JPH04910A - Delay circuit - Google Patents
Delay circuitInfo
- Publication number
- JPH04910A JPH04910A JP2100341A JP10034190A JPH04910A JP H04910 A JPH04910 A JP H04910A JP 2100341 A JP2100341 A JP 2100341A JP 10034190 A JP10034190 A JP 10034190A JP H04910 A JPH04910 A JP H04910A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- delay
- inverter
- phase
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Pulse Circuits (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、遅延回路に関し、例えばMOSFET(絶
縁ゲート型電界効果トランジスタ)により構成される半
導体集積回路装置に搭載されるものに利用して有効な技
術に関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a delay circuit, and can be effectively applied to, for example, a delay circuit mounted on a semiconductor integrated circuit device constituted by a MOSFET (insulated gate field effect transistor). It is related to technology.
MO3型インバータ回路を用いた遅延パルス発生回路と
しては、CQ出版■昭和51年6月1日発行「実用電子
ハンドブック(1)1頁360がある。As a delayed pulse generation circuit using an MO3 type inverter circuit, there is "Practical Electronic Handbook (1)" published by CQ Publishing, June 1, 1978, 1 page 360.
上記のようなMO3型インバータ回路では、MOSFE
Tやキャパシタの素子特性のプロセスバラツキが比較的
大きいことより高精度に遅延時間を設定することができ
ないという問題がある。In the MO3 type inverter circuit as mentioned above, MOSFE
There is a problem in that the delay time cannot be set with high precision due to relatively large process variations in T and the element characteristics of the capacitor.
この発明の目的は、プロセスバラツキの影響を受けない
で高精度の遅延時間の設定が可能な遅延回路を提供する
ことにある。An object of the present invention is to provide a delay circuit that can set a delay time with high accuracy without being affected by process variations.
この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は
、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであ
ろう。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記の通りである。A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.
すなわち、縦列形態に接続された複数のインバータ回路
を用い、初段のインバータ回路の入力に供給される周期
的なパルスと最終段のインバータ回路の出力信号と位相
比較して、電圧信号を形成して上記インバータ回路の動
作電流を制御し、これら複数のインバータ回路のうちの
任意のインバータ回路の出力から遅延信号を得る。That is, a voltage signal is formed by using multiple inverter circuits connected in series and comparing the phase of periodic pulses supplied to the input of the first-stage inverter circuit with the output signal of the final-stage inverter circuit. The operating current of the inverter circuit is controlled, and a delay signal is obtained from the output of any one of the plurality of inverter circuits.
〔作 用〕
上記した手段によれば、上記周期的なパルス信号の1周
期を基準にしてプロセスバラツキに影響されなで縦列形
態のインバータ回路により等分された高精度の遅延時間
を得ることができる。[Function] According to the above-described means, it is possible to obtain a highly accurate delay time equally divided by the cascaded inverter circuit without being affected by process variations, based on one period of the periodic pulse signal. can.
第1図には、この発明に係る遅延回路の一実施例の回路
図が示されている。同図の各回路は、公知の半導体集積
回路の製造技術によって、特に制限されないが、単結晶
シリコンのような1個の半導体基板上において形成され
る。FIG. 1 shows a circuit diagram of an embodiment of a delay circuit according to the present invention. Each circuit in the figure is formed on a single semiconductor substrate such as, but not limited to, single crystal silicon using known semiconductor integrated circuit manufacturing techniques.
インバータ回路IVIなしいIVNが縦列形態に接続さ
れ遅延回路として用いる。しかし、このままでは、従来
と同様にインバータ回路を構成する素子特性がプロセス
バラツキの影響を受けて比較的大きく変動し、それに伴
いその遅延時間も変動してしまう。Inverter circuits IVI to IVN are connected in series and used as a delay circuit. However, if things continue as they are, the characteristics of the elements constituting the inverter circuit will vary relatively greatly due to the influence of process variations, and the delay time will vary accordingly.
