JPH049950A - フォトマスク及びその処理方法 - Google Patents
フォトマスク及びその処理方法Info
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- JPH049950A JPH049950A JP2113801A JP11380190A JPH049950A JP H049950 A JPH049950 A JP H049950A JP 2113801 A JP2113801 A JP 2113801A JP 11380190 A JP11380190 A JP 11380190A JP H049950 A JPH049950 A JP H049950A
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体製品、精密電子部品等の製造における
フォトリソグラフィ工程で用いられるフォトマスク及び
その処理方法に関する。
フォトリソグラフィ工程で用いられるフォトマスク及び
その処理方法に関する。
従来、半導体製品の製造等に用いられるフォトマスクは
、種々の方法で製造され、半導体製品、精密電子部品等
のパターンニングに使用されている。フォトマスクは、
繰り返し使用されることが多く、従来、洗浄した後その
まま、又は、ペリクルを張りつけてケースに入れて保管
されていた。
、種々の方法で製造され、半導体製品、精密電子部品等
のパターンニングに使用されている。フォトマスクは、
繰り返し使用されることが多く、従来、洗浄した後その
まま、又は、ペリクルを張りつけてケースに入れて保管
されていた。
上記のように、従来は、使用後のフォトマスクは、洗浄
した後そのまま、又は、ペリクルを張りつけてケースに
入れて保管していたので、フォトマスク上の洗浄時又は
その後付着したごく微量の汚れ等が核となり、徐々に空
気中の水分やケースの材料に含まれる低揮発成分が核に
付着して成長し、パターン焼きつけ時に悪影響を及ぼす
ことがあり、そのため、長期保管が困難であった。
した後そのまま、又は、ペリクルを張りつけてケースに
入れて保管していたので、フォトマスク上の洗浄時又は
その後付着したごく微量の汚れ等が核となり、徐々に空
気中の水分やケースの材料に含まれる低揮発成分が核に
付着して成長し、パターン焼きつけ時に悪影響を及ぼす
ことがあり、そのため、長期保管が困難であった。
本発明はこのような状況に鑑みて、フォトマスク上の汚
れがマスク上の水分と密接な関連を存することに着目し
てなされものであり、その目的は、フォトマスク上に洗
浄時の極微量な汚れがあっても、保管中に水分や低揮発
成分がその核に付着するのを防止し、経時的な汚れが発
生するのを防止したフォトマスク及びその処理方法を提
供することである。
れがマスク上の水分と密接な関連を存することに着目し
てなされものであり、その目的は、フォトマスク上に洗
浄時の極微量な汚れがあっても、保管中に水分や低揮発
成分がその核に付着するのを防止し、経時的な汚れが発
生するのを防止したフォトマスク及びその処理方法を提
供することである。
フォトマスク上の汚れとマスク上の水分との関連に注目
すると、保管中にフォトマスク上に生じる汚れは、洗浄
時に残留している極微量の汚れを中心にして、時間の経
過と共に空気中の水分が付着し、徐々に汚れが拡大し、
さらにケースに含まれる低揮発成分、浮遊塵などが付着
して行くことにより、汚れの領域が広がって行く。した
がって、保管中に空気中の水分や低揮発成分がフォトマ
スク又はフォトマスク上にすでに存在する汚れの核に付
着するのを防止することにより、経時的な汚れの成長を
を効に防止することができる。
すると、保管中にフォトマスク上に生じる汚れは、洗浄
時に残留している極微量の汚れを中心にして、時間の経
過と共に空気中の水分が付着し、徐々に汚れが拡大し、
さらにケースに含まれる低揮発成分、浮遊塵などが付着
して行くことにより、汚れの領域が広がって行く。した
がって、保管中に空気中の水分や低揮発成分がフォトマ
スク又はフォトマスク上にすでに存在する汚れの核に付
着するのを防止することにより、経時的な汚れの成長を
を効に防止することができる。
このため、本発明は、前記問題が発生することのない以
下に述べるフォトマスク、及び、このようなフォトマス
クの処理方法を提供する。
下に述べるフォトマスク、及び、このようなフォトマス
クの処理方法を提供する。
本発明のフォトマスクは、マスク表面のＯＨ基との化学
反応により疎水化処理を施したことを特徴とするもので
ある。
反応により疎水化処理を施したことを特徴とするもので
ある。
その場合、前記フォトマスクは半導体製品製造のための
レティクル、マスターマスク又はワーキングマスクの何
れかであるのが通常である。
レティクル、マスターマスク又はワーキングマスクの何
れかであるのが通常である。
より具体的には、フォトマスクは、前記疎水化処理によ
ってＯＨ基がトリメチルシリル化反応した膜を表面に有
するものであり、そのための前記疎水化処理がＯＨ基と
１．１．１１３．３．３ヘキサメチルジシラザンとの反
応であるのが望ましい。
ってＯＨ基がトリメチルシリル化反応した膜を表面に有
するものであり、そのための前記疎水化処理がＯＨ基と
１．１．１１３．３．３ヘキサメチルジシラザンとの反
応であるのが望ましい。
処理方法としては、疎水化処理すべきフォトマスクを１
