JPH0453165A - 画像読取装置 - Google Patents
画像読取装置Info
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- JPH0453165A JPH0453165A JP2157645A JP15764590A JPH0453165A JP H0453165 A JPH0453165 A JP H0453165A JP 2157645 A JP2157645 A JP 2157645A JP 15764590 A JP15764590 A JP 15764590A JP H0453165 A JPH0453165 A JP H0453165A
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/02815—Means for illuminating the original, not specific to a particular type of pick-up head
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/011—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はファクシミリやスキャナ等に用いられる画像読
取装置に係り、特に暗出力の増大を防ぐことのできる画
像読取装置に関する。
取装置に係り、特に暗出力の増大を防ぐことのできる画
像読取装置に関する。
（従来の技術）
従来のファクシミリやスキャナ等には、光源としてＥＬ
発光素子を用いるものがあり、特に、ＥＬ発光素子と密
着型イメージセンサとを一体化した超小型の画像読取装
置が提案されている。
発光素子を用いるものがあり、特に、ＥＬ発光素子と密
着型イメージセンサとを一体化した超小型の画像読取装
置が提案されている。
この画像読取装置は、例えば第７図の断面説明図に示す
ように、ガラス、セラミック等から成る基板１上に形成
された受光素子２と、ガラス等の透明部材から成るＥＬ
基板１１上に形成されたＥＬ発光素子４とを、透明かつ
絶縁性の接着剤（接着層３）で結合させて構成されるも
ので、図の左右方向（主走査方向）に長尺状に形成され
ている。
ように、ガラス、セラミック等から成る基板１上に形成
された受光素子２と、ガラス等の透明部材から成るＥＬ
基板１１上に形成されたＥＬ発光素子４とを、透明かつ
絶縁性の接着剤（接着層３）で結合させて構成されるも
ので、図の左右方向（主走査方向）に長尺状に形成され
ている。
受光素子２は、基板１上に第７図の左右方向（主走査方
向）に離散的に分割して複数配列されるようクロム（Ｃ
ｒ）等で形成された個別電極２１と、アモルファスシリ
コン（ａ−５ｔ）で形成された帯状の光電麦換層２２と
、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）で形成された帯状の
透明電極２３とから構成されている。
向）に離散的に分割して複数配列されるようクロム（Ｃ
ｒ）等で形成された個別電極２１と、アモルファスシリ
コン（ａ−５ｔ）で形成された帯状の光電麦換層２２と
、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）で形成された帯状の
透明電極２３とから構成されている。
ＥＬ発光素子４は、ＥＬ基板１１上にＩＴＯ１Ｉｎ、Ｏ
５、ＳｎＯ３等から構成される透明電極４１と、Ｙ、０
８、Ｓ ｉ３ Ｎ、 、ＢａＴｉ０．等から成る絶縁層
４２と、ＺｎＳ：Ｍｎ等から成る発光層４３と、同上の
絶縁層４２と、アルミニウム（ＡＩ）等の金属から成る
不透明電極４４とを順次積層して構成されている。透明
電極４］と不透明電極４４との間に電圧をかけると、そ
の間で挾持された発光層４３から光が放射され、透明電
極４１を透過して原稿１００に照射される。つまり、発
光層４３からの光が透明電極４］の表面側から放射され
ることになる。
５、ＳｎＯ３等から構成される透明電極４１と、Ｙ、０
８、Ｓ ｉ３ Ｎ、 、ＢａＴｉ０．等から成る絶縁層
４２と、ＺｎＳ：Ｍｎ等から成る発光層４３と、同上の
絶縁層４２と、アルミニウム（ＡＩ）等の金属から成る
不透明電極４４とを順次積層して構成されている。透明
電極４］と不透明電極４４との間に電圧をかけると、そ
の間で挾持された発光層４３から光が放射され、透明電
極４１を透過して原稿１００に照射される。つまり、発
