JPH0410426A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0410426A JPH0410426A JP11247190A JP11247190A JPH0410426A JP H0410426 A JPH0410426 A JP H0410426A JP 11247190 A JP11247190 A JP 11247190A JP 11247190 A JP11247190 A JP 11247190A JP H0410426 A JPH0410426 A JP H0410426A
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- based metal
- amorphous silicon
- contact hole
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、半導体装置の製造方法に関する。
さらに詳しくは、多層配線の形成方法に関する。
（ロ）従来の技術
従来の半導体装置は、第３図に示すように半導体基板２
１上にＡｌ系金属膜を形成し、所定パターンにエツチン
グしてＡｌ系金属配線層２２を形成し、この上に絶縁膜
（プラズマＣＶＤ法による５ｉＯｙ又はＳｉＮ膜）２４
を積層し、Ａｌ系金属配線層２２の所定領域上の絶縁膜
をＣＦ、又はＣＨＦ ｓガスを用いる異方性ドライエツ
チングによって開口してコンタクト穴２５を形成し、こ
のコンタクト穴にスパッタ法によるＡＩ系金金属はＣＶ
Ｄ法によるタングステンを埋設して金属層２６を形成し
、この金属層２６上及び絶縁膜２４上に所定パターンの
Ａｌ系金属配線層２８を配設して多層配線を形成して製
造されている。ただし、２６はＡｌフッ化物及びＡ１酸
化物を含む付着物である。
１上にＡｌ系金属膜を形成し、所定パターンにエツチン
グしてＡｌ系金属配線層２２を形成し、この上に絶縁膜
（プラズマＣＶＤ法による５ｉＯｙ又はＳｉＮ膜）２４
を積層し、Ａｌ系金属配線層２２の所定領域上の絶縁膜
をＣＦ、又はＣＨＦ ｓガスを用いる異方性ドライエツ
チングによって開口してコンタクト穴２５を形成し、こ
のコンタクト穴にスパッタ法によるＡＩ系金金属はＣＶ
Ｄ法によるタングステンを埋設して金属層２６を形成し
、この金属層２６上及び絶縁膜２４上に所定パターンの
Ａｌ系金属配線層２８を配設して多層配線を形成して製
造されている。ただし、２６はＡｌフッ化物及びＡ１酸
化物を含む付着物である。
（ハ）発明が解決しようとする課題
上述の従来の半導体装置の製造方法は、Ａｌ系金属膜を
パターン化するためのホトレジストの現像工程で、Ａｌ
系金属膜が現像液によってエツチングされたり下地との
密着性が劣化して剥離したりする事がある。また、ＣＦ
、又はＣＨＦ、ガスを用いる異方性ドライエツチングに
よって行われるコンタクト穴の形成工程において、Ａｌ
系金属配線層２２の表面が露出した瞬間より、Ａ１とド
ライエツチングガス（ｃＦ、やＣＨＦ’ｓ）が反応しＡ
ｌのフッ化物（ＡｌＦ２）や酸化物（ＡＩ、０３）がＡ
ｌ系金属配線層表面及びコンタクト穴側壁に付着し、コ
ンタクト穴底部のＡ１表面上の付着物はコンタクト導通
不良を招き、コンタクト穴側壁部の付着物は、金属層２
６のカバレッジ劣化と断線を招くという問題がある。
パターン化するためのホトレジストの現像工程で、Ａｌ
系金属膜が現像液によってエツチングされたり下地との
密着性が劣化して剥離したりする事がある。また、ＣＦ
、又はＣＨＦ、ガスを用いる異方性ドライエツチングに
よって行われるコンタクト穴の形成工程において、Ａｌ
系金属配線層２２の表面が露出した瞬間より、Ａ１とド
ライエツチングガス（ｃＦ、やＣＨＦ’ｓ）が反応しＡ
ｌのフッ化物（ＡｌＦ２）や酸化物（ＡＩ、０３）がＡ
