中心
金属がCu,Zn,Co,Ni,Pb,Pt,Fe,M
g等の2価のもの、無金属フタロシアニン、アルミニウ
ムクロルフタロシアニン、インジウムクロルフタロシア
ニン、インジウムブロムフタロシニアン、ガリウムクロ
ルフタロシアニン等のハロゲン原子が配位した3価金属
のフタロシアニン、塩素化銅フタロシアニン、塩素化亜
鉛フタロシアニン、その他バナジルフタロシアニン、チ
タニルフタロシアニン等の酸素が配位したフタロシアニ
ン)、インジゴ、チオインジゴ系顔料(Pigment
Blue 66,Pigment,Violet 3
6等)、キナクリドン系顔料(Pigment Vio
let 19,Pigment Red 122等)、
メロシアニン化合物、シアニン化合物、スクアリウム化
合物等の染料、π電子共役を有する高分子及び孤立電子
対(例えば窒素のLone pair)をふくむπ電子
共役を有する高分子を指す。例えば以下に示すものが挙
げられる。
【0059】 ポリアセチレン類、ポリジアセチレン類 ポリチオフェン、ポリ置換チオェン、ポリピロール、ポ
リ置換ピロール、ポリフラン、ポリ置換フラン、ポリイ
ンドール、ポリカルバゾール等の複素環重合体。
リ置換ピロール、ポリフラン、ポリ置換フラン、ポリイ
ンドール、ポリカルバゾール等の複素環重合体。
【0060】ポリアニリン、ポリ置換アニリン、ポリジ
フェニルアミン、ポリ(N,N′−ジフェニルベンジジ
ン)、ポリジアミノナフタレン、ポリトリフェニルアミ
ン、ポリアミノピレン等のアミン系重合体。
フェニルアミン、ポリ(N,N′−ジフェニルベンジジ
ン)、ポリジアミノナフタレン、ポリトリフェニルアミ
ン、ポリアミノピレン等のアミン系重合体。
【0061】ポリパラフェニレン、ポリアズレン等の縮
合環、縮合多環系重合体。
合環、縮合多環系重合体。
【0062】 ポリビニルカルバゾールの電解酸化重合体 これらの共役系高分子は化学重合または電解重合により
合成される。
合成される。
【0063】有機電子写真感光体で用いられる電荷移動
剤(ヒドラゾン化合物、ピラゾリン化合物、トリフェニ
ルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、スチリル
化合物、ベンゾジチオール系化合物、オキザジアゾール
化合物、オキサゾール化合物等)、電気伝導性有機電荷
移動錯体で用いられる電子供与性化合物(テトラチオフ
ルバレン、テトラフェニルテトラチオフラバレン等)等
を挙げることができる。
剤(ヒドラゾン化合物、ピラゾリン化合物、トリフェニ
ルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、スチリル
化合物、ベンゾジチオール系化合物、オキザジアゾール
化合物、オキサゾール化合物等)、電気伝導性有機電荷
移動錯体で用いられる電子供与性化合物(テトラチオフ
ルバレン、テトラフェニルテトラチオフラバレン等)等
を挙げることができる。
【0064】これらの層は蒸着、スピンコート、ディッ
ピング、電解重合等での方法で成膜される。この中で、
薄膜化、均一化には蒸着が好ましい。
ピング、電解重合等での方法で成膜される。この中で、
薄膜化、均一化には蒸着が好ましい。
【0065】電子供与性有機物層(1)、(2)の適当
な膜厚は50〜10000Åである。
な膜厚は50〜10000Åである。
【0066】また、本発明で用いられる背面電極として
は、電子供与性有機物層と接する場合、Au,Pt,N
i,Pd,Cu,Cr,Ag等の仕事関数の高い金属が
用いられる。また、電子受容性有機物層と接する場合に
は、Al,In,Pb,Zn,Mg,Ag等が用いられ
る。さらに、n型無機半導体層と接する場合には、これ
らの金属や上記した仕事関数の高い金属も用いられる。
金属の膜厚は50〜3000Åが好ましい。
は、電子供与性有機物層と接する場合、Au,Pt,N
i,Pd,Cu,Cr,Ag等の仕事関数の高い金属が
用いられる。また、電子受容性有機物層と接する場合に
は、Al,In,Pb,Zn,Mg,Ag等が用いられ
る。さらに、n型無機半導体層と接する場合には、これ
らの金属や上記した仕事関数の高い金属も用いられる。
金属の膜厚は50〜3000Åが好ましい。
【0067】
【実施例】以下に実施例を示し、本発明を更に詳細に説
明する。
明する。
【0068】実施例1 よく洗浄したITOガラス(松崎真空製、30Ω/□)
上に、真空蒸着法で電子受容性物質である化合物NO.