この実施例では、遅延回路を構成する初段インバータ回
1rV1の入力には、クロックパルスCLKが供給され
る。このクロックパルスCLKと最終段のインバータ回
路IVNの遅延出力信号DLNとは、位相比較回路に入
力される。この位相比較回路は、上記両信号CLKとD
LNとの位相差に対応して形成されるアップ信号upと
ダウン信号dwnとを形成する。これらの位相比較出力
信号upとdwnとは電圧制御回路に入力される。In this embodiment, a clock pulse CLK is supplied to the input of the first stage inverter circuit 1rV1 constituting the delay circuit. This clock pulse CLK and the delayed output signal DLN of the final stage inverter circuit IVN are input to the phase comparison circuit. This phase comparator circuit compares both the above signals CLK and D.
An up signal up and a down signal dwn are formed corresponding to the phase difference with LN. These phase comparison output signals up and dwn are input to the voltage control circuit.
電圧制御回路は、公知のPLL (フェーズ・ロックド
・ループ)におけるループフィルタに対応したものであ
り、上記位相比較出力upとdwnに積分した制御電圧
VCを発生させる。The voltage control circuit corresponds to a loop filter in a known PLL (phase locked loop), and generates a control voltage VC integrated with the phase comparison outputs up and dwn.
この制御電圧VCは、上記のように遅延回路を構成する
インバータ回路IVIないしIVNの電流側m端子に帰
還され、これら縦列接続されたインバータ回路IVIな
いしIVNの動作t″&を制御する。This control voltage VC is fed back to the current side m terminals of the inverter circuits IVI to IVN constituting the delay circuit as described above, and controls the operation t''& of these cascade-connected inverter circuits IVI to IVN.
第2図には、上記インバータ回路の一実施例の具体的回
路図が示されている。FIG. 2 shows a specific circuit diagram of one embodiment of the above inverter circuit.
同図には、1つのインバータ回路が代表として例示的に
示されている。特に制限されないが、PチャンネルMO
3FETQ2とNチャンネルMO3F ETQ 3とは
CMOSインバータ回路を構成する。すなわち、両MO
SFETQ2とQ3のゲートは共通接続されて入力端子
INを構成し、共通化されたドレインは出力端子OUT
を構成する。In the figure, one inverter circuit is exemplarily shown as a representative. Although not particularly limited, P channel MO
3FETQ2 and N-channel MO3FETQ3 constitute a CMOS inverter circuit. That is, both M.O.
The gates of SFETQ2 and Q3 are commonly connected to form the input terminal IN, and the common drains are connected to the output terminal OUT.
Configure.
この出力端子は、第1図のようの次段のCMOSインバ
ータ回路の入力に接続されるとともに必要に応じて遅延
信号端子とされる。This output terminal is connected to the input of the next-stage CMOS inverter circuit as shown in FIG. 1, and is used as a delay signal terminal if necessary.
特に制限されないが、上記PチャンネルMO3FETQ
2には、同一導電型のPチャンネルMO3F ETQ
1が直列に接続され、動作電圧Vccが供給される。こ
のMO3FETQIは電圧/′f!L流変換素子として
作用し、そのゲートに上記制at圧■Cが供給される。Although not particularly limited, the above P-channel MO3FETQ
2 is a P-channel MO3F ETQ of the same conductivity type.
1 are connected in series and supplied with an operating voltage Vcc. This MO3FETQI has a voltage of /'f! It acts as an L-flow conversion element, and the above-mentioned control pressure (C) is supplied to its gate.
