JPH04366901A - 炭素膜を有する素子 - Google Patents
炭素膜を有する素子Info
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- JPH04366901A JPH04366901A JP3143280A JP14328091A JPH04366901A JP H04366901 A JPH04366901 A JP H04366901A JP 3143280 A JP3143280 A JP 3143280A JP 14328091 A JP14328091 A JP 14328091A JP H04366901 A JPH04366901 A JP H04366901A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は炭素膜を有する素子に関
し、例えば、水素化アモルファス炭素膜やダイヤモンド
状炭素膜等を有する多層膜がプラスチック基体上に形成
された素子に関する。
し、例えば、水素化アモルファス炭素膜やダイヤモンド
状炭素膜等を有する多層膜がプラスチック基体上に形成
された素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラスチック等の柔らかい基体上に比較
的硬い炭素膜をコーティングして基体の保護を行った素
子が知られており、又、この素子において、炭素膜の基
体への密着性を高める為に基体上に基体側から順に柔ら
かい炭素膜と炭素膜を重ねてコーティングし多層膜とし
たものも知られている。又、炭素膜を反射防止膜（多層
膜）の構成材料に使用した光学素子も知られている。
的硬い炭素膜をコーティングして基体の保護を行った素
子が知られており、又、この素子において、炭素膜の基
体への密着性を高める為に基体上に基体側から順に柔ら
かい炭素膜と炭素膜を重ねてコーティングし多層膜とし
たものも知られている。又、炭素膜を反射防止膜（多層
膜）の構成材料に使用した光学素子も知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】これらの従来の素子は
多層膜の内部応力が大きく、この為、多層膜にクラック
が生じたり多層膜が基体から剥離するといった欠陥が生
じ易かった。
多層膜の内部応力が大きく、この為、多層膜にクラック
が生じたり多層膜が基体から剥離するといった欠陥が生
じ易かった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、水素化アモル
ファス炭素膜とダイヤモンド状炭素膜の少なくとも一方
の炭素膜を有する多層膜が基体上に形成された素子にお
いて、前記炭素膜を、１×１０８ｄｙｎ／ｃｍ２〜１×
１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２の範囲内の圧縮応力を持つもの
とすることにより、上記課題を解決するものである。
ファス炭素膜とダイヤモンド状炭素膜の少なくとも一方
の炭素膜を有する多層膜が基体上に形成された素子にお
いて、前記炭素膜を、１×１０８ｄｙｎ／ｃｍ２〜１×
１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２の範囲内の圧縮応力を持つもの
とすることにより、上記課題を解決するものである。
【０００５】又、本発明は、水素化アモルファス炭素膜
とダイヤモンド状炭素膜の少なくとも一方の炭素膜と誘
電体膜とを積層した多層膜が基体上に形成された素子に
おいて、前記多層膜の平均応力を実質的に減少せしめる
べく、前記炭素膜１×１０８ｄｙｎ／ｃｍ２〜１×１０
１０ｄｙｎ／ｃｍ２の範囲内の圧縮応力を持つものとす
ることにより、上記課題を解決するものである。
とダイヤモンド状炭素膜の少なくとも一方の炭素膜と誘
電体膜とを積層した多層膜が基体上に形成された素子に
おいて、前記多層膜の平均応力を実質的に減少せしめる
べく、前記炭素膜１×１０８ｄｙｎ／ｃｍ２〜１×１０
１０ｄｙｎ／ｃｍ２の範囲内の圧縮応力を持つものとす
ることにより、上記課題を解決するものである。
【０００６】本発明のある形態では、前記多層膜が前記
基体側から順に比較的柔らかい水素化アモルファス炭素
膜と硬い第２の水素化アモルファス炭素膜とを備える。
基体側から順に比較的柔らかい水素化アモルファス炭素
膜と硬い第２の水素化アモルファス炭素膜とを備える。
【０００７】又、本発明のある形態では、前記多層膜が
前記基体側から順に比較的柔らかい第１のダイヤモンド
状炭素膜と硬い第２のダイヤモンド状炭素膜とを備える
。
前記基体側から順に比較的柔らかい第１のダイヤモンド
状炭素膜と硬い第２のダイヤモンド状炭素膜とを備える
。
【０００８】又、本発明のある形態では、前記多層膜が
水素化アモルファス炭素膜とダイヤモンド状炭素膜の夫
々を少なくとも一層備える。
水素化アモルファス炭素膜とダイヤモンド状炭素膜の夫
々を少なくとも一層備える。
【０００９】又、本発明のある形態では、前記多層膜が
干渉膜を成す。
干渉膜を成す。
【００１０】又、本発明は、前記基体がプラスチックよ
り成るもの、前記基体が金属より成るもの、前記基体が
ガラスより成るもの、を含む。
り成るもの、前記基体が金属より成るもの、前記基体が
ガラスより成るもの、を含む。
【００１１】又、本発明のある形態では、前記多層膜の
最も前記基体側の膜が金属より成る。
最も前記基体側の膜が金属より成る。
【００１２】又、本発明のある形態では、前記誘電体膜
の少なくとも１つが１×１０８ｄｙｎ／ｃｍ２〜１×１
０１０ｄｙｎ／ｃｍ２の範囲内の引っ張り応力を備える
。
の少なくとも１つが１×１０８ｄｙｎ／ｃｍ２〜１×１
０１０ｄｙｎ／ｃｍ２の範囲内の引っ張り応力を備える
。
【００１３】又、本発明のある形態では、前記多層膜が
前記炭素膜と前記誘電体膜の交互層を備える。
前記炭素膜と前記誘電体膜の交互層を備える。
【００１４】又、本発明は、前記基体がプラスチックよ
り成るもの、前記基体が金属より成るもの、前記基体が
ガラスより成るもの、を含む。又、本発明の素子は、レ
ンズ，ミラー，プリズム，グレーティング等の光学素子
を含む。
り成るもの、前記基体が金属より成るもの、前記基体が
ガラスより成るもの、を含む。又、本発明の素子は、レ
ンズ，ミラー，プリズム，グレーティング等の光学素子
を含む。
【００１５】又、本発明の好ましい形態では、多層膜の