光層４３からの光が透明電極４］の表面側から放射され
ることになる。
前記不透明電極４４には、受光素子２の各受光部分に対
応するよう方形状の光透過窓４５が開口され、発光層４
３から発光した光が原稿１００で反射し、その反射光が
光透過窓４５を通過して受光素子２の受光部分へ照射す
るような構成となっている（特開昭５’１２１０６６４
号公報参照）。
応するよう方形状の光透過窓４５が開口され、発光層４
３から発光した光が原稿１００で反射し、その反射光が
光透過窓４５を通過して受光素子２の受光部分へ照射す
るような構成となっている（特開昭５’１２１０６６４
号公報参照）。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記のような従来の画像読取装置の構成
では、以下の問題点が存在した。これらの問題点を第７
図を使って説明する。
では、以下の問題点が存在した。これらの問題点を第７
図を使って説明する。
第１に、ＥＬＬ光素子４の発光層４３からの発光光ｐが
透明電極４１の表面側から放射され、原稿１００を照射
して反射し、光透過窓４５を透過して受光素子２の各受
光部分に入射する構成になっているが、光透過窓４５の
周辺部分の発光層４３からの発光光ｑが直接に光透過窓
４５を通過して受光素子２の各受光部分に入射してしま
うことがあった。本来は発光光ｐの反射光のみを受光す
ることが望ましいが、このように発光層４３からの直接
入射光ｑをも受光することになると、画像読取装置の暗
出力を増大させることになるとの問題点があった。
透明電極４１の表面側から放射され、原稿１００を照射
して反射し、光透過窓４５を透過して受光素子２の各受
光部分に入射する構成になっているが、光透過窓４５の
周辺部分の発光層４３からの発光光ｑが直接に光透過窓
４５を通過して受光素子２の各受光部分に入射してしま
うことがあった。本来は発光光ｐの反射光のみを受光す
ることが望ましいが、このように発光層４３からの直接
入射光ｑをも受光することになると、画像読取装置の暗
出力を増大させることになるとの問題点があった。
第２に、ＥＬ発売先素子４発光層４３からの発光光ｒが
透明電極４１の表面側から放射されるが、ＥＬＬ板１１
から原稿１００方向へ発光光ｒが透過せずに、ＥＬＬ板
１１の表面で全反射してしまい、その全反射光、／
（発光光ｒが全反射した光）が光透過窓４５を通過して
受光素子２の各受光部分に入射してしまうようなことが
あった。このように全反射光ｒ′をも受光することにな
ると、画像読取装置の暗出力を増大させることになると
の問題点があった。
透明電極４１の表面側から放射されるが、ＥＬＬ板１１
から原稿１００方向へ発光光ｒが透過せずに、ＥＬＬ板
１１の表面で全反射してしまい、その全反射光、／
（発光光ｒが全反射した光）が光透過窓４５を通過して
受光素子２の各受光部分に入射してしまうようなことが
あった。このように全反射光ｒ′をも受光することにな
ると、画像読取装置の暗出力を増大させることになると
の問題点があった。
第３に、ＥＬＬ光素子４の発光層４３からの発光光ｐが
透明電極４１の表面側から放射され、ＥＬＬ板１１から
原稿１００方向へ発光光ｐが透過ｔ ル際１：、ＥＬＬ
板１１のガラスの屈折率と原稿１００が設けられている
ところの空気の屈折率との違いから発光光ｐの何割かの
光がＥＬＬ板１１の表面で表面反射光Ｓとなって、その
表面反射光Ｓが光透過窓４５を通過して受光素子２の各
受光部分に入射してしまうようなことがあった。このよ
うに表面反射光Ｓをも受光することになると、画像読取
装置の暗出力を増大させることになるとの問題点があっ
た。
透明電極４１の表面側から放射され、ＥＬＬ板１１から
原稿１００方向へ発光光ｐが透過ｔ ル際１：、ＥＬＬ
板１１のガラスの屈折率と原稿１００が設けられている
ところの空気の屈折率との違いから発光光ｐの何割かの
光がＥＬＬ板１１の表面で表面反射光Ｓとなって、その
表面反射光Ｓが光透過窓４５を通過して受光素子２の各
受光部分に入射してしまうようなことがあった。このよ
うに表面反射光Ｓをも受光することになると、画像読取
装置の暗出力を増大させることになるとの問題点があっ
た。
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、特に上記第
１の問題点である発光層から光透過窓を通過して受光素
子の各受光部分に直接入射する直接入射光を遮光するこ
とができ、そして画像読取装置の暗出力増大を防ぐこと