すなわち、MO3FETQ1は、そのゲートに供給され
る制at圧VCが小さくなるに伴い動作電流が大きくさ
れる。入力端子INに供給されるクロックパルス受ける
PチャンネルMO3FETQ2とNチャンネルMO3F
ETQ3は相補的にスイッチング動作を行う。上記Pチ
ャンネルMO3FETQ2がオン状態のときには、その
出力端子の寄生容量や次段のCMOSインバータ回路の
入力容量を負荷として、上記MO3FETQIの動作電
流に従ってチャージアップ動作を行う。このような、チ
ャージアンプ時間が上記MO3FETQIの動作電流に
より制御されることから、制御電圧VCによりインバー
タ回路の遅延時間を調整することが可能とされる。That is, the operating current of MO3FETQ1 is increased as the limiting at pressure VC supplied to its gate is decreased. P-channel MO3FETQ2 and N-channel MO3F receive clock pulses supplied to input terminal IN
ETQ3 performs switching operations in a complementary manner. When the P-channel MO3FET Q2 is in the on state, a charge-up operation is performed according to the operating current of the MO3FET QI using the parasitic capacitance of its output terminal and the input capacitance of the next stage CMOS inverter circuit as a load. Since the charge amplifier time is controlled by the operating current of the MO3FETQI, it is possible to adjust the delay time of the inverter circuit using the control voltage VC.
なお、PチャンネルMOSFETQ2がオフ状態でNチ
ャンネルMO3FETQ3がオン状態になったときには
、NチャンネルMOSFETQ3のコンダクタンス特性
と上記負荷容量によりディスチャージ時間が決められる
ものである。Note that when P-channel MOSFET Q2 is off and N-channel MO3FET Q3 is on, the discharge time is determined by the conductance characteristics of N-channel MOSFET Q3 and the load capacitance.
したがって、上記PチャンネルMO5FETQ1に代え
、NチャンネルMOS F ETをMO3FETQ3と
直列に設けてそのゲートに上記のような制it圧VCを
供給するものであってもよい。Therefore, instead of the P-channel MO5FETQ1, an N-channel MOS FET may be provided in series with the MO3FETQ3, and the above-described control pressure VC may be supplied to its gate.
ただし、制#tEEVCが低くなるとそれに伴い負荷容
量のディスチャージ電流が小さくされるから遅延時間と
しては長くなるように変化することに注意する必要があ
る。However, it must be noted that as the control #tEEVC decreases, the discharge current of the load capacitor decreases accordingly, so the delay time changes to become longer.
上記制?ilt圧VCを受けるMOS F ETQ 1
は、CMOSインバータ可Pを構成するPチャンネルM
O5FETQ2と直列形態に接続されるものであればよ
い。それ故、Pチ+ンネルMO5FETQ2のソースに
電源電圧Vccを供給し、そのドレインとNチャンネル
MO3FETQ3のドレインとの間、言い換えるならば
、PチャンネルMO3FETQ2のドレインと出力端子
OUTとの間に上記制御電圧VCを受けるPチャンネル
MOSFETQ1を設ける構成としてもよい。このこと
は、NチャンネルMO3FETを用いて遅延時間を制御
する場合においても同様である。Above system? MOS FETQ 1 receiving ilt pressure VC
is the P channel M that constitutes the CMOS inverter P.
It is sufficient if it is connected in series with O5FETQ2. Therefore, the power supply voltage Vcc is supplied to the source of P-channel MO3FETQ2, and the control voltage is applied between its drain and the drain of N-channel MO3FETQ3, in other words, between the drain of P-channel MO3FETQ2 and the output terminal OUT. A configuration may also be adopted in which a P-channel MOSFET Q1 that receives VC is provided. This also applies to the case where the delay time is controlled using an N-channel MO3FET.
第3図には、上記位相比較回路と電圧制御回路の一実施
例の具体的回路図が示されている。FIG. 3 shows a specific circuit diagram of one embodiment of the phase comparison circuit and voltage control circuit.
