JPH045850A - 半導体素子 - Google Patents
半導体素子Info
- Publication number
- JPH045850A JPH045850A JP10814690A JP10814690A JPH045850A JP H045850 A JPH045850 A JP H045850A JP 10814690 A JP10814690 A JP 10814690A JP 10814690 A JP10814690 A JP 10814690A JP H045850 A JPH045850 A JP H045850A
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- Japan
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- gate electrode
- semiconductor
- resistance value
- present
- resistor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、抵抗を有する半導体素子に関するものであり
、詳しく言えばデジタル的、即ち段階的に抵抗値を変化
することができる半導体層を用いた抵抗を有するものに
関するものである。
、詳しく言えばデジタル的、即ち段階的に抵抗値を変化
することができる半導体層を用いた抵抗を有するものに
関するものである。
以下では説明のために、ＧａＡｓ半導体を例にとって説
明する。第４図、第５図はＧ ａ Ａ ｓ半導体素子上
に形成した抵抗の例である。図において、１は半絶縁性
Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２は基板中に例えばイオン注入で
形成されたｎ型導電層、３は例えばＡｕＣ；ｅＮｉ合金
を主成分とするオーム性電極であり、第４図はその断面
図を、第５図はその平面図を示す。
明する。第４図、第５図はＧ ａ Ａ ｓ半導体素子上
に形成した抵抗の例である。図において、１は半絶縁性
Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２は基板中に例えばイオン注入で
形成されたｎ型導電層、３は例えばＡｕＣ；ｅＮｉ合金
を主成分とするオーム性電極であり、第４図はその断面
図を、第５図はその平面図を示す。
このような抵抗の抵抗値Ｒは、第４図中に示すｎ型導電
層の厚さをｄ、比抵抗をρとし、また第５図に示すよう
に抵抗の幅をＷ、長さをＬとすれば、 Ｒ＝ρＬ’／Ｗｄ ・・・（１） となる。
層の厚さをｄ、比抵抗をρとし、また第５図に示すよう
に抵抗の幅をＷ、長さをＬとすれば、 Ｒ＝ρＬ’／Ｗｄ ・・・（１） となる。
従来の半導体素子は以上のように構成されており、その
抵抗は一度作ったら、その値が変えられないのが普通で
ある。しかし、実際に回路を構成した場合、抵抗値が可
変、あるいは調整可能であることが求められることがし
ばしばある。そのような場合、従来は抵抗体の一部をレ
ーザで焼ききり抵抗値を調整する方法や抵抗体の一部を
化学的にエツチングして調整する方法等の所謂トリミン
グ手法が使われていた。また、抵抗値の異なる抵抗を始
めから用意して必要に応じて配線を変更して必要な抵抗
を選択使用する等の方法もあった。
抵抗は一度作ったら、その値が変えられないのが普通で
ある。しかし、実際に回路を構成した場合、抵抗値が可
変、あるいは調整可能であることが求められることがし
ばしばある。そのような場合、従来は抵抗体の一部をレ
ーザで焼ききり抵抗値を調整する方法や抵抗体の一部を
化学的にエツチングして調整する方法等の所謂トリミン
グ手法が使われていた。また、抵抗値の異なる抵抗を始
めから用意して必要に応じて配線を変更して必要な抵抗
を選択使用する等の方法もあった。
しかしながら、このような方法はプロセスが複雑であっ
たり、トリミングのために高価な設備を必要とするなど
の難点があった。また、上記の従来の方法では調・整は
一回のみであり、抵抗値をその都度必要に応じて変化さ
せる所謂可変抵抗としての使い方はできないものであっ
た。
たり、トリミングのために高価な設備を必要とするなど
の難点があった。また、上記の従来の方法では調・整は
一回のみであり、抵抗値をその都度必要に応じて変化さ
せる所謂可変抵抗としての使い方はできないものであっ
た。
本発明は上記のような従来の半導体抵抗の欠点をなくす
目的でなされたものであり、電気的に抵抗値の切り替え
可能な半導体素子を提供せんとするものである。
目的でなされたものであり、電気的に抵抗値の切り替え
可能な半導体素子を提供せんとするものである。
この発明に係る半導体素子は、半導体層の両端にオーム
性電極を付け、そのオーム性電極の間に挟まれた半導体
部分にショットキー接合、またはｐｎ接合からなるゲー
ト電極を１本または複数本形成し、かつそのゲート電極
