JPH0484418A - 異種基板上への３―ｖ族化合物半導体のヘテロエピタキシャル成長法 - Google Patents
異種基板上への３―ｖ族化合物半導体のヘテロエピタキシャル成長法Info
- Publication number
- JPH0484418A JPH0484418A JP19964290A JP19964290A JPH0484418A JP H0484418 A JPH0484418 A JP H0484418A JP 19964290 A JP19964290 A JP 19964290A JP 19964290 A JP19964290 A JP 19964290A JP H0484418 A JPH0484418 A JP H0484418A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- development
- growth
- substrate
- gaas
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 abstract description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract 2
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 abstract 2
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 description 2
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical compound [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 229910000070 arsenic hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はへテロエピタキシャル成長法に関する。
異種基板上への■−ｖ族化合物半導体の成長は、太陽電
池、光電子累積素子等の応用をめざして広く研究されて
いる。そのうち、基板としてもっとも広く用いられてい
るＳｉ基板と■−Ｖ族化合物半導体との間には、例えば
ＧａＡｓにおいては４％、ＩｎＰにおいては８％の格子
不整合が存在する為に直接これらをＳｉ基板上にエピタ
キシャル成長させることは出来ない。また、熱膨張係数
の差により反りやクラックが入るという問題もある。こ
れらの問題点を解決するために一般に種々のバッファ層
を導入することが行われている。
池、光電子累積素子等の応用をめざして広く研究されて
いる。そのうち、基板としてもっとも広く用いられてい
るＳｉ基板と■−Ｖ族化合物半導体との間には、例えば
ＧａＡｓにおいては４％、ＩｎＰにおいては８％の格子
不整合が存在する為に直接これらをＳｉ基板上にエピタ
キシャル成長させることは出来ない。また、熱膨張係数
の差により反りやクラックが入るという問題もある。こ
れらの問題点を解決するために一般に種々のバッファ層
を導入することが行われている。
例えば、Ｇ ａ Ａ ｓ ／ Ｓ ｉにおいては、４０
０℃程度の低温で成長させたＧａＡｓ （ジャパニーズ
ジャーナル オブ アプライド フィジックス２４巻
８４３ページ、１９８４年）、歪超格子（アプライド
フィジックス レター ４８巻１２２３ページ １９８
６年）等がバッファ層として用いられている。また、熱
サイクルアニール（アプライド フィジックス レター
５０巻３１ページ １９８７年）による転位低減効果
も報告されている。一方、Ｓｉ上のＧａＡｓ成長に於て
分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ）によりＧａＡｓ
層を形成した後、ＳｉＯ２をマスクとしてライン状の窓
をあけ液相エピタキシャル成長法（ＬＰＥ）によりＧａ
Ａｓの横方向成長を用いて非常に低転位のＧａＡｓを得
たという報告がある（第４９回秋季応用物理学会予稿集
ＮＯ３１２９６ページ １９８８年）。これはＳ ｉ
Ｏ２が転位遮断層として働いている為である。
０℃程度の低温で成長させたＧａＡｓ （ジャパニーズ
ジャーナル オブ アプライド フィジックス２４巻
８４３ページ、１９８４年）、歪超格子（アプライド
フィジックス レター ４８巻１２２３ページ １９８
６年）等がバッファ層として用いられている。また、熱
サイクルアニール（アプライド フィジックス レター
５０巻３１ページ １９８７年）による転位低減効果
も報告されている。一方、Ｓｉ上のＧａＡｓ成長に於て
分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ）によりＧａＡｓ
層を形成した後、ＳｉＯ２をマスクとしてライン状の窓
をあけ液相エピタキシャル成長法（ＬＰＥ）によりＧａ
Ａｓの横方向成長を用いて非常に低転位のＧａＡｓを得
たという報告がある（第４９回秋季応用物理学会予稿集
ＮＯ３１２９６ページ １９８８年）。これはＳ ｉ
Ｏ２が転位遮断層として働いている為である。
しかしながら、ＭＢＥ／ＬＰＥ成長による横方向成長以
外は依然として■−Ｖ族化合物半導体成長層中には１０
６ｃｍ−３を越える高密度の残留貫通転位が存在する。
外は依然として■−Ｖ族化合物半導体成長層中には１０
６ｃｍ−３を越える高密度の残留貫通転位が存在する。
またＭＢＥ／ＬＰＥ成長ではＳｉ基板の侵食の問題や三
日成長となり製造工程が複雑である等の問題がある。
日成長となり製造工程が複雑である等の問題がある。
本発明の目的は異種基板上に転位の少ないＩ［ｒ−Ｖ族
化合物半導体を一回成長でヘテロエピタキシャル成長さ
せる方法を提供することを目的とする。
化合物半導体を一回成長でヘテロエピタキシャル成長さ
せる方法を提供することを目的とする。
