JPH0465820A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
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- JPH0465820A JPH0465820A JP17898090A JP17898090A JPH0465820A JP H0465820 A JPH0465820 A JP H0465820A JP 17898090 A JP17898090 A JP 17898090A JP 17898090 A JP17898090 A JP 17898090A JP H0465820 A JPH0465820 A JP H0465820A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は熱処理装置に関する。
［従来の技術］
従来から半導体ウェハの製造工程において、酸化膜、金
属膜、単結晶膜等を形成したり、不純物拡散など行う酸
化装置、ＣＶＤ装置、エピタキシャル装置、拡散装置等
の熱処理装置がある。これらの熱処理装置は、多数枚の
半導体ウェハを配置した反応管を均熱管で包囲し、均熱
管の外周にコイルヒータを配設し、外周を断熱材で被っ
た構造であり、反応管を数１００〜１２５０℃に加熱し
て反応管内に供給された反応ガスにより半導体ウェハの
成膜や不純物の拡散等の処理を行うものである。そして
、熱処理後、反応を停止させるにあたり空気等の冷却媒
体を流すことにより反応管を、反応領域の温度の均一を
維持しながら冷却し、反応の制御やプロセス時間の短縮
を図っている。即ち冷却媒体が偏在しないで反応管の外
周部全体に一様に供給され、反応領域を均一温度を維持
して冷却するようにしている（特願昭６３−１４８６７
６号）。
属膜、単結晶膜等を形成したり、不純物拡散など行う酸
化装置、ＣＶＤ装置、エピタキシャル装置、拡散装置等
の熱処理装置がある。これらの熱処理装置は、多数枚の
半導体ウェハを配置した反応管を均熱管で包囲し、均熱
管の外周にコイルヒータを配設し、外周を断熱材で被っ
た構造であり、反応管を数１００〜１２５０℃に加熱し
て反応管内に供給された反応ガスにより半導体ウェハの
成膜や不純物の拡散等の処理を行うものである。そして
、熱処理後、反応を停止させるにあたり空気等の冷却媒
体を流すことにより反応管を、反応領域の温度の均一を
維持しながら冷却し、反応の制御やプロセス時間の短縮
を図っている。即ち冷却媒体が偏在しないで反応管の外
周部全体に一様に供給され、反応領域を均一温度を維持
して冷却するようにしている（特願昭６３−１４８６７
６号）。
［発明が解決しようとする課題］
このような冷却媒体を供給する冷却装置は、空気等の冷
却された気体を送入ファンで反応管外周に供給し、反応
管を冷却した気体を吸出ファンで吸い出し循環させてい
た。しがし、吸出ファンが停止し、送入ファンのみが駆
動した場合は、装置の接合間隙から断熱材に用いられる
セラミ・ツクファイバ等の微細な断片が吹き出され、ク
リーンルーム内の汚染をきたし、クリーンルーム内に置
かれている半導体ウエノ１に非常な悪影響を与えること
が多かった。
却された気体を送入ファンで反応管外周に供給し、反応
管を冷却した気体を吸出ファンで吸い出し循環させてい
た。しがし、吸出ファンが停止し、送入ファンのみが駆
動した場合は、装置の接合間隙から断熱材に用いられる
セラミ・ツクファイバ等の微細な断片が吹き出され、ク
リーンルーム内の汚染をきたし、クリーンルーム内に置
かれている半導体ウエノ１に非常な悪影響を与えること
が多かった。
本発明は上記の欠点を解消し、クリーンルーム内の汚染
を生じさせることがない冷却装置を備え、そのためにク
リーンルーム内に配置される半導体ウェハを汚染させず
、不良品を生じさせることのない熱処理装置を提供する
ことを目的とする。
を生じさせることがない冷却装置を備え、そのためにク
リーンルーム内に配置される半導体ウェハを汚染させず
、不良品を生じさせることのない熱処理装置を提供する
ことを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記の目的を達成するため本発明の熱処理装置は、被処
理体を収容する反応管と、前記反応管を囲繞して設けら
れたヒータと、前記反応管の外側に冷却媒体を供給する
冷却装置とを備えた熱処理装置において、前記冷却装置
は前記冷却媒体の送入装置と、前記冷却媒体の吸出装置
と、前記吸出装置の下流及び上流間に設けた差圧計と、
前記差圧計の出力により前記冷却装置をモニタする手段
とを備えたものである。
理体を収容する反応管と、前記反応管を囲繞して設けら
れたヒータと、前記反応管の外側に冷却媒体を供給する
冷却装置とを備えた熱処理装置において、前記冷却装置
は前記冷却媒体の送入装置と、前記冷却媒体の吸出装置
と、前記吸出装置の下流及び上流間に設けた差圧計と、
前記差圧計の出力により前記冷却装置をモニタする手段
とを備えたものである。
［作用］
本発明の熱処理装置は、半導体ウエノ１を配置した反応
管を均熱管で被い、均熱管の外周にヒータを設け、さら
にその外周に断熱材を設けたもので加熱処理を行った後
