JPH05102056A - ウエハー支持具 - Google Patents
ウエハー支持具Info
- Publication number
- JPH05102056A JPH05102056A JP26391491A JP26391491A JPH05102056A JP H05102056 A JPH05102056 A JP H05102056A JP 26391491 A JP26391491 A JP 26391491A JP 26391491 A JP26391491 A JP 26391491A JP H05102056 A JPH05102056 A JP H05102056A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- support
- supported
- board
- support board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H10P72/127—
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
- A47F—SPECIAL FURNITURE, FITTINGS, OR ACCESSORIES FOR SHOPS, STOREHOUSES, BARS, RESTAURANTS OR THE LIKE; PAYING COUNTERS
- A47F5/00—Show stands, hangers, or shelves characterised by their constructional features
- A47F5/04—Stands with a central pillar, e.g. tree type
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S206/00—Special receptacle or package
- Y10S206/832—Semiconductor wafer boat
- Y10S206/833—Apertured side walls
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェハーに対する加工精度の低下を回避する
ことができるウェハー支持具の提供を目的とする。 【構成】 加工対象となるウェハー30は、支持盤6上
に置かれた状態で加熱炉内に収められる。従って、ウェ
ハー30に、その自重によるそりが生じることはない。
又、ウェハー30の背面に付着したパーティクル(塵
埃)が、下方のウェハー30の加工表面上に落下するこ
ともない。更に、支柱4から周囲幅L2離れた状態で位
置するので、支柱4近傍のガス気流の乱れの影響によっ
て加工精度が低下することがない。尚、支持盤6にスリ
ット7が形成されている為、ウェハー30の搬送を容易
に行うことができる。
ことができるウェハー支持具の提供を目的とする。 【構成】 加工対象となるウェハー30は、支持盤6上
に置かれた状態で加熱炉内に収められる。従って、ウェ
ハー30に、その自重によるそりが生じることはない。
又、ウェハー30の背面に付着したパーティクル(塵
埃)が、下方のウェハー30の加工表面上に落下するこ
ともない。更に、支柱4から周囲幅L2離れた状態で位
置するので、支柱4近傍のガス気流の乱れの影響によっ
て加工精度が低下することがない。尚、支持盤6にスリ
ット7が形成されている為、ウェハー30の搬送を容易
に行うことができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はウェハーを支持する支持
具の構造に関し、特にウェハーに対する加工精度の低下
を回避することができる構造に関する。
具の構造に関し、特にウェハーに対する加工精度の低下
を回避することができる構造に関する。
【0002】
【従来の技術】ICの製造工程においては、シリコン等
のウェハーの表面にイオン等の不純物を付着させ、この
不純物をシリコン内に拡散させる。この拡散層によっ
て、ウェハーには集積回路用のIC構成部品が形成され
る。こうした拡散作業を行う場合、不純物を付着させた
ウェハーをまず加熱炉内に収め、その後ガス等を充満さ
せて高温で加熱する。
のウェハーの表面にイオン等の不純物を付着させ、この
不純物をシリコン内に拡散させる。この拡散層によっ
て、ウェハーには集積回路用のIC構成部品が形成され
