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JPH04505603A - 安定化酸化ビスマス - Google Patents

安定化酸化ビスマス

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Publication number
JPH04505603A
JPH04505603A JP2507510A JP50751090A JPH04505603A JP H04505603 A JPH04505603 A JP H04505603A JP 2507510 A JP2507510 A JP 2507510A JP 50751090 A JP50751090 A JP 50751090A JP H04505603 A JPH04505603 A JP H04505603A
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JP
Japan
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mol
oxide
bismuth oxide
sample
stable
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Pending
Application number
JP2507510A
Other languages
English (en)
Inventor
ヴィルカール,アニル ヴィ.
Original Assignee
ガス リサーチ インスティテュート
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Filing date
Publication date
Application filed by ガス リサーチ インスティテュート filed Critical ガス リサーチ インスティテュート
Publication of JPH04505603A publication Critical patent/JPH04505603A/ja
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/453Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
安定化酸化ビスマス 4且火背1 分■:本発明は一般にセラミックスに関し、特に安定な酸化ビスマスセラミック スに関する。 1直土1:ジルコニアのようなセラミック電解質は、セラミック電解質の酸素イ オン輸送能を利用する自動車用センサーや他の用途に使用されてきた。立方晶酸 化ビスマス(Bi2031は、酸素イオン導体としてはジルコニアよりはるかに 有効である。しかし、酸化ビスマスは不安定となる傾向があり、その伝導特性は 長時間にわたっては保持されず(たとえば100時間以上で50%減少)、また その強度も減少する傾向がある。約730℃以下の温度では、酸化ビスマスの立 方晶相が単斜晶に変る傾向がある。 酸化ビスマスの安定化の領域で、いくつかの研究が行われてきた。 ジルコニアの安定化と同様に、イツトリアも使われており酸化ビスマスの安定性 を若干増強した。しかし、イツトリア−酸化ビスマス組成物でさ^、工業用セン サー及び他の酸素輸送装置用の有効な電解質に要求される長時間安定性を有して ない。 酸化ビスマスは二つの多形、すなわち730℃以上の立方晶、730℃以下の単 斜晶を示すことが知られている。約730℃と。 Bi2O3の融点である825℃との間で安定な立方晶相はCaF2型のもので ある。その化学式は、CaF2型構造で結晶化するためには、構造中に25モル %の陰イオン空孔が存在しなければならないことを暗示している。酸素空孔の著 しく高い濃度は、立方晶形におけるBi203 の例外的なイオン伝導度の主な 理由であると考えられる。しかし、立方晶の単斜晶への転移に伴なう容積変化は 物質を懐変に導くから、純粋なり1203は転移温度を通して熱的には循環でき ない。しかし、多数の希土R15よびアルカリ土類酸化物を添加して転移温度を 下げることができ、したがって立方晶相の安定化範囲を増すことができることが 示されてきた。公表された状態図は、大抵の場合約700℃以下で共晶的に分解 するBi203−酸化物固溶体の安定化範囲を酸化物添加剤が広げることを示し ている。添加剤としてのイツトリア(Y2O3)の場合は、ダタ(Datta) 、ミーハン(Meehanlの研究は、立方晶相を少なくとも500℃程度に多 分もっと低い温度まで安定化できることを示している。 