．１．１．３．３．３−ヘキサメチルジシラザンを含む
ガス雰囲気中に曝すか、１．１．１．３．３．３−ヘキ
サメチルジシラザンを含む処理液でコーティングする。
．１．１．３．３．３−ヘキサメチルジシラザンを含む
ガス雰囲気中に曝すか、１．１．１．３．３．３−ヘキ
サメチルジシラザンを含む処理液でコーティングする。
本発明によると、マスク表面にＯＨ基との化学反応によ
り疎水化処理を施しであるので、フォトマスク上に洗浄
時の極微量な汚れがあっても、保管中に水分や低揮発成
分がその核に付着することはなく、経時的な汚れが発生
するのが防がれる。
り疎水化処理を施しであるので、フォトマスク上に洗浄
時の極微量な汚れがあっても、保管中に水分や低揮発成
分がその核に付着することはなく、経時的な汚れが発生
するのが防がれる。
本発明は、特に、この疎水化処理を１．１．１．３．３
．３−ヘキサメチルジシラザンによって行うのが望まし
い。
．３−ヘキサメチルジシラザンによって行うのが望まし
い。
実施例１ （ガス拡散法）
この種のフォトマスクは、例えばＥＢＮ光装置を用い、
感光性樹脂（レジスト）をコーティングしたクロム付ガ
ラス基板（ＪＪ下、ブランクスと呼ぶ。）へ描画し、そ
の後現像、エツチング等のプロセス処理を行い、レティ
クルを作成し、次に、フォトレピータを用いてブランク
スに繰り返し露光シてプロセス処理を行い、マスターマ
スクラ作製する。そして、最後にマスターマスクをプリ
ンターによってブランクスへ密着露光し、プロセス処理
を行うことにより複製してワーキングマスクを作製する
。フォトマスクとしては、銀塩乳剤マスクがよく用いら
れていたが、ＩＣ等の集積度が高くなるにつれて、ガラ
ス基板にクロム膜を堆積したクロムマスク、金属酸化物
マスク等が使用されるようになった。
感光性樹脂（レジスト）をコーティングしたクロム付ガ
ラス基板（ＪＪ下、ブランクスと呼ぶ。）へ描画し、そ
の後現像、エツチング等のプロセス処理を行い、レティ
クルを作成し、次に、フォトレピータを用いてブランク
スに繰り返し露光シてプロセス処理を行い、マスターマ
スクラ作製する。そして、最後にマスターマスクをプリ
ンターによってブランクスへ密着露光し、プロセス処理
を行うことにより複製してワーキングマスクを作製する
。フォトマスクとしては、銀塩乳剤マスクがよく用いら
れていたが、ＩＣ等の集積度が高くなるにつれて、ガラ
ス基板にクロム膜を堆積したクロムマスク、金属酸化物
マスク等が使用されるようになった。
保管すべきこのようなフォトマスクを洗浄した後、乾燥
する。次に、１．１．１．３．３．３ヘキサメチルジシ
ラザン（以下、ＨＭＤＳと称する。）等のガス雰囲気中
に一定時間曝す。このたｔに、第１図に示したように、
デシケータのような密閉容器１の中にＨＭＤＳ６を入れ
たシャーレ等の蓋のない容器２を載置し、容器１の上孔
に処理スべきレチイクル、マスターマスク、ワークマス
ク５等を間隔を開けて収納するキャリアケース４を載置
する。ＨＭＤＳのガスが均一に容器１内に充満するよう
に、マスク５を収容するキャリアケース４を目皿３等の
上に載置する。
する。次に、１．１．１．３．３．３ヘキサメチルジシ
ラザン（以下、ＨＭＤＳと称する。）等のガス雰囲気中
に一定時間曝す。このたｔに、第１図に示したように、
デシケータのような密閉容器１の中にＨＭＤＳ６を入れ
たシャーレ等の蓋のない容器２を載置し、容器１の上孔
に処理スべきレチイクル、マスターマスク、ワークマス
ク５等を間隔を開けて収納するキャリアケース４を載置
する。ＨＭＤＳのガスが均一に容器１内に充満するよう
に、マスク５を収容するキャリアケース４を目皿３等の
上に載置する。
マスク表面の疎水性は、ＨＭＤＳがマスク表面のＯＨ基
と反応することによりトリメチルシリル化して、疎水性
を有するトリメチルシリル化合物が形成されることによ
って生じる。ＯＨ基とＨＭＤＳとの反応は以下の通りで
ある。
と反応することによりトリメチルシリル化して、疎水性
を有するトリメチルシリル化合物が形成されることによ
って生じる。ＯＨ基とＨＭＤＳとの反応は以下の通りで
ある。
２ＭＯＨ＋ ＜ＣＨｓ ）−５ｉＮＨ５ｉ （ＣＨｓ
）−→２Ｍ０Ｓ＋ （ＣＨｓ ）−＋ＮＨ−（ただし、
ＭはＯＨ基と結合している金属、化合物等を表す。） 上記において、疎水性は、トリメチルシリル化合物であ
る２Ｍ０３ｉ （ＣＨ３）−により生じる。
）−→２Ｍ０Ｓ＋ （ＣＨｓ ）−＋ＮＨ−（ただし、
ＭはＯＨ基と結合している金属、化合物等を表す。） 上記において、疎水性は、トリメチルシリル化合物であ
る２Ｍ０３ｉ （ＣＨ３）−により生じる。
この疎水化処理のための時間は２〜３分から数時間、特
に４〜１０分が適当である。
に４〜１０分が適当である。
具体的に、フォトマスクを洗浄した後、ＨＭＤＳ蒸気に
４分間以上曝した場合、保管１週間後でも汚れの発生、
成長は皆無であった。比較のため、この処理を行われな
かったフォトマスクには汚れが多数発生した。
４分間以上曝した場合、保管１週間後でも汚れの発生、
成長は皆無であった。比較のため、この処理を行われな
かったフォトマスクには汚れが多数発生した。
また、この疎水化処理によって生じる反応膜の厚さは数
人であり、透過率の低下、解像力への影響、マスクの労
化等も認められなかった。
人であり、透過率の低下、解像力への影響、マスクの労
化等も認められなかった。
実施例２ （コーティング法）
