JP7747416B2 - Substrate Processing Equipment - Google Patents
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Description
本開示は、基板処理装置に関する。 This disclosure relates to a substrate processing apparatus.
特許文献１に記載の接合システムは、基板搬送装置と、表面改質装置と、ロードロック室と、表面親水化装置と、接合装置とを備える。基板搬送装置は、第１基板および第２基板を常圧雰囲気にて搬送する。表面改質装置は、第１基板および第２基板の接合される表面を減圧雰囲気にて改質する。ロードロック室は、室内において基板搬送装置と表面改質装置との間での第１基板および第２基板の受け渡しが行われるとともに、室内の雰囲気を大気雰囲気と減圧雰囲気との間で切り替え可能とされる。表面親水化装置は、改質された第１基板および第２基板の表面を親水化する。接合装置は、親水化された第１基板と第２基板とを分子間力により接合する。 The bonding system described in Patent Document 1 includes a substrate transfer device, a surface modification device, a load lock chamber, a surface hydrophilization device, and a bonding device. The substrate transfer device transfers the first and second substrates in an atmospheric pressure atmosphere. The surface modification device modifies the surfaces of the first and second substrates to be bonded in a reduced pressure atmosphere. The load lock chamber transfers the first and second substrates between the substrate transfer device and the surface modification device, and the atmosphere within the chamber can be switched between atmospheric and reduced pressure. The surface hydrophilization device hydrophilizes the modified surfaces of the first and second substrates. The bonding device bonds the hydrophilized first and second substrates using intermolecular forces.
本開示の一態様は、真空を破ることなく、減圧下で基板表面を改質することと、減圧下で基板表面を洗浄することとを実施する、技術を提供する。 One aspect of the present disclosure provides a technique for modifying a substrate surface under reduced pressure and cleaning the substrate surface under reduced pressure without breaking the vacuum.
本開示の一態様に係る基板処理装置は、基板を収容するカセットが載置される載置部と、常圧下で前記基板を搬送する第１常圧搬送部と、前記基板の周辺雰囲気を常圧雰囲気と減圧雰囲気とに切り替えるロードロック部と、減圧下で前記基板を搬送する減圧搬送部と、減圧下で前記基板の表面をプラズマで改質する表面改質部と、前記改質することの前と後の少なくとも一方で、減圧下で前記基板の前記表面にガスクラスターを照射することで前記表面をドライ洗浄するドライ洗浄部と、前記改質すること及び前記ドライ洗浄することの後に、前記表面同士を向かい合わせて前記基板同士を接合する接合部と、制御部と、を備える。前記第１常圧搬送部は、前記載置部と前記ロードロック部の間に挟んで配置され、且つ前記載置部と前記ロードロック部に隣接して配置される。前記減圧搬送部は、前記表面改質部と前記ドライ洗浄部と前記ロードロック部に隣接して配置される。前記制御部は、前記第１常圧搬送部が前記基板を前記載置部から前記ロードロック部に搬送すること、前記減圧搬送部が前記ロードロック部から前記基板を取り出し、前記表面改質部と前記ドライ洗浄部に所望の順番で搬送し、前記ロードロック部に戻すこと、及び前記第１常圧搬送部が前記ロードロック部から前記基板を取り出すことを実施する。
A substrate processing apparatus according to one aspect of the present disclosure includes a mounting unit on which a cassette containing substrates is mounted, a first atmospheric pressure transfer unit that transfers the substrates under atmospheric pressure, a load lock unit that switches the ambient atmosphere of the substrate between an atmospheric pressure atmosphere and a reduced pressure atmosphere, a reduced pressure transfer unit that transfers the substrates under reduced pressure, a surface modification unit that modifies a surface of the substrate with plasma under reduced pressure, a dry cleaning unit that dry-cleans the surface of the substrate by irradiating the surface of the substrate with gas clusters under reduced pressure at least before and after the modification, a bonding unit that bonds the substrates together with their surfaces facing each other after the modification and the dry cleaning, and a control unit. The first atmospheric pressure transfer unit is disposed between the mounting unit and the load lock unit and adjacent to the mounting unit and the load lock unit. The reduced pressure transfer unit is disposed adjacent to the surface modification unit, the dry cleaning unit, and the load lock unit. The control unit causes the first atmospheric pressure transfer unit to transfer the substrate from the placement unit to the load lock unit, the reduced pressure transfer unit to remove the substrate from the load lock unit, transport it to the surface modification unit and the dry cleaning unit in the desired order, and return it to the load lock unit, and the first atmospheric pressure transfer unit to remove the substrate from the load lock unit.
