JPH04167986A - Laser beam machining apparatus - Google Patents
Laser beam machining apparatusInfo
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- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はレーザ加工装置に関し、特に薄膜に対するスク
ライブ加工をレーザ光により行うレーザ加工に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a laser processing apparatus, and more particularly to laser processing in which a thin film is scribed using a laser beam.
従来技術
近年、レーザ光を用いて薄膜試料をスクライブする装置
が実用化されている。BACKGROUND OF THE INVENTION In recent years, devices for scribing thin film samples using laser light have been put into practical use.
たとえば、第5図に示すように、ガラスや金属なとの基
板64の表面上に、酸化スズや酸化インジウムなどの導
電性薄膜(以下薄膜とする)63が蒸着された試料6上
にレーザ光11を集光照射し、試料6またはレーザ光1
1を直線上に走査してスクライブ加工を行うようになっ
ている。For example, as shown in FIG. 5, a laser beam is applied to a sample 6 on which a conductive thin film (hereinafter referred to as thin film) 63 of tin oxide or indium oxide is deposited on the surface of a substrate 64 made of glass or metal. 11, and sample 6 or laser beam 1.
1 is scanned in a straight line to perform the scribing process.
この場合、スクライブライン61aの左右のパターン6
2a、62bを電気的に絶縁することが最終目的であり
、その絶縁抵抗としてはloOMl)以上が必要となる
。In this case, patterns 6 on the left and right of the scribe line 61a
The final purpose is to electrically insulate 2a and 62b, and the insulation resistance must be greater than loOMl).
もしもレーザ光11によるレーザ加工が不十分で、スク
ライブライン61a〜61dの途中に少しても薄膜63
が残っていると、そのパターン62a〜62dの絶縁抵
抗が悪くなり、スクライブ不良となる。If the laser processing by the laser beam 11 is insufficient, the thin film 63 may be left in the middle of the scribe lines 61a to 61d.
If these remain, the insulation resistance of the patterns 62a to 62d deteriorates, resulting in scribing failure.
ここで、上記のレーザ加工を行うレーザ加工装置として
は、第6図に示すように、レーザ発振器1と、レーザ発
振器1に電源を供給するレーザ電源2と、レーザ発振器
1からのレーザ光を伝送する光ファイバ3と、そのレー
ザ光を集光するための加工ヘット4と、加工ヘット4を
X軸方向およびY軸方向に走査するだめのステージ5と
、試料6を載置するための載物台7と、レーザ電源2お
よびステージ5を制御する制御系10とから構成されて
いる。Here, as shown in FIG. 6, the laser processing device that performs the above laser processing includes a laser oscillator 1, a laser power source 2 that supplies power to the laser oscillator 1, and a laser beam that transmits the laser beam from the laser oscillator 1. an optical fiber 3 to be processed, a processing head 4 for condensing the laser beam, a stage 5 for scanning the processing head 4 in the X-axis direction and the Y-axis direction, and a stage 5 for placing the sample 6. It consists of a table 7 and a control system 10 that controls the laser power source 2 and the stage 5.
通常、レーザ発振器1としてはQスイッチYAGレーザ
が用いられ、このQスイッチYAGレーザのレーザパワ
ーおよび繰返し周波数は試料6の材質や膜厚、および走
査速度によって決定される。Usually, a Q-switched YAG laser is used as the laser oscillator 1, and the laser power and repetition frequency of this Q-switched YAG laser are determined by the material and film thickness of the sample 6, and the scanning speed.
たとえば、100OA程度のITO膜の場合、繰返し周
波数20Kt+z、走査速度100mに/Sのときにレ
ーザパワーは数Wとなる。For example, in the case of an ITO film of about 100 OA, the laser power is several W when the repetition frequency is 20 Kt+z and the scanning speed is 100 m/S.
第7図(a)に示すように、加工ヘット4がビームエキ
スパンダ41と、集光レンズ42とからなる場合、試料
6の表面上でのレーザ光11の形状は円形となるので、
このときのスクライブパターンは、第8図(a)に示す
ように、円弧か連続した形状となる。As shown in FIG. 7(a), when the processing head 4 consists of a beam expander 41 and a condensing lens 42, the shape of the laser beam 11 on the surface of the sample 6 is circular.
