JPH0416825A - 光シャッターアレイ - Google Patents
光シャッターアレイInfo
- Publication number
- JPH0416825A JPH0416825A JP2120996A JP12099690A JPH0416825A JP H0416825 A JPH0416825 A JP H0416825A JP 2120996 A JP2120996 A JP 2120996A JP 12099690 A JP12099690 A JP 12099690A JP H0416825 A JPH0416825 A JP H0416825A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- optical shutter
- liquid crystal
- optical
- array
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、マトリクス液晶パネルなどを光ツヤツタ−
として用いた投影表示装置などに用いられる光シャッタ
ーアレイに関する。
として用いた投影表示装置などに用いられる光シャッタ
ーアレイに関する。
この発明は、投影型表示装置などに用いられる光ツヤツ
ターアレイにおいて、入射光の損失が少なく、温度上昇
も小さい、明るい像を形成できる光シャッターアレイを
実現するものである。
ターアレイにおいて、入射光の損失が少なく、温度上昇
も小さい、明るい像を形成できる光シャッターアレイを
実現するものである。
従来の、画素をマトリクス状に配置した液晶セルなどか
らなる光変調の作用をする、光シャッターアレイの例を
第2U!Jfa+、 (blニ示す。第2図(alは従
来の光シャッターアレイを用いた投影型表示装置の光学
系の構成を示す図、第2図fb)は従来の光シャッター
アレイの1画素を示す図である。光ツヤツタ−への入射
光1は平行光で、出射光2は投影レンズ3によってスク
リーン4の上に拡大投影される。このとき、光シャッタ
ーアレイ5はアクティブマトリクス型の液晶セルで通常
構成される。
らなる光変調の作用をする、光シャッターアレイの例を
第2U!Jfa+、 (blニ示す。第2図(alは従
来の光シャッターアレイを用いた投影型表示装置の光学
系の構成を示す図、第2図fb)は従来の光シャッター
アレイの1画素を示す図である。光ツヤツタ−への入射
光1は平行光で、出射光2は投影レンズ3によってスク
リーン4の上に拡大投影される。このとき、光シャッタ
ーアレイ5はアクティブマトリクス型の液晶セルで通常
構成される。
各々の液晶ツヤツタ−は縦、横をそれぞれTVの走査線
数に対応する数の数百価がマトリクス状に並んでいる。
数に対応する数の数百価がマトリクス状に並んでいる。
高い表示品質を得るムコは、各画素に薄膜トランジスタ
6をスイッチング素子として設けたアクティブマトリク
ス型のシャッターアレイを用いるのが一般的である。各
画素はスイッチ素子である薄膜トランジスタ6、画素の
アドレスに用いるゲート電極7.信号を入力する信号電
極8液晶を駆動する透明電極9などからなる。各々のシ
ャッターに設けた画素の数がスクリ一ンに投影されるカ
ラーの画素数になる。この投影表示装置の解像度を上げ
るには、単位画素の大きさを小さくして、シャッター上
の画素数を増やす、またはシャッターの面積を広げて、
シャッター上に形成できる画素の数を増やすなどの方法
がある。前者の方法は、フォトリソグラフィー等の解像
度、あるいは工程で作り込める最小パターンサイズは一
定の値以下(例えば5ミクロンが最小線幅になるよう設
計した場合、単位画素の大きさはおよそ数十μが最小の
画素サイズ)にすることは困難であり、−船釣には画素
の光変調を行う部分9の面精(開口率)が第4図に示す
ごとく小さくなる。後者の方法は画素の数に比例して、
ノヤノターサ1ズが大きくなるのでシャッター及び光学
部品のコストが上がる。光変調を行う部分の面積は小さ
くすることで、画素サイズを小さくすることも可能であ
るが、この場合、透過光量が減りスクリ一二・上での画
面の明るさが減少することになる。
6をスイッチング素子として設けたアクティブマトリク
ス型のシャッターアレイを用いるのが一般的である。各
画素はスイッチ素子である薄膜トランジスタ6、画素の
アドレスに用いるゲート電極7.信号を入力する信号電
極8液晶を駆動する透明電極9などからなる。各々のシ
ャッターに設けた画素の数がスクリ一ンに投影されるカ
ラーの画素数になる。この投影表示装置の解像度を上げ
るには、単位画素の大きさを小さくして、シャッター上
の画素数を増やす、またはシャッターの面積を広げて、
シャッター上に形成できる画素の数を増やすなどの方法
がある。前者の方法は、フォトリソグラフィー等の解像
度、あるいは工程で作り込める最小パターンサイズは一
定の値以下(例えば5ミクロンが最小線幅になるよう設
計した場合、単位画素の大きさはおよそ数十μが最小の
画素サイズ)にすることは困難であり、−船釣には画素
の光変調を行う部分9の面精(開口率)が第4図に示す
ごとく小さくなる。後者の方法は画素の数に比例して、
ノヤノターサ1ズが大きくなるのでシャッター及び光学
部品のコストが上がる。光変調を行う部分の面積は小さ
くすることで、画素サイズを小さくすることも可能であ
るが、この場合、透過光量が減りスクリ一二・上での画