本発明のへテロエピタキシャル成長法は、■−Ｖ族化合
物半導体成長層を当該成長層とは異なる組成の基板上に
ヘテロエピタキシャル成長させる方法であって、（１１
１）面或は（１１１）面近傍よりなる基板を用い、誘電
体膜を形成した後［１１２］方向或は［１１２］方向近
傍へストライブ状に上記誘電体膜を除去する第一の工程
、ハライド系気相成長法により少なくとも１層のバッフ
ァ層を形成した後に■−Ｖ族化合物半導体成長層を（１
１１｝Ｂ面の成長速度が（１１０）面の成長速度に比べ
て充分大きな条件で成長する第二の工程、上記成長法で
＋１１１面の成長速度がｆｌ１４｝Ｂ面の成長速度に比
べて充分大きな条件でラテラル成長を平坦化するまで行
う第三の工程、■−ｖ族化合物半導体成長層を上記成長
法で？１１１１Ｂ面の成長速度が充分に大きい条件で全
面に成長する第四の工程を含むことを特徴とする成長方
法である。
物半導体成長層を当該成長層とは異なる組成の基板上に
ヘテロエピタキシャル成長させる方法であって、（１１
１）面或は（１１１）面近傍よりなる基板を用い、誘電
体膜を形成した後［１１２］方向或は［１１２］方向近
傍へストライブ状に上記誘電体膜を除去する第一の工程
、ハライド系気相成長法により少なくとも１層のバッフ
ァ層を形成した後に■−Ｖ族化合物半導体成長層を（１
１１｝Ｂ面の成長速度が（１１０）面の成長速度に比べ
て充分大きな条件で成長する第二の工程、上記成長法で
＋１１１面の成長速度がｆｌ１４｝Ｂ面の成長速度に比
べて充分大きな条件でラテラル成長を平坦化するまで行
う第三の工程、■−ｖ族化合物半導体成長層を上記成長
法で？１１１１Ｂ面の成長速度が充分に大きい条件で全
面に成長する第四の工程を含むことを特徴とする成長方
法である。
本発明によるヘテロエピタキシャル成長法では基板と成
長層の間に誘電体膜、例えばＳ ｉ ０２が挟まれてお
り、これが転位遮断層として働くことが転位低減に重要
な役割を果たす、即ち、種結晶としてＳｉ基板表面が出
ている部分の上のＧａＡｓ成長層は数多くの転位を含ん
でいるが、全面積の大部分を占めるＳ ｉ ０２上のＧ
ａＡｓ層上には殆ど転位が出来ないため全体として非常
に低転位のＧａＡｓ成長層が得られる。また、これまで
はＬＰＥ法で横方向成長を行っていたためＳｉ基板のＧ
ａ融液による侵食等の問題があったが本発明では全気相
成長法で成長を行なうためＬＰＥで見られるような問題
がなく、また製造工程が一回成長になり簡略化される。
長層の間に誘電体膜、例えばＳ ｉ ０２が挟まれてお
り、これが転位遮断層として働くことが転位低減に重要
な役割を果たす、即ち、種結晶としてＳｉ基板表面が出
ている部分の上のＧａＡｓ成長層は数多くの転位を含ん
でいるが、全面積の大部分を占めるＳ ｉ ０２上のＧ
ａＡｓ層上には殆ど転位が出来ないため全体として非常
に低転位のＧａＡｓ成長層が得られる。また、これまで
はＬＰＥ法で横方向成長を行っていたためＳｉ基板のＧ
ａ融液による侵食等の問題があったが本発明では全気相
成長法で成長を行なうためＬＰＥで見られるような問題
がなく、また製造工程が一回成長になり簡略化される。
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第一図は本発明の一実施例を説明する工程説明図である
。本実施例では基板１０としてＳｉ （１１１）面を用
いる。この基板上にまず第一工程として熱酸化法により
５ｉＯｚｌｌを２００ｎｍ形成し、次にホトリソグラフ
ィーにより＜１１２＞方向にストライブ状に５ｉ０２膜
１１を除去し幅３μｍのストライブ窓を形成してＳｉ表
面を露出させた（第一図（ａ））。
。本実施例では基板１０としてＳｉ （１１１）面を用
いる。この基板上にまず第一工程として熱酸化法により
５ｉＯｚｌｌを２００ｎｍ形成し、次にホトリソグラフ
ィーにより＜１１２＞方向にストライブ状に５ｉ０２膜
１１を除去し幅３μｍのストライブ窓を形成してＳｉ表
面を露出させた（第一図（ａ））。
第二工程としてこの基板を水素キャリアガスを用いてア
ルシン（ＡｓＨ３）雰囲気中９００″Ｃで５分間熱クリ
ーニングを行った後降温し、ハイドライド気相成長法（
ＶＰＥ）によりアンドープＧａＡｓバッファ層１２を４
００°Ｃで１１００ｎ成長した。その後ＧａＡｓ １３
を＜１１１＞ Ｂ方向の成長速度が＜１１０＞方向の成
長速度に比べて十分大きい条件（基板温度６９０℃、Ｈ
２流量：３５１ｍ ＩｎＣｌ流量：６ｓｅｃｍ Ｐ
Ｈ８流量：６ｓｅｃｍ）で成長し、矩形にＧａＡｓ １
３を２μｍ成長した（第一図（ｂ））。第三工程として
＜１１０＞方向の成長速度が＜１１１＞ Ｂ方向の成長
速度に比べて十分大きい条件（基板温度６９０℃、Ｈ２
流量：３５１ｍ ＩｎＣｌ流量： １１ ｓｃｃｍ
ＰＨ３流量：１１ｓｃｃｍ）で＜１１０＞方向へのＧ
ａＡｓ１４のラテラル成長を行った（第一図（Ｃ））。
ルシン（ＡｓＨ３）雰囲気中９００″Ｃで５分間熱クリ
ーニングを行った後降温し、ハイドライド気相成長法（
ＶＰＥ）によりアンドープＧａＡｓバッファ層１２を４
００°Ｃで１１００ｎ成長した。その後ＧａＡｓ １３
を＜１１１＞ Ｂ方向の成長速度が＜１１０＞方向の成
長速度に比べて十分大きい条件（基板温度６９０℃、Ｈ
２流量：３５１ｍ ＩｎＣｌ流量：６ｓｅｃｍ Ｐ
Ｈ８流量：６ｓｅｃｍ）で成長し、矩形にＧａＡｓ １
３を２μｍ成長した（第一図（ｂ））。第三工程として
＜１１０＞方向の成長速度が＜１１１＞ Ｂ方向の成長
速度に比べて十分大きい条件（基板温度６９０℃、Ｈ２
流量：３５１ｍ ＩｎＣｌ流量： １１ ｓｃｃｍ
ＰＨ３流量：１１ｓｃｃｍ）で＜１１０＞方向へのＧ
ａＡｓ１４のラテラル成長を行った（第一図（Ｃ））。
第四工程として（１１１）８面上の成長速度が十分大き
い条件でＧａＡｓ１５を５μｍ成長した（第一図（ｄ）
）。
い条件でＧａＡｓ１５を５μｍ成長した（第一図（ｄ）
）。
このような手法を用いることによりエッチピット密度３