の幅を半導体領域の幅より短くしたものである。
性電極を付け、そのオーム性電極の間に挟まれた半導体
部分にショットキー接合、またはｐｎ接合からなるゲー
ト電極を１本または複数本形成し、かつそのゲート電極
の幅を半導体領域の幅より短くしたものである。
この発明においては、上述のように構成したことにより
、半導体層の抵抗にしたい部分がゲート電極により切断
されず、ゲート電極に電位を与えるか与えないかで抵抗
が変化するようにしたので、抵抗値の制御が容易にでき
る可変抵抗となる。
、半導体層の抵抗にしたい部分がゲート電極により切断
されず、ゲート電極に電位を与えるか与えないかで抵抗
が変化するようにしたので、抵抗値の制御が容易にでき
る可変抵抗となる。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すもので、本発明の最も
基本的な構成を示すものである。第１図（ａ）はその平
面図を示すもので、ｎ型ＧａＡｓ層２の両端にオーム性
電極３を形成し、その間にゲート電極４を設けている。
基本的な構成を示すものである。第１図（ａ）はその平
面図を示すもので、ｎ型ＧａＡｓ層２の両端にオーム性
電極３を形成し、その間にゲート電極４を設けている。
ここで、ゲート電極４は図に示すようにＧａＡｓ層の幅
全体とはせずに幅Ｗよりも短＜（Ｗｌ）作ることが本発
明の特徴である。ゲート電極は例えばタングステンシリ
サイドなどＧａＡｓと良好なショットキー接合をつくる
金属で作ることができる。また、第１図（ａ）の５はゲ
ート電極４の引き出し電極である。
全体とはせずに幅Ｗよりも短＜（Ｗｌ）作ることが本発
明の特徴である。ゲート電極は例えばタングステンシリ
サイドなどＧａＡｓと良好なショットキー接合をつくる
金属で作ることができる。また、第１図（ａ）の５はゲ
ート電極４の引き出し電極である。
次に動作について説明する。第１図（ｂ）、 （Ｃ）は
同図（ａ）のＡ−Ａ ’線断面を示したもので、同図（
ｂ）はゲート電極４に電位を与えない場合、同図（Ｃ）
は両端のオーム性電極の内、低電位側の電極よりもさら
に負の電位をあたえ、ＧａＡｓ層の厚さｄ全体を空乏化
した状態を示している。第１図（ｂ）の状態では、ゲー
ト電極４の下は金属と半導体の接触電位骨だけ空乏化し
ているが、その量は僅かであり無視すればその抵抗値は
式（１）で表わされる。
同図（ａ）のＡ−Ａ ’線断面を示したもので、同図（
ｂ）はゲート電極４に電位を与えない場合、同図（Ｃ）
は両端のオーム性電極の内、低電位側の電極よりもさら
に負の電位をあたえ、ＧａＡｓ層の厚さｄ全体を空乏化
した状態を示している。第１図（ｂ）の状態では、ゲー
ト電極４の下は金属と半導体の接触電位骨だけ空乏化し
ているが、その量は僅かであり無視すればその抵抗値は
式（１）で表わされる。
一方、第１図（Ｃ）の場合はゲート電極４の下が空乏化
しており、電子が流れないため抵抗値はゲート電極の左
側、ゲート電極の先端部のｎ型部分およびゲート電極の
右側部分の和となり、近似的に次式で表わされる。
しており、電子が流れないため抵抗値はゲート電極の左
側、ゲート電極の先端部のｎ型部分およびゲート電極の
右側部分の和となり、近似的に次式で表わされる。
Ｒ−ρＬｌ／Ｗｄ＋ρＬ３／ （ｔ−Ｗｌ）ｄ＋ρＬ２
／Ｗｄ ・・・（２） このように、本発明ではゲート電極に電圧を加えるか、
加えないかで抵抗値を式（１）と式（２）で切り替える
ことができる。もちろん、ゲート電極４の下を完全には
空乏化しないようにゲート電圧を選ぶことで、式（１）
と式（２）の間の抵抗値を選ぶことも可能である。しか
し、このような使い方はゲート電圧の微妙な制御が必要
となるため、あまり使われない。
／Ｗｄ ・・・（２） このように、本発明ではゲート電極に電圧を加えるか、
加えないかで抵抗値を式（１）と式（２）で切り替える
ことができる。もちろん、ゲート電極４の下を完全には
空乏化しないようにゲート電圧を選ぶことで、式（１）
と式（２）の間の抵抗値を選ぶことも可能である。しか
し、このような使い方はゲート電圧の微妙な制御が必要
となるため、あまり使われない。
第２図および第３図は、本発明の第２．第３の実施例を
示したものである。本発明の効果はこれらの実施例にお
いて最もよく現れている。第２図および第３図に明らか
なようにこれらの実施例ではゲート電極が複数（第２図
では２木、第３図では３本）あることが特徴である。こ
のような構成では、各ゲート電極に電位を与えたり、与
えなかったりすることで複雑な抵抗値の制御が可能であ
り、このことは、これまでの説明と第２図あるいは第３
図の構成図から容易に理解できる。
示したものである。本発明の効果はこれらの実施例にお
いて最もよく現れている。第２図および第３図に明らか
なようにこれらの実施例ではゲート電極が複数（第２図
では２木、第３図では３本）あることが特徴である。こ
のような構成では、各ゲート電極に電位を与えたり、与