内部応力が絶対値で１×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２以下、程
度になるように設定される。
内部応力が絶対値で１×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２以下、程
度になるように設定される。
【００１６】
【実施例】以下に示す実施例ではプラスチックの表面の
ある面に水素化アモルファスカーボン膜、あるいはダイ
ヤモンド状炭素膜を設けることにより、従来のプラスチ
ック材料の欠点を解決し、ガラスと同等以上の性能を有
するプラスチック光学素子を提供する。
ある面に水素化アモルファスカーボン膜、あるいはダイ
ヤモンド状炭素膜を設けることにより、従来のプラスチ
ック材料の欠点を解決し、ガラスと同等以上の性能を有
するプラスチック光学素子を提供する。
【００１７】例えば、プラスチックの表面に設けられた
反射防止膜、反射膜、干渉フィルタ、偏光膜等の光学薄
膜の少なくとも一層を水素化アモルファスカーボン膜あ
るいはダイヤモンド状炭素膜にする。
反射防止膜、反射膜、干渉フィルタ、偏光膜等の光学薄
膜の少なくとも一層を水素化アモルファスカーボン膜あ
るいはダイヤモンド状炭素膜にする。
【００１８】プラスチック光学素子表面に水素化アモル
ファスカーボン膜もしくはダイヤモンド状炭素膜を形成
する方法としては、プラズマＣＶＤ法、ＥＣＲ−ＰＣＶ
Ｄ法、イオンビーム蒸着法、イオンビーム・スパッタ法
がある。
ファスカーボン膜もしくはダイヤモンド状炭素膜を形成
する方法としては、プラズマＣＶＤ法、ＥＣＲ−ＰＣＶ
Ｄ法、イオンビーム蒸着法、イオンビーム・スパッタ法
がある。
【００１９】図２に水素化アモルファスカーボン膜やダ
イヤモンド状炭素膜や誘電体膜を形成するＥＣＲ−ＰＣ
ＶＤ装置の概略図を示す。図中１はプラスチックで例え
ばレンズ、プリズム、ファイバー、光導波路、グレーテ
ィング等の基体であり、ポリアクリル酸エステル樹脂、
ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリスチレン
樹脂、ＣＲ−３９などの透明プラスチック材料から成る
。２はプラズマ生成室、３は反応室、４はガス供給系、
５はマイクロ波導波管等のマイクロ波発振器、６は排気
系、７は外部磁場発生用コイル、８は電子銃、９は膜厚
を制御する膜厚監視装置、１０は蒸着材料を示す。
イヤモンド状炭素膜や誘電体膜を形成するＥＣＲ−ＰＣ
ＶＤ装置の概略図を示す。図中１はプラスチックで例え
ばレンズ、プリズム、ファイバー、光導波路、グレーテ
ィング等の基体であり、ポリアクリル酸エステル樹脂、
ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリスチレン
樹脂、ＣＲ−３９などの透明プラスチック材料から成る
。２はプラズマ生成室、３は反応室、４はガス供給系、
５はマイクロ波導波管等のマイクロ波発振器、６は排気
系、７は外部磁場発生用コイル、８は電子銃、９は膜厚
を制御する膜厚監視装置、１０は蒸着材料を示す。
【００２０】各種成膜方法により水素化アモルファスカ
ーボン膜やダイヤモンド状炭素膜を形成するときの原料
ガスとしては、含炭素ガスであるメタン，エタン，プロ
パン，エチレン，ベンゼン，アセチレン等の炭化水素，
四フッ化炭素，塩化メチレン，四塩化炭素，クロロホル
ム，トリクロルエタン等のハロゲン化炭化水素、二酸化
炭素、一酸化炭素などのガスが挙げられる。また、これ
らのガスにＮ２，Ｈ２，Ｏ２，Ｈ２Ｏ不活性ガスなどを
混入したガスを用いてもよい。
ーボン膜やダイヤモンド状炭素膜を形成するときの原料
ガスとしては、含炭素ガスであるメタン，エタン，プロ
パン，エチレン，ベンゼン，アセチレン等の炭化水素，
四フッ化炭素，塩化メチレン，四塩化炭素，クロロホル
ム，トリクロルエタン等のハロゲン化炭化水素、二酸化
炭素、一酸化炭素などのガスが挙げられる。また、これ
らのガスにＮ２，Ｈ２，Ｏ２，Ｈ２Ｏ不活性ガスなどを
混入したガスを用いてもよい。
【００２１】図２の装置で、その硬度がビッカース硬度
で、５００ｋｇ／ｍｍ２以上の水素化アモルファスカー
ボン膜が形成ができ、成膜条件を変えることにより、図
１に示すように膜中の水素含有率（濃度）を５〜５０ａ
ｔｏｍ％の範囲で変化させることができる。この水素含
有率を調整することにより水素化アモルファスカーボン
膜の硬度をビッカース硬度で５００ｋｇ／ｍｍ２〜２０
００ｋｇ／ｍｍ２の範囲で制御することができる。又、
この水素含有率を調整することにより水素化アモルファ
スカーボン膜の内部応力を圧縮応力で１０８ｄｙｎ／ｃ
ｍ２〜１×１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２の範囲で制御するこ
とが可能である。また、水素含有率５〜５０ａｔｏｍ％
の範囲での水素化アモルファスカーボン膜の屈折率は１
．４８〜１．６０の範囲にあり、水素の濃度が高くなる
に従い膜の屈折率は低くなる。更にこの水素化アモルフ
ァスカーボン膜は、表面粗さがＲＭＳで１００Å以下と
平滑であり、かつ摩擦係数も０．２と非常に滑らかにす
ることができる。
で、５００ｋｇ／ｍｍ２以上の水素化アモルファスカー
ボン膜が形成ができ、成膜条件を変えることにより、図
１に示すように膜中の水素含有率（濃度）を５〜５０ａ
ｔｏｍ％の範囲で変化させることができる。この水素含
有率を調整することにより水素化アモルファスカーボン
膜の硬度をビッカース硬度で５００ｋｇ／ｍｍ２〜２０
００ｋｇ／ｍｍ２の範囲で制御することができる。又、
この水素含有率を調整することにより水素化アモルファ
スカーボン膜の内部応力を圧縮応力で１０８ｄｙｎ／ｃ
ｍ２〜１×１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２の範囲で制御するこ
とが可能である。また、水素含有率５〜５０ａｔｏｍ％
の範囲での水素化アモルファスカーボン膜の屈折率は１
．４８〜１．６０の範囲にあり、水素の濃度が高くなる
に従い膜の屈折率は低くなる。更にこの水素化アモルフ
ァスカーボン膜は、表面粗さがＲＭＳで１００Å以下と
平滑であり、かつ摩擦係数も０．２と非常に滑らかにす
ることができる。
【００２２】一方、図２の装置で得られるダイヤモンド
状炭素膜は完全なダイヤモンド結晶体ではなくダイヤモ
ンド微結晶を含むアモルファスの膜であり、この炭素膜
