JPH04301078A - Cooling method and cooling device for film forming chamber - Google Patents
Cooling method and cooling device for film forming chamberInfo
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Abstract
Description
【0001】0001
【産業上の利用分野】CVD装置などのように室内で薄
膜を作製する装置において、成膜室を冷却水で冷却する
方法および装置に関する。FIELD OF INDUSTRIAL APPLICATION This invention relates to a method and apparatus for cooling a film forming chamber with cooling water in an apparatus such as a CVD apparatus for forming thin films indoors.
【0002】0002
【従来の技術】図5は従来のCVD装置の一例における
冷却装置を示す水平断面図、図6は同例における縦断面
図である。この装置例は、同時に複数枚の基板に薄膜形
成できる装置であり、炉壁1で囲まれた真空室2中にお
いて、スピンドル3に固定された放射状のアーム4にサ
セプタと呼ばれる基板ホルダー5が設けられ、各基板ホ
ルダー5に、基板6が保持されている。2. Description of the Related Art FIG. 5 is a horizontal cross-sectional view showing a cooling device in an example of a conventional CVD apparatus, and FIG. 6 is a vertical cross-sectional view of the same example. This example is an apparatus that can simultaneously form thin films on multiple substrates, and a substrate holder 5 called a susceptor is installed on a radial arm 4 fixed to a spindle 3 in a vacuum chamber 2 surrounded by a furnace wall 1. A substrate 6 is held in each substrate holder 5.
【0003】真空室2内壁には、各基板ホルダー5に対
向して、ガスミキシングチャンバー7が配設され、各ガ
スミキシングチャンバー7に外部のガス供給装置8から
ソースガスGが供給される。処理済の廃棄ガスは、上端
の排気口9から排出される。A gas mixing chamber 7 is provided on the inner wall of the vacuum chamber 2, facing each substrate holder 5, and a source gas G is supplied to each gas mixing chamber 7 from an external gas supply device 8. The treated waste gas is discharged from the exhaust port 9 at the upper end.
【0004】真空室2の外には、基板の着脱のためのカ
セットチャンバー10、11と基板を搬送するロードロ
ックチャンバー12が配設されている。この装置におい
て薄膜を成膜するには、真空状態のカセットチャンバー
10、11とロードロックチャンバー12間のトランス
ファーゲートTGと真空室2の基板出し入れ口13を開
けた状態で、カセットチャンバー10、11からロード
ロックチャンバー12を通って基板ホルダー5に基板6
が供給される。例えばF1番目の基板ホルダーに基板を
搭載すると、スピンドル3が60度回転して、次のF2
番目の基板ホルダーが基板出し入れ口13に移動し、基
板が搭載される。[0004] Outside the vacuum chamber 2, cassette chambers 10 and 11 for loading and unloading substrates and a load lock chamber 12 for transporting substrates are provided. In order to form a thin film in this apparatus, with the transfer gate TG between the cassette chambers 10 and 11 in a vacuum state and the load lock chamber 12 and the substrate loading/unloading port 13 of the vacuum chamber 2 open, The substrate 6 passes through the load lock chamber 12 and is placed on the substrate holder 5.
is supplied. For example, when a substrate is mounted on the F1 substrate holder, the spindle 3 rotates 60 degrees and the next F2
The second substrate holder moves to the substrate loading/unloading port 13, and a substrate is mounted thereon.
【0005】このようにして、総ての基板ホルダーに基
板が搭載されると、基板出し入れ口13が閉じられ、各
ガスミキシングチャンバー7にソースガスが供給され、
各基板6に向かって噴射されることによって、WSiな
どが成膜される。[0005] When the substrates are loaded on all the substrate holders in this way, the substrate loading/unloading port 13 is closed, and the source gas is supplied to each gas mixing chamber 7.
WSi or the like is formed into a film by being sprayed toward each substrate 6.
【0006】成膜が終わると、ガスミキシングチャンバ
ー7のガス供給管14が閉じられ、数ステップのパージ
が行われた後、基板出し入れ口13が開くとともに、ス
ピンドル3が間欠回転して、基板ホルダー5上の基板6
がロードロックチャンバー12側に取り出される。When the film formation is completed, the gas supply pipe 14 of the gas mixing chamber 7 is closed, and after several steps of purging are performed, the substrate loading/unloading port 13 is opened, and the spindle 3 is rotated intermittently to close the substrate holder. board 6 on 5
is taken out to the load lock chamber 12 side.
