JPH0449649A - 半導体装置用のリードフレーム - Google Patents
半導体装置用のリードフレームInfo
- Publication number
- JPH0449649A JPH0449649A JP2159493A JP15949390A JPH0449649A JP H0449649 A JPH0449649 A JP H0449649A JP 2159493 A JP2159493 A JP 2159493A JP 15949390 A JP15949390 A JP 15949390A JP H0449649 A JPH0449649 A JP H0449649A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- semiconductor
- semiconductor element
- semiconductor device
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H10W72/865—
-
- H10W90/736—
-
- H10W90/756—
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、樹脂封止される半導体装置に用いられるリー
ドフレームに関するものである。
ドフレームに関するものである。
〈従来の技術〉
従来、樹脂封止型の半導体装置に用いられるリードフレ
ーム１としては、第５図に示すように、外枠２と、リー
ド部３と、素子支持部４とを具え、素子支持部４は吊リ
ード５を介して外枠２に支持される。 かかるリードフ
レーム１の素子支持部４に接着剤を介して半導体素子６
を搭載したのち、半導体素子６とリードフレーム１のり
−ド３のインナリード７の間をボンディングワイヤ８で
接続し、さら、に封止材９で封止されている。 このよ
うにして得られた半導体装置の従来断面構造図を第６図
に示す。
ーム１としては、第５図に示すように、外枠２と、リー
ド部３と、素子支持部４とを具え、素子支持部４は吊リ
ード５を介して外枠２に支持される。 かかるリードフ
レーム１の素子支持部４に接着剤を介して半導体素子６
を搭載したのち、半導体素子６とリードフレーム１のり
−ド３のインナリード７の間をボンディングワイヤ８で
接続し、さら、に封止材９で封止されている。 このよ
うにして得られた半導体装置の従来断面構造図を第６図
に示す。
近年、半導体素子が高集積化し、これと共に大型化して
いる。 しかしメモリ系などでは、高密度実装のために
、パッケージをできる限り小型化したいという要求があ
る。
いる。 しかしメモリ系などでは、高密度実装のために
、パッケージをできる限り小型化したいという要求があ
る。
このために例えば、素子支持部４を、ポリイミドのよう
な、樹脂フィルムとし、このフィルムに接着剤を予め被
覆するか、組立工程中に塗布して、半導体素子を接着固
定する方式が提唱されている。
な、樹脂フィルムとし、このフィルムに接着剤を予め被
覆するか、組立工程中に塗布して、半導体素子を接着固
定する方式が提唱されている。
例えば特開昭第６１−２４１９５９号には、リードを半
導体素子上に這わせることにより、収納効率を高めたも
のが開示されている。 このパッケージ構造において、
半導体素子の主表面にリードフレームを接着しているが
、実際には半導体素子とリードとの電気的な絶縁をとる
ために、ポリイミドフィルムに接着剤を被覆して接着し
ている。 また、例えば特開昭第６０−１６７４５４号
には、同様の目的のもとに樹脂フィルムにあらかじめ接
着剤を被覆してお（か、あるいは組み立て工程中で接着
剤を塗布して、これによりリードフレームおよび半導体
素子の両方を接着固定するものが開示されている。
導体素子上に這わせることにより、収納効率を高めたも
のが開示されている。 このパッケージ構造において、
半導体素子の主表面にリードフレームを接着しているが
、実際には半導体素子とリードとの電気的な絶縁をとる
ために、ポリイミドフィルムに接着剤を被覆して接着し
ている。 また、例えば特開昭第６０−１６７４５４号
には、同様の目的のもとに樹脂フィルムにあらかじめ接
着剤を被覆してお（か、あるいは組み立て工程中で接着
剤を塗布して、これによりリードフレームおよび半導体
素子の両方を接着固定するものが開示されている。
また、例えば、特開昭第６３−２１３６５号には、半導
