JPH04164832A - 光学素子成形用型 - Google Patents
光学素子成形用型Info
- Publication number
- JPH04164832A JPH04164832A JP29024090A JP29024090A JPH04164832A JP H04164832 A JPH04164832 A JP H04164832A JP 29024090 A JP29024090 A JP 29024090A JP 29024090 A JP29024090 A JP 29024090A JP H04164832 A JPH04164832 A JP H04164832A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- molding
- optical element
- base material
- chromium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 34
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N chromium carbide Chemical compound [Cr]#C[Cr]C#[Cr] UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910003470 tongbaite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 38
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 claims description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 20
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract description 4
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B11/00—Pressing molten glass or performed glass reheated to equivalent low viscosity without blowing
- C03B11/06—Construction of plunger or mould
- C03B11/08—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses
- C03B11/084—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses material composition or material properties of press dies therefor
- C03B11/086—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses material composition or material properties of press dies therefor of coated dies
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2215/00—Press-moulding glass
- C03B2215/02—Press-mould materials
- C03B2215/08—Coated press-mould dies
- C03B2215/10—Die base materials
- C03B2215/12—Ceramics or cermets, e.g. cemented WC, Al2O3 or TiC
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2215/00—Press-moulding glass
- C03B2215/02—Press-mould materials
- C03B2215/08—Coated press-mould dies
- C03B2215/14—Die top coat materials, e.g. materials for the glass-contacting layers
- C03B2215/20—Oxide ceramics
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、光学素子成形用型に関する。
[従来の技術]
一般に、光学ガラスを加熱プレスにより所望形状に成形
して光学素子を得ることは、例えば特公昭55−116
24号公報により知られている。