【0007】ところで、真空室2の炉壁1の壁面温度が
高いと、炉壁内面にWSiなどが成膜され、その結果ソ
ースガスが壁面で消費され、基板への成膜速度が遅くな
る。そこで従来から、炉壁1を水冷するコールドウォー
ル型が採用されている。By the way, when the temperature of the wall surface of the furnace wall 1 of the vacuum chamber 2 is high, a film of WSi or the like is formed on the inner surface of the furnace wall, and as a result, the source gas is consumed on the wall surface, and the rate of film formation on the substrate is slowed down. Therefore, conventionally, a cold wall type furnace in which the furnace wall 1 is water-cooled has been adopted.
【0008】図の装置では、炉壁1中に冷却水管P1、
P2が配設されている。すなわち、片方の冷却水管P1
で例えばF1、F2、F3の基板ホルダーに対向する炉
壁を冷却し、他方の冷却水管P2で例えばF4、F5、
F6の基板ホルダーに対向する炉壁を冷却することで、
炉壁全体が均一に冷却されるようにしている。このよう
に、真空室の炉壁1を2本の冷却水管P1、P2で分担
して冷却している。In the apparatus shown in the figure, cooling water pipes P1,
P2 is arranged. That is, one cooling water pipe P1
For example, the furnace wall facing the substrate holders F1, F2, and F3 is cooled, and the other cooling water pipe P2 is used to cool the furnace wall facing the substrate holders F1, F2, and F3, for example, and
By cooling the furnace wall facing the F6 substrate holder,
This ensures uniform cooling of the entire furnace wall. In this way, the furnace wall 1 of the vacuum chamber is dividedly cooled by the two cooling water pipes P1 and P2.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】このように、2系統の
冷却水管P1、P2で分担して冷却しても、冷却水管P
1、P2中を冷却水が移動する間に、炉壁1から奪った
熱で、冷却水の温度が上昇するので、冷却水管P1、P
2中の冷却水は、出口Po寄りほど冷却水温度が高くな
る。そのため、3つの基板ホルダーのうち、真ん中のF
2、F5番目の基板ホルダーに対応する炉壁位置が最適
な冷却温度となるように、冷却水の温度が設定される。[Problem to be Solved by the Invention] In this way, even if the two systems of cooling water pipes P1 and P2 share the cooling, the cooling water pipe P
1. While the cooling water moves through P2, the temperature of the cooling water increases due to the heat taken from the furnace wall 1, so the cooling water pipes P1 and P
The temperature of the cooling water in 2 becomes higher as it approaches the outlet Po. Therefore, among the three board holders, the middle F
2. The temperature of the cooling water is set so that the furnace wall position corresponding to the F5th substrate holder has the optimum cooling temperature.
【0010】ところが、このように温度設定しても、冷
却水出口PO寄りのF1、F6番目の基板に対応する炉
壁は温度が高過ぎ、逆に冷却水入口Pi寄りのF3、F
4番目の基板に対応する炉壁は温度が低過ぎるといった
問題が生じている。However, even if the temperature is set in this way, the temperature of the furnace walls corresponding to the F1 and F6 boards near the cooling water outlet PO is too high, and conversely, the temperature of the furnace walls corresponding to the F6 boards near the cooling water inlet PO is too high.
A problem arises in that the temperature of the furnace wall corresponding to the fourth substrate is too low.
【0011】その結果、冷却水出口PO寄りの炉壁には
、WSiなどが成膜され、その結果F1、F6番目の基
板は、ソースガス不足となり、膜厚が不足する。また、
冷却水入口Pi寄りのF3、F4番目付近は、炉壁温度
が低過ぎるために結露が起こり、結露水によって電気系
統がショートするなどの危険がある。As a result, a film of WSi or the like is formed on the furnace wall near the cooling water outlet PO, and as a result, the F1 and F6th substrates lack source gas and film thickness. Also,
In the vicinity of F3 and F4 near the cooling water inlet Pi, since the furnace wall temperature is too low, condensation occurs, and there is a risk that the electrical system may short-circuit due to the condensed water.
【0012】本発明の技術的課題は、このような問題に
着目し、冷却水管の入口側と出口側との温度差に起因す
る炉壁の温度むらを防止し、均一温度に冷却可能とする
ことにある。[0012] The technical problem of the present invention is to focus on such problems and to prevent the temperature unevenness of the furnace wall caused by the temperature difference between the inlet side and the outlet side of the cooling water pipe, and to make it possible to cool the furnace wall to a uniform temperature. There is a particular thing.