面の明るさが減少することになる。
そこでこの発明は従来のこのような欠点を解決するため
に成されたもので、高い解像度のンヤソターアレイを、
明るい画面を得ることのできる投影型表示装置を提供す
るものである。
に成されたもので、高い解像度のンヤソターアレイを、
明るい画面を得ることのできる投影型表示装置を提供す
るものである。
上記問題点を解決するために、この発明は各光シヤツタ
ーごとに集光して変調し、その後再度発散光を平行光に
する。
ーごとに集光して変調し、その後再度発散光を平行光に
する。
C作用〕
入射光は集光することで、各シャッターの不遇明部を通
ることなくすべて透明部を透過する。シャッターi3過
後は再度平行光にすることで光シャッターアレイの入射
平行光に対する透過率を100%に近づけることができ
、明るい画面を得ることができる。
ることなくすべて透明部を透過する。シャッターi3過
後は再度平行光にすることで光シャッターアレイの入射
平行光に対する透過率を100%に近づけることができ
、明るい画面を得ることができる。
第1図(al、 ODlに本発明の一実施例を示す。第
]図ialは本発明の光シャッターアレイを用いた、投
影表示装置子光学系の構成を示す図、第2図(bは本発
明の光シヤツターアレイの画素を示す図である。本発明
の光シヤツターアレイを用いた、投影形表示装置は第2
図で説明した投影表示装置と同様、光源からの平行光1
は、 ■ マイクロレンズアレイの14各画素に対応した個々
のマイクロレンズ16によってガラス基板I213で挟
まれた液晶セルlOの、液晶駆動電極9と透明電極11
で駆動される光変調部に集光される。個々のマイクロレ
ンズ16はプラスチックやガラスなどの基板に形成され
た、凸レンズあるいはフレネルレンズで、基板に球面あ
るいは凸面を形成することで実現されている。各マイク
ロレンズの館点距離はマイクロレンズから光シヤツター
までの距離程度に設定する。
]図ialは本発明の光シャッターアレイを用いた、投
影表示装置子光学系の構成を示す図、第2図(bは本発
明の光シヤツターアレイの画素を示す図である。本発明
の光シヤツターアレイを用いた、投影形表示装置は第2
図で説明した投影表示装置と同様、光源からの平行光1
は、 ■ マイクロレンズアレイの14各画素に対応した個々
のマイクロレンズ16によってガラス基板I213で挟
まれた液晶セルlOの、液晶駆動電極9と透明電極11
で駆動される光変調部に集光される。個々のマイクロレ
ンズ16はプラスチックやガラスなどの基板に形成され
た、凸レンズあるいはフレネルレンズで、基板に球面あ
るいは凸面を形成することで実現されている。各マイク
ロレンズの館点距離はマイクロレンズから光シヤツター
までの距離程度に設定する。
■ 集光された光は液晶による光シヤツター5で変調さ
れる。
れる。
■ 変調された光は発散光なので、これを出射側に設け
られた、マイクロレンズアレイ15で各画素ごとに平行
光2にする。この場合のマイクロレンズ17もので説明
したと同様、プラスチックやガラスなどの基板上に形成
された、凸レンズあるいはフレネルレンズである。平行
光になった出射光2は投影レンズ3によってスクリーン
4の上に拡大投影される。
られた、マイクロレンズアレイ15で各画素ごとに平行
光2にする。この場合のマイクロレンズ17もので説明
したと同様、プラスチックやガラスなどの基板上に形成
された、凸レンズあるいはフレネルレンズである。平行
光になった出射光2は投影レンズ3によってスクリーン
4の上に拡大投影される。
光ン十ツタ−アレイ5が9Q度ツイストの電界効果型液
晶などであれば通常入射光は偏光した光で、出射側にも
検光子である偏光板を設ける。偏光板は入射光の通り道
のいずれが1つの場所に、出!J光の還り道のいずれか
1つの場所に設ければよい。
晶などであれば通常入射光は偏光した光で、出射側にも
検光子である偏光板を設ける。偏光板は入射光の通り道
のいずれが1つの場所に、出!J光の還り道のいずれか
1つの場所に設ければよい。
以上の実施例に示すごとく、本発明C=よれば高精細化
して画素ピッチと比べ、光変調部の面積が小さくなって
も、通過率の高い、明るい光ツヤツターアレイを実現で
きる。またツヤツタ−アレイで吸収される光も減少する
ので温度上昇を押さえることができ、信顛性の向上、使
用温度範囲の拡大などの著しい効果を有する。
して画素ピッチと比べ、光変調部の面積が小さくなって
も、通過率の高い、明るい光ツヤツターアレイを実現で
きる。またツヤツタ−アレイで吸収される光も減少する
ので温度上昇を押さえることができ、信顛性の向上、使
用温度範囲の拡大などの著しい効果を有する。
第1図(alは本発明の光シヤツターアレイを用いた投
影型表示装置の光学系の構成を示す図、第1図fb)は
本発明の光シヤツターアレイの画素の断面構造を示す図
、第2図(alは従来の光シヤツターアレイを用いた投
影型表示装置の光学系の構成を示す図、第2図(blは
従来の光シヤツターアレイの画素の断面構造を示す図で
ある。 1・・・入射光 2・・・出射光 3・・・投影レンズ 4・・・スクリーン 5・・・光シヤツターアレイ 6・・・薄膜トランジスタ 7・・・ゲート電極 8・・・信号it極 9・・・液晶駆動電極 lO・・・液晶セル 11・・・透明電極 12、13・・・ガラス基板 15・・・マイクロレンズアレイ 17・・・マイクロレンズ 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助