して光学素子を得ることは、例えば特公昭55−116
24号公報により知られている。
かかる方法は、例えば非球面形状を有する光学素子を安
価にかつ大量に成形し得るものであり、そのだめには成
形用型の型寿命の長いことが必要となる。この型寿命は
、経験上、成形用型の材料に起因する離型性に関係する
ことが知られており、この離型性が悪いと高温状態下で
加熱プレスされたガラスが成形用型に付着し、該型の再
使用が不能となり、型寿命が短縮化する。
価にかつ大量に成形し得るものであり、そのだめには成
形用型の型寿命の長いことが必要となる。この型寿命は
、経験上、成形用型の材料に起因する離型性に関係する
ことが知られており、この離型性が悪いと高温状態下で
加熱プレスされたガラスが成形用型に付着し、該型の再
使用が不能となり、型寿命が短縮化する。
従来、離型性の良好な成形用型としては、例えば、特開
昭63−123822号公報に開示されるように、クロ
ム(Cr)及び炭素(C)を主成分とした化合物の薄膜
により成形面を成形したものがある。この成形用型は、
十分な硬度を有し、濡れ角が大きくて離型性が良く、高
温での成形加工においても優れた離型性を示す。
昭63−123822号公報に開示されるように、クロ
ム(Cr)及び炭素(C)を主成分とした化合物の薄膜
により成形面を成形したものがある。この成形用型は、
十分な硬度を有し、濡れ角が大きくて離型性が良く、高
温での成形加工においても優れた離型性を示す。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、光学素子の成形を行う場合には、通常、酸化性
雰囲気中で行なうため、従来のようなCr及びCにより
成形面を形成した光学素子成形用型であっても、最表層
は酸化されてCr1esとなる。Cr□0.となっても
十分な離型性を維持することはできるが、使用してい(
うちにCrJx結晶粒が次第に大きくなることによって
、面粗度が大きくなり、また硬度が不足して脆くなる等
、光学素子成形用型に要求される表面特性を長期間維持
することができなかった。また、酸化クロム薄膜は、−
射的に型基材との密着性が低(、成形用型を使用してい
くうちに膜が剥離してしまうことがあった。
雰囲気中で行なうため、従来のようなCr及びCにより
成形面を形成した光学素子成形用型であっても、最表層
は酸化されてCr1esとなる。Cr□0.となっても
十分な離型性を維持することはできるが、使用してい(
うちにCrJx結晶粒が次第に大きくなることによって
、面粗度が大きくなり、また硬度が不足して脆くなる等
、光学素子成形用型に要求される表面特性を長期間維持
することができなかった。また、酸化クロム薄膜は、−
射的に型基材との密着性が低(、成形用型を使用してい
くうちに膜が剥離してしまうことがあった。
本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので
、酸化性雰囲気中で光学素子の成形を行う場合であって
も最表層に形成されるCr1esの結晶粒の成長を抑制
し、長期間成形に使用しても必要な表面特性を維持する
ことができ、膜剥離も生じにくい光学素子成形用型を提
供することを目的とする。
、酸化性雰囲気中で光学素子の成形を行う場合であって
も最表層に形成されるCr1esの結晶粒の成長を抑制
し、長期間成形に使用しても必要な表面特性を維持する
ことができ、膜剥離も生じにくい光学素子成形用型を提
供することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成するために、本発明は、炭化クロム及び
/又は炭窒化クロムを主成分とした化合物により成形面
を形成した光学素子成形用型において、前記成形面に、
イツトリウム(Y)、トリウム(Th) 、ベリリウム
(Be) 、ホウ素(B)。
/又は炭窒化クロムを主成分とした化合物により成形面
を形成した光学素子成形用型において、前記成形面に、
イツトリウム(Y)、トリウム(Th) 、ベリリウム
(Be) 、ホウ素(B)。
セリウム(Ce) 、マンガン(Mn)のうちの少なく
とも一つの元素を001〜20重量%含有させることと
した。
とも一つの元素を001〜20重量%含有させることと
した。
[作 用]
既に述べたように、光学素子の成形は、通常、酸化性雰
囲気中で行われるため、最表層に存在するCr、 Y、
Th、Be、B、Ce、Mnはそれぞれ酸化物となる。
囲気中で行われるため、最表層に存在するCr、 Y、
Th、Be、B、Ce、Mnはそれぞれ酸化物となる。
その際、Y、 Th、 Be、 B、 Ce、 Mnの
酸化物は、Crの酸化物よりも平衡酸素分圧が低いため
に、優先的に生成される。Y、 Th、 Be、 B、
Ce、 Mnの酸化物が優先的に生成されるため、C
rの酸化物の成長は上記酸化物の存在によって阻止され