The scribe pattern at this time has a circular arc or continuous shape, as shown in FIG. 8(a).
二のスクライブパターンのスクライブ幅gはレーザ光1
1のスポット径とほぼ等しくなり、集光レンズ42の焦
点距離をf、集光レンズ42に入射するレーザ光11の
直径をD、レーザ波長をλとすると、N−4λf/(π
D)で得られる。The scribe width g of the second scribe pattern is 1 laser beam
If the focal length of the condensing lens 42 is f, the diameter of the laser beam 11 incident on the condensing lens 42 is D, and the laser wavelength is λ, then N-4λf/(π
D).
また、第7図(b)に示すように、加工ヘット4に結像
光学系が用いられることもある。Furthermore, as shown in FIG. 7(b), an imaging optical system may be used in the processing head 4.
すなわち、集光レンズ42の前にアパーチャ43を、1
/f−1/St +1./S2なる関係式か成立するよ
うに配置した場合、アパーチャ43の像か32 /S1
倍に縮小して試料6上に結像されるので、アパーチャ4
3を変えることにより任意形状の加工形状が得られると
いう利点がある。That is, the aperture 43 is placed in front of the condenser lens 42.
/f-1/St +1. If the arrangement is such that the relational expression /S2 holds true, the image of the aperture 43 is 32 /S1
Since the image is reduced twice and formed on the sample 6, the aperture 4
By changing 3, there is an advantage that an arbitrary processed shape can be obtained.
アパーチャ43を矩形開口とした場合、第8図(b)に
示すように、スクライブパターンは矩形か連続した形状
となるので、スクライブパターンのエラン部か直線上に
なるという利点かある。When the aperture 43 is a rectangular opening, the scribe pattern has a rectangular or continuous shape as shown in FIG. 8(b), so there is an advantage that the erroneous part of the scribe pattern is on a straight line.
ここで、各レーザスポットの間隔dはレーザの繰返し周
波数νと、走査速度■とによって決定され、c3−v/
しなる関係かある。Here, the interval d between each laser spot is determined by the laser repetition frequency ν and the scanning speed ■, and c3−v/
There is a kind of relationship.
たとえば、繰返し周波数シー20Kllz 、走査速度
v −100mm/ sのときにはd−’B+mとなる
。For example, when the repetition frequency is 20 Kllz and the scanning speed is -100 mm/s, d-'B+m is obtained.
よって、スポット径か20I1m程度のときには各レー
ザパルスが3./4程度重なった加工形状となる。Therefore, when the spot diameter is about 20I1m, each laser pulse is 3. The processed shape overlaps by about /4.
制御系10は上記のレーザパワーや繰返し周波数、およ
びステージ5の制御を行う。The control system 10 controls the laser power, repetition frequency, and stage 5 described above.
このような従来のレーザ光11による;W膜63の加工
方法ては、レーザ発振器〕や加圧ヘット4、およびステ
ージ5なとが初期調整時と同じ状懸を保ち続ければ、レ
ーザ加工の品質すなわちパターン62a〜62dの絶縁
抵抗は維持される。In the conventional method of processing the W film 63 using the laser beam 11, as long as the laser oscillator, pressure head 4, stage 5, etc. remain in the same state as at the time of initial adjustment, the quality of the laser processing can be improved. That is, the insulation resistance of the patterns 62a to 62d is maintained.
しかしながら、レーザ発振器1や加工へノド4、特にレ
ーザ光振器1は経時的に劣化するのか普通であり、この
劣化とともにレーザパワーか低下してくるので、スクラ
イブ幅gやスクライブライン61、 a〜61dの深さ
か不足し、パターン62a〜62dの絶縁抵抗が所望値
より低くなる二とになる。However, it is normal for the laser oscillator 1, the processing nozzle 4, and especially the laser beam oscillator 1 to deteriorate over time, and as this deterioration occurs, the laser power decreases, so the scribe width g and scribe line 61, a~ The depth of 61d is insufficient, and the insulation resistance of the patterns 62a to 62d becomes lower than the desired value.