実施例１ａ同じフォトマスクにＨＭＤＳをコーティング
する。コルティングは従来周知の方法で行うことができ
る。例えば、スプレー法、デイツプ法、スピンコード法
等が利用できる。余分のＨＭＤＳは、ドラフト中で蒸発
させるか、減圧することにより迅速に蒸発させることが
できる。
する。コルティングは従来周知の方法で行うことができ
る。例えば、スプレー法、デイツプ法、スピンコード法
等が利用できる。余分のＨＭＤＳは、ドラフト中で蒸発
させるか、減圧することにより迅速に蒸発させることが
できる。
以上の各実施例においては、フォトマスクのバッチ処理
を前提にして説明したが、紋様自動搬送方式を適用する
こともできる。
を前提にして説明したが、紋様自動搬送方式を適用する
こともできる。
本発明のフォトマスクにおいては、マスク表面のＯＨ基
との化学反応により疎水化処理を施しであるので、フォ
トマスク上に洗浄時の極微量な汚れがあっても、保管中
に水分や低揮発成分がその核に付着することはな（、経
時的な汚れが発生するのが防がれる。したがって、フォ
トマスクを長期間安定に保管することができる。
との化学反応により疎水化処理を施しであるので、フォ
トマスク上に洗浄時の極微量な汚れがあっても、保管中
に水分や低揮発成分がその核に付着することはな（、経
時的な汚れが発生するのが防がれる。したがって、フォ
トマスクを長期間安定に保管することができる。
本発明は、特に、この疎水化処理を１．１．１．３．３
．３−ヘキサメチルジシラザンによって行うのが望まし
い。
．３−ヘキサメチルジシラザンによって行うのが望まし
い。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例１の方法によりフォトマスクに
疎水化処理を施すための装置の構成を示す図である。 １・・・密閉容器、２・・・ＨＭＤＳを入れた容器、３
・・・目皿、４・・・キャリアケース、５・・・フォト
マスク、６・・・ＨＭＤ Ｓ 出 願 人 大日本印刷株式会社
疎水化処理を施すための装置の構成を示す図である。 １・・・密閉容器、２・・・ＨＭＤＳを入れた容器、３
・・・目皿、４・・・キャリアケース、５・・・フォト
マスク、６・・・ＨＭＤ Ｓ 出 願 人 大日本印刷株式会社
Claims (6)
- （１）マスク表面のＯＨ基との化学反応により疎水化処
理を施したことを特徴とするフォトマスク。 - （２）前記フォトマスクは半導体製品製造のためのレテ
ィクル、マスターマスク又はワーキングマスクの何れか
であることを特徴とする請求項１記載のフォトマスク。 - （３）前記疎水化処理によってＯＨ基がトリメチルシリ
ル化反応した膜を表面に有することを特徴とする請求項
１又は２記載のフォトマスク。 - （４）前記疎水化処理はＯＨ基と１、１、１、３、３、
３−ヘキサメチルジシラザンとの反応であることを特徴
とする請求項３記載のフォトマスク。 - （５）疎水化処理すべきフォトマスクを１、１、１、３
、３、３−ヘキサメチルジシラザンを含むガス雰囲気中
に曝すことを特徴とする請求項１から４の何れか１項記
載のフォトマスクのための処理方法。 - （６）疎水化処理すべきフォトマスクを１、１、１、３
、３、３−ヘキサメチルジシラザンを含む処理液でコー
ティングすることを特徴とする請求項１から４の何れか
１項記載のフォトマスクのための処理方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2113801A JPH049950A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | フォトマスク及びその処理方法 |
| KR1019910006764A KR910019111A (ko) | 1990-04-27 | 1991-04-26 | 포토마스크 및 그 처리방법 |
| EP19910106856 EP0454169A3 (en) | 1990-04-27 | 1991-04-26 | Photomask and method of treating the same |
| US08/147,924 US5397665A (en) | 1990-04-27 | 1993-11-04 | Photomask with pellicle and method of treating and storing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2113801A JPH049950A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | フォトマスク及びその処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH049950A true JPH049950A (ja) | 1992-01-14 |
Family
ID=14621421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2113801A Pending JPH049950A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | フォトマスク及びその処理方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0454169A3 (ja) |