ることになり、結晶粒はある程度以上には大きくならな
い。したがって、本発明の光学素子成形用型は、長期間
成形に使用しても必要な表面特性を維持することができ
る。
酸化物は、Crの酸化物よりも平衡酸素分圧が低いため
に、優先的に生成される。Y、 Th、 Be、 B、
Ce、 Mnの酸化物が優先的に生成されるため、C
rの酸化物の成長は上記酸化物の存在によって阻止され
ることになり、結晶粒はある程度以上には大きくならな
い。したがって、本発明の光学素子成形用型は、長期間
成形に使用しても必要な表面特性を維持することができ
る。
また、成形面を薄膜により形成する場合には、炭化クロ
ムや炭窒化クロム膜を型基材と強固に結合させる手段と
して、酸素を介するのが最も簡単である。一般に、ガラ
ス光学素子の成形用型の型基材としては、耐熱性、耐食
性等が必要となるため、超硬合金や炭化ケイ素等の極め
て反応性の低い材料が使用されるが、これらの型基材が
最も反応しやすい元素は酸素であり、また上記の膜も酸
素と結合した状態が最も熱力学的に安定な状態であるか
らである。
ムや炭窒化クロム膜を型基材と強固に結合させる手段と
して、酸素を介するのが最も簡単である。一般に、ガラ
ス光学素子の成形用型の型基材としては、耐熱性、耐食
性等が必要となるため、超硬合金や炭化ケイ素等の極め
て反応性の低い材料が使用されるが、これらの型基材が
最も反応しやすい元素は酸素であり、また上記の膜も酸
素と結合した状態が最も熱力学的に安定な状態であるか
らである。
ここに、本発明では、炭化クロム及び/又は炭窒化クロ
ムに、極めて酸化しやすい元素であるY。
ムに、極めて酸化しやすい元素であるY。
Th、Be、B、Ce、Mnを添加しであるため、これ
らの元素が酸素を介して型基材と強固に結びつくことに
なる。したがって、膜剥離が生じにくくなる。
らの元素が酸素を介して型基材と強固に結びつくことに
なる。したがって、膜剥離が生じにくくなる。
なお、本発明において、Y、 Th、 Be、 B、
Ce、 Mnの含有率を0.01〜20重量%としたの
は、これらが0.01重量%未満では、上記の作用効果
が十分に発揮されないからであり、一方、20重量%を
越えると、ガラスとY、 Th、 Be、 B、 Ce
、 Mnの酸化物が接触することにより、(もつが発生
しやすく、また融着を起こしやすい、硬度が小さくなる
等の問題が生じるからである。また、特に、Y、 Th
、 Be、 B、 Ce、 Mnの含有率は、0.5〜
5重量%が最も好ましい。
Ce、 Mnの含有率を0.01〜20重量%としたの
は、これらが0.01重量%未満では、上記の作用効果
が十分に発揮されないからであり、一方、20重量%を
越えると、ガラスとY、 Th、 Be、 B、 Ce
、 Mnの酸化物が接触することにより、(もつが発生
しやすく、また融着を起こしやすい、硬度が小さくなる
等の問題が生じるからである。また、特に、Y、 Th
、 Be、 B、 Ce、 Mnの含有率は、0.5〜
5重量%が最も好ましい。
[実施例]
(第1実施例)
図に示すように、SiCセラミックスからなる基材1を
所望の最終製品に対応した形状に概略近い形状に加工し
た後、CVD法により厚さ0.5mmのSiC被膜2を
形成して型基材3した。そして、この型基材3をダイヤ
モンド砥石を用いた研削加工により所望の最終製品に対
応した形状に加工し、さらに光学的要求の生じる成形基
礎面3aに鏡面研磨を施した。また、その成形基礎面3
aに対し、イオンブレーティングにより厚さ5000人
のCr−C系膜4を形成した。ここに、上記Cr−C系
膜4は、Cr、 CrsCg、 CrxsCs、 Ce
0zの混合相であり、膜中の組成比はCr:49重量%
、C:36重量%、 Ce:4重量%、0:11重量%
となっている。
所望の最終製品に対応した形状に概略近い形状に加工し
た後、CVD法により厚さ0.5mmのSiC被膜2を
形成して型基材3した。そして、この型基材3をダイヤ
モンド砥石を用いた研削加工により所望の最終製品に対
応した形状に加工し、さらに光学的要求の生じる成形基
礎面3aに鏡面研磨を施した。また、その成形基礎面3
aに対し、イオンブレーティングにより厚さ5000人
のCr−C系膜4を形成した。ここに、上記Cr−C系
膜4は、Cr、 CrsCg、 CrxsCs、 Ce
0zの混合相であり、膜中の組成比はCr:49重量%
、C:36重量%、 Ce:4重量%、0:11重量%
となっている。
このようにして得られた本実施例の光学素子成形用型を
用いて、10.000シヨツトのガラス光学素子の成形
を行ったところ、膜剥離もなく、光学素子成形用型に要
求される表面特性を維持していた、これに対し、比較例
として、同じSiC基材の上にB無添加のCr−C系膜
をイオンブレーティングにより形成した往来の光学素子
成形用型を用いて10.000シヨツトのガラス光学素