のできる画像読取装置を提供することを目的とする。
１の問題点である発光層から光透過窓を通過して受光素
子の各受光部分に直接入射する直接入射光を遮光するこ
とができ、そして画像読取装置の暗出力増大を防ぐこと
のできる画像読取装置を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
上記従来例の問題点を解決するため本発明は、第１の基
板上に形成された受光素子と、第２の基板上に透明電極
、発光層、不透明電極とを有するＥＬＬ光素子とを前記
第１の基板と前記第２の基板が外側を向くように接合し
た画像読取装置において、前記ＥＬＬ光素子からの発光
光が灰受光素子側の第２の基板反対面に配置された原稿
面で反射して前記受光素子に当該反射光を導く光透過窓
を前記不透明電極に設け、前記光透過窓の周辺部分の前
記ＥＬＬ光素子部分を非発光とした非発光部を設けたこ
とを特徴としている。
板上に形成された受光素子と、第２の基板上に透明電極
、発光層、不透明電極とを有するＥＬＬ光素子とを前記
第１の基板と前記第２の基板が外側を向くように接合し
た画像読取装置において、前記ＥＬＬ光素子からの発光
光が灰受光素子側の第２の基板反対面に配置された原稿
面で反射して前記受光素子に当該反射光を導く光透過窓
を前記不透明電極に設け、前記光透過窓の周辺部分の前
記ＥＬＬ光素子部分を非発光とした非発光部を設けたこ
とを特徴としている。
（作用）
本発明によれば、従来は、発光層から発光される発光光
が直接光透過窓を通過して受光素子の各受光部分に入射
する直接入射光が存在して暗出力を増大させていたが、
本発明のようにＥＬＬ光素子の光透過窓の周辺部分に非
発光部分を設けたことにより、直接入射光を遮光するこ
とができ、画像読取装置の暗出力増大を防ぐことができ
る。
が直接光透過窓を通過して受光素子の各受光部分に入射
する直接入射光が存在して暗出力を増大させていたが、
本発明のようにＥＬＬ光素子の光透過窓の周辺部分に非
発光部分を設けたことにより、直接入射光を遮光するこ
とができ、画像読取装置の暗出力増大を防ぐことができ
る。
（実施例）
本発明の一実施例について図面を参照しながら説明する
。
。
第１図は、本発明の一実施例に係る画像読取装置全体の
断面説明図を示す。第７図と同様の構成をとる部分につ
いては同一の符号を付している。
断面説明図を示す。第７図と同様の構成をとる部分につ
いては同一の符号を付している。
本実施例の画像読取装置の構成は、ガラス、セラミック
等から成る基板１上に形成された受光素子２とガラス等
から成るＥＬ基板１１上に形成されたＥＬ発光素子４と
を、透明かつ絶縁性の接着剤（接着層３）で結合させる
ものである。
等から成る基板１上に形成された受光素子２とガラス等
から成るＥＬ基板１１上に形成されたＥＬ発光素子４と
を、透明かつ絶縁性の接着剤（接着層３）で結合させる
ものである。
受光素子２の構成は、基板１上にクロム（Ｃｒ）等の金
属から成る個別電極２１が形成され、その上にアモルフ
ァスシリコン（ａ−３ｉ）から成る光電変換層２２が形
成され、さらにその上に酸化インジウム・スズ（ｉＴＯ
）から成る透明電極２３が形成される。
属から成る個別電極２１が形成され、その上にアモルフ
ァスシリコン（ａ−３ｉ）から成る光電変換層２２が形
成され、さらにその上に酸化インジウム・スズ（ｉＴＯ
）から成る透明電極２３が形成される。
尚、ここでは下部の個別電極２１は主走査方向に離散的
に分割して形成され、透明電極２３は帯状の共通電極と
なるよう形成されることにより、光電変換層２２を個別
電極２１と透明電極２３とて挟んだ部分が各受光素子２
を構成し、その集まりが受光素子アレイを形成している
。
に分割して形成され、透明電極２３は帯状の共通電極と
なるよう形成されることにより、光電変換層２２を個別
電極２１と透明電極２３とて挟んだ部分が各受光素子２
を構成し、その集まりが受光素子アレイを形成している
。
また、離散的に分割形成された個別電極２１の端部は駆
動用ＩＣ（図示せず）に接続され、受光素子２で生成さ
れる電荷を抽出するようになっている。また、受光素子
２において、アモルファスシリコンの代わりに、ＣｄＳ
ｅ （カドミウムセレン）等を光電変換層２２とするこ
とも可能である。
動用ＩＣ（図示せず）に接続され、受光素子２で生成さ
れる電荷を抽出するようになっている。また、受光素子
２において、アモルファスシリコンの代わりに、ＣｄＳ
ｅ （カドミウムセレン）等を光電変換層２２とするこ