イツトリア安定化酸化ビスマスの酸素イオン伝導度は安定化ジルコニアよりも少 なくとも2桁高いことも証明されている。そこで、イツトリア安定化Bi2O3 は、適度な温度で高いイオン伝導度を要求する装置において、固体電解質として 理想的候補にみえる。しかし、最近の研究は、約600℃での長時間のアニーリ ング処理はY2O3−Biz(h固溶体を分解に導びき、ダタ、ミーハンが与え た状態図は正しくないことを示している。著しく高純度(典型的には99.99 %またはそれ以上)の物質を使ったダタ、ミーハンはその研究で調べた幾つかの 組成物で平衡を達成するのに困難を経験したことに留意すべきである。原料の純 度の重要性は後で議論する。 固体電解質の安定性はBi2O3に基づく実際的装置の主要件である。 そこで、固体電解質が装置の設計寿命にわたり安定であり続けることが絶対に必 要である。これが保証できないときは、Bi2O3ベースの固体電解質はほとん ど実際的価値を有さない、Y2O3や他の希土類酸化物で安定化されたBi2O 3が伝導度測定をするのに十分長く低温に維持することができるという事実は、 アニーリングによる分解は幾分物質輸送の速度論に依存しなければならないこと を暗示している。もしそうであれば、物質輸送の速度論を抑制する因子は不安定 化の速度論を減速することが期待される1分解生成物が拡散工程により形成され ると但定すると、関連する拡散係数を抑制する因子は速度論的安定性を与えると 思われる。逆に、拡散係数を増加させる因子は固体電解質の急速な劣化に導びく と思われる。 免豆災互I イツトリア−酸化ビスマスセラミック体に少量のジルコニア又はハフニアを含有 させると、酸化ビスマスの安定性を著しく増大させ、酸化ビスマスを非常に長期 間にわたり立方晶相に維持できることが最近発見された。 典型的な酸化ビスマス−イツトリア組成物は、酸化ビスマス75%及びイツトリ ア25%である。約10モル%までの量でジルコニア、ハフニア、またはドリア を含有させると、数桁程度酸化ビスマスの立方晶相の安定性が高まる。 本発明の安定酸化ビスマスセラミック組成物は、aJ主成分としての、実質上( すなわち〉60%)立方晶相として存在する酸化ビスマス:b)約10乃至約4 0モル%の量で存在する希土類酸化物:及びC)約0.1乃至約10モル%の量 で存在する4以上の原子価を有する陽イオン性元素を含有する酸化物化合物を含 む、実質上高温相として存在する上記セラミック組成物は、高温における数日間 使用の後でさえすぐれた酸素イオン伝導度をもつ。 一層広い観点からは、本発明はイツトリウム、イッテルビウム。 ネオジム、ガドリニウム、サマリウム、ランタン、テルビウム、エルビウム等の 酸化物のような希土M II(+:物を含有させることにより。 またジルコニア、ハフニア、ドリア、チタニア、酸化スズ(m、酸化タンタル、 及び酸化ニオブのような4以上の原子価を有する陽イオンの酸化物を導入するこ とによる、酸化ビスマスの安定化方法を含む、希土類酸化物は約40モル%まで の量で含有することができ、一方多価陽イオン酸化物は約10モル%までの量で 含有することができる。一般に、最小量として約0. 5モル%程度の少量、特 に約2. 0乃至5. 0モル%の水準の量が著しく有効なことが見出されてい る。 の t − 第1図はIH(a)の焼結試料の光学顕微鏡写真である。 第2図はドーパントとしてCaO1Zr02及びThe2を有するY2O3B1 2O3の焼結したままの試料およびドーピングしてない焼結したままの試料X線 回折ピークである。 第3図はアニーリング後のドーピングしたおよびドーピングしてない試料のX線 回折図であり:第3(A)図はCa02%:第3(B)図はCa01%:第3( C)図はドーピングなし:第3(D)図はZr022 % : Jll! 3  (E ) IKIf丁h022 % T’J!+6゜第4図は600℃において 種々の時間アニーリングしたドーピングしてない試料の光学顕微鏡写真を示し: 第4図(A)は0時間:第4図(B)は170時間:第4図(C)は210時間 :第4図(D)は290時間である。 第5図はZr025. 0モル%でドーピングした焼結したままの試料およびア ニーリングした試料の微細構造を示す。 第6図はX線回折図からの積分ピーク強度を使い決めた転移部分)Ntl対 n  (tlのプロットである。 第7図は第6図の転移した部分をアニーリング時間の関数として再プロットした ものである。 ま い の t : 本発明の組成物は、陽イオン輸送を抑制し、それによってy、o、−Bi20. 固溶体の速度論的安定性を増すと考えられる。