通常、パターン62a〜62dの絶縁抵抗の測定は試料
6全体のスクライブ加工か終了した後に、別の測定器で
検査するのが普通である。Normally, the insulation resistance of the patterns 62a to 62d is measured using a separate measuring device after the entire sample 6 has been scribed.
そして、試料6に不良品が生した場合、その不良箇所を
同条件あるいはレーザパワーを少し上げてから再度スク
ライブし直し、再度検査し直す必要があり、作業が非常
に煩雑になる。If a defective product occurs in the sample 6, it is necessary to re-scribe the defective part under the same conditions or increase the laser power a little, and then re-inspect it, which makes the work extremely complicated.
また、再度スクライブ加工する場合、XYステージがよ
ほと高精度てないかぎり、前回と同しライン上をスクラ
イブすることは困難であり、普通の場合はスクライブす
る位置がずれるためにスクライブ幅gが広くなり、パタ
ーン幅やスクライブ幅に対する仕様値を満足しなくなる
おそれがある。In addition, when scribing again, it is difficult to scribe on the same line as the previous time unless the XY stage is very precise, and in normal cases, the scribing position will be shifted and the scribing width g will be There is a risk that the pattern width and scribe width may become wider and the specification values for pattern width and scribe width may not be satisfied.
よって、別の測定器で検査するまで加工品質が保証され
ず、スクライブ加工をやり直した場合でも必ずしもうま
くいくとは限らないという問題がある。Therefore, there is a problem in that the processing quality is not guaranteed until it is inspected with a different measuring device, and even if the scribing process is redone, it does not necessarily go well.
発明の目的
本発明は上記のような従来のものの問題点を除去すべく
なされたもので、スクライブ加工の信頼性を向上させる
ことができ、スクライブ加工された試料の歩留りを向上
させることができるレーザ加工装置の提供を目的とする
。Purpose of the Invention The present invention has been made to eliminate the problems of the conventional methods as described above, and provides a laser that can improve the reliability of scribing processing and improve the yield of scribed samples. The purpose is to provide processing equipment.
発明の構成
本発明によるレーザ加工装置は、レーザ光により試料上
の薄膜に対してスクライブ加工を行うレーザ加工装置で
あって、前記スクライブ加工に同期して前記スクライブ
加工により分割された前記薄膜の絶縁抵抗を測定する測
定手段と、前記測定手段の測定結果が予め設定した所定
値以下のとき、同一加工箇所のスクライブ加工を行うよ
う制御するとともに、次スクライブ加工に用いる前記レ
ーザ光のレーザパワーを所定量上げるよう制御する制御
手段とを設けたことを特徴とする。Composition of the Invention A laser processing apparatus according to the present invention is a laser processing apparatus that performs scribing processing on a thin film on a sample using a laser beam, and insulating the thin film divided by the scribing processing in synchronization with the scribing processing. A measuring means for measuring the resistance, and when the measurement result of the measuring means is less than a predetermined value set in advance, control is performed to perform scribing processing on the same processing location, and the laser power of the laser beam used for the next scribing processing is controlled to a predetermined value. The present invention is characterized in that it is provided with a control means for controlling to increase the amount by a fixed amount.
実施例 次に、本発明について図面を参照して説明する。Example Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第1図は本発明の一実施例を示す構成図である。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention.
図において、本発明の一実施例によるレーザ加工装置は
、レーザ発振器1と、レーザ発振器1に電源を供給する
レーザ電源2と、レーザ発振器1がらのレーザ光を伝送
する光ファイバ3と、そのレーザ光を集光するための加
Tt\ット4と、加工ヘッド4をX軸方向およびY軸方
向に走査するためのステージ5と、試料6を載置するだ
めの載物台7と、試料6の絶縁抵抗を測定するためのプ
ローブ8a、8bと、抵抗測定器9と、抵抗測定器9の
測定結果にしたがってレーザ電源2およびステージ5を
制御する制御系10とから構成されている。In the figure, a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a laser oscillator 1, a laser power supply 2 that supplies power to the laser oscillator 1, an optical fiber 3 that transmits laser light from the laser oscillator 1, and a laser A heating device 4 for condensing light, a stage 5 for scanning the processing head 4 in the X-axis direction and the Y-axis direction, a stage 7 on which the sample 6 is placed, and a sample 6, a resistance measuring device 9, and a control system 10 controlling the laser power source 2 and stage 5 according to the measurement results of the resistance measuring device 9.