とも可能である。
ＥＬ発光素子４は、ＥＬ基板１１上にＩＴＯｌＩ ｎ、
０３、ＳｎＯ２等から成る透明電極４１が形成され、そ
の上にｓｉ、Ｎ、 、Ｓｉｎ、 、Ｙ。
０３、ＳｎＯ２等から成る透明電極４１が形成され、そ
の上にｓｉ、Ｎ、 、Ｓｉｎ、 、Ｙ。
０、等から成る絶縁層４２と、次ぎにＺｎＳ：Ｍｎ等か
ら成る発光層４３が形成され、またその上に絶縁層４２
と、アルミニウム（ＡＩ）等の金属から成る不透明電極
４４を順次積層している。
ら成る発光層４３が形成され、またその上に絶縁層４２
と、アルミニウム（ＡＩ）等の金属から成る不透明電極
４４を順次積層している。
前記不透明電極４４には、受光素子２の各受光部分に対
応するよう方形状の光透過窓４５が開口され、発光層４
３からの発光光が原稿１００に反射し、その反射光が光
透過窓４５を通過して受光素子２の受光部分に入射する
ような構成となっている。
応するよう方形状の光透過窓４５が開口され、発光層４
３からの発光光が原稿１００に反射し、その反射光が光
透過窓４５を通過して受光素子２の受光部分に入射する
ような構成となっている。
また、第２図のＥＬ発光素子の拡大断面説明図と第３図
のＥＬ発光素子の平面説明図に示すように、光透過窓４
５の上部に当たる透明電極４１部分には、透明電極４１
のＩＴＯ等は形成されておらず、更に、光透過窓４５の
周辺部分の上部に当たる透明電極４１部分についても、
透明電極４１のＩＴＯ等を設けないようにして、光透過
窓４５部分を非発光部４６ａとし、光透過窓４５の周辺
部分をも非発光部４６ｂとしている。
のＥＬ発光素子の平面説明図に示すように、光透過窓４
５の上部に当たる透明電極４１部分には、透明電極４１
のＩＴＯ等は形成されておらず、更に、光透過窓４５の
周辺部分の上部に当たる透明電極４１部分についても、
透明電極４１のＩＴＯ等を設けないようにして、光透過
窓４５部分を非発光部４６ａとし、光透過窓４５の周辺
部分をも非発光部４６ｂとしている。
この光透過窓４５の周辺部分の非発光部４６ｂについて
、光透過窓４５からどの程度内側まで非発光部にすれば
よいか、第４図のＥＬ発光光の軌道説明図を使って説明
する。第４図は、本図の右端中央部の発光層から左下方
向に発光光が放射された場合の発光光の軌道を示したも
のであり、ここで、発光光が放射された地点を発光地点
とする。
、光透過窓４５からどの程度内側まで非発光部にすれば
よいか、第４図のＥＬ発光光の軌道説明図を使って説明
する。第４図は、本図の右端中央部の発光層から左下方
向に発光光が放射された場合の発光光の軌道を示したも
のであり、ここで、発光光が放射された地点を発光地点
とする。
第４図では、発光地点から左側約４μｍを示したもので
、ａ部分がＥＬ基板１１で、ｂ部分とｄ部分が絶縁層４
２で、Ｃ部分が発光層４３で、図面下側が受光素子側と
なる。第４図から分かるように、発光地点から左側約１
μｍまでの発光光が直接受光素子に入射するため、光透
過窓４５の周辺部分から１μｍ以上内側まで透明電極４
］のＩＴＯ等を設けないようにして、非発光部４６ｂを
形成すればよいことになる。
、ａ部分がＥＬ基板１１で、ｂ部分とｄ部分が絶縁層４
２で、Ｃ部分が発光層４３で、図面下側が受光素子側と
なる。第４図から分かるように、発光地点から左側約１
μｍまでの発光光が直接受光素子に入射するため、光透
過窓４５の周辺部分から１μｍ以上内側まで透明電極４
］のＩＴＯ等を設けないようにして、非発光部４６ｂを
形成すればよいことになる。
従って、第３図に示す光透過窓４５の幅Ｌ１は約４０〜
６０μｍ程度に、光透過窓４５から隣接する光透過窓４
５の端までの幅Ｌ２は約１２５μｍ程度に、光透過窓４
５の周辺部分の非発光部４６ｂの幅Ｌ３は約３〜４μｍ
程度にするのが適当である。非発光部４６ｂの幅Ｌ３を
約３〜４μｍ程度にしたのは、透明電極４１が形成され
ていない部分にアルミニウムの不透明電極４４の光透過
窓４５部分を合わせる場合に、合わせ精度が２〜３μｍ
程度必要とされ、それに上記の１μｍ以上を合計したた
めである。
６０μｍ程度に、光透過窓４５から隣接する光透過窓４
５の端までの幅Ｌ２は約１２５μｍ程度に、光透過窓４
５の周辺部分の非発光部４６ｂの幅Ｌ３は約３〜４μｍ
程度にするのが適当である。非発光部４６ｂの幅Ｌ３を
約３〜４μｍ程度にしたのは、透明電極４１が形成され
ていない部分にアルミニウムの不透明電極４４の光透過
窓４５部分を合わせる場合に、合わせ精度が２〜３μｍ
程度必要とされ、それに上記の１μｍ以上を合計したた
