JP7732711B2 - 負極および前記負極を含む二次電池 - Google Patents
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Description
本発明の一実施態様による負極は、負極活物質層を含む負極であって、前記負極活物質層は、シリコン含有負極活物質および導電材を含み、前記シリコン含有負極活物質は、コアおよび前記コア上に存在する炭素層を含み、前記コアは、SiOx(0<x<2)および金属原子を含み、前記金属原子は、Mg、Li、Al、およびCaからなる群より選択される少なくとも一つを含み、前記シリコン含有負極活物質のD5/D50が0.5以上であり、前記シリコン含有負極活物質のD5が3μm以上であり、D50が4μm以上11μm以下であり、前記導電材は、単層カーボンナノチューブを含む。
[式A]
2.415≦DGr/DSiO≦6.452
前記式Aにおいて、DSiOは、前記シリコン含有負極活物質の平均粒径(D50)を意味し、DGrは、前記炭素含有負極活物質の平均粒径(D50)を意味する。
本発明の他の実施態様による二次電池は、上述した実施形態の負極を含んでもよい。具体的に、前記二次電池は、負極、正極、前記正極と前記負極との間に介在するセパレータ、および電解質を含んでもよく、前記負極は、上述した負極と同様である。前記負極については上述したため、具体的な説明は省略する。前記二次電池は、リチウムイオン二次電池であってもよい。
以下、本発明の理解を助けるために好ましい実施例を提示するが、下記の実施例は、本記載を例示するものにすぎず、本記載の範囲および技術思想の範囲内で多様な変更および修正が可能であることは当業者に明らかであり、このような変形および修正が添付の特許請求の範囲に属することはいうまでもない。
[実施例1-1]
(1)シリコン含有負極活物質の製造
SiおよびSiO2を1:1のモル比で混合した粉末94gとMg6gを反応炉にて混合した後、1,400℃の昇華温度で真空加熱した。その後、気化したSi、SiO2、Mgの混合気体を800℃の冷却温度を有する真空状態の冷却領域(cooling zone)で反応させ、固相に凝結させた。その後、不活性雰囲気、800℃の温度(追加熱処理温度)で熱処理を行い、予備シリコン含有負極活物質を製造した。その後、前記予備シリコン含有負極活物質をボールミルを用いてsus ball mediaを15個投入した後、3時間粉砕してD50=6μmの大きさに製造した。その後、Arガスを流して不活性雰囲気を維持しつつ、CVD装置のホットゾーン(hot zone)に前記予備シリコン含有負極活物質を位置させ、キャリアガスとしてArを用いて、前記メタンを900℃のホットゾーンに吹き込んで10-1torrで20分間反応させ、表面に炭素層が形成されたシリコン含有負極活物質を製造した。
分散媒として蒸留水を用い、分散剤としてカルボキシメチルセルロース(CMC)を用いた単層カーボンナノチューブ分散液に、前記シリコン含有負極活物質、人造黒鉛、バインダーとしてカルボキシメチルセルロース(CMC)およびスチレンブタジエンゴム(SBR)を投入した後、撹拌後に蒸留水を投入し、負極スラリーを製造した(固形分=50重量部)。前記負極スラリーを厚さ20μmの負極集電体である銅(Cu)金属薄膜に塗布、乾燥した。この際、循環する空気の温度は60℃であった。その次に、圧延(roll press)し、130℃の真空オーブンで12時間乾燥し、負極活物質層が負極集電体上に配置された負極を製造した。
Sus ball mediaを10個投入したことを除いては、実施例1と同様の方法でシリコン含有負極を製造した。
平均長さが25μmであり、平均直径が16nmである単層カーボンナノチューブを用いたことを除いては、実施例1と同様の方法でシリコン含有負極を製造した。
実施例1の方法において、Mgを用いず、SiO粒子94gを合成した後、Li金属粉末(Li metal powder)を6g追加し、不活性雰囲気、800℃の温度で熱処理を行い、予備シリコン含有負極活物質を製造した。その後、前記予備シリコン含有負極活物質をボールミルを用いてsus ball mediaを15個投入した後、3時間粉砕してD50=6μmの大きさに製造した。その後、Arガスを流して不活性雰囲気を維持しつつ、CVD装置のホットゾーン(hot zone)に前記予備シリコン含有負極活物質を位置させ、キャリアガスとしてArを用いて、前記メタンを900℃のホットゾーンに吹き込んで10-1torrで20分間反応させ、表面に炭素層が形成されたシリコン含有負極活物質を製造した。
Sus ball mediaを10個投入したことを除いては、実施例3と同様の方法でシリコン含有負極を製造した。
粉砕時間を8時間に変更したことを除いては、実施例1-1と同様の方法でシリコン含有負極を製造した。
粉砕時間を1時間に変更したことを除いては、実施例1-1と同様の方法でシリコン含有負極を製造した。
粉砕時間を5時間に変更したことを除いては、実施例1-1と同様の方法でシリコン含有負極を製造した。
Sus ball mediaを10個投入し、粉砕時間を5時間に変更したことを除いては、実施例1-1と同様の方法でシリコン含有負極を製造した。