Ｘ１０’ｃｍ−’程度の低転位のＧａＡｓ層が一回成長
で得られる。
Ｘ１０’ｃｍ−’程度の低転位のＧａＡｓ層が一回成長
で得られる。
本実施例においてはＳｉ上のＧａＡｓについて説明した
が、ＩｎＰでもよく、またＩ ｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡ
ｓＰ等三元、四元系材料でもよい また、基板もＳｉ以
外、例えばＧｅでもよい。さらに、基板に形成する誘電
体膜も５ｉ０２に限らず窒化膜等、他の組成のものでも
よい。
が、ＩｎＰでもよく、またＩ ｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡ
ｓＰ等三元、四元系材料でもよい また、基板もＳｉ以
外、例えばＧｅでもよい。さらに、基板に形成する誘電
体膜も５ｉ０２に限らず窒化膜等、他の組成のものでも
よい。
本実施例においては熱サイクルアニールやボストアニー
ルは行っていないが、これらを行っても勿論よい。
ルは行っていないが、これらを行っても勿論よい。
本実施例においてはハイドライド気相成長法を用いたが
、クロライド気相成長法を用いても勿論実現できる。
、クロライド気相成長法を用いても勿論実現できる。
本発明によるヘテロエピタキシャル成長法は誘電体膜が
転位遮断層として働くため■−ｖ族化合物半導体成長層
において非常に低転位のものが一回の気相成長法で得ら
れる。
転位遮断層として働くため■−ｖ族化合物半導体成長層
において非常に低転位のものが一回の気相成長法で得ら
れる。
第一図は本発明の一実施例であるＳｉ基板上へのＧａＡ
ｓの成長方法を示す工程説明図である。 図に於て、 １０・・・５ｉ（１１１）基板、１１・・・５ｉ０２膜
、１２・・・ＧａＡｓバッファ層、１３・・・矩形Ｇａ
Ａｓ成長層、１４・・・ＧａＡｓラテラル成長層、１５
・・・ＧａＡｓ全面成長層。
ｓの成長方法を示す工程説明図である。 図に於て、 １０・・・５ｉ（１１１）基板、１１・・・５ｉ０２膜
、１２・・・ＧａＡｓバッファ層、１３・・・矩形Ｇａ
Ａｓ成長層、１４・・・ＧａＡｓラテラル成長層、１５
・・・ＧａＡｓ全面成長層。
Claims (1)
- III−Ｖ族化合物半導体成長層を当該成長層とは異な
る組成の基板上にヘテロエピタキシャル成長させる方法
であつて、｛１１１｝面或は｛１１１｝面近傍よりなる
基板を用い、誘電体膜を形成した後［１１２］方向或は
［１１２］方向近傍へストライプ状に上記誘電体膜を除
去する第一の工程、ハライド系気相成長法により少なく
とも１層のバッファ層を形成した後にIII−Ｖ族化合物
半導体成長層を｛１１１｝Ｂ面の成長速度が｛１１０｝
面の成長速度に比べて充分大きな条件で成長する第二の
工程、上記成長法で｛１１０｝面の成長速度が｛１１１
｝Ｂ面の成長速度に比べて充分大きな条件でラテラル成
長を平坦化するまで行う第三の工程、III−Ｖ族化合物
半導体成長層を上記成長法で｛１１１｝Ｂ面の成長速度
が充分に大きい条件で全面に成長する第四の工程を含む
ことを特徴とする異種基板上へのIII−Ｖ族化合物半導
体のヘテロエピタキシャル成長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19964290A JPH0484418A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 異種基板上への３―ｖ族化合物半導体のヘテロエピタキシャル成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19964290A JPH0484418A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 異種基板上への３―ｖ族化合物半導体のヘテロエピタキシャル成長法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0484418A true JPH0484418A (ja) | 1992-03-17 |
Family
ID=16411247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19964290A Pending JPH0484418A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 異種基板上への３―ｖ族化合物半導体のヘテロエピタキシャル成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0484418A (ja) |
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6252261B1 (en) | 1998-09-30 | 2001-06-26 | Nec Corporation | GaN crystal film, a group III element nitride semiconductor wafer and a manufacturing process therefor |
| US6348096B1 (en) | 1997-03-13 | 2002-02-19 | Nec Corporation | Method for manufacturing group III-V compound semiconductors |
| EP1054442A3 (en) * | 1999-05-21 | 2002-04-03 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for growing epitaxial group III nitride compound semiconductors on silicon |
