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JP7719761B2 - Method for manufacturing a multilayer chip card and multilayer chip card - Google Patents

Method for manufacturing a multilayer chip card and multilayer chip card

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JP7719761B2
JP7719761B2 JP2022178813A JP2022178813A JP7719761B2 JP 7719761 B2 JP7719761 B2 JP 7719761B2 JP 2022178813 A JP2022178813 A JP 2022178813A JP 2022178813 A JP2022178813 A JP 2022178813A JP 7719761 B2 JP7719761 B2 JP 7719761B2
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Description

本発明は、ICカードまたはスマートカードとも呼ばれる多層チップカードを製造する方法および多層チップカード、特にデュアルインタフェースチップカードに関する。デュアルインタフェースチップカードとは、集積回路チップ(ICチップ)と、ICチップとの導電通信用の金属製の接触パッドと、ICチップとの非接触通信用のアンテナとが1つのカード構造内で組み合わされているチップカードである。 The present invention relates to a method for manufacturing a multi-layer chip card, also known as an IC card or smart card, and to a multi-layer chip card, particularly a dual-interface chip card. A dual-interface chip card is a chip card that combines an integrated circuit chip (IC chip), metallic contact pads for conductive communication with the IC chip, and an antenna for contactless communication with the IC chip within a single card structure.

通常、ICチップと接触パッドとはチップモジュールとして設けられている。このチップモジュールでは、ICチップと接触パッドとが、支持基板の互いに反対の側に実装されている。ICチップと接触パッドとの間の接触は、両者が設けられた支持基板を通して成されている。チップモジュールは、カード本体のキャビティ内に実装されており、これによって、チップモジュールの接触パッドが、カード本体の外面と同一平面を成していて、ICチップが、キャビティ内に隠されている。デュアルインタフェースチップカードのアンテナは、通常、カード本体の内側に埋め込まれたアンテナコイルの形態を有している。カード本体のキャビティ内に2つのアンテナ接触領域が露出されており、これによって、チップモジュールがキャビティ内に実装されたときに、両方のアンテナ接触領域が、チップモジュールの下側に設けられた対応する接触領域に接触し、ひいては、チップモジュールのICチップに導電接続される。 Typically, the IC chip and contact pads are mounted as a chip module. In this chip module, the IC chip and contact pads are mounted on opposite sides of a support substrate. Contact between the IC chip and the contact pads is made through the support substrate on which they are mounted. The chip module is mounted within a cavity in the card body, such that the contact pads of the chip module are flush with the outer surface of the card body and the IC chip is concealed within the cavity. The antenna in a dual interface chip card typically takes the form of an antenna coil embedded inside the card body. Two antenna contact areas are exposed within the cavity in the card body, such that when the chip module is mounted within the cavity, both antenna contact areas contact corresponding contact areas on the underside of the chip module, thereby providing a conductive connection to the IC chip in the chip module.

特許文献1には、ICチップと、接触パッドと、アンテナとが、全て同一のフレキシブルなポリエチレンテレフタレート(PET)製の支持基板に設けられており、この支持基板が、カード本体のコア層を形成している、デュアルインタフェーススマートカードが開示されている。表側層は貫通孔を有していて、この貫通孔内に接触パッドが収容されるように、コア層の表側に配置されている。裏側層はキャビティを有していて、このキャビティ内にICチップが収容されるように、コア層の裏側に組み付けられている。ICチップと接触パッドとは、コア層に設けられた導体パターンに電気的に接続されていて、表側から裏側に向かって見たときに重畳していない。 Patent Document 1 discloses a dual interface smart card in which an IC chip, contact pads, and antenna are all mounted on the same flexible support substrate made of polyethylene terephthalate (PET), with this support substrate forming the core layer of the card body. The front layer has through holes and is positioned on the front side of the core layer so that the contact pads are housed in the through holes. The back layer has a cavity and is assembled to the back side of the core layer so that the IC chip is housed in the cavity. The IC chip and contact pads are electrically connected to conductor patterns provided on the core layer and do not overlap when viewed from the front side to the back side.

特許文献1によれば、コア層と裏側層とが、まず、高温サイクルにおいて、少なくとも80℃の温度および2MPaの圧力で約30分間、その後、低温サイクルにおいて、30℃以下の温度および再度2MPで約20分間、スタックとしてラミネートされる。ラミネート中、裏側層が軟化し、コア層にフリップチップとして設けられたICチップが押圧され、軟化した裏側層内に埋め込まれる。次いで、冷却後、ラミネート構造が、同じ条件下で表側層にラミネートされる。この場合、コア層に設けられた接触パッドが、表側層に設けられた貫通孔に突っ込まれ、これによって、最終的なラミネート構造の表側面との連続的な平らな平面が形成される。代替的には、接触パッドとICチップとが、コア層の同一の側に設けられており、この場合には、ICチップを収容するためのキャビティが、表側層の裏側に位置している。 According to Patent Document 1, the core layer and backside layer are first laminated as a stack in a high-temperature cycle at a temperature of at least 80°C and a pressure of 2 MPa for approximately 30 minutes, followed by a low-temperature cycle at a temperature of 30°C or less and again at 2 MPa for approximately 20 minutes. During lamination, the backside layer softens, and an IC chip mounted as a flip chip on the core layer is pressed and embedded into the softened backside layer. After cooling, the laminate structure is then laminated to the frontside layer under the same conditions. In this case, the contact pads on the core layer are inserted into the through-holes in the frontside layer, thereby forming a continuous, flat surface with the front side of the final laminate structure. Alternatively, the contact pads and IC chip can be located on the same side of the core layer, in which case the cavity for accommodating the IC chip is located on the backside of the frontside layer.

欧州特許第3384434B1号明細書European Patent No. 3384434B1

本発明の目的は、上述したコア層構造、つまり、少なくとも接触パッドと、この接触パッドに重畳せずに設けられたICチップとを有していて、更なる層にラミネートされ、これによって、チップカードを形成するコア層を含むコア層構造を備えたチップカードの外面の外観を改善することである。 The object of the present invention is to improve the external appearance of a chip card having the above-mentioned core layer structure, i.e., a core layer structure comprising at least contact pads and an IC chip arranged without overlapping the contact pads, laminated to a further layer, thereby forming the chip card.

この目的は、添付の独立請求項において請求している方法および多層チップカードによって達成される。本発明の好適な実施形態および改良形態の特別な特徴は、従属請求項において詳述している。 This object is achieved by a method and a multi-layer chip card as claimed in the accompanying independent claims. Specific features of preferred embodiments and refinements of the invention are set out in the dependent claims.

本発明の第1の態様は、多層チップカードを製造する方法であって、
- 表側面と裏側面とを有するコア層構造であって、表側面に設けられた接触パッドを備え、ICチップと導体パターンとをさらに備え、ICチップと接触パッドとは、導体パターンに導電接続されていて、表側から裏側に向かって見たときに重畳していない、コア層構造と、
- コア層構造の表側面に配置された表側層構造であって、コア層構造の表側面に設けられた接触パッドの外側輪郭にサイズおよび位置に関して実質的に対応する断面形状を備えた貫通孔を有する表側層構造と、
- コア層構造の裏側面に設けられた裏側層構造と、
- 裏側層構造とコア層構造との間に設けられたラベルであって、表側から裏側に向かって見たときに、ラベルと接触パッドとは、完全にまたは少なくとも大部分で重畳している、ラベルと
が設けられている、方法に関する。
A first aspect of the present invention is a method for manufacturing a multi-layer chip card, comprising the steps of:
a core layer structure having a front side and a back side, with contact pads provided on the front side, and further comprising an IC chip and a conductor pattern, the IC chip and the contact pads being conductively connected to the conductor pattern and not overlapping when viewed from the front side towards the back side;
a surface layer structure arranged on the surface side of the core layer structure, the surface layer structure having through holes with a cross-sectional shape that corresponds substantially in size and position to the outer contours of contact pads provided on the surface side of the core layer structure;
a backside layer structure provided on the backside of the core layer structure;
a label is provided between the back layer structure and the core layer structure, in which, when viewed from the front side towards the back side, the label and the contact pads overlap completely or at least to a large extent.

次いで、積み重ねられた表側層構造、コア層構造および裏側層構造が、コア層構造と裏側層構造との間に位置決めされたラベルを含めて、スタックに熱と圧力とを加えることによってラミネートされる。貫通孔の断面形状は、接触パッドの外側輪郭にサイズおよび位置に関して実質的に対応しているので、接触パッドが、ラミネート中に貫通孔を通過し、好ましくは、ラミネートされたスタックの外面と同一平面を成すようになっている。 The stacked front, core, and back layer structures, including the label positioned between the core and back layer structures, are then laminated by applying heat and pressure to the stack. The cross-sectional shape of the through-holes substantially corresponds in size and position to the outer contours of the contact pads so that the contact pads pass through the through-holes during lamination and are preferably flush with the outer surface of the laminated stack.

