JPH0430609A - 温度検出回路 - Google Patents
温度検出回路Info
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- JPH0430609A JPH0430609A JP2134940A JP13494090A JPH0430609A JP H0430609 A JPH0430609 A JP H0430609A JP 2134940 A JP2134940 A JP 2134940A JP 13494090 A JP13494090 A JP 13494090A JP H0430609 A JPH0430609 A JP H0430609A
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- G01K7/02—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
- G01K7/14—Arrangements for modifying the output characteristic, e.g. linearising
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- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is DC
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics
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- G05F3/30—Regulators using the difference between the base-emitter voltages of two bipolar transistors operating at different current densities
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的コ
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体集積回路に形成される温度検出回路に
係り、特に消費電力の大きい回路に使用されるものであ
る。
係り、特に消費電力の大きい回路に使用されるものであ
る。
（従来の技術）
一般に、音響用電力増幅回路とかモータ駆動回路などの
消費電力の大きい回路を集積回路化する場合、回路全体
が直接に熱せられることになるので、個別半導体素子を
用いる場合よりも熱に対する考慮が必要とされる。そこ
で、集積回路の外囲器の低抵抗化とか放熱板の使用など
の工夫と共に、異常な高温状態では回路動作を遮断制御
して集積回路自体を保護するために温度検出回路を用い
た熱遮断回路が内蔵されている。
消費電力の大きい回路を集積回路化する場合、回路全体
が直接に熱せられることになるので、個別半導体素子を
用いる場合よりも熱に対する考慮が必要とされる。そこ
で、集積回路の外囲器の低抵抗化とか放熱板の使用など
の工夫と共に、異常な高温状態では回路動作を遮断制御
して集積回路自体を保護するために温度検出回路を用い
た熱遮断回路が内蔵されている。
第３図は、集積回路化された音響用電力増幅回路に最も
広く使用されている従来の熱遮断回路を示している。即
ち、Ｖｃｅ電源と接地電位ＧＮＤとの間に抵抗Ｒ１およ
びツェナーダイオードＺ１が直列に接続され、二の抵抗
Ｒ１およびツェナーダイオードＺ１の直列接続点にＮＰ
Ｎ トランジスタＱ１のベースが接続され、このトラン
ジスタＱ。
広く使用されている従来の熱遮断回路を示している。即
ち、Ｖｃｅ電源と接地電位ＧＮＤとの間に抵抗Ｒ１およ
びツェナーダイオードＺ１が直列に接続され、二の抵抗
Ｒ１およびツェナーダイオードＺ１の直列接続点にＮＰ
Ｎ トランジスタＱ１のベースが接続され、このトラン
ジスタＱ。
のコレクタはＶｃｅ電源に接続され、このトランジスタ
