JPH0495B2 - - Google Patents
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- JPH0495B2 JPH0495B2 JP58029370A JP2937083A JPH0495B2 JP H0495 B2 JPH0495 B2 JP H0495B2 JP 58029370 A JP58029370 A JP 58029370A JP 2937083 A JP2937083 A JP 2937083A JP H0495 B2 JPH0495 B2 JP H0495B2
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
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-
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- B01J2219/19—Details relating to the geometry of the reactor
- B01J2219/194—Details relating to the geometry of the reactor round
- B01J2219/1941—Details relating to the geometry of the reactor round circular or disk-shaped
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2023/00—Use of polyalkenes or derivatives thereof as moulding material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
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- H01J2237/1825—Evacuating means
-
- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
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- H01J2237/336—Changing physical properties of treated surfaces
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は樹脂、例えばポリプロピレン(PP)、
ポリエチレン(PE)等の表面を改質するために、
これらの樹脂の表面にプラズマ処理を施す装置に
関する。
ポリエチレン(PE)等の表面を改質するために、
これらの樹脂の表面にプラズマ処理を施す装置に
関する。
近年、例えば、自動車の部品等は、軽量でかつ
に意匠性に優れる樹脂に移行する傾向にあるが、
比較的安価なPP、PE等のポリオレフイン系樹脂
を例えば車両外板として使用する場合、樹脂表面
と塗膜との密着性が悪く、層間剥離という問題が
発生することが知られている。この問題を解消す
る手段の一つとして、PP、PE等の被塗装物表面
をグロー、コロナ放電あるいはラジオ波、マイク
ロ波放電におけるプラズマ下に曝し、表面を酸化
(極性基の導入)あるいはエツチング(アンカ効
果向上)するプラズマ表面処理技術が知られてい
る。また、プラズマ処理を行う場合、処理効果を
向上(プラズマの寿命を長くする)させるため、
反応室を減圧もしくは真空状態にすることが公知
の技術になつている。この状態を維持するため
に、現在バツチ処理が主流になつている。
に意匠性に優れる樹脂に移行する傾向にあるが、
比較的安価なPP、PE等のポリオレフイン系樹脂
を例えば車両外板として使用する場合、樹脂表面
と塗膜との密着性が悪く、層間剥離という問題が
発生することが知られている。この問題を解消す
る手段の一つとして、PP、PE等の被塗装物表面
をグロー、コロナ放電あるいはラジオ波、マイク
ロ波放電におけるプラズマ下に曝し、表面を酸化
(極性基の導入)あるいはエツチング(アンカ効
果向上)するプラズマ表面処理技術が知られてい
る。また、プラズマ処理を行う場合、処理効果を
向上(プラズマの寿命を長くする)させるため、
反応室を減圧もしくは真空状態にすることが公知
の技術になつている。この状態を維持するため
に、現在バツチ処理が主流になつている。
ところで、近年、耐久性、生産性を要求される
樹脂成形品をプラズマ処理する場合、プラズマ発
生部と反応室とが異なるマイクロ波方式のよるプ
ラズマ処理が多く用いられている。このマイクロ
波方式によるプラズマ処理では、反応室外にある
プラズマ発生部でマイクロ波放電により酸素ガス
等の処理ガスがプラズマ化され、輸送管を通じて