【0013】[0013]
【課題を解決するための手段】図1は本発明による成膜
室の冷却方法および冷却装置の基本原理を説明する水平
断面図である。2は、例えばCVD装置などのような成
膜室であり、その室壁1中に冷却水管Pが配設されてい
る。P11は冷却水管Pの一端、P12は冷却水管Pの
他端である。本発明では、所定の時間は、冷却水管Pの
一端P11を冷却水の入口Piとし、他端P12を出口
Poとするが、所定時間が経過する、逆に一端P11を
冷却水の出口Poとし、他端P12を入口Piとする。
そして、所定時間が経過すると、再び一端P11を冷却
水の入口、他端P12を冷却水の出口とする。[Means for Solving the Problems] FIG. 1 is a horizontal sectional view illustrating the basic principle of a method and a cooling device for cooling a film forming chamber according to the present invention. Reference numeral 2 denotes a film forming chamber such as, for example, a CVD apparatus, and a cooling water pipe P is disposed in the chamber wall 1. P11 is one end of the cooling water pipe P, and P12 is the other end of the cooling water pipe P. In the present invention, one end P11 of the cooling water pipe P is used as the inlet Pi of the cooling water and the other end P12 is used as the outlet Po for a predetermined period of time. , the other end P12 is assumed to be an entrance Pi. Then, after a predetermined period of time has elapsed, one end P11 is again set as the inlet of the cooling water, and the other end P12 is set as the outlet of the cooling water.
【0014】請求項2は、このように冷却水管の入口と
出口を交互に切り換える手段であり、前記の冷却水管P
の一端P11および他端P12と冷却水の冷却機15の
入口15iおよび出口15oとの間に、冷却水管Pの一
端P11および他端P12を、冷却機15の入口15i
および出口15oに対し交互に切り換えて接続するため
の切り換え弁装置Vを設けたものである。A second aspect of the present invention is a means for alternately switching the inlet and outlet of the cooling water pipe in this way,
One end P11 and the other end P12 of the cooling water pipe P are connected between one end P11 and the other end P12 and the inlet 15i and outlet 15o of the cooling water cooler 15.
and a switching valve device V for alternately switching and connecting to the outlet 15o.
【0015】[0015]
【作用】請求項1のように、一定時間ごとに、冷却水管
Pの冷却水の入口と出口を交互に切り換えることで、一
定時間ごとに冷却水管P中の冷却水の流れが逆向きとな
る。すなわち、冷却水管Pの一端P11が入口Piで、
他端P12が出口Poとなっている間は、冷却水管P中
を実線の矢印a1 で示す方向に冷却水が流れるため、
一端P11側の冷却水温度が低く、他端P12側の冷却
水温度が高くなるが、冷却水管Pによって室壁1が冷却
されるまでには時間がかかる。[Operation] As claimed in claim 1, by alternately switching the inlet and outlet of the cooling water in the cooling water pipe P at regular intervals, the flow of cooling water in the cooling water pipe P is reversed at regular intervals. . That is, one end P11 of the cooling water pipe P is the inlet Pi,
While the other end P12 is the outlet Po, the cooling water flows through the cooling water pipe P in the direction indicated by the solid arrow a1.
Although the cooling water temperature at one end P11 side is low and the cooling water temperature at the other end P12 side is high, it takes time until the chamber wall 1 is cooled by the cooling water pipe P.
【0016】そして、一端P11側の炉壁が冷えすぎた
り、他端P12側の炉壁温度が高くなる前に、入口Pi
と出口Poが切り換わって、一端P11が出口(Po)
となり、他端P12が入口(Pi)となるため、冷却水
管P中を破線の矢印a2の方向に冷却水が流れる。この
ようにして一定時間ごとに、冷却水管P中の冷却水流の
向きが逆転するため、室壁1は、冷却水管の一端P11
側が冷えすぎ、他端P12側の温度が高すぎるといった
問題は発生せず、一端P11側も他端P12側も、中間
部と同程度の均一な温度に冷却される。[0016] Then, before the furnace wall on the one end P11 side becomes too cold or the furnace wall temperature on the other end P12 side becomes high, the inlet Pi
and the exit Po is switched, and one end P11 is the exit (Po)
Since the other end P12 becomes the inlet (Pi), the cooling water flows through the cooling water pipe P in the direction of the broken arrow a2. In this way, the direction of the cooling water flow in the cooling water pipe P is reversed at regular intervals, so that the chamber wall 1 is connected to one end P11 of the cooling water pipe.