1インダンスロン顔料を約400Åの厚さで、次いで電
子供与性物質であるアルミニウムクロロフタロシアニン
(AlClPc)を約400Åの厚さで設け、その上に
金を真空蒸着した。ITOと金がなす面積は0.25c
m2 とした。2つの電極に銀ペーストにてリード線を取
り付けた。
上に、真空蒸着法で電子受容性物質である化合物NO.
1インダンスロン顔料を約400Åの厚さで、次いで電
子供与性物質であるアルミニウムクロロフタロシアニン
(AlClPc)を約400Åの厚さで設け、その上に
金を真空蒸着した。ITOと金がなす面積は0.25c
m2 とした。2つの電極に銀ペーストにてリード線を取
り付けた。
【0069】この素子のITO側に、75mW/cm2
の白色光を照射しながら、6mV/sで掃引される電圧
を印加して変換効率を測定したところVoc=0.31
V,Jsc=0.19mA/cm2 ,ff=0.33と
なり変換効率0.026%が得られた。この値は有機光
起電力素子としては大きなものである。
の白色光を照射しながら、6mV/sで掃引される電圧
を印加して変換効率を測定したところVoc=0.31
V,Jsc=0.19mA/cm2 ,ff=0.33と
なり変換効率0.026%が得られた。この値は有機光
起電力素子としては大きなものである。
【0070】実施例2 よく洗浄したITOガラス(松崎真空製、30Ω/□)
上に基板温度約250℃で、導入ガスとしてアルゴンを
用い、RFマグネトロンスパッタ法で、酸化亜鉛を約1
500Åの厚さで設けた。その上に、真空蒸着法で電子
受容性物質である化合物NO.1インダンスロン顔料を
約400Åの厚さで、次いで電子供与性物質であるアル
ミニウムクロロフタロシアニン(AlClPc)を約4
00Åの厚さで設け、その上に金を真空蒸着した。IT
Oと金がなす面積は0.25cm2 とした。2つの電極
に銀ペーストにてリード線を取り付けた。
上に基板温度約250℃で、導入ガスとしてアルゴンを
用い、RFマグネトロンスパッタ法で、酸化亜鉛を約1
500Åの厚さで設けた。その上に、真空蒸着法で電子
受容性物質である化合物NO.1インダンスロン顔料を
約400Åの厚さで、次いで電子供与性物質であるアル
ミニウムクロロフタロシアニン(AlClPc)を約4
00Åの厚さで設け、その上に金を真空蒸着した。IT
Oと金がなす面積は0.25cm2 とした。2つの電極
に銀ペーストにてリード線を取り付けた。
【0071】以下実施例1と同様にして変換効率を測定
した。その結果、Voc=0.40V,Jsc=0.2
3mA/cm2 ,ff=0.35となり変換効率0.0
43%が得られた。この値は有機光起電力素子としては
大きなものである。
した。その結果、Voc=0.40V,Jsc=0.2
3mA/cm2 ,ff=0.35となり変換効率0.0
43%が得られた。この値は有機光起電力素子としては
大きなものである。
【0072】実施例3 実施例2と同様にして作成した酸化亜鉛上に、真空蒸着
法で電子受容性物質である化合物NO.1インダンスロ
ン顔料を約400Åの厚さで、次いで2,9−ジメチル
キナクリドン(QAME)を約400Åの厚さで設けた
以外は実施例1と同様にして変換効率を測定した。その
結果、Voc=0.48V,Jsc=0.17mA/c
m2 ,ff=0.36となり変換効率0.039%が得
られた。この値は有機光起電力素子としては大きなもの
である。
法で電子受容性物質である化合物NO.1インダンスロ
ン顔料を約400Åの厚さで、次いで2,9−ジメチル
キナクリドン(QAME)を約400Åの厚さで設けた
以外は実施例1と同様にして変換効率を測定した。その
結果、Voc=0.48V,Jsc=0.17mA/c
m2 ,ff=0.36となり変換効率0.039%が得