レーザ発振器1としてはQスイッチYAGレーザか用い
られており、波長106μmのレーザ光1〕を発生する
。A Q-switched YAG laser is used as the laser oscillator 1, which generates a laser beam 1 with a wavelength of 106 μm.
また、レーザ発振器1はレーサ出ツノが数W〜数±Wク
ラスのもので、そのレーサ出力は試料6に応じて選択さ
れる。Further, the laser oscillator 1 has a laser output horn of several W to several ±W class, and the laser output is selected according to the sample 6.
さらに、レーザ発振器1のQスイッチ周波数はレーザ光
11のレーザパワーやステージ5の走査速度に応して決
定される。Furthermore, the Q-switch frequency of the laser oscillator 1 is determined according to the laser power of the laser beam 11 and the scanning speed of the stage 5.
一方、試料6によっては第2高調波発生素子を用い、波
長053μmのレーザ発振器を用いる場合もあり、それ
以外の固体レーザや気体レーザを用いる場合もある。On the other hand, depending on the sample 6, a second harmonic generation element and a laser oscillator with a wavelength of 053 μm may be used, and other solid lasers or gas lasers may be used.
レーザ電源2は上記のレーザ発振器1に必要な電力や信
号を供給する。尚、レーザパワーや繰返し周波数、およ
び発振の開始や停止などのレーザ発振器1への制御信号
は制御系10から供給される。A laser power source 2 supplies the laser oscillator 1 with necessary power and signals. Note that control signals to the laser oscillator 1 such as laser power, repetition frequency, and start and stop of oscillation are supplied from a control system 10.
光ファイバ3はレーザ発振器1から出射されたレーザ光
11を加工ヘッド4に導くだめのもので、この光ファイ
バ3を用いるのは加工ヘッド4がステージ5によって移
動走査されるためである。The optical fiber 3 is used to guide the laser beam 11 emitted from the laser oscillator 1 to the processing head 4. This optical fiber 3 is used because the processing head 4 is moved and scanned by the stage 5.
したがって、加工ヘッド4を移動走査せずに、試料6を
移動走査するようにした場合には光ファイバ3を用いる
ことなく、普通のミラー光学系を用いてもよい。Therefore, when the sample 6 is moved and scanned without moving the processing head 4 for scanning, an ordinary mirror optical system may be used without using the optical fiber 3.
加工ヘッド4は光ファイバ3から入射されたレーザ光1
1を所望の形状に整形し、そのレーザ光11を試料6上
に集光照射するためのもので、従来と同様に、ビームエ
キスパンダや集光レンズ、場合によってはアパーチャな
どで構成されている。A processing head 4 receives a laser beam 1 incident from an optical fiber 3.
1 into a desired shape and then focuses the laser beam 11 onto the sample 6. As in the past, it consists of a beam expander, a focusing lens, and in some cases an aperture. .
載物台7は試料6を載置して固定するためのもので、種
々の形状の試料6に適用できるようになっているのか通
例である。The stage 7 is for placing and fixing the sample 6, and is usually adapted to be applied to samples 6 of various shapes.
プローブ8a、8bは2本1組で構成されており、各プ
ローブ8a、8bの間隔は試料6のスクライブラインの
間隔に応して適時設定することができる。The probes 8a, 8b are composed of a set of two, and the interval between the probes 8a, 8b can be set as appropriate depending on the interval between the scribe lines of the sample 6.
抵抗測定器9は2本のプローブ8a、8b間の抵抗値を
計M1するためのもので、その測定結果を電気信号に変
換して制御系10に出力する機能を有する。尚、その電
気信号としてはアナログ電圧、あるいはA/D (アナ
ログ/デインタル)変換されたディジタル信号のどちら
でもよい。The resistance measuring device 9 is for measuring the resistance value M1 between the two probes 8a and 8b, and has a function of converting the measurement result into an electrical signal and outputting it to the control system 10. Note that the electric signal may be either an analog voltage or an A/D (analog/digital) converted digital signal.