ｌ系金属配線層表面及びコンタクト穴側壁に付着し、コ
ンタクト穴底部のＡ１表面上の付着物はコンタクト導通
不良を招き、コンタクト穴側壁部の付着物は、金属層２
６のカバレッジ劣化と断線を招くという問題がある。
この発明は、上記問題を解決するためになされたもので
あって、ホトレジストの現像工程でエツチングされず、
下地との密着性が劣化されないＡｌ系金属配線層を形成
しうると共に、コンタクト穴内部に付着物の発生がなく
、コンタクト穴底部において金属層の導通不良かなく、
金属層のカバレッジ劣化と断線がなく信頼性の高い多層
配線を形成しうる半導体装置の製造方法を提供しようと
するものである。
あって、ホトレジストの現像工程でエツチングされず、
下地との密着性が劣化されないＡｌ系金属配線層を形成
しうると共に、コンタクト穴内部に付着物の発生がなく
、コンタクト穴底部において金属層の導通不良かなく、
金属層のカバレッジ劣化と断線がなく信頼性の高い多層
配線を形成しうる半導体装置の製造方法を提供しようと
するものである。
（ニ）課題を解決するための手段
この発明によれば、（ａ）半導体基板上に第１絶縁膜を
介すか介さずしてＡｌ系金属膜を形成する工程、（ｂ）
該Ａｌ系金属膜をエツチングして所定パターンのＡｌ系
金属配線層を形成する工程、（ｃ）このＡｌ系金属配線
層のパターン面上にアモルファスシリコン膜又は高融点
金属膜を被覆形成する工程、（ｄ）このアモルファスシ
リコン膜又は高融点金属膜で被覆されたＡ＋系金金属配
線層形成面上第２絶縁膜を形成し、この第２絶縁膜をエ
ツチングしてアモルファスシリコン膜又は高融点金属膜
面に達するコンタクト穴を形成する工程、（ｅ）上記（
ｃ）工程においてアモルファスソリコン膜を用いる場合
は、コンタクト穴底部のアモルファスシリコン膜を除去
する工程、 （ｆ）このコンタクト穴内に金属を埋設してこの金属上
及び第２絶縁膜上に亘って所定パターンの金属配線層を
積層するか、又はこのコンタクト穴内及び第２絶縁膜上
に亘って所定パターンのＡｌ系金属配線層を積層する工
程、あるいは更に上記（ｃ）〜（ｆ）工程を１又は複数
回くり返す工程により多層配線を形成することを特徴と
する半導体装置の製造方法が提供される。
介すか介さずしてＡｌ系金属膜を形成する工程、（ｂ）
該Ａｌ系金属膜をエツチングして所定パターンのＡｌ系
金属配線層を形成する工程、（ｃ）このＡｌ系金属配線
層のパターン面上にアモルファスシリコン膜又は高融点
金属膜を被覆形成する工程、（ｄ）このアモルファスシ
リコン膜又は高融点金属膜で被覆されたＡ＋系金金属配
線層形成面上第２絶縁膜を形成し、この第２絶縁膜をエ
ツチングしてアモルファスシリコン膜又は高融点金属膜
面に達するコンタクト穴を形成する工程、（ｅ）上記（
ｃ）工程においてアモルファスソリコン膜を用いる場合
は、コンタクト穴底部のアモルファスシリコン膜を除去
する工程、 （ｆ）このコンタクト穴内に金属を埋設してこの金属上
及び第２絶縁膜上に亘って所定パターンの金属配線層を
積層するか、又はこのコンタクト穴内及び第２絶縁膜上
に亘って所定パターンのＡｌ系金属配線層を積層する工
程、あるいは更に上記（ｃ）〜（ｆ）工程を１又は複数
回くり返す工程により多層配線を形成することを特徴と
する半導体装置の製造方法が提供される。
この発明においては、（ａ）半導体基板上に絶縁膜を介
すか介さずしてＡｌ系金属膜を形成し、（ｂ）該Ａｌ系
金属膜をエツチングして所定パターンのＡｌ系金属配線
層を形成する。上記半導体基板は、例えばシリコン、ガ
リウムーヒ素、インジウムリン等の基板を用いることが
できる。この中でも、通常シリコン基板が用いられ、シ
リコン基板が用いられる場合は、通常この基板の上に酸
化シリコン又は窒化シリコン等の絶縁膜を介してＡｌ系
金属膜力（形成される。このＡｌ系金属膜は、Ａｌ系金