る。こうした拡散作業を行う場合、不純物を付着させた
ウェハーをまず加熱炉内に収め、その後ガス等を充満さ
せて高温で加熱する。
【0003】加熱炉には多数のウェハーが収納されて同
時に加熱される。この場合、これらのウェハーはウェハ
ー支持具によって支持され加熱炉内に置かれる。この従
来のウェハー支持具の全体斜視図を図2Aに示す。この
ウェハー支持具40は縦型加熱炉等において用いられる
支持具であり、その上下に位置する天盤41及び底盤4
2が四本の支柱43によって固定され構成されている。
そして、この天盤41と底盤42との間にウェハー30
が所定間隔をもって挿入され、支持される。
時に加熱される。この場合、これらのウェハーはウェハ
ー支持具によって支持され加熱炉内に置かれる。この従
来のウェハー支持具の全体斜視図を図2Aに示す。この
ウェハー支持具40は縦型加熱炉等において用いられる
支持具であり、その上下に位置する天盤41及び底盤4
2が四本の支柱43によって固定され構成されている。
そして、この天盤41と底盤42との間にウェハー30
が所定間隔をもって挿入され、支持される。
【0004】ウェハー30の支持は次のようにして行わ
れる。各支柱43には図2Bに示すように、複数の支持
凹部49が形成されている。そして、これらの支持凹部
49に各ウェハー30が填め込まれ、支持されるように
なっている。尚、図2Cに、ウェハー30が支柱43に
よって支持された状態を示す平面図を掲げる。
れる。各支柱43には図2Bに示すように、複数の支持
凹部49が形成されている。そして、これらの支持凹部
49に各ウェハー30が填め込まれ、支持されるように
なっている。尚、図2Cに、ウェハー30が支柱43に
よって支持された状態を示す平面図を掲げる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来のウェハー支持具
には以下のような問題があった。まず、ICの製造作業
の効率を高める為、ウェハー30には径の大きなものが
用いられることがある。このように大きなウェハー30
を支柱43で支持すると、その自重によってウェハー3
0が撓み、そりが生じてしまうという問題がある。
には以下のような問題があった。まず、ICの製造作業
の効率を高める為、ウェハー30には径の大きなものが
用いられることがある。このように大きなウェハー30
を支柱43で支持すると、その自重によってウェハー3
0が撓み、そりが生じてしまうという問題がある。
【0006】又、IC製品の加工には微細な精度が要求
され、特にウェハー30の加工表面にパーティクル(塵
埃)等が付着すると製品の信頼性が低下する。図2に示
す従来のウェハー支持具40では、支持される各々のウ
ェハー30が互いに近接した状態で支持される。この
為、例えばウェハー30の背面にパーティクルが付着し
ている場合、下方に位置する他のウェハー30の加工表
面にこのパーティクルが落下してしまう。加工表面にパ
ーティクルが付着すると加工精度が損われ、上述のよう
に製品の信頼性の低下を招くという問題がある。
され、特にウェハー30の加工表面にパーティクル(塵
埃)等が付着すると製品の信頼性が低下する。図2に示
す従来のウェハー支持具40では、支持される各々のウ
ェハー30が互いに近接した状態で支持される。この
為、例えばウェハー30の背面にパーティクルが付着し
ている場合、下方に位置する他のウェハー30の加工表
面にこのパーティクルが落下してしまう。加工表面にパ
ーティクルが付着すると加工精度が損われ、上述のよう
に製品の信頼性の低下を招くという問題がある。
【0007】更に、ウェハー30は支柱43に直接、支
持されている為、支柱43近傍においてガス気流に乱れ
が生じる。つまり、支柱43の支持凹部49に挿入さ
れ、支柱43に接しているウェハー30の接触部分近辺
48においては、ガスが均一的に当らない。この為に、
所望する加工が行われず、加工精度が低下してしまうと
いう問題もある。
持されている為、支柱43近傍においてガス気流に乱れ
が生じる。つまり、支柱43の支持凹部49に挿入さ
れ、支柱43に接しているウェハー30の接触部分近辺
48においては、ガスが均一的に当らない。この為に、
所望する加工が行われず、加工精度が低下してしまうと
いう問題もある。
【0008】そこで本発明は、ウェハーに対する加工精
度の低下を回避することができるウェハー支持具を提供
することを目的とする。
度の低下を回避することができるウェハー支持具を提供
することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】請求項1に係るウェハー
支持具は、ウェハーを置く為の複数の支持盤、前記複数
の支持盤の間に挿入空間が形成されるように各支持盤を
保持する保持部材、を備えたことを特徴としている。
支持具は、ウェハーを置く為の複数の支持盤、前記複数
の支持盤の間に挿入空間が形成されるように各支持盤を
保持する保持部材、を備えたことを特徴としている。
【0010】請求項2に係るウェハー支持具は、請求項
1のウェハー支持具において、支持盤には、支持盤に接
するウェハーの接触背面の一部が露出するよう切り欠き
部が形成されている、ことを特徴としている。
1のウェハー支持具において、支持盤には、支持盤に接
するウェハーの接触背面の一部が露出するよう切り欠き
部が形成されている、ことを特徴としている。
【0011】
【作用】請求項1に係るウェハー支持具においては、ウ
ェハーを置く為の複数の支持盤が、挿入空間が形成され
るよう保持部材によって保持される。この為、各ウェハ
ーは、支持盤に置かれた状態で支持される。つまり、そ
の自重によってウェハーにそり等が生じることがない。
又、ウェハーの背面に付着した塵埃等が、他のウェハー
の加工表面に落下することもない。更に、ウェハーは保
持部材によって直接、支持されるものではなく、支持盤
を介して支持されている。従って、支柱等の近辺におい
て生じるガス気流の乱れが、ウェハーに直接影響を与え
ることがない。
ェハーを置く為の複数の支持盤が、挿入空間が形成され
るよう保持部材によって保持される。この為、各ウェハ
ーは、支持盤に置かれた状態で支持される。つまり、そ
の自重によってウェハーにそり等が生じることがない。
又、ウェハーの背面に付着した塵埃等が、他のウェハー
の加工表面に落下することもない。更に、ウェハーは保
持部材によって直接、支持されるものではなく、支持盤
を介して支持されている。従って、支柱等の近辺におい
て生じるガス気流の乱れが、ウェハーに直接影響を与え
ることがない。
【0012】請求項2に係るウェハー支持具において
は、支持盤に切り欠き部が形成されており、この切り欠
き部からはウェハーの接触背面の一部が露出する。この
為、支持盤にウェハーを置き、又は取り除く作業が容易
になる。
は、支持盤に切り欠き部が形成されており、この切り欠
き部からはウェハーの接触背面の一部が露出する。この
為、支持盤にウェハーを置き、又は取り除く作業が容易
になる。
【0013】
【実施例】本発明に係るウェハー支持具の一実施例を図
面に基づいて説明する。図1Aにこの支持具2の全体斜
視図を示す。支持具2の上下両端部には天盤21と底盤
22とが位置しており、これらの間には複数の支持盤6
が挿入空間6Kをもって配置されている。そして、天盤
21、底盤22及び各支持盤6は、保持部材としての支
柱4によって固定されている。
面に基づいて説明する。図1Aにこの支持具2の全体斜
視図を示す。支持具2の上下両端部には天盤21と底盤
22とが位置しており、これらの間には複数の支持盤6
が挿入空間6Kをもって配置されている。そして、天盤
21、底盤22及び各支持盤6は、保持部材としての支
柱4によって固定されている。
【0014】支持盤6の平面図を図1Bに掲げる。図に
示すように支持盤6には、切り欠き部としてのスリット
7が形成されており、このスリット7は切り込み長さL
1をもって切り欠かれている。このようなスリット7が
形成されている各支持盤6には、加工対象となるウェハ
ー30が置かれる。すなわち、各挿入空間6Kにウェハ
ー30が一枚づつ挿入され、支持盤6に乗せられる。
示すように支持盤6には、切り欠き部としてのスリット
7が形成されており、このスリット7は切り込み長さL
1をもって切り欠かれている。このようなスリット7が
形成されている各支持盤6には、加工対象となるウェハ
ー30が置かれる。すなわち、各挿入空間6Kにウェハ
ー30が一枚づつ挿入され、支持盤6に乗せられる。
【0015】支持盤6上にウェハー30が置かれた状態
を示すものが図1Cの平面図である。この場合、図に示
すようにウェハー30の接触背面の一部がスリット7か
ら露出するようになっている。つまりスリット7の切り
込み長さL1は、支持盤6上に置かれたウェハー30に
達するように形成されている。この為、支持盤6上に他
の工程から搬送されたウェハー30を置く場合、スリッ
ト7を介してウェハー30を所定位置に容易に置くこと
