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JPH0448678A - Flexible printed circuit board - Google Patents

Flexible printed circuit board

Info

Publication number
JPH0448678A
JPH0448678A JP15641790A JP15641790A JPH0448678A JP H0448678 A JPH0448678 A JP H0448678A JP 15641790 A JP15641790 A JP 15641790A JP 15641790 A JP15641790 A JP 15641790A JP H0448678 A JPH0448678 A JP H0448678A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polyether copolymer
insulating substrate
film
printed circuit
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP15641790A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2913417B2 (en
Inventor
Chikafumi Kayano
茅野 慎史
Shigeru Murakami
滋 村上
Shigeru Matsuo
茂 松尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Idemitsu Kosan Co Ltd
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Idemitsu Kosan Co Ltd filed Critical Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority to JP15641790A priority Critical patent/JP2913417B2/en
Publication of JPH0448678A publication Critical patent/JPH0448678A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2913417B2 publication Critical patent/JP2913417B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To prevent deformation caused by moisture absorption and improve dimensional stability by using a crystalline film, which is made of polyether copolymer resin at the specified composition ratio and of the specified melt viscosity, as an insulating substrate and forming a conductive layer thereon. CONSTITUTION:A polyether copolymer resin crystalline film, which is composed of cyclic units shown by formulae (I) and (II), the molar composition rate of the cyclic unit shown by formula (I), represented by (I)/{(I)+(II)}, of which is 0.15-0.40 moles, and the melt viscosity of which is 3,000-100,000 P at 400 deg.C, is used as an insulating substrate and a conductive layer is formed thereon.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、ポリエーテル系共重合体からなる結晶性フィ
ルムを絶縁基板とするフレキシブルプリント回路基板に
関する。さらに詳しく言うと、耐熱性、機械的特性等の
緒特性に優れるとともに。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to a flexible printed circuit board using a crystalline film made of a polyether copolymer as an insulating substrate. More specifically, it has excellent properties such as heat resistance and mechanical properties.

特に吸水率および吸湿膨張率が小さくて、吸湿に伴なう
変形かなく1寸法安定性に優れたポリエーテル系共重合
体からなる結晶性フィルムを絶縁基板からなるフレキシ
ブルプリント回路基板に関する。
In particular, the present invention relates to a flexible printed circuit board made of an insulating substrate made of a crystalline film made of a polyether copolymer which has a low water absorption coefficient and a small coefficient of hygroscopic expansion, is free from deformation due to moisture absorption, and has excellent one-dimensional stability.

[従来技術および発明が解決しようとする課題近年、耐
熱性、機械的特性、寸法安定性等に優れた素材を目的と
して、ポリアミド、ポリエステル、ポリスルホン、ボッ
イミド等種々のエンジニアリングプラスチックか開発さ
れ、これらの素材を用いて成形されたフィルムは、電子
・電、^産業分野において広汎な用途に使用されている
[Prior art and problems to be solved by the invention In recent years, various engineering plastics such as polyamide, polyester, polysulfone, and boimide have been developed with the aim of producing materials with excellent heat resistance, mechanical properties, and dimensional stability. Films formed using this material are used for a wide range of purposes in the electronic, electronic, and industrial fields.

なかでも、ポリイミドフィルムは、現在も9とも優れた
特性をもつと言われているが、なお問題点の一つとして
吸湿による膨張率が大きいため。
Among these, polyimide film is still said to have excellent properties, but one of its problems is that it has a high expansion rate due to moisture absorption.

寸法安定性に劣る点か挙げられている。すなわち、ポリ
イミドフィルムに金属を積層してなるフレキシブルプリ
ント回路基板等において、樹脂フィルムと金属層との湿
度膨張率の差が大きいため、プリント回路基板が反りを
生じて変形することがある問題である。
It is cited that it has poor dimensional stability. In other words, in flexible printed circuit boards made by laminating metal on a polyimide film, there is a large difference in humidity expansion coefficient between the resin film and the metal layer, which causes the printed circuit board to warp and deform. .

本発明は前記の事情に基づいてなされたもので2その目
的とするところは、前記ポリイミドの諸物件と同レベル
の特性を有し、かつ湿度膨張率の小さいポリエーテル系
共重合体からなるフィルムを基板とし、湿度膨張率の差
による反り等変形することのないフレキシブルプリント
回路基板を提供することにある。
The present invention has been made based on the above-mentioned circumstances, and its object is to provide a film made of a polyether copolymer having properties on the same level as the above-mentioned polyimide products and having a small coefficient of humidity expansion. An object of the present invention is to provide a flexible printed circuit board which does not undergo deformation such as warping due to a difference in humidity expansion coefficient.

[課題を解決するための手段 前記目的を達成するための本発明の構成は。[Means to solve problems The structure of the present invention is to achieve the above object.

次式(1); で表わされる繰り返し単位および次式(■);(II) で表される繰り返し単位からなり、前記式(1)で表さ
れる繰り返し単位の組成比[モル比・(I)/((I)
+(II))]か0.15〜0−40−Tニルであると
ともに、400℃における溶融粘度か3.000〜10
0,000ボイズであるポリエーテル系共重合体樹脂か
らなる結晶性フィルムを絶縁基板とし、この絶縁基板に
導電層を設けてなることを特徴とするフレキシブルプリ
ント回路基板である。
Consisting of a repeating unit represented by the following formula (1); and a repeating unit represented by the following formula (■); (II), the composition ratio of the repeating unit represented by the formula (1) [molar ratio )/((I)
+(II))] or 0.15 to 0-40-T, and the melt viscosity at 400°C is 3.000 to 10
This is a flexible printed circuit board characterized in that an insulating substrate is a crystalline film made of a polyether copolymer resin having a void of 0,000, and a conductive layer is provided on the insulating substrate.

以下詳細に説明する。This will be explained in detail below.

本発明のフレキシブルプリント回路基板(以下プリント
回路基板と記す)は、ポリエーテル系共重合体からなる
結晶性フィルムを絶縁基板とする。
The flexible printed circuit board (hereinafter referred to as printed circuit board) of the present invention uses a crystalline film made of a polyether copolymer as an insulating substrate.