の屈折率は１．８〜２．４である。又、この炭素膜の機
械的性質は、硬度がビッカース硬度で３０００〜６００
０ｋｇ／ｍｍ２、応力が１０９〜１０１１ｄｙｎ／ｃｍ
２の圧縮応力を有する。
状炭素膜は完全なダイヤモンド結晶体ではなくダイヤモ
ンド微結晶を含むアモルファスの膜であり、この炭素膜
の屈折率は１．８〜２．４である。又、この炭素膜の機
械的性質は、硬度がビッカース硬度で３０００〜６００
０ｋｇ／ｍｍ２、応力が１０９〜１０１１ｄｙｎ／ｃｍ
２の圧縮応力を有する。
【００２３】この水素化アモルファスカーボン膜（以下
「ａ−Ｃ：Ｈ膜」と記す。）とダイヤモンド状炭素膜（
以下「ＤＬＣ膜」と記す。）をプラスチック光学素子の
基体に形成してやることにより、第一にいずれかの膜も
ガス及び水分の不透過性が高いためプラスチックの吸水
性による膨潤という問題を解決することができる。第二
に膜硬度が高いことからガラスの表面硬度と同等以上の
硬度が得られ、通常のガラス光学素子と同じように取扱
っても傷が入るということがない。第三にプラスチック
基体上に反射防止膜、反射膜、フィルター等の光学薄膜
を形成する場合、基体が非常に柔らかいこと基体の吸水
性に伴う膨潤等により、誘電体多層膜にクラックが発生
したり、膜剥離を起こしてしまう。
「ａ−Ｃ：Ｈ膜」と記す。）とダイヤモンド状炭素膜（
以下「ＤＬＣ膜」と記す。）をプラスチック光学素子の
基体に形成してやることにより、第一にいずれかの膜も
ガス及び水分の不透過性が高いためプラスチックの吸水
性による膨潤という問題を解決することができる。第二
に膜硬度が高いことからガラスの表面硬度と同等以上の
硬度が得られ、通常のガラス光学素子と同じように取扱
っても傷が入るということがない。第三にプラスチック
基体上に反射防止膜、反射膜、フィルター等の光学薄膜
を形成する場合、基体が非常に柔らかいこと基体の吸水
性に伴う膨潤等により、誘電体多層膜にクラックが発生
したり、膜剥離を起こしてしまう。
【００２４】誘電体薄膜の応力は、一般的に引っ張り応
力のものがほとんどであり、その応力の大きさは１０８
〜１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２の範囲にある。
力のものがほとんどであり、その応力の大きさは１０８
〜１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２の範囲にある。
【００２５】多層膜の平均応力は
【００２６】
【外１】
で表される。ここで、Ｓｉは第ｉ層の内部応力、ｔｉは
第ｉ層の幾何学的膜厚を示す。この式より、多層膜の平
均応力を小さくするためには、引張り応力を有する材料
と、圧縮応力を有する材料を適当に組み合せて多層膜を
形成すればいいことがわかる。そこで、本実施例では、
１０８〜１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２の圧縮応力を有するａ
−Ｃ：Ｈ膜やＤＬＣ膜と、誘電体膜との組合せにより、
内部応力の小さい多層膜を実現させた。この結果、膜剥
離やクラック等の生じない又は生じにくい多層膜が得ら
れる。ａ−Ｃ：Ｈ膜、ＤＬＣ膜の各々の屈折率と応力は
、光学素子が所望の光学性能を達成する構成においては
、かつ、膜全体の応力が小さくなるよう、他の誘電体膜
との関係や両者の関係において決定される。
第ｉ層の幾何学的膜厚を示す。この式より、多層膜の平
均応力を小さくするためには、引張り応力を有する材料
と、圧縮応力を有する材料を適当に組み合せて多層膜を
形成すればいいことがわかる。そこで、本実施例では、
１０８〜１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２の圧縮応力を有するａ
−Ｃ：Ｈ膜やＤＬＣ膜と、誘電体膜との組合せにより、
内部応力の小さい多層膜を実現させた。この結果、膜剥
離やクラック等の生じない又は生じにくい多層膜が得ら
れる。ａ−Ｃ：Ｈ膜、ＤＬＣ膜の各々の屈折率と応力は
、光学素子が所望の光学性能を達成する構成においては
、かつ、膜全体の応力が小さくなるよう、他の誘電体膜
との関係や両者の関係において決定される。
【００２７】なお、基体はプラスチックに限定されるも
のではなく、光学ガラス，金属等であってもかまわない
。
のではなく、光学ガラス，金属等であってもかまわない
。
【００２８】
【実施例】図２に示す装置内にポリアクリル酸エステル
製の基板を設置した後、排気系により１×１０−６ｔｏ
ｒｒまで排気し、第１表に示す構成でＰＭＭＡ基板上に
反射防止膜を成膜した。通常の誘電体は電子銃による真
空蒸着により成膜された。図６に本実施例の素子の模式
図を示す。水素化アモルファスカーボン膜はガス供給系
によりＣＨ４２５ｓｃｃｍ，Ｈ２２５ｓｃｃｍを流し、
装置内圧力を１×１０−３ｔｏｒｒとする。ここに２．
４５ＧＨｚのマイクロ波を導入し、外部磁場をマイクロ
波導入位置で２０００Ｇａｕｓｓとし、反応室側に向か
い徐々に磁場強度が小さくなる磁場分布を有する発散磁
界としてＥＣＲプラズマを形成する。ＥＣＲ条件を満足
する８７５Ｇａｕｓｓは、ほぼプラズマ生成室と反応室
の境界とした。こうして得られた水素化アモルファスカ
ーボン膜は、その表面硬度がビッカース硬度で１０００
ｋｇ／ｍｍ２、可視領域では透過率が高く吸収が４００
ｎｍで１％以下の屈折率１．５４の膜である。
製の基板を設置した後、排気系により１×１０−６ｔｏ
ｒｒまで排気し、第１表に示す構成でＰＭＭＡ基板上に
反射防止膜を成膜した。通常の誘電体は電子銃による真
空蒸着により成膜された。図６に本実施例の素子の模式
図を示す。水素化アモルファスカーボン膜はガス供給系
によりＣＨ４２５ｓｃｃｍ，Ｈ２２５ｓｃｃｍを流し、
装置内圧力を１×１０−３ｔｏｒｒとする。ここに２．
４５ＧＨｚのマイクロ波を導入し、外部磁場をマイクロ
波導入位置で２０００Ｇａｕｓｓとし、反応室側に向か
い徐々に磁場強度が小さくなる磁場分布を有する発散磁
界としてＥＣＲプラズマを形成する。ＥＣＲ条件を満足
する８７５Ｇａｕｓｓは、ほぼプラズマ生成室と反応室
の境界とした。こうして得られた水素化アモルファスカ
ーボン膜は、その表面硬度がビッカース硬度で１０００
ｋｇ／ｍｍ２、可視領域では透過率が高く吸収が４００
ｎｍで１％以下の屈折率１．５４の膜である。
【００２９】このようにして得られた反射防止膜の分光
特性を図３に示す。次にＳｉＯ２膜、ＭｇＦ２膜、Ｚｒ
Ｏ２膜、ａ−Ｃ：Ｈ膜の内部応力を円板法により測定し