めである。
画像読取装置は、上記受光素子２の上に上記ＥＬ発光素
子４をＥＬ基板１１が外側になるよう透明かつ絶縁性の
接着層３で結合し、受光素子２とＥＬ発光素子４とを電
気的に絶縁している。
子４をＥＬ基板１１が外側になるよう透明かつ絶縁性の
接着層３で結合し、受光素子２とＥＬ発光素子４とを電
気的に絶縁している。
次に、この画像読取装置の製造方法について説明する。
この画像読取装置は、受光素子２部分とＥＬ発光素子４
部分をそれぞれ別々に作製し、これらを接合して形成す
るものである。
部分をそれぞれ別々に作製し、これらを接合して形成す
るものである。
まず、受光素子２の製造方法は、ガラスまたはセラミッ
ク等で形成された基板１上の全面にクロム（Ｃｒ）を着
膜し、この上にレジストを塗布する。マスクパターンを
用いて前記レジストを露光、現像してレジストパターン
を形成し、エツチングした後にレジストパターンを除去
して下部電極となる個別電極２１を形成する。そして、
ｐ−ｃｖＤ法によりアモルファスシリコン（ａ−３ｔ）
を着膜し、フォトリソ法によるＣＦ、等を用いたプラズ
マエツチング、またはメタルマスクによるバターニング
蒸着により前記個別電極２１の先端部分を覆う帯状の光
電変換層２２を形成する。次に、スパッタリング法によ
り酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）を着膜し、フォトリ
ソ法による混酸を用いたウェットエツチングにより前記
個別電極２１の先端部分を覆い、ａ−Ｓｉの光電変換層
２２を挟むよう受光素子２の透明電極２３を形成する。
ク等で形成された基板１上の全面にクロム（Ｃｒ）を着
膜し、この上にレジストを塗布する。マスクパターンを
用いて前記レジストを露光、現像してレジストパターン
を形成し、エツチングした後にレジストパターンを除去
して下部電極となる個別電極２１を形成する。そして、
ｐ−ｃｖＤ法によりアモルファスシリコン（ａ−３ｔ）
を着膜し、フォトリソ法によるＣＦ、等を用いたプラズ
マエツチング、またはメタルマスクによるバターニング
蒸着により前記個別電極２１の先端部分を覆う帯状の光
電変換層２２を形成する。次に、スパッタリング法によ
り酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）を着膜し、フォトリ
ソ法による混酸を用いたウェットエツチングにより前記
個別電極２１の先端部分を覆い、ａ−Ｓｉの光電変換層
２２を挟むよう受光素子２の透明電極２３を形成する。
次に、ＥＬ発光素子４の製造方法を説明する。
ガラス等で形成した５０〜１００μｍ程度のＥＬ基板１
１の上に透明電極４１としてＩＴＯ等を１４００Ａ程度
の厚さで真空蒸着またはスパッタリング等により着膜し
、フォトリソ法によりバターニングして、第３図に示す
ような透明電極４１のパターンを形成する。これにより
、非発光部４６ａ、４６ｂのパターンも形成されること
になる。。
１の上に透明電極４１としてＩＴＯ等を１４００Ａ程度
の厚さで真空蒸着またはスパッタリング等により着膜し
、フォトリソ法によりバターニングして、第３図に示す
ような透明電極４１のパターンを形成する。これにより
、非発光部４６ａ、４６ｂのパターンも形成されること
になる。。
次に透明電極４１上に絶縁層４２として、Ｓｉｈ Ｎ４
、Ｓ ｌ ０２ 、Ｙ２０ｓ などを３０００Ａ程度
の厚さで着膜し、絶縁層４２上にスパッタ法、電子ビー
ム法等でＺｎＳ：Ｍｎ等を４０００〜５０００Ａ程度の
厚さで着膜して帯状の発光層４３を形成し、再度前記同
様の絶縁層４２を発光層４３上に３０００Ａ程度の厚さ
で形成し、当該絶縁層４２上にアルミニウム等の金属を
１μｍ程度の厚さで蒸着し、フォトリソ法によりバター
ニングして光透過窓４５を有する不透明電極４４を形成
し、ＥＬ発光素子４が作製される。
、Ｓ ｌ ０２ 、Ｙ２０ｓ などを３０００Ａ程度
の厚さで着膜し、絶縁層４２上にスパッタ法、電子ビー
ム法等でＺｎＳ：Ｍｎ等を４０００〜５０００Ａ程度の
厚さで着膜して帯状の発光層４３を形成し、再度前記同
様の絶縁層４２を発光層４３上に３０００Ａ程度の厚さ
で形成し、当該絶縁層４２上にアルミニウム等の金属を
１μｍ程度の厚さで蒸着し、フォトリソ法によりバター
ニングして光透過窓４５を有する不透明電極４４を形成
し、ＥＬ発光素子４が作製される。
以上のように作製した受光素子２とＥＬ発光素子４を絶
縁性の透明な接着層３を介して接着する。