られた。この値は有機光起電力素子としては大きなもの
である。
【0073】実施例4 実施例2と同様にして作成した酸化亜鉛上に、真空蒸着
法で電子受容性物質である化合物NO.1インダンスロ
ン顔料を約400Åの厚さで、次いでアルミニウムクロ
ロフタロシアニン(AlClPc)を約100Åの厚さ
で、さらにキナクリドン(QA)を約300Åの厚さで
設けた以外は実施例1と同様にして変換効率を測定し
た。その結果、Voc=0.47V,Jsc=0.25
mA/cm2 ,ff=0.40となり変換効率0.06
3%が得られた。この値は有機光起電力素子としては大
きなものである。
法で電子受容性物質である化合物NO.1インダンスロ
ン顔料を約400Åの厚さで、次いでアルミニウムクロ
ロフタロシアニン(AlClPc)を約100Åの厚さ
で、さらにキナクリドン(QA)を約300Åの厚さで
設けた以外は実施例1と同様にして変換効率を測定し
た。その結果、Voc=0.47V,Jsc=0.25
mA/cm2 ,ff=0.40となり変換効率0.06
3%が得られた。この値は有機光起電力素子としては大
きなものである。
【0074】実施例5 実施例4の電子受容性物質を化合物NO.2インダンス
ロン顔料に変えた以外は実施例3と同様に素子を作成
し、実施例1と同様にして変換効率を測定した。その結
果、Voc=0.48V,Jsc=0.22mA/cm
2 ,ff=0.39となり変換効率0.055%が得ら
れた。この値は有機光起電力素子としては大きなもので
ある。
ロン顔料に変えた以外は実施例3と同様に素子を作成
し、実施例1と同様にして変換効率を測定した。その結
果、Voc=0.48V,Jsc=0.22mA/cm
2 ,ff=0.39となり変換効率0.055%が得ら
れた。この値は有機光起電力素子としては大きなもので
ある。
【0075】実施例6 実施例4の電子受容性物質を化合物NO.5インダンス
ロン顔料に変えた以外は実施例3と同様に素子を作成
し、実施例1と同様にして変換効率を測定した。その結
果、Voc=0.48V,Jsc=0.27mA/cm
2 ,ff=0.45となり変換効率0.078%が得ら
れた。この値は有機光起電力素子としては大きなもので
ある。
ロン顔料に変えた以外は実施例3と同様に素子を作成
し、実施例1と同様にして変換効率を測定した。その結
果、Voc=0.48V,Jsc=0.27mA/cm
2 ,ff=0.45となり変換効率0.078%が得ら
れた。この値は有機光起電力素子としては大きなもので
ある。
【0076】実施例7 実施例4の電子受容性物質を化合物NO.6インダンス
ロン顔料に変えた以外は実施例3と同様に素子を作成
し、実施例1と同様にして変換効率を測定した。その結
果、Voc=0.48V,Jsc=0.32mA/cm
2 ,ff=0.46となり変換効率0.094%が得ら
れた。この値は有機光起電力素子としては大きなもので
ある。
ロン顔料に変えた以外は実施例3と同様に素子を作成
し、実施例1と同様にして変換効率を測定した。その結
果、Voc=0.48V,Jsc=0.32mA/cm
2 ,ff=0.46となり変換効率0.094%が得ら
れた。この値は有機光起電力素子としては大きなもので
ある。
【0077】実施例8 よく洗浄したITOガラス(松崎真空製、30Ω/□)
上に、真空蒸着法で電子受容性物質である化合物NO.
26アントラキノンアクリドン顔料を約400Åの厚さ
で、次いで電子供与性物質であるアルミニウムクロロフ
タロシアニン(AlClPc)を約400Åの厚さで設
け、その上に金を真空蒸着した。ITOと金がなす面積
は0.25cm2 とした。2つの電極に銀ペーストにて
リード線を取り付けた。
上に、真空蒸着法で電子受容性物質である化合物NO.