属配線層を形成するためものであって、例えばＡ１．Ａ
ｌ−Ｃｕ−３ｉ、Ａｌ−５ｉ等で構成することができ、
例えばスパッタ法等によって形成することができる。こ
の膜厚は、通常０．４〜１．０μｍとすることができる
。
すか介さずしてＡｌ系金属膜を形成し、（ｂ）該Ａｌ系
金属膜をエツチングして所定パターンのＡｌ系金属配線
層を形成する。上記半導体基板は、例えばシリコン、ガ
リウムーヒ素、インジウムリン等の基板を用いることが
できる。この中でも、通常シリコン基板が用いられ、シ
リコン基板が用いられる場合は、通常この基板の上に酸
化シリコン又は窒化シリコン等の絶縁膜を介してＡｌ系
金属膜力（形成される。このＡｌ系金属膜は、Ａｌ系金
属配線層を形成するためものであって、例えばＡ１．Ａ
ｌ−Ｃｕ−３ｉ、Ａｌ−５ｉ等で構成することができ、
例えばスパッタ法等によって形成することができる。こ
の膜厚は、通常０．４〜１．０μｍとすることができる
。
上記Ａｌ系金属配線層は、多層配線の下層を構成するた
めのものであって、通常幅１０〜０．５μｍ２厚さ０．
４〜１，０μｍの断面形状からなり、上記Ａｌ系金属膜
を公知の方法によって所定パターンにエツチングして形
成することができる。
めのものであって、通常幅１０〜０．５μｍ２厚さ０．
４〜１，０μｍの断面形状からなり、上記Ａｌ系金属膜
を公知の方法によって所定パターンにエツチングして形
成することができる。
この発明においては、（ｃ）このＡｌ系金属配線層のパ
ターン面上にアモルファスシリコン膜又は高融点金属膜
を被覆形成する。このアモルファスシリコン膜又は高融
点金属膜は、Ａｌ系金属配線層の少なくとも上面を被覆
するためのものであって、具体的にはアモルファスシリ
コン又はＴｉＷ。
ターン面上にアモルファスシリコン膜又は高融点金属膜
を被覆形成する。このアモルファスシリコン膜又は高融
点金属膜は、Ａｌ系金属配線層の少なくとも上面を被覆
するためのものであって、具体的にはアモルファスシリ
コン又はＴｉＷ。
ＴｉＮ、Ｔｉ、Ｗ等の高融点金属で構成され、通常１０
０〜１０００人の膜厚とすることができる。また、この
アモルファスシリコン膜又は高融点金属膜は、例えばＣ
ＶＤ法、スパッタ法等によって形成することができる。
０〜１０００人の膜厚とすることができる。また、この
アモルファスシリコン膜又は高融点金属膜は、例えばＣ
ＶＤ法、スパッタ法等によって形成することができる。
この発明においては、（ｄ）このアモルファスシリコン
膜又は高融点金属膜で被覆されたＡｌ系金属配線層形成
面上に、第２絶縁膜を形成し、この第２絶縁膜をエツチ
ングしてアモルファスシリコン膜又は高融点金属膜面に
達するコンタクト穴を形成する。
膜又は高融点金属膜で被覆されたＡｌ系金属配線層形成
面上に、第２絶縁膜を形成し、この第２絶縁膜をエツチ
ングしてアモルファスシリコン膜又は高融点金属膜面に
達するコンタクト穴を形成する。
この第２絶縁膜は、Ａｌ系金属配線層のコンタクト穴下
部以外を絶縁するためのものであって、アモルファスシ
リコン膜又は高融点金属膜で被覆されたＡｌ系金属配線
層形成面上に、例えばＣＶＤ法等によって、例えばＳ
ｊＯｔ、５ｉＯＮ等の膜を形成し、この膜をエツチング
してアモルファスシリコン膜又は高融点金属膜面に達す
るコンタクト穴を形成して用いることができる。この膜
厚は、通常０．３〜０．９μｍとするのが好ましい。
部以外を絶縁するためのものであって、アモルファスシ
リコン膜又は高融点金属膜で被覆されたＡｌ系金属配線
層形成面上に、例えばＣＶＤ法等によって、例えばＳ
ｊＯｔ、５ｉＯＮ等の膜を形成し、この膜をエツチング
してアモルファスシリコン膜又は高融点金属膜面に達す
るコンタクト穴を形成して用いることができる。この膜
厚は、通常０．３〜０．９μｍとするのが好ましい。