、反応管内の反応領域を均一温度を保ちながら冷却する
冷却装置を備える。冷却装置は反応管と均熱管の間隙に
空気等の冷却媒体を流入するため、送入装置により反応
領域に冷却媒体を供給し、吸出装置により反応管と均熱
管との間隙から排気させるものである。この時、吸出装
置の上流と下流の差圧を測定し、その測定値に基きどち
らか一方の装置の作動停止を検出した場合、他方の装置
の作動を停止して送入装置と吸出装置が連動して作動、
停止するようにしたものである。
管を均熱管で被い、均熱管の外周にヒータを設け、さら
にその外周に断熱材を設けたもので加熱処理を行った後
、反応管内の反応領域を均一温度を保ちながら冷却する
冷却装置を備える。冷却装置は反応管と均熱管の間隙に
空気等の冷却媒体を流入するため、送入装置により反応
領域に冷却媒体を供給し、吸出装置により反応管と均熱
管との間隙から排気させるものである。この時、吸出装
置の上流と下流の差圧を測定し、その測定値に基きどち
らか一方の装置の作動停止を検出した場合、他方の装置
の作動を停止して送入装置と吸出装置が連動して作動、
停止するようにしたものである。
［実施例コ
本発明の熱処理装置を適用した一実施例を図面を参照し
て説明する。
て説明する。
第１図に示す熱処理装置１は、その中心に石英等の円筒
状の反応管２が垂直に配置される。反応管２の頂部には
所定の反応ガス供給系に接続される反応ガス流入口３が
設けられ、反応ガス流入口３から反応管２内に供給され
た反応ガスが排気される排気系に接続された反応ガス排
気口４が反応管２の下方に設けられる。反応管２は開口
部から挿入される石英製のボート５に載置された複数の
被処理体である半導体ウエノ八６が均一に加熱されるよ
う均熱管７で包囲され、均熱管７の外周にはコイルヒー
タ等のヒータ８が囲繞して設けられる。
状の反応管２が垂直に配置される。反応管２の頂部には
所定の反応ガス供給系に接続される反応ガス流入口３が
設けられ、反応ガス流入口３から反応管２内に供給され
た反応ガスが排気される排気系に接続された反応ガス排
気口４が反応管２の下方に設けられる。反応管２は開口
部から挿入される石英製のボート５に載置された複数の
被処理体である半導体ウエノ八６が均一に加熱されるよ
う均熱管７で包囲され、均熱管７の外周にはコイルヒー
タ等のヒータ８が囲繞して設けられる。
ヒータ８の外周は、断熱材９で被われ、ヒータ８の熱が
効率良く反応管２を加熱するようになっている。反応管
２の外周にはさらに複数の熱電対（図示せず）等のセン
サが備えられ、センサの検出値が入力される制御機構に
よりヒータ８の供給電力を調整したり、冷却装置Ｋを駆
動したりできるようになっている。
効率良く反応管２を加熱するようになっている。反応管
２の外周にはさらに複数の熱電対（図示せず）等のセン
サが備えられ、センサの検出値が入力される制御機構に
よりヒータ８の供給電力を調整したり、冷却装置Ｋを駆
動したりできるようになっている。
冷却装置には、チルドエア等、冷却媒体の供給源である
冷却媒体供給源１０を備え、先端が反応管２と均熱管７
間に配設されるノズル１１からバルブ１２によりそれぞ
れ供給量を調整された冷却媒体供給源１０からのチルド
エアを供給する送入装置である送入ファン１３が備えら
れる。ノズル１１は、図示はしないが、外周方向９００
毎に４ケ所、それぞれ反応管２の長手方向に４列、合計
１６ケ所に設けられる。そしてノズル１１は長手方向に
１列に４本のノズルが支持板１４に一体となって固定さ
れ、支持板１４はエアシリンダ１５のピストン（図示せ
ず）に接続され、ヒータ８が作動している間はノズルが
装置外に退去するよう移動可能になっている。
冷却媒体供給源１０を備え、先端が反応管２と均熱管７
間に配設されるノズル１１からバルブ１２によりそれぞ
れ供給量を調整された冷却媒体供給源１０からのチルド
エアを供給する送入装置である送入ファン１３が備えら
れる。ノズル１１は、図示はしないが、外周方向９００
毎に４ケ所、それぞれ反応管２の長手方向に４列、合計
１６ケ所に設けられる。そしてノズル１１は長手方向に
１列に４本のノズルが支持板１４に一体となって固定さ
れ、支持板１４はエアシリンダ１５のピストン（図示せ
ず）に接続され、ヒータ８が作動している間はノズルが
装置外に退去するよう移動可能になっている。
ここで、ノズル１１はアルミナ等のセラミック製で外径
３０ｎ＋ｍで、先端は第２図に示すように、先端に吹出
し口１６を２ケ所備え、吹出し口１６の左右から外周の
１８０°方向に冷却媒体を送出する。さらに冷却装置は
反応管２と均熱管７間に供給された冷却媒体を排出する
吸出装置である吸出ファン１７が装置の上部の外周９０
°毎に４ケ所設けれた排気ノズル１８に接続されて設け
られる。排出ノズル１８から吸出ファン１７間には、第
３図の構成図に示すように、流量自動調整を行うエアシ
リンダ等の調整弁１９及び熱交換器２０が設けられ、吸
出ファン１７に至るまでに高温になった空気が冷却され
るようになっている。さらに冷却装置Ｋには吸出ファン
１７の上流側と下流側間の圧力差を測定する差圧計２１
を備え、差圧計２１の検出値を入力し、所定の差圧以上
の値を検出すると、送入ファン１３及び吸出ファン１７
に駆動電流を供給するのを停止するインターロック２２