| JP (1) | JPH049950A (ja) |
| KR (1) | KR910019111A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006259293A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Hoya Corp | フォトマスク用ブランクの製造方法とフォトマスク用ブランクおよびフォトマスクの製造方法とフォトマスク |
| JP2013254769A (ja) * | 2012-06-05 | 2013-12-19 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法およびマスク |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7008487B1 (en) | 2002-03-04 | 2006-03-07 | Micron Technology, Inc. | Method and system for removal of contaminates from phaseshift photomasks |
| KR100849723B1 (ko) * | 2007-06-27 | 2008-08-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토 마스크의 제조방법 |
| CN115793416B (zh) * | 2023-01-16 | 2023-04-25 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 半导体器件制备方法及监测光刻工艺化学品杂质的方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2481473A1 (fr) * | 1980-04-29 | 1981-10-30 | Dainippon Printing Co Ltd | Plaques pour l'impression a plat et a sec comprenant une couche d'organopolysiloxane, et procede pour leur preparation |
| CA1282273C (en) * | 1985-03-19 | 1991-04-02 | International Business Machines Corporation | Method of creating patterned multilayer films for use in production of semiconductor circuits and systems |
| CA1308596C (en) * | 1986-01-13 | 1992-10-13 | Rohm And Haas Company | Microplastic structures and method of manufacture |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP2113801A patent/JPH049950A/ja active Pending
-
1991
- 1991-04-26 KR KR1019910006764A patent/KR910019111A/ko not_active Ceased
- 1991-04-26 EP EP19910106856 patent/EP0454169A3/en not_active Ceased
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006259293A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Hoya Corp | フォトマスク用ブランクの製造方法とフォトマスク用ブランクおよびフォトマスクの製造方法とフォトマスク |
| JP2013254769A (ja) * | 2012-06-05 | 2013-12-19 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法およびマスク |
| US9069254B2 (en) | 2012-06-05 | 2015-06-30 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor device, and mask |
| US9298080B2 (en) | 2012-06-05 | 2016-03-29 | Renesas Electronics Corporation | Mask for performing pattern exposure using reflected light |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR910019111A (ko) | 1991-11-30 |
| EP0454169A3 (en) | 1992-05-06 |
| EP0454169A2 (en) | 1991-10-30 |
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