このコンタクト穴は、アモルファスシリコン膜又は高融
点金属膜で被覆されたＡｌ系金属配線層の所定領域に電
気的に接続するように金属（高融点金属、ＡＩ系金金属
）を埋設するためのものであって、第２絶縁膜の所定領
域をエツチングして、通常直径１．５〜０．５μｍ、深
さ０．３〜０．９μｍの寸法に形成することができる。
点金属膜で被覆されたＡｌ系金属配線層の所定領域に電
気的に接続するように金属（高融点金属、ＡＩ系金金属
）を埋設するためのものであって、第２絶縁膜の所定領
域をエツチングして、通常直径１．５〜０．５μｍ、深
さ０．３〜０．９μｍの寸法に形成することができる。
このエツチングは、通常ＣＦ４又はＣＨＦｆｆガス等の
反応性ガスを用いた異方性エツチングによって行うこと
ができる。
反応性ガスを用いた異方性エツチングによって行うこと
ができる。
この発明においては、（ｅ）上記（ｃ）工程においてア
モルファスシリコン膜を用いる場合は、コンタクト穴底
部のアモルファスシリコン膜を除去する。
モルファスシリコン膜を用いる場合は、コンタクト穴底
部のアモルファスシリコン膜を除去する。
この除去は、通常ＣＰ ４と０．を用いる異方性エツチ
ングによって行うことができる。
ングによって行うことができる。
この発明においては、（ｆ）このコンタクト穴内に金属
を埋設しこの金属上及び第２絶縁膜上に亘って所定パタ
ーンのＡｌ系金属配線層を積層するか、又はこのコンタ
クト穴内及び第２絶縁膜上に亘って所定パターンのＡｌ
系金属配線層を積層する工程、あるいは更に上記（ｃ）
〜（「）工程を！又は複数回くり返す工程により多層配
線を形成する。
を埋設しこの金属上及び第２絶縁膜上に亘って所定パタ
ーンのＡｌ系金属配線層を積層するか、又はこのコンタ
クト穴内及び第２絶縁膜上に亘って所定パターンのＡｌ
系金属配線層を積層する工程、あるいは更に上記（ｃ）
〜（「）工程を！又は複数回くり返す工程により多層配
線を形成する。
上記金属は、コンタクト穴が形成された第２絶縁膜を有
する基板上に、例えばＷ、ＴｉＷ等の高融点金属、ＡＩ
系金金属を、例えばＣＶＤ法、スパッタ法等によって積
層してコンタクト穴に埋設することができる。ただし、
コンタクト穴内以外の第２絶縁膜上に積層された金属は
、通常リアクティブイオンエラチン法等によって除去さ
れる。
する基板上に、例えばＷ、ＴｉＷ等の高融点金属、ＡＩ
系金金属を、例えばＣＶＤ法、スパッタ法等によって積
層してコンタクト穴に埋設することができる。ただし、
コンタクト穴内以外の第２絶縁膜上に積層された金属は
、通常リアクティブイオンエラチン法等によって除去さ
れる。
この金属上及び第２絶縁膜上にＡｌ系金属配線層を積層
して多層配線を形成する。
して多層配線を形成する。
次に、Ａｌ系金属配線層上に被覆形成される高融点金属
膜の他の形成方法について述べる。
膜の他の形成方法について述べる。
この発明においては、（ａ）°半導体基板上に絶縁膜を
介すか介さずしてＡｌ系金属膜とアモルファスシリコン
膜又は高融点金属膜とを順に積層し、（ｂ）°上記アモ
ルファスシリコン膜又は高融点金属膜とＡｌ系金属膜と
を同じパターンにエツチングしてアモルファスシリコン
膜又は高融点金属膜で表面被覆されたＡｌ系金属配線層
の所定パターンを形成する。この後、（ｄ）このアモル
ファスシリコン膜又は高融点金属膜で被覆されたＡｌ系
金属配線層形成面上に第２絶縁膜を形成し、この第２絶
縁膜をエツチングしてアモルファスシリコン膜又は高融
点金属膜面に達するコンタクト穴を形成し、（ｅ）上記
（ａ）゛工程でアモルファスシリコン膜を用いる場合は
、コンタクト穴底部のアモルファスシリコン膜を除去し
、（「）° このコンタクト穴内に金属（高融点金属、
Ａｌ系金属等）を埋設し、更にこの金属上及び第２絶縁
膜上に亘ってＡｌ系金属膜を積層するか、又はこのコン