反応室へ輸送される。反応室では石英ガラス等で
構成されたシヤワ管によりプラズマがシヤワ拡散
され被処理物表面を処理する。
樹脂成形品をプラズマ処理する場合、プラズマ発
生部と反応室とが異なるマイクロ波方式のよるプ
ラズマ処理が多く用いられている。このマイクロ
波方式によるプラズマ処理では、反応室外にある
プラズマ発生部でマイクロ波放電により酸素ガス
等の処理ガスがプラズマ化され、輸送管を通じて
反応室へ輸送される。反応室では石英ガラス等で
構成されたシヤワ管によりプラズマがシヤワ拡散
され被処理物表面を処理する。
従来のこの種のマイクロ波プラズマ処理装置
(第6図)を用いて自動車に使用するPPから成る
樹脂部品を4個(W-1〜4)処理したところ、自動
車に使用する樹脂部品は大物でかつ形状が複雑で
あるため、反応室内の被処理物の配置位置により
また同一被処理物の部位により処理性にバラツキ
が生じた(第7図)。特に、遮蔽されかつシヤワ
管からの距離が遠くなるW-1-D、W-2-C、
W-3-B、D、W-4-A、Cの部位は他の部位よりも処
理効果が劣り、、また塗膜の密着も満足できるも
のではなかつた。なお、第6図および第8図にお
ける処理条件および被処理物の評価方法は後述の
とおりである。
(第6図)を用いて自動車に使用するPPから成る
樹脂部品を4個(W-1〜4)処理したところ、自動
車に使用する樹脂部品は大物でかつ形状が複雑で
あるため、反応室内の被処理物の配置位置により
また同一被処理物の部位により処理性にバラツキ
が生じた(第7図)。特に、遮蔽されかつシヤワ
管からの距離が遠くなるW-1-D、W-2-C、
W-3-B、D、W-4-A、Cの部位は他の部位よりも処
理効果が劣り、、また塗膜の密着も満足できるも
のではなかつた。なお、第6図および第8図にお
ける処理条件および被処理物の評価方法は後述の
とおりである。
本発明は、上記問題点を解消し、大物でかつ複
雑形状の被処理を同時に多数処理しても処理の均
一性を提供するプラズマ処理装置に関するもので
ある。
雑形状の被処理を同時に多数処理しても処理の均
一性を提供するプラズマ処理装置に関するもので
ある。
即ち、本発明の目的は、反応室内のプラズマ濃
度分布を均一化することにより、反応室内の複数
の被処理物の位置による処理の差を解消し、かつ
同一被処理物の形状による処理の不均一を解消す
るプラズマ処理装置を提供することにある。
度分布を均一化することにより、反応室内の複数
の被処理物の位置による処理の差を解消し、かつ
同一被処理物の形状による処理の不均一を解消す
るプラズマ処理装置を提供することにある。
このような目的を達成するために、本発明で
は、プラズマ反応室内で被処理物の表面にプラズ
マを照射して処理する装置において、プラズマ照
射用の少なくとも1つのい第一のシヤワ管を反応
室内壁に固定して設置すると共に、プラズマ照射
用の少なくとも1つの第二のシヤワ管を反応室内
で任意の位置に移動できるように設けたことを特
徴とするプラズマ処理装置が提案される。
は、プラズマ反応室内で被処理物の表面にプラズ
マを照射して処理する装置において、プラズマ照
射用の少なくとも1つのい第一のシヤワ管を反応
室内壁に固定して設置すると共に、プラズマ照射
用の少なくとも1つの第二のシヤワ管を反応室内
で任意の位置に移動できるように設けたことを特
徴とするプラズマ処理装置が提案される。
以下、添付図面を参照し本発明の実施例につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
第1図において、1は例えばSUS304等の材質
で構成された反応室でその内部には自動車の部品
である樹脂(PP)の被処理-1〜4が治具又は台車
(図示なし)により載置されている。2はマイク
ロ波発振器(2450MHz)(例えば、東芝電機(株)
製)、3はマイクロ波導波管、4は内部に石英管
(7,8と接続している)を有したプラズマ発生
部、5は酸素ガスボンベ、6はバルブ、7はナイ
ロンチユーブ、8は発生したプラズマを反応室1
内へ送る石英ガラスで構成された輸送管、9,1
0,14,17,20a,20bも同様の輸送
管、11は輸送管8,9間を接続しかつ真空シー
ルするテフロンからなるフロロコネクタ、12,
13,15,16,18,19,34,21,2
5,27も同様のフロロコネクタ、22は第3図
に詳細に示すような石英ガラスで構成されたシヤ
ワ管、23,24を同様のシヤワ管、26はシヤ
ワ管28を反応室1内の任意の位置に設置できる
可撓性のテフロンチユーブ、28は第4図に詳細
に示すような石英ガラスで構成されたシヤワ管、
29は真空ポンプ(図示せず)に接続している排
気口である。35,36,37,38は反応室1
と各シヤワ管を真空シールするためのフランジ
(SUS304)である。
で構成された反応室でその内部には自動車の部品
である樹脂(PP)の被処理-1〜4が治具又は台車