26アントラキノンアクリドン顔料を約400Åの厚さ
で、次いで電子供与性物質であるアルミニウムクロロフ
タロシアニン(AlClPc)を約400Åの厚さで設
け、その上に金を真空蒸着した。ITOと金がなす面積
は0.25cm2 とした。2つの電極に銀ペーストにて
リード線を取り付けた。
【0078】この素子のITO側に、75mW/cm2
の白色光を照射しながら、6mV/sで掃引される電圧
を印加して変換効率を測定したところVoc=0.33
V,Jsc=0.28mA/cm2 ,ff=0.36と
なり変換効率0.044%が得られた。この値は有機光
起電力素子としては大きなものである。
の白色光を照射しながら、6mV/sで掃引される電圧
を印加して変換効率を測定したところVoc=0.33
V,Jsc=0.28mA/cm2 ,ff=0.36と
なり変換効率0.044%が得られた。この値は有機光
起電力素子としては大きなものである。
【0079】実施例9 よく洗浄したITOガラス(松崎真空製、30Ω/□)
上に基板温度約250℃で、導入ガスとしてアルゴンを
用い、RFマグネトロンスパッタ法で、酸化亜鉛を約1
500Åの厚さで設けた。その上に、真空蒸着法で電子
受容性物質である化合物NO.27アントラキノンアク
リドン顔料を約400Åの厚さで、次いで電子供与性物
質であるアルミニウムクロロフタロシアニン(AlCl
Pc)を約400Åの厚さで設け、その上に金を真空蒸
着した。ITOと金がなす面積は0.25cm2 とし
た。2つの電極に銀ペーストにてリード線を取り付け
た。
上に基板温度約250℃で、導入ガスとしてアルゴンを
用い、RFマグネトロンスパッタ法で、酸化亜鉛を約1
500Åの厚さで設けた。その上に、真空蒸着法で電子
受容性物質である化合物NO.27アントラキノンアク
リドン顔料を約400Åの厚さで、次いで電子供与性物
質であるアルミニウムクロロフタロシアニン(AlCl
Pc)を約400Åの厚さで設け、その上に金を真空蒸
着した。ITOと金がなす面積は0.25cm2 とし
た。2つの電極に銀ペーストにてリード線を取り付け
た。
【0080】以下実施例8と同様にして変換効率を測定
した。その結果、Voc=0.37V,Jsc=0.5
1mA/cm2 ,ff=0.45となり変換効率0.1
1%が得られた。この値は有機光起電力素子としては大
きなものである。
した。その結果、Voc=0.37V,Jsc=0.5
1mA/cm2 ,ff=0.45となり変換効率0.1
1%が得られた。この値は有機光起電力素子としては大
きなものである。
【0081】実施例10 実施例9と同様にして作成した酸化亜鉛上に、真空蒸着
法で電子受容性物質である化合物NO.27アントラキ
ノンアクリドン顔料を約400Åの厚さで、次いで2,
9−ジメチルキナクリドン(QAME)を約400Åの
厚さで設けた以外は実施例8と同様にして変換効率を測
定した。その結果、Voc=0.48V,Jsc=0.
42mA/cm2 ,ff=0.51となり変換効率0.
14%が得られた。この値は有機光起電力素子としては
大きなものである。
法で電子受容性物質である化合物NO.27アントラキ
ノンアクリドン顔料を約400Åの厚さで、次いで2,
9−ジメチルキナクリドン(QAME)を約400Åの
厚さで設けた以外は実施例8と同様にして変換効率を測
定した。その結果、Voc=0.48V,Jsc=0.
42mA/cm2 ,ff=0.51となり変換効率0.
14%が得られた。この値は有機光起電力素子としては
大きなものである。
【0082】実施例11 実施例9と同様にして作成した酸化亜鉛上に、真空蒸着
法で電子受容性物質である化合物NO.27アントラキ
ノンアクリドン顔料を約400Åの厚さで、次いでアル
ミニウムクロロフタロシアニン(AlClPc)を約1
00Åの厚さで、さらにキナクリドン(QA)を約30
0Åの厚さで設けた以外は実施例9と同様にして変換効
率を測定した。その結果、Voc=0.43V,Jsc
=0.91mA/cm2 ,ff=0.48となり変換効
率0.25%が得られた。この値は有機光起電力素子と
しては大きなものである。
法で電子受容性物質である化合物NO.27アントラキ
ノンアクリドン顔料を約400Åの厚さで、次いでアル
ミニウムクロロフタロシアニン(AlClPc)を約1
00Åの厚さで、さらにキナクリドン(QA)を約30
0Åの厚さで設けた以外は実施例9と同様にして変換効
率を測定した。その結果、Voc=0.43V,Jsc
=0.91mA/cm2 ,ff=0.48となり変換効
率0.25%が得られた。この値は有機光起電力素子と
しては大きなものである。
【0083】実施例12 実施例11の電子受容性物質を化合物NO.9アントラ
キノンアクリドン顔料に変えた以外は実施例10と同様
に素子を作成し、実施例8と同様にして変換効率を測定
した。その結果、Voc=0.41V,Jsc=0.6
1mA/cm2,ff=0.45となり変換効率0.1
5%が得られた。この値は有機光起電力素子としては大
きなものである。
キノンアクリドン顔料に変えた以外は実施例10と同様
に素子を作成し、実施例8と同様にして変換効率を測定
した。その結果、Voc=0.41V,Jsc=0.6
1mA/cm2,ff=0.45となり変換効率0.1
5%が得られた。この値は有機光起電力素子としては大
きなものである。
【0084】実施例13 実施例11の電子受容性物質を化合物NO.12アント
ラキノンアクリドン顔料に変えた以外は実施例10と同
様に素子を作成し、実施例8と同様にして変換効率を測
定した。その結果、Voc=0.44V,Jsc=0.