タクト穴内及び第２絶縁膜上に亘ってＡｌ系金属膜を積
層して所定パターンのＡｌ系金属配線層を形成する工程
、あるいは上記Ａｌ系金属膜上に更にアモルファスシリ
コン膜又は高融点金属膜を積層する工程と、上記（ｂ）
〜（ｆ）°工程とを１又は複数回くり返すことにより多
層配線を形成する。
介すか介さずしてＡｌ系金属膜とアモルファスシリコン
膜又は高融点金属膜とを順に積層し、（ｂ）°上記アモ
ルファスシリコン膜又は高融点金属膜とＡｌ系金属膜と
を同じパターンにエツチングしてアモルファスシリコン
膜又は高融点金属膜で表面被覆されたＡｌ系金属配線層
の所定パターンを形成する。この後、（ｄ）このアモル
ファスシリコン膜又は高融点金属膜で被覆されたＡｌ系
金属配線層形成面上に第２絶縁膜を形成し、この第２絶
縁膜をエツチングしてアモルファスシリコン膜又は高融
点金属膜面に達するコンタクト穴を形成し、（ｅ）上記
（ａ）゛工程でアモルファスシリコン膜を用いる場合は
、コンタクト穴底部のアモルファスシリコン膜を除去し
、（「）° このコンタクト穴内に金属（高融点金属、
Ａｌ系金属等）を埋設し、更にこの金属上及び第２絶縁
膜上に亘ってＡｌ系金属膜を積層するか、又はこのコン
タクト穴内及び第２絶縁膜上に亘ってＡｌ系金属膜を積
層して所定パターンのＡｌ系金属配線層を形成する工程
、あるいは上記Ａｌ系金属膜上に更にアモルファスシリ
コン膜又は高融点金属膜を積層する工程と、上記（ｂ）
〜（ｆ）°工程とを１又は複数回くり返すことにより多
層配線を形成する。
（ホ）作用
アモルファスシリコン膜又は高融点金属膜がＡｌ系金属
配線層のパターン面上を被覆して、ホトレジストの現像
工程でのＡｌ系金属配線層のエツチングや密着性劣化を
防ぐと共にコンタクト穴形成の異方性エツチングの際の
ＡＩとエツチングガスとの反応を防ぐ。
配線層のパターン面上を被覆して、ホトレジストの現像
工程でのＡｌ系金属配線層のエツチングや密着性劣化を
防ぐと共にコンタクト穴形成の異方性エツチングの際の
ＡＩとエツチングガスとの反応を防ぐ。
（へ）実施例
この発明の実施例を図面を用いて説明する。
実施例１
第１図（ａ）に示すように、シリコン基板ｌの上にスパ
ッタ法によってＡｌ系金属膜（ＡＩ−８ｉ（Ｓｔ含有ａ
ｔ％））を形成し所定パターンにエツチングして幅１．
０μｍ１膜厚０．６μｍのＡｌ系金属配線層２を形成す
る。次にＷＦ、とＳｉＨ４とを用い３５０℃で行うＣＶ
Ｄ法によって、この上に膜厚１００〜３００人のタング
ステン膜３を形成する。
ッタ法によってＡｌ系金属膜（ＡＩ−８ｉ（Ｓｔ含有ａ
ｔ％））を形成し所定パターンにエツチングして幅１．
０μｍ１膜厚０．６μｍのＡｌ系金属配線層２を形成す
る。次にＷＦ、とＳｉＨ４とを用い３５０℃で行うＣＶ
Ｄ法によって、この上に膜厚１００〜３００人のタング
ステン膜３を形成する。
次に、この上にプラズマＣＶＤ法によって膜厚０．５μ
ｍの絶縁膜４（酸化シリコン）を形成する。
ｍの絶縁膜４（酸化シリコン）を形成する。
次にＡｌ系金属配線層２の所定領域上部にＣＦ４ガスを
用いる異方性ドライエツチングによってコンタクト穴５
を形成する。次に第１図（ｂ）に示すように再びＷＦ、
とＳｉＨ４とを用いるＣＶＤ法によってこのコンタクト
穴５内に金属（タングステン）層６を形成し、この金属
層上及び絶縁膜４上の所定領域にＡｌ系金属配線層７を
配設し、多層配線を形成して半導体装置を作製する。ま
た、コンタクト穴５内にＣＶＤ法によってタングステン
層６を形成する代わりに、コンタクト穴５内及び絶縁膜
４上にＡｌ系金属膜を積層し、パターン化してＡｌ系金
属配線層を形成して半導体装置を作製することもできる
。
用いる異方性ドライエツチングによってコンタクト穴５
を形成する。次に第１図（ｂ）に示すように再びＷＦ、
とＳｉＨ４とを用いるＣＶＤ法によってこのコンタクト