本開示の一態様によれば、真空を破ることなく、減圧下で基板表面を改質することと、減圧下で基板表面を洗浄することとを実施できる。 According to one aspect of the present disclosure, it is possible to modify a substrate surface under reduced pressure and clean the substrate surface under reduced pressure without breaking the vacuum.
以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。また、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向は互いに垂直な方向であり、Ｘ軸方向及びＹ軸方向は水平方向、Ｚ軸方向は鉛直方向である。 Embodiments of the present disclosure will be described below with reference to the drawings. Note that identical or corresponding components in each drawing will be assigned the same reference numerals, and descriptions thereof may be omitted. Furthermore, the X-axis, Y-axis, and Z-axis directions are perpendicular to one another, the X-axis and Y-axis directions are horizontal directions, and the Z-axis direction is vertical.
本明細書において、「常圧」とは８０ｋＰａ～１２０ｋＰａの圧力のことであり、「減圧」とは０Ｐａ～１ｋＰａの圧力のことである。「常圧雰囲気」と「減圧雰囲気」の雰囲気は、大気雰囲気でもよいし、不活性雰囲気でもよい。不活性雰囲気は、窒素ガス又は希ガスを含む。希ガスは、例えばアルゴンガスである。 In this specification, "normal pressure" refers to a pressure of 80 kPa to 120 kPa, and "reduced pressure" refers to a pressure of 0 Pa to 1 kPa. The "normal pressure atmosphere" and "reduced pressure atmosphere" may be either an air atmosphere or an inert atmosphere. An inert atmosphere includes nitrogen gas or a rare gas. An example of a rare gas is argon gas.
先ず、図１～図４を参照して、一実施形態に係る基板処理システム１について説明する。基板処理システム１は、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とを接合し、重合基板Ｔを作製する（図５参照）。 First, a substrate processing system 1 according to one embodiment will be described with reference to Figures 1 to 4. The substrate processing system 1 bonds a first substrate W1 and a second substrate W2 to produce a laminated substrate T (see Figure 5).
第１基板Ｗ１及び第２基板Ｗ２の少なくとも１つは、例えばシリコンウェハ又は化合物半導体ウェハなどの半導体基板に複数のデバイスが形成された基板である。デバイスは、電子回路を含む。第１基板Ｗ１及び第２基板Ｗ２の１つは、デバイスが形成されていないベアウェハであってもよい。第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とは、略同径を有する。化合物半導体ウェハは、特に限定されないが、例えばＧａＡｓウェハ、ＳｉＣウェハ、ＧａＮウェハ、又はＩｎＰウェハである。なお、半導体基板の代わりに、ガラス基板が用いられてもよい。 At least one of the first substrate W1 and the second substrate W2 is a semiconductor substrate, such as a silicon wafer or a compound semiconductor wafer, on which multiple devices are formed. The devices include electronic circuits. One of the first substrate W1 and the second substrate W2 may be a bare wafer on which no devices are formed. The first substrate W1 and the second substrate W2 have approximately the same diameter. The compound semiconductor wafer is not particularly limited, but may be, for example, a GaAs wafer, a SiC wafer, a GaN wafer, or an InP wafer. Note that a glass substrate may be used instead of a semiconductor substrate.
第１基板Ｗ１の板面のうち、第２基板Ｗ２と接合される側の板面を「接合面Ｗ１ｊ」と記載し、接合面Ｗ１ｊとは反対側の板面を「非接合面Ｗ１ｎ」と記載する。また、第２基板Ｗ２の板面のうち、第１基板Ｗ１と接合される側の板面を「接合面Ｗ２ｊ」と記載し、接合面Ｗ２ｊとは反対側の板面を「非接合面Ｗ２ｎ」と記載する。 Of the surfaces of the first substrate W1, the surface that is bonded to the second substrate W2 will be referred to as the "bonding surface W1j," and the surface opposite the bonding surface W1j will be referred to as the "non-bonding surface W1n." Furthermore, of the surfaces of the second substrate W2, the surface that is bonded to the first substrate W1 will be referred to as the "bonding surface W2j," and the surface opposite the bonding surface W2j will be referred to as the "non-bonding surface W2n."