(図示なし)により載置されている。2はマイク
ロ波発振器(2450MHz)(例えば、東芝電機(株)
製)、3はマイクロ波導波管、4は内部に石英管
(7,8と接続している)を有したプラズマ発生
部、5は酸素ガスボンベ、6はバルブ、7はナイ
ロンチユーブ、8は発生したプラズマを反応室1
内へ送る石英ガラスで構成された輸送管、9,1
0,14,17,20a,20bも同様の輸送
管、11は輸送管8,9間を接続しかつ真空シー
ルするテフロンからなるフロロコネクタ、12,
13,15,16,18,19,34,21,2
5,27も同様のフロロコネクタ、22は第3図
に詳細に示すような石英ガラスで構成されたシヤ
ワ管、23,24を同様のシヤワ管、26はシヤ
ワ管28を反応室1内の任意の位置に設置できる
可撓性のテフロンチユーブ、28は第4図に詳細
に示すような石英ガラスで構成されたシヤワ管、
29は真空ポンプ(図示せず)に接続している排
気口である。35,36,37,38は反応室1
と各シヤワ管を真空シールするためのフランジ
(SUS304)である。
第1図の実施例において、シヤワ管22,2
3,24は反応室1の内壁に固定して設置されて
いる(シヤワ管23,24はシヤワ管22から約
90°隔てた位置)。なお、第1図には省略してある
が、シヤワ管23,24もシヤワ管22の場合と
同様にマイクロ波発振器2、プラズマ発生部4、
酸素ガスボンベ5等に接続されている。シヤワ管
22,23,24は第3図a,bに示すように円
筒状の石英ガラス管で構成され、円筒状反応室1
の軸線方向と平行に設置されている(第1図)。
シヤワ管22,23,24の反応室1内部に面し
た側には多数の小孔から成るプラズマ噴射口40
が設けてある。これらの噴射口40は反応室1内
に出来るだけ均一にプラズマを照射するように約
60°の角度で千鳥に配置されている。(第3図b)。
3,24は反応室1の内壁に固定して設置されて
いる(シヤワ管23,24はシヤワ管22から約
90°隔てた位置)。なお、第1図には省略してある
が、シヤワ管23,24もシヤワ管22の場合と
同様にマイクロ波発振器2、プラズマ発生部4、
酸素ガスボンベ5等に接続されている。シヤワ管
22,23,24は第3図a,bに示すように円
筒状の石英ガラス管で構成され、円筒状反応室1
の軸線方向と平行に設置されている(第1図)。
シヤワ管22,23,24の反応室1内部に面し
た側には多数の小孔から成るプラズマ噴射口40
が設けてある。これらの噴射口40は反応室1内
に出来るだけ均一にプラズマを照射するように約
60°の角度で千鳥に配置されている。(第3図b)。
一方、シヤワ管28は可撓性のテフロンチユー
ブ26を介して反応室1内の任意の位置に設置で
きるようになつている。第1図の実施例ではシヤ
ワ管28を円筒形反応室1内の中央部に軸線方向
に配置したが、被処理物の数や形状、配置等によ
り任意の位置、角度で設置できることはいうまで
もない。シヤワ管28はシヤワ管22,23,2
4と同様石英ガラス管で構成されているが、第4
図a,bに示すように、中心軸線に関してあらゆ
る放射方向にプラズマを照射できるように例えば
90°の等角度間隔で多数の小孔からなるプラズマ
噴射口41が形成されている。なお、第1図の実
施例ではシヤワ管28のプラズマ輸送管20はフ
ロロコネクタ18から分岐させているが、フロロ
コネクタ12又は15から分岐させてもよく、ま
たシヤワ管28につい専用のプラズマ発生機構を
設けてもよいことはもちろんである。また、第1
図の実施例では、シヤワ管28を反応室1内の中
央に1個設けたが、例え被処理物が軸方向に長く
その長平方向端部のプラズマ処理効果が低い場合
には、第5図の実施例に示すように、フロロコネ
クタ25に可撓性チユーブ26と同様の可撓性の
テフロンチユーブ26a,26bを分岐接続し、
それらの先端に被処理物方向のみに噴射口が開口
した(約60°の角度で)シヤワ管31,33をフ
ロロコネクタ30,32を介して装着し、これら
のシヤワ管31,33により被処理物Wの長平方
向端部にプラズマを照射するようにしてもよい。
ブ26を介して反応室1内の任意の位置に設置で
きるようになつている。第1図の実施例ではシヤ
ワ管28を円筒形反応室1内の中央部に軸線方向
に配置したが、被処理物の数や形状、配置等によ
り任意の位置、角度で設置できることはいうまで
もない。シヤワ管28はシヤワ管22,23,2
4と同様石英ガラス管で構成されているが、第4
図a,bに示すように、中心軸線に関してあらゆ
る放射方向にプラズマを照射できるように例えば
90°の等角度間隔で多数の小孔からなるプラズマ
噴射口41が形成されている。なお、第1図の実
施例ではシヤワ管28のプラズマ輸送管20はフ
ロロコネクタ18から分岐させているが、フロロ
コネクタ12又は15から分岐させてもよく、ま
たシヤワ管28につい専用のプラズマ発生機構を