本発明の第2の態様は、対応する構造を有する多層チップカードに関する。製造すべきチップカードがデュアルインタフェースチップカードである場合、コア層構造は、さらに、ICチップに導電接続されたアンテナ、例えばアンテナコイルを備えていてよい。好ましくは、ICチップと接触パッドとは、共通の基板、より好ましくは、共通の基板の互いに反対の側に設けられている。特に、ICチップと接触パッドとは、互いに側方の間隔を置いて配置されていてよい。 A second aspect of the invention relates to a multi-layer chip card having a corresponding structure. If the chip card to be manufactured is a dual-interface chip card, the core layer structure may further comprise an antenna, e.g., an antenna coil, conductively connected to the IC chip. Preferably, the IC chip and the contact pads are provided on a common substrate, more preferably on opposite sides of the common substrate. In particular, the IC chip and the contact pads may be arranged at a lateral distance from each other.

裏側層構造とコア層構造との間に設けられたラベルは、ラミネートされたスタックの表側および/または裏側に生じてしまう恐れがある起伏を補償する機能を有している。スタックのラミネート中、ラベルによってコア層構造の裏側に局所的な圧力が発生させられ、コア層構造をその表側に設けられた接触パッドと共に表側層構造の貫通孔内に押し込む。つまり、接触パッドは、ラミネートされたスタックの外面と同一平面を成すように突っ込まれる表側層構造の厚さと比較して相対的に肉薄である。したがって、ラベルの材料が、貫通孔内の材料の不足をある程度補償する。 The label, located between the back layer structure and the core layer structure, serves to compensate for any unevenness that may occur on the front and/or back side of the laminated stack. During stack lamination, the label generates localized pressure on the back side of the core layer structure, forcing the core layer structure, along with the contact pads on its front side, into the through-holes of the front layer structure. That is, the contact pads are relatively thin compared to the thickness of the front layer structure, which is pressed flush with the outer surface of the laminated stack. Thus, the label material compensates to some extent for any lack of material in the through-holes.

好ましくは、ラベルは、コア層構造の表側面に設けられた接触パッドの外側輪郭にサイズおよび位置に関して実質的に対応する外側輪郭を有している。こうして、ラミネート中にラベルにより発生させられた圧力が、接触パッドの領域全体にわたって均等に分配される。 Preferably, the label has an outer contour that substantially corresponds in size and position to the outer contour of the contact pads provided on the front side of the core layer structure. This ensures that pressure generated by the label during lamination is evenly distributed over the entire area of the contact pads.

また、ラベルの厚さは、好ましくは、表側層構造の厚さと同じ厚さに選択されるかまたは表側層構造の厚さよりも肉厚にすら選択される。例えば、ラベルの厚さは、表側層構造の厚さよりも5%~15%肉厚に選択されてよい。上述したように、ラベルの体積は、表側層構造の貫通孔内の材料の不足を補償することになる。過度に少ない補償よりも過剰補償が好適である。なぜならば、余剰の材料が流動し、層構造同士の間に均等に分配されることになるからである。好適な実施形態では、表側層構造の厚さは、0.3mmまたは0.3mmをやや下回るように選択され、ラベルの厚さは、0.3mmまたは0.3mmをやや上回るように選択される。 The thickness of the label is preferably selected to be the same as or even thicker than the thickness of the surface layer structure. For example, the thickness of the label may be selected to be 5% to 15% thicker than the thickness of the surface layer structure. As mentioned above, the volume of the label will compensate for the lack of material in the through-holes of the surface layer structure. Overcompensation is preferable to undercompensation, as the excess material will flow and be evenly distributed between the layer structures. In a preferred embodiment, the thickness of the surface layer structure is selected to be 0.3 mm or slightly less, and the thickness of the label is selected to be 0.3 mm or slightly more than 0.3 mm.

好ましくは、ラベルはその比較的低い粘度のため、グリコール変性ポリエチレンテレフタレート(PETG)から形成される。 Preferably, the labels are formed from glycol-modified polyethylene terephthalate (PETG) due to its relatively low viscosity.

好適な実施形態では、コア層構造は、ICチップが実装された第1の層と、開口を有する第2の層とから形成され、これによって、第1の層に設けられたICチップが、第2の層の開口内に収容される。これによって、ラミネートプロセス中にICチップに加えられる力が減じられる。より詳細には、開口は、好ましくは、サイズに関してICチップよりも大きく、これによって、これら2つの層が多層構造の残りの層と共にラミネートされる際に何らかの力に曝されることなしに、ICチップが開口の内側に収容される。 In a preferred embodiment, the core layer structure is formed from a first layer on which an IC chip is mounted and a second layer having an opening, whereby the IC chip mounted on the first layer is housed within the opening in the second layer. This reduces the force applied to the IC chip during the lamination process. More specifically, the opening is preferably larger in size than the IC chip, whereby the IC chip is housed inside the opening without being exposed to any force when these two layers are laminated together with the remaining layers of the multilayer structure.

1つの実施形態では、コア層構造の第2の層に設けられた開口は、貫通孔の形態を有しており、この貫通孔の領域には、接着剤が提供されてよく、これによって、コア層構造の第2の層が裏側層構造に接触したときに、貫通孔内に収容されたICチップと、裏側層構造との間の結合接続が達成される。 In one embodiment, the openings in the second layer of the core layer structure have the form of through-holes, and adhesive may be provided in the area of the through-holes, so that when the second layer of the core layer structure is brought into contact with the backside layer structure, a bonding connection is achieved between the IC chip housed in the through-hole and the backside layer structure.

表側層構造および裏側層構造のうちの少なくとも一方を少なくとも2つ、好ましくは3つの複数の層から形成することがさらに好適である。例えば、表側層構造および裏側層構造のうちの少なくとも一方の構造の内側層は、接触パッドを支持した前述した第1の層またはICチップを収容した前述した第2の層との接触に対して有利である特性を有することができる。内側層のうちの一方または両方は、コア層構造への結合を改善するために、接着剤を支持していてよい。表側層構造および/または裏側層構造の外側層は、良好な保護特性および/または耐引掻き特性を提供することができる。表側層構造および/または裏側層構造のうちの1つの層、例えば中間層は、良好な印刷品質を有することができ、1つ以上の印刷を有していてよい。例えば、表側層構造および/または裏側層構造の少なくとも1つの層は、白色であってよく、かつ/または表側層構造および/または裏側層構造の少なくとも1つの層は、ラミネートされたスタックの外側から可視である印刷を備えていてよい。 It is further preferred that at least one of the front and back layer structures be formed from a plurality of layers, at least two, preferably three. For example, the inner layer of at least one of the front and back layer structures may have properties that favor contact with the aforementioned first layer supporting the contact pads or the aforementioned second layer housing the IC chip. One or both of the inner layers may support an adhesive to improve bonding to the core layer structure. The outer layer of the front and/or back layer structure may provide good protective and/or scratch-resistant properties. One layer of the front and/or back layer structure, for example, the intermediate layer, may have good print quality and may have one or more prints. For example, at least one layer of the front and/or back layer structure may be white and/or have print visible from outside the laminated stack.

ラミネートされたスタックの外面の外観をさらに改善するために、ラミネートするステップに先だって、スタックの表側面およびスタックの裏側面のうちの一方または両方、好ましくは、少なくともスタックの表側面に隔離フィルムが提供されてよく、ラミネートするステップ後に除去される。この目的のために、隔離フィルムは、ポリエチレンテレフタレート(PET)を含んでいてよいかまたは好ましくはポリエチレンテレフタレート(PET)から形成される。隔離フィルムは、例えば、特に表側層構造に設けられた貫通孔によって生じる恐れがある収容マークからラミネートプレートを保護するために働く。全体として、ラミネートされたスタックの表側面および裏側面の外観ひいては最終的なチップカードの外観が改善される。 To further improve the external appearance of the laminated stack, an isolating film may be provided on one or both of the front and back sides of the stack, preferably at least the front side of the stack, prior to the laminating step, and removed after the laminating step. For this purpose, the isolating film may comprise or is preferably made of polyethylene terephthalate (PET). The isolating film serves to protect the laminating plate from receiving marks that may be caused, for example, by perforations provided in particular in the front layer structure. Overall, the external appearance of the front and back sides of the laminated stack, and thus the external appearance of the final chip card, is improved.