Ｑ１のエミッタとＧＮＤとの間に抵抗Ｒ２およびＲ３が
直列に接続され、この抵抗Ｒ２およびＲ９の直列接続点
にスイッチング用のＮＰＮ）ランジスタＱ２のベースが
接続され、このトランジスタＱ２のエミッタはＧＮＤに
接続され、上記トランジスタＱ２のコレクタから遮断制
御信号出力が取り出されるように構成されている。ここ
で、抵抗Ｒ１はツェナーダイオードｚ１のバイアス電流
を決定するために設けられており、検出温度を設定する
ための抵抗Ｒ２およびＲ５は、同一種類の抵抗であって
その抵抗比がほぼ一定となるように特性のベア性が考慮
して設計されている。
Ｑ１のエミッタとＧＮＤとの間に抵抗Ｒ２およびＲ３が
直列に接続され、この抵抗Ｒ２およびＲ９の直列接続点
にスイッチング用のＮＰＮ）ランジスタＱ２のベースが
接続され、このトランジスタＱ２のエミッタはＧＮＤに
接続され、上記トランジスタＱ２のコレクタから遮断制
御信号出力が取り出されるように構成されている。ここ
で、抵抗Ｒ１はツェナーダイオードｚ１のバイアス電流
を決定するために設けられており、検出温度を設定する
ための抵抗Ｒ２およびＲ５は、同一種類の抵抗であって
その抵抗比がほぼ一定となるように特性のベア性が考慮
して設計されている。
上記第３図の回路の動作はよく知られているように、ツ
ェナーダイオードｚ１のツェナー電圧Ｖｚ（正の温度特
性を持つ。）およびバイポーラトランジスタＱ１および
Ｑ２のベース層エミッタ間電圧ＶＰＩおよびＶＦ２の温
度特性（負の温度特性を持つ。）を利用して温度検出を
行い、異常な高温状態を検出すると遮断制御信号出力が
オン状態となる。即ち、常温時には、ツェナー電圧Ｖｚ
と、トランジスタＱ１のＶＦＩと、抵抗Ｒ２およびＲ３
の抵抗比とで決定されるトランジスタＱ２のベース電位
がトランジスタＱ２のベース・エミッタ間電圧ＶＰ２以
下となるように設定され、トランジスタＱ２はオフ状態
になり、その遮断制御信号出力がオフ状態となる。これ
に対して、集積回路のチップ温度が上昇すると、抵抗Ｒ
２およびＲ３は同一種類の抵抗であるのでそれぞれの値
が温度により変化してもその抵抗比は変化しないが、ツ
ェナー ｔｉＥ 圧Ｖ ｚが高くなると共にトランジス
タＱ、のベース−エミッタ間電圧ＶＦＩが低下し、トラ
ンジスタＱ１のエミッタ電位が上昇し、それにつれて、
トランジスタＱ２のベース電位も上昇するが、トランジ
スタＱ２がオン状態になるのに必要なベース・エミッタ
間電圧ＶＦ２も低下しているので、ある設定温度を超え
た時点でトランジスタＱ２がオン状Ｓ＜場合によっては
飽和状態）になり、その遮断制御信号出力がオン状態と
なる。
ェナーダイオードｚ１のツェナー電圧Ｖｚ（正の温度特
性を持つ。）およびバイポーラトランジスタＱ１および
Ｑ２のベース層エミッタ間電圧ＶＰＩおよびＶＦ２の温
度特性（負の温度特性を持つ。）を利用して温度検出を
行い、異常な高温状態を検出すると遮断制御信号出力が
オン状態となる。即ち、常温時には、ツェナー電圧Ｖｚ
と、トランジスタＱ１のＶＦＩと、抵抗Ｒ２およびＲ３
の抵抗比とで決定されるトランジスタＱ２のベース電位
がトランジスタＱ２のベース・エミッタ間電圧ＶＰ２以
下となるように設定され、トランジスタＱ２はオフ状態
になり、その遮断制御信号出力がオフ状態となる。これ
に対して、集積回路のチップ温度が上昇すると、抵抗Ｒ
２およびＲ３は同一種類の抵抗であるのでそれぞれの値
が温度により変化してもその抵抗比は変化しないが、ツ
ェナー ｔｉＥ 圧Ｖ ｚが高くなると共にトランジス
タＱ、のベース−エミッタ間電圧ＶＦＩが低下し、トラ
ンジスタＱ１のエミッタ電位が上昇し、それにつれて、
トランジスタＱ２のベース電位も上昇するが、トランジ
スタＱ２がオン状態になるのに必要なベース・エミッタ
間電圧ＶＦ２も低下しているので、ある設定温度を超え
た時点でトランジスタＱ２がオン状Ｓ＜場合によっては
飽和状態）になり、その遮断制御信号出力がオン状態と
なる。
上記したような従来の熱遮断回路は、設定温度を超えた