| US6580098B1 (en) | 1999-07-27 | 2003-06-17 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor |
| US6645295B1 (en) | 1999-05-10 | 2003-11-11 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing group III nitride compound semiconductor and a light-emitting device using group III nitride compound semiconductor |
| US6830948B2 (en) | 1999-12-24 | 2004-12-14 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for producing group III nitride compound semiconductor and group III nitride compound semiconductor device |
| US6844246B2 (en) | 2001-03-22 | 2005-01-18 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Production method of III nitride compound semiconductor, and III nitride compound semiconductor element based on it |
| US6855620B2 (en) | 2000-04-28 | 2005-02-15 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for fabricating Group III nitride compound semiconductor substrates and semiconductor devices |
| US6860943B2 (en) | 2001-10-12 | 2005-03-01 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for producing group III nitride compound semiconductor |
| US6861305B2 (en) | 2000-03-31 | 2005-03-01 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Methods for fabricating group III nitride compound semiconductors and group III nitride compound semiconductor devices |
| US6967122B2 (en) | 2000-03-14 | 2005-11-22 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride compound semiconductor and method for manufacturing the same |
| US6979584B2 (en) | 1999-12-24 | 2005-12-27 | Toyoda Gosei Co, Ltd. | Method for producing group III nitride compound semiconductor and group III nitride compound semiconductor device |
| US7052979B2 (en) | 2001-02-14 | 2006-05-30 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Production method for semiconductor crystal and semiconductor luminous element |
| US7141444B2 (en) | 2000-03-14 | 2006-11-28 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Production method of III nitride compound semiconductor and III nitride compound semiconductor element |
| JP2009177168A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-08-06 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板、半導体基板の製造方法および電子デバイス |
| WO2009110207A1 (ja) * | 2008-03-01 | 2009-09-11 | 住友化学株式会社 | 半導体基板、半導体基板の製造方法および電子デバイス |
| US7619261B2 (en) | 2000-08-07 | 2009-11-17 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor |
| WO2010038461A1 (ja) * | 2008-10-02 | 2010-04-08 | 住友化学株式会社 | 半導体基板、電子デバイス、および半導体基板の製造方法 |
| WO2010038463A1 (ja) * | 2008-10-02 | 2010-04-08 | 住友化学株式会社 | 半導体基板、電子デバイス、および半導体基板の製造方法 |