ができる。
を示すものが図1Cの平面図である。この場合、図に示
すようにウェハー30の接触背面の一部がスリット7か
ら露出するようになっている。つまりスリット7の切り
込み長さL1は、支持盤6上に置かれたウェハー30に
達するように形成されている。この為、支持盤6上に他
の工程から搬送されたウェハー30を置く場合、スリッ
ト7を介してウェハー30を所定位置に容易に置くこと
ができる。
【0016】以上のようにして各支持盤6にウェハー3
0が置かれ、この状態で縦型加熱炉(図示せず)に収め
られる。ウェハー30の加工表面には、予めイオン等の
不純物を注入させておき、加熱炉内でガス等と伴に高温
で加熱する。そして、この拡散工程によって不純物はウ
ェハー30内に拡散し、拡散層により集積回路用のIC
構成部品が形成される。
0が置かれ、この状態で縦型加熱炉(図示せず)に収め
られる。ウェハー30の加工表面には、予めイオン等の
不純物を注入させておき、加熱炉内でガス等と伴に高温
で加熱する。そして、この拡散工程によって不純物はウ
ェハー30内に拡散し、拡散層により集積回路用のIC
構成部品が形成される。
【0017】所定の拡散加工の後、支持具2は加熱炉か
ら取り出され、各ウェハー30は次の作業工程へと移送
される。支持盤6上に置かれたウェハー30を取り除く
場合においても、支持盤6にスリット7が形成されてい
る為、ウェハー30を持上げ易いという利点がある。特
に、搬送ロボットのアームによって持上げ、搬送する場
合等に有効である。
ら取り出され、各ウェハー30は次の作業工程へと移送
される。支持盤6上に置かれたウェハー30を取り除く
場合においても、支持盤6にスリット7が形成されてい
る為、ウェハー30を持上げ易いという利点がある。特
に、搬送ロボットのアームによって持上げ、搬送する場
合等に有効である。
【0018】図1Cに示すように、ウェハー30は支持
盤6によって面上に置かれた状態で支持される。従っ
て、支柱の支持凹部49(図2)に填め込んで支持する
従来の支持具に比べ、安定した状態でウェハー30を支
持することができる。すなわち、例えばその自重により
ウェハー30が湾曲してしまうことはなく、ウェハー3
0にそりが生じるのを回避することができる。
盤6によって面上に置かれた状態で支持される。従っ
て、支柱の支持凹部49(図2)に填め込んで支持する
従来の支持具に比べ、安定した状態でウェハー30を支
持することができる。すなわち、例えばその自重により
ウェハー30が湾曲してしまうことはなく、ウェハー3
0にそりが生じるのを回避することができる。
【0019】又、ウェハー30の背面には、パーティク
ル(塵埃)が付着してしまうことがある。しかし、ウェ
ハー30は支持盤6上に乗せられて位置している為、下
方のウェハー30の加工表面に、このパーティクルが落
下することはない。この為、パーティクル付着に伴う加
工精度の低下を防止することができる。
ル(塵埃)が付着してしまうことがある。しかし、ウェ
ハー30は支持盤6上に乗せられて位置している為、下
方のウェハー30の加工表面に、このパーティクルが落
下することはない。この為、パーティクル付着に伴う加
工精度の低下を防止することができる。
【0020】更に、支持盤6上のウェハー30は、支柱
4から周囲幅L2の長さ離れた状態で置かれる(図1C
参照)。従って、加熱炉内での加熱時に、支柱4近傍に
おいて生じるガス気流の乱れの影響を直接受けることが
ない。つまり、ウェハー30の加工表面にはガスが均一
的に接し、適正な加工を得ることができる。
4から周囲幅L2の長さ離れた状態で置かれる(図1C
参照)。従って、加熱炉内での加熱時に、支柱4近傍に
おいて生じるガス気流の乱れの影響を直接受けることが
ない。つまり、ウェハー30の加工表面にはガスが均一
的に接し、適正な加工を得ることができる。
【0021】
【発明の効果】請求項1に係るウェハー支持具において
は、その自重によってウェハーにそり等が生じることが
ない。又、ウェハーの背面に付着した塵埃等が、他のウ
ェハーの加工表面に落下することもない。更に、ウェハ
ーは保持部材によって直接、支持されるものではなく、
支持盤を介して支持されている。すなわち、支柱等の近
辺において生じるガス気流の乱れが、ウェハーに直接影
響を与えることがない。従って、ウェハーに対する加工
精度の低下を回避することができる。
は、その自重によってウェハーにそり等が生じることが
ない。又、ウェハーの背面に付着した塵埃等が、他のウ