このポリエーテル系共重合体からなる結晶性フィルムの
絶縁基板は、ハンダ付けの際の加熱温度250℃、加熱
時間30秒間であるときの寸法変化は0.2%以下であ
る。また、熱膨張率は1.5×10−’ 〜2.5 x
 10−’であって、銅、ニッケル、銀などの導電性金
属の熱膨張率の2.Ox 10−’に近い値である。
The crystalline film insulating substrate made of this polyether copolymer exhibits a dimensional change of 0.2% or less when the heating temperature is 250° C. and the heating time is 30 seconds during soldering. In addition, the coefficient of thermal expansion is 1.5 x 10-' ~ 2.5 x
10-', which is 2.2% of the coefficient of thermal expansion of conductive metals such as copper, nickel, and silver. The value is close to Ox 10-'.

さらに、この絶縁基板は、湿度膨張率が5xto−’/
%R)I (RHは相対湿度である)以下てあり、かつ
吸水率か0.5%以下であって、吸湿による基板の反り
などの変形が生しにくい。
Furthermore, this insulating substrate has a humidity expansion coefficient of 5xto-'/
%R)I (RH is relative humidity) or less, and the water absorption rate is less than 0.5%, so deformation such as warping of the substrate due to moisture absorption is unlikely to occur.

また、ポリエーテル系共重合体は、電気的性質に関して
十分に優れた特性を示す、したがって、ポリエーテル系
共重合体からなる結晶性フィルムは、フレキシブルプリ
ント回路基板用q絶縁基板として優れたものである。
In addition, polyether copolymers exhibit sufficiently excellent electrical properties. Therefore, crystalline films made of polyether copolymers are excellent as q insulating substrates for flexible printed circuit boards. be.

この絶縁基板の基本材料であるボッエーテル系共重合体
について以下に説明する。
The Botether copolymer, which is the basic material of this insulating substrate, will be explained below.

−ポリエーテル系共重合体− 本発明のフレキシブルプリント回路基板における絶縁基
板の原料になるポリエーテル系共重合体において重要な
点の一つは、前記ポリエーテル系共重合体か、前記式(
I)て表わされる繰り返し単位と前記式(II)て表わ
される繰り返し単位とからなるとともに、前記式(I)
て表わされる繰り返し単位の含有割合[モル比、(I)
/((I)+(■))コか0.15〜0.40の範囲に
あり1式(■)て表わされる繰り返し単位の組成比(モ
ル比)か0.85〜0.60であることである。
-Polyether copolymer- One of the important points about the polyether copolymer that is the raw material for the insulating substrate in the flexible printed circuit board of the present invention is that the polyether copolymer is the polyether copolymer or the formula (
consisting of a repeating unit represented by I) and a repeating unit represented by formula (II), and
The content ratio of repeating units expressed as [molar ratio, (I)
/((I)+(■)) is in the range of 0.15 to 0.40, and the composition ratio (molar ratio) of the repeating unit represented by the formula (■) is 0.85 to 0.60. That's true.

前記式(I)て表わされる縁り返し単位の組成比が0.
15未満であると、ポリエーテル系共重合体のガラス転
移温度か低くなって耐熱性が低下したり、融点か高くな
って成形性の劣化を招いたりする。一方、0,40を超
えると、ポリエーテル系重合体の結晶性が失われて、耐
熱性、屹壇剤性が低下する。
The composition ratio of the reversing unit represented by the formula (I) is 0.
If it is less than 15, the glass transition temperature of the polyether copolymer will be low, resulting in a decrease in heat resistance, or the melting point will be high, leading to deterioration in moldability. On the other hand, when it exceeds 0.40, the crystallinity of the polyether polymer is lost, resulting in a decrease in heat resistance and oxidation properties.

また、本発明に用いられるポリエーテル系共重合体にお
いては、温度400°Cにおける溶融粘度(ゼロ剪断粘
度)か3,000〜100,000ポイズであることか
重要である。
Further, in the polyether copolymer used in the present invention, it is important that the melt viscosity (zero shear viscosity) at a temperature of 400°C is 3,000 to 100,000 poise.

この溶融粘度か3,000ボイズ未満である低分子量の
ポリエーテル系共重合体ては、十分な耐熱性および機械
的強度を達成することができないからである。
This is because a low molecular weight polyether copolymer having a melt viscosity of less than 3,000 voids cannot achieve sufficient heat resistance and mechanical strength.

また、溶融粘度が100.000ボイズを超えるとフィ
ルム化など成形加工性か低下する。
Moreover, when the melt viscosity exceeds 100,000 voids, the moldability such as forming into a film deteriorates.

本発明に用いられるポリエーテル系共重合体は、たとえ
ば結晶融点か330〜400℃程度てあって、高い結晶
性を宥するとともに、十分に高分子量であり、十分な耐
熱性を示すとともに、耐溶剤性、機械的強度に優れて、
たとえば電気・電子機器分野、機械分野等における新た
な素材として好適に用いることかてきる。
The polyether copolymer used in the present invention has, for example, a crystal melting point of about 330 to 400°C, which allows for high crystallinity, has a sufficiently high molecular weight, exhibits sufficient heat resistance, and Excellent solvent resistance and mechanical strength.
For example, it can be suitably used as a new material in the electrical/electronic equipment field, mechanical field, etc.

このようなポリエーテル系共重合体は、以下のようにし
て製造することかできる。
Such a polyether copolymer can be produced as follows.

−ポリエーテル系共重合体の製造方法−ポリエーテル系
共重合体は、特定使用比率てジハロゲノベンゾニトリル
、および4,4′−ビフェノール、ならびにアルカリ金
属化合物を中性極性溶媒の存在下に反応させた後、反応
生成物と特定量の4,4′−ジハロゲノベンゾフェノン
との共重合反応を行なうことにより、製造することかで
きる。
-Production method of polyether copolymer-Polyether copolymer is produced by reacting dihalogenobenzonitrile, 4,4'-biphenol, and an alkali metal compound in the presence of a neutral polar solvent in a specific usage ratio. After that, the reaction product can be produced by carrying out a copolymerization reaction with a specific amount of 4,4'-dihalogenobenzophenone.