位相比較回路は、次の回路より構成される。クロックパ
ルスCLKと遅延信号DLNとは排他的論理和回路EX
に入力される。この排他的論理和回路EXの出力信号は
、マスク信号MSKを制御信号とするアンド(AND)
ゲート回路G1を通して2つのアンドゲート回路G2と
G3の一方の入力に供給される。アンドゲート回路G2
の他方の入力には上記遅延信号DLNが供給される。ア
ンドゲート回路G3の他方の入力にはインバータ回路I
VOにより反転された遅延信号DLNが供給される。上
記ゲート回路G2の出力からはアンプ信号が出力され、
ゲート回1IiG3の出力からはダウン信号が出力され
る。The phase comparator circuit is composed of the following circuits. Clock pulse CLK and delay signal DLN are connected to exclusive OR circuit EX
is input. The output signal of this exclusive OR circuit EX is an AND signal using the mask signal MSK as a control signal.
The signal is supplied to one input of two AND gate circuits G2 and G3 through the gate circuit G1. AND gate circuit G2
The other input of is supplied with the delay signal DLN. The other input of the AND gate circuit G3 is an inverter circuit I.
A delay signal DLN inverted by VO is supplied. An amplifier signal is output from the output of the gate circuit G2,
A down signal is output from the output of the gate circuit 1IiG3.
電圧制御回路は、次の回路より構成される。上記の位相
比較回路のアンドゲート回路G2により形成されたアン
プ信号はNチャンネル型のスイッチMO3FETQ4の
ゲートに供給される。このMO5FETQ4のドレイン
側にはチャージアップ用の定を流源C3Iが設けられる
。上記の位相比較回路のアンドゲート回路G3により形
成されたダウン信号はNチャンネル型のスイッチMO3
FETQ5のゲートに供給される。このMO5FETQ
5のソース側にはディスチャージ用の定電流源C32が
設けられる。上記定電流源C3IとC32は、特に制限
されないが、その電流値が等しくなるように設定される
。上記スイッチMO3FETQ4とG5の接続点にはキ
ャパシタCが設けられ、このキャパシタCへの充放電動
作により制御電圧VCを形成するものである。The voltage control circuit consists of the following circuits. The amplifier signal formed by the AND gate circuit G2 of the phase comparison circuit described above is supplied to the gate of the N-channel type switch MO3FETQ4. A constant current source C3I for charging up is provided on the drain side of this MO5FETQ4. The down signal formed by the AND gate circuit G3 of the above phase comparator circuit is connected to the N-channel type switch MO3.
Supplied to the gate of FETQ5. This MO5FETQ
A constant current source C32 for discharging is provided on the source side of the transistor 5. The constant current sources C3I and C32 are set so that their current values are equal, although not particularly limited. A capacitor C is provided at the connection point between the switch MO3FET Q4 and G5, and a control voltage VC is formed by charging and discharging the capacitor C.
第1図において、位相比較回路はクロックパルスCLK
に対して遅延信号DLNの位相が進んでいるときには、
遅延信号DLNが先にハイレベル(論理“1°)になつ
いるから、アンドゲート回路G2がゲートを開いており
、排他的論理和回路EXにより形成された位相差に対応
したパルス幅をもつペルスがアンプ信号として出力され
る。これにより、上記パルス幅に対応した時間でけキャ
パシタCにチャージアップが行われて制御!を圧を高く
する。上記制it圧V Cが高くなるとPチャンネルM
OS F ETQ i等に流れる電流が小さくなりその
遅延時間を大きくする。これにより、第4図のタイミン
グ図に示すように上記2つのCLKとDLNは正しく位
相が一致させられる。In FIG. 1, the phase comparator circuit uses the clock pulse CLK.
When the phase of the delayed signal DLN is ahead of the
Since the delay signal DLN reaches the high level (logic "1°") first, the AND gate circuit G2 opens its gate and generates a pulse with a pulse width corresponding to the phase difference formed by the exclusive OR circuit EX. is output as an amplifier signal.As a result, the capacitor C is charged up for a time corresponding to the pulse width, increasing the control pressure.When the control pressure V C increases, the P channel M
The current flowing through OS FETQ i etc. becomes smaller and its delay time increases. Thereby, as shown in the timing diagram of FIG. 4, the two CLK and DLN are correctly brought into phase alignment.