The problem of the side being too cold and the temperature on the other end P12 side being too high does not occur, and both the one end P11 side and the other end P12 side are cooled to the same uniform temperature as the middle part.
【0017】請求項2は、前記のように冷却水管中の冷
却水流を一定周期で逆転させるための装置であり、冷却
水管Pの一端P11および他端P12と冷却水の冷却機
15の入口15iおよび出口15oとの間に切り換え弁
装置Vを有しているため、該弁装置Vを一定時間ごとに
操作することで、冷却水管Pの冷却水の入口と出口が交
互に切り換わり、成膜室壁の冷却水管P中の冷却水の流
れが一定時間ごとに逆転する。このように、弁装置を設
けるだけで、成膜室壁をすべて均一に冷却できる。A second aspect of the present invention is a device for reversing the flow of cooling water in the cooling water pipe at a constant period as described above, which connects one end P11 and the other end P12 of the cooling water pipe P and the inlet 15i of the cooling water cooler 15. Since a switching valve device V is provided between the cooling water pipe P and the outlet 15o, by operating the valve device V at regular intervals, the cooling water inlet and outlet of the cooling water pipe P are alternately switched, and the film forming process is performed. The flow of cooling water in the cooling water pipe P on the chamber wall is reversed at regular intervals. In this way, just by providing the valve device, all the walls of the film forming chamber can be uniformly cooled.
【0018】[0018]
【実施例】次に本発明による成膜室の冷却方法が実際上
どのように具体化されるかを実施例で説明する。図1に
おいては、1本の冷却水管Pで室壁1全体を冷却するよ
うになっている。本発明の方法によれば、冷却水管を2
分しなくても、炉壁1は、一端P11側と他端P12と
の温度差が解消され、炉壁1全体を均一に冷却できる。
しかしながら、図5のように、炉壁1を2本の冷却水管
P1、P2で分担して冷却する場合でも、本発明の方法
によって、入口Piと出口Poを交互に切り換えて冷却
水を供給すれば、より効果的に均一冷却できる。[Example] Next, how the method for cooling a film forming chamber according to the present invention is actually implemented will be explained using an example. In FIG. 1, the entire chamber wall 1 is cooled by one cooling water pipe P. According to the method of the present invention, two cooling water pipes are
Even if the furnace wall 1 is not separated, the temperature difference between one end P11 side and the other end P12 is eliminated, and the entire furnace wall 1 can be cooled uniformly. However, even when the furnace wall 1 is dividedly cooled by the two cooling water pipes P1 and P2 as shown in FIG. 5, the method of the present invention allows the cooling water to be supplied by alternately switching the inlet Pi and the outlet Po. This allows more effective and uniform cooling.
【0019】図2は冷却装置における弁装置としてオン
・オフ弁を用いた冷却水流方向切り換え装置であり、
(a)は通常の冷却水流れ方向、 (b)は冷却水流れ
方向を逆転させた状態である。FIG. 2 shows a cooling water flow direction switching device using an on/off valve as a valve device in a cooling device.
(a) shows the normal cooling water flow direction, and (b) shows the state where the cooling water flow direction is reversed.
【0020】15は冷却機であり、炉壁1を冷却して戻
って来た冷却水を冷却して、再度冷却水管Pに供給する
装置である。この冷却機15の冷却水出口15oと冷却
水入口15iとの間に、冷却水管Pの一端P11と他端
P12が配管16、17で接続されている。ただし、途
中にオン・オフ弁V1、V2が介在している。Reference numeral 15 denotes a cooler, which cools the furnace wall 1, cools the returning cooling water, and supplies the cooled water to the cooling water pipe P again. Between the cooling water outlet 15o and the cooling water inlet 15i of the cooler 15, one end P11 and the other end P12 of the cooling water pipe P are connected by pipes 16 and 17. However, on/off valves V1 and V2 are interposed in the middle.
【0021】また、両配管16−17間が配管18で連
結されており、この連結管18と配管16のオン・オフ
弁V1より上流側との間にオン・オフ弁V3が、また連
結管18と配管17のオン・オフ弁V2より冷却水管P
側との間にオン・オフ弁V4が介在している。Further, both pipes 16 and 17 are connected by a pipe 18, and an on/off valve V3 is connected between this connecting pipe 18 and the upstream side of the on/off valve V1 of the pipe 16. 18 and the cooling water pipe P from the on/off valve V2 of pipe 17
An on/off valve V4 is interposed between the two sides.