時点で遮断制御信号出力がオン状態になって電力増幅回
路を遮断制御した後、温度が下がって設定温度を下回る
と、遮断制御信号出力が再びオフ状態に戻るので電力増
幅回路に対する保護動作が停止し、即座に電力増幅回路
の動作が復帰するようになる。従って、このような電力
増幅回路の保護動作および復帰動作が繰り返す時には、
設定温度付近の高温を保ったまま発振状態になる。
時点で遮断制御信号出力がオン状態になって電力増幅回
路を遮断制御した後、温度が下がって設定温度を下回る
と、遮断制御信号出力が再びオフ状態に戻るので電力増
幅回路に対する保護動作が停止し、即座に電力増幅回路
の動作が復帰するようになる。従って、このような電力
増幅回路の保護動作および復帰動作が繰り返す時には、
設定温度付近の高温を保ったまま発振状態になる。
しかし、このように発振状態になると、周辺回路に悪影
響を及ぼす場合があり、しかも、高温を保ったままの保
護状態は集積回路にとって好ましくない。
響を及ぼす場合があり、しかも、高温を保ったままの保
護状態は集積回路にとって好ましくない。
また、前記ツェナー電圧Ｖｚのばらつきがあると、トラ
ンジスタＱ２のベース電位がばらつくので、保護動作の
設定温度のばらつきを招いてしまう。
ンジスタＱ２のベース電位がばらつくので、保護動作の
設定温度のばらつきを招いてしまう。
（発明が解決しようとするａｌｌ）
上記したように従来の熱遮断回路は、保護対象となる発
熱回路の保護動作および復帰動作の繰り返しに際して、
集積回路チップが設定温度付近の高温を保ったまま発振
状態になり、また、使用するツェナーダイオードのツェ
ナー電圧のばらつきがあると、保護動作の設定温度のば
らつきを招いてしまうという問題がある。
熱回路の保護動作および復帰動作の繰り返しに際して、
集積回路チップが設定温度付近の高温を保ったまま発振
状態になり、また、使用するツェナーダイオードのツェ
ナー電圧のばらつきがあると、保護動作の設定温度のば
らつきを招いてしまうという問題がある。
本発明は、上記問題点を解決すべくなされたもので、そ
の目的は、使用する素子の特性のばらつきによる温度検
出設定温度のばらつきが少なくなり、しかも、温度上昇
時の設定温度と温度低下時の設定温度とを変化させるこ
とにより、同一集積回路チップ上の発熱回路の保護動作
および復帰動作の繰り返しに際してチップが高温側設定
温度付近の高温を保ったまま発振状態になることを防止
し得る熱遮断回路を実現できる温度検出回路を提供する
ことにある。
の目的は、使用する素子の特性のばらつきによる温度検
出設定温度のばらつきが少なくなり、しかも、温度上昇
時の設定温度と温度低下時の設定温度とを変化させるこ
とにより、同一集積回路チップ上の発熱回路の保護動作
および復帰動作の繰り返しに際してチップが高温側設定
温度付近の高温を保ったまま発振状態になることを防止
し得る熱遮断回路を実現できる温度検出回路を提供する
ことにある。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明の温度検出回路は、バンドギャップ型・電圧源の
バンドギャップの電圧に関係した正の温度係数を持つ電
流を供給する第１の電流源と、零または負の温度係数を
持つ電流を供給する第２の電流源と、これらの２つの電
流源の電流量を比較して電流量の大小関係を検出する比
較回路とを具備することを特徴とする。
バンドギャップの電圧に関係した正の温度係数を持つ電
流を供給する第１の電流源と、零または負の温度係数を
持つ電流を供給する第２の電流源と、これらの２つの電
流源の電流量を比較して電流量の大小関係を検出する比
較回路とを具備することを特徴とする。
（作 用）
この温度検出回路は、バンドギャップの電圧に関係した
正の温度係数を持つ電流の温度特性が、素子特性ではな
くて純粋な物理定数である熱電圧ｖＴの温度特性に依存
することを利用して温度検出を行っているので、素子特
性のばらつきによる温度検出設定温度のばらつきが少な
くなる。
正の温度係数を持つ電流の温度特性が、素子特性ではな