設けてもよいことはもちろんである。また、第1
図の実施例では、シヤワ管28を反応室1内の中
央に1個設けたが、例え被処理物が軸方向に長く
その長平方向端部のプラズマ処理効果が低い場合
には、第5図の実施例に示すように、フロロコネ
クタ25に可撓性チユーブ26と同様の可撓性の
テフロンチユーブ26a,26bを分岐接続し、
それらの先端に被処理物方向のみに噴射口が開口
した(約60°の角度で)シヤワ管31,33をフ
ロロコネクタ30,32を介して装着し、これら
のシヤワ管31,33により被処理物Wの長平方
向端部にプラズマを照射するようにしてもよい。
なお、上述のシヤワか22,23,24および
28,31,33は石英ガラス以外の材質、例え
ばパイレツクスガラス等の励起酸素が失活し難い
もので構成してもよいい。また、可撓性チユーブ
26,26a,26bはシヤワ管と同様励起酸素
が失活しにくくて可撓性があればよく、例えば
SUSのコイルスプリング等で構成してもよい。
28,31,33は石英ガラス以外の材質、例え
ばパイレツクスガラス等の励起酸素が失活し難い
もので構成してもよいい。また、可撓性チユーブ
26,26a,26bはシヤワ管と同様励起酸素
が失活しにくくて可撓性があればよく、例えば
SUSのコイルスプリング等で構成してもよい。
第1図において、排気口29に接続された真空
ポンプ(図示せず)により反応室1内を真空状態
にした後、ボンベ5から酸素ガスを所定量供給し
反応室1内を真空弁(図示せず)にて調整し所定
の真空圧に設定する。その後、発振器2により所
定の出力でマイクロ波を発振させ、導波管3で伝
送し、プラズマ発生部4にてプラズマを発生させ
る。発生したプラズマは輸送管8,9,10、フ
ロロコネクタ11,12,13を介してシヤワ管
22へ供給される。シヤワ管23,24において
も同様に供給されるが、シヤワ管28へはフロロ
コネクタ18で分割されたプラズマが、輸送管2
0a,20b、フロロコネクタ34,21,25
を介して可撓性チユーブ26へ送られ、この可撓
性チユーブ26から供給される。なお、第5図の
実施例では更にフロロコネクタ25から可撓性チ
ユーブ26a,26bにも分割され、フロロコネ
クタ30,32を介してシヤワ管31,33にも
供給される。
ポンプ(図示せず)により反応室1内を真空状態
にした後、ボンベ5から酸素ガスを所定量供給し
反応室1内を真空弁(図示せず)にて調整し所定
の真空圧に設定する。その後、発振器2により所
定の出力でマイクロ波を発振させ、導波管3で伝
送し、プラズマ発生部4にてプラズマを発生させ
る。発生したプラズマは輸送管8,9,10、フ
ロロコネクタ11,12,13を介してシヤワ管
22へ供給される。シヤワ管23,24において
も同様に供給されるが、シヤワ管28へはフロロ
コネクタ18で分割されたプラズマが、輸送管2
0a,20b、フロロコネクタ34,21,25
を介して可撓性チユーブ26へ送られ、この可撓
性チユーブ26から供給される。なお、第5図の
実施例では更にフロロコネクタ25から可撓性チ
ユーブ26a,26bにも分割され、フロロコネ
クタ30,32を介してシヤワ管31,33にも
供給される。
シヤワ管22,23,24および28(31,
33)の噴射口40,41からいつせいにプラズ
マが被処理物W-1〜4の表面に向けて照射され、そ
れらの被処理物表面を均一に処理する。所定時間
処理後、酸素ガスの供給、マイクロ波の発振、真
空ポンプによる排気を停止し、反応室1内を大気
に戻す。そして被処理物W-1〜4を反応室1から取
り出し、塗装に供する。
33)の噴射口40,41からいつせいにプラズ
マが被処理物W-1〜4の表面に向けて照射され、そ
れらの被処理物表面を均一に処理する。所定時間
処理後、酸素ガスの供給、マイクロ波の発振、真
空ポンプによる排気を停止し、反応室1内を大気
に戻す。そして被処理物W-1〜4を反応室1から取
り出し、塗装に供する。
第2図は第1図のような本発明のプラズマ処理
装置を使用して実際に被処理物W-1〜4(P.P)を処
理したときの測定結果をい示すものである。処理
条件および評価方法は、第6図の如き従来のプラ
ズマ処理装置を用いた場合(第7図)と同様であ
り、以下に示すとおりである。
装置を使用して実際に被処理物W-1〜4(P.P)を処
理したときの測定結果をい示すものである。処理
条件および評価方法は、第6図の如き従来のプラ
ズマ処理装置を用いた場合(第7図)と同様であ
り、以下に示すとおりである。
反応室形状:2000mm(径)×2000mm(長)
処理条件:
マイクロ波周波数:2450MHz
出 力 :500W
真空圧 :0.5Torn
処理時間 :30秒
処理ガス量 :酸素、5/分
評価方法 :接触角(θ)の測定
脱イオン水を、プラズマ処理後にPP表面
に5μ滴下し、接触角測定器(協和化学製、
CA−A型)で測定した(20℃、50〜60%雰