影型表示装置の光学系の構成を示す図、第1図fb)は
本発明の光シヤツターアレイの画素の断面構造を示す図
、第2図(alは従来の光シヤツターアレイを用いた投
影型表示装置の光学系の構成を示す図、第2図(blは
従来の光シヤツターアレイの画素の断面構造を示す図で
ある。 1・・・入射光 2・・・出射光 3・・・投影レンズ 4・・・スクリーン 5・・・光シヤツターアレイ 6・・・薄膜トランジスタ 7・・・ゲート電極 8・・・信号it極 9・・・液晶駆動電極 lO・・・液晶セル 11・・・透明電極 12、13・・・ガラス基板 15・・・マイクロレンズアレイ 17・・・マイクロレンズ 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助
Claims (1)
- 画素をマトリクス状に配置した液晶セルなどからなる光
変調の作用をする、光シャッターの各画素毎に、光の入
射側に平行光を光変調部に集光するマイクロレンズを、
出射側に発散光を平行光にするマイクロレンズをそれぞ
れに設けたことを特徴とする光シャッターアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2120996A JPH0416825A (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | 光シャッターアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2120996A JPH0416825A (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | 光シャッターアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0416825A true JPH0416825A (ja) | 1992-01-21 |
Family
ID=14800205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2120996A Pending JPH0416825A (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | 光シャッターアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0416825A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003060489A3 (en) * | 2002-01-15 | 2004-04-08 | Applied Materials Inc | Patterned wafer inspection using spatial filtering |
| KR100815752B1 (ko) * | 2000-10-31 | 2008-03-20 | 마이크로소프트 코포레이션 | 마이크로 전기 기계 구조의 광 변조기 및 광 디스플레이시스템 |
| JP2008139199A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Japan Aerospace Exploration Agency | 光学装置及び光学設計方法 |
| JP2008302248A (ja) * | 2008-09-22 | 2008-12-18 | Kita Denshi Corp | 光通過遮断装置、光処理装置及び遊技機 |
| CN113671606A (zh) * | 2021-08-02 | 2021-11-19 | 维沃移动通信有限公司 | 超构透镜、摄像模组和电子设备 |
-
1990
- 1990-05-10 JP JP2120996A patent/JPH0416825A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100815752B1 (ko) * | 2000-10-31 | 2008-03-20 | 마이크로소프트 코포레이션 | 마이크로 전기 기계 구조의 광 변조기 및 광 디스플레이시스템 |
| WO2003060489A3 (en) * | 2002-01-15 | 2004-04-08 | Applied Materials Inc | Patterned wafer inspection using spatial filtering |
| JP2008139199A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Japan Aerospace Exploration Agency | 光学装置及び光学設計方法 |
| JP2008302248A (ja) * | 2008-09-22 | 2008-12-18 | Kita Denshi Corp | 光通過遮断装置、光処理装置及び遊技機 |
| CN113671606A (zh) * | 2021-08-02 | 2021-11-19 | 维沃移动通信有限公司 | 超构透镜、摄像模组和电子设备 |
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