くて純粋な物理定数である熱電圧ｖＴの温度特性に依存
することを利用して温度検出を行っているので、素子特
性のばらつきによる温度検出設定温度のばらつきが少な
くなる。
また、この温度検出回路を用いて熱遮断回路を構成する
場合、前記２つの電流源の電流量が所定の値になった時
を検出して第２の電流源の電流量を変化させることによ
り、同一集積回路チップ上の発熱回路の保護状態と復帰
動作との境界条件を変化させ、いわゆるヒステリシス動
作を行わせることが可能になる。従って、集積回路チッ
プの低温から高温への移動時に高温側の設定温度を超え
た時点を検出して発熱回路を遮断制御した後、高温から
低温への移動時には上記高温側の設定温度より十分下回
った低温側の設定温度より低下した時点を検出して保護
動作を解除することが可能になるので、発熱回路に対す
る保護動作および復帰動作の繰り返しに際して、集積回
路チップが高温側設定温度付近の高温を保ったまま発振
状態になることを防止できる。
場合、前記２つの電流源の電流量が所定の値になった時
を検出して第２の電流源の電流量を変化させることによ
り、同一集積回路チップ上の発熱回路の保護状態と復帰
動作との境界条件を変化させ、いわゆるヒステリシス動
作を行わせることが可能になる。従って、集積回路チッ
プの低温から高温への移動時に高温側の設定温度を超え
た時点を検出して発熱回路を遮断制御した後、高温から
低温への移動時には上記高温側の設定温度より十分下回
った低温側の設定温度より低下した時点を検出して保護
動作を解除することが可能になるので、発熱回路に対す
る保護動作および復帰動作の繰り返しに際して、集積回
路チップが高温側設定温度付近の高温を保ったまま発振
状態になることを防止できる。
（実施例）
以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
る。
第１図は、集積回路化された音響用電力増幅回路に使用
される温度検出回路を用いた熱遮断回路を示している。
される温度検出回路を用いた熱遮断回路を示している。
第１図において、ＮＰＮトランジスタＱ１は、コレクタ
・ベース相互が接続され、エミッタがＧＮＤに接続され
ている。ＮＰＮ トランジスタＱ２は、ベースが上記Ｎ
ＰＮ ）ランジスタＱ１のベースに接続され、エミッタ
が抵抗Ｒ１を介してＧＮＤに接続されている。上記トラ
ンジスタＱ１およびＱ２のエミツタ面積比は１：Ｎ（正
の整数）となるように形成されており、このトランジス
タＱ、およびＱ２の各コレクタは対応して抵抗Ｒ２およ
びＲ１を介して一括接続され、この−括接続点にＮＰＮ
トランジスタＱ、のエミッタが接続されている。また、
上記トランジスタＱ２のコレクタにはＮＰＮ トランジ
スタＱ４のベースが接続され、このトランジスタＱ４の
エミッタはＧＮＤに接続されている。そして、ｖｃｃ電
源と上記トランジスタＱ４のコレクタとの間にはバイア
ス電流Ｉ、を流すためのバイアス電流源１１が接続され
ている。さらに、ＰＮＰトランジスタＱ、およびＱｂお
よびＱ７の各エミッタがＶｃｃ電源に接続され、トラン
ジスタＱ６のコレクタは前記トランジスタＱ、のコレク
タに接続されると共にスイッチング用トランジスタＱ７
のベースに接続されている。上記トランジスタＱ、は、
ベース・コレクタ相互が接続され、このベース・コレク
タ相互の接続点にＮＰＮトランジスタＱ８およびＱ、の
各コレクタが接続されている。このトランジスタＱ８お
よびＱ、の各エミッタとＧＮＤとの間に各対応して抵抗
Ｒ４およびＲ１が接続されている。さらに、ＮＰＮトラ
ンジスタＱ ＋ｏおよびＱ ｚの各エミッタが共通接続
され、このエミッタ共通接続点とＧＮＤとの間にはバイ
アス電流Ｉ２を流すためのバイアス電流源１２が接続さ
れている。上記トランジスタＱ＋ｏのコレクタはＶｅｃ
電源に接続され、ベースは前記トランジスタＱ８のエミ
ッタおよびトランジスタＱ７のコレクタに接続され、上
；己トランジスタＱ１□、前：己トランジスタＱ３、Ｑ
８およびＱ、の各ベースは前記トランジスタＱ４のコレ