体素子とリード先端との接着性を良好とし、これらの間
に水分が入り込むのを防止するため、リードの先端部に
樹脂フィルムと接着層とを介して半導体素子を固定する
構造が開示されている。
体素子とリード先端との接着性を良好とし、これらの間
に水分が入り込むのを防止するため、リードの先端部に
樹脂フィルムと接着層とを介して半導体素子を固定する
構造が開示されている。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかし、リードフレームに絶縁剤として用いられる樹脂
フィルムには吸湿性および保湿性があり、この性質が半
導体装置に多大な影響を与えることがある。 例えば通
常使用されるポリイミドフィルムは、重量比で最大約２
％程度の水分を取り込む。 この水分を保有する樹脂フ
ィルムが、樹脂封止された半導体装置内に存在する場合
に、この半導体装置を例えばプリント配線基板に半田付
けする際に、この装置の中の樹脂フィルムが約２００℃
以上の高温にさらされ、このとき樹脂フィルム中の水分
が気化して半導体装置内で急激に膨張し、封止樹脂にク
ラックを発生させることがあるという問題点がある。
フィルムには吸湿性および保湿性があり、この性質が半
導体装置に多大な影響を与えることがある。 例えば通
常使用されるポリイミドフィルムは、重量比で最大約２
％程度の水分を取り込む。 この水分を保有する樹脂フ
ィルムが、樹脂封止された半導体装置内に存在する場合
に、この半導体装置を例えばプリント配線基板に半田付
けする際に、この装置の中の樹脂フィルムが約２００℃
以上の高温にさらされ、このとき樹脂フィルム中の水分
が気化して半導体装置内で急激に膨張し、封止樹脂にク
ラックを発生させることがあるという問題点がある。
また、上記半田付は工程時に半導体装置が高温にさらさ
れた場合、半導体素子と樹脂フィルム製の素子支持部と
の間、または半導体素子と封止材との間の熱膨張差に起
因する熱応力が加わり、封止材および／または半導体素
子にクラックが発生するという問題点がある。
れた場合、半導体素子と樹脂フィルム製の素子支持部と
の間、または半導体素子と封止材との間の熱膨張差に起
因する熱応力が加わり、封止材および／または半導体素
子にクラックが発生するという問題点がある。
本発明の目的は、上述した従来のリードフレームの問題
点を解消し、かかる半導体装置の実装時に半導体装置の
パッケージにクラックが発生するのを防止することがで
きる半導体装置用のリードフレームを提供することにあ
る。
点を解消し、かかる半導体装置の実装時に半導体装置の
パッケージにクラックが発生するのを防止することがで
きる半導体装置用のリードフレームを提供することにあ
る。
く課題を解決するための手段〉
上記目的を達成するため本発明によれば、半導体素子を
坦持する素子支持部を有する、樹脂封止される半導体装
置用のリードフレームにおいて、 前記素子支持部は、前記半導体素子を安定に支持しえる
複数の支持部分を有し、前記リードフレームは、前記半
導体素子をリードフレームの占める平面から離間する側
にオフセットするための腕部を有することを特徴とする
半導体装置用のリードフレームが提供される。
坦持する素子支持部を有する、樹脂封止される半導体装
置用のリードフレームにおいて、 前記素子支持部は、前記半導体素子を安定に支持しえる
複数の支持部分を有し、前記リードフレームは、前記半
導体素子をリードフレームの占める平面から離間する側
にオフセットするための腕部を有することを特徴とする
半導体装置用のリードフレームが提供される。
上記のように素子支持部をリードフレームからオフセッ
ト配置することにより、リードフレームの占める平面と
半導体素子との間に隙間が生じ、この隙間に、樹脂封止
の際に、樹脂が満たされて、半導体素子とリードフレー
ムとの間の絶縁が保たれる。 したがって、絶縁のため
の樹脂フィルムを使用する必要がなくなり、樹脂フィル
ムに起因する半田付は時の水分の蒸発、膨張が無くなり
、半導体パッケージのクラックの発生を防止できる。
ト配置することにより、リードフレームの占める平面と
半導体素子との間に隙間が生じ、この隙間に、樹脂封止
の際に、樹脂が満たされて、半導体素子とリードフレー
ムとの間の絶縁が保たれる。 したがって、絶縁のため
の樹脂フィルムを使用する必要がなくなり、樹脂フィル
ムに起因する半田付は時の水分の蒸発、膨張が無くなり
、半導体パッケージのクラックの発生を防止できる。