73mA/cm2 ,ff=0.42となり変換効率0.
18%が得られた。 この値は有機光起電力素子として
は大きなものである。
ラキノンアクリドン顔料に変えた以外は実施例10と同
様に素子を作成し、実施例8と同様にして変換効率を測
定した。その結果、Voc=0.44V,Jsc=0.
73mA/cm2 ,ff=0.42となり変換効率0.
18%が得られた。 この値は有機光起電力素子として
は大きなものである。
【0085】実施例14 実施例11の電子受容性物質を化合物NO.4アントラ
キノンアクリドン顔料に変えた以外は実施例10と同様
に素子を作成し、実施例8と同様にして変換効率を測定
した。その結果、Voc=0.43V,Jsc=0.4
3mA/cm2,ff=0.45となり変換効率0.1
1%が得られた。この値は有機光起電力素子としては大
きなものである。
キノンアクリドン顔料に変えた以外は実施例10と同様
に素子を作成し、実施例8と同様にして変換効率を測定
した。その結果、Voc=0.43V,Jsc=0.4
3mA/cm2,ff=0.45となり変換効率0.1
1%が得られた。この値は有機光起電力素子としては大
きなものである。
【0086】実施例15 実施例11の電子受容性物質を化合物NO.29アント
ラキノンアクリドン顔料に変えた以外は実施例10と同
様に素子を作成し、実施例8と同様にして変換効率を測
定した。その結果、Voc=0.45V,Jsc=1.
11mA/cm2 ,ff=0.48となり変換効率0.
32%が得られた。この値は有機光起電力素子としては
大きなものである。
ラキノンアクリドン顔料に変えた以外は実施例10と同
様に素子を作成し、実施例8と同様にして変換効率を測
定した。その結果、Voc=0.45V,Jsc=1.
11mA/cm2 ,ff=0.48となり変換効率0.
32%が得られた。この値は有機光起電力素子としては
大きなものである。
【0087】実施例16 実施例11の電子受容性物質を化合物NO.43アント
ラキノンアクリドン顔料に変えた以外は実施例10と同
様に素子を作成し、実施例8と同様にして変換効率を測
定した。その結果、Voc=0.43V,Jsc=1.
01mA/cm2 ,ff=0.50となり変換効率0.
29%が得られた。この値は有機光起電力素子としては
大きなものである。
ラキノンアクリドン顔料に変えた以外は実施例10と同
様に素子を作成し、実施例8と同様にして変換効率を測
定した。その結果、Voc=0.43V,Jsc=1.
01mA/cm2 ,ff=0.50となり変換効率0.
29%が得られた。この値は有機光起電力素子としては
大きなものである。
【0088】実施例17 実施例11の電子受容性物質を化合物NO.45アント
ラキノンアクリドン顔料に変えた以外は実施例10と同
様に素子を作成し、実施例8と同様にして変換効率を測
定した。その結果、Voc=0.48V,Jsc=1.
10mA/cm2 ,ff=0.51となり変換効率0.
36%が得られた。この値は有機光起電力素子としては
大きなものである。
ラキノンアクリドン顔料に変えた以外は実施例10と同
様に素子を作成し、実施例8と同様にして変換効率を測
定した。その結果、Voc=0.48V,Jsc=1.
10mA/cm2 ,ff=0.51となり変換効率0.