囲気) 第2図に示す結果から明らかなように、第1図
に示したような本発明のプラズマ処理装置によれ
ば、反内室1内のプラズマ濃度が均一化され、比
較的大物で複雑な形状の被処理物であつても被処
理物の配置位置によりあるいは同一被処理物の形
状、部位によりプラズマ処理のバラツキが解消さ
れた。また、塗装後の塗膜との密着性もすべての
部位において良好であつた。
に5μ滴下し、接触角測定器(協和化学製、
CA−A型)で測定した(20℃、50〜60%雰
囲気) 第2図に示す結果から明らかなように、第1図
に示したような本発明のプラズマ処理装置によれ
ば、反内室1内のプラズマ濃度が均一化され、比
較的大物で複雑な形状の被処理物であつても被処
理物の配置位置によりあるいは同一被処理物の形
状、部位によりプラズマ処理のバラツキが解消さ
れた。また、塗装後の塗膜との密着性もすべての
部位において良好であつた。
第1図は本発明のプラズマ処理装置の概略図、
第2図は本発明のプラズマ処理装置における処理
結果を示す図、第3図a,bは反応室内壁に固定
したシヤワ管の詳細図、第4図a,bは可撓性チ
ユーブに接続したシヤワ管の詳細図、第5図は本
発明のプラズマ処理装置の他の実施例を示す概略
図、第6図は従来のプラズマ処理装置の概略図、
第7図は従来のプラズマ処理装置における処理結
果を示す図である。 1……反応室、22,23,24……固定シヤ
ワ管、28,31,33……移動可能なシヤワ
管、26,26a,26b……可撓性チユーブ、
40,41……プラズマ噴射口。
第2図は本発明のプラズマ処理装置における処理
結果を示す図、第3図a,bは反応室内壁に固定
したシヤワ管の詳細図、第4図a,bは可撓性チ
ユーブに接続したシヤワ管の詳細図、第5図は本
発明のプラズマ処理装置の他の実施例を示す概略
図、第6図は従来のプラズマ処理装置の概略図、
第7図は従来のプラズマ処理装置における処理結
果を示す図である。 1……反応室、22,23,24……固定シヤ
ワ管、28,31,33……移動可能なシヤワ
管、26,26a,26b……可撓性チユーブ、
40,41……プラズマ噴射口。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 プラズマ反応室1内で被処理物の表面にプラ
ズマを照射して処理する装置において、プラズマ
照射用の少なくとも1つの第一のシヤワ管22,
23,24を反応室内壁に固定して設置すると共
に、プラズマ照射用の少なくとも1つの第二のシ
ヤワ管28,31,33を反応室内で任意の位置
に移動できるように設けたことを特徴とするプラ
ズマ処理装置。 2 前記第二のシヤワ管は反応室壁部のプラズマ
導入部25に可撓性チユーブ26,26a,26
bを介して接続されている特許請求の範囲第1項
記載の装置。 3 前記第二のシヤワ管は円筒管で構成され、該
円筒管の中心からあらゆる放射方向にプラズマ照
射するべく全周にわたつて多数のプラズマ噴射口
41を有する特許請求の範囲第1項又は第2項記
載の装置。
Priority Applications (13)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58029370A JPS59155440A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | プラズマ処理装置 |
| AU24671/84A AU549376B2 (en) | 1983-02-25 | 1984-02-16 | Plasma treatment |
| ZA841294A ZA841294B (en) | 1983-02-25 | 1984-02-22 | Apparatus and method for plasma treatment of resin material |
| DE3486470T DE3486470T2 (de) | 1983-02-25 | 1984-02-23 | Verfahren zum Plasmabehandeln von Kunststoffharz |
| EP91115536A EP0461683B1 (en) | 1983-02-25 | 1984-02-23 | Method for plasma treatment of resin material |
| DE3486317T DE3486317T2 (de) | 1983-02-25 | 1984-02-23 | Vorrichtung und Verfahren zur Plasmabehandlung von Kunstharz. |
| EP84101926A EP0120307B1 (en) | 1983-02-25 | 1984-02-23 | Apparatus and method for plasma treatment of resin material |