ラミネートプロセスに関して、好ましくは、表側層構造、コア層構造および裏側層構造が積み重ねられ、1回のラミネートプロセスで互いにラミネートされる。より好ましくは、これらの層構造のうちの1つ以上が1つよりも多い層を備えている場合、全ての層構造の全ての層が積み重ねられ、1回のラミネートプロセスで互いにラミネートされる。 With respect to the lamination process, preferably, the front layer structure, the core layer structure, and the back layer structure are stacked and laminated together in a single lamination process. More preferably, if one or more of these layer structures has more than one layer, all layers of all layer structures are stacked and laminated together in a single lamination process.

ラミネートプロセスは、第1の加熱温度での第1の加熱ステップと、第1の加熱温度よりも高い第2の加熱温度での第2の加熱ステップと、その後、冷却ステップとを含んでいる。こうして、気泡発生と、存在する場合にはアンテナの露出とを回避することができる。第1の加熱温度は、120℃~130℃の範囲内、例えば125℃に設定されてよく、第2の加熱温度は、140℃~150℃の範囲内、例えば145℃に設定されてよい。好ましくは、第1の加熱ステップは、第1のラミネータ内で実施され、第2の加熱ステップは、別の第2のラミネータ内で実施される。冷却は、例えば20℃程度の低い温度で実施されてよい。冷却は、第2のラミネータ内で実施されてよい。 The lamination process includes a first heating step at a first heating temperature, a second heating step at a second heating temperature higher than the first heating temperature, and then a cooling step. This avoids the generation of bubbles and, if present, exposure of the antenna. The first heating temperature may be set within a range of 120°C to 130°C, for example, 125°C, and the second heating temperature may be set within a range of 140°C to 150°C, for example, 145°C. Preferably, the first heating step is performed in a first laminator, and the second heating step is performed in a separate, second laminator. Cooling may be performed at a lower temperature, for example, around 20°C. Cooling may be performed in the second laminator.

好適な実施形態によれば、圧力は、第1の加熱ステップ中に増加させられ、第2の加熱ステップ中にさらに増加させられ、好ましくは冷却ステップ中にまださらに増加させられる。例えば、圧力は、第1の加熱ステップ中に3bar(0.3MPa)~15bar(1.5MPa)に連続的または段階的に、例えば3bar(0.3MPa)、10bar(1.0MPa)および15bar(1.5MPa)の3回のサブステップで増加させられてよい。また、圧力は、第2の加熱ステップ中に25bar(2.5MPa)~35bar(3.5MPa)に連続的または段階的に、例えば25bar(2.5MPa)および35bar(3.5MPa)の2回のサブステップで増加させられてよい。そして、圧力は、冷却ステップ中に50bar(5.0MPa)~60bar(6.0MPa)に連続的または段階的に、例えば50bar(5.0MPa)および60bar(6.0MPa)の2回のサブステップでまださらに増加させられてよい。 According to a preferred embodiment, the pressure is increased during the first heating step, further increased during the second heating step, and preferably still further increased during the cooling step. For example, the pressure may be increased continuously or stepwise from 3 bar (0.3 MPa) to 15 bar (1.5 MPa) during the first heating step, e.g., in three substeps of 3 bar (0.3 MPa), 10 bar (1.0 MPa), and 15 bar (1.5 MPa). The pressure may also be increased continuously or stepwise from 25 bar (2.5 MPa) to 35 bar (3.5 MPa) during the second heating step, e.g., in two substeps of 25 bar (2.5 MPa) and 35 bar (3.5 MPa). The pressure may then be further increased during the cooling step from 50 bar (5.0 MPa) to 60 bar (6.0 MPa) continuously or stepwise, for example in two sub-steps of 50 bar (5.0 MPa) and 60 bar (6.0 MPa).

加熱ステップおよび冷却ステップならびにサブステップの適切な期間は、個別の状況に準じて、特に層材料および層厚さに応じて選択されてよい。前述したラミネート温度およびラミネート圧力は、層材料の大部分がPVCから成っており、更なる層がPETから形成されている場合に有効であることが判っているが、別の状況でも有効であることが判り得る。 Suitable durations for the heating and cooling steps and sub-steps may be selected according to the individual circumstances, in particular depending on the layer materials and layer thicknesses. The lamination temperatures and pressures described above have proven effective when the layer materials consist predominantly of PVC with additional layers formed from PET, but may also prove effective in other circumstances.

多層チップカードを形成するために互いにラミネートされる多数の層を示す分解図An exploded view showing multiple layers laminated together to form a multi-layer chip card.

本発明の好適な実施形態を添付の図面を参照しながら詳しく説明する。図1は唯一の図であり、多層チップカード、より詳細には、デュアルインタフェースチップカードを形成するために互いにラミネートされる多数の層1.1~3.3を分解図で示している。 Preferred embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings. Figure 1 is the only view showing an exploded view of a multi-layer chip card, and more specifically, a number of layers 1.1-3.3 that are laminated together to form a dual interface chip card.

1つの実施形態では、表側層構造とも呼ばれる第1の層構造1が設けられている。この第1の層構造1は貫通孔5を有していて、全部で3つの層1.1,1.2,1.3から成っている。表側層構造1は、より多い層またはより少ない層を備えていてよく、少なくとも1つの層を備えている。 In one embodiment, a first layer structure 1, also referred to as the top layer structure, is provided. This first layer structure 1 has through holes 5 and consists of three layers 1.1, 1.2, and 1.3 in total. The top layer structure 1 may have more or fewer layers, but it comprises at least one layer.

コア層構造とも呼ばれる第2の層構造2は、少なくとも層2.1を備えている。この層2.1はその表側面に接触パッド20を支持していて、その裏側面にICチップ10を支持している。さらに、表側面および裏側面には、アンテナ30のアンテナコイルが設けられている。層2.1に設けられていて、ICチップ10をそれぞれ接触パッド20とアンテナ30とに導電接続する導体パターンは図示していない。層2.1はPETから形成されていてよい。ICチップ10は、ワイヤボンディング技術を用いて層2.1に実装かつ接続され、ポリマーマトリックス内に埋め込まれてもよいし、フリップチップ技術を用いてもよい。導体パターン(図示せず)と、アンテナ30と、接触パッド20との、層2.1を覆っているアルミニウムコーティングは、エッチング除去されていてよい。 The second layer structure 2, also referred to as the core layer structure, comprises at least a layer 2.1. This layer 2.1 supports contact pads 20 on its front side and an IC chip 10 on its back side. Furthermore, the front and back sides are provided with an antenna coil of an antenna 30. Conductive patterns on layer 2.1, which electrically connect the IC chip 10 to the contact pads 20 and the antenna 30, respectively, are not shown. Layer 2.1 may be made of PET. The IC chip 10 is mounted and connected to layer 2.1 using wire bonding techniques, and may be embedded in a polymer matrix, or flip-chip techniques may be used. The aluminum coating covering layer 2.1 of the conductor patterns (not shown), the antenna 30, and the contact pads 20 may be etched away.

図示の実施形態では、コア層構造は、さらに、ICチップ10が内部に収容される開口40を有する第2の層2.2を備えている。この第2の層2.2は、第1の層2.1に接着剤Gによって取り付けられてよい。この接着剤Gは、有利には、第2の層2.2に提供されてよい。開口40は、層2.2に設けられた凹部の形態を有していてもよいし、本事例のように、貫通孔を形成していてもよい。層が互いに積み重ねられている場合には、開口40内に接着剤が満たされており、これによって、ICチップ10が、隣接した層に接着されている。コア層構造2の第2の層2.2は、ICチップ10を保護するために働く。 In the illustrated embodiment, the core layer structure further comprises a second layer 2.2 having an opening 40 in which the IC chip 10 is housed. This second layer 2.2 may be attached to the first layer 2.1 by means of adhesive G, which may advantageously be provided in the second layer 2.2. The opening 40 may have the form of a recess in the layer 2.2 or, as in this case, may form a through-hole. When the layers are stacked one on top of the other, the opening 40 is filled with adhesive, thereby bonding the IC chip 10 to the adjacent layer. The second layer 2.2 of the core layer structure 2 serves to protect the IC chip 10.