ここで、前記素子支持部のオフセット量が０．１〜０．
７ｍｍであるのが好ましい。 このように数値限定した
のは、１．７ｍｍより大きい部分は、オフセット加工そ
のものが難しくなると共にパッケージの厚みがそれだけ
厚くなり、最近の薄肉化の要求に逆行することになる。
７ｍｍであるのが好ましい。 このように数値限定した
のは、１．７ｍｍより大きい部分は、オフセット加工そ
のものが難しくなると共にパッケージの厚みがそれだけ
厚くなり、最近の薄肉化の要求に逆行することになる。
また０、１ｍｍより小さくなると、リードフレームのわ
ずか（０，１ｍｍ程度）の変形によりリードと半導体素
子とが接触することになり、電気的な短絡及び半導体素
子の破損の問題を生じる。 また、モールドでレジンが
十分溝たされるためには０．１ｍｍ程度の隙間が必要で
あるという理由からである。
ずか（０，１ｍｍ程度）の変形によりリードと半導体素
子とが接触することになり、電気的な短絡及び半導体素
子の破損の問題を生じる。 また、モールドでレジンが
十分溝たされるためには０．１ｍｍ程度の隙間が必要で
あるという理由からである。
以下に本発明をさらに詳細に説明する。
第１図は、本発明のリードフレームの１実施例を示す平
面図である。
面図である。
リードフレーム１１は、外枠１３、リード部１５および
素子支持部１７を有する。
素子支持部１７を有する。
リード部１５は、樹脂封止時に封止材に封止されるイン
ナーリード１９と、外側に出るアウターリード２１とを
有する。 インナーリード１９の先端部は、できだけ内
部に伸延するほど好ましく、樹脂封止される際に、ワイ
ヤボンディング部分が封止樹脂の中心に位置することに
なるので、作製された半導体装置に耐湿性の大幅な向上
をもたらすことができる。
ナーリード１９と、外側に出るアウターリード２１とを
有する。 インナーリード１９の先端部は、できだけ内
部に伸延するほど好ましく、樹脂封止される際に、ワイ
ヤボンディング部分が封止樹脂の中心に位置することに
なるので、作製された半導体装置に耐湿性の大幅な向上
をもたらすことができる。
素子支持部１７は、外枠１３の２個の短辺中央から支持
部吊リード２３を介してそれぞれ連続的に延設されてい
る。 支持部吊リード２３は、素子支持部１７に半導体
素子を載置しても充分な保持強度を有するものである。
部吊リード２３を介してそれぞれ連続的に延設されてい
る。 支持部吊リード２３は、素子支持部１７に半導体
素子を載置しても充分な保持強度を有するものである。
素子支持部１７は、第２図の側面図に示すように、半
導体素子を支持する平坦部３５ａ、３５ｂを有し、支持
部吊リード２３には、リードフレーム１１が占める平面
から平坦部３５ａ、３５ｂを離間させる腕部３３ａ、３
３ｂを有する。
導体素子を支持する平坦部３５ａ、３５ｂを有し、支持
部吊リード２３には、リードフレーム１１が占める平面
から平坦部３５ａ、３５ｂを離間させる腕部３３ａ、３
３ｂを有する。
この発明において、素子支持部１７平坦部３５ ａ、
３５ ｂおよび支持吊リード２３の腕部３３ａ、３３
ｂは第１図および第２図に示すような形状、寸法に限定
されず、実際に半導体素子が安定に載置され、熱応力に
強いような形状、寸法であればよい。
３５ ｂおよび支持吊リード２３の腕部３３ａ、３３
ｂは第１図および第２図に示すような形状、寸法に限定
されず、実際に半導体素子が安定に載置され、熱応力に
強いような形状、寸法であればよい。
例えば、第４図に示すような他の実施例では、図の上下
方向の頬部が残るように、各々の平坦部３５ａ、３５ｂ
の内側に切り欠きを設けて、平坦部の支持に関与する部
分が全体で４個形成されて、平坦部３５ｃ〜３５ｆが形
成されるようにしたものである。
方向の頬部が残るように、各々の平坦部３５ａ、３５ｂ
の内側に切り欠きを設けて、平坦部の支持に関与する部
分が全体で４個形成されて、平坦部３５ｃ〜３５ｆが形
成されるようにしたものである。
ただし、平坦部３５ａ〜３５ｂ、３５ｃ〜３５ｆの長手
方向の長さは、短ければ短いほど、リードフレーム１１
と載置される半導体素子との間の熱膨張差に起因する熱
応力の影響を小さ（することができる。 この素子支持
部１７の長手方向の長さは、素子固着強度との兼ね合い
から、経験的に５ｍｍ以内であれば固着強度およびクラ
ック防止性の双方に対して良好な結果が得られている。
方向の長さは、短ければ短いほど、リードフレーム１１
と載置される半導体素子との間の熱膨張差に起因する熱