制御系10は抵抗M1定器9から電気信号を随時読込み
、抵抗測定器9からの電気信号が所望値(通常は100
MΩ程度)以上になっているかどうかを判定する。The control system 10 reads the electrical signal from the resistance M1 regulator 9 at any time, and the electrical signal from the resistance measuring instrument 9 is set to a desired value (usually 100
(approximately MΩ) or higher.
第2図は第1図の載物台7の斜視図である。図において
、載物台7に載置された試料6はレーザ光11によりス
クライブ加工され、スクライブライン61 a −61
dとパターン62 a −62dとが形成される。FIG. 2 is a perspective view of the stage 7 shown in FIG. 1. In the figure, a sample 6 placed on a stage 7 is scribed with a laser beam 11, and a scribe line 61 a - 61 is formed.
d and patterns 62a to 62d are formed.
プローブ8a、8bは載物台7に固定された駆動機構1
2により、試料6のスクライブライン6】a〜61dの
間隔に応して設定された間隔を保ったまま移動される。The probes 8a and 8b are driven by a drive mechanism 1 fixed to the stage 7.
2, the specimen 6 is moved while maintaining a set interval corresponding to the interval between the scribe lines 6]a to 61d.
この駆動機構12は制御系1oがらの指令によりプロー
ブ8a、8bの位置を任意に移動させるとともに、制御
系1oがらの指令により抵抗測定時にはプローブ8a、
8bを試料6の表面に接触させ、移動時にはプローブ8
a、8bを試料6の表面から離すように、プローグ8a
、8bにアップダウンの動作も行わせる。This drive mechanism 12 moves the probes 8a and 8b arbitrarily according to commands from the control system 1o, and when measuring resistance, the probes 8a and 8b are moved according to commands from the control system 1o.
8b in contact with the surface of the sample 6, and when moving the probe 8b.
a, 8b away from the surface of the sample 6.
, 8b also perform up-down operations.
第3図は本発明の一実施例の動作を示すフローチャート
である。これら第1図〜第3図を用いて本発明の一実施
例の動作について説明する。FIG. 3 is a flowchart showing the operation of one embodiment of the present invention. The operation of one embodiment of the present invention will be explained using these FIGS. 1 to 3.
まず、1番目のスクライブ位置に加工ヘッド4およびプ
ローブ8a、8bを移動させ(第3図ステップ21)、
プローブ8a、8bを試料6の表面に接触させる。First, move the processing head 4 and probes 8a, 8b to the first scribing position (step 21 in FIG. 3),
The probes 8a and 8b are brought into contact with the surface of the sample 6.
レーザ発振器1からレーザ光11が出射されると同時に
、ステージ5により加工ヘッド4を移動走査させてスク
ライブ加工を実行する(第3図ステップ22)。At the same time that the laser beam 11 is emitted from the laser oscillator 1, the processing head 4 is moved and scanned by the stage 5 to perform scribing processing (step 22 in FIG. 3).
ステージ5による加工ヘット4の移動か完了すると、レ
ーザ発振器1のレーザ発振を停止させ、そのスライプ加
工によって形成されたパターン62a〜62d間の絶縁
抵抗を抵抗測定器9により測定する(第3図ステップ2
3)。When the movement of the machining head 4 by the stage 5 is completed, the laser oscillation of the laser oscillator 1 is stopped, and the insulation resistance between the patterns 62a to 62d formed by the strip machining is measured by the resistance measuring device 9 (step in FIG. 3). 2
3).
制御系10ては抵抗測定器9からの電気信号により、パ
ターン62a〜62d間の絶縁抵抗か所望値以上になっ
ているかどうかを判定する(第3図ステップ24)。The control system 10 determines whether the insulation resistance between the patterns 62a to 62d exceeds a desired value based on the electrical signal from the resistance measuring device 9 (step 24 in FIG. 3).