に制御信号を出力する制御回路２３が備えられ、冷却装
置Ｋをモニタする手段を構成する。
３０ｎ＋ｍで、先端は第２図に示すように、先端に吹出
し口１６を２ケ所備え、吹出し口１６の左右から外周の
１８０°方向に冷却媒体を送出する。さらに冷却装置は
反応管２と均熱管７間に供給された冷却媒体を排出する
吸出装置である吸出ファン１７が装置の上部の外周９０
°毎に４ケ所設けれた排気ノズル１８に接続されて設け
られる。排出ノズル１８から吸出ファン１７間には、第
３図の構成図に示すように、流量自動調整を行うエアシ
リンダ等の調整弁１９及び熱交換器２０が設けられ、吸
出ファン１７に至るまでに高温になった空気が冷却され
るようになっている。さらに冷却装置Ｋには吸出ファン
１７の上流側と下流側間の圧力差を測定する差圧計２１
を備え、差圧計２１の検出値を入力し、所定の差圧以上
の値を検出すると、送入ファン１３及び吸出ファン１７
に駆動電流を供給するのを停止するインターロック２２
に制御信号を出力する制御回路２３が備えられ、冷却装
置Ｋをモニタする手段を構成する。
吸出ファン１７により吸引された冷却媒体流路は工場排
気等の排気系に接続される。
気等の排気系に接続される。
このような構成の熱処理装置の動作を説明する。
半導体ウェハ６を載置したボート５が反応管２の開口部
から挿入され所定の位置に配置されると、ヒータ８によ
り反応管２を所定の温度に加熱する。
から挿入され所定の位置に配置されると、ヒータ８によ
り反応管２を所定の温度に加熱する。
そして反応ガス排気口４から反応ガスを排気させつつ反
応ガス流入口３から反応ガスの所定の量を反応管２内に
供給する。所定の時間熱処理を行った後、ヒータ８を停
止させ冷却装置Ｋを作動させる。まずエアシリンダ１５
を動作させて支持板１４に固定されたノズル１１を先端
が反応管２と均熱管７間に位置するまで挿入する。そし
て送入ファン１３を駆動して冷却媒体供給源１０からチ
ルドエア等の冷却媒体を反応管２と均熱管７間に供給す
る。その時、それぞれのノズル１１の先端から反応管２
の外周１８０°の２方向に冷却媒体か噴出される。この
時、吸出ファン１７を作動させ、冷却媒体は反応管２の
壁を螺旋状を描きながら上昇し、反応管２の全体に行亘
って反応管２を均一な温度に保ちながら冷却する。
応ガス流入口３から反応ガスの所定の量を反応管２内に
供給する。所定の時間熱処理を行った後、ヒータ８を停
止させ冷却装置Ｋを作動させる。まずエアシリンダ１５
を動作させて支持板１４に固定されたノズル１１を先端
が反応管２と均熱管７間に位置するまで挿入する。そし
て送入ファン１３を駆動して冷却媒体供給源１０からチ
ルドエア等の冷却媒体を反応管２と均熱管７間に供給す
る。その時、それぞれのノズル１１の先端から反応管２
の外周１８０°の２方向に冷却媒体か噴出される。この
時、吸出ファン１７を作動させ、冷却媒体は反応管２の
壁を螺旋状を描きながら上昇し、反応管２の全体に行亘
って反応管２を均一な温度に保ちながら冷却する。
そして、吸出ファン１７の上流、下流の圧力の差を差圧
計２１で測定することにより、送入ファン１３及び吸出
ファン１７の駆動状態をモニターし、この検出信号を制
御回路２３に出力する。ここで、吸出ファン１７が正常
動作ならば、差圧計の測定は所定値以上例えば５０ｍｍ
Ｈ２Ｏであり送入ファン１３及び吸出ファン１７の駆動
状態を続けさせる。しかし、差圧計からの検知信号が所
定の値以下の正常動作時の値と異なる値であれば、制御
回路２３からインターロック２２に駆動信号を送出し、
これにより吸出ファン１７あるいは送入ファン１３の作
動を停止させる。即ち、吸出ファン１７の上流及び下流
間の差圧が所定以上の低圧になれば、吸出ファン１７の
故障を検知して送入ファン１３を停止させる。以上のよ
うにすることで吸出ファン１７の故障が生じても断熱材
９の断片がクリーンルームに吹き出されることがなく、
クリーンルーム内を清浄に維持することができる。
計２１で測定することにより、送入ファン１３及び吸出
ファン１７の駆動状態をモニターし、この検出信号を制
御回路２３に出力する。ここで、吸出ファン１７が正常
動作ならば、差圧計の測定は所定値以上例えば５０ｍｍ
Ｈ２Ｏであり送入ファン１３及び吸出ファン１７の駆動
状態を続けさせる。しかし、差圧計からの検知信号が所
定の値以下の正常動作時の値と異なる値であれば、制御
回路２３からインターロック２２に駆動信号を送出し、
これにより吸出ファン１７あるいは送入ファン１３の作
動を停止させる。即ち、吸出ファン１７の上流及び下流
間の差圧が所定以上の低圧になれば、吸出ファン１７の
故障を検知して送入ファン１３を停止させる。以上のよ
うにすることで吸出ファン１７の故障が生じても断熱材
９の断片がクリーンルームに吹き出されることがなく、
クリーンルーム内を清浄に維持することができる。
ここでモータ駆動を検知する電流計でなく吸出ファンの
上流と下流の圧力を検知する差圧計を設けたのは、送入
ファンや吸出ファンのモータは正常に駆動していてもフ
ァンがモータ軸から外れた状態の場合もあるのでモータ
駆動の検知では故障の検出としては不十分であるからで
ある。
上流と下流の圧力を検知する差圧計を設けたのは、送入
ファンや吸出ファンのモータは正常に駆動していてもフ