使用に供される前記ジハロゲノベンゾニトリルの具体例
としては、たとえば、次式。
Specific examples of the dihalogenobenzonitrile that can be used include the following formula.

N (たたし、式中、Xはハロゲン原子である。)て表わさ
れる2、6−ジハロゲノベンゾニトリル、2,4−ジハ
ロゲノベンゾニトリルなどが挙げられる。
Examples thereof include 2,6-dihalogenobenzonitrile and 2,4-dihalogenobenzonitrile represented by N (wherein, X is a halogen atom).

これらの中ても、好ましいのは2,6−ジクロロベンゾ
ニトリル、2,6−シフルオロペンゾニトリル、2,4
−ジクロロベンゾニトリル、2゜4−シフルオロペンゾ
ニトソルてあり、特に好ましいのは2,6−ジクロロベ
ンゾニトリルである。
Among these, 2,6-dichlorobenzonitrile, 2,6-cyfluoropenzonitrile, 2,4
-dichlorobenzonitrile, 2°4-cyfluoropenzonitol, and 2,6-dichlorobenzonitrile is particularly preferred.

前記ジハロゲノベンゾニトリルと次式;て表わされる4
、4′−ビフェノールとをアルカリ金属化合物および中
性極性溶媒の存在下て反応させる。
The dihalogenobenzonitrile and 4 represented by the following formula;
, 4'-biphenol in the presence of an alkali metal compound and a neutral polar solvent.

使用に供される前記アルカリ金属化合物は、前記4.4
′−ビフェノールをアルカリ金Ji塩にすることのてき
るものてあればよく、特に制限はないが、好ましいのは
アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属炭酸水素塩である。
The alkali metal compound to be used is as described in 4.4 above.
Any substance that can convert '-biphenol into an alkali gold Ji salt may be used, and there are no particular restrictions, but alkali metal carbonates and alkali metal hydrogen carbonates are preferred.

前記アルカリ金m炭酸塩としては、たとえば炭徴リチウ
ム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ルビジウム、
炭酸セシウムなどが挙げられる。
Examples of the alkali gold carbonate include charcoal lithium, sodium carbonate, potassium carbonate, rubidium carbonate,
Examples include cesium carbonate.

これらの中ても、好ましいのは炭酸ナトリウム、炭酸カ
リウムである。
Among these, preferred are sodium carbonate and potassium carbonate.

前記アルカリ金属炭酸水素塩としては、たとえば炭酸水
素リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリクム、
炭酸水素ルビジウム、炭酸水素セシウムなどが挙げられ
る。
Examples of the alkali metal hydrogen carbonate include lithium hydrogen carbonate, sodium hydrogen carbonate, potassium hydrogen carbonate,
Examples include rubidium hydrogen carbonate and cesium hydrogen carbonate.

これらの中でも、好ましいのは炭酸水素ナトリウム、炭
酸水素カリウムである。
Among these, preferred are sodium hydrogen carbonate and potassium hydrogen carbonate.

前記中性極性溶媒としては、たとえばN、N−ジメチル
ホルムアミドN、N−ジエチルホルムアミド、N、N−
ジメチルアセトアミド、N。
Examples of the neutral polar solvent include N,N-dimethylformamide N, N-diethylformamide, N,N-
Dimethylacetamide, N.

N−ジエチルアセトアミド、N、N−ジプロピルアセト
アミド、N、N−ジメチル安息香酸アミド、N−メチル
−2−ピロリドン、N−エチル−2−ピロリドン、N−
イソプロピル−2−ピロリドン、N−イソブチル−2−
ピロリドン、N−n−プロピル−2−ピロリドン、N−
n−フチルー2−ピロリドン、N−シクロへキシル−2
ピロリドン、N−メチル−3−メチル−2−ヒ°口ソト
ン、N−エチル−3−メチル−2−ピロリドン、N−メ
チル−3,4,5−ヒソメチル−2−ピロリドン、N−
メチル−2−ピペリトン、N−エチル−2−ピペリトン
、N、−イソプロピル−2−ピペリトン、N−メチル−
6−メチル−2−ピペリトン、N−メチル−3−エチル
ピペリトン、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキ
シド、l−メチル−1−オキソスルホラン、1−エチル
−1−オキソスルホラン、l−7エニルー1−才キソス
ルホラン、N、N’−ジメチルイミダゾリジノン、ジフ
ェニルスルホンなどか挙げられる。
N-diethylacetamide, N,N-dipropylacetamide, N,N-dimethylbenzoic acid amide, N-methyl-2-pyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, N-
Isopropyl-2-pyrrolidone, N-isobutyl-2-
Pyrrolidone, N-n-propyl-2-pyrrolidone, N-
n-phthyl-2-pyrrolidone, N-cyclohexyl-2
Pyrrolidone, N-methyl-3-methyl-2-hypersoton, N-ethyl-3-methyl-2-pyrrolidone, N-methyl-3,4,5-hysomethyl-2-pyrrolidone, N-
Methyl-2-piperitone, N-ethyl-2-piperitone, N,-isopropyl-2-piperitone, N-methyl-
6-Methyl-2-piperitone, N-methyl-3-ethylpiperitone, dimethyl sulfoxide, diethyl sulfoxide, l-methyl-1-oxosulfolane, 1-ethyl-1-oxosulfolane, l-7enyl-1-year-old xosulfolane, N , N'-dimethylimidazolidinone, diphenyl sulfone and the like.