| WO2010038464A1 (ja) * | 2008-10-02 | 2010-04-08 | 住友化学株式会社 | 半導体基板、電子デバイス、および半導体基板の製造方法 |
| WO2010038460A1 (ja) * | 2008-10-02 | 2010-04-08 | 住友化学株式会社 | 半導体基板、電子デバイス、および半導体基板の製造方法 |
| WO2010061616A1 (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-03 | 住友化学株式会社 | 半導体基板、電子デバイス、および半導体基板の製造方法 |
| JP2010239130A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-10-21 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板、半導体基板の製造方法、電子デバイス、および電子デバイスの製造方法 |
| WO2011064997A1 (ja) * | 2009-11-26 | 2011-06-03 | 住友化学株式会社 | 半導体基板及び半導体基板の製造方法 |
| CN102439696A (zh) * | 2009-05-22 | 2012-05-02 | 住友化学株式会社 | 半导体基板及其制造方法、电子器件及其制造方法 |
| WO2014126055A1 (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-21 | 国立大学法人東京大学 | 半導体集積回路基板およびその製造方法 |
| JP2015512139A (ja) * | 2012-01-13 | 2015-04-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 基板上に第ｉｉｉ−ｖ族層を堆積させる方法 |
| JP2016004942A (ja) * | 2014-06-18 | 2016-01-12 | 富士通株式会社 | 半導体ナノワイヤの製造方法及び半導体ナノワイヤ素子の製造方法 |
| JP2017510060A (ja) * | 2014-01-22 | 2017-04-06 | 華為技術有限公司Ｈｕａｗｅｉ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | シリコン・オン・インシュレータ（ｓｏｉ）基板製造方法及びｓｏｉ基板 |
-
1990
- 1990-07-27 JP JP19964290A patent/JPH0484418A/ja active Pending
Cited By (54)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6555845B2 (en) | 1997-03-13 | 2003-04-29 | Nec Corporation | Method for manufacturing group III-V compound semiconductors |
| US6348096B1 (en) | 1997-03-13 | 2002-02-19 | Nec Corporation | Method for manufacturing group III-V compound semiconductors |
| US6252261B1 (en) | 1998-09-30 | 2001-06-26 | Nec Corporation | GaN crystal film, a group III element nitride semiconductor wafer and a manufacturing process therefor |
| US6645295B1 (en) | 1999-05-10 | 2003-11-11 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing group III nitride compound semiconductor and a light-emitting device using group III nitride compound semiconductor |
| US6617668B1 (en) | 1999-05-21 | 2003-09-09 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Methods and devices using group III nitride compound semiconductor |
| US6881651B2 (en) | 1999-05-21 | 2005-04-19 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Methods and devices using group III nitride compound semiconductor |
| EP1054442A3 (en) * | 1999-05-21 | 2002-04-03 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for growing epitaxial group III nitride compound semiconductors on silicon |
| US6580098B1 (en) | 1999-07-27 | 2003-06-17 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor |
| US6818926B2 (en) | 1999-07-27 | 2004-11-16 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor |
| US6835966B2 (en) | 1999-07-27 | 2004-12-28 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor |
| US7176497B2 (en) | 1999-07-27 | 2007-02-13 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride compound semiconductor |
| US6930329B2 (en) | 1999-07-27 | 2005-08-16 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor |
| US6893945B2 (en) | 1999-07-27 | 2005-05-17 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing gallium nitride group compound semiconductor |
| US6979584B2 (en) | 1999-12-24 | 2005-12-27 | Toyoda Gosei Co, Ltd. | Method for producing group III nitride compound semiconductor and group III nitride compound semiconductor device |
| US7560725B2 (en) | 1999-12-24 | 2009-07-14 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for fabricating group III nitride compound semiconductors and group III nitride compound semiconductor devices |
| US6830948B2 (en) | 1999-12-24 | 2004-12-14 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for producing group III nitride compound semiconductor and group III nitride compound semiconductor device |
| US6967122B2 (en) | 2000-03-14 | 2005-11-22 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride compound semiconductor and method for manufacturing the same |
| US7141444B2 (en) | 2000-03-14 | 2006-11-28 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Production method of III nitride compound semiconductor and III nitride compound semiconductor element |
| US7462867B2 (en) | 2000-03-14 | 2008-12-09 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride compound semiconductor devices and method for fabricating the same |
| US6861305B2 (en) | 2000-03-31 | 2005-03-01 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Methods for fabricating group III nitride compound semiconductors and group III nitride compound semiconductor devices |
| US7491984B2 (en) | 2000-03-31 | 2009-02-17 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for fabricating group III nitride compound semiconductors and group III nitride compound semiconductor devices |
| US6855620B2 (en) | 2000-04-28 | 2005-02-15 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for fabricating Group III nitride compound semiconductor substrates and semiconductor devices |
| US7619261B2 (en) | 2000-08-07 | 2009-11-17 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor |
| US7052979B2 (en) | 2001-02-14 | 2006-05-30 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Production method for semiconductor crystal and semiconductor luminous element |