縁性の透明な接着層３を介して接着する。
この場合、受光素子２の受光部分の真上に光透過窓４５
が配置されるようにする。
が配置されるようにする。
次に、本発明に係る一実施例の画像読取装置の駆動方法
について説明すると、ＥＬ発光素子４において、透明電
極４１と不透明電極４４の画電極に±１５０〜２５０ｖ
程度の両極性パルスを印加すると、透明電極４１と不透
明電極４４に挾まれた発光層４３からＥＬ発光光が放射
する。従って、透明電極４１が形成されていない光透過
窓４５の非発光部４６ａと光透過窓４５の周辺部分の非
発光部４６ｂからは発光が起こらない。ＥＬ発光素子２
の発光層４３から上方向に放射された発光光は、ＥＬ基
板１１上の原稿１００を照射し、その反射光が光透過窓
４５を透過して、受光素子２の受光部分に入射する。す
ると、受光素子２が光に反応して電荷を発生させ、駆動
用ＩＣの制御によって画情報を信号として出力する。
について説明すると、ＥＬ発光素子４において、透明電
極４１と不透明電極４４の画電極に±１５０〜２５０ｖ
程度の両極性パルスを印加すると、透明電極４１と不透
明電極４４に挾まれた発光層４３からＥＬ発光光が放射
する。従って、透明電極４１が形成されていない光透過
窓４５の非発光部４６ａと光透過窓４５の周辺部分の非
発光部４６ｂからは発光が起こらない。ＥＬ発光素子２
の発光層４３から上方向に放射された発光光は、ＥＬ基
板１１上の原稿１００を照射し、その反射光が光透過窓
４５を透過して、受光素子２の受光部分に入射する。す
ると、受光素子２が光に反応して電荷を発生させ、駆動
用ＩＣの制御によって画情報を信号として出力する。
本実施例によれば、ＥＬ発光素子４の光透過窓４５につ
いて、約３〜４μｍ程度の幅の周辺部分に透明電極４１
を形成しないようにして非発光部４６ｂを設けたので、
発光層４３からの発光光が直接光透過窓４５を通過して
受光素子２の各受光部分に入射するような直接入射光を
遮光することができるために、画像読取装置の暗出力増
大を防ぐことのでき、ダイナミックレンジを広げて画像
読取装置を高階調とすることができる効果がある。
いて、約３〜４μｍ程度の幅の周辺部分に透明電極４１
を形成しないようにして非発光部４６ｂを設けたので、
発光層４３からの発光光が直接光透過窓４５を通過して
受光素子２の各受光部分に入射するような直接入射光を
遮光することができるために、画像読取装置の暗出力増
大を防ぐことのでき、ダイナミックレンジを広げて画像
読取装置を高階調とすることができる効果がある。
本実施例では、受光素子２とＥＬ発光素子４を絶縁性の
透明な接着層３を介して接着するようにしているが、Ｅ
Ｌ基板１１より屈折率の小さい媒体の透光層で接着層３
を形成することも考えられる。具体的にＥＬ基板１１よ
り屈折率の小さい媒体の透光層とは、例えば、屈折率が
１．４程度のシリコン系の樹脂（トーレシリコン製Ｊ
ＣＲ６１２５）を透光層としてもいいし、屈折率の小さ
いＭ ｇ Ｆ ２ （ｎ中１．３８）等の光学薄膜を
着膜して透光層としてもいいし、また接着層３の受光素
子２直上部のみに空気層（ｎ中１．００）を設けること
で屈折率の小さい透光層としてもよい。
透明な接着層３を介して接着するようにしているが、Ｅ
Ｌ基板１１より屈折率の小さい媒体の透光層で接着層３
を形成することも考えられる。具体的にＥＬ基板１１よ
り屈折率の小さい媒体の透光層とは、例えば、屈折率が
１．４程度のシリコン系の樹脂（トーレシリコン製Ｊ
ＣＲ６１２５）を透光層としてもいいし、屈折率の小さ
いＭ ｇ Ｆ ２ （ｎ中１．３８）等の光学薄膜を
着膜して透光層としてもいいし、また接着層３の受光素
子２直上部のみに空気層（ｎ中１．００）を設けること
で屈折率の小さい透光層としてもよい。
上記のように屈折率の小さい透光層を設けることで、Ｅ
Ｌ基板１１内の全反射光を受光素子２側に入光するのを
防ぐことができるので、従来の画像読取装置と比較して
暗出力を８６％も減少させることができる。しかし、暗
出力は従来の画像読取装置と比較して１４％程残ること
になる。この暗出力１４％の内、７％はＥＬ発光光のＥ
Ｌ基板１１における表面反射光が受光素子２に入光する
ためであり、また７％は光透過窓４５周辺部から直接発
光光（直接入射光）が受光素子２に入光するためである
。
Ｌ基板１１内の全反射光を受光素子２側に入光するのを
防ぐことができるので、従来の画像読取装置と比較して
暗出力を８６％も減少させることができる。しかし、暗
出力は従来の画像読取装置と比較して１４％程残ること