制御系10はパターン62a〜62d間の絶縁抵抗が所
望値以上になっていると判定すると、そのスクライブ加
工か再加工かどうかを判断しく第3図ステップ25)、
そのスクライブ加工が再加工でないと判断すると、次の
1+1番目のスクライブ加工に移行する(第3図ステッ
プ26)。When the control system 10 determines that the insulation resistance between the patterns 62a to 62d is greater than or equal to the desired value, it determines whether the scribing process or reprocessing is to be performed (step 25 in FIG. 3).
If it is determined that the scribing process is not reworking, the process moves to the next 1+1th scribing process (step 26 in FIG. 3).
制御系10はパターン62a〜62d間の絶縁上になっ
ていないと判定すると、再度1番目のスクライブ加7L
を実行し、抵抗測定器9からの電気信号によりパターン
62a〜626間の絶縁抵抗抵抗が所望値以か所望値以
上になっているかどうかを判定する(第3図ステップ2
2〜24)。When the control system 10 determines that there is no insulation between the patterns 62a to 62d, it starts the first scribing operation 7L again.
is executed, and it is determined based on the electric signal from the resistance measuring device 9 whether the insulation resistance between the patterns 62a to 626 is equal to or greater than the desired value (step 2 in FIG. 3).
2-24).
このとき、制御系10はパターン62a〜62d間の絶
縁抵抗か所望値以上になっていると判定するとともに、
そのスクラ・イブ加工か再加工であると判断すると(第
3図ステップ24.25)、次の1+1番目のスクライ
ブ加工に移行するときに(第3図ステップ27)、レー
ザパワーを所定値(たとえば10?6程度)t;け上げ
る(第3図ステップ28)。At this time, the control system 10 determines that the insulation resistance between the patterns 62a to 62d is equal to or higher than a desired value, and
If it is determined that the scribe process or reprocessing is required (step 24.25 in Figure 3), the laser power is set to a predetermined value (for example, when moving to the next 1+1 scribe process (step 27 in Figure 3) (about 10-6) t; Raise (step 28 in Figure 3).
以下、上述の動作を繰返し行うことにより、試料6のス
クライブ加]−を行う。Thereafter, the above-described operation is repeated to perform scribing on the sample 6.
ただし、同一箇所へのスクライブ加工を予め設定された
一定回数行っても、パターン62a〜62d間の絶縁抵
抗か所望値以上にならなければ、異常発生として装置動
作を停什させ、装置の点検や再調整を行う。However, if the insulation resistance between the patterns 62a to 62d does not exceed the desired value even after scribing to the same location a preset number of times, an abnormality will be detected and the device operation will be stopped and the device should be inspected and Readjust.
尚、再加工時のレーザパワーの増加率や繰返し回数の制
限値は、試料6に応して事前に実験を行うことで最適値
を設定すればよい。Note that the rate of increase in laser power during reprocessing and the limit value for the number of repetitions may be set to optimal values by conducting experiments in advance depending on the sample 6.
本実施例においてはレーザパワーの制御か制御系10か
らレーサ電源2そのものへの指令値を変えることにより
成されているのが特徴であり、たとえばYAGレーザの
場合には励起ランプへの入力端子設定値を変えるように
すればよい。This embodiment is characterized by controlling the laser power or by changing the command value sent from the control system 10 to the laser power supply 2 itself. For example, in the case of a YAG laser, the input terminal setting to the excitation lamp is All you have to do is change the value.
上述したように、加工ヘソト4による試料6へのスクラ
イブ加工と同時に、プローブ8a、8bおよび抵抗測定
器9により試料6の絶縁抵抗値を測定することて、スク
ライブライン61a〜61b毎に加工品質の合否を判定
することができる。As mentioned above, the processing quality can be checked for each scribe line 61a to 61b by measuring the insulation resistance value of the sample 6 using the probes 8a, 8b and the resistance measuring device 9 at the same time as the scribing process is performed on the sample 6 using the processing head 4. Pass/fail judgment can be made.