| US6844246B2 (en) | 2001-03-22 | 2005-01-18 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Production method of III nitride compound semiconductor, and III nitride compound semiconductor element based on it |
| US6860943B2 (en) | 2001-10-12 | 2005-03-01 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for producing group III nitride compound semiconductor |
| JP2009177168A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-08-06 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板、半導体基板の製造方法および電子デバイス |
| WO2009110207A1 (ja) * | 2008-03-01 | 2009-09-11 | 住友化学株式会社 | 半導体基板、半導体基板の製造方法および電子デバイス |
| JP2010021583A (ja) * | 2008-03-01 | 2010-01-28 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板、半導体基板の製造方法および電子デバイス |
| US8766318B2 (en) | 2008-03-01 | 2014-07-01 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Semiconductor wafer, method of manufacturing a semiconductor wafer, and electronic device |
| WO2010038463A1 (ja) * | 2008-10-02 | 2010-04-08 | 住友化学株式会社 | 半導体基板、電子デバイス、および半導体基板の製造方法 |
| WO2010038464A1 (ja) * | 2008-10-02 | 2010-04-08 | 住友化学株式会社 | 半導体基板、電子デバイス、および半導体基板の製造方法 |
| WO2010038460A1 (ja) * | 2008-10-02 | 2010-04-08 | 住友化学株式会社 | 半導体基板、電子デバイス、および半導体基板の製造方法 |
| CN102171791A (zh) * | 2008-10-02 | 2011-08-31 | 住友化学株式会社 | 半导体基板、电子器件、以及半导体基板的制造方法 |
| TWI471910B (zh) * | 2008-10-02 | 2015-02-01 | 住友化學股份有限公司 | 半導體晶圓、電子裝置及半導體晶圓之製造方法 |
| JP2010226081A (ja) * | 2008-10-02 | 2010-10-07 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板、電子デバイス、および半導体基板の製造方法 |
| JP2010226082A (ja) * | 2008-10-02 | 2010-10-07 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板、電子デバイス、および半導体基板の製造方法 |
| JP2010226080A (ja) * | 2008-10-02 | 2010-10-07 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板、電子デバイス、および半導体基板の製造方法 |
| JP2010226079A (ja) * | 2008-10-02 | 2010-10-07 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板、電子デバイス、および半導体基板の製造方法 |
| WO2010038461A1 (ja) * | 2008-10-02 | 2010-04-08 | 住友化学株式会社 | 半導体基板、電子デバイス、および半導体基板の製造方法 |
| US8686472B2 (en) | 2008-10-02 | 2014-04-01 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Semiconductor substrate, electronic device and method for manufacturing semiconductor substrate |
| CN102171793A (zh) * | 2008-10-02 | 2011-08-31 | 住友化学株式会社 | 半导体基板、电子器件、以及半导体基板的制造方法 |
| WO2010061616A1 (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-03 | 住友化学株式会社 | 半導体基板、電子デバイス、および半導体基板の製造方法 |
| CN102227801A (zh) * | 2008-11-28 | 2011-10-26 | 住友化学株式会社 | 半导体基板、电子器件、及半导体基板的制造方法 |
| US8729677B2 (en) | 2008-11-28 | 2014-05-20 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Semiconductor substrate, electronic device and method for manufacturing semiconductor substrate |