応力の影響を小さ（することができる。 この素子支持
部１７の長手方向の長さは、素子固着強度との兼ね合い
から、経験的に５ｍｍ以内であれば固着強度およびクラ
ック防止性の双方に対して良好な結果が得られている。
この理由としては、加熱時に生じる熱応力がもっばら
長手方向の長さに依存して決まるため、この長さを減少
させると、リードフレームと半導体素子（シリコン）と
の間並びにリードフレームと封止部材との間の熱応力を
減少させる作用がある。 ちなみに、これら材料の熱膨
張係数は、リードフレーム材において鉄系で５〜１５Ｘ
１０−’１／ ’Ｃ、シリコンでは４〜５Ｘ１０−’１
／”Ｃ１封止樹脂でＩＯ〜３０ｘｌＯ−＠１／”Ｃであ
る。
長手方向の長さに依存して決まるため、この長さを減少
させると、リードフレームと半導体素子（シリコン）と
の間並びにリードフレームと封止部材との間の熱応力を
減少させる作用がある。 ちなみに、これら材料の熱膨
張係数は、リードフレーム材において鉄系で５〜１５Ｘ
１０−’１／ ’Ｃ、シリコンでは４〜５Ｘ１０−’１
／”Ｃ１封止樹脂でＩＯ〜３０ｘｌＯ−＠１／”Ｃであ
る。
このため、これらの部材間の熱膨張差に起因する半導体
装置のパッケージにクラックが発生するのを防止する一
要素となる。
装置のパッケージにクラックが発生するのを防止する一
要素となる。
素子支持部１７の長手方向の長さの下限は特に設けない
が、リードフレームの加工上の制約からインナーリード
１９の幅寸法（はぼ０． １〜０．３ｍｍ）とほぼ同等
の長さと考えてよい。
が、リードフレームの加工上の制約からインナーリード
１９の幅寸法（はぼ０． １〜０．３ｍｍ）とほぼ同等
の長さと考えてよい。
このようなリードフレーム１１の素子支持部１７に、第
３図の断面図にて示すように、素子支持部１７のインナ
ーリード側とは反対側に半導体素子２５が載置され、さ
らにそれらが接着され、ボンディングワイヤ２７がイン
ナーリード１９の先端部および半導体素子２５の電極端
子の間で設けられ、最後に封止材２９で樹脂封止されて
半導体装置３１が形成される。 この場合にインナーリ
ード１９が半導体素子２５の上に延在するため、半導体
素子２５の電極端子へ接続されるボンディングワイヤ２
７の長さが短くなり、すなわちワイヤの取り回し長さが
短くなるため、配線の集積密度を高めることができる。
３図の断面図にて示すように、素子支持部１７のインナ
ーリード側とは反対側に半導体素子２５が載置され、さ
らにそれらが接着され、ボンディングワイヤ２７がイン
ナーリード１９の先端部および半導体素子２５の電極端
子の間で設けられ、最後に封止材２９で樹脂封止されて
半導体装置３１が形成される。 この場合にインナーリ
ード１９が半導体素子２５の上に延在するため、半導体
素子２５の電極端子へ接続されるボンディングワイヤ２
７の長さが短くなり、すなわちワイヤの取り回し長さが
短くなるため、配線の集積密度を高めることができる。
この第３図から分かるように、半導体素子２５は、素子
支持部１７のリードフレーム１１から離間する側に載置
されている。 こ の ため、リードフレーム１１およ
び半導体素子２５の間に封止材２９が満たされる。
支持部１７のリードフレーム１１から離間する側に載置
されている。 こ の ため、リードフレーム１１およ
び半導体素子２５の間に封止材２９が満たされる。
リードフレーム１１と半導体素子２５との接着について
は、リードフレーム作製段階でリードフレーム側すなわ
ち素子支持部１７に接着剤を塗布している。 この方が
製品の精度、歩留り等の観点で良好な結果が得られるた
めである。 ひいては、素子接着工程が簡単になり、半
導体パッケージの組立コストを間接的に低減できる。
接着剤を塗布する部分については、少なくとも半導体素
子２５と接触する部分に塗布すればよく、もしも充分な
接着強度が得られるのならば、さらに少ない面積に塗布
してもよい。
は、リードフレーム作製段階でリードフレーム側すなわ
ち素子支持部１７に接着剤を塗布している。 この方が
製品の精度、歩留り等の観点で良好な結果が得られるた
めである。 ひいては、素子接着工程が簡単になり、半
導体パッケージの組立コストを間接的に低減できる。
接着剤を塗布する部分については、少なくとも半導体素
子２５と接触する部分に塗布すればよく、もしも充分な
接着強度が得られるのならば、さらに少ない面積に塗布
してもよい。
接着剤としては、アクリル系、エポキシ系、ポリイミド