sus ball mediaを30個投入し、粉砕時間を8時間に変更したことを除いては、実施例1-1と同様の方法でシリコン含有負極を製造した。
sus ball mediaを30個投入し、粉砕時間を1時間に変更したことを除いては、実施例1-1と同様の方法でシリコン含有負極を製造した。
Sus ball mediaを30個投入したことを除いては、実施例1-1と同様の方法でシリコン含有負極を製造した。
粉砕時間を8時間に変更したことを除いては、実施例2-1と同様の方法でシリコン含有負極を製造した。
粉砕時間を1時間に変更したことを除いては、実施例2-1と同様の方法でシリコン含有負極を製造した。
粉砕時間を5時間に変更したことを除いては、実施例2-1と同様の方法でシリコン含有負極を製造した。
Sus ball mediaを10個投入し、粉砕時間を5時間に変更したことを除いては、実施例2-1と同様の方法でシリコン含有負極を製造した。
sus ball mediaを30個投入し、粉砕時間を8時間に変更したことを除いては、実施例2-1と同様の方法でシリコン含有負極を製造した。
sus ball mediaを30個投入し、粉砕時間を1時間に変更したことを除いては、実施例2-1と同様の方法でシリコン含有負極を製造した。
Sus ball mediaを30個投入したことを除いては、実施例2-1と同様の方法でシリコン含有負極を製造した。
単層カーボンナノチューブの代わりにカーボンブラックを用いたことを除いては、実施例1-1と同様の方法でシリコン含有負極を製造した。
単層カーボンナノチューブの代わりに多層カーボンナノチューブ(MWCNT)を用いたことを除いては、実施例1-1と同様の方法でシリコン含有負極を製造した。
実施例および比較例の負極活物質をそれぞれ用いて負極および電池を製造した。
放電条件:CC(定電流)条件1.5V
初期効率(%)=(1回放電後の放電容量/1回充電容量)×100
容量維持率(%)=(300回放電容量/1回放電容量)×100
比較例1-1~比較例1-4の場合、本発明のD5/D50を満たすものの、D5またはD50を満たさないものであって、実施例よりも容量、効率、および寿命が低下することを確認することができた。
Claims (16)
- 負極活物質層を含む負極であって、
シリコン含有負極活物質および導電材を含む負極活物質層を含み、
前記シリコン含有負極活物質は、コアおよび前記コア上に存在する炭素層を含み、
前記コアは、SiOx(0<x<2)および少なくとも1種の金属原子を含み、
前記少なくとも1種の金属原子は、MgおよびLiからなる群より選択される少なくとも一つを含み、
前記シリコン含有負極活物質のD5/D50が0.5以上であり、
前記シリコン含有負極活物質のD5が3μm以上であり、D50が4μm以上11μm以下であり、
前記導電材は、単層カーボンナノチューブを含む、負極。 - 前記シリコン含有負極活物質のD5/D50が0.6以上である、請求項1に記載の負極。
- 前記シリコン含有負極活物質のD5/D50が0.5以上1以下である、請求項1に記載の負極。
- 前記シリコン含有負極活物質のD50が4.2μm以上10μm以下である、請求項1に記載の負極。
- 前記シリコン含有負極活物質のD5が3μm以上5.5μm以下である、請求項1に記載の負極。
- 前記シリコン含有負極活物質のDmaxが35μm以下である、請求項1に記載の負極。
- 前記少なくとも1種の金属原子は、前記シリコン含有負極活物質の総100重量部を基準として0.1重量部以上40重量部以下で含まれる、請求項1に記載の負極。
- 前記炭素層は、前記シリコン含有負極活物質の総100重量部を基準として0.1重量部以上50重量部以下で含まれる、請求項1に記載の負極。
- 前記単層カーボンナノチューブの平均長さは0.1μm~50μmである、請求項1に記載の負極。
- 前記単層カーボンナノチューブの平均直径は1nm~20nmである、請求項1に記載の負極。
- 前記単層カーボンナノチューブの比表面積は200m2/g~2,000m2/gである、請求項1に記載の負極。
- 前記シリコン含有負極活物質と前記単層カーボンナノチューブの重量比は92:8~9 9.99:0.01である、請求項1に記載の負極。
- 前記負極活物質層は、炭素含有負極活物質をさらに含む、請求項1に記載の負極。
- 前記シリコン含有負極活物質および炭素含有負極活物質は、下記式Aを満たす、請求項13に記載の負極:
[式A]
2.415≦DGr/DSiO≦6.452
前記式Aにおいて、DSiOは、前記シリコン含有負極活物質の平均粒径(D50)を意味し、DGrは、前記炭素含有負極活物質の平均粒径(D50)を意味する。 - 前記負極の表面SEM分析時に測定されたシリコン含有負極活物質の平均大きさは4.5μm以上であり、
前記負極の断面SEM分析時に測定されたシリコン含有負極活物質の平均大きさは2μm以上である、請求項1に記載の負極。 - 請求項1に記載の負極を含む、二次電池。
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