| JP2010153846A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-07-08 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板、電子デバイス、および半導体基板の製造方法 |
| JP2010239130A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-10-21 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板、半導体基板の製造方法、電子デバイス、および電子デバイスの製造方法 |
| CN102439696A (zh) * | 2009-05-22 | 2012-05-02 | 住友化学株式会社 | 半导体基板及其制造方法、电子器件及其制造方法 |
| WO2011064997A1 (ja) * | 2009-11-26 | 2011-06-03 | 住友化学株式会社 | 半導体基板及び半導体基板の製造方法 |
| JP2015512139A (ja) * | 2012-01-13 | 2015-04-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 基板上に第ｉｉｉ−ｖ族層を堆積させる方法 |
| WO2014126055A1 (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-21 | 国立大学法人東京大学 | 半導体集積回路基板およびその製造方法 |
| JP2017510060A (ja) * | 2014-01-22 | 2017-04-06 | 華為技術有限公司Ｈｕａｗｅｉ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | シリコン・オン・インシュレータ（ｓｏｉ）基板製造方法及びｓｏｉ基板 |
| US10804137B2 (en) | 2014-01-22 | 2020-10-13 | Huawei Technologies Co., Ltd. | SOI substrate manufacturing method and SOI substrate |
| JP2016004942A (ja) * | 2014-06-18 | 2016-01-12 | 富士通株式会社 | 半導体ナノワイヤの製造方法及び半導体ナノワイヤ素子の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0484418A (ja) | 異種基板上への３―ｖ族化合物半導体のヘテロエピタキシャル成長法 | |
| US4876219A (en) | Method of forming a heteroepitaxial semiconductor thin film using amorphous buffer layers | |
| US6232138B1 (en) | Relaxed InxGa(1-x)as buffers | |
| KR100319300B1 (ko) | 이종접합구조의 양자점 버퍼층을 가지는 반도체 소자 | |
| CA1297390C (en) | Method of epitaxially growing gallium arsenide on silicon | |
| JPH03188619A (ja) | 異種基板上への３―５族化合物半導体のヘテロエピタキシャル成長法 | |
| EP0430562B1 (en) | Semiconductor heterostructure and method of producing the same | |
| JPH03171617A (ja) | シリコン基板上への３―５族化合物半導体のエピタキシャル成長方法 | |
| JPH03161922A (ja) | 異種基板上への３―５族化合物半導体のヘテロエピタキシャル成長法 | |
| JP2687445B2 (ja) | ヘテロエピタキシャル成長方法 | |
| US5183778A (en) | Method of producing a semiconductor device | |
| JPH0434920A (ja) | 異種基板上への３―ｖ族化合物半導体のヘテロエピタキシャル成長法 | |
| JPH0645249A (ja) | ＧａＡｓ層の成長方法 | |
| JP3107646U (ja) | 化合物半導体エピタキシャルウエハ | |
| JPH0263115A (ja) | 薄膜の選択成長方法 | |
| JPH03253021A (ja) | 異種基板上への３―ｖ族化合物半導体のヘテロエピタキシャル成長法 | |
| JPS63192227A (ja) | 化合物半導体のエピタキシヤル成長方法 | |
| JPH01179788A (ja) | Ｓｉ基板上への３−５族化合物半導体結晶の成長方法 | |
| JP2599576B2 (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族の化合物半導体の二次元薄膜の成長方法 | |
| JP2503255B2 (ja) | 化合物半導体基板の製造方法 | |
| JP2790492B2 (ja) | 半導体薄膜の成長方法 | |
| JPH0360173B2 (ja) | ||
| JPS63155608A (ja) | 化合物半導体のエピタキシヤル成長方法 | |
| JPS62137821A (ja) | 半導体気相成長方法 | |
| JPH0620968A (ja) | 元素半導体基板上の金属膜／化合物半導体積層構造およびその製造方法 |