クタに接続されている。そして、上記トランジスタＱ
１ｒのコレクタは同一集積回路チップ上の音響用電力増
幅回路（図示せず）のバイアス回路の電流源になってい
る。
・ベース相互が接続され、エミッタがＧＮＤに接続され
ている。ＮＰＮ トランジスタＱ２は、ベースが上記Ｎ
ＰＮ ）ランジスタＱ１のベースに接続され、エミッタ
が抵抗Ｒ１を介してＧＮＤに接続されている。上記トラ
ンジスタＱ１およびＱ２のエミツタ面積比は１：Ｎ（正
の整数）となるように形成されており、このトランジス
タＱ、およびＱ２の各コレクタは対応して抵抗Ｒ２およ
びＲ１を介して一括接続され、この−括接続点にＮＰＮ
トランジスタＱ、のエミッタが接続されている。また、
上記トランジスタＱ２のコレクタにはＮＰＮ トランジ
スタＱ４のベースが接続され、このトランジスタＱ４の
エミッタはＧＮＤに接続されている。そして、ｖｃｃ電
源と上記トランジスタＱ４のコレクタとの間にはバイア
ス電流Ｉ、を流すためのバイアス電流源１１が接続され
ている。さらに、ＰＮＰトランジスタＱ、およびＱｂお
よびＱ７の各エミッタがＶｃｃ電源に接続され、トラン
ジスタＱ６のコレクタは前記トランジスタＱ、のコレク
タに接続されると共にスイッチング用トランジスタＱ７
のベースに接続されている。上記トランジスタＱ、は、
ベース・コレクタ相互が接続され、このベース・コレク
タ相互の接続点にＮＰＮトランジスタＱ８およびＱ、の
各コレクタが接続されている。このトランジスタＱ８お
よびＱ、の各エミッタとＧＮＤとの間に各対応して抵抗
Ｒ４およびＲ１が接続されている。さらに、ＮＰＮトラ
ンジスタＱ ＋ｏおよびＱ ｚの各エミッタが共通接続
され、このエミッタ共通接続点とＧＮＤとの間にはバイ
アス電流Ｉ２を流すためのバイアス電流源１２が接続さ
れている。上記トランジスタＱ＋ｏのコレクタはＶｅｃ
電源に接続され、ベースは前記トランジスタＱ８のエミ
ッタおよびトランジスタＱ７のコレクタに接続され、上
；己トランジスタＱ１□、前：己トランジスタＱ３、Ｑ
８およびＱ、の各ベースは前記トランジスタＱ４のコレ
クタに接続されている。そして、上記トランジスタＱ
１ｒのコレクタは同一集積回路チップ上の音響用電力増
幅回路（図示せず）のバイアス回路の電流源になってい
る。
上記熱遮断回路において、トランジスタＱ、はバンドギ
ャップの電圧に関係した正の温度係数を持つ電流を供給
する第１の電流源を形成しており、トランジスタＱ８お
よびＱ、は、零または負の温度係数を持つ電流を供給す
る第２の電流源を形成しており、トランジスタＱ５〜Ｑ
７およびＱ １０％Ｑ ｚは上記２つの電流源の電流量
を比較して電流量の大小関係を検出する比較回路を形成
している。
ャップの電圧に関係した正の温度係数を持つ電流を供給
する第１の電流源を形成しており、トランジスタＱ８お
よびＱ、は、零または負の温度係数を持つ電流を供給す
る第２の電流源を形成しており、トランジスタＱ５〜Ｑ
７およびＱ １０％Ｑ ｚは上記２つの電流源の電流量
を比較して電流量の大小関係を検出する比較回路を形成
している。
即ち、トランジスタＱ１〜Ｑａ、抵抗Ｒ１〜Ｒ９および
バイアス電流源１１は、バンドギャップ型電圧源を構成
しており、トランジスタＱ、のエミッタ電位ＶＢ（、が
温度特性を持たない電圧となるように、各トランジスタ
のサイズ、抵抗値、電流値が設定されている。ここで、
抵抗Ｒ２およびＲ１にそれぞれ流れる電流ＩＢＧは、 であり、トランジスタＱ、に流れる電流！、は、となる
。
バイアス電流源１１は、バンドギャップ型電圧源を構成
しており、トランジスタＱ、のエミッタ電位ＶＢ（、が
温度特性を持たない電圧となるように、各トランジスタ
のサイズ、抵抗値、電流値が設定されている。ここで、
抵抗Ｒ２およびＲ１にそれぞれ流れる電流ＩＢＧは、 であり、トランジスタＱ、に流れる電流！、は、となる
。
一方、トランジスタＱ、に流れる電流Ｉ、は、となる。
また、上記トランジスタＱ５にカレントミラー接続され
ているトランジスタＱ６にも、上記電流Ｉ、に等しい電
流Ｉゎが流れる。
