JP7782449B2 - 固体撮像素子および製造方法 - Google Patents
固体撮像素子および製造方法Info
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Description
本願は、2020年9月2日に出願された、日本国特願2020-147599に基づく優先権を主張し、その内容を援用する。
この固体撮像素子では、隣接するマイクロレンズが連接してなる連接領域を有し、連接領域に、感光性樹脂からなる突状部が形成されている。
突状部はマイクロレンズの厚み以内の厚さであり、かつマイクロレンズと同じ樹脂で覆われている。
この製造方法は、半導体基板上に感光性樹脂からなる突状部を形成する工程と、半導体基板上に突状部を覆う透明樹脂層を形成する工程と、透明樹脂層を用いて複数のマイクロレンズを形成する工程とを備える。
本発明の固体撮像素子について、図1と図2を用いて説明する。
本発明の固体撮像素子10は、複数の受光素子4をマトリクス状に備えたシリコンウェハ5を含むタイムオブフライト方式の距離画像センサ用半導体基板1と、半導体基板1の各受光素子4の位置に対応して形成されたマイクロレンズ2を備える。マイクロレンズ2は隣接するマイクロレンズ2間の周縁部が連接されてマイクロレンズアレイ状に形成されている。
タイムオブフライト方式の距離画像センサでは、受光素子の他に、TOF測定の為のスペースが必要となる。その為、開口率が低下する。開口率の低下をカバーする為、マイクロレンズの形成が必要となる。レンズピッチが、例えばマイクロレンズの直径とほぼ同じ20μmの半球形レンズである場合、レンズの高さ(厚さ)は10μm~15μmが必要となる。
例えば、隣接する2つのマイクロレンズがその周縁部で接している(重なっていない)状態においては、連接領域にマイクロレンズ2を形成する樹脂の重なりは生じない。隣接する2つのマイクロレンズ2の周縁部が連接領域において浅く重なっている状態は、深く重なっている状態に比べ、マイクロレンズ2の周縁部を構成する樹脂層(以下、単に樹脂層とも呼ぶ)は薄くなる。一方、隣接するマイクロレンズ2同士が深く重なっている状態では、連接領域における樹脂層は厚くなる。
上述した3つの状態のいずれの場合も、連接領域の樹脂層はマイクロレンズ2のピーク位置(マイクロレンズ2の頂点位置)より薄い為、マイクロレンズ2における最も低い領域となる。なお、連接領域における樹脂層の厚さはマイクロレンズ2の位置精度のばらつきなどにより異なる。
前者では、隣接する2つのマイクロレンズの重なり状態によって決まる厚さの樹脂層が形成される。
後者では、前者の厚さの樹脂層に加えて、半導体基板1上に形成された突状部3の厚さが加わる為、後者の方が厚い樹脂層が形成される。
次に、本発明の第二の態様に係る固体撮像素子の製造方法について、図1と図2を用いて説明する。
本発明の第二の態様におけるマイクロレンズの製造方法は、複数の受光素子4がマトリクス状に備えられたタイムオブフライト方式の距離画像センサ用半導体基板1の各受光素子4の位置に対応して形成されたマイクロレンズ2が、それらの周縁部で連接されたマイクロレンズアレイを有するマイクロレンズの製造方法である。
工程1は、半導体基板1上に、隣接するマイクロレンズ2の谷部が形成される連接領域の少なくとも一部領域を通り、半導体基板1の各受光素子4が略中心部に配置される様に、平面視でマトリクス状の突状部3を形成する工程である(図2(b))。突状部3は、少なくとも、マイクロレンズ2の連接領域に形成されていればよい。突状部3は平面視でマトリクス状ではなく、マイクロレンズ2の谷部にあたる領域に断続的に突状部3を形成してもよい。
なお、突状部3は連接領域の中央を通るように配置されることが好ましい。連接領域の中央は隣接するマイクロレンズ2で形成される谷部の最底部が形成されるため、より応力緩和の効果を高めることができる。換言すると、隣接するマイクロレンズ2の谷部のうち最底部が形成される領域に突状部3が配置されていることが好ましい。
さらに好ましくは、突状部3は連接領域全体を満たすことが好ましい。換言すると、隣接するマイクロレンズ2の谷部全体をカバーするように突状部3が形成されていることが好ましい。応力が最もかかるのは谷部の最低部と考えられるが、最低部の周辺も突状部3でカバーすることで、より単位断面積当たりの応力を緩和することができる。
工程2は、突状部3の上からマイクロレンズ2となる透明樹脂層6を形成する工程である(図2(c))。工程1において使用した塗布方法および乾燥方法を使用することができる。
工程3は、透明樹脂層6の上に感光性レジスト層7を形成する工程である(図2(d))。工程1において使用した塗布方法および乾燥方法を使用することができる。
工程4は、感光性レジスト層7を所定のフォトマスクを用いて露光し現像する事により、レジストパターン8を形成する工程である(図2(e))。工程1において使用した露光方法および現像方法を使用することができる。レジストパターン8はマイクロレンズ2が形成される領域に配置されている。
工程5は、レジストパターン8を軟化温度以上に加熱する熱フロー処理により、レジストパターン8をレンズ形状に変化させる工程である(図2(f))。工程4で形成されたレジストパターン8を、レジストパターン8を構成する樹脂材料の軟化点以上の温度に加熱し、熱フローを起こさせる事により、図2(f)に例示した様に、レンズ形状に変化させる事ができる。
工程6は、レンズ形状に変化させたレジストパターン(熱フロー後のレジストパターン)9をエッチングマスクとしてドライエッチングを行う事により、透明樹脂層6にレンズ形状を形成する工程である(図2(g))。
従って、谷部の樹脂層の厚さが増える為、谷部における応力を低減し、クラックの発生を抑制する事ができる。