系の熱硬化型のものを、半硬化状態で用いるか、または
ポリエーテルアミドイミド等の熱可塑型のものを用いる
こともできる。
系の熱硬化型のものを、半硬化状態で用いるか、または
ポリエーテルアミドイミド等の熱可塑型のものを用いる
こともできる。
本発明に用いられるリードフレーム１１の材料としては
、Ｃｕ、Ｃｕ合金およびＦｅ合金等の通常のリードフレ
ーム材として用いられるものであれば何でもよい。 例
えば４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金は低熱膨張化がある程度なさ
れているので、本発明のリードフレーム材料として有効
である。
、Ｃｕ、Ｃｕ合金およびＦｅ合金等の通常のリードフレ
ーム材として用いられるものであれば何でもよい。 例
えば４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金は低熱膨張化がある程度なさ
れているので、本発明のリードフレーム材料として有効
である。
〈実施例〉
以下に本発明を実施例に基づき具体的に説明する。
（実施例１）
リードフレーム材として板厚０．２５ｍｍの４２％Ｎｉ
−Ｆｅ合金を用い、第１図に示すような形状の素子支持
部１７を有する、ビン数２０のＤＩＰ用のリードフレー
ム１１を作製した。 各素子支持部１７の長手方向の長
さは搭載する素子の短辺の長さにほぼ等しい５ｍｍとし
、幅方向の長さは２ｍｍとした。 素子支持部１７は、
その平坦部がリードフレーム１１から０．２ｍｍ離間さ
れるようにして、リードフレーム平面と半導体素子２５
との間に０．２ｍｍの隙間が形成されるようにした。
−Ｆｅ合金を用い、第１図に示すような形状の素子支持
部１７を有する、ビン数２０のＤＩＰ用のリードフレー
ム１１を作製した。 各素子支持部１７の長手方向の長
さは搭載する素子の短辺の長さにほぼ等しい５ｍｍとし
、幅方向の長さは２ｍｍとした。 素子支持部１７は、
その平坦部がリードフレーム１１から０．２ｍｍ離間さ
れるようにして、リードフレーム平面と半導体素子２５
との間に０．２ｍｍの隙間が形成されるようにした。
このリードフレーム１１を用い、素子支持部１７に半導
体素子を搭載したのち、直径２５マイクロメートルの金
製のボンディングワイヤでインナーリード４との間をボ
ンディングし、樹脂封止して１メガビツトのＤＲＡＭ相
当の半導体装置を作製した。
体素子を搭載したのち、直径２５マイクロメートルの金
製のボンディングワイヤでインナーリード４との間をボ
ンディングし、樹脂封止して１メガビツトのＤＲＡＭ相
当の半導体装置を作製した。
この半導体装置について一５５℃〜１５０℃の温度差で
３００サイクルのヒートサイクル試験および一６５℃〜
１５０℃の温度差で１５サイクルの熱衝撃試験を行った
が半導体素子および封止材にクラックが生じなかった。
３００サイクルのヒートサイクル試験および一６５℃〜
１５０℃の温度差で１５サイクルの熱衝撃試験を行った
が半導体素子および封止材にクラックが生じなかった。
比較のため、第５図に平面図で示すような形状および寸
法、即ち長さ１３ｍｍＸ幅５ｍｍの矩形の素子支持部を
有する他は、上述した実施例と同様のリードフレームを
使用した半導体装置を作製して同様な試験を行ったとこ
ろ、供試サンプルの約１０％に封止材の外部にまで達す
るクラックが観察され、さらに供試サンプルの約７０％
に内部クラックが観察された。
法、即ち長さ１３ｍｍＸ幅５ｍｍの矩形の素子支持部を
有する他は、上述した実施例と同様のリードフレームを
使用した半導体装置を作製して同様な試験を行ったとこ
ろ、供試サンプルの約１０％に封止材の外部にまで達す
るクラックが観察され、さらに供試サンプルの約７０％
に内部クラックが観察された。
（実施例２）
実施例１と同じリードフレーム材を用い、第４図に示す
ような素子支持部１７を有し、半導体素子と接触する面
にデイスペンサを用いてポリエーテルアミドイミド接着
剤（日立化成工業社製）を塗布した、ビン数２０のＤＩ
Ｐ用のリードフレーム１７を作製した。 素子支持部１
７８〜１７ｄはそれぞれ１．５Ｘ１．５ｍｍとした。
上記接着剤の塗布は極めて容易にできた。
ような素子支持部１７を有し、半導体素子と接触する面
にデイスペンサを用いてポリエーテルアミドイミド接着
剤（日立化成工業社製）を塗布した、ビン数２０のＤＩ
Ｐ用のリードフレーム１７を作製した。 素子支持部１
７８〜１７ｄはそれぞれ１．５Ｘ１．５ｍｍとした。