穴５内に金属（タングステン）層６を形成し、この金属
層上及び絶縁膜４上の所定領域にＡｌ系金属配線層７を
配設し、多層配線を形成して半導体装置を作製する。ま
た、コンタクト穴５内にＣＶＤ法によってタングステン
層６を形成する代わりに、コンタクト穴５内及び絶縁膜
４上にＡｌ系金属膜を積層し、パターン化してＡｌ系金
属配線層を形成して半導体装置を作製することもできる
。
実施例２
実施例１において、Ａｌ系金属配線層２の上にタングス
テン膜３を被覆する代わりに、Ａｌ系金属配線層２の上
にアモルファスシリコン膜を被覆し、コンタクト穴を形
成した後コンタクト穴底部のアモルファスシリコン膜を
ＣＦ、とＯｌを用いた異方性エツチングによって除去し
、この他は実施例１と同様にして半導体装置を製造する
。ただし、アモルファスシリコン膜の形成条件は、Ａｌ
系金属配線層が形成された基板を２００〜４００°Ｃに
加熱した状態で反応ガスとしてのＳ ｉ Ｈ４とＡｒを
１００ｗ程度のプラズマで処理することによりＡｌ系金
属配線層上に約２００人のアモルファスシリコン膜を形
成する。
テン膜３を被覆する代わりに、Ａｌ系金属配線層２の上
にアモルファスシリコン膜を被覆し、コンタクト穴を形
成した後コンタクト穴底部のアモルファスシリコン膜を
ＣＦ、とＯｌを用いた異方性エツチングによって除去し
、この他は実施例１と同様にして半導体装置を製造する
。ただし、アモルファスシリコン膜の形成条件は、Ａｌ
系金属配線層が形成された基板を２００〜４００°Ｃに
加熱した状態で反応ガスとしてのＳ ｉ Ｈ４とＡｒを
１００ｗ程度のプラズマで処理することによりＡｌ系金
属配線層上に約２００人のアモルファスシリコン膜を形
成する。
実施例３
第２図（ａ）に示すように、シリコン基板ｌｌ上にスパ
ッタ法によってＡｌ系金属膜＋２（ＡＩＳ ｉ （Ｓ
ｉ含［１１１％） ）を形成し、次ｉ、：ＷＦ。
ッタ法によってＡｌ系金属膜＋２（ＡＩＳ ｉ （Ｓ
ｉ含［１１１％） ）を形成し、次ｉ、：ＷＦ。
と５ｉＨｈとを用い３５０℃で行うＣＶＤ法によって上
記Ａｌ系金属膜１２上に１００〜３００人のタングステ
ン膜１３を形成する。
記Ａｌ系金属膜１２上に１００〜３００人のタングステ
ン膜１３を形成する。
次に、第２図（ｂ）に示すように、エツチングによって
表面にタングステンｌｌ１１３ｂを有するＡｌ系金属配
線層１２ａを所定パターンに形成する。
表面にタングステンｌｌ１１３ｂを有するＡｌ系金属配
線層１２ａを所定パターンに形成する。
この他は実施例１と同様にして第２図（ｃ）に示すよう
な多層配線を形成し半導体装置を作製する。
な多層配線を形成し半導体装置を作製する。
実施例４
実施ＰＩ２において、ＷＦ、とＳ ｉ ８４とを用い３
５０℃で行うＣＶＤ法によってＡｌ系金属膜１２上にタ
ングステン膜１３を形成する代わりに、Ｗをスパッタ法
によってタングステン膜１３を形成し、この他は実施例
２と同様にして多層配線を形成し半導体装置を作製する
。
５０℃で行うＣＶＤ法によってＡｌ系金属膜１２上にタ
ングステン膜１３を形成する代わりに、Ｗをスパッタ法
によってタングステン膜１３を形成し、この他は実施例
２と同様にして多層配線を形成し半導体装置を作製する
。
（ト）発明の効果
この発明によれば、Ａｌ系金属膜をパターン化するため
のホトレジストの現像工程でＡｌ系金属膜が現像液によ
ってエツチングされたり下地との密着性が劣化して剥離
したりする事がないと共にコンタクト穴内部に付着物の
発生がなく、コンタクト穴底部において金属層の導通不
良がなく、金属層のカバレッジ劣化と断線がなく、信頼
性の高い多層配線を形成しうる半導体装置の製造方法を
提供することができる。
のホトレジストの現像工程でＡｌ系金属膜が現像液によ
ってエツチングされたり下地との密着性が劣化して剥離