製造方法の一例としては、前記アルカリ金属化合物およ
び前記中性極性溶媒の存在下ての前記ジハロゲノベンゾ
ニトリルと前記4.4゛−ビフェノールとの反応を行な
って得られる反応生成物と前記4.4′−ジハロゲノベ
ンゾフェノンとを反応させる。
As an example of the production method, the reaction product obtained by reacting the dihalogenobenzonitrile with the 4.4'-biphenol in the presence of the alkali metal compound and the neutral polar solvent, and the reaction product obtained in 4. React with 4'-dihalogenobenzophenone.

使用に供される前記4,4゛−ジハロゲノベンゾフェノ
ンは、次式: (ただし、Xは前記と同し意味である。)て表わされる
化合物てあり、本発明においそば、4.4゛−ジフルオ
ロベンゾフェノン、4.4−ジクロロベンゾフェノンを
特に好適に使用することかてきる。
The 4,4'-dihalogenobenzophenone used is a compound represented by the following formula: (wherein, X has the same meaning as above), and in the present invention, the 4,4'-dihalogenobenzophenone Difluorobenzophenone and 4,4-dichlorobenzophenone are particularly preferably used.

ジハロゲノベンゾニトリルと4,4°−ジハロゲノベン
ゾフェノンとの合計量の、前記4,4′−ビフェノール
の使用量に対するモル比か、通常、0.98〜1.02
.好ましくは、l、00〜1.01である。アルカリ金
属化合物の4.4゛−ビフェノールに対するモル比は、
通常、1.03〜2.50、好ましくは、 1.05〜
1.25である。
The molar ratio of the total amount of dihalogenobenzonitrile and 4,4°-dihalogenobenzophenone to the amount of 4,4'-biphenol used is usually 0.98 to 1.02.
.. Preferably, l is 00 to 1.01. The molar ratio of the alkali metal compound to 4.4′-biphenol is
Usually 1.03-2.50, preferably 1.05-2.50
It is 1.25.

前記中性極性溶媒の使用量については、特に制限はない
が、中性極性溶媒200m1に対して、通常、前記ジハ
ロゲノベンゾニトリルと前記4゜4゛ −ビフェノール
と前記アルカリ金属化合物との合計か0.05〜1モル
になるように調整される。
There is no particular restriction on the amount of the neutral polar solvent used, but usually the total amount of the dihalogenobenzonitrile, the 4゜4゛-biphenol, and the alkali metal compound is used per 200 ml of the neutral polar solvent. The amount is adjusted to 0.05 to 1 mole.

ポリエーテル系共重合体を得るには、たとえば、前記中
性極性溶媒中に、前記ジハロゲノベンゾニトリルと、前
記4.4°−ビフェノールと、前記アルカリ金属化合物
とを、同時に添加して。
To obtain the polyether copolymer, for example, the dihalogenobenzonitrile, the 4.4°-biphenol, and the alkali metal compound are added simultaneously to the neutral polar solvent.

前記ジハロゲノベンゾニトリルと前記4.4′ビフエノ
ールとの反応を行なわせた後、さらに前記4.4°−ジ
ハロゲノベンゾフェノンを添加し、通常は150〜38
0℃、好ましくは180〜330°Cの範囲の温度にお
いて一連の反応を行なわせる0反応温度か150°C未
満ては、反応速度か遅すぎて実用的てはないし、 コ8
0°Cを超えると、副反応を招くことかある。
After the reaction between the dihalogenobenzonitrile and the 4.4'biphenol, the 4.4°-dihalogenobenzophenone is further added, usually to a concentration of 150 to 38
A series of reactions is carried out at a temperature in the range of 0°C, preferably 180 to 330°C.If the reaction temperature is less than 150°C, the reaction rate is too slow to be practical.
If the temperature exceeds 0°C, side reactions may occur.

また、この一連の反応の反応時間は、通常0.1〜10
時間てあり、好ましくは0.5時間〜5時間である。
In addition, the reaction time of this series of reactions is usually 0.1 to 10
The time is preferably 0.5 to 5 hours.

反応の終了後、得られるポリエーテル系共重合体を含有
する中性極性溶媒溶液から、公知の方法に従って、ポリ
エーテル系共重合体を分離、精製することにより、ボッ
エーテル系共重合体を得ることかてきる。
After completion of the reaction, the polyether copolymer is separated and purified from the resulting neutral polar solvent solution containing the polyether copolymer according to a known method to obtain a botether copolymer. It comes.

また、本発明に用いられるポリエーテル系共重合体は、
中性極性溶媒中にジハロゲノベンツニトリルとビフェノ
ールとアルカリ金属塩とジハロゲノベンゾフェノンとを
同時に添加することにより得ることもてきる。
In addition, the polyether copolymer used in the present invention is
It can also be obtained by simultaneously adding dihalogenobenzonitrile, biphenol, alkali metal salt, and dihalogenobenzophenone to a neutral polar solvent.

本発明において用いるポリエーテル系共重合体は、 4
00℃における溶融粘度か3,000〜too、000
ボイズてあり、その結晶融点は330〜400°Cであ
る。
The polyether copolymer used in the present invention is 4
Melt viscosity at 00°C 3,000~too,000
It has a crystalline melting point of 330-400°C.

本発明においては、絶縁基板の原料である前記ポリエー
テル系共重合体につき、該ポリエーテル系共重合体に含
まれるアルカリ金属塩の含有量かてきるたけ少なく、特
に50pp園以下であることか望ましい。
In the present invention, the content of the alkali metal salt contained in the polyether copolymer, which is the raw material for the insulating substrate, is as low as possible, particularly 50 pp or less. desirable.

というのは、ポリエーテル系共重合体中に50ppmを
越えるアルカリ金属塩か含有されていると、このような
ポリエーテル系共重合体から形成された絶縁基板を有す
るフレキシブルプリント回路基板を長期間にわたって使
用していると、周辺機器の金属部分を腐食させたりする
ことかあるからである。
This is because if a polyether copolymer contains more than 50 ppm of alkali metal salt, a flexible printed circuit board having an insulating substrate formed from such a polyether copolymer may be damaged for a long period of time. This is because when used, it may corrode the metal parts of peripheral devices.