| AU49495/85A AU578757B2 (en) | 1983-02-25 | 1985-11-08 | Method for plasma treatment of resin material |
| US06/825,941 US4678644A (en) | 1983-02-25 | 1986-01-30 | Apparatus and method for plasma treatment of resin material |
| AU82240/87A AU603397B2 (en) | 1983-02-25 | 1987-12-08 | Apparatus and method for plasma treatment of resin material |
| AU82238/87A AU8223887A (en) | 1983-02-25 | 1987-12-08 | Apparatus and method for plasma treatment of resin material |
| AU82239/87A AU8223987A (en) | 1983-02-25 | 1987-12-08 | Apparatus and method for plasma treatment of resin material |
| AU82237/87A AU8223787A (en) | 1983-02-25 | 1987-12-08 | Apparatus and method for plasma treatment of resin material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58029370A JPS59155440A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59155440A JPS59155440A (ja) | 1984-09-04 |
| JPH0495B2 true JPH0495B2 (ja) | 1992-01-06 |
Family
ID=12274259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58029370A Granted JPS59155440A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | プラズマ処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59155440A (ja) |
| AU (1) | AU578757B2 (ja) |
| ZA (1) | ZA841294B (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0348193Y2 (ja) * | 1985-03-16 | 1991-10-15 | ||
| JPS62101634A (ja) * | 1985-10-30 | 1987-05-12 | Hashimoto Forming Co Ltd | 装飾用モールディングの製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5211175A (en) * | 1975-07-18 | 1977-01-27 | Toshiba Corp | Activated gas reacting apparatus |
| JPS5378170A (en) * | 1976-12-22 | 1978-07-11 | Toshiba Corp | Continuous processor for gas plasma etching |
| JPS53121469A (en) * | 1977-03-31 | 1978-10-23 | Toshiba Corp | Gas etching unit |
-
1983
- 1983-02-25 JP JP58029370A patent/JPS59155440A/ja active Granted
-
1984
- 1984-02-22 ZA ZA841294A patent/ZA841294B/xx unknown
-
1985
- 1985-11-08 AU AU49495/85A patent/AU578757B2/en not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59155440A (ja) | 1984-09-04 |
| ZA841294B (en) | 1984-10-31 |
| AU578757B2 (en) | 1988-11-03 |
| AU4949585A (en) | 1986-04-24 |
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