図１及び図２に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３は、この順番で、Ｘ軸正方向に沿って並べて配置される。搬入出ステーション２と処理ステーション３は、一体的に接続される。 As shown in Figures 1 and 2, the substrate processing system 1 includes a loading/unloading station 2 and a processing station 3. The loading/unloading station 2 and the processing station 3 are arranged in this order along the positive direction of the X-axis. The loading/unloading station 2 and the processing station 3 are integrally connected.
搬入出ステーション２は、載置台１０と、第１常圧搬送装置２０とを備える。載置台１０には、複数枚（例えば２５枚）の基板を水平状態で収容するカセットＣ１、Ｃ２、Ｃ３がそれぞれ載置される。カセットＣ１は第１基板Ｗ１を収容するカセットであり、カセットＣ２は第２基板Ｗ２を収容するカセットであり、カセットＣ３は重合基板Ｔを収容するカセットである。なお、カセットＣ１、Ｃ２において、第１基板Ｗ１及び第２基板Ｗ２は、それぞれ接合面Ｗ１ｊ、Ｗ２ｊを上面にした状態で向きを揃えて収容される。 The loading/unloading station 2 comprises a mounting table 10 and a first atmospheric pressure transfer device 20. Cassettes C1, C2, and C3, each containing a plurality of substrates (e.g., 25 substrates) in a horizontal position, are placed on the mounting table 10. Cassette C1 contains the first substrate W1, cassette C2 contains the second substrate W2, and cassette C3 contains the superimposed substrate T. In cassettes C1 and C2, the first substrate W1 and second substrate W2 are stored with their respective bonding surfaces W1j and W2j facing upward and aligned.
第１常圧搬送装置２０は、常圧下で第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２又は重合基板Ｔを搬送する。第１常圧搬送装置２０は、載置台１０と後述するロードロック装置３１の間に挟んで配置され、且つ載置台１０とロードロック装置３１に隣接して配置される。 The first atmospheric pressure transfer device 20 transfers the first substrate W1, the second substrate W2, or the laminated substrate T under atmospheric pressure. The first atmospheric pressure transfer device 20 is disposed between the mounting table 10 and the load lock device 31 (described later), and is disposed adjacent to the mounting table 10 and the load lock device 31.
第１常圧搬送装置２０は、Ｙ軸方向に延在する搬送路２０ａと、この搬送路２０ａに沿って移動可能な搬送アーム２０ｂと、を有する。搬送アーム２０ｂは、Ｙ軸方向だけではなくＸ軸方向にも移動可能であり、また、Ｚ軸周りに旋回可能である。搬送アーム２０ｂは、第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２又は重合基板Ｔを保持する。搬送アーム２０ｂの数は、複数であってもよい。搬送アーム２０ｂは、搬送路２０ａに隣接する所定の装置に第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２又は重合基板Ｔを搬送する。搬送路２０ａは、常圧雰囲気である。 The first atmospheric pressure transfer device 20 has a transfer path 20a extending in the Y-axis direction and a transfer arm 20b that can move along this transfer path 20a. The transfer arm 20b can move not only in the Y-axis direction but also in the X-axis direction, and can also rotate around the Z-axis. The transfer arm 20b holds the first substrate W1, the second substrate W2, or the superimposed substrate T. There may be multiple transfer arms 20b. The transfer arm 20b transfers the first substrate W1, the second substrate W2, or the superimposed substrate T to a predetermined device adjacent to the transfer path 20a. The transfer path 20a is in an atmospheric pressure atmosphere.
なお、載置台１０上に載置されるカセットＣ１～Ｃ３の個数は、図示のものに限定されない。また、載置台１０上には、カセットＣ１、Ｃ２、Ｃ３以外に、不具合の生じた基板を回収するためのカセット等が載置されてもよい。 Note that the number of cassettes C1 to C3 placed on the mounting table 10 is not limited to that shown in the figure. Furthermore, in addition to cassettes C1, C2, and C3, cassettes for recovering defective substrates may also be placed on the mounting table 10.
処理ステーション３には、例えば４つの処理ブロックＧ１～Ｇ４が設けられる。第１処理ブロックＧ１は、第１常圧搬送装置２０に隣接して配置される。第１処理ブロックＧ１を挟んで第１常圧搬送装置２０とは反対側（Ｘ軸正方向側）には、第２処理ブロックＧ２と第３処理ブロックＧ３と第４処理ブロックＧ４がこの順番でＹ軸負方向に沿って設けられる。なお、第１処理ブロックＧ１は、処理ステーション３の一部であるが、搬入出ステーション２の一部であってもよい。 The processing station 3 is provided with, for example, four processing blocks G1 to G4. The first processing block G1 is arranged adjacent to the first atmospheric pressure transfer device 20. On the opposite side of the first processing block G1 from the first atmospheric pressure transfer device 20 (the positive X-axis side), the second processing block G2, third processing block G3, and fourth processing block G4 are arranged in this order along the negative Y-axis. Note that the first processing block G1 is part of the processing station 3, but may also be part of the loading/unloading station 2.