ているトランジスタＱ６にも、上記電流Ｉ、に等しい電
流Ｉゎが流れる。
上記した電流１３は正の温度係数を持ち、ｌ。
（−１６）は零または負の温度特性を持っているが、常
温では、 １Ｂ＜１５（−１６） ・・・（４）で、か
つ、希望の設定温度以上で、 ■、≧１．（−１６） ・・・（５）とな
るように、抵抗Ｒ４および抵抗Ｒ５の値を設定しておく
。
温では、 １Ｂ＜１５（−１６） ・・・（４）で、か
つ、希望の設定温度以上で、 ■、≧１．（−１６） ・・・（５）とな
るように、抵抗Ｒ４および抵抗Ｒ５の値を設定しておく
。
従って、常温では、Ｉ、＜１．となるので、トランジス
タＱ７の電流を引っ張ることになり、トランジスタＱ
１ｏのベース電位が持ち上がる。ここで、トランジスタ
ロ工。およびＱ１□は差動増幅器を構成しているので、
常温では、トランジスタＱ１１およびＱＩｏのベース電
圧間にはトランジスタＱ８のベース・エミッタ間電圧ｖ
、８が現われ、トランジスタＱ＋ｏがオフ状態、トラン
ジスタＱ１１がオン状態（遮断制御信号出力がオン状態
）になり、電力増幅回路は通常動作状態になっている。
タＱ７の電流を引っ張ることになり、トランジスタＱ
１ｏのベース電位が持ち上がる。ここで、トランジスタ
ロ工。およびＱ１□は差動増幅器を構成しているので、
常温では、トランジスタＱ１１およびＱＩｏのベース電
圧間にはトランジスタＱ８のベース・エミッタ間電圧ｖ
、８が現われ、トランジスタＱ＋ｏがオフ状態、トラン
ジスタＱ１１がオン状態（遮断制御信号出力がオン状態
）になり、電力増幅回路は通常動作状態になっている。
これに対して、設定温度以上になると、Ｉ３≧１５とな
るので、トランジスタＱ７がオフ状態、トランジスタＱ
＋ｏがオン状態、トランジスタＱ ｚがオフ状態（遮断
制御信号出力がオフ状態）に反転し、電力増幅回路は非
動作状態（保護状Ｂ）になる。この時、トランジスタＱ
８のベース・エミッタ間電圧ＶＦＩＩが逆転してトラン
ジスタＱ８がオフ状態になるので、その分だけ前記電流
Ｉ、はさらに減少する。これにより、高温から低温への
移動時には高温側の設定温度より十分下回った低温側の
設定温度より低下した時点で遮断制御信号出力が再びオ
ン状態に戻って保護動作を解除するようになる。
るので、トランジスタＱ７がオフ状態、トランジスタＱ
＋ｏがオン状態、トランジスタＱ ｚがオフ状態（遮断
制御信号出力がオフ状態）に反転し、電力増幅回路は非
動作状態（保護状Ｂ）になる。この時、トランジスタＱ
８のベース・エミッタ間電圧ＶＦＩＩが逆転してトラン
ジスタＱ８がオフ状態になるので、その分だけ前記電流
Ｉ、はさらに減少する。これにより、高温から低温への
移動時には高温側の設定温度より十分下回った低温側の
設定温度より低下した時点で遮断制御信号出力が再びオ
ン状態に戻って保護動作を解除するようになる。
第２図は、半導体チップのＰＮ接合の温度Ｔｊと電力増
幅回路の動作状態との関係を示している。
幅回路の動作状態との関係を示している。
即ち、上記熱遮断回路によれば、前記２つの電流１３、
Ｉｓの電流量が所定の値になった時を検出して一方の電
流Ｉ、の電流量を変化させることにより、電力増幅回路
の保護動作と復帰動作との境界条件を変化させ、温度に
対するヒステリシス特性を持たせることが可能になる。
Ｉｓの電流量が所定の値になった時を検出して一方の電
流Ｉ、の電流量を変化させることにより、電力増幅回路
の保護動作と復帰動作との境界条件を変化させ、温度に
対するヒステリシス特性を持たせることが可能になる。
これにより、集積回路チップの低温から高温への移動時
に高温側の設定温度Ｔ１ （例え、ば１５０℃）を超え
た時点で遮断制御信号出力がオフ状態になって電力増幅
回路を遮断制御した後、高温から低温への移動時には上
記高温側の設定温度より十分下回った低温側の設定温度
Ｔ２（例えば１００℃）より低下した時点で遮断制御信
号出力か再びオン状態に戻って保護動作を解除し、元の
通常動作状態に復帰することが可能になる。なお、ヒス
テリシス特性のヒステリシス幅は、前記抵抗Ｒ４の値の