裏側層構造とも呼ばれる第3の層構造3は、3つの層3.1,3.2,3.3を備えている。裏側層構造は、これら3つの層よりも多い層または少ない層を含んでいてよく、少なくとも1つの層を含んでいる。層3.1,3.2,3.3の厚さおよび材料は、表側層構造1の各々の層1.1,1.2,1.3の厚さに対応していてよい。表側層構造1および裏側層構造3の内面は、接着剤Gによって被覆されており、これによって、コア層構造2との強力な結合が提供される。 The third layer structure 3, also referred to as the back layer structure, comprises three layers 3.1, 3.2, and 3.3. The back layer structure may include more or fewer layers than these three, but includes at least one layer. The thickness and material of layers 3.1, 3.2, and 3.3 may correspond to the thickness of layers 1.1, 1.2, and 1.3, respectively, of the front layer structure 1. The inner surfaces of the front layer structure 1 and the back layer structure 3 are coated with adhesive G, which provides a strong bond with the core layer structure 2.

さらに、表側層構造1および裏側層構造3のうちの一方または両方にそれぞれ印刷P1および/または印刷P2が設けられていてよい。例えば、表側層構造1および裏側層構造3の中間層1.2,3.2は、それぞれPETから形成されていてよい。このPETは、クリアー、つまり、透明であってよく、その表面のいずれか一方に印刷P1,P2を有していてもよいし、好ましくは、白色、つまり、不透明であってよく、図示のように、各々の外面に印刷P1,P2を有していてもよい。付加的または代替的には、内側層1.3,3.3のうちの一方または両方が、印刷を有していてよい。好ましくは、内側層1.3,3.3は、PVC、より好ましくは白色のPVC、つまり、不透明なPVCから形成されている。最後に、表側層構造1および裏側層構造3の外側層1.1,3.1は、それぞれ透明であってよく、好ましくは同様にPVCから成っていてよい。外側層は、多層構造の内側の層および印刷を保護するために働く。上述した印刷は、外側から観察可能である印刷、つまり、最終的なチップカードのユーザによって観察可能となる印刷である。 Furthermore, one or both of the front layer structure 1 and the back layer structure 3 may be provided with printing P1 and/or printing P2, respectively. For example, the intermediate layers 1.2 and 3.2 of the front layer structure 1 and the back layer structure 3 may each be formed from PET. This PET may be clear, i.e., transparent, and may have printing P1 and P2 on one of its surfaces, or preferably white, i.e., opaque, and may have printing P1 and P2 on their respective outer surfaces, as shown. Additionally or alternatively, one or both of the inner layers 1.3 and 3.3 may have printing. Preferably, the inner layers 1.3 and 3.3 are formed from PVC, more preferably white PVC, i.e., opaque PVC. Finally, the outer layers 1.1 and 3.1 of the front layer structure 1 and the back layer structure 3, respectively, may be transparent and preferably also comprise PVC. The outer layers serve to protect the inner layers and printing of the multilayer structure. The printing mentioned above is printing that is visible from the outside, i.e. printing that will be visible to the user of the final chip card.

コア層構造2が、電子的な部品が実装された第1の層2.1しか備えていない実施形態では、開口40が、隣接する裏側層構造3、より詳細には、裏側層構造3の層3.3に設けられてよい。ICチップ10が接触パッド20と共に層2.1の表側に実装される場合には、開口40が、表側層構造1、より詳細には、表側層構造1の層1.3に設けられてよい。 In embodiments in which the core layer structure 2 comprises only a first layer 2.1 on which electronic components are mounted, the opening 40 may be provided in the adjacent backside layer structure 3, more specifically in layer 3.3 of the backside layer structure 3. If the IC chip 10 is mounted on the front side of layer 2.1 together with the contact pads 20, the opening 40 may be provided in the frontside layer structure 1, more specifically in layer 1.3 of the frontside layer structure 1.

さらに、ラベル50が設けられている。表側から裏側に向かって見て、このラベル50は、接触パッド20の真裏に位置決めされている。つまり、この接触パッド20は、貫通孔5の断面形状に実質的にまたは正確に対応する外側輪郭を有しており、ラベル50もまた、接触パッドの外側輪郭に実質的にまたは正確に対応する外側輪郭を有している。層1.1~3.3が互いにラミネートされる場合には、接触パッド20が貫通孔5に押し通されて、スタック全体の外面と同一平面を成すようになっている。接触パッド20の背後のラベル50が、このプロセスをサポートしている。 Additionally, a label 50 is provided. Viewed from the front to the back, this label 50 is positioned directly behind the contact pad 20. That is, this contact pad 20 has an outer contour that substantially or exactly corresponds to the cross-sectional shape of the through-hole 5, and the label 50 also has an outer contour that substantially or exactly corresponds to the outer contour of the contact pad. When layers 1.1 to 3.3 are laminated together, the contact pad 20 is pressed through the through-hole 5 so that it is flush with the outer surface of the entire stack. The label 50 behind the contact pad 20 supports this process.

ラベル50は、比較的低い温度で溶融しかつ溶融した際に容易に流動することができるように低い粘度を有するPETGから形成されている。 The label 50 is made from PETG, which melts at a relatively low temperature and has a low viscosity so that it flows easily when melted.

個々の層1.1~3.3は、グループで積み重ねられて、互いにスポット溶接されてよく、その後、グループが互いに積み上げられ、ラミネートされ、これによって、位置決め精度を高めることができる。例えば、表側層構造1の層1.1~1.3が、第1のグループで積み重ねられて、例えばはんだごてを用いて互いにスポット溶接されてよい。次いで、積み重ねられた層1.1~1.3のスポット溶接されたグループから、貫通孔5が打抜き加工される。また、コア層構造2の層2.2に設けられる開口40が打抜き加工された後、コア層構造2の層2.1,2.2が、裏側層構造3の層3.3に互いに積み重ねられてよい。ラベル50は、接触パッド20を覆う適正な位置で層2.2と層3.3との間に配置される。次いで、裏側層構造の層3.2,3.1が積み重ねられ、互いにスポット溶接され、これによって、第3のグループのスポット溶接層が形成される。次いで、第1および第2のグループのスポット溶接層が積み重ねられて、ラミネート機械に移送され、そこで、全ての層が互いにラミネートされ、これによって、一体形の多層構造が形成される。 The individual layers 1.1-3.3 may be stacked in groups and spot-welded to one another, and then the groups may be stacked on top of one another and laminated, thereby increasing positioning accuracy. For example, layers 1.1-1.3 of the front layer structure 1 may be stacked in a first group and spot-welded to one another, for example, using a soldering iron. Then, through-holes 5 are punched out of the spot-welded group of stacked layers 1.1-1.3. After punching out openings 40 in layer 2.2 of the core layer structure 2, layers 2.1 and 2.2 of the core layer structure 2 may be stacked on top of layer 3.3 of the back layer structure 3. A label 50 is placed between layers 2.2 and 3.3 in the correct position to cover the contact pads 20. Then, layers 3.2 and 3.1 of the back layer structure are stacked and spot-welded to one another, thereby forming a third group of spot-welded layers. The first and second groups of spot-welded layers are then stacked and transferred to a laminating machine, where all of the layers are laminated together, thereby forming a unitary multi-layer structure.

当然ながら、図面に示した寸法は縮尺通りではなく、単に概略的に理解すべきものでしかない。しかしながら、個々の層の厚さの比は縮尺通りである。つまり、PVC層1.3,2.2,3.3は、150μmの厚さを有していてよく、PVC層1.1,3.1は、80μmの厚さを有していてよく、PET層1.2,3.2は、100μmの厚さを有していてよく、電子的な要素を支持する「インレー」とも呼ばれるPET層2.1は、40μmの厚さを有していてよく、これによって、最終的にラミネートされた層スタックの全厚さが、約850μmとなる。PETGラベル50は、300μmの厚さを有していてよく、表側層構造1の層1.1~1.3の組み合わされた厚さよりもやや肉厚である。 Naturally, the dimensions shown in the drawings are not to scale and should be understood only as an approximate representation. However, the thickness ratios of the individual layers are to scale. That is, PVC layers 1.3, 2.2, and 3.3 may have a thickness of 150 μm, PVC layers 1.1 and 3.1 may have a thickness of 80 μm, PET layers 1.2 and 3.2 may have a thickness of 100 μm, and PET layer 2.1, also known as the "inlay" that supports the electronic elements, may have a thickness of 40 μm, resulting in a total thickness of the final laminated layer stack of approximately 850 μm. PETG label 50 may have a thickness of 300 μm, which is slightly thicker than the combined thickness of layers 1.1-1.3 of front layer structure 1.