たところＳｉＯ２膜とａ−Ｃ：Ｈ膜は圧縮応力で、それ
ぞれ１×１０８，５×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２であった。 ＭｇＦ２，ＺｒＯ２は引張り応力でそれぞれ４×１０９
，１×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２であった。前述の式より、
この反射防止膜の平均応力を評価すると１．８×１０８
ｄｙｎ／ｃｍ２の圧縮応力となり、非常に小さな応力に
することができる。このプラスチック光学素子（レンズ
）について耐摩耗性、耐候性をＭＩＬ規格に従い評価し
たところ、プラスチック光学素子の表面に傷が入ること
もなく、また吸水により膜の剥離、光学素子の変形等は
認められなかった。
特性を図３に示す。次にＳｉＯ２膜、ＭｇＦ２膜、Ｚｒ
Ｏ２膜、ａ−Ｃ：Ｈ膜の内部応力を円板法により測定し
たところＳｉＯ２膜とａ−Ｃ：Ｈ膜は圧縮応力で、それ
ぞれ１×１０８，５×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２であった。 ＭｇＦ２，ＺｒＯ２は引張り応力でそれぞれ４×１０９
，１×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２であった。前述の式より、
この反射防止膜の平均応力を評価すると１．８×１０８
ｄｙｎ／ｃｍ２の圧縮応力となり、非常に小さな応力に
することができる。このプラスチック光学素子（レンズ
）について耐摩耗性、耐候性をＭＩＬ規格に従い評価し
たところ、プラスチック光学素子の表面に傷が入ること
もなく、また吸水により膜の剥離、光学素子の変形等は
認められなかった。
【００３０】
【表１】
【００３１】（実施例２）図２の装置を用い、プラスチ
ック基板に電子銃を用いてＡｇを２０００Å成膜した後
、Ａｇ膜上に実施例１と同条件により水素化アモルファ
スカーボン膜を２５０Å形成した。２０００ÅのＡｇ膜
の内部応力を評価したところ４×１０８ｄｙｎ／ｃｍ２
の引張り応力であり、この上に形成したａ−Ｃ：Ｈ膜の
内部応力は２×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２の圧縮応力であっ
た。この結果、膜全体の平均的な応力は１．３×１０８
ｄｙｎ／ｃｍ２の引張り応力にすることができた。この
プラスチックミラーを実施例１と同様に耐摩耗性、耐候
性等を評価したところ実施例１と同等の結果が得られた
。このプラスチックミラーの模式図を図７に示す。
ック基板に電子銃を用いてＡｇを２０００Å成膜した後
、Ａｇ膜上に実施例１と同条件により水素化アモルファ
スカーボン膜を２５０Å形成した。２０００ÅのＡｇ膜
の内部応力を評価したところ４×１０８ｄｙｎ／ｃｍ２
の引張り応力であり、この上に形成したａ−Ｃ：Ｈ膜の
内部応力は２×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２の圧縮応力であっ
た。この結果、膜全体の平均的な応力は１．３×１０８
ｄｙｎ／ｃｍ２の引張り応力にすることができた。この
プラスチックミラーを実施例１と同様に耐摩耗性、耐候
性等を評価したところ実施例１と同等の結果が得られた
。このプラスチックミラーの模式図を図７に示す。
【００３２】（実施例３）第２表に示す構成で合成樹脂
上に反射防止膜を形成した。第４層のダイヤモンド状炭
素膜は電子銃によりグラファイトを蒸着すると同時にＥ
ＣＲプラズマ源によりＨプラズマを形成し基体にアシス
ト照射することにより形成した。このとき、ＥＣＲプラ
ズマ室にＨ２を２５ｓｃｃｍ流し、圧力を１×１０−４
ｔｏｒｒとした後、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導入
し外部磁場により室出口を８７５ＧａｕｓｓとしてＥＣ
Ｒプラズマを形成した。このとき本実施例では図示しな
いが、プラズマ室出口に引出し電極を設けることにより
イオンビームを取出して用いてもよい。この条件で得ら
れる膜はいわゆるダイヤイモンド状炭素膜で、屈折率は
２．０、硬度は３０００ｋｇ／ｍｍ２であった。得られ
た反射防止膜の分光特性を図４に示す。
上に反射防止膜を形成した。第４層のダイヤモンド状炭
素膜は電子銃によりグラファイトを蒸着すると同時にＥ
ＣＲプラズマ源によりＨプラズマを形成し基体にアシス
ト照射することにより形成した。このとき、ＥＣＲプラ
ズマ室にＨ２を２５ｓｃｃｍ流し、圧力を１×１０−４
ｔｏｒｒとした後、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導入
し外部磁場により室出口を８７５ＧａｕｓｓとしてＥＣ
Ｒプラズマを形成した。このとき本実施例では図示しな
いが、プラズマ室出口に引出し電極を設けることにより
イオンビームを取出して用いてもよい。この条件で得ら
れる膜はいわゆるダイヤイモンド状炭素膜で、屈折率は
２．０、硬度は３０００ｋｇ／ｍｍ２であった。得られ
た反射防止膜の分光特性を図４に示す。
【００３３】
【表２】
【００３４】なお、ａ−Ｃ：Ｈ膜は実施例１と同じ成膜
条件において、基板位置を実施例１の場合より空洞共振
器の出口（プラズマ吹き出し口）から、１００ｍｍ多く
離す以外は、同じにして成膜した。ここで、ａ−Ｃ：Ｈ
膜とＤＬＣ膜の応力を単独に評価したところ、それぞれ
３×１０９，１×１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２の圧縮応力で
あった。従って膜全体の応力を３．８×１０８ｄｙｎ／
ｃｍ２の圧縮応力にすることができた。このプラスチッ
ク光学素子（レンズ）について実施例１と同様に耐摩耗
性，耐候性を評価したところ、実施例１と同等の結果が
得られた。この素子の模式図を図８に示す。
条件において、基板位置を実施例１の場合より空洞共振
器の出口（プラズマ吹き出し口）から、１００ｍｍ多く
離す以外は、同じにして成膜した。ここで、ａ−Ｃ：Ｈ
膜とＤＬＣ膜の応力を単独に評価したところ、それぞれ
３×１０９，１×１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２の圧縮応力で
あった。従って膜全体の応力を３．８×１０８ｄｙｎ／
ｃｍ２の圧縮応力にすることができた。このプラスチッ
ク光学素子（レンズ）について実施例１と同様に耐摩耗