また、加工品質が不合格の場合でも、加工へノド4によ
る試料6へのスクライブ加工を再度行うことで救済する
ことができるので、装置の信頼性を向上させるとともに
、試料6の歩留りを向上させることができる。In addition, even if the processing quality is rejected, it can be rescued by re-scribing the sample 6 using the processing nozzle 4, which improves the reliability of the equipment and the yield of the sample 6. be able to.
第4図は本発明の他の実施例を示す構成図である。図に
おいて、本発明の他の実施例は加工ヘツド4にアッテネ
ータ13を設置し、このアッテネータ13により加工ヘ
ッド4から試料6へのレーザ光11のレーザパワーを調
整するようにした以外は本発明の一実施例と同様の構成
となっており、同一部品には同一符号を付しである。ま
た、それら同一部品の動作も本発明の一実施例と同様で
ある。FIG. 4 is a block diagram showing another embodiment of the present invention. In the figure, in another embodiment of the present invention, an attenuator 13 is installed in the processing head 4, and the laser power of the laser beam 11 from the processing head 4 to the sample 6 is adjusted by this attenuator 13. The structure is similar to that of the first embodiment, and the same parts are given the same reference numerals. Further, the operations of these same parts are also similar to those in the embodiment of the present invention.
制御系10はパターン62a〜62d間の絶縁抵抗が所
望値以上になっていると判定し、そのスクライブ加工が
再加工であると判断すると、レーザ電源2への指令値を
そのままとし、っまりレーザ電源2からレーザ発振器1
への入力電力を一定の最適値にしたまま、アッテネータ
13を制御することにより加工ヘソト4から試料6への
レーザ光11のレーザパワーを所定値だけ上げる。If the control system 10 determines that the insulation resistance between the patterns 62a to 62d is equal to or higher than the desired value, and determines that the scribing process is re-processing, the control system 10 leaves the command value to the laser power source 2 as is, and continues to operate the laser. Power supply 2 to laser oscillator 1
By controlling the attenuator 13, the laser power of the laser beam 11 from the processing plate 4 to the sample 6 is increased by a predetermined value while input power to the sample 6 is kept at a constant optimum value.
これにより、レーザパワーの変動が少なくなり、非常に
安定した状態てレーザ加工を行うことができ、加工品質
および信頼性をいっそう向上させることができる。As a result, fluctuations in laser power are reduced, laser processing can be performed in a very stable state, and processing quality and reliability can be further improved.
このように、加工ヘッド4による試料6へのスクライブ
加工に同期してプローブ8a、8bおよび抵抗II定器
9により試料6の絶縁抵抗値を測定して各スライプライ
ン61a〜61d毎に加工品質を判定し、その測定結果
が規格を満足するまで同一加工箇所のスクライブ加工を
繰返し行うとともに、次スクライブ加工に用いるレーザ
光11のレーザパワーを所定量上げるようにすることに
よって、スクライブ加工の信頼性を向上させることがで
き、スクライブ加工された試料6の歩留りを向上させる
ことかできる。In this way, in synchronization with the scribing process on the sample 6 by the processing head 4, the insulation resistance value of the sample 6 is measured by the probes 8a, 8b and the resistance II regulator 9, and the processing quality is evaluated for each of the slide lines 61a to 61d. The reliability of the scribing process is improved by repeatedly scribing the same processed area until the measurement result satisfies the standard, and by increasing the laser power of the laser beam 11 used for the next scribing process by a predetermined amount. It is possible to improve the yield of the scribed sample 6.
発明の詳細
な説明したように本発明によれば、試料上の薄膜に対す
るスクライブ加工に同期して試料の絶縁抵抗値を測定し
て各スライプライン毎に加工品質を判定し、その測定結
果か規格を満足するまで同一加工箇所のスクライブ加工
を繰返し行うとともに、次スクライブ加工に用いるレー
ザ光のレーザパワーを所定量上げるようにすることによ
って、スクライブ加工の信頼性を向上させることができ
、スクライブ加工された試料の歩留りを向上させること
ができるという効果がある。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION According to the present invention, the insulation resistance value of the sample is measured in synchronization with the scribing process for the thin film on the sample, and the process quality is determined for each slide line, and the measurement results or standards are determined. The reliability of scribing can be improved by repeating the scribing process on the same processing location until the scribing process is satisfied, and by increasing the laser power of the laser beam used for the next scribing process by a predetermined amount. This has the effect of improving the yield of sample.