裏側層構造3の露出面は、更なる要素、例えばセキュリティ要素60、一例としてホログラム、署名部領域70、磁気ストライプ80およびこれに類するものを有していてよい。署名部領域と磁気ストライプとが、ラミネートステップに先だって裏側層構造3の層3.1の露出面に被着されるのに対して、ホログラム60は、ラミネート後、例えばホットスタンププロセスで被着されてよい。 The exposed surface of the back layer structure 3 may carry further elements, such as security elements 60, for example a hologram, a signature area 70, a magnetic stripe 80, and the like. While the signature area and magnetic stripe are applied to the exposed surface of layer 3.1 of the back layer structure 3 prior to the lamination step, the hologram 60 may be applied after lamination, for example in a hot stamping process.

ラミネートプロセスは、連続生産ラインでの製造時間を最小限に抑えるために、2つの連続するラミネータ機械で実施される。第1の機械では、スタックが、3bar(0.3MPa)、10bar(1.0MPa)および15bar(1.5MPa)の連続的に増加する圧力でそれぞれ480秒、120秒および420秒間、125℃の温度に曝される。第2のラミネータでは、スタックが、25bar(2.5MPa)および35bar(3.5MPa)の連続的に増加する圧力でそれぞれ300秒および720秒間、145℃のより高い温度に曝される。最後に、層のスタックは、50bar(5.0MPa)および60bar(6.0MPa)の連続的に増加する圧力でそれぞれ300秒および720秒間、20℃の冷却ステップに曝される。こうして、気泡発生とアンテナ30の露出とを回避することができる。冷却ステップは、第2のラミネータで実施されてもよいし、別の第3のラミネータで実施されてもよい。 The lamination process is carried out in two sequential laminator machines to minimize production time on a continuous production line. In the first machine, the stack is subjected to a temperature of 125°C at successively increasing pressures of 3 bar (0.3 MPa), 10 bar (1.0 MPa), and 15 bar (1.5 MPa) for 480, 120, and 420 seconds, respectively. In the second laminator, the stack is subjected to a higher temperature of 145°C at successively increasing pressures of 25 bar (2.5 MPa) and 35 bar (3.5 MPa) for 300 and 720 seconds, respectively. Finally, the layer stack is subjected to a 20°C cooling step at successively increasing pressures of 50 bar (5.0 MPa) and 60 bar (6.0 MPa) for 300 and 720 seconds, respectively. This avoids bubble formation and exposure of the antenna 30. The cooling step may be performed in a second laminator or in a separate third laminator.

ラミネートステップ中、スタックの少なくとも表側面、つまり、表側層構造1の外面、好ましくは、ラミネートステップに先だって、スタックの表側面およびスタックの裏側面の両方に隔離フィルム(図示せず)が設けられ、ラミネートステップ後に除去される。隔離フィルムは、ポリエチレンテレフタレート(PET)を含んでいるかまたは好ましくはポリエチレンテレフタレート(PET)から形成されている。隔離フィルムは、0.05mmの厚さを有していてよい。 During the lamination step, an isolation film (not shown) is provided on at least the front side of the stack, i.e., the outer surface of the front layer structure 1, preferably on both the front side and the back side of the stack prior to the lamination step, and is removed after the lamination step. The isolation film includes or is preferably made of polyethylene terephthalate (PET). The isolation film may have a thickness of 0.05 mm.

当然ながら、層は、通常、各々の電子的な要素、孔および開口が、行列、例えば3×8の行列の形態で複数回設けられたより大きなシートとして提供され、個々のチップカードが、シートのラミネートされたスタックから適切なサイズ、例えばISO 7810に準ずるID-1サイズに最終的に打抜き加工される。 Of course, the layers are usually provided as larger sheets in which each electronic element, hole and aperture is provided multiple times in a matrix, e.g. a 3x8 matrix, and the individual chip cards are finally die-cut from the laminated stack of sheets to the appropriate size, e.g. ID-1 size according to ISO 7810.

上述した可視の印刷、例えば印刷P1,P2に加えて、所定の層に処理用のマーキングが設けられていてよい。このマーキングも同じく印刷の形態で設けられていてよい。例えば、印刷P2.2が、コア層構造2の第2の層2.2に設けられ、例えば打抜き加工によって開口40を製作する位置の識別を容易にするための機能を有していてよい。より詳細には、印刷P2.2は、図示のように、開口40が製作される領域を除いて、第2の層2.2を完全に覆っていてもよいし、部分的にのみ、つまり、開口40を正確に取り囲んで設けられていてもよい。代替的には、印刷P2.2は、開口40の領域にだけ正確に設けられていてよい。 In addition to the visible printings described above, such as printings P1 and P2, processing markings may be provided on certain layers. These markings may also be in the form of printing. For example, printing P2.2 may be provided on the second layer 2.2 of the core layer structure 2 and serve to facilitate identification of the location where the opening 40 is to be produced, for example by punching. More specifically, printing P2.2 may completely cover the second layer 2.2 except for the area where the opening 40 is to be produced, as shown, or it may be provided only partially, i.e., exactly surrounding the opening 40. Alternatively, printing P2.2 may be provided exactly in the area of the opening 40.

また、コア層構造2の第2の層2.2に設けられた印刷P2.2同様、印刷P3.3が、第3の層構造3の内側層3.3の内面に設けられ、ラミネートに先だってラベル50が配置される位置の識別を容易にするための機能を有していてよい。より詳細には、印刷P3.3は、図示のように、ラベル50が配置される領域を除いて、内側層3.3を完全に覆っていてもよいし、部分的にのみ、つまり、ラベル50が配置される領域を正確に取り囲んで設けられていてもよい。代替的には、印刷P3.3は、内側層3.3においてラベル50の領域にだけ正確に設けられていてよい。 Like the printing P2.2 on the second layer 2.2 of the core layer structure 2, printing P3.3 may be provided on the inner surface of the inner layer 3.3 of the third layer structure 3 and serve to facilitate identification of the location where the label 50 will be placed prior to lamination. More specifically, printing P3.3 may completely cover the inner layer 3.3 except for the area where the label 50 will be placed, as shown, or it may be only partially provided, i.e., exactly surrounding the area where the label 50 will be placed. Alternatively, printing P3.3 may be provided on the inner layer 3.3 only exactly in the area of the label 50.

最後に、印刷P1さえ、例えば打抜き加工によって第1の層構造1に貫通孔5を製作する位置の識別を容易にするための機能を果たしていてよい。より詳細には、印刷P1は、図示のように、中間層1.2を完全にまたは部分的に覆っていて、貫通孔5が製作される領域を正確に開放していてよい。 Finally, the printing P1 may even serve to facilitate the identification of the locations where the through holes 5 are to be produced in the first layer structure 1, for example by punching. More specifically, the printing P1 may completely or partially cover the intermediate layer 1.2, as shown, leaving open exactly the areas where the through holes 5 are to be produced.

本発明の好適な例を以下のパラグラフ1~26において概説する。 Preferred examples of the present invention are outlined in paragraphs 1-26 below.

1. 多層チップカードを製造する方法であって、
- 表側面と裏側面とを有するコア層構造(2)を提供するステップであって、前記コア層構造(2)は、前記表側面に設けられた接触パッド(20)を備え、ICチップ(10)と導体パターンとをさらに備え、前記ICチップ(10)と前記接触パッド(20)とは、前記導体パターンに導電接続されていて、表側から裏側に向かって見たときに重畳していない、コア層構造(2)を提供するステップと、
- 前記コア層構造(2)の前記表側面に表側層構造(1)を提供するステップであって、前記表側層構造(1)は、前記コア層構造(2)の前記表側面に設けられた前記接触パッド(20)の外側輪郭にサイズおよび位置に関して実質的に対応する断面形状を備えた貫通孔(5)を有する、表側層構造(1)を提供するステップと、
- 前記コア層構造(2)の前記裏側面に裏側層構造(3)を提供するステップと、
- 前記裏側層構造(3)と前記コア層構造(2)との間にラベル(50)を提供するステップであって、表側から裏側に向かって見たときに、前記ラベル(50)と前記接触パッド(20)とは、完全にまたは少なくとも大部分で重畳している、ラベル(50)を提供するステップと、
- 積み重ねられた前記表側層構造(1)、前記コア層構造(2)および前記裏側層構造(3)を、前記コア層構造(2)と前記裏側層構造(3)との間に位置決めされた前記ラベル(50)を含めて、スタックに熱と圧力とを加えることによってラミネートするステップと
を含む、方法。
1. A method for manufacturing a multi-layer chip card, comprising:
- providing a core layer structure (2) having a front side and a back side, the core layer structure (2) comprising contact pads (20) provided on the front side, and further comprising an IC chip (10) and a conductor pattern, the IC chip (10) and the contact pads (20) being conductively connected to the conductor pattern and not overlapping when viewed from the front side towards the back side;
- providing a front layer structure (1) on the front side of the core layer structure (2), the front layer structure (1) having through holes (5) with a cross-sectional shape that corresponds substantially in size and position to the outer contour of the contact pads (20) provided on the front side of the core layer structure (2);
- providing a backside layer structure (3) on the back side of said core layer structure (2);
- providing a label (50) between said back layer structure (3) and said core layer structure (2), said label (50) and said contact pads (20) overlapping completely or at least to a large extent when viewed from the front side towards the back side;
- laminating the stacked front layer structure (1), the core layer structure (2) and the back layer structure (3), including the label (50) positioned between the core layer structure (2) and the back layer structure (3), by applying heat and pressure to the stack.