【0022】さらに、配管16のオン・オフ弁V1より
下流側にオン・オフ弁V5を介して配管19が連結され
、この連結管19の他端は、オン・オフ弁V6を介して
、配管17の前記のオン・オフ弁V2より下流側に連結
されている。Further, a pipe 19 is connected to the downstream side of the on-off valve V1 of the pipe 16 via an on-off valve V5, and the other end of this connecting pipe 19 is connected to the pipe via an on-off valve V6. No. 17 is connected to the downstream side of the on/off valve V2.
【0023】この装置において、 (a)のように、配
管16、17のオン・オフ弁V1、V2のみが開弁し、
連結間18、19の両端のオン・オフ弁V3、V4、V
5、V6が閉じると、冷却機15の冷却水出口15oか
ら出た冷却水は、配管16中をオン・オフ弁V1を経て
、冷却水管Pの一端P11に流入する。そして、冷却水
管Pを通過する際に炉壁1を冷却した後、他端P12か
ら配管17中をオン・オフ弁V2を経て、冷却機15の
入口15iに戻って来る。In this device, as shown in (a), only the on/off valves V1 and V2 of the pipes 16 and 17 are opened;
On/off valves V3, V4, V at both ends of connections 18, 19
5. When V6 is closed, the cooling water coming out of the cooling water outlet 15o of the cooler 15 flows into the pipe 16 through the on/off valve V1 and into one end P11 of the cooling water pipe P. After cooling the furnace wall 1 while passing through the cooling water pipe P, the water returns to the inlet 15i of the cooler 15 through the on/off valve V2 from the other end P12 in the pipe 17.
【0024】一定時間が経過すると、 (b)のように
、配管16、17のオン・オフ弁V1、V2のみが閉弁
し、連結間18、19の両端のオン・オフ弁V3、V4
、V5、V6が開弁する。その結果、冷却機15の冷却
水出口15oから出た冷却水は、配管16→オン・オフ
弁V3→連結管18→オン・オフ弁V4→配管17→冷
却水管Pの他端P12へと流入する。そして、冷却水管
Pを通過する間に炉壁1を冷却した後、一端P11から
配管16→オン・オフ弁V5→連結管19→オン・オフ
弁V6→配管17→冷却機の入口15iへと戻って来る
。After a certain period of time has elapsed, as shown in (b), only the on/off valves V1 and V2 of the pipes 16 and 17 close, and the on/off valves V3 and V4 at both ends of the connections 18 and 19 close.
, V5 and V6 open. As a result, the cooling water coming out of the cooling water outlet 15o of the cooler 15 flows into the pipe 16 → on/off valve V3 → connecting pipe 18 → on/off valve V4 → pipe 17 → the other end P12 of the cooling water pipe P. do. After cooling the furnace wall 1 while passing through the cooling water pipe P, from one end P11 to the pipe 16 → on/off valve V5 → connecting pipe 19 → on/off valve V6 → pipe 17 → cooler inlet 15i. I'll be back.
【0025】このように、冷却機15の出口15oから
供給された冷却水は、冷却水管Pの一端P11と他端P
12に一定の周期で交互に供給され、また冷却水管Pの
一端P11と他端P12は、一定の周期で交互に冷却機
15の入口15iに接続されるため、冷却水管Pを通過
して温度上昇した冷却水は、常に冷却機15の入口15
iに戻ってくる。In this way, the cooling water supplied from the outlet 15o of the cooler 15 is distributed between one end P11 and the other end P11 of the cooling water pipe P.
One end P11 and the other end P12 of the cooling water pipe P are alternately connected to the inlet 15i of the cooler 15 at a certain period. The rising cooling water always flows to the inlet 15 of the cooler 15.
Come back to i.