上記接着剤の塗布は極めて容易にできた。
このリードフレーム１１を用い、素子支持部１７に半導
体素子を搭載したのち、実施例１と同様にして１メガビ
ットＤＲＡＭ相当の半導体装置を作製した。
体素子を搭載したのち、実施例１と同様にして１メガビ
ットＤＲＡＭ相当の半導体装置を作製した。
この半導体装置について、実施例１と同じ試験を行った
が、半導体素子および封止部材にクラックが観察されな
かった。
が、半導体素子および封止部材にクラックが観察されな
かった。
〈発明の効果〉
以上の説明から理解できるように、本発明のリードフレ
ームでは、素子支持部をリードフレームからオフセット
配置することにより、リードフレームの占める平面と半
導体素子との間に隙間が生じ、この隙間に、樹脂封止の
際に、樹脂が満たされて、半導体素子とリードフレーム
との間の絶縁が保たれる。 したがって、絶縁のための
樹脂フィルムを使用する必要がなくなり、実装時の半田
付けの際に、樹脂フィルムに起因する水分の蒸発、膨張
が無（なり、したがって半導体パッケージのクラックを
防止することができる。
ームでは、素子支持部をリードフレームからオフセット
配置することにより、リードフレームの占める平面と半
導体素子との間に隙間が生じ、この隙間に、樹脂封止の
際に、樹脂が満たされて、半導体素子とリードフレーム
との間の絶縁が保たれる。 したがって、絶縁のための
樹脂フィルムを使用する必要がなくなり、実装時の半田
付けの際に、樹脂フィルムに起因する水分の蒸発、膨張
が無（なり、したがって半導体パッケージのクラックを
防止することができる。
さらに、リードが半導体素子の上を延在することにより
、リードの引き回しが容易になり、リードフレームの設
計上の余裕が生じ有利になるとともにボンディングワイ
ヤの長さを短くできることにより、実装密度を高めるこ
とができる。 素子支持部にあらかじめ接着剤を塗布し
ておくことにより、素子接着工程が簡単になるため、半
導体パッケージ組み立てのコストの低減につながる。
、リードの引き回しが容易になり、リードフレームの設
計上の余裕が生じ有利になるとともにボンディングワイ
ヤの長さを短くできることにより、実装密度を高めるこ
とができる。 素子支持部にあらかじめ接着剤を塗布し
ておくことにより、素子接着工程が簡単になるため、半
導体パッケージ組み立てのコストの低減につながる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明のリードフレームの一実施例を示す平
面図である。 第２図は、−第１図に示すリードフレームを示す側面図
である。 第３図は、本発明のリードフレームを用いて作製した半
導体装置を示す断面図である。 第４図は、本発明のリードフレームの他の実施例を示す
平面図である。 第５図は、リードフレームの比較例を示す平面図である
。 第６図は、従来のリードフレームを用いて作製した半導
体装置を示す断面図である。 符号の説明 １１・・・リードフレーム、 １３・・・外枠、 １５・・・リード部、 １７・・・素子支持部、 １９・・・インナーリード、 ２１・・・アウターリード、 ２３・・・素子吊リード、 ２５・・・半導体素子、 ２７・・・ボンディングワイヤ、 ２９・・・封止材、 ３３ａ、３３ｂ・・・腕部、 ３５ａ〜３５ｆ・・・平坦部 ＦＩＧ、１ ＦＩＧ、２ ＦＩＧ、３ Ｆ Ｉ Ｇ、 ４ ＦＩＧ、６
面図である。 第２図は、−第１図に示すリードフレームを示す側面図
である。 第３図は、本発明のリードフレームを用いて作製した半
導体装置を示す断面図である。 第４図は、本発明のリードフレームの他の実施例を示す
平面図である。 第５図は、リードフレームの比較例を示す平面図である
。 第６図は、従来のリードフレームを用いて作製した半導
体装置を示す断面図である。 符号の説明 １１・・・リードフレーム、 １３・・・外枠、 １５・・・リード部、 １７・・・素子支持部、 １９・・・インナーリード、 ２１・・・アウターリード、 ２３・・・素子吊リード、 ２５・・・半導体素子、 ２７・・・ボンディングワイヤ、 ２９・・・封止材、 ３３ａ、３３ｂ・・・腕部、 ３５ａ〜３５ｆ・・・平坦部 ＦＩＧ、１ ＦＩＧ、２ ＦＩＧ、３ Ｆ Ｉ Ｇ、 ４ ＦＩＧ、６
Claims (2)
- （１）半導体素子を坦持する素子支持部を有する、樹脂
封止される半導体装置用のリードフレームにおいて、 前記素子支持部が、前記半導体素子を安定に支持しえる
複数の支持部分を有し、前記リードフレームは、前記半