また、位相比較回路はクロックパルスCLKに対して遅
延信号DLNの位相が遅れているときには、遅延信号D
LNが遅れてハイレベル(論理@01)になるため、イ
ンバータ回路IVOの出力がハイレベルになついる。こ
れにより、アンドゲート回路G3がゲートを開いており
、排他的論理和回路EXにより形成された位相差に対応
したパルス幅をもつパルスがダウン信号として出力され
る。これにより、上記パルス幅に対応した時間でけキャ
パシタCのディスチャージが行われて制御電圧を低くす
る。上記制御it圧VCが低くなるとPチャンネルMO
3FETQ1等に流れる電流が大きくなりその遅延時間
を小さくする。これにより、第4図のタイミング図に示
すように上記2つのCLKとDLNとの位相が一致させ
られる。Furthermore, when the phase of the delay signal DLN is delayed with respect to the clock pulse CLK, the phase comparator circuit detects the delay signal D
Since LN becomes high level (logic @01) with a delay, the output of the inverter circuit IVO becomes high level. As a result, the AND gate circuit G3 opens its gate, and a pulse having a pulse width corresponding to the phase difference formed by the exclusive OR circuit EX is output as a down signal. As a result, the capacitor C is discharged for a time corresponding to the pulse width, and the control voltage is lowered. When the above control it pressure VC becomes low, the P channel MO
The current flowing through the 3FETQ1 etc. becomes larger and its delay time is reduced. As a result, the phases of the two CLK and DLN are matched as shown in the timing diagram of FIG. 4.
このようにして、第4図に示したタイミング図のように
、クロックパルスCLKと遅延信号DLNとは、クロッ
クパルスCLKの1周期遅れて位相が一致される。ただ
し、上記インバータ回路列の数は偶数の場合であり、遅
延信号DLNとクロックパルスに対して同相とされる。In this way, as shown in the timing chart shown in FIG. 4, the clock pulse CLK and the delay signal DLN are brought into phase with each other after being delayed by one cycle of the clock pulse CLK. However, the number of inverter circuit arrays is an even number, and they are in phase with the delay signal DLN and the clock pulse.
このときには、各インバータ回路IVIないしIVNに
より、クロックパルスCLKの1周期をN等分した遅延
時間を得ることができる。At this time, each inverter circuit IVI to IVN can obtain a delay time obtained by dividing one period of the clock pulse CLK into N equal parts.
例えば、上記クロックパルスCLKに同期して入力され
るデータが存在する場合、そのデータを取り込む内部ク
ロックパルスとして、クロックパルスの周期TをN等分
した時間を単位としてその整数倍にされた適当なタイミ
ングパルスを得ることができる。なお、上記インバータ
回路の数を奇数個にして位相比較回路に入力される遅延
信号DLNを形成するとにきには、クロックパルスCL
Kの半周期をN等分した単位の遅延時間を各インバータ
回路から得ることができる。For example, if there is data that is input in synchronization with the clock pulse CLK, the internal clock pulse to capture the data is an appropriate integral multiple of the period T of the clock pulse divided into N equal parts. A timing pulse can be obtained. Note that when forming the delayed signal DLN input to the phase comparator circuit by using an odd number of inverter circuits, the clock pulse CL
A delay time unit obtained by dividing K half periods into N equal parts can be obtained from each inverter circuit.