になる。この暗出力１４％の内、７％はＥＬ発光光のＥ
Ｌ基板１１における表面反射光が受光素子２に入光する
ためであり、また７％は光透過窓４５周辺部から直接発
光光（直接入射光）が受光素子２に入光するためである
。
従って、本実施例の構成を用いれば、直接入射光による
７％の暗出力を抑えることが可能となる。
７％の暗出力を抑えることが可能となる。
また表面反射光に対してはＥＬ基板１１の屈折率と原稿
が存在する空気中の屈折率との中間の屈折率を持つガラ
スまたは薄膜の反射防止膜を設けることで、表面反射光
による７％の暗出力を抑えることが可能となる。
が存在する空気中の屈折率との中間の屈折率を持つガラ
スまたは薄膜の反射防止膜を設けることで、表面反射光
による７％の暗出力を抑えることが可能となる。
また、別の実施例として、第５図の断面説明図と第６図
の平面説明図に示すように、光透過窓４５と隣接する光
透過窓４５の間の上部に位置する透明電極４１部分を形
成しないようにして非発光部４６ｃとすることにより、
発光層４３からの発光光が光透過窓４５上部の原稿１０
０を中心に照射し、その反射光の多くが原稿１００直下
の受光素子２の受光部分に入射することになるので、反
射光が隣接する受光素子２の受光部分に入射する割合を
減らすことができ、受光素子２における正確な読み取り
ができるようになり、画像読取装置における分解能（Ｍ
ＴＦ）の向上を図ることができる効果がある。
の平面説明図に示すように、光透過窓４５と隣接する光
透過窓４５の間の上部に位置する透明電極４１部分を形
成しないようにして非発光部４６ｃとすることにより、
発光層４３からの発光光が光透過窓４５上部の原稿１０
０を中心に照射し、その反射光の多くが原稿１００直下
の受光素子２の受光部分に入射することになるので、反
射光が隣接する受光素子２の受光部分に入射する割合を
減らすことができ、受光素子２における正確な読み取り
ができるようになり、画像読取装置における分解能（Ｍ
ＴＦ）の向上を図ることができる効果がある。
（発明の効果）
本発明によれば、ＥＬ発光素子の光透過窓の周辺部分を
非発光部分としたので、直接光透過窓を通過して受光素
子の各受光部分に入射する直接入射光を遮光することが
でき、画像読取装置の暗出力増大を防ぐことのできる効
果がある。
非発光部分としたので、直接光透過窓を通過して受光素
子の各受光部分に入射する直接入射光を遮光することが
でき、画像読取装置の暗出力増大を防ぐことのできる効
果がある。
第１図は本発明の一実施例の画像読取装置の断面説明図
、第２図はＥＬ発光素子の拡大断面説明図、第３図は第
１図のＥＬ発光素子の平面説明図、第４図はＥＬ発光光
の軌道説明図、第５図は別の実施例の画像読取装置の断
面説明図、第６図は第５図のＥＬ発光素子の平面説明図
、第７図は従来の画像読取装置の断面説明図である。 ３・・・・・・発光層 ４・・・・・・不透明電極 ５・・・・・・光透過窓 ６・・・・・・非発光部 ００・・・原稿 １・・・・・・・・・基板 １１・・・・・・ＥＬ基板 ２・・・・・・・・・受光素子 ２１・・・・・・個別電極 ２２・・・・・・光電変換層 ２３・・・・・・透明電極 ３・・・・・・・・・接着層 ４・・・・・・・・・ＥＬ発光素子 ４１・・・・・・透明電極 ４２・・・・・・絶縁層 □主走査ＪＪ向 第 因 第２因 第４図 第５図 主走査方向
、第２図はＥＬ発光素子の拡大断面説明図、第３図は第
１図のＥＬ発光素子の平面説明図、第４図はＥＬ発光光
の軌道説明図、第５図は別の実施例の画像読取装置の断
面説明図、第６図は第５図のＥＬ発光素子の平面説明図
、第７図は従来の画像読取装置の断面説明図である。 ３・・・・・・発光層 ４・・・・・・不透明電極 ５・・・・・・光透過窓 ６・・・・・・非発光部 ００・・・原稿 １・・・・・・・・・基板 １１・・・・・・ＥＬ基板 ２・・・・・・・・・受光素子 ２１・・・・・・個別電極 ２２・・・・・・光電変換層 ２３・・・・・・透明電極 ３・・・・・・・・・接着層 ４・・・・・・・・・ＥＬ発光素子 ４１・・・・・・透明電極 ４２・・・・・・絶縁層 □主走査ＪＪ向 第 因 第２因 第４図 第５図 主走査方向
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１の基板上に形成された受光素子と、第２の基板上
に透明電極、発光層、不透明電極とを有するＥＬ発光素
子とを前記第１の基板と前記第２の基板が外側を向くよ