2. 前記ラベル(50)は、前記コア層構造(2)の前記表側面に設けられた前記接触パッド(20)の前記外側輪郭にサイズおよび位置に関して実質的に対応する外側輪郭を備える、パラグラフ1記載の方法。 2. The method of paragraph 1, wherein the label (50) has an outer contour that substantially corresponds in size and position to the outer contour of the contact pad (20) provided on the front side of the core layer structure (2).

3. 前記ラベル(50)の厚さは、前記表側層構造(1)の厚さ以上の厚さに選択される、パラグラフ1または2記載の方法。 3. The method described in paragraph 1 or 2, wherein the thickness of the label (50) is selected to be equal to or greater than the thickness of the outer layer structure (1).

4. 前記ラベル(50)の前記厚さは、前記表側層構造(1)の前記厚さよりも5%~15%肉厚に選択される、パラグラフ3記載の方法。 4. The method described in paragraph 3, wherein the thickness of the label (50) is selected to be 5% to 15% thicker than the thickness of the outer layer structure (1).

5. 前記表側層構造(1)の前記厚さは、0.3mm以下として選択され、前記ラベル(50)の前記厚さは、0.3mm以上として選択される、パラグラフ3または4記載の方法。 5. The method described in paragraph 3 or 4, wherein the thickness of the surface layer structure (1) is selected to be 0.3 mm or less, and the thickness of the label (50) is selected to be 0.3 mm or more.

6. 前記ラベル(50)は、グリコール変性ポリエチレンテレフタレート(PETG)から形成される、パラグラフ1から5までのいずれか1つ記載の方法。 6. The method of any one of paragraphs 1 to 5, wherein the label (50) is formed from glycol-modified polyethylene terephthalate (PETG).

7. 前記コア層構造(2)を、前記ICチップ(10)が実装された第1の層(2.1)と、開口(40)を有する第2の層(2.2)とから形成し、これによって、前記第1の層(2.1)に設けられた前記ICチップ(10)を前記第2の層(2.2)の前記開口(40)内に収容するステップを含む、パラグラフ1から6までのいずれか1つ記載の方法。 7. The method of any one of paragraphs 1 to 6, further comprising forming the core layer structure (2) from a first layer (2.1) on which the IC chip (10) is mounted and a second layer (2.2) having an opening (40), thereby accommodating the IC chip (10) provided on the first layer (2.1) within the opening (40) of the second layer (2.2).

8. 前記コア層構造(2)の前記第2の層(2.2)に設けられた前記開口(40)は、貫通孔であり、前記方法は、前記貫通孔の領域に接着剤を提供し、これによって、前記コア層構造(2)の前記第2の層(2.2)を前記裏側層構造(3)に接触させたときに、前記貫通孔内に収容された前記ICチップ(10)と、前記裏側層構造(3)との間に結合接続を形成するステップをさらに含む、パラグラフ7記載の方法。 8. The method of paragraph 7, wherein the opening (40) in the second layer (2.2) of the core layer structure (2) is a through-hole, and the method further comprises the step of providing adhesive in the area of the through-hole, thereby forming a bonding connection between the IC chip (10) accommodated in the through-hole and the back layer structure (3) when the second layer (2.2) of the core layer structure (2) is brought into contact with the back layer structure (3).

9. 前記表側層構造(1)および前記裏側層構造(3)のうちの少なくとも一方を複数の層(1.1,1.2,1.3,3.1,3.2,3.3)から形成するステップを含む、パラグラフ1から8までのいずれか1つ記載の方法。 9. The method of any one of paragraphs 1 to 8, comprising forming at least one of the front layer structure (1) and the back layer structure (3) from a plurality of layers (1.1, 1.2, 1.3, 3.1, 3.2, 3.3).

10. 好ましくは、前記表側層構造または前記裏側層構造の1つの層(1.3,3.3)の少なくとも1つは、白色であり、前記表側層構造または前記裏側層構造の1つの層(1.2,3.2)は、前記スタックの外側から可視である印刷(P)を備える、パラグラフ9記載の方法。 10. The method of paragraph 9, wherein preferably at least one of the layers (1.3, 3.3) of the front layer structure or the back layer structure is white, and one of the layers (1.2, 3.2) of the front layer structure or the back layer structure is provided with a printing (P) that is visible from outside the stack.

11. 前記ラミネートするステップに先だって、前記スタックの表側面と前記スタックの裏側面との両方に隔離フィルムを提供するステップと、前記ラミネートするステップ後、前記隔離フィルムを除去するステップとを含む、パラグラフ1から10までのいずれか1つ記載の方法。 11. The method of any one of paragraphs 1 to 10, including providing an isolating film on both the front side of the stack and the back side of the stack prior to the laminating step, and removing the isolating film after the laminating step.

12. 前記隔離フィルムは、ポリエチレンテレフタレート(PET)を含むかまたはポリエチレンテレフタレート(PET)から形成される、パラグラフ11記載の方法。 12. The method of paragraph 11, wherein the isolating film comprises or is formed from polyethylene terephthalate (PET).

13. 前記表側層構造(1)、前記コア層構造(2)および前記裏側層構造(3)は、1回のラミネートプロセスで互いにラミネートされる、パラグラフ1から12までのいずれか1つ記載の方法。 13. The method of any one of paragraphs 1 to 12, wherein the surface layer structure (1), the core layer structure (2), and the back layer structure (3) are laminated to each other in a single lamination process.

14. 前記表側層構造(1)、前記コア層構造(2)および前記裏側層構造(3)のうちの1つ以上は、1つよりも多い層を備え、全ての層構造(1,2,3)の全ての層(1.1,1.2,1.3,2.1,2.2,3.1,3.2,3.3)は、前記1回のラミネートプロセスで互いにラミネートされる、パラグラフ13記載の方法。 14. The method of paragraph 13, wherein one or more of the front layer structure (1), the core layer structure (2), and the back layer structure (3) comprises more than one layer, and all layers (1.1, 1.2, 1.3, 2.1, 2.2, 3.1, 3.2, 3.3) of all layer structures (1, 2, 3) are laminated to each other in the single lamination process.

15. 前記ラミネートするステップは、第1の加熱温度での第1の加熱ステップと、前記第1の加熱温度よりも高い第2の加熱温度での第2の加熱ステップと、その後、冷却ステップとを含む、パラグラフ1から14までのいずれか1つ記載の方法。 15. The method of any one of paragraphs 1 to 14, wherein the laminating step includes a first heating step at a first heating temperature, a second heating step at a second heating temperature higher than the first heating temperature, and then a cooling step.

16. 前記第1の加熱温度は、120℃~130℃の範囲内に設定され、前記第2の加熱温度は、140℃~150℃の範囲内に設定される、パラグラフ15記載の方法。 16. The method described in paragraph 15, wherein the first heating temperature is set within the range of 120°C to 130°C, and the second heating temperature is set within the range of 140°C to 150°C.

17. 前記第1の加熱ステップは、第1のラミネータ内で実施され、前記第2の加熱ステップは、別の第2のラミネータ内で実施される、パラグラフ15または16記載の方法。 17. The method of paragraphs 15 or 16, wherein the first heating step is performed in a first laminator and the second heating step is performed in a separate second laminator.

18. 前記圧力は、前記第1の加熱ステップ中に増加させられ、前記第2の加熱ステップ中にさらに増加させられ、前記冷却ステップ中にまださらに増加させられる、パラグラフ15から17までのいずれか1つ記載の方法。 18. The method of any one of paragraphs 15 to 17, wherein the pressure is increased during the first heating step, further increased during the second heating step, and yet further increased during the cooling step.