特に制限されないが、位相比較回路にはマスク機能が付
加される。この実施例では、クロックパルスから、その
立ち上がりを中点にして前と後に一定時間を持つマスク
信号MSKを形成し、この7 スフtt、 号M S
Kがハイレベルのときに位相比較回路の動作を有効にす
る。すなわち、マスク信号MSKがロウレベルのときに
は、第3図に示したようなゲート回路G1を閉じて排他
的論理和回路により形成された不一致出力の伝達を禁止
するものである。これにより、ノイズ等の影響を受けな
くすることができる。Although not particularly limited, a masking function is added to the phase comparator circuit. In this embodiment, a mask signal MSK is formed from a clock pulse with a certain period of time before and after the clock pulse, with its rising edge being the midpoint.
The operation of the phase comparison circuit is enabled when K is at a high level. That is, when the mask signal MSK is at a low level, the gate circuit G1 shown in FIG. 3 is closed to prohibit transmission of the mismatch output formed by the exclusive OR circuit. This makes it possible to eliminate the influence of noise and the like.
上記の実施例から得られる作用効果は、下記の通りであ
る。すなわち、
(1)縦列形態に接続された複数のインバータ回路を用
い、初段のインバータ回路の入力に供給される周期的な
パルスと最終段のインバータ回路の出力信号と位相比較
して、電圧信号を形成して上記インバータ回路の動作電
流を制御することにより、上記周期的なパルス信号の1
周期又は半周期を基準にしてプロセスバラツキに影響さ
れなで縦列形態のインバータ回路の数により等分された
高精度の遅延時間を得ることができるという効果が得ら
れる。The effects obtained from the above examples are as follows. That is, (1) Using a plurality of inverter circuits connected in series, the periodic pulses supplied to the input of the first-stage inverter circuit are compared in phase with the output signal of the final-stage inverter circuit to generate a voltage signal. one of the periodic pulse signals by controlling the operating current of the inverter circuit.
The effect is that it is possible to obtain a highly accurate delay time equally divided by the number of cascaded inverter circuits without being affected by process variations on a period or half period basis.
(2)MOSFET用いて構成できるから、半導体集積
回路装置に適した遅延回路を得ることができるという効
果が得られる。(2) Since it can be constructed using MOSFETs, it is possible to obtain a delay circuit suitable for semiconductor integrated circuit devices.
以上本発明者によりなされた発明を実施例に基づき具体
的に説明したが、本願発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない0例えば、遅延回路は、そ
の遅延時間を大きくするためにキャパシタを設けるもの
、あるいは上記電流制御用のMOSFETを省略したC
MOSインバータ回路等のように固定的な遅延時間を形
成する回路を挿入するものであってもよい。また、制御
電圧によりインバータ回路の遅延時間を変化させる手段
は、可変容量素子をその負荷として用いるものであって
もよい。Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the above-mentioned Examples, and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. For example, the delay circuit may be one that includes a capacitor to increase the delay time, or a C circuit that omits the MOSFET for current control.
A circuit that forms a fixed delay time, such as a MOS inverter circuit, may be inserted. Furthermore, the means for changing the delay time of the inverter circuit using the control voltage may use a variable capacitance element as its load.
上記クロックパルスCLKは、ノンオーバーランプを形
成するための基本パルスであり、上記遅延回路の任意の
出力端子からノンオーバーランプ時間が高精度に設定さ
れたクロックパルスを形成するものであってもよい。The clock pulse CLK is a basic pulse for forming a non-overramp, and may form a clock pulse whose non-overramp time is set with high precision from an arbitrary output terminal of the delay circuit. .
この発明は、半導体集積回路装置に搭載される遅延回路
として広く利用できる。The present invention can be widely used as a delay circuit mounted on a semiconductor integrated circuit device.