ァンがモータ軸から外れた状態の場合もあるのでモータ
駆動の検知では故障の検出としては不十分であるからで
ある。
［発明の効果コ
以上の説明から明らかなように本発明の熱処理装置によ
れば、冷却媒体が反応管全体を偏在することなく、均一
に冷却することができる。また、冷却媒体を循環させる
送入ファンと吸出ファンを連動させるため、一方の故障
のために冷却媒体がクリーンルーム内に送出されること
なく、そのために断熱材の切片がクリーンリーム内を汚
染してしまうという万一の場合に備えることができる。
れば、冷却媒体が反応管全体を偏在することなく、均一
に冷却することができる。また、冷却媒体を循環させる
送入ファンと吸出ファンを連動させるため、一方の故障
のために冷却媒体がクリーンルーム内に送出されること
なく、そのために断熱材の切片がクリーンリーム内を汚
染してしまうという万一の場合に備えることができる。
従って常に清浄な状態で半導体ウェハを製造することが
でき、コスト的にも安定するため、非常に有効的である
。
でき、コスト的にも安定するため、非常に有効的である
。
第１図は本発明の熱処理装置の一実施例の概略構成図、
第２図及び第３図は第１図に示す一実施例の要部を示す
図である。 １・・・・・・熱処理装置 ２・・・・・・反応管 ６・・・・・・半導体ウェハ（被処理体）７・・・・・
・均熱管 Ｋ・・・・・・冷却装置 １３・・・・・・送入ファン（送入装置）１７・・・・
・・吸出ファン（吸出装置）２１・・・・・・差圧計（
モニタする手段）２２・・・・・・インターロック （モニタする手段）
第２図及び第３図は第１図に示す一実施例の要部を示す
図である。 １・・・・・・熱処理装置 ２・・・・・・反応管 ６・・・・・・半導体ウェハ（被処理体）７・・・・・
・均熱管 Ｋ・・・・・・冷却装置 １３・・・・・・送入ファン（送入装置）１７・・・・
・・吸出ファン（吸出装置）２１・・・・・・差圧計（
モニタする手段）２２・・・・・・インターロック （モニタする手段）
Claims (1)
- 被処理体を収容する反応管と、前記反応管を囲繞して設
けられたヒータと、前記反応管の外側に冷却媒体を供給
する冷却装置とを備えた熱処理装置において、前記冷却
装置は前記冷却媒体の送入装置と、前記冷却媒体の吸出
装置と、前記吸出装置の下流及び上流間に設けた差圧計
と、前記差圧計の出力により前記冷却装置をモニタする
手段とを備えたことを特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17898090A JP2931641B2 (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17898090A JP2931641B2 (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | 熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0465820A true JPH0465820A (ja) | 1992-03-02 |
| JP2931641B2 JP2931641B2 (ja) | 1999-08-09 |
Family
ID=16058013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17898090A Expired - Lifetime JP2931641B2 (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2931641B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990072527A (ko) * | 1998-02-10 | 1999-09-27 | 실리콘 밸리 그룹-떰코 | 재순환히터배출냉각시스템을구비한반도체열프로세서 |
| KR100273683B1 (ko) * | 1993-11-25 | 2001-01-15 | 김영환 | 반도체 소자 제조용 튜브 냉각장치 운용방법 |
| JP2002353143A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-12-06 | Applied Materials Inc | チャンバ冷却装置および半導体製造装置 |
| DE102010015071A1 (de) | 2009-08-07 | 2011-03-03 | Kyosan Electric Mfg. Co., Ltd., Yokohama | Steuerungsverfahren für pulsmodulierte Hochfrequenzleistung und Versorgungsvorrichtung für pulsmodulierte Hochfrequenzleistung |
| JP2013062361A (ja) * | 2011-09-13 | 2013-04-04 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置、温度制御システム、熱処理方法、温度制御方法及びその熱処理方法又はその温度制御方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