したりする事がないと共にコンタクト穴内部に付着物の
発生がなく、コンタクト穴底部において金属層の導通不
良がなく、金属層のカバレッジ劣化と断線がなく、信頼
性の高い多層配線を形成しうる半導体装置の製造方法を
提供することができる。
第１図及び第２図はこの発明の実施例で作製した半導体
装置の製造工程説明図、第３図は従来の半導体装置の製
造工程説明図である。 １１・・・・・・半導体基板、 ・・・・・・Ａｌ系金属膜、 １２ａ・・・・・・Ａｌ系金属配線層、１３゜１３ｂ・
・・・・・タングステン膜、１４・・・・・・絶縁膜、 １５・・・・・・コンタクト穴、 Ｉ６・・・・・・金属層、 １７・・・・・・Ａｌ系金属配線層。 Ｉｊ１！！ｆ（ａ） ＊’ｚｗ（ａ） 箪：２１（ｂ） ｗｌｍ（ｂ）
装置の製造工程説明図、第３図は従来の半導体装置の製
造工程説明図である。 １１・・・・・・半導体基板、 ・・・・・・Ａｌ系金属膜、 １２ａ・・・・・・Ａｌ系金属配線層、１３゜１３ｂ・
・・・・・タングステン膜、１４・・・・・・絶縁膜、 １５・・・・・・コンタクト穴、 Ｉ６・・・・・・金属層、 １７・・・・・・Ａｌ系金属配線層。 Ｉｊ１！！ｆ（ａ） ＊’ｚｗ（ａ） 箪：２１（ｂ） ｗｌｍ（ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（ａ）半導体基板上に第１絶縁膜を介すか介さずし
てＡｌ系金属膜を形成する工程、（ｂ）該Ａｌ系金属膜
をエッチングして所定パターンのＡｌ系金属配線層を形
成する工程、 （ｃ）このＡｌ系金属配線層のパターン面上にアモルフ
ァスシリコン膜又は高融点金属膜を被覆形成する工程、 （ｄ）このアモルファスシリコン膜又は高融点金属膜で
被覆されたＡｌ系金属配線層形成面上に第２絶縁膜を形
成し、この第２絶縁膜をエッチングしてアモルファスシ
リコン膜又は高融点金属膜面に達するコンタクト穴を形
成する工程、 （ｅ）上記（ｃ）工程においてアモルファスシリコン膜
を用いる場合は、コンタクト穴底部のアモルファスシリ
コン膜を除去する工程、 （ｆ）このコンタクト穴内に金属を埋設し、この金属上
及び第２絶縁膜上に亘って所定パターンのＡｌ系金属配
線層を積層するか、又はこのコンタクト穴内及び第２絶
縁膜上に亘って、所定パターンのＡｌ系金属配線層を積
層する工程、あるいは更に上記（ｃ）〜（ｆ）工程を１
又は複数回くり返す工程により多層配線を形成すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 ２、（ａ）′半導体基板上に第１絶縁膜を介すか介さず
してＡｌ系金属膜とアモルファスシリコン膜又は高融点
金属膜とを順に積層する工程、 （ｂ）′アモルファスシリコン膜又は高融点金属膜とＡ
ｌ系金属膜とを同じパターンにエッチングしてアモルフ
ァスシリコン膜又は高融点金属膜で表面被覆されたＡｌ
系金属配線層の所定パターンを形成する工程、 （ｄ）このアモルファスシリコン膜又は高融点金属膜で
被覆されたＡｌ系金属配線層形成面上に第２絶縁膜を形
成し、この第２絶縁膜をエッチングしてアモルファスシ
リコン膜又は高融点金属膜面に達するコンタクト穴を形
成する工程、 （ｅ）上記（ａ）′工程においてアモルファスシリコン
膜を用いる場合は、コンタクト穴底部のアモルファスシ
リコン膜を除去する工程、 （ｆ）′このコンタクト穴内に金属を埋設し、更にこの
金属上及び第２絶縁膜上に亘ってＡｌ系金属膜を積層す
るか、又はこのコンタクト穴内及び第２絶縁膜上に亘っ
てＡｌ系金属膜を積層して所定パターンのＡｌ系金属配
線層を形成する工程、あるいは上記Ａｌ系金属膜上に更
にアモルファスシリコン膜又は高融点金属膜を積層する
工程と上記（ｂ）′〜（ｆ）′工程を１又は複数回くり