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。すなわち、縦列形態に接続された複数のインバータ回
路を用い、初段のインバータ回路の入力に供給される周
期的なパルスと最終段のインバータ回路の出力信号と位
相比較して、電圧信号を形成して上記インバータ回路の
動作電流を制御することにより、上記周期的なパルス信
号の1周期又は半周期を基準にしてプロセスバラツキに
影響されなで縦列形態のインバータ回路の数により等分
された高精度の遅延時間を得ることができる。A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows. That is, a voltage signal is formed by using multiple inverter circuits connected in series and comparing the phase of periodic pulses supplied to the input of the first-stage inverter circuit with the output signal of the final-stage inverter circuit. By controlling the operating current of the inverter circuit, a high-precision signal can be generated based on one period or half period of the periodic pulse signal, which is not affected by process variations and is equally divided by the number of inverter circuits in the cascade configuration. You can get the delay time.
第1図は、この発明に係る遅延回路の一実施例を示す回
路図、
第2図は、そのインバータ回路の一実施例を示す具体的
回路図、
第3図は、その位相比較回路と電圧制御回路の一実施例
を示す具体的回路図、
第4圀は、その動作の一例を説明するためのタイミング
図である。
’、 ■1〜IVN・・インバータ回路、Q1〜Q5・
・MOSFET、EX・・排他的論理和回路、G1−G
3・・アンドゲート回路、C3I、C32・・定を流源
、C・・キャパシタ。Fig. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the delay circuit according to the present invention, Fig. 2 is a specific circuit diagram showing an embodiment of the inverter circuit, and Fig. 3 shows the phase comparison circuit and voltage A specific circuit diagram showing one embodiment of the control circuit. The fourth panel is a timing chart for explaining an example of its operation. ', ■1~IVN...Inverter circuit, Q1~Q5...
・MOSFET, EX・・Exclusive OR circuit, G1-G
3...AND gate circuit, C3I, C32... constant current source, C... capacitor.
Claims (1)
段のインバータ回路の入力に供給される周期的なパルス
と最終段のインバータ回路の出力信号とを受ける位相比
較回路と、この位相比較回路の出力信号を受けて上記イ
ンバータ回路の遅延時間を制御する電圧信号を形成する
電圧制御回路とを含み、上記複数のインバータ回路のう
ちの任意のインバータ回路の出力から遅延信号を得るこ
とを特徴とする遅延回路。 2、上記インバータ回路は、CMOSインバータ回路と
、CMOSインバータ回路を構成する一方のMOSFE
Tと同一導電型であって直列に設けられるMOSFET
からなり、この直列に設けられるMOSFETのゲート
に上記電圧信号が供給されるものであることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の遅延回路。 3、上記位相比較回路には、マスク機能が設けられ、入
力される周期的なパルスの変化タイミングに同期して比
較動作が有効にされるものであることを特徴とする特許
請求の範囲第1又は第2項記載の遅延回路。[Claims] 1. A phase comparator circuit that receives a plurality of inverter circuits connected in series and a periodic pulse supplied to the input of the first-stage inverter circuit and an output signal of the final-stage inverter circuit. , a voltage control circuit that receives the output signal of the phase comparison circuit and forms a voltage signal for controlling the delay time of the inverter circuit, and generates a delay signal from the output of any one of the plurality of inverter circuits. A delay circuit characterized by obtaining. 2. The above inverter circuit consists of a CMOS inverter circuit and one MOSFE that constitutes the CMOS inverter circuit.