ェハーの加工表面に落下することもない。更に、ウェハ
ーは保持部材によって直接、支持されるものではなく、
支持盤を介して支持されている。すなわち、支柱等の近
辺において生じるガス気流の乱れが、ウェハーに直接影
響を与えることがない。従って、ウェハーに対する加工
精度の低下を回避することができる。
【0022】請求項2に係るウェハー支持具において
は、支持盤に切り欠き部が形成されている為、支持盤に
ウェハーを置き、又は取り除く作業が容易になる。従っ
て、ウェハーの加工作業の効率を向上させることができ
る。
は、支持盤に切り欠き部が形成されている為、支持盤に
ウェハーを置き、又は取り除く作業が容易になる。従っ
て、ウェハーの加工作業の効率を向上させることができ
る。
【図1】本発明に係るウェハー支持具の一実施例を示す
図であり、Aは全体斜視図、Bは支持盤の平面図、Cは
支持盤にウェハーが置かれた状態を示す平面図である。
図であり、Aは全体斜視図、Bは支持盤の平面図、Cは
支持盤にウェハーが置かれた状態を示す平面図である。
【図2】従来のウェハー支持具を示す図であり、Aは全
体斜視図、Bは支柱の側面図、Cは支柱によって支持さ
れたウェハーの平面図である。
体斜視図、Bは支柱の側面図、Cは支柱によって支持さ
れたウェハーの平面図である。
2・・・・・支持具 4・・・・・支柱 6・・・・・支持盤 7・・・・・スリット 30・・・・ウェハー
Claims (2)
- 【請求項1】ウェハーを置く為の複数の支持盤、 前記複数の支持盤の間に挿入空間が形成されるように各
支持盤を保持する保持部材、 を備えたことを特徴とするウェハー支持具。 - 【請求項2】請求項1のウェハー支持具において、 支持盤には、支持盤に接するウェハーの接触背面の一部
が露出するよう切り欠き部が形成されている、 ことを特徴とするウェハー支持具。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26391491A JPH05102056A (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | ウエハー支持具 |
| US07/873,383 US5219079A (en) | 1991-10-11 | 1992-04-24 | Wafer jig |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26391491A JPH05102056A (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | ウエハー支持具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102056A true JPH05102056A (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=17396021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26391491A Pending JPH05102056A (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | ウエハー支持具 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5219079A (ja) |
| JP (1) | JPH05102056A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003521109A (ja) * | 1999-10-05 | 2003-07-08 | ジーコ・プロドゥクツィオーンス−ウント・ハンデルスゲゼルシャフト・エム・ベー・ハー | 半導体ウエハ用保持装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| USD351528S (en) | 1992-07-02 | 1994-10-18 | Shahriar Dardashti | Storage unit |
| USD352848S (en) | 1992-09-02 | 1994-11-29 | Shahriar Dardashti | Storage rack |
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