返すことにより多層配線を形成することを特徴とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11247190A JPH0410426A (ja) | 1990-04-26 | 1990-04-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11247190A JPH0410426A (ja) | 1990-04-26 | 1990-04-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0410426A true JPH0410426A (ja) | 1992-01-14 |
Family
ID=14587471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11247190A Pending JPH0410426A (ja) | 1990-04-26 | 1990-04-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0410426A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007192960A (ja) * | 2006-01-18 | 2007-08-02 | Hitachi Ltd | 電源回路及びそれを用いた映像表示装置 |
| WO2015129212A1 (ja) * | 2014-02-26 | 2015-09-03 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 電子デバイスおよびその製造方法 |
| JPWO2015194128A1 (ja) * | 2014-06-19 | 2017-04-20 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | アクティブマトリクス型表示パネルの製造方法とアクティブマトリクス型表示パネル |
-
1990
- 1990-04-26 JP JP11247190A patent/JPH0410426A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007192960A (ja) * | 2006-01-18 | 2007-08-02 | Hitachi Ltd | 電源回路及びそれを用いた映像表示装置 |
| WO2015129212A1 (ja) * | 2014-02-26 | 2015-09-03 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 電子デバイスおよびその製造方法 |
| JPWO2015129212A1 (ja) * | 2014-02-26 | 2017-03-30 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 電子デバイスおよびその製造方法 |
| US10680137B2 (en) | 2014-02-26 | 2020-06-09 | Joled Inc. | Electronic device having an intermediate layer disposed between two electrically-conductive layers |
| JPWO2015194128A1 (ja) * | 2014-06-19 | 2017-04-20 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | アクティブマトリクス型表示パネルの製造方法とアクティブマトリクス型表示パネル |
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