重合終了後のポリエーテル系共重合体中からアルカリ金
属塩を低減させるには、ポリエーテル系共重合体を、有
機酸もしくは無41酸含有の、pH3,5以下に調整さ
れた酸性水溶液て、洗浄するのかよい。
In order to reduce the alkali metal salt in the polyether copolymer after completion of polymerization, the polyether copolymer is treated with an acidic aqueous solution containing an organic acid or no acid and adjusted to pH 3.5 or less, Should I wash it?

前記有機酸としては、たとえば、ギ酸、酢酸、モノクロ
ル酢酸、ジクロル酢酸、トリクロル酢酸、プロピオン酸
等のモノカルボン酸、シュウ酸、マロン酸等のジカルボ
ン酸を挙げることかできる。これらの中でも好ましいの
はシュウ酸等のジカルボン酸てあり、特にシュウ酸か好
ましい。なお、これらの有機酸はその一種を単独で使用
することもてきるし、またその二1!以上を併用するこ
ともてきる。
Examples of the organic acids include monocarboxylic acids such as formic acid, acetic acid, monochloroacetic acid, dichloroacetic acid, trichloroacetic acid, and propionic acid, and dicarboxylic acids such as oxalic acid and malonic acid. Among these, dicarboxylic acids such as oxalic acid are preferred, and oxalic acid is particularly preferred. Incidentally, these organic acids can be used alone, or they can be used alone. The above can also be used together.

前記無機酸としては、塩酸、硫酸、リン酸等を挙げるこ
とかできる。これらの中ても好ましいのは塩酸である。
Examples of the inorganic acid include hydrochloric acid, sulfuric acid, and phosphoric acid. Among these, hydrochloric acid is preferred.

これらの酸を含有する溶液は、PH3,5以下になるよ
うに濃度を調整し、あるいは酸の種類を決定するのがよ
い。
It is preferable to adjust the concentration of the solution containing these acids so that the pH is 3.5 or less, or to determine the type of acid.

酸性水溶液でポリエーテル系共重合体を洗浄する時間は
、ポリエーテル系共重合体中のアルカリ金属塩の含有量
が50pp1以下になるのに十分な時間である。なお、
洗浄による脱塩効果を促進するために、洗浄時に酸性水
溶液とポリエーテル系共重合体との混合物を加温または
加圧下に加温してもよい。
The time for washing the polyether copolymer with the acidic aqueous solution is sufficient for the content of the alkali metal salt in the polyether copolymer to be 50 pp1 or less. In addition,
In order to promote the desalination effect by washing, the mixture of the acidic aqueous solution and the polyether copolymer may be heated or heated under pressure during washing.

酸性水溶液て洗浄した後には、ポリエーテル系共重合体
から酸を除去するために、純水、イオン交換水、蒸留水
等で十分に洗浄することか推奨される。
After washing with an acidic aqueous solution, it is recommended to wash thoroughly with pure water, ion-exchanged water, distilled water, etc. in order to remove the acid from the polyether copolymer.

次に1本発明における絶縁基板は、前記ポリエーテル系
共重合体、好ましくは十分に脱塩した前記ポリエーテル
系共重合体から形成することもてきるし、また、脱塩し
た前記ポリエーテル系共重合体と無機質充填剤との混合
されたポリエーテル系共重合体樹脂組成物から形成する
こともてきる。
Next, the insulating substrate in the present invention can be formed from the polyether copolymer, preferably the polyether copolymer that has been sufficiently desalted; It can also be formed from a polyether copolymer resin composition in which a copolymer and an inorganic filler are mixed.

前記ポリエーテル系共重合体樹脂組成物は、前記ポリエ
ーテル系共重合体と無機質充填剤とを、ポリエーテル系
共重合体に対し、無機質充填剤をその含有割合を10重
量%未満、好ましくはo、oos〜5重量%とすること
により、絶縁基板表面の滑り性か改善され、またその含
有割合を10〜50重量%、好ましくは15〜40重量
%とすることにより、熱膨張率の小さい絶縁基板を得る
ことかてきる。
The polyether copolymer resin composition contains the polyether copolymer and the inorganic filler, and the content of the inorganic filler is less than 10% by weight, preferably less than 10% by weight, based on the polyether copolymer. By setting o, oos to 5% by weight, the slipperiness of the surface of the insulating substrate is improved, and by setting the content to 10 to 50% by weight, preferably 15 to 40% by weight, the coefficient of thermal expansion is small. It is possible to obtain an insulating substrate.

前記無機質充填剤としては、たとえば、炭酸カルシウム
、炭酸マグネシウム、ドロマイト等の炭酸塩、硫酸カル
シウム、硫酸マグネシウム等の硫酸塩、亜硫酸カルシウ
ム等の亜硫酸塩、タルク、クレー、マイカ、アスベスト
、ガラス繊維、ガラスど−ズ、ケイ酸カルシウム、モン
モリロナイトベントナイト等のケイ酸塩、二酸化ケイ素
、アルミナ、炭化ケイ素、チッ化ケイ19のセラミック
およびこれらのウィスカなどを挙げることかできる0本
発明において好ましいのは、たとえば、炭酸カルシウム
、二酸化ケイ素、アルミナ粘土(カオリン、ベントナイ
ト、白土等)、タルク、金属酸化物(MgO、ZnO、
Ti02)等である。
Examples of the inorganic filler include carbonates such as calcium carbonate, magnesium carbonate, and dolomite, sulfates such as calcium sulfate and magnesium sulfate, sulfites such as calcium sulfite, talc, clay, mica, asbestos, glass fiber, and glass. In the present invention, preferred examples include silicates such as carbon dioxide, calcium silicate, montmorillonite bentonite, silicon dioxide, alumina, silicon carbide, silicon nitride, ceramics such as silicon nitride, and their whiskers. Calcium carbonate, silicon dioxide, alumina clay (kaolin, bentonite, clay, etc.), talc, metal oxides (MgO, ZnO,
Ti02) etc.