子の成形を行ったところ、面粗素が大きくなり、光学素
子成形用型として不適当なものとなっていた。また、外
周部に剥離も生じていた。
用いて、10.000シヨツトのガラス光学素子の成形
を行ったところ、膜剥離もなく、光学素子成形用型に要
求される表面特性を維持していた、これに対し、比較例
として、同じSiC基材の上にB無添加のCr−C系膜
をイオンブレーティングにより形成した往来の光学素子
成形用型を用いて10.000シヨツトのガラス光学素
子の成形を行ったところ、面粗素が大きくなり、光学素
子成形用型として不適当なものとなっていた。また、外
周部に剥離も生じていた。
なお、本実施例において、Ceに代えて、Y、Th。
Be、 B、 Mn、を用いても同様の効果が得られた
。
。
(第2実施例)
第1実施例と同様に作成したSiCを型基材とし、その
成形面にCr−C−N系膜をスパッタリングにより形成
した。
成形面にCr−C−N系膜をスパッタリングにより形成
した。
上記Cr−C−N系膜は、Cr5CaとThの固溶体を
ターゲットとし、反応ガスとしてN2及びArガスを用
いてスパッタリングしたものであり、膜中の組成比は、
Cr:41重量%、C:24重量%、N:19重量%、
○:14重量%、 Th:2重量%となっている。
ターゲットとし、反応ガスとしてN2及びArガスを用
いてスパッタリングしたものであり、膜中の組成比は、
Cr:41重量%、C:24重量%、N:19重量%、
○:14重量%、 Th:2重量%となっている。
このようにして得られた本実施例の光学素子成形用型を
用いて、10.000シヨツトのガラス光学素子の成形
を行ったところ、膜剥離もなく、光学素子成形用型に要
求される表面特性を維持していた。
用いて、10.000シヨツトのガラス光学素子の成形
を行ったところ、膜剥離もなく、光学素子成形用型に要
求される表面特性を維持していた。
(第3実施例)
粒径が1〜2 u mのCrxCx、 B N 、Y*
Osの粉末を98:1.5:0.5の重量比で混合した
ものを原料とし、これを熱間静水圧プレス法により焼結
した。次に、その焼結体を型形状に加工した後、さらに
光学的要求の生じる成形面に鏡面研磨を施して光学素子
成形用型とした。
Osの粉末を98:1.5:0.5の重量比で混合した
ものを原料とし、これを熱間静水圧プレス法により焼結
した。次に、その焼結体を型形状に加工した後、さらに
光学的要求の生じる成形面に鏡面研磨を施して光学素子
成形用型とした。
本実施例の場合、Yは焼結時にCr5Cz粉末とBN粉
末とを結びつけるバインダーとしての役目を果たすため
に予め酸化物となっている(ただし非晶質状態)ので、
成形時にはまずBが酸化し、次いでCrが酸化する。
末とを結びつけるバインダーとしての役目を果たすため
に予め酸化物となっている(ただし非晶質状態)ので、
成形時にはまずBが酸化し、次いでCrが酸化する。
本実施例の光学素子成形用型を用いて、10,000シ
ヨツトの光学ガラス素子の成形を行ったところ、面粗度
の劣化や表面の割れ等も無(、光学素子成形用型に要求
される表面特性を維持していた。
ヨツトの光学ガラス素子の成形を行ったところ、面粗度
の劣化や表面の割れ等も無(、光学素子成形用型に要求
される表面特性を維持していた。
本実施例によれば、B2O3がCrzOsよりも優先的
に生成されることにより、後から成長するCr2esの
結晶粒が大きくなって面粗度が劣化したり、正面が脆く
なって割れたりすることを阻止することができるため、
長期間光学素子成形用型として使用することができる。
に生成されることにより、後から成長するCr2esの
結晶粒が大きくなって面粗度が劣化したり、正面が脆く
なって割れたりすることを阻止することができるため、
長期間光学素子成形用型として使用することができる。
また、型基材にコーティング処理をする必要がないため
、コストの点からも有利であり、コーティングが剥離し
て劣化するおそれも無(、長寿命化が可能となる。
、コストの点からも有利であり、コーティングが剥離し
て劣化するおそれも無(、長寿命化が可能となる。
[発明の効果]
以上のように、本発明の光学素子成形用型によれば、Y
、 Th、 Be、 B、 Ce、 Mnの酸化物が生
成された後にCr1esが生成されるため、Cr1es
の結晶粒の成長は上記酸化物の存在によって阻止される
ことになり、長期間成形に使用しても必要な表面特性を
維持することができる。
、 Th、 Be、 B、 Ce、 Mnの酸化物が生
成された後にCr1esが生成されるため、Cr1es
の結晶粒の成長は上記酸化物の存在によって阻止される
ことになり、長期間成形に使用しても必要な表面特性を
維持することができる。
図は本発明の光学素子成形用型の一実施例を示す縦断面
図である。 1−・・・・・基材 2・・・・・・SiC被膜 3・・・・・・型基材 4・・・・・・Cr−C系膜 特許出願人 オリンパス光学工業株式会社1・・・・