隔イオン部分格子上のYおよびB iの拡散は点欠陥、すなわち空孔および格子間の移動により起ることが予想され るから、点欠陥移動度とその濃度が相互拡散係数を決定すると予想される。たと えば、格子間移動度が空孔移動度よりも小さいときは、空孔濃度を消費して格子 間濃度(ある点まで)の増加は相互拡散係数の低下に導びく、格子間移動度が空 孔移動度より大きいときは逆となる。 ホストイオンとは異なる原子価のドーパントの合体は欠陥濃度を変えるようにみ える。たとえば、4価陽イオンドーパント(たとえばZrまたはTh)は陽イオ ン空孔濃度を増し、一方2価陽イオンドーパント(Cal は格子IW!′7M 度を増すはずである。 本発明で使う酸化ビスマスは典型的には立方晶(高温)相の実質量(〉90%) とごく少量の菱面体晶(低il)相をもつ、酸化ビスマスはまた菱面体晶高温相 をもち、立方晶高温相の代りに使用できる。 このような酸化ビスマスはアルファ・ケミカルズ(^lfa Cbesical slのような多くの商業販売者から容易に入手できる。酸化ビスマスは約50〜 90モル%の量で存在させ、好ましい量は約75モル%である。 本発明で有用なドーパントは一般に約10モルパーセントを越えない量でセラミ ック組成物中に存在させる0本発明で使用するドーパントは、典型的には陽イオ ンが4+またはそれ以上の原子価をもつ陽イオン部分をもつ、有用なドーパント の例はジルコニウム、チタン、トリウム、ハフニウム、タンタル、ニオブ、タン グステン、モリブデン、バナジウムの酸化物を含む、このドーパントを2モル% の量で存在させるのが好ましい。 本発明で使う安定剤は典型的には約10〜40モル%の量で存在する希土類酸化 物である。全ランタニド系列の酸化物がこの発明で作用すると考えられるが、好 ましい希土類酸化物はイツトリアである。 実−一施一一信 本実験においては、ドーパントとしてCaO、ZrO2及びThe2を有する、 Y2O325モル%及びBi20375モル%を含有する基線物質を600℃及 び650℃において数日間アニーリングした。ついで試料をX線回折、光学顕微 鏡法、電子マイクロプローブ分析を使い特性評価した。実験操作、結果および結 果の議論を次に示す。 lJ」1」 a ・・ の :容易に入手できる商業源からのY2O3とBi2O3をこの本 実験に使用した。 CaCO3をCaO源として用い、一方ジルコニア(Zr0 21及びThe2粉末をドーパントとして直接用いた。販売者から供給された入 手したままの粉末の化学分析を表工に示す。 表」− 物質 不純分(1度〕 Bi2O3FFeM g20pp 8ppm Y2O3La Nd Gd Zr Na Ca Fe75ppm 50ppm  15ppm 20ppm 15pp■ 6 pGIII5Dp■Y2O3及びB i2O3の粉末をl:3のモル比で混合した。ジルコニアまたはアルミナ摩砕媒 体を使いて上記粉末混合物を摩砕した。この基線混合物にドーパントを添加した 。添加CaOの最大量は2モル%であり、ZrO2およびTh02の最大量は1 0モル%であった。ここで報告した研究の多くは、CaOドーピング、 ドーピ ングなし、およびZrO2ドービンク(2モル%まで)の各試料についてのもの である。粉末混合物をアセトン中で湿式摩砕した。ついで粉末混合物を炉で乾燥 し、グイプレスし、次いで等圧圧縮してベレットを未焼成成形した1次いで試料 を空気中1000℃において24時間焼結した。焼結試料を、CuKα放射線に よるX線回折を用いて検査した。試料の密度は通常の液浸法で決めた。 =Ch」−ユ」邑J1]二被焼結試料を空気中600℃および650℃において 最大数日アニーリングした。試料を定期的に炉から除去し、特性評価し、さらに アニーリングのため炉に再挿入した。 C:X O;アニーリング後、試料を粉砕し、X#回折により分析した。X線回 折図はCuKα放射線を用いて得た。目的は存在する相、その構造および夫々の 格子パラメータを決定し、積分ピーク強度に基づき相転移の程度を評価すること であった。 CaF2構造のピークおよびドーピングしてない試料とCaOドー ピングした試料でアニーリングで形成した菱面体晶相の(六方晶に基づく)ピー クを用いて積分ピーク強度を決めた。 d: ” :粒構造を明らかにするため、試料を研磨し、900℃において60 分熱エツチングした。相転移を受けた試料については、転移相のもとの立方晶相 への再変換を防ぐように、熱エツチングをしなかった1両相の硬さの相対的差異 を利用して、各相の形態を区別するのに適当なレリーフ研摩に導いた。 カメ力(Casecal S X 50電子マイクロプローブで化学分析を行っ た。目的はもとの固溶体および分解試料の組成を決めることであった。 結 果 LLL(a )−二重」1劫」