えなかったりすることで複雑な抵抗値の制御が可能であ
り、このことは、これまでの説明と第２図あるいは第３
図の構成図から容易に理解できる。
もちろんゲート電極の本数はいくらでも必要に応じて増
やすことができる。そうすればさらに微妙な抵抗値の制
御ができる。
やすことができる。そうすればさらに微妙な抵抗値の制
御ができる。
以上、説明ではＧａＡｓを例にとって説明したが、シリ
コンなど他の半導体であっても良いことは当然である。
コンなど他の半導体であっても良いことは当然である。
以上のように、本発明に係る半導体素子によれば、ゲー
ト電極に電位を与えることで抵抗値の制御が容易にでき
、しも可逆である。即ち、従来の固定抵抗ではなく可変
抵抗となる。このような抵抗は電子回路（集積回路）の
中において、重要な役割を果たし、本発明の工業的価値
は極めて大きいと言える。
ト電極に電位を与えることで抵抗値の制御が容易にでき
、しも可逆である。即ち、従来の固定抵抗ではなく可変
抵抗となる。このような抵抗は電子回路（集積回路）の
中において、重要な役割を果たし、本発明の工業的価値
は極めて大きいと言える。
第１図、第２図、第３図は本発明の実施例を示す図、第
４図、第５図は従来の半導体素子を説明するための図で
ある。 図中、１はＧａＡｓ基板、２はｎ型ＧａＡｓの導電層、
３はオーム性電極、４． ４１． ４２． ４３はゲー
ト電極、５．５１，５２．５３はゲート引き出し電極、
６は空乏層である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
４図、第５図は従来の半導体素子を説明するための図で
ある。 図中、１はＧａＡｓ基板、２はｎ型ＧａＡｓの導電層、
３はオーム性電極、４． ４１． ４２． ４３はゲー
ト電極、５．５１，５２．５３はゲート引き出し電極、
６は空乏層である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）半導体層の両端に設けられたオーム性電極と、 そのオーム性電極の間に挟まれた半導体部分に１本また
は複数本形成された、ショットキー接合またはｐｎ接合
からなるゲート電極とを備え、前記ゲート電極の幅を前
記半導体領域の幅より短かくしたことを特徴とする半導
体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10814690A JPH045850A (ja) | 1990-04-23 | 1990-04-23 | 半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10814690A JPH045850A (ja) | 1990-04-23 | 1990-04-23 | 半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH045850A true JPH045850A (ja) | 1992-01-09 |
Family
ID=14477108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10814690A Pending JPH045850A (ja) | 1990-04-23 | 1990-04-23 | 半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH045850A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9320660B2 (en) | 2009-11-27 | 2016-04-26 | Sumitomo Seika Chemicals Co., Ltd. | Process for production of water-absorbing resin particles, water-absorbing resin particles, water-stopping material, and absorbent article |
-
1990
- 1990-04-23 JP JP10814690A patent/JPH045850A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9320660B2 (en) | 2009-11-27 | 2016-04-26 | Sumitomo Seika Chemicals Co., Ltd. | Process for production of water-absorbing resin particles, water-absorbing resin particles, water-stopping material, and absorbent article |
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