導体素子をリードフレームの占める平面から離間する側
にオフセットするための腕部を有することを特徴とする
半導体装置用のリードフレーム。 - （２）前記素子支持部のオフセット量が０．１〜０．７
ｍｍである請求項１記載の半導体装置用のリードフレー
ム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2159493A JPH0449649A (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 半導体装置用のリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2159493A JPH0449649A (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 半導体装置用のリードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0449649A true JPH0449649A (ja) | 1992-02-19 |
Family
ID=15694972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2159493A Pending JPH0449649A (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 半導体装置用のリードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0449649A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4318727A1 (de) * | 1992-06-05 | 1993-12-09 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleitervorrichtung mit LOC-Struktur sowie dazugehöriges Herstellungsverfahren und dazugehöriger Zuführungsdraht-Rahmen |
| EP0807972A3 (en) * | 1996-05-09 | 2000-05-31 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and method of its fabrication |
| CN112874430A (zh) * | 2015-02-05 | 2021-06-01 | 法雷奥照明公司 | 用于将光源连接到电源装置的装置 |
-
1990
- 1990-06-18 JP JP2159493A patent/JPH0449649A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4318727A1 (de) * | 1992-06-05 | 1993-12-09 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleitervorrichtung mit LOC-Struktur sowie dazugehöriges Herstellungsverfahren und dazugehöriger Zuführungsdraht-Rahmen |
| US5724726A (en) * | 1992-06-05 | 1998-03-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making leadframe for lead-on-chip (LOC) semiconductor device |
| DE4318727C2 (de) * | 1992-06-05 | 1998-03-12 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit LOC-Struktur sowie dazugehöriger Zuführungsdrahtrahmen |