【魁:焼結したがドーピングしてない試料は、典 型的には7. 85g/m1以上の密度を有していた。 ZrO2をドープした 試料は密度が低く、密度はZrO2含量の増加と共に減少した。 ZrO2を2 モル%および10モル%含む各試料は7.67g/mlおよび7.33g/■1 の密度を有していた。 CaOをドーピングした試料も、ち密化が始った後存在 できる残存CaCO3に起因して幾分低密度を示した。 被焼結試料はオレンジ色であった。被焼結試料の光学顕微鏡写真を第1図に示す 。これを900℃において60分熱エツチングした。 被焼結試料の典型的粒径は約23μmであった。写真にみられるように、小孔が 粒内上よび粒界にみられる。ドーパントを有するあるいは有しない被焼結試料の X11回折は、その全てが存在する唯一の結晶型としてCaF2型の単−相であ ることを示した。第2図は次の組成の被焼結試料のX線回折ピークを示す: N o、2fa l−2モル%CaO1No、2(b)−1モル%CaO、No、2  (c )−ドーピングなし、NO62(d)−2モル%ZrO2、及びNo、 2(e) 2モル%Tb02.回折図かられかるように、被焼結試料は、すべて CaF2構造の単一立方晶相である。20“と60”の間の角度範囲にわたる全 走査は、ドーパントが物質内に溶解していることを示した。7.5モル%を越え るZr02s度では、ドーパントに相当する追加のピークが認められ、ドーパン トの溶解度は7.5モル%以下であることを暗示している。測定の精度内では、 格子パラメーターはドーパントの型と濃度に無関係であることがわかった6表I Iはドーパントの型と濃度の関数として測定した格子パラメーターを示す。 田’b 二:第3(a)、3 (b)、3 (c)、3(d)、及び3(e)図 は、夫々600℃において、種々の時間アニーリングした2モル%CaOドーピ ング、1そル%CaOドーピング、ドーピングなし、2モル%ZrO2ドーピン グ、2モル%The2ドーピング試料のX線回折図を示す、各図に示されるよう に、ドーピングしてない試料及びCaOドーピングした試料は2相、すなわち立 方晶と菱面体晶を含む、しかし、ZrO2でドープした試料及びThe、をドー ピングした試料は単一立方晶相のままであった。ドーピングしてない試料及びC aOドーピングした試料では、xm分析の限界内では、立方晶相および菱面体晶 相以外の相に相当するピークは認められなかった。 これらの図かられかるように、相転移の程度1旦 ドーピングしてない試料、ZrO2でドープした試料及びCaOでドープした試 料の立方晶相の格子パラメーター7.5モル%ZrO2格子パラメーター(A) 7.5モル%ZrO25,4975 5モル%ZrO2s、5059 3モル%1rQ25. 5053 2モル%ZrO25,5087 ドーピングなし 5.5075 1モル%Ca0 5.5130 2モル%Ca0 5.5123 はCaOドーピング試料で量大であり、ZrO2および丁hO2ドーピング試料 では相転移は起らない、第4 (a)、4 (b)、4(c)、4(d)、及び 4(e)図は、夫々600℃において0、】70.210.250、及び290 時間アニーリングした。ドーピングしてない試料の光学顕微鏡写真を示す、板状 粒子は菱面体晶相のものである。顕微鏡写真かられかるように、菱面体晶相の容 積部分はアニーリング時間の増加と共に増す。 次の実験として、ドーピングしてない試料、1.0モル%CaOドーピング試料 、及び2.0.3.0.50.7.5.及び1000モル%ZrO2でドーピン グした各ZrO2ドープ試料を600℃において1020FItf間までアニー リングした。7二−リング後、試料を研削し、研磨し、X@回折で分析し、熱エ ツチング(Zr02ドーピング試料のみ)し、光学顕微鏡で検査した。 ZrO 2ドーピング試料は全て立方晶のままで残ることが認められた。熱処理後も試料 の粒径は変らなかった。5.0モル% ZrO2でドープした被焼結、被アニー ル試料の微細構造を夫々第5(a)図及び第5(b)図に示す、これと対照的に 、ドーピングしてない試料および1.0モル%及び2.0モル%CaOでドープ した試料は最初の100時間以内の相当量の転移を示した。2.0モル%CaO でドープした試料では、転移は約200時間で殆んど完結した。また、X線分析 の精度の限界内で、他の相に相当するピークは観察されなかった。xm回折図か らの積分ピーク強度を使い決定した転移部分X (t)を第6図において n( tlに対しプロットした。この実験で用いた粉末混合物は、アルミナ摩砕媒体を 使って磨砕した。