第1図は本発明の一実施例を示す構成図、第2図は第1
図の載置台の斜視図、第3図は本発明の一実施例の動作
を示すフローチャート、第4図は本発明の他の実施例を
示す構成図、第5図はレーザ光による試料へのスクライ
ブ加工を示す図、第6図は従来例を示す構成図、第7図
(a)は従来例の加工光学系を示す図、第7図(b)は
従来例の加工光学系に結像光学系を用いた場合を示す図
、第8図(11)は第7図(a)の加工光学系によるス
クライブ加工形状を示す図、第8図(b)は第7図(b
)の加工光学系によるスクライブ加り形状を示す図であ
る。
主要部分の符号の説明
1・・・−レーザ発振器
2・・・・レーザ電源
6・・・試料
7・・・・・・載物台
8a、8b・・・・プローブ
9・ 抵抗測定器
10 制御系
]1 レーザ光
12 駆動機構
13 アッテネータ
61a〜61d ・スクライブライン62a−62d
パターン
■願人 日本電気株式会社
代理人 弁理士 抄It Ill 信第1図
第2図
第4図
Zb
第71
(a)
第8
(Q)
図
(b)
図
(b)FIG. 1 is a configuration diagram showing one embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 3 is a flowchart showing the operation of one embodiment of the present invention, FIG. 4 is a configuration diagram showing another embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a perspective view of the mounting table shown in FIG. A diagram showing scribing processing, Fig. 6 is a configuration diagram showing a conventional example, Fig. 7 (a) is a diagram showing a processing optical system of a conventional example, and Fig. 7 (b) is an image formed on a processing optical system of a conventional example. FIG. 8(11) is a diagram showing the scribing shape using the optical system in FIG. 7(a), and FIG. 8(b) is the same as in FIG. 7(b).
) is a diagram showing the scribed shape by the processing optical system. Explanation of symbols of main parts 1...-Laser oscillator 2...Laser power supply 6...Sample 7...Mountain stage 8a, 8b...Probe 9/Resistance measuring device 10 Control System] 1 Laser beam 12 Drive mechanism 13 Attenuators 61a to 61d ・Scribe lines 62a to 62d
Pattern ■ Applicant NEC Corporation Agent Patent Attorney Excerpt It Ill Letter Figure 1 Figure 2 Figure 4 Zb 71 (a) 8 (Q) Figure (b) Figure (b)
Claims (1)
加工を行うレーザ加工装置であって、前記スクライブ加
工に同期して前記スクライブ加工により分割された前記
薄膜の絶縁抵抗を測定する測定手段と、前記測定手段の
測定結果が予め設定した所定値以下のとき、同一加工箇
所のスクライブ加工を行うよう制御するとともに、次ス
クライブ加工に用いる前記レーザ光のレーザパワーを所
定量上げるよう制御する制御手段とを設けたことを特徴
とするレーザ加工装置。(1) A laser processing device that performs a scribing process on a thin film on a sample using a laser beam, and a measuring means that measures the insulation resistance of the thin film divided by the scribing process in synchronization with the scribing process; When the measurement result of the measuring means is less than or equal to a predetermined value, the control means controls to perform a scribing process on the same processing location, and also controls to increase the laser power of the laser beam used for the next scribing process by a predetermined amount. A laser processing device characterized by being provided with.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2296481A JPH04167986A (en) | 1990-11-01 | 1990-11-01 | Laser beam machining apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2296481A JPH04167986A (en) | 1990-11-01 | 1990-11-01 | Laser beam machining apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04167986A true JPH04167986A (en) | 1992-06-16 |
Family
ID=17834117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2296481A Pending JPH04167986A (en) | 1990-11-01 | 1990-11-01 | Laser beam machining apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04167986A (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1990
- 1990-11-01 JP JP2296481A patent/JPH04167986A/en active Pending
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