| JP2013191882A (ja) * | 2007-01-26 | 2013-09-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理方法、半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
| WO2018105113A1 (ja) * | 2016-12-09 | 2018-06-14 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、クーリングユニット及び断熱構造体 |
| JP2019054232A (ja) * | 2017-09-12 | 2019-04-04 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | クーリングユニット、断熱構造体及び基板処理装置、半導体装置の製造方法並びにプログラム |
| US11043402B2 (en) | 2017-09-12 | 2021-06-22 | Kokusai Electric Corporation | Cooling unit, heat insulating structure, and substrate processing apparatus |
-
1990
- 1990-07-06 JP JP17898090A patent/JP2931641B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100273683B1 (ko) * | 1993-11-25 | 2001-01-15 | 김영환 | 반도체 소자 제조용 튜브 냉각장치 운용방법 |
| KR19990072527A (ko) * | 1998-02-10 | 1999-09-27 | 실리콘 밸리 그룹-떰코 | 재순환히터배출냉각시스템을구비한반도체열프로세서 |
| JP2002353143A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-12-06 | Applied Materials Inc | チャンバ冷却装置および半導体製造装置 |
| JP2013191882A (ja) * | 2007-01-26 | 2013-09-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理方法、半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
| DE102010015071A1 (de) | 2009-08-07 | 2011-03-03 | Kyosan Electric Mfg. Co., Ltd., Yokohama | Steuerungsverfahren für pulsmodulierte Hochfrequenzleistung und Versorgungsvorrichtung für pulsmodulierte Hochfrequenzleistung |
| JP2013062361A (ja) * | 2011-09-13 | 2013-04-04 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置、温度制御システム、熱処理方法、温度制御方法及びその熱処理方法又はその温度制御方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
| WO2018105113A1 (ja) * | 2016-12-09 | 2018-06-14 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、クーリングユニット及び断熱構造体 |
| JPWO2018105113A1 (ja) * | 2016-12-09 | 2019-10-24 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、クーリングユニット及び断熱構造体 |
| JP2019054232A (ja) * | 2017-09-12 | 2019-04-04 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | クーリングユニット、断熱構造体及び基板処理装置、半導体装置の製造方法並びにプログラム |
| US11043402B2 (en) | 2017-09-12 | 2021-06-22 | Kokusai Electric Corporation | Cooling unit, heat insulating structure, and substrate processing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2931641B2 (ja) | 1999-08-09 |
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