| US5900582A (en) * | 1992-06-05 | 1999-05-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Lead frame including frame-cutting slit for lead-on-chip (LOC) semiconductor device and semiconductor device incorporating the lead frame |
| EP0807972A3 (en) * | 1996-05-09 | 2000-05-31 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and method of its fabrication |
| US6258621B1 (en) | 1996-05-09 | 2001-07-10 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of fabricating a semiconductor device having insulating tape interposed between chip and chip support |
| CN112874430A (zh) * | 2015-02-05 | 2021-06-01 | 法雷奥照明公司 | 用于将光源连接到电源装置的装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW473946B (en) | Semiconductor device and its manufacture method | |
| EP0502710B1 (en) | Flexible film semiconductor package | |
| US5585600A (en) | Encapsulated semiconductor chip module and method of forming the same | |
| JP2702219B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0613502A (ja) | 半導体集積回路チップ | |
| KR950005450B1 (ko) | 수지봉지형 반도체장치와 그 제조방법 | |
| JPH03268351A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60167454A (ja) | 半導体装置 | |
| US6297544B1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| JPH0449649A (ja) | 半導体装置用のリードフレーム | |
| JPH04158556A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS59207646A (ja) | 半導体装置およびリ−ドフレ−ム | |
| JPH0475355A (ja) | リードフレームへの半導体素子の接合方法 | |
| JPH0415947A (ja) | 半導体装置用リードフレームおよび半導体装置 | |
| JPH03195052A (ja) | リードフレーム及びその製造方法 | |
| US5969410A (en) | Semiconductor IC device having chip support element and electrodes on the same surface | |
| JPH0437050A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS61242051A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2737332B2 (ja) | 集積回路装置 | |
| KR0155441B1 (ko) | 지지바를 이용한 다이패드구조로 이루어지는 반도체패키지 | |
| JPH03109757A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH02143449A (ja) | 半導体封止容器 | |
| JPH02178953A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH03236249A (ja) | 半導体チップモジュール | |
| JPS6118157A (ja) | 半導体装置 |