性，耐候性を評価したところ、実施例１と同等の結果が
得られた。この素子の模式図を図８に示す。
【００３５】（実施例４，５）第３表に示す構成で、２
種類のフィルターＡ，Ｂを形成した。第３表には低屈折
材料としてａ−Ｃ：Ｈ膜を用いたフィルターＡと高屈折
率材料として、ＤＬＣ膜を用いたフィルターＢと比較例
のフィルターが示してある。各フィルターＡ，Ｂのａ−
Ｃ：Ｈ膜、ＤＬＣ膜はそれぞれ実施例３と同条件で形成
した。また、ＺｒＯ２膜やＭｇＦ２膜は電子銃による真
空蒸着法で形成した。各膜の応力を単独に評価したとこ
ろ、ＺｒＯ２膜，ＭｇＦ２膜はそれぞれ１×１０９ｄｙ
ｎ／ｃｍ２，４×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２の引張り応力で
あり、ａ−Ｃ：Ｈ膜，ＤＬＣ膜は、それぞれ３×１０９
ｄｙｎ／ｃｍ２，１×１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２の圧縮応
力であった。これによりフィルターＡ，Ｂそれぞれの多
層膜の平均応力を求めると、６．９×１０８ｄｙｎ／ｃ
ｍ２の圧縮応力、６．９×１０８ｄｙｎ／ｃｍ２，１．
５×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２の引張り応力となった。比較
例１のフィルターについては成膜後、膜剥離が生じたが
、サンプルＡ，Ｂについては、膜剥離やクラック等の発
生もなく、実施例１と同様の耐摩耗性，耐候性が得られ
た。
種類のフィルターＡ，Ｂを形成した。第３表には低屈折
材料としてａ−Ｃ：Ｈ膜を用いたフィルターＡと高屈折
率材料として、ＤＬＣ膜を用いたフィルターＢと比較例
のフィルターが示してある。各フィルターＡ，Ｂのａ−
Ｃ：Ｈ膜、ＤＬＣ膜はそれぞれ実施例３と同条件で形成
した。また、ＺｒＯ２膜やＭｇＦ２膜は電子銃による真
空蒸着法で形成した。各膜の応力を単独に評価したとこ
ろ、ＺｒＯ２膜，ＭｇＦ２膜はそれぞれ１×１０９ｄｙ
ｎ／ｃｍ２，４×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２の引張り応力で
あり、ａ−Ｃ：Ｈ膜，ＤＬＣ膜は、それぞれ３×１０９
ｄｙｎ／ｃｍ２，１×１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２の圧縮応
力であった。これによりフィルターＡ，Ｂそれぞれの多
層膜の平均応力を求めると、６．９×１０８ｄｙｎ／ｃ
ｍ２の圧縮応力、６．９×１０８ｄｙｎ／ｃｍ２，１．
５×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２の引張り応力となった。比較
例１のフィルターについては成膜後、膜剥離が生じたが
、サンプルＡ，Ｂについては、膜剥離やクラック等の発
生もなく、実施例１と同様の耐摩耗性，耐候性が得られ
た。
【００３６】フィルターＡ，Ｂの模式図を図９に示す。
同図において、Ｈで示すのが高屈折率膜、Ｌで示すのが
低屈折率膜である。
低屈折率膜である。
【００３７】
【表３】
既に述べた通り、水素化アモルファスカーボン膜は水素
含有率（濃度）を変えることにより、膜の内部応力を１
０８ｄｙｎ／ｃｍ２〜１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２の圧縮応
力の範囲で変化させることができる。更に、光学的には
屈折率を１．４８〜１．６０の範囲で変えることができ
る。 一般に水素（濃度）含有率が高くなるにつれて屈折率は
低下する。この膜の表面粗さはＲＭＳで１００Å以下で
平滑であり、かつ摩擦係数も０．２と非常に滑らかであ
る。
含有率（濃度）を変えることにより、膜の内部応力を１
０８ｄｙｎ／ｃｍ２〜１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２の圧縮応
力の範囲で変化させることができる。更に、光学的には
屈折率を１．４８〜１．６０の範囲で変えることができ
る。 一般に水素（濃度）含有率が高くなるにつれて屈折率は
低下する。この膜の表面粗さはＲＭＳで１００Å以下で
平滑であり、かつ摩擦係数も０．２と非常に滑らかであ
る。
【００３８】この水素化アモルファスカーボン膜（以下
ａ−Ｃ：Ｈ膜）はガス及び水分等の不透過性が高いため
、プラスチックの吸水性による膨潤という問題が解決で
きるだけでなく、膜硬度が高く平滑であるために、耐摩
耗性が高くプラスチックでは傷が入るような取扱に対し
ても傷の発生や膜の剥離といった問題が生じない。しか
しながら、柔らかいプラスチック基板に硬度の高いａ−
Ｃ：Ｈ膜を直接形成すると、硬度の高い膜は内部応力が
大きいために、基体との密着性が必ずしもかんばしくな
い場合がある。そこでａ−Ｃ：Ｈ膜の水素含有率を膜厚
方向において勾配を持たせることにより、この問題を解
決することができる。すなわちプラスチック基板側を水
素含有率の高い、膜硬度か低硬度で、かつ内部応力の小
さいａ−Ｃ：Ｈ膜とし、膜表面側を水素含有率の少ない
高硬度のａ−Ｃ：Ｈ膜とすることにより、基板と膜との
歪みや変形を水素含有率の高いａ−Ｃ：Ｈ膜で吸収・緩
和することにより、膜の機械的強度を改善することがで
きる。また多層膜の一層として水素含有率を変えること
により、屈折率の分布を意図的に変え、いわゆる不均質
膜として光学特性の改善を図ることができる。なお、基
体がプラスチックに限定されるものではなく光学ガラス
，金属等であっても同様である。
ａ−Ｃ：Ｈ膜）はガス及び水分等の不透過性が高いため
、プラスチックの吸水性による膨潤という問題が解決で
きるだけでなく、膜硬度が高く平滑であるために、耐摩
耗性が高くプラスチックでは傷が入るような取扱に対し
ても傷の発生や膜の剥離といった問題が生じない。しか
しながら、柔らかいプラスチック基板に硬度の高いａ−
Ｃ：Ｈ膜を直接形成すると、硬度の高い膜は内部応力が
大きいために、基体との密着性が必ずしもかんばしくな
い場合がある。そこでａ−Ｃ：Ｈ膜の水素含有率を膜厚
方向において勾配を持たせることにより、この問題を解
決することができる。すなわちプラスチック基板側を水
素含有率の高い、膜硬度か低硬度で、かつ内部応力の小
さいａ−Ｃ：Ｈ膜とし、膜表面側を水素含有率の少ない
高硬度のａ−Ｃ：Ｈ膜とすることにより、基板と膜との
歪みや変形を水素含有率の高いａ−Ｃ：Ｈ膜で吸収・緩