主に図２及び図３に示すように、第１処理ブロックＧ１には、例えば、ロードロック装置３１と、第１トランジション装置４１と、第１アライメント装置４２と、第２アライメント装置４３と、第２トランジション装置４４と、バッファ装置４５（図１参照）と、が配置される。なお、第１処理ブロックＧ１における装置の配置及び数は、特に限定されない。 As shown primarily in Figures 2 and 3, the first processing block G1 is equipped with, for example, a load lock device 31, a first transition device 41, a first alignment device 42, a second alignment device 43, a second transition device 44, and a buffer device 45 (see Figure 1). The arrangement and number of devices in the first processing block G1 are not particularly limited.
図２に示すように、ロードロック装置３１は、第１常圧搬送装置２０と減圧搬送装置３２の間に挟んで配置される。ロードロック装置３１は、第１常圧搬送装置２０と減圧搬送装置３２に隣接しており、第１常圧搬送装置２０と減圧搬送装置３２との間で第１基板Ｗ１又は第２基板Ｗ２を中継するトランジション装置の役割を有する。 As shown in FIG. 2, the load lock device 31 is disposed between the first atmospheric pressure transfer device 20 and the reduced pressure transfer device 32. The load lock device 31 is adjacent to the first atmospheric pressure transfer device 20 and the reduced pressure transfer device 32, and serves as a transition device that relays the first substrate W1 or the second substrate W2 between the first atmospheric pressure transfer device 20 and the reduced pressure transfer device 32.
ロードロック装置３１は、第１基板Ｗ１又は第２基板Ｗ２の周辺雰囲気を常圧雰囲気と減圧雰囲気とに切り替える。ロードロック装置３１は、ロードロック室を内部に形成する処理容器と、ロードロック室の圧力を調節する調圧機構と、を有する。ロードロック室には、第１基板Ｗ１又は第２基板Ｗ２を載置する載置台が設けられる。調圧機構は、例えば、ロードロック室のガスを排出する排気機構と、ロードロック室にガスを供給する給気機構とを有する。調圧機構は、ロードロック室の雰囲気を常圧雰囲気と減圧雰囲気とに切り替える。 The load lock device 31 switches the ambient atmosphere around the first substrate W1 or second substrate W2 between a normal pressure atmosphere and a reduced pressure atmosphere. The load lock device 31 has a processing vessel that forms a load lock chamber therein, and a pressure adjustment mechanism that adjusts the pressure in the load lock chamber. The load lock chamber is provided with a mounting table on which the first substrate W1 or second substrate W2 is placed. The pressure adjustment mechanism has, for example, an exhaust mechanism that exhausts gas from the load lock chamber, and an air supply mechanism that supplies gas to the load lock chamber. The pressure adjustment mechanism switches the atmosphere in the load lock chamber between a normal pressure atmosphere and a reduced pressure atmosphere.
第２常圧搬送装置５０と減圧搬送装置３２の間にロードロック装置３１を配置することで、減圧搬送装置３２とドライ洗浄装置３３と表面改質装置３４の各々の処理室を減圧雰囲気に維持できる。減圧搬送装置３２は、ロードロック装置３１とドライ洗浄装置３３と表面改質装置３４に隣接しており、これら３１、３３、３４に対して減圧下で第１基板Ｗ１又は第２基板Ｗ２を搬送する。 By placing the load lock device 31 between the second normal pressure transfer device 50 and the reduced pressure transfer device 32, the processing chambers of the reduced pressure transfer device 32, dry cleaning device 33, and surface modification device 34 can be maintained at a reduced pressure. The reduced pressure transfer device 32 is adjacent to the load lock device 31, dry cleaning device 33, and surface modification device 34, and transfers the first substrate W1 or second substrate W2 to these devices 31, 33, and 34 under reduced pressure.