MOSFET of the same conductivity type as T and installed in series
2. The delay circuit according to claim 1, wherein the voltage signal is supplied to the gates of the MOSFETs arranged in series. 3. The phase comparison circuit is provided with a mask function, and the comparison operation is enabled in synchronization with the change timing of the input periodic pulse. Or the delay circuit according to item 2.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2100341A JPH04910A (en) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | Delay circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2100341A JPH04910A (en) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | Delay circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04910A true JPH04910A (en) | 1992-01-06 |
Family
ID=14271423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2100341A Pending JPH04910A (en) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | Delay circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04910A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06326574A (en) * | 1993-05-18 | 1994-11-25 | Mega Chips:Kk | Control signal generation circuit, pulse width modulation circuit, delay control circuit and clock generation circuit |
| JPH11316620A (en) * | 1997-11-21 | 1999-11-16 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | Clock compensation device for semiconductor device |
| US6577202B1 (en) | 2001-12-14 | 2003-06-10 | International Business Machines Corporation | Multiple duty cycle tap points for a precise and programmable duty cycle generator |
| US6603339B2 (en) | 2001-12-14 | 2003-08-05 | International Business Machines Corporation | Precision aligned multiple concurrent duty cycles from a programmable duty cycle generator |
| US9669851B2 (en) | 2012-11-21 | 2017-06-06 | General Electric Company | Route examination system and method |
| WO2019131162A1 (en) * | 2017-12-27 | 2019-07-04 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | Amplifier and signal processing circuit |
-
1990
- 1990-04-18 JP JP2100341A patent/JPH04910A/en active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06326574A (en) * | 1993-05-18 | 1994-11-25 | Mega Chips:Kk | Control signal generation circuit, pulse width modulation circuit, delay control circuit and clock generation circuit |
| JPH11316620A (en) * | 1997-11-21 | 1999-11-16 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | Clock compensation device for semiconductor device |
| US6577202B1 (en) | 2001-12-14 | 2003-06-10 | International Business Machines Corporation | Multiple duty cycle tap points for a precise and programmable duty cycle generator |
| US6603339B2 (en) | 2001-12-14 | 2003-08-05 | International Business Machines Corporation | Precision aligned multiple concurrent duty cycles from a programmable duty cycle generator |
| US9669851B2 (en) | 2012-11-21 | 2017-06-06 | General Electric Company | Route examination system and method |
| WO2019131162A1 (en) * | 2017-12-27 | 2019-07-04 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | Amplifier and signal processing circuit |
| JPWO2019131162A1 (en) * | 2017-12-27 | 2020-12-17 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | Amplifier and signal processing circuit |
| US11342892B2 (en) | 2017-12-27 | 2022-05-24 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Amplifier and signal processing circuit |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8729941B2 (en) | Differential amplifiers, clock generator circuits, delay lines and methods | |
| EP0829135B1 (en) | Phase shifting circuit and method for providing a phase shift | |
| US6380783B1 (en) | Cyclic phase signal generation from a single clock source using current phase interpolation | |
| KR100493046B1 (en) | Frequency multiplier of clock capable of adjusting duty cycle of the clock and method thereof | |
| US20140312945A1 (en) | Delay Locked Loop | |
| US6525587B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device including a clock synchronous type logical processing circuit | |
| JP2001075671A (en) | Phase compensating circuit | |
| US20040051576A1 (en) | Delay generator | |
| US7548104B2 (en) | Delay line with delay cells having improved gain and in built duty cycle control and method thereof | |
| US5818270A (en) | Temperature independent, wide range frequency clock multiplier | |
| KR100861919B1 (en) | Multiphase signal generator and its method | |
| US7292079B2 (en) | DLL-based programmable clock generator using a threshold-trigger delay element circuit and a circular edge combiner | |
| US6603339B2 (en) | Precision aligned multiple concurrent duty cycles from a programmable duty cycle generator | |
| JP2004139268A (en) | Clock signal generation circuit | |
| US20050175135A1 (en) | Delay circuit with timing adjustment function | |
| JPH04910A (en) | Delay circuit | |
| US6377100B1 (en) | Semiconductor device | |
| CN113162586B (en) | A clock duty cycle modification method and system | |
| CN106849939B (en) | CMOS phase discriminator | |
| KR20030002242A (en) | Delay circuit for clock synchronization device | |
| KR100713604B1 (en) | Digital circuit having a delay circuit for clock signal timing adjustment | |
| JPH06216705A (en) | Variable delaying circuit | |
| JPH11274904A (en) | Delay circuit | |
| JPH0629835A (en) | Loop type phase adjusting circuit | |
| JPH0645892A (en) | Signal delay circuit |