和することにより、膜の機械的強度を改善することがで
きる。また多層膜の一層として水素含有率を変えること
により、屈折率の分布を意図的に変え、いわゆる不均質
膜として光学特性の改善を図ることができる。なお、基
体がプラスチックに限定されるものではなく光学ガラス
，金属等であっても同様である。
【００３９】（実施例６）図２に示す装置内にポリアク
リル酸エステル製の基板を設置した後、排気系により１
×１０−６ｔｏｒｒまで排気し、次にガス供給系により
ＣＨ４１０ｓｃｃｍ，Ｈ２４０ｓｃｃｍを流し、装置内
圧力を５×１０−２ｔｏｒｒとする。ここに２．４５Ｇ
Ｈｚのマイクロ波を導入し、外部磁場をマイクロ波導入
位置で１８００Ｇａｕｓｓとし、反応室側に向かい磁場
を小さくする発散磁界とする。ＥＣＲ（マイクロ波電子
サイクロトロン共鳴）条件を満足する８７５Ｇａｕｓｓ
は、ほぼプラズマ生成室と反応室の境界とした。
リル酸エステル製の基板を設置した後、排気系により１
×１０−６ｔｏｒｒまで排気し、次にガス供給系により
ＣＨ４１０ｓｃｃｍ，Ｈ２４０ｓｃｃｍを流し、装置内
圧力を５×１０−２ｔｏｒｒとする。ここに２．４５Ｇ
Ｈｚのマイクロ波を導入し、外部磁場をマイクロ波導入
位置で１８００Ｇａｕｓｓとし、反応室側に向かい磁場
を小さくする発散磁界とする。ＥＣＲ（マイクロ波電子
サイクロトロン共鳴）条件を満足する８７５Ｇａｕｓｓ
は、ほぼプラズマ生成室と反応室の境界とした。
【００４０】基板温度は室温とし、基板にはバイアスを
印加せずに膜圧２０００Åの第１のａ−Ｃ：Ｈ膜を成膜
した。その後、ＣＨ４１０ｓｃｃｍ、圧力を５×１０−
４ｔｏｒｒ、基板バイアスを−５００Ｖとし、総膜厚２
５００Åとなるように第２のａ−Ｃ：Ｈ膜成膜した。
印加せずに膜圧２０００Åの第１のａ−Ｃ：Ｈ膜を成膜
した。その後、ＣＨ４１０ｓｃｃｍ、圧力を５×１０−
４ｔｏｒｒ、基板バイアスを−５００Ｖとし、総膜厚２
５００Åとなるように第２のａ−Ｃ：Ｈ膜成膜した。
【００４１】この場合、基板上に直接成膜したａ−Ｃ：
Ｈ膜は水素含有率が高いため、この上に形成されたａ−
Ｃ：Ｈ膜よりも軟らかく、硬度の低いＰＭＭＡ基板と硬
度の高いａ−Ｃ：Ｈ膜との密着性や膜の内部応力を緩和
する働きをする。ガラス基板もしくはＳｉ基板を用い、
円板法により膜の応力をそれぞれの成膜条件において測
定したところ、基板バイアスを印加しない第１ａ−Ｃ：
Ｈ膜は圧縮応力で７×１０８ｄｙｎ／ｃｍ２であり、バ
イアスを印加して成膜した第２ａ−Ｃ：Ｈ膜は２×１０
９ｄｙｎ／ｃｍ２圧縮応力であった。又、平均応力は９
．６×１０８ｄｙｎ／ｃｍ２であった。また、得られた
プラスチック光学素子（レンズ）を評価したところ、ビ
ッカーズ硬度が１５００ｋｇ／ｍｍ２、吸水率が極めて
小さく機械的・化学的安定性に優れた性能を優していた
。この素子の模式図を図１０に示す。
Ｈ膜は水素含有率が高いため、この上に形成されたａ−
Ｃ：Ｈ膜よりも軟らかく、硬度の低いＰＭＭＡ基板と硬
度の高いａ−Ｃ：Ｈ膜との密着性や膜の内部応力を緩和
する働きをする。ガラス基板もしくはＳｉ基板を用い、
円板法により膜の応力をそれぞれの成膜条件において測
定したところ、基板バイアスを印加しない第１ａ−Ｃ：
Ｈ膜は圧縮応力で７×１０８ｄｙｎ／ｃｍ２であり、バ
イアスを印加して成膜した第２ａ−Ｃ：Ｈ膜は２×１０
９ｄｙｎ／ｃｍ２圧縮応力であった。又、平均応力は９
．６×１０８ｄｙｎ／ｃｍ２であった。また、得られた
プラスチック光学素子（レンズ）を評価したところ、ビ
ッカーズ硬度が１５００ｋｇ／ｍｍ２、吸水率が極めて
小さく機械的・化学的安定性に優れた性能を優していた
。この素子の模式図を図１０に示す。
【００４２】（実施例７）実施例６と同じ装置を用いて
ＰＭＭＡ基板上に実施例６と同様の第１のα−Ｃ：Ｈ膜
を形成した。その後、このα−Ｃ：Ｈ膜上にダイヤモン
ド状炭素膜を１００Å成膜した。
ＰＭＭＡ基板上に実施例６と同様の第１のα−Ｃ：Ｈ膜
を形成した。その後、このα−Ｃ：Ｈ膜上にダイヤモン
ド状炭素膜を１００Å成膜した。
【００４３】ダイヤモンド状炭素膜は、電子銃によりグ
ラファイトを蒸着すると同様にＥＣＲプラズマ源により
水素プラズマを形成し、基体にアシスト照射することに
より形成した。このときＥＣＲプラズマ室にＨ２を２５
ｓｃｃｍ流し、圧力を１×１０−４ｔｏｒｒとした後、
２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導入し、外部磁場により
プラズマ室出口を８７５ＧａｕｓｓとしてＥＣＲ−プラ
ズマを形成した。
ラファイトを蒸着すると同様にＥＣＲプラズマ源により
水素プラズマを形成し、基体にアシスト照射することに
より形成した。このときＥＣＲプラズマ室にＨ２を２５
ｓｃｃｍ流し、圧力を１×１０−４ｔｏｒｒとした後、
２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導入し、外部磁場により
プラズマ室出口を８７５ＧａｕｓｓとしてＥＣＲ−プラ
ズマを形成した。
【００４４】こうして得られたプラスチック光学素子（
レンズ）は、その表面硬度がビッカース硬度で、２００
０ｋｇ／ｍｍ２以外は実施例６と同等の性能が得られた
。又、本実施例のａ−Ｃ：Ｈ膜及びダイヤモンド状カー
ボン膜も１×１０８ｄｙｎ／ｃｍ２〜１×１０１０ｄｙ
ｎ／ｃｍ２の範囲内の圧縮応力を示す。ａ−Ｃ：Ｈ膜の
内部応力は実施例６と同様に７×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２
の圧縮応力であった。ダイヤモンド状炭素膜の内部応力
は７×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２の圧縮応力であった。この
ときの平均応力は１×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２である。こ
の素子の模式図を図１１に示す。
レンズ）は、その表面硬度がビッカース硬度で、２００
０ｋｇ／ｍｍ２以外は実施例６と同等の性能が得られた
。又、本実施例のａ−Ｃ：Ｈ膜及びダイヤモンド状カー
ボン膜も１×１０８ｄｙｎ／ｃｍ２〜１×１０１０ｄｙ
ｎ／ｃｍ２の範囲内の圧縮応力を示す。ａ−Ｃ：Ｈ膜の
内部応力は実施例６と同様に７×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２
の圧縮応力であった。ダイヤモンド状炭素膜の内部応力