【0026】この実施例を図5の2本の冷却水管で冷却
する装置に適用し、各オン・オフ弁のオン・オフ操作の
周期を10分とし、冷却機の設定温度を10℃とした場
合、炉壁1の冷却水管一端P11付近は11.8℃、冷
却水管他端P12付近は11.9℃となり、両者の温度
差は0.1 ℃となった。図5に示す従来装置では、冷
却機の設定温度を10℃とした場合、炉壁1の冷却水管
一端P11付近は11.5℃、冷却水管他端P12付近
は12.4℃となり、両者の温度差は0.9 ℃もあっ
たのに比べると、本発明の効果が顕著に現れている。This example was applied to a cooling device using two cooling water pipes as shown in FIG. 5, and the cycle of on/off operation of each on/off valve was set to 10 minutes, and the set temperature of the cooler was set to 10°C. In this case, the temperature near one end P11 of the cooling water pipe on the furnace wall 1 was 11.8°C, and the temperature near the other end P12 of the cooling water pipe was 11.9°C, and the temperature difference between the two was 0.1°C. In the conventional device shown in FIG. 5, when the set temperature of the cooler is 10°C, the temperature near one end P11 of the cooling water pipe on the furnace wall 1 is 11.5°C, and the temperature near the other end P12 of the cooling water pipe is 12.4°C, and both Compared to the fact that the temperature difference was as much as 0.9°C, the effects of the present invention are clearly visible.
【0027】図3は、切り換え弁の一例であり、 (a
)のようにスプール20が左に寄っている状態では、ポ
ート21とポート22が連通し、ポート23は閉じてい
るが、 (b)のようにスプール20が右に移動すると
、ポート21とポート23が連通し、ポート22は閉じ
る。FIG. 3 shows an example of a switching valve, (a
) When the spool 20 is moved to the left, ports 21 and 22 are in communication and port 23 is closed. However, when the spool 20 is moved to the right as shown in (b), ports 21 and 22 are connected. 23 is in communication and port 22 is closed.
【0028】図4はこのような切り換え弁を用いた実施
例であり、切り換え弁V7〜V10はすべて図3のよう
な切り換え弁構造になっている。切り換え弁V7は、そ
のポート21が冷却機の出口15oに接続され、切り換
え弁V8は、そのポート21が冷却水管Pの一端P11
に接続されている。そして、両切り換え弁V7、V8の
ポート22、22間が、配管24で接続されている。FIG. 4 shows an embodiment using such switching valves, and switching valves V7 to V10 all have the switching valve structure as shown in FIG. The switching valve V7 has its port 21 connected to the outlet 15o of the cooler, and the switching valve V8 has its port 21 connected to one end P11 of the cooling water pipe P.
It is connected to the. Ports 22 and 22 of both switching valves V7 and V8 are connected by a pipe 24.
【0029】また、切り換え弁V9は、そのポート21
が冷却機の入口15iに接続され、切り換え弁V10は
、そのポート21が冷却水管Pの他端P12に接続され
ている。そして、両切り換え弁V9、V10のポート2
2、22間が、配管25で接続されている。[0029] Also, the switching valve V9 has its port 21
is connected to the inlet 15i of the cooler, and the port 21 of the switching valve V10 is connected to the other end P12 of the cooling water pipe P. And port 2 of both switching valves V9 and V10
2 and 22 are connected by a pipe 25.
【0030】さらに、切り換え弁V7とV10のポート
23、23間が配管26で接続され、切り換え弁V8と
V9のポート23、23間が配管27で接続されている
。Further, ports 23 and 23 of the switching valves V7 and V10 are connected by a pipe 26, and ports 23 and 23 of the switching valves V8 and V9 are connected by a pipe 27.
【0031】この装置において、図4(a) のように
各切り換え弁V7〜V10のスプールが、ポート22が
開き、ポート23が閉じる方向に移動していると、冷却
機の出口15oから供給された冷却水は、切り換え弁V
7のポート22→配管24→切り換え弁V8のポート2
2→冷却水管Pの一端P11→冷却水管Pと流れる。そ
して、冷却水管Pを通過する際に炉壁1を冷却した後、
他端P12→切り換え弁V10のポート22→配管25
→切り換え弁V9のポート22→冷却機の入口15iへ
と流れる。In this device, as shown in FIG. 4(a), when the spools of the switching valves V7 to V10 are moving in the direction in which port 22 is open and port 23 is closed, water is supplied from the outlet 15o of the cooler. Cooling water is supplied by switching valve V.
Port 22 of 7 → Piping 24 → Port 2 of switching valve V8
2 → One end P11 of the cooling water pipe P → The cooling water pipe P flows. After cooling the furnace wall 1 while passing through the cooling water pipe P,
Other end P12 → Port 22 of switching valve V10 → Piping 25
→ Port 22 of switching valve V9 → Flows to inlet 15i of the cooler.