前記無41貫充填剤は、粒状、板状、繊維状のいずれの
形態てあってもよいか、この発明においては粒径か5μ
m以下てあればよく、好ましくはより細かいものを用い
る。
The non-41-hole filler may be in the form of granules, plates, or fibers, and in this invention, the particle size is 5 μm.
It is sufficient if it is less than m, and preferably a finer one is used.

これらの無機質充填剤は、一種単独て使用してもよいし
、あるいは二種以上を併用してもよい。
These inorganic fillers may be used alone or in combination of two or more.

ポリエーテル系共重合体樹脂組成物は、上述したポリエ
ーテル系共重合体の製造方法により得られたポリエーテ
ル系共重合体のパラターに適宜に選択した無機質充填剤
を50重量%以下の適宜の割合て混合し、ヲレントした
後、押出機にて混練し、ペレット化することにより得る
ことかてきる。
The polyether copolymer resin composition is prepared by adding 50% by weight or less of an appropriately selected inorganic filler to the polyether copolymer paratar obtained by the above-mentioned polyether copolymer manufacturing method. It can be obtained by mixing proportions, heating, kneading in an extruder, and pelletizing.

また、無機質充填剤の存在下にボッエーテル系共重合体
を製造する方法を採用して、ボッエーテル系共重合体組
成物を得ることもてきる。
Furthermore, a botether copolymer composition can also be obtained by employing a method of producing a botether copolymer in the presence of an inorganic filler.

−絶縁基板の作成− 本発明においては、得られたポリエーテル系共重合体あ
るいは前記ポリエーテル系共重合体樹脂組成物から、結
晶化フィルムを作成し、これから絶縁基板を作成する。
- Creation of an insulating substrate - In the present invention, a crystallized film is created from the obtained polyether copolymer or the polyether copolymer resin composition, and an insulating substrate is created from it.

結晶化フィルムを得るために、先ず、ポリエーテル系共
重合体あるいは前記ポリエーテル系共重合体樹脂組成物
をフィルム化する。
In order to obtain a crystallized film, first, a polyether copolymer or the polyether copolymer resin composition is formed into a film.

フィルム化は、押出成形法やプレス成形法等の通常の方
法を用いて、結晶融点より10〜100°C高い温度て
、好ましくは、結晶融点より30〜70℃高い温度で行
い、急冷することによって、透明性のよい非品性フィル
ムか得られる。
Forming into a film is performed using a conventional method such as extrusion molding or press molding at a temperature of 10 to 100°C higher than the crystal melting point, preferably 30 to 70°C higher than the crystal melting point, and then rapidly cooled. By this method, a non-grade film with good transparency can be obtained.

たとえば、前記ポリエーテル系共重合体もしくはポリエ
ーテル系共重合体樹脂組成物を押し出し機に供給し、樹
脂温度を350〜450℃とし、溶融状態てスリット状
のダイから押出し、冷却・固化させることにより、ポリ
エーテル系共重合体もしくはポリエーテル系共重合体樹
脂組成物の未延伸の非品性フィルムを作製することかて
きる。
For example, the polyether copolymer or polyether copolymer resin composition is supplied to an extruder, the resin temperature is set at 350 to 450°C, the molten state is extruded through a slit-shaped die, and the mixture is cooled and solidified. Accordingly, it is possible to produce an unstretched, non-quality film of a polyether copolymer or a polyether copolymer resin composition.

または、熱プレス機により、プレス温度350〜450
℃にて、プレスフィルムを作製することにより、ポリエ
ーテル系共重合体もしくはポリエーテル系共重合体樹脂
組成物の未延伸の非品性フィルムを得ることかてきる。
Or press at a temperature of 350 to 450 using a heat press machine.
By producing a press film at .degree. C., it is possible to obtain an unstretched, unstretched film of a polyether copolymer or a polyether copolymer resin composition.

ついて、これらの未延伸フィルムを一軸延伸あるいは二
軸延伸して配向させることにより、延伸フィルムを製造
することかてきる。
Then, a stretched film can be produced by uniaxially or biaxially stretching and orienting these unstretched films.

延伸方法は二軸同時延伸でも、あるいは−軸づつの逐次
延伸てもいずれの方法でもよい。
The stretching method may be either simultaneous biaxial stretching or sequential stretching on each axis.

延伸温度は、ガラス転移温度から結晶融点の間の温度、
たとえば、 180〜250℃て行う。
The stretching temperature is a temperature between the glass transition temperature and the crystal melting point,
For example, it is carried out at 180-250°C.

延伸倍率は、 1.2〜・3倍であるのか好ましく、特
に 1.3〜2.5倍であるのか好ましい。
The stretching ratio is preferably 1.2 to 3 times, particularly preferably 1.3 to 2.5 times.

延伸倍率か、1.2倍未満ては十分な延伸効果(引張強
度、引張弾性率等のフィルム物性の改良効果)が奏され
ないことがあるし、また、3倍を超えて延伸したとして
も、延伸効果はさらに向上しないことかある。
If the stretching ratio is less than 1.2 times, sufficient stretching effect (improving effect on film properties such as tensile strength and tensile modulus) may not be achieved, and even if the stretching ratio is more than 3 times, The stretching effect may not be further improved.

また、延伸前のフィルムあるいは延伸後の延伸フィルム
を熱処理することによって、耐熱性の著しく向上した熱
処理フィルムを得ることかてきる。
Furthermore, by heat-treating the film before stretching or the stretched film after stretching, it is possible to obtain a heat-treated film with significantly improved heat resistance.

熱処理は、その結晶化温度と結晶融点との間の温度て加
熱することにより行なわれ、その結果結晶化フィルムか
得られる。
Heat treatment is carried out by heating at a temperature between the crystallization temperature and the crystal melting point, resulting in a crystallized film.

延伸の如何に拘らず、熱処理は、緊張下で行い、結晶化
温度すなわち、上記フィルム化て非晶化したポリマーか
、熱処理(昇温)で結晶化する温度より高く、結晶融点
より低い温度、たとえば、 190〜370℃て行う。
Regardless of the stretching, the heat treatment is performed under tension, and the crystallization temperature is higher than the temperature at which the film-formed and amorphous polymer crystallizes by heat treatment (temperature elevation) and lower than the crystal melting point. For example, it is carried out at 190-370°C.