は７×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２の圧縮応力であった。この
ときの平均応力は１×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２である。こ
の素子の模式図を図１１に示す。
【００４５】（実施例８）表４の膜構成でＰＭＭＡ基板
上に反射防止膜を形成した、図２に示す装置内にＰＭＭ
Ａ基板を設置した後、排気系により１×１０−６ｔｏｒ
ｒまで排気し、表４の構成で成膜した。通常の誘電体は
電子銃により真空蒸着法で形成した。ａ−Ｃ：Ｈ膜はガ
ス供給系によりＣＨ４２５ｓｃｃｍ，Ｈ２２５ｓｃｃｍ
を流し、装置内圧力を１×１０−３ｔｏｒｒとした後、
２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導入し、外部磁場をマイ
クロ波導入位置で２０００Ｇａｕｓｓとし反応室側に向
かい徐々に磁場強度が小さくなる磁場分布を有する発散
磁界としてＥＣＲプラズマを形成した。ＥＣＲ条件を満
足する８７５Ｇａｕｓｓはほぼプラズマ生成室と反応室
の境界とした。このとき基板バイアス０Ｖで成膜を開始
し、膜厚がなくなるに従い、バイアスを大きく最終的に
は−２００Ｖを印加した。この結果屈折率が１．５４〜
１．６０に変化した不均質膜を形成することができた。 こうして得た反射防止膜の反射率の分光特性を図９に示
す。また、実施例６と同時の評価により同等の結果が得
られたまた、本実施例のａ−Ｃ：Ｈ膜も１×１０８ｋｇ
／ｃｍ２〜１×１０１０ｋｇ／ｃｍ２の範囲内の圧縮応
力を示す。
上に反射防止膜を形成した、図２に示す装置内にＰＭＭ
Ａ基板を設置した後、排気系により１×１０−６ｔｏｒ
ｒまで排気し、表４の構成で成膜した。通常の誘電体は
電子銃により真空蒸着法で形成した。ａ−Ｃ：Ｈ膜はガ
ス供給系によりＣＨ４２５ｓｃｃｍ，Ｈ２２５ｓｃｃｍ
を流し、装置内圧力を１×１０−３ｔｏｒｒとした後、
２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導入し、外部磁場をマイ
クロ波導入位置で２０００Ｇａｕｓｓとし反応室側に向
かい徐々に磁場強度が小さくなる磁場分布を有する発散
磁界としてＥＣＲプラズマを形成した。ＥＣＲ条件を満
足する８７５Ｇａｕｓｓはほぼプラズマ生成室と反応室
の境界とした。このとき基板バイアス０Ｖで成膜を開始
し、膜厚がなくなるに従い、バイアスを大きく最終的に
は−２００Ｖを印加した。この結果屈折率が１．５４〜
１．６０に変化した不均質膜を形成することができた。 こうして得た反射防止膜の反射率の分光特性を図９に示
す。また、実施例６と同時の評価により同等の結果が得
られたまた、本実施例のａ−Ｃ：Ｈ膜も１×１０８ｋｇ
／ｃｍ２〜１×１０１０ｋｇ／ｃｍ２の範囲内の圧縮応
力を示す。
【００４６】図１２に本実施例の素子の模式図を示す。
【００４７】
【表４】
【００４８】本実施例の各々の膜の内部応力は実施例１
と同様にＳｉＯ２，ａ−Ｃ：Ｈ膜は圧縮応力でそれぞれ
１×１０８ｄｙｎ／ｃｍ２，２×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２
であり、ＭｇＦ２，ＺｒＯ２ｍａ膜はそれぞれ４×１０
９ｄｙｎ／ｃｍ２、１×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２の引張り
応力を有していた。この反射防止膜の平均の応力は８．
１×１０８ｄｙｎ／ｃｍ２の引張り能力であった。
と同様にＳｉＯ２，ａ−Ｃ：Ｈ膜は圧縮応力でそれぞれ
１×１０８ｄｙｎ／ｃｍ２，２×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２
であり、ＭｇＦ２，ＺｒＯ２ｍａ膜はそれぞれ４×１０
９ｄｙｎ／ｃｍ２、１×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２の引張り
応力を有していた。この反射防止膜の平均の応力は８．
１×１０８ｄｙｎ／ｃｍ２の引張り能力であった。
【００４９】
【発明の効果】以上、本発明に寄れば、多層膜の平均内
部応力を小さくすることがでるので、多層膜のクラック
や剥離が生じにくい、炭素膜を有する素子を提供できる
。又、本発明では多層膜の平均内部応力を１×１０９ｄ
ｙｎ／ｃｍ２以下とすることにより、この効果を高めて
いる。
部応力を小さくすることがでるので、多層膜のクラック
や剥離が生じにくい、炭素膜を有する素子を提供できる
。又、本発明では多層膜の平均内部応力を１×１０９ｄ
ｙｎ／ｃｍ２以下とすることにより、この効果を高めて
いる。
【図１】水素化アモルファスカーボン膜の水素含有率と
ビッカース硬さの間の関係を示す図。
ビッカース硬さの間の関係を示す図。
【図２】成膜用のＥＣＲ−ＰＣＶＤ装置の概略図。
【図３】本発明の第１の実施例の素子の反射防止膜の反
射率の分光特性を示す図。
射率の分光特性を示す図。
【図４】本発明の第２実施例の素子の反射防止膜の反射
率の分光特性を示す図。
率の分光特性を示す図。
【図５】本発明の第１実施例の素子の模式図。
【図６】本発明の第２の実施例の素子の模式図。
【図７】本発明の第３実施例の素子の模式図。
【図８】本発明の第４，５実施例の素子の模式図。
【図９】本発明の第８実施例の素子の反射防止膜の反射
率の分光特性を示す図。
率の分光特性を示す図。
【図１０】本発明の第６実施例の素子の模式図。
【図１１】本発明の第７実施例の素子の模式図。
【図１２】本発明の第８実施例の素子の模式図。
１ 基板
２ プラズマ生成室
３ 反応室
４ ガス供給室
５ マイクロ波導波管
６ 排気系
７ 外部磁場印加器
８ 電子銃
９ 光学式膜厚監視装置
１０ 蒸着材料
Ｈ 高屈折率層
Ｌ 低屈折率層
ＤＬＣ ダイヤモンド状炭素膜
Claims (14)
- 【請求項１】 水素化アモルファス炭素膜とダイヤモ
ンド状炭素膜の少なくとも一方の炭素膜を有する多層膜
が基体上に形成された素子において、前記炭素膜が、１
×１０８ｄｙｎ／ｃｍ２〜１×１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２
の範囲内の圧縮応力を備えることを特徴とする炭素膜を
有する素子。 - 【請求項２】 前記多層膜が前記基体側から順に比較
的柔らかい水素化アモルファス炭素膜と硬い第２の水素