【0032】図4(b) のように、各切り換え弁V7
〜V10のスプールが、ポート22が閉じ、ポート23
が開く方向に移動していると、冷却機の出口15oから
供給された冷却水は、切り換え弁V7のポート23→配
管26→切り換え弁V10のポート23→冷却水管Pの
他端P12→冷却水管Pと流れる。そして、冷却水管P
を通過する際に炉壁1を冷却した後、一端P11→切り
換え弁V8のポート23→配管27→切り換え弁V9の
ポート23→冷却機の入口15iへと流れる。As shown in FIG. 4(b), each switching valve V7
~V10 spool, port 22 closed, port 23
is moving in the opening direction, the cooling water supplied from the outlet 15o of the cooler is transferred from port 23 of switching valve V7 → piping 26 → port 23 of switching valve V10 → other end P12 of cooling water pipe P → cooling water pipe Flows with P. And the cooling water pipe P
After cooling the furnace wall 1 when passing through, it flows from one end P11 → port 23 of switching valve V8 → piping 27 → port 23 of switching valve V9 → inlet 15i of the cooler.
【0033】なお、以上の冷却方法および装置は、CV
D装置に限らず、成膜室壁部の冷却を要する総ての装置
に適用できる。[0033] The above cooling method and apparatus are
This method is applicable not only to the D device but also to all devices that require cooling of the film forming chamber wall.
【0034】[0034]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、弁装置の
操作によって、成膜室壁中の冷却水管Pの入口15iと
出口15oを交互に切り換えて、冷却水管P中の冷却水
流が所定の周期で逆転するようにしている。そのため、
冷却水管Pの一端P11および他端P12は、所定の周
期で冷却水の入口Piとなったり出口Poとなったりす
る。その結果、逆転の周期が長すぎない限り、成膜室壁
は、冷却水管Pの一端P11付近も他端P12付近もす
べて均一な温度に冷却され、温度むらのために成膜室内
壁に成膜されたり、結露するといった問題が解消される
。As described above, according to the present invention, the inlet 15i and the outlet 15o of the cooling water pipe P in the film forming chamber wall are alternately switched by operating the valve device, and the cooling water flow in the cooling water pipe P is controlled. It is designed to reverse at a predetermined period. Therefore,
One end P11 and the other end P12 of the cooling water pipe P serve as an inlet Pi and an outlet Po of the cooling water at predetermined intervals. As a result, as long as the cycle of reversal is not too long, the film forming chamber wall is cooled to a uniform temperature near one end P11 of the cooling water pipe P and the other end P12. Problems such as film formation and dew condensation are solved.
【図1】本発明による成膜室の冷却方法および冷却装置
の基本原理を説明する水平断面図である。FIG. 1 is a horizontal cross-sectional view illustrating the basic principle of a cooling method and a cooling device for a film forming chamber according to the present invention.
【図2】オン・オフ弁による冷却水流の切り換え装置を
例示する配管図である。FIG. 2 is a piping diagram illustrating a cooling water flow switching device using an on-off valve.
【図3】切り換え弁を例示する断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a switching valve.
【図4】切り換え弁による冷却水流の切り換え装置を例
示する配管図である。FIG. 4 is a piping diagram illustrating a cooling water flow switching device using a switching valve.
【図5】従来のCVD装置における冷却装置を示す水平
断面図である。FIG. 5 is a horizontal sectional view showing a cooling device in a conventional CVD apparatus.
【図6】図5のCVD装置の縦断面図である。6 is a longitudinal sectional view of the CVD apparatus of FIG. 5. FIG.
1 炉壁(室壁) 2 真空室(成膜室) 3 スピンドル 4 放射状のアーム 5 基板ホルダー(サセプター) 6 基板 7 ガスミキシングチャンバー 8 ガス供給装置 G ソースガス 9 排気口 10,11 カセットチャンバー 12 ロードロックチャンバー 13 基板出し入れ口 14 ガス供給管 P1,P2,P 冷却水管 P11 冷却水管の一端 P12 冷却水管の他端 15 冷却機 15o 冷却水出口 15i 冷却水入口 16,17 配管 18,19 連結管 V 切り換え弁装置 V1…V6 オン・オフ弁 20 スプール 24…27 配管 V7…V10 切り換え弁 1 Furnace wall (chamber wall) 2 Vacuum chamber (film formation chamber) 3 Spindle 4 Radial arm 5 Substrate holder (susceptor) 6 Board 7 Gas mixing chamber 8 Gas supply device G Source gas 9 Exhaust port 10,11 Cassette chamber 12 Load lock chamber 13 Board entry/exit 14 Gas supply pipe P1, P2, P Cooling water pipe P11 One end of the cooling water pipe P12 Other end of cooling water pipe 15 Cooling machine 15o Cooling water outlet 15i Cooling water inlet 16,17 Piping 18,19 Connecting pipe V Switching valve device V1...V6 On/off valve 20 Spool 24...27 Piping V7...V10 switching valve
Claims (2)
の室壁(1) 中に冷却水管(P)を配設し、冷却水で
冷却する装置において、一定時間ごとに、前記冷却水管
(P) の冷却水の入口と出口を交互に切り換えること
で、冷却水管(P) 中の冷却水流の向きを周期的に逆
転させることを特徴とする成膜室の冷却方法。[Claim 1] A film forming chamber (2) for producing a thin film inside.