調整＋：ヨり筒中に設定することができる。
に高温側の設定温度Ｔ１ （例え、ば１５０℃）を超え
た時点で遮断制御信号出力がオフ状態になって電力増幅
回路を遮断制御した後、高温から低温への移動時には上
記高温側の設定温度より十分下回った低温側の設定温度
Ｔ２（例えば１００℃）より低下した時点で遮断制御信
号出力か再びオン状態に戻って保護動作を解除し、元の
通常動作状態に復帰することが可能になる。なお、ヒス
テリシス特性のヒステリシス幅は、前記抵抗Ｒ４の値の
調整＋：ヨり筒中に設定することができる。
従って一１電力増幅回路に対する保護動作および復帰動
作の繰り返しに際して、集積回路チップが高温側設定温
度付近の高温を保ったまま発振状態になることを防止で
きる。
作の繰り返しに際して、集積回路チップが高温側設定温
度付近の高温を保ったまま発振状態になることを防止で
きる。
また、上記熱遮断回路の温度特性は、熱電圧■１の温度
特性および抵抗Ｒ４、Ｒ５の温度特性から決定されるの
で、保護動作設定温度および保護動作解除温度に対する
素子特性のばらつきによる影響が極めて少なくなる。
特性および抵抗Ｒ４、Ｒ５の温度特性から決定されるの
で、保護動作設定温度および保護動作解除温度に対する
素子特性のばらつきによる影響が極めて少なくなる。
［発明の効果］
上述したように本発明の温度検出回路によれば、使用す
る素子の特性のばらつきによる温度検出設定温度のばら
つきか少なくなり、しかも、温度上昇時の設定温度と温
度低下時の設定温度とを変化させることにより、同一集
積回路チップ上の発熱回路の保護動作および復帰動作の
繰り返しに際してチップが高温側設定温度付近の高温を
保ったまま発振状態になることを防止し得る熱遮断回路
を実現することができる。
る素子の特性のばらつきによる温度検出設定温度のばら
つきか少なくなり、しかも、温度上昇時の設定温度と温
度低下時の設定温度とを変化させることにより、同一集
積回路チップ上の発熱回路の保護動作および復帰動作の
繰り返しに際してチップが高温側設定温度付近の高温を
保ったまま発振状態になることを防止し得る熱遮断回路
を実現することができる。
従って、本発明の温度検出回路は、音響用電力増幅回路
とかモータ駆動回路などの消費電力の大きい回路を集積
回路化する場合に適用して極めて有効である。
とかモータ駆動回路などの消費電力の大きい回路を集積
回路化する場合に適用して極めて有効である。
第１図は本発明の温度検出回路の一実施例を示す回路図
、第２図は第１図の回路の温度検出特性を示す特性図、
第３図は従来の温度検出回路を示す回路図である。 Ｑ、−Ｑ、・・・バンドギャップ型電圧源のトランジス
タ、Ｑｓ ＋ Ｑ６・・・電流比較用のカレントミラー
回路用のトランジスタ、Ｑ７・・・スイッチングトラン
ジスタ、Ｑｓ ＋ Ｑ９・・・電流設定用トランジスタ
、Ｑ １ｏ ＋ Ｑ ＋ １・・・差動増幅回路用トラ
ンジスタ、Ｒ１−Ｒ３・・・バンドギャップ型電圧源の
電流設定用抵抗、Ｒ４・・・ヒステリシス幅設定用抵抗
、Ｒ９・・・保護動作温度設定用抵抗、１１・・・バン
ドギャップ型電圧源のバイアス電流源、１２・・・差動
増幅回路のバイアス電流源。
、第２図は第１図の回路の温度検出特性を示す特性図、
第３図は従来の温度検出回路を示す回路図である。 Ｑ、−Ｑ、・・・バンドギャップ型電圧源のトランジス
タ、Ｑｓ ＋ Ｑ６・・・電流比較用のカレントミラー
回路用のトランジスタ、Ｑ７・・・スイッチングトラン
ジスタ、Ｑｓ ＋ Ｑ９・・・電流設定用トランジスタ
、Ｑ １ｏ ＋ Ｑ ＋ １・・・差動増幅回路用トラ
ンジスタ、Ｒ１−Ｒ３・・・バンドギャップ型電圧源の
電流設定用抵抗、Ｒ４・・・ヒステリシス幅設定用抵抗
、Ｒ９・・・保護動作温度設定用抵抗、１１・・・バン
ドギャップ型電圧源のバイアス電流源、１２・・・差動
増幅回路のバイアス電流源。
Claims (2)
- （１）バンドギャップ型電圧源のバンドギャップの電圧
に関係した正の温度係数を持つ電流を供給する第１の電
流源と、 零または負の温度係数を持つ電流を供給する第２の電流