化アモルファス炭素膜とを備えることを特徴とする請求
項１の炭素膜を有する素子。 - 【請求項３】 前記多層膜の内部応力が絶対値で１×
１０９ｄｙｎ／ｃｍ２以下に設定されることを特徴とす
る請求項１の炭素膜を有する素子。 - 【請求項４】 前記多層膜が水素化アモルファス炭素
膜とダイヤモンド状炭素膜の夫々を少なくとも一層備え
ることを特徴とする請求項１の炭素膜を有する素子。 - 【請求項５】 前記多層膜が干渉膜を成すことを特徴
とする請求項１の炭素膜を有する素子。 - 【請求項６】 前記基体がプラスチックより成ること
を特徴とする請求項１の炭素膜を有する素子。 - 【請求項７】 前記基体が金属より成ることを特徴と
する請求項１の炭素膜を有する素子。 - 【請求項８】 前記基体がガラスより成ることを特徴
とする請求項１の炭素膜を有する素子。 - 【請求項９】 前記多層膜の最も前記基体側の膜が金
属より成ることを特徴とする請求項１の炭素膜を有する
素子。 - 【請求項１０】 水素化アモルファス炭素膜とダイヤ
モンド状炭素膜の少なくとも一方の炭素膜と誘電体膜と
を積層した多層膜が基体上に形成された素子において、
前記多層膜の平均応力を実質的に減少せしめるべく、前
記炭素膜が１×１０８ｄｙｎ／ｃｍ２〜１×１０１０ｄ
ｙｎ／ｃｍ２の範囲内に圧縮応力を備えることを特徴と
する炭素膜を有する素子。 - 【請求項１１】 前記基体がプラスチックより成るこ
とを特徴とする請求項１０の炭素膜を有する素子。 - 【請求項１２】 前記多層膜の最も前記基体側の膜が
金属より成ることを特徴とする請求項１１の炭素膜を有
する素子。 - 【請求項１３】 前記誘電体膜が、１×１０８ｄｙｎ
／ｃｍ２〜１×１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２の範囲内の引っ
張り応力を備えることを特徴とする請求項１２の炭素膜
を有する素子。 - 【請求項１４】 前記多層膜が前記炭素膜と前記誘電
体膜の交互層を備えることを特徴とする請求項１３の炭
素膜を有する素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3143280A JPH04366901A (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | 炭素膜を有する素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3143280A JPH04366901A (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | 炭素膜を有する素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04366901A true JPH04366901A (ja) | 1992-12-18 |
Family
ID=15335069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3143280A Pending JPH04366901A (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | 炭素膜を有する素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04366901A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08262203A (ja) * | 1995-03-17 | 1996-10-11 | Lg Electron Inc | 表示装置用反射防止層 |
| EP0859355A1 (en) * | 1997-02-13 | 1998-08-19 | Sanyo Electric Co. Ltd | Thin film magnetic head |
| JPWO2016159290A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2017-08-03 | 富士フイルム株式会社 | 反射防止膜及びその製造方法 |
| WO2019049471A1 (ja) * | 2017-09-06 | 2019-03-14 | 日本電産株式会社 | レンズ |
-
1991
- 1991-06-14 JP JP3143280A patent/JPH04366901A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08262203A (ja) * | 1995-03-17 | 1996-10-11 | Lg Electron Inc | 表示装置用反射防止層 |
| EP0859355A1 (en) * | 1997-02-13 | 1998-08-19 | Sanyo Electric Co. Ltd | Thin film magnetic head |
| US5986857A (en) * | 1997-02-13 | 1999-11-16 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Thin film magnetic head including adhesion enhancing interlayers, and upper and lower gap insulative layers having different hydrogen contents and internal stress states |
| JPWO2016159290A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2017-08-03 | 富士フイルム株式会社 | 反射防止膜及びその製造方法 |
| US10520648B2 (en) | 2015-03-31 | 2019-12-31 | Fujifilm Corporation | Antireflection film and method of producing the same |
| WO2019049471A1 (ja) * | 2017-09-06 | 2019-03-14 | 日本電産株式会社 | レンズ |
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