好適な一例として、前記延伸フィルムを金属フレーム等
て固定し、緊張下て、190〜370℃に加熱しながら
、1〜600抄間かけて、熱処理することか挙げられる
As a preferred example, the stretched film may be fixed with a metal frame or the like, and heat treated under tension while heating at 190 to 370°C for 1 to 600 sheets.

加熱の方法については特に制限がなく、様々な手段を採
用することができる。
There are no particular restrictions on the heating method, and various means can be employed.

さらに、この熱処理により得られた熱処理フィルムを、
再度、熱処理温度付近て再熱処理を行なっても良い。
Furthermore, the heat-treated film obtained by this heat treatment is
The heat treatment may be performed again at around the heat treatment temperature.

この再熱処理は、必要に応じて緊張下または無緊張下て
行い、ポリエーテル系共重合体樹脂組成物のガラス転移
温度と前記熱処理温度との間の温度て行うのが良い。
This reheat treatment is preferably carried out under tension or without tension as required, and at a temperature between the glass transition temperature of the polyether copolymer resin composition and the heat treatment temperature.

この再熱処理を行うことにより、熱処理フィルムの熱収
縮率か小さくなり、寸法安定性に優れたフィルムを得る
ことかできる。
By performing this reheat treatment, the heat shrinkage rate of the heat-treated film is reduced, and a film with excellent dimensional stability can be obtained.

−フレキシブルプリント回路基板の作成−本発明のフレ
キシブルプリント回路基板は、前記のようにして作成し
た、ポリエーテル系共重合体からなる結晶化フィルムの
表面に、導電性の材料て電気設計に基づく配線パターン
を形成することにより得ることかてきる。
- Preparation of flexible printed circuit board - The flexible printed circuit board of the present invention is produced by applying electrically conductive material to the surface of the crystallized film made of a polyether copolymer and wiring based on electrical design. It can be obtained by forming a pattern.

導電性の材料としては、一般に用いられる金属箔、たと
えば銅箔、アルミニウム箔、銀箔などが挙げられ、なか
ても銅箔か好ましい、銅箔としては、主として厚さ1B
pm、3Spm、70gmの電解銅箔あるいは圧延銅箔
か用いられる。
Examples of the conductive material include commonly used metal foils such as copper foil, aluminum foil, and silver foil. Among these, copper foil is preferable.
Electrolytic copper foil or rolled copper foil of pm, 3 Spm, 70 gm is used.

金属箔の接合手段や形状の具体的手段としては特に制限
かなく、たとえば銅箔などの金属箔を、絶縁基板に貼り
合わせた後、金属箔をパターンエツチングするいわゆる
サブトラクティブ法、絶縁基板上に銅等をパターン状に
メツキするアディティブ法、パターン状に打ち抜いた銅
箔等を絶縁基板に貼り合わせるスタンピングホイル法な
どを利用することかできる。
There are no particular restrictions on the specific means for bonding or shaping the metal foil. For example, the so-called subtractive method, in which metal foil such as copper foil is pasted onto an insulating substrate, and then pattern-etched on the metal foil; An additive method in which copper or the like is plated in a pattern, a stamping foil method in which copper foil or the like punched out in a pattern is bonded to an insulating substrate, etc. can be used.

[実施例 次に本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明する
[Examples] Next, the present invention will be explained in more detail based on examples.

(実施例1) トルエンを満たしたディーンスタルクトラップ、攪拌装
置およびアルゴンガス吹込管を備えた内容積5fLの反
応器に、2,6−シクロロペンゾニトリル32.34g
 (0,i88モル)、4.4’−ビフェノール139
.66g (0,75モル)、炭酸カリウム124.3
9g (0,9モル)およびN−メチル−2−ピロリド
ン1.5文を入れ、アルゴンガスを吹込みながら、1時
間かけて室温から195°Cにまて昇温した。
(Example 1) 32.34 g of 2,6-cyclopenzonitrile was placed in a reactor with an internal volume of 5 fL equipped with a Dean-Starck trap filled with toluene, a stirring device, and an argon gas blowing tube.
(0,i88 mol), 4,4'-biphenol 139
.. 66 g (0.75 mol), potassium carbonate 124.3
9 g (0.9 mol) and 1.5 moles of N-methyl-2-pyrrolidone were added, and the temperature was raised from room temperature to 195°C over 1 hour while blowing argon gas.

昇温後、少量のトルエンを加えて生成する水を共佛によ
り除去した。
After the temperature was raised, a small amount of toluene was added and the resulting water was removed with a sieve.

次いて、温度195℃において30分間かけて反応を行
なった後、4.4′−ジフルオロベンゾフェノン122
.85g (0,563モル)をN−メチル−2−ピロ
リドン1.5文に溶解した溶液を加えて、さらに1時間
かけて反応を行なフた。
Next, after carrying out the reaction at a temperature of 195°C for 30 minutes, 4,4'-difluorobenzophenone 122
.. A solution of 85 g (0,563 mol) dissolved in 1.5 g of N-methyl-2-pyrrolidone was added, and the reaction was continued for an additional hour.

反応終了後、生成物をブレンダ−(ワーニンク社製)で
粉砕し、アセトン、メタノール、水、アセトンの順に洗
浄を行なってから、乾燥させて、白色粉末状の共重合体
259.36g (収率98%)を得た。
After the reaction, the product was pulverized with a blender (manufactured by Warninck), washed with acetone, methanol, water, and acetone in that order, and dried to obtain 259.36 g of a white powdery copolymer (yield 98%).