源と、 これらの２つの電流源の電流量を比較して電流量の大小
関係を検出する比較回路 とを具備することを特徴とする温度検出回路。 - （２）前記比較回路は、２つの電流源の電流量が所定の
値になった時を検出して前記第２の電流源の電流量を変
化させることを特徴とする請求項１記載の温度検出回路
。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2134940A JP2598154B2 (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 温度検出回路 |
| KR1019910008153A KR930006304B1 (ko) | 1990-05-24 | 1991-05-20 | 온도검출회로 |
| US07/703,833 US5149199A (en) | 1990-05-24 | 1991-05-21 | Temperature detection circuit used in thermal shielding circuit |
| EP91108353A EP0458332B1 (en) | 1990-05-24 | 1991-05-23 | Temperature detection circuit used in thermal shielding circuit |
| DE69124138T DE69124138T2 (de) | 1990-05-24 | 1991-05-23 | Temperaturdetektionsschaltung zur Benutzung in einer Temperaturprotektionsschaltung |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2134940A JP2598154B2 (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 温度検出回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0430609A true JPH0430609A (ja) | 1992-02-03 |
| JP2598154B2 JP2598154B2 (ja) | 1997-04-09 |
Family
ID=15140115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2134940A Expired - Lifetime JP2598154B2 (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 温度検出回路 |
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| EP (1) | EP0458332B1 (ja) |
| JP (1) | JP2598154B2 (ja) |
| KR (1) | KR930006304B1 (ja) |
| DE (1) | DE69124138T2 (ja) |
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- 1991-05-21 US US07/703,833 patent/US5149199A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-05-23 EP EP91108353A patent/EP0458332B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-05-23 DE DE69124138T patent/DE69124138T2/de not_active Expired - Lifetime
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