19. 多層チップカードであって、
- 表側面と裏側面とを有するコア層構造(2)であって、前記表側面に設けられた接触パッド(20)を備え、ICチップ(10)と導体パターンとをさらに備え、前記ICチップ(10)と前記接触パッド(20)とは、前記導体パターンに導電接続されていて、表側から裏側に向かって見たときに重畳していない、コア層構造(2)と、
- 前記コア層構造(2)の前記表側面に設けられた表側層構造(1)であって、前記コア層構造(2)の前記表側面に設けられた前記接触パッド(20)の外側輪郭にサイズおよび位置に関して実質的に対応する断面形状を備えた貫通孔(5)を有する表側層構造(1)と、
- 前記コア層構造(2)の前記裏側面に設けられた裏側層構造(3)と、
- 前記裏側層構造(3)と前記コア層構造(2)との間に設けられたラベル(50)であって、表側から裏側に向かって見たときに、前記ラベル(50)と前記接触パッド(20)とは、完全にまたは少なくとも大部分で重畳している、ラベル(50)と
を備える、多層チップカード。
19. A multi-layer chip card, comprising:
a core layer structure (2) having a front side and a back side, the core layer structure (2) comprising contact pads (20) provided on the front side, and further comprising an IC chip (10) and a conductor pattern, the IC chip (10) and the contact pads (20) being conductively connected to the conductor pattern and not overlapping when viewed from the front side towards the back side;
a surface layer structure (1) provided on the surface side of the core layer structure (2), the surface layer structure (1) having through holes (5) with a cross-sectional shape that corresponds substantially in size and position to the outer contours of the contact pads (20) provided on the surface side of the core layer structure (2);
a back layer structure (3) provided on the back side of the core layer structure (2);
- a label (50) provided between the back layer structure (3) and the core layer structure (2), in which, when viewed from the front side towards the back side, the label (50) and the contact pads (20) overlap completely or at least to a large extent.

20. 前記ラベル(50)は、前記コア層構造(2)の前記表側面に設けられた前記接触パッド(20)の前記外側輪郭にサイズおよび位置に関して実質的に対応する外側輪郭を有する、パラグラフ19記載の多層チップカード。 20. A multilayer chip card as described in paragraph 19, wherein the label (50) has an outer contour that substantially corresponds in size and position to the outer contour of the contact pads (20) provided on the obverse side of the core layer structure (2).

21. 前記ラベル(50)は、グリコール変性ポリエチレンテレフタレート(PETG)から形成されている、パラグラフ19または20記載の多層チップカード。 21. A multilayer chip card according to paragraph 19 or 20, wherein the label (50) is formed from glycol-modified polyethylene terephthalate (PETG).

22. 前記コア層構造(2)は、前記ICチップ(10)が実装された第1の層(2.1)と、該第1の層(2.1)に設けられたICチップ(10)が収容された開口(40)を有する第2の層(2.2)とを備える、パラグラフ19から21までのいずれか1つ記載の多層チップカード。 22. A multilayer chip card according to any one of paragraphs 19 to 21, wherein the core layer structure (2) comprises a first layer (2.1) on which the IC chip (10) is mounted, and a second layer (2.2) having an opening (40) in which the IC chip (10) provided in the first layer (2.1) is accommodated.

23. 前記コア層構造(2)は、前記ICチップ(10)に導電接続されたアンテナ(30)を備える、パラグラフ19から22までのいずれか1つ記載の多層チップカード。 23. The multilayer chip card of any one of paragraphs 19 to 22, wherein the core layer structure (2) comprises an antenna (30) conductively connected to the IC chip (10).

24. 前記ICチップ(10)と前記接触パッド(20)とは、共通の基板(2.1)に設けられている、パラグラフ23記載の多層チップカード。 24. A multilayer chip card according to paragraph 23, wherein the IC chip (10) and the contact pads (20) are mounted on a common substrate (2.1).

25. 前記ICチップ(10)と前記接触パッド(20)とは、前記共通の基板(2.1)の互いに反対の側に設けられている、パラグラフ24記載の多層チップカード。 25. A multilayer chip card according to paragraph 24, wherein the IC chip (10) and the contact pads (20) are provided on opposite sides of the common substrate (2.1).

26. 前記ICチップ(10)と前記接触パッド(20)とは、互いに側方の間隔を置いて設けられている、パラグラフ19から25までのいずれか1つ記載の多層チップカード。 26. A multilayer chip card according to any one of paragraphs 19 to 25, wherein the IC chip (10) and the contact pads (20) are laterally spaced apart from one another.

Claims (15)