このポリエーテル系共重合体の特性について測定したと
ころ、温度400℃における溶融粘度(ηm)(ゼロ剪
断粘度)は13.000ボイズてあり、ガラス転移温度
(Tg)  182°C1結晶融点(TI)379°C
1結晶化温度(Tcc) 241°C熱分解開始温度(
Td)か562℃(空気中、5%重量減)てあった。
When the properties of this polyether copolymer were measured, the melt viscosity (ηm) (zero shear viscosity) at a temperature of 400°C was 13.000 voids, and the glass transition temperature (Tg) was 182°C1 crystal melting point (TI) 379°C
1 Crystallization temperature (Tcc) 241°C Thermal decomposition start temperature (
Td) and 562°C (5% weight loss in air).

このポリエーテル系共重合体は、その赤外吸収スペクト
ル分析から、下記の繰り返し単位を有するものてあった
This polyether copolymer was found to have the following repeating unit from its infrared absorption spectrum analysis.

N (ab  ) (Ia  )  / ((Ia  )  +  (II
b  )  )  =0.25このポリマーを熱プレス
法(400℃)てフィルム化し、 250°Cて熱処理
することにより結晶化した厚さ25μmのフィルムを得
た。
N (ab) (Ia) / ((Ia) + (II
b) ) =0.25 This polymer was formed into a film by hot pressing (400°C) and heat treated at 250°C to obtain a crystallized film with a thickness of 25 μm.

このフィルムの表面にエポキシ樹脂系の接着剤を用いて
、電解銅箔を貼り合わせ、 120°C5kg/C■2
て加熱圧着してからテストパターンにエツチングしてフ
レキシブルプリント回路基板(FPC)を作成した。こ
のFPCについて第1表に示した諸特性を測定した。
Electrolytic copper foil was attached to the surface of this film using an epoxy resin adhesive, and the temperature was 120°C5kg/C■2
A flexible printed circuit board (FPC) was fabricated by heat-pressing and etching a test pattern. The various properties shown in Table 1 were measured for this FPC.

(実施例2) 式(Ia )て表わされる繰返し単位の割合か、(Ia
 )/ ((Ia )+ (nb )) =OJになる
ように原料仕込み量を変更した外は前記実施例1と同様
にしてポリエーテル系共重合体を製造し、溶融粘度[η
m]か16,000ボイズてあり、ガラス転移温度[T
g]か185°Cてあり、結晶融点[Tm]か348℃
であり、結晶化温度[Tcc]か250°Cてあり、熱
分解開始温度[Td]か560°Cであるポリマーを得
た。
(Example 2) The proportion of repeating units represented by formula (Ia) or (Ia
)/((Ia)+(nb))=OJ A polyether copolymer was produced in the same manner as in Example 1, except that the amount of raw materials charged was changed so that the melt viscosity [η
m] or 16,000 voids, and the glass transition temperature [T
g] is 185°C, and the crystal melting point [Tm] is 348°C.
A polymer having a crystallization temperature [Tcc] of 250°C and a thermal decomposition onset temperature [Td] of 560°C was obtained.

このポリマーを用いて、実施例1と同様にしてフィルム
化、結晶化した後に、電解銅箔を用いてFPCを作成し
、諸特性を測定した。
This polymer was formed into a film and crystallized in the same manner as in Example 1, and then an FPC was created using electrolytic copper foil and various properties were measured.

(比較例) 市販のポリイミドフィルム(デュポン社製、商品名「カ
プトンJ 200H)を用いて、実施例1と同様に電解
銅箔を用いてFPCを作成し、同様に諸特性を測定して
第1表に比較した。
(Comparative example) Using a commercially available polyimide film (manufactured by DuPont, trade name "Kapton J 200H"), an FPC was created using electrolytic copper foil in the same manner as in Example 1, and various characteristics were similarly measured. Comparisons are shown in Table 1.

第1表により、吸水率および湿度膨張率において、本発
明のEPCは「カプトン」を用いたFPCより優れてい
ることかわかる。
Table 1 shows that the EPC of the present invention is superior to the FPC using "Kapton" in terms of water absorption and humidity expansion coefficient.

4、発明の効果 本発明によると、#熱性、機械的特性等の緒特性に優れ
るとともに、特に吸水率および吸湿膨張率か小さくて、
吸湿に伴なう変形かなく、寸法安定性に優れたポリエー
テル系共重合体からなる結晶性フィルムの絶縁基板から
なるフレキシフルブワント回路基板を提供することかで
きる。
4. Effects of the invention According to the present invention, it has excellent properties such as thermal properties and mechanical properties, and has particularly low water absorption and hygroscopic expansion.
It is possible to provide a flexible flexible circuit board made of an insulating substrate made of a crystalline film made of a polyether copolymer that does not undergo deformation due to moisture absorption and has excellent dimensional stability.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)次式( I ); ▲数式、化学式、表等があります▼ ( I ) で表わされる繰り返し単位および次式(II); ▲数式、化学式、表等があります▼ (II) で表される繰り返し単位からなり、前記式( I )で表
される繰り返し単位の組成比[モル比:( I )/{(
I )+(II)}]が0.15〜0.40モルであると
ともに、400℃における溶融粘度が3,000〜10
0,800ポイズであるポリエーテル系共重合体樹脂か
らなる結晶性フィルムを絶縁基板とし、この絶縁基板に
導電層を設けてなることを特徴とするフレキシブルプリ
ント回路基板。
(1) The following formula (I); ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ The repeating unit represented by (I) and the following formula (II); ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ Represented by (II) The composition ratio of the repeating units represented by the above formula (I) [molar ratio: (I)/{(
I)+(II)}] is 0.15 to 0.40 mol, and the melt viscosity at 400°C is 3,000 to 10
1. A flexible printed circuit board, characterized in that the insulating substrate is a crystalline film made of a polyether copolymer resin having a poise of 0,800, and a conductive layer is provided on the insulating substrate.
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JP2006249443A (en) * 2006-05-19 2006-09-21 Mitsubishi Plastics Ind Ltd Polyaryl ketone resin film
CN107914403A (en) * 2017-11-14 2018-04-17 电子科技大学 A kind of technology of preparing of high temperature resistant flexibility coat copper plate base material

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