ジルコニア媒体で磨砕した粉末からつくった試料で行った類似 の実験は、相転移の速度論がより遅いことを示した。このことの重要性は後で議 論する。 第6図は転移部分を次のようにアブラミ(Avrawi1式で表現できることを 暗示している。 X (t) =1−exp l (−) lll −−−−−−(1)上記式中 、 は関連する緩和時間である。第6図に示した転移部分を、第7図にI n  I n (1/ (1−X (t) l J対In(5)として、アニーリング 時間の関数として再プロットした。パラメーターmおよび−min()は、第7 図で夫々傾斜および切点で同定される。実験的に測定したm値は、2モル%Ca Oドーピング試料では〜2.ドーピングしてない試料では3.2である。緩和時 間 は、ドーピングしてない試料、1モル%CaOドープ試料及び2モル%Ca Oドープ試料について、それぞれ〜211時間、〜182時間、〜101時間で あった。 TlIc: :カメコ(Camecol S X 50電子マイクロプローブを 用いて行ったドーピングしてない被焼結試料の化学分析は。 Y2O,およびBi2O3濃度が夫々 23.3モル%、76.7モル%である ことを示した。被焼結試料は2 前に述べたように単一立方晶相であった。60 0℃において170時間アニーリングした後のドーピングしてない試料も化学分 析した。これら試料は立方晶相と菱面体晶相の両者を含む2相からなっていた。 立方晶相および菱面体晶相のY2O3J5よびBi2O3の濃度は、夫々Y2O 323,53モル%、Bi20x76.47モル%及びY2O323,03モル %、Bi2O376,97モル%と測定された。実験精度の限界内(絶対値1% )で、両相の組成はほとんど同一にみえる。多量の菱面体晶相を含む210時間 アニーリングした試料では、立方晶相および菱面体晶相の組成は、夫々Y2O3 23,64モル%、Bi20376.36モル%右よびY2O323,1モル% 、Bi2O378,9モル%と測定された。これは立方晶相から菱面体晶相への 転移は組成不変転移であることを示している。 議論 本発明を一つの理論により拘束する意図はないが、以下はここで得られた異常な 結果を説明する助けとなるであろう0両最終メンバーにおいて同一化学量論では 共通であるから、酸素の輸送は相転移の発生に対し必要ではない(発生を排除で きないが)、そこで、陽イオン部分格子上の相互拡散係数を増加または減少させ る因子は、夫々相転移速度論を増加または減少させる。陽イオン部分格子上の相 互拡散係数は次式により与えられる。 XyDy+XBIDBl ここで、XYおよびXBIはのモル分率、DyおよびDBIはYおよびBiの拡 散係数である。陽イオン拡散は点欠陥、たとえば空孔および格子間を通し起ると 予想される6 そこで、DyとDBIの両者は陽イオン空孔および格子間の濃度 および空孔および格子間移動度に依存すると予フされる。空孔濃度が格子間濃度 をはるかに越えると、相互拡散係数は空孔濃度と共に直線的に変化する。一方、 格子間濃度が空孔濃度をはるかに越えると、相互拡散係数は格子間濃度と共に直 線的に変化するであろう、 ″純粋°系、すなわち゛真性“系では、空孔および 格子間濃度は同一であり、KFに等しい、KFは陽イオン部分格子上のフレンケ ル(Frenkell積である。一般には、空孔および格子間移動度は異なるで あろう、空孔移動度が格子間移動度より大きい/小さいときは、真性値に対する 空孔濃度の増加は相互拡散係数の増加/減少に導びくだろう、一方、空孔濃度の 減少は相互拡散係数を減少/増加させるだろう、正味の効果は3点欠陥のある独 特の濃度において、相互拡散係数が最大を示すことである。 事実、夫々アルミン酸鉄右よび磁鉄鉱において、陽イオン拡散の最小がペトスケ イ(Petuskeyl及びディックマン(Dieck■annl及びその共同 研究者により観察されてきた。この研究においては、酸素の分圧を変えることに よって関連欠陥濃度を変化させた。相互拡散係数で最小を得たことは、相互拡散 係数により制御されるプロセスの速度論の最小化と一致する。 真性値からの欠陥濃度の偏位は、成分の分圧を変えることにより。 あるいは多原子価ドーパントの導入により影響され得る。後者の解決法が多分本 実験にとって一層便利である。ドーパントとしてのZrO2またはThe2の添 加は、固有値以上に陽イオン空孔濃度を増大させると予想される。考え得る反応 は次式で与えられる。 類似の式がTb02ドーパントについても書ける。上記式は4価陽イオンの導入 が陽イオン空孔濃度を増加させることを示している。同時に、格子間濃度はフレ ンケル(Frenkell積により抑制されるであろう、ZrO2またはThe 2の添加はまた酸素格子間濃度を増加させることができる。