図３に示すように、第１トランジション装置４１は、第１常圧搬送装置２０と後述する第２常圧搬送装置５０との間で、第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２、又は重合基板Ｔを中継する。複数の第１トランジション装置４１が鉛直方向に積層されてもよい。 As shown in FIG. 3, the first transition device 41 relays the first substrate W1, the second substrate W2, or the laminated substrate T between the first atmospheric pressure transfer device 20 and the second atmospheric pressure transfer device 50 described below. Multiple first transition devices 41 may be stacked vertically.
第１アライメント装置４２は、第１基板Ｗ１を鉛直軸周りに回転することで第１基板Ｗ１の水平方向の向きを調節する。例えば、第１アライメント装置４２は、第１基板Ｗ１を鉛直軸周りに回転しながら、第１基板Ｗ１のノッチを検出することで、第１基板Ｗ１のノッチを所定の方位に向ける。また、第１アライメント装置４２は、第１基板Ｗ１を上下反転することで、第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ｊを下向きにする。 The first alignment device 42 adjusts the horizontal orientation of the first substrate W1 by rotating the first substrate W1 around a vertical axis. For example, the first alignment device 42 detects the notch of the first substrate W1 while rotating the first substrate W1 around a vertical axis, thereby orienting the notch of the first substrate W1 in a predetermined direction. The first alignment device 42 also turns the first substrate W1 upside down so that the bonding surface W1j of the first substrate W1 faces downward.
第２アライメント装置４３は、第２基板Ｗ２を鉛直軸周りに回転することで第２基板Ｗ２の水平方向の向きを調節する。例えば、第２アライメント装置４３は、第２基板Ｗ２を鉛直軸周りに回転しながら、第２基板Ｗ２のノッチを検出することで、第２基板Ｗ２のノッチを所定の方位に向ける。第２アライメント装置４３は、第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ｊを上向きのまま維持する。 The second alignment device 43 adjusts the horizontal orientation of the second substrate W2 by rotating the second substrate W2 around a vertical axis. For example, the second alignment device 43 detects the notch of the second substrate W2 while rotating the second substrate W2 around a vertical axis, thereby orienting the notch of the second substrate W2 in a predetermined direction. The second alignment device 43 keeps the bonding surface W2j of the second substrate W2 facing upward.
第１トランジション装置４１と、第１アライメント装置４２と、第２アライメント装置４３とは、積層されてもよい。その積層の順番は、特に限定されない。また、第１アライメント装置４２と第２アライメント装置４３は、後述する接合装置３６に内蔵されてもよい。 The first transition device 41, the first alignment device 42, and the second alignment device 43 may be stacked. The order in which they are stacked is not particularly limited. In addition, the first alignment device 42 and the second alignment device 43 may be built into the bonding device 36, which will be described later.
図２に示すように、第２トランジション装置４４は、第１常圧搬送装置２０と後述する接合装置３６の内部搬送装置６０との間で、第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２、又は重合基板Ｔを中継する。複数の第２トランジション装置４４が鉛直方向に積層されてもよい。なお、接合装置３６が内部搬送装置６０を有しない場合、第２トランジション装置４４は不要である。 As shown in FIG. 2, the second transition device 44 relays the first substrate W1, the second substrate W2, or the laminated substrate T between the first atmospheric pressure transfer device 20 and the internal transfer device 60 of the bonding device 36 described below. Multiple second transition devices 44 may be stacked vertically. Note that if the bonding device 36 does not have an internal transfer device 60, the second transition device 44 is not necessary.
バッファ装置４５（図１参照）は、第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２、又は重合基板Ｔを一時的に収容する。複数のバッファ装置４５が鉛直方向に積層されてもよい。バッファ装置４５は本実施形態では第２トランジション装置４４の上方に配置されるが、その配置は特に限定されない。 The buffer device 45 (see FIG. 1) temporarily stores the first substrate W1, the second substrate W2, or the laminated substrate T. Multiple buffer devices 45 may be stacked vertically. In this embodiment, the buffer device 45 is disposed above the second transition device 44, but its location is not particularly limited.
主に図２及び図４に示すように、第２処理ブロックＧ２には、例えば、減圧搬送装置３２と、表面改質装置３４と、表面親水化装置３５と、が配置される。図４に示すように、減圧搬送装置３２及び表面改質装置３４と、表面親水化装置３５とは異なる階層に配置される。例えば、減圧搬送装置３２と表面改質装置３４は下層に配置され、表面親水化装置３５は上層に配置される。その配置は逆でもよく、減圧搬送装置３２と表面改質装置３４は上層に配置され、表面親