工程6において、突状部3A上の透明樹脂層6がなくなるまでドライエッチングを行うと、図5に示すように、マイクロレンズ2間に突状部3Aが露出する構造となる。この構成では、連接領域におけるクラックの発生を完全に防止しつつ、突状部3Aによってシリコンウェハ5の露出を防ぎ、保護することができる。工程2で透明樹脂層を形成する際、表面張力等の関係によって、突状部3A上よりも隅部の方が若干厚くなる傾向がある。したがって、隅部上に透明樹脂層6を残してシリコンウェハ5を保護しつつ、突状部3A上の透明樹脂層6だけをドライエッチングで消失させることが可能である。
2 マイクロレンズ
3、3A 突状部
4 受光素子
5 シリコンウェハ
6 透明樹脂層
7 感光性レジスト層
8 レジストパターン
9 レンズ形状に変化させたレジストパターン(または熱フロー処理後のレジストパターン)
10 固体撮像素子
a レンズ形状に変化させたレジストパターンの厚さ(高さ)
b 透明樹脂層の厚さ
Claims (5)
- 複数の受光素子がマトリクス状に備えられた半導体基板と、複数の前記受光素子のそれぞれに対応して形成された複数のマイクロレンズとを有する固体撮像素子であって、
隣接する前記マイクロレンズが連接してなる連接領域を有し、
前記連接領域に、感光性樹脂からなる突状部が形成されており、
前記突状部は前記マイクロレンズの厚み以内の厚さであり、かつ前記マイクロレンズと同じ樹脂で覆われている、
固体撮像素子。 - 前記突状部を構成する樹脂の屈折率と前記マイクロレンズを構成する樹脂の屈折率との差が0.1以内である、
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記突状部を構成する樹脂の屈折率が、前記マイクロレンズを構成する樹脂よりも高い、
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 請求項1から3のいずれか一項に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記半導体基板上に感光性樹脂からなる突状部を形成する工程と、
前記半導体基板上に前記突状部を覆う透明樹脂層を形成する工程と、
前記透明樹脂層を用いて複数のマイクロレンズを形成する工程と、
を備える、
固体撮像素子の製造方法。 - 前記複数のマイクロレンズをドライエッチングにより形成する、
請求項4に記載の固体撮像素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020147599 | 2020-09-02 | ||
| JP2020147599 | 2020-09-02 | ||
| PCT/JP2021/032276 WO2022050345A1 (ja) | 2020-09-02 | 2021-09-02 | 固体撮像素子および製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2022050345A1 JPWO2022050345A1 (ja) | 2022-03-10 |
| JP7782449B2 true JP7782449B2 (ja) | 2025-12-09 |
Family
ID=80491092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022546967A Active JP7782449B2 (ja) | 2020-09-02 | 2021-09-02 | 固体撮像素子および製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7782449B2 (ja) |
| CN (1) | CN116113856A (ja) |
| WO (1) | WO2022050345A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN118974930A (zh) * | 2022-04-20 | 2024-11-15 | 索尼半导体解决方案公司 | 固态成像装置 |
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| WO2017073321A1 (ja) | 2015-10-26 | 2017-05-04 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
| JP2017120816A (ja) | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| WO2018193986A1 (ja) | 2017-04-17 | 2018-10-25 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
-
2021
- 2021-09-02 WO PCT/JP2021/032276 patent/WO2022050345A1/ja not_active Ceased
- 2021-09-02 JP JP2022546967A patent/JP7782449B2/ja active Active
- 2021-09-02 CN CN202180057935.1A patent/CN116113856A/zh active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116113856A (zh) | 2023-05-12 |
| WO2022050345A1 (ja) | 2022-03-10 |
| JPWO2022050345A1 (ja) | 2022-03-10 |
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