原理的に、欠陥反応 の両者は正しく、そこで両者、陽イオン空孔濃度および酸素格子間濃度は増すで あろう、しかし、陰イオン部分格子上の欠陥濃度の変化は相分離の速度論に影響 するとは予想されず、さらに議論はしない、しかし、陽イオン空孔濃度とドーパ ント濃度の間の関係は関連する電気的中性条件に依存し、上記条件はまた多数欠 陥に依存する。このような場合、陰イオン欠陥濃度の知識が、ドーパント濃度と 陽イオン点欠陥の間の関係を決めるのに必要となる場合がある。 3以下の原子価の陽イオンドーパントの導入は、陽イオン格子間および酸素空孔 濃度を増すはずである。再び、酸素欠陥濃度は、この議論に関する限り適切では ない、CaOの溶解は次式により起り得る。 3CaOm3caa+、y+30X o +IB1.Y −−−−−−(4)こ こで、Iは格子間を示す。 上記の議論は、ZrO2とCaOはドーパントとして逆な方法で相互拡散係数り に影響を与えることを示唆している。事実、相転移速度はCaOで増加され、Z rO2により抑制されることが認められた。認められた効果は著しく大きく、2 モル%Zr02の添加は600℃において少なくとも1020時間、試料をアニ ーリングする最大時間立方晶相を安定化する。これに対して、2モル%CaOド ーピング試料では、相転移は〜290時間で実質的に100%完結した。この結 果は、陽イオン空孔移動度がBi2O3−Y2J固溶体では陽イオン格子間移動 度より小さいことを示している。ジルコニア媒体で摩砕した試料が一層遅い速度 論を示す事実は、若干量の媒体摩耗が起り、それにより不注意にも試料がジルコ ニアによりドーピングされたとの予想と一致する。 本発明を組成物と理論の両者である程度詳細に記載してきたが、上記記載は例示 としてのみ行ったものであり、請求の範囲から離れることなく、組成の詳細にお いて多くの変更を行えることを理解すべきである。 130h j30h 21C)h210h Fig、 3A Fig、 38 290h 290h Fig、 3F Fig、3G 130h 130h 130h 21Oh 210h 210h 290h 290h 290h Fig、 3HFig、 31 Fig、 3JFig、 4A Fig、 4B Fig、 4C Fig、4D Fig、 4E Fig、 5A Fig、 5B In(t) Fig、 7 国際調査報告

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.約50乃至約90モル%の量のBi2O3:約10乃至約40モル%の量の Y2O3:及ひ約0.1乃至約10モル%の量のZrO2、トリア、又はHfO 2:からなる優れた酸素イオン伝導度を有する安定なBi2O3セラミック組成 物。
  2. 2.主成分としての、実質上高温相として存在する酸化ビスマス:約10モルパ ーセント乃至約40モルパーセントの量で存在する希土類酸化物:及び約0.1 モルパーセント乃至約10モルパーセントの少量で存在する4以上の原子価を有 する陽イオン性元素を含有する酸化物化合物:からなる安定な酸化ビスマスセラ ミック組成物。
  3. 3.該希土類酸化物の希土類元素がイットリウム、ランタン、セリウム、ネオジ ム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、エルビウム、ツリ ウム及びイッテルビウムからなる群より選はれる請求の範囲2の安定な酸化ビス マスセラミック組成物。
  4. 4.原子価4以上の該陽イオン性元素性がジルコニウム、ハウニウム、トリウム 、タンタル、ニオブ、タングステン、モリブデン、チタン及びバナジウムからな る群より選ぼれる請求の範囲3の安定な酸化ビスマスセラミック組成物。
  5. 5.該酸化物化合物が約5モルパーセントの量で存在する請求の範囲4の安定な 酸化ビスマスセラミック組成物。
  6. 6.該陽イオン性元素がトリウムであり、該希土類酸化物がイットリアである請 求の範囲5の安定な酸化ビスマス。
JP2507510A 1989-04-24 1990-04-24 安定化酸化ビスマス Pending JPH04505603A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US342,291 1989-04-24
US07/342,291 US5006494A (en) 1989-04-24 1989-04-24 Stabilized bismuth oxide

Publications (1)

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