・・基材 2・・・・・・SiC被膜 3・・・・・・型基材 4 ・・・・・・Cr−C系月莫
図である。 1−・・・・・基材 2・・・・・・SiC被膜 3・・・・・・型基材 4・・・・・・Cr−C系膜 特許出願人 オリンパス光学工業株式会社1・・・・
・・基材 2・・・・・・SiC被膜 3・・・・・・型基材 4 ・・・・・・Cr−C系月莫
Claims (1)
- (1)炭化クロム及び/又は炭窒化クロムを主成分とし
た化合物により成形面を形成した光学素子成形用型にお
いて、前記成形面に、イットリウム、トリウム、ベリリ
ウム、ホウ素、セリウム、マンガンのうちの少なくとも
一つの元素を0.01〜20重量%含有したことを特徴
とする光学素子成形用型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29024090A JPH04164832A (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 光学素子成形用型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29024090A JPH04164832A (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 光学素子成形用型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04164832A true JPH04164832A (ja) | 1992-06-10 |
Family
ID=17753574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29024090A Pending JPH04164832A (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 光学素子成形用型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04164832A (ja) |
-
1990
- 1990-10-26 JP JP29024090A patent/JPH04164832A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5223350A (en) | Mold material for molding of an optical part and process for producing the same | |
| JPH0516031A (ja) | 高靱性高耐久性被覆セラミツク工具の製造方法 | |
| JPH05230645A (ja) | セラミックス回転カソードターゲット及びその製造法 | |
| JPH04164832A (ja) | 光学素子成形用型 | |
| JP3424263B2 (ja) | 被覆硬質合金部材 | |
| JP2820728B2 (ja) | 光学部品成形用複合モールド | |
| JP3129383B2 (ja) | 酸化物被覆炭化珪素材とその製法 | |
| JPH03159927A (ja) | 光学素子成形用型 | |
| JPH05222528A (ja) | セラミックス回転カソードターゲット及びその製造方法 | |
| JPS6287423A (ja) | 光学素子成形用型 | |
| JPS63306805A (ja) | ダイヤモンド被覆切削工具 | |
| JPH03242336A (ja) | 光学素子成形用型 | |
| JP3605774B2 (ja) | ガラスプレス成形用型 | |
| JP4081574B2 (ja) | 耐熱性被覆部材の製造方法 | |
| JP3147511B2 (ja) | 工具用アルミナ焼結体 | |
| JPH05220668A (ja) | 被覆高硬質粉末及びその製造方法 | |
| JP2662285B2 (ja) | 光学素子成形用型 | |
| JPH04338121A (ja) | 光学素子成形用金型 | |
| JPH0226841A (ja) | 光学ガラス成形用モールド材 | |
| JPH0710751B2 (ja) | 表面改質セラミックス焼結体及びその製造方法 | |
| JPH0790321A (ja) | ダイヤモンド被覆用セラミック基基材及び被覆用基材の製造方法 | |
| JP2746440B2 (ja) | 光学素子成形用型 | |
| JPH0251433A (ja) | 光学素子成形用型 | |
| JPH08157224A (ja) | 光学素子成形用型およびその製造方法 | |
| JPH04246145A (ja) | 光学素子成形用型 |