36%が得られた。この値は有機光起電力素子としては
大きなものである。
【0089】
【発明の効果】本発明の光起電力素子の効果を要約する
と以下の通りである。
と以下の通りである。
【0090】1.電子受容性有機物層と電子供与性有機
物層の積層された光起電力素子において、電子受容性有
機物層にインダンスロン顔料及び/又はアントラキノン
アクリドン顔料を用いることにより有機物としては高い
変換効率が得られた。
物層の積層された光起電力素子において、電子受容性有
機物層にインダンスロン顔料及び/又はアントラキノン
アクリドン顔料を用いることにより有機物としては高い
変換効率が得られた。
【図1】本発明の光起電力素子の実施例の説明図。
【図2】同別の実施例の説明図。
【図3】同さらに別の実施例の説明図。
【図4】同さらに別の実施例の説明図。
【図5】同さらに別の実施例の説明図。
【図6】同さらに別の実施例の説明図。
Claims (4)
- 【請求項1】 少なくとも一方が透光性である2つの電
極の間に、少なくとも電子受容性有機物層、電子供与性
有機物層の連続した2つの層からなる部分を含む光起電
力素子において、前記電子受容性有機物層がインダンス
ロン顔料及び/又はアントラキノンアクリドン顔料を有
効成分として含有する層であることを特徴とする光起電
力素子。 - 【請求項2】 インダンスロン顔料が下記一般式(I)
で示される請求項1記載の光起電力素子。 【化1】 (式中、R1 ,R2 はハロゲン原子、置換又は無置換の
アルキル基、置換又は無置換のアミノ基、アルコキシ
基、ヒドロキシル基、アセチル基、カルボキシル基、ニ
トロ基、シアノ基を表し、n,mは0〜4の整数を表わ
す。n,mが2以上であるとき、R1 ,R2 はそれぞれ
同一でも異なってもよい。R3 ,R4 は水素原子、アル
キル基を表す。) - 【請求項3】 アントラキノンアクリドン顔料が下記一
般式(II)で表される請求項1記載の光起電力素子。 【化2】 (式中、R5 はハロゲン原子、置換又は無置換のアルキ
ル基、置換又は無置換のアミノ基、ヒドロキシル基、ア
ルコキシ基、アセチル基、カルボキシル基、ニトロ基、
シアノ基を表し、pは0〜3の整数を表す。X1 は置換
又は無置換のアリール環を示す。) - 【請求項4】 アントラキノンアクリドン顔料が下記一
般式(III)で表される請求項1記載の光起電力素子。 【化3】 (式中、R6 はハロゲン原子、置換又は無置換のアルキ
ル基、置換又は無置換のアミノ基、ヒドロキシル基、ア
ルコキシ基、アセチル基、カルボキシル基、ニトロ基、
シアノ基を表し、qは0〜3の整数を表す。X2 ,X3
は置換又は無置換のアリール環を示す。)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3256589A JPH05102506A (ja) | 1991-10-03 | 1991-10-03 | 光起電力素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3256589A JPH05102506A (ja) | 1991-10-03 | 1991-10-03 | 光起電力素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102506A true JPH05102506A (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=17294731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3256589A Pending JPH05102506A (ja) | 1991-10-03 | 1991-10-03 | 光起電力素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05102506A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007012835A1 (en) * | 2005-07-25 | 2007-02-01 | Cryscade Solar Limited | Organic photovoltaic layer, organic photovoltaic device and method of manufacturing thereof |
| WO2007020442A3 (en) * | 2005-08-16 | 2007-05-18 | Cryscade Solar Ltd | Organic dyestuffs, organic photovoltaic device, semiconductor crystal film and method of prodicing thereof |
| WO2011052571A1 (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-05 | 住友化学株式会社 | 有機光電変換素子 |
| WO2011101810A1 (en) * | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Basf Se | Use of indanthrene compounds in organic photovoltaics |
| CN105742503A (zh) * | 2016-05-03 | 2016-07-06 | 沈荣存 | 一种噻吩修饰新型有机光伏电池及其制备方法 |
-
1991
- 1991-10-03 JP JP3256589A patent/JPH05102506A/ja active Pending
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| JP2013520791A (ja) * | 2010-02-19 | 2013-06-06 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 有機光起電力装置におけるインダントレン化合物の使用 |
| CN105742503A (zh) * | 2016-05-03 | 2016-07-06 | 沈荣存 | 一种噻吩修饰新型有机光伏电池及其制备方法 |
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