多層チップカードを製造する方法であって、
- 表側面と裏側面とを有するコア層構造(2)を提供するステップであって、前記コア層構造(2)は、前記表側面に設けられた接触パッド(20)を備え、ICチップ(10)と導体パターンとをさらに備え、前記ICチップ(10)と前記接触パッド(20)とは、前記導体パターンに導電接続されていて、表側から裏側に向かって見たときに重畳していない、コア層構造(2)を提供するステップと、
- 前記コア層構造(2)の前記表側面に表側層構造(1)を提供するステップであって、前記表側層構造(1)は、前記コア層構造(2)の前記表側面に設けられた前記接触パッド(20)の外側輪郭にサイズおよび位置に関して実質的に対応する断面形状を備えた貫通孔(5)を有する、表側層構造(1)を提供するステップと、
- 前記コア層構造(2)の前記裏側面に裏側層構造(3)を提供するステップと、
- 前記裏側層構造(3)と前記コア層構造(2)との間にラベル(50)を提供するステップであって、表側から裏側に向かって見たときに、前記ラベル(50)と前記接触パッド(20)とは、完全にまたは少なくとも大部分で重畳している、ラベル(50)を提供するステップと、
- 積み重ねられた前記表側層構造(1)、前記コア層構造(2)および前記裏側層構造(3)を、前記コア層構造(2)と前記裏側層構造(3)との間に位置決めされた前記ラベル(50)を含めて、スタックに熱と圧力とを加えることによってラミネートするステップと
を含む、方法。
1. A method for manufacturing a multi-layer chip card, comprising:
- providing a core layer structure (2) having a front side and a back side, the core layer structure (2) comprising contact pads (20) provided on the front side, and further comprising an IC chip (10) and a conductor pattern, the IC chip (10) and the contact pads (20) being conductively connected to the conductor pattern and not overlapping when viewed from the front side towards the back side;
- providing a front layer structure (1) on the front side of the core layer structure (2), the front layer structure (1) having through holes (5) with a cross-sectional shape that corresponds substantially in size and position to the outer contour of the contact pads (20) provided on the front side of the core layer structure (2);
- providing a backside layer structure (3) on the back side of said core layer structure (2);
- providing a label (50) between said back layer structure (3) and said core layer structure (2), said label (50) and said contact pads (20) overlapping completely or at least to a large extent when viewed from the front side towards the back side;
- laminating the stacked front layer structure (1), the core layer structure (2) and the back layer structure (3), including the label (50) positioned between the core layer structure (2) and the back layer structure (3), by applying heat and pressure to the stack.
前記ラベル(50)は、前記コア層構造(2)の前記表側面に設けられた前記接触パッド(20)の前記外側輪郭にサイズおよび位置に関して実質的に対応する外側輪郭を備える、請求項1記載の方法。 The method of claim 1, wherein the label (50) has an outer contour that substantially corresponds in size and position to the outer contour of the contact pad (20) provided on the front side of the core layer structure (2). 前記ラベル(50)の厚さは、前記表側層構造(1)の厚さ以上の厚さに選択され、前記ラベル(50)の前記厚さは、前記表側層構造(1)の前記厚さよりも5%~15%肉厚に選択され、かつ/または前記表側層構造(1)の前記厚さは、0.3mm以下として選択され、前記ラベル(50)の前記厚さは、0.3mm以上として選択される、請求項1または2記載の方法。 3. The method according to claim 1 or 2, wherein the thickness of the label (50) is selected to be equal to or greater than the thickness of the outer layer structure (1), and the thickness of the label (50) is selected to be 5% to 15% thicker than the thickness of the outer layer structure (1), and/or the thickness of the outer layer structure (1) is selected to be equal to or less than 0.3 mm, and the thickness of the label (50) is selected to be equal to or greater than 0.3 mm. 前記ラベル(50)は、グリコール変性ポリエチレンテレフタレート(PETG)から形成される、請求項1記載の方法。 The method of claim 1, wherein the label (50) is formed from glycol-modified polyethylene terephthalate (PETG). 前記コア層構造(2)を、前記ICチップ(10)が実装された第1の層(2.1)と、開口(40)を有する第2の層(2.2)とから形成し、これによって、前記第1の層(2.1)に設けられた前記ICチップ(10)を前記第2の層(2.2)の前記開口(40)内に収容するステップを含み、前記コア層構造(2)の前記第2の層(2.2)に設けられた前記開口(40)は、貫通孔であり、前記方法は、前記貫通孔の領域に接着剤を提供し、これによって、前記コア層構造(2)の前記第2の層(2.2)を前記裏側層構造(3)に接触させたときに、前記貫通孔内に収容された前記ICチップ(10)と、前記裏側層構造(3)との間に結合接続を形成するステップをさらに含む、請求項1記載の方法。 2. The method according to claim 1, further comprising forming the core layer structure (2) from a first layer (2.1) on which the IC chip (10) is mounted and a second layer (2.2) having an opening (40), thereby accommodating the IC chip (10) provided on the first layer (2.1) in the opening (40) of the second layer (2.2) , the opening (40) provided in the second layer (2.2) of the core layer structure (2) being a through hole, the method further comprising providing an adhesive in the area of the through hole, thereby forming a bonding connection between the IC chip (10) accommodated in the through hole and the back layer structure (3) when the second layer (2.2) of the core layer structure (2) is brought into contact with the back layer structure (3). 前記表側層構造(1)および前記裏側層構造(3)のうちの少なくとも一方を複数の層(1.1,1.2,1.3,3.1,3.2,3.3)から形成するステップを含み、前記表側層構造または前記裏側層構造の1つの層(1.3,3.3)の少なくとも1つは、白色であり、前記表側層構造または前記裏側層構造の1つの層(1.2,3.2)は、前記スタックの外側から可視である印刷(P)を備える、請求項1記載の方法。 2. The method of claim 1, comprising forming at least one of the front layer structure (1) and the back layer structure (3) from a plurality of layers (1.1, 1.2, 1.3, 3.1, 3.2, 3.3), wherein at least one of the layers (1.3, 3.3) of the front layer structure or the back layer structure is white, and wherein one of the layers (1.2, 3.2) of the front layer structure or the back layer structure is provided with a printing (P) that is visible from outside the stack. 前記ラミネートするステップに先だって、前記スタックの表側面と前記スタックの裏側面との両方に隔離フィルムを提供するステップと、前記ラミネートするステップ後、前記隔離フィルムを除去するステップとを含み、前記隔離フィルムは、ポリエチレンテレフタレート(PET)を含むかまたはポリエチレンテレフタレート(PET)から形成される、請求項1記載の方法。 2. The method of claim 1, further comprising the steps of: providing an isolating film on both the front side of the stack and the back side of the stack prior to the laminating step; and removing the isolating film after the laminating step, wherein the isolating film comprises or is formed from polyethylene terephthalate (PET). 前記表側層構造(1)、前記コア層構造(2)および前記裏側層構造(3)は、1回のラミネートプロセスで互いにラミネートされ、これらの層構造のうちの1つ以上は、1つよりも多い層を備え、全ての層構造(1,2,3)の全ての層(1.1,1.2,1.3,2.1,2.2,3.1,3.2,3.3)は、前記1回のラミネートプロセスで互いにラミネートされる、請求項1記載の方法。 2. The method according to claim 1, wherein the front layer structure (1), the core layer structure (2) and the back layer structure (3) are laminated together in a single lamination process , and one or more of these layer structures comprises more than one layer, and all layers (1.1, 1.2, 1.3, 2.1, 2.2, 3.1, 3.2, 3.3) of all layer structures (1, 2, 3) are laminated together in the single lamination process. 前記ラミネートするステップは、第1の加熱温度での第1の加熱ステップと、前記第1の加熱温度よりも高い第2の加熱温度での第2の加熱ステップと、その後、冷却ステップとを含み、前記第1の加熱温度は、120℃~130℃の範囲内に設定され、前記第2の加熱温度は、140℃~150℃の範囲内に設定され、かつ/または前記第1の加熱ステップは、第1のラミネータ内で実施され、前記第2の加熱ステップは、別の第2のラミネータ内で実施される、請求項1記載の方法。 2. The method of claim 1, wherein the laminating step includes a first heating step at a first heating temperature, a second heating step at a second heating temperature higher than the first heating temperature, and then a cooling step , wherein the first heating temperature is set within a range of 120°C to 130°C and the second heating temperature is set within a range of 140°C to 150°C, and/or the first heating step is performed in a first laminator and the second heating step is performed in a separate second laminator. 前記圧力は、前記第1の加熱ステップ中に増加させられ、前記第2の加熱ステップ中にさらに増加させられ、前記冷却ステップ中にまださらに増加させられる、請求項9記載の方法。 The method of claim 9, wherein the pressure is increased during the first heating step, further increased during the second heating step, and still further increased during the cooling step. 多層チップカードであって、
- 表側面と裏側面とを有するコア層構造(2)であって、前記表側面に設けられた接触パッド(20)を備え、ICチップ(10)と導体パターンとをさらに備え、前記ICチップ(10)と前記接触パッド(20)とは、前記導体パターンに導電接続されていて、表側から裏側に向かって見たときに重畳していない、コア層構造(2)と、
- 前記コア層構造(2)の前記表側面に設けられた表側層構造(1)であって、前記コア層構造(2)の前記表側面に設けられた前記接触パッド(20)の外側輪郭にサイズおよび位置に関して実質的に対応する断面形状を備えた貫通孔(5)を有する表側層構造(1)と、
- 前記コア層構造(2)の前記裏側面に設けられた裏側層構造(3)と、
- 前記裏側層構造(3)と前記コア層構造(2)との間に設けられたラベル(50)であって、表側から裏側に向かって見たときに、前記ラベル(50)と前記接触パッド(20)とは、完全にまたは少なくとも大部分で重畳している、ラベル(50)と
を備える、多層チップカード。
A multi-layer chip card, comprising:
a core layer structure (2) having a front side and a back side, the core layer structure (2) comprising contact pads (20) provided on the front side, and further comprising an IC chip (10) and a conductor pattern, the IC chip (10) and the contact pads (20) being conductively connected to the conductor pattern and not overlapping when viewed from the front side towards the back side;
a surface layer structure (1) provided on the surface side of the core layer structure (2), the surface layer structure (1) having through holes (5) with a cross-sectional shape that corresponds substantially in size and position to the outer contours of the contact pads (20) provided on the surface side of the core layer structure (2);
a back layer structure (3) provided on the back side of the core layer structure (2);
- a label (50) provided between the back layer structure (3) and the core layer structure (2), in which, when viewed from the front side towards the back side, the label (50) and the contact pads (20) overlap completely or at least to a large extent.
前記ラベル(50)は、前記コア層構造(2)の前記表側面に設けられた前記接触パッド(20)の前記外側輪郭にサイズおよび位置に関して実質的に対応する外側輪郭を有し、かつ/または前記ラベル(50)は、グリコール変性ポリエチレンテレフタレート(PETG)から形成されている、請求項11記載の多層チップカード。 The multilayer chip card of claim 11, wherein the label (50) has an outer contour that substantially corresponds in size and position to the outer contour of the contact pads (20) provided on the obverse side of the core layer structure (2), and/or the label (50) is made of glycol-modified polyethylene terephthalate (PETG). 前記コア層構造(2)は、前記ICチップ(10)が実装された第1の層(2.1)と、該第1の層(2.1)に設けられたICチップ(10)が収容された開口(40)を有する第2の層(2.2)とを備える、請求項11または12記載の多層チップカード。 A multilayer chip card according to claim 11 or 12, wherein the core layer structure (2) comprises a first layer (2.1) on which the IC chip (10) is mounted, and a second layer (2.2) having an opening (40) in which the IC chip (10) provided on the first layer (2.1) is accommodated. 前記コア層構造(2)は、前記ICチップ(10)に導電接続されたアンテナ(30)を備え、前記ICチップ(10)と前記接触パッド(20)とは、共通の基板(2.1)に設けられており、前記ICチップ(10)と前記接触パッド(20)とは、前記共通の基板(2.1)の互いに反対の側に設けられている、請求項11記載の多層チップカード。 12. The multilayer chip card according to claim 11, wherein the core layer structure (2) comprises an antenna (30) electrically connected to the IC chip (10) , the IC chip (10) and the contact pads (20) being arranged on a common substrate (2.1) , the IC chip (10) and the contact pads (20) being arranged on opposite sides of the common substrate (2.1). 前記ICチップ(10)と前記接触パッド(20)とは、互いに側方の間隔を置いて設けられている、請求項11記載の多層チップカード。 The multi-layer chip card of claim 11, wherein the IC chip (10) and the contact pads (20) are laterally spaced apart from each other.
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