うに接合した画像読取装置において、 前記ＥＬ発光素子からの発光光が反受光素子側の第２の
基板反対面に配置された原稿面で反射して前記受光素子
に当該反射光を導く光透過窓を前記不透明電極に設け、
前記光透過窓の周辺部分の前記ＥＬ発光素子部分を非発
光とした非発光部を設けたことを特徴とする画像読取装
置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2157645A JPH0453165A (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 画像読取装置 |
| US07/593,971 US5101099A (en) | 1990-06-15 | 1990-10-09 | Image reading device with different reflectivity coefficients in a transparent layer and a substrate |
| DE69030574T DE69030574T2 (de) | 1990-06-15 | 1990-10-12 | Lichtquelle enthaltender Bildsensor oder Bildlesegerät und Herstellungsverfahren |
| EP96110663A EP0740349A3 (en) | 1990-06-15 | 1990-10-12 | Light-source contained image sensor or reading device and a method for manufacturing the same |
| EP90119594A EP0461302B1 (en) | 1990-06-15 | 1990-10-12 | Image sensor or reading device containing a light source and a method for manufacturing the same |
| KR1019900016313A KR920001910A (ko) | 1990-06-18 | 1990-10-15 | 화상 판독장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2157645A JPH0453165A (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 画像読取装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0453165A true JPH0453165A (ja) | 1992-02-20 |
Family
ID=15654256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2157645A Pending JPH0453165A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-18 | 画像読取装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0453165A (ja) |
| KR (1) | KR920001910A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010145573A (ja) * | 2008-12-17 | 2010-07-01 | Sony Corp | 表示装置 |
-
1990
- 1990-06-18 JP JP2157645A patent/JPH0453165A/ja active Pending
- 1990-10-15 KR KR1019900016313A patent/KR920001910A/ko not_active Ceased
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010145573A (ja) * | 2008-12-17 | 2010-07-01 | Sony Corp | 表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920001910A (ko) | 1992-01-30 |
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