In a device in which a cooling water pipe (P) is installed in the chamber wall (1) and the cooling water is used for cooling, the cooling water inlet and outlet of the cooling water pipe (P) are alternately switched at regular intervals. , a cooling method for a film forming chamber characterized by periodically reversing the direction of a cooling water flow in a cooling water pipe (P).
の室壁(1) 中に冷却水管(P)を配設し、冷却水で
冷却する装置において、前記の冷却水管(P) の一端
(P11) および他端(P12) と冷却水の冷却機
(15)の入口(15i) および出口(15o) と
の間に、冷却水管(P) の一端(P11) および他
端(P12) を、冷却機(15)の入口(15i)
および出口(15o) に対し交互に切り換えて接続す
るための切り換え弁装置(V) を設けてなることを特
徴とする成膜室の冷却装置。[Claim 2] A film forming chamber (2) for producing a thin film inside.
A cooling water pipe (P) is disposed in a chamber wall (1) of a room, and in a device for cooling with cooling water, one end (P11) and the other end (P12) of the cooling water pipe (P) and a cooling water cooler are installed. One end (P11) and the other end (P12) of the cooling water pipe (P) are connected between the inlet (15i) and the outlet (15o) of the cooler (15).
and an outlet (15o).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6648491A JPH04301078A (en) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | Cooling method and cooling device for film forming chamber |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6648491A JPH04301078A (en) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | Cooling method and cooling device for film forming chamber |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04301078A true JPH04301078A (en) | 1992-10-23 |
Family
ID=13317111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6648491A Withdrawn JPH04301078A (en) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | Cooling method and cooling device for film forming chamber |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04301078A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012141151A1 (en) * | 2011-04-11 | 2012-10-18 | 東京エレクトロン株式会社 | Film-forming apparatus and film-forming method |
| JP2014011382A (en) * | 2012-07-02 | 2014-01-20 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing apparatus, and temperature control method |
| WO2014057608A1 (en) * | 2012-10-12 | 2014-04-17 | 株式会社神戸製鋼所 | Pvd treatment method and pvd treatment device |
| KR20160029213A (en) * | 2014-09-04 | 2016-03-15 | 삼성전자주식회사 | Electrostatic chuck assemblies capable of bidirectional flow of coolant and semiconductor fabricating apparatus having the same |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP6648491A patent/JPH04301078A/en not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012141151A1 (en) * | 2011-04-11 | 2012-10-18 | 東京エレクトロン株式会社 | Film-forming apparatus and film-forming method |
| JP2014011382A (en) * | 2012-07-02 | 2014-01-20 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing apparatus, and temperature control method |
| WO2014057608A1 (en) * | 2012-10-12 | 2014-04-17 | 株式会社神戸製鋼所 | Pvd treatment method and pvd treatment device |
| JP2014077185A (en) * | 2012-10-12 | 2014-05-01 | Kobe Steel Ltd | Pvd treatment method and pvd treatment apparatus |
| KR20150053800A (en) * | 2012-10-12 | 2015-05-18 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | Pvd treatment method and pvd treatment device |
| CN104685096A (en) * | 2012-10-12 | 2015-06-03 | 株式会社神户制钢所 | Physical vapor deposition treatment method and physical vapor deposition treatment device |
| EP2907890A4 (en) * | 2012-10-12 | 2016-07-13 | Kobe Steel Ltd | Pvd treatment method and pvd treatment device |
| KR20160029213A (en) * | 2014-09-04 | 2016-03-15 | 삼성전자주식회사 | Electrostatic chuck assemblies capable of bidirectional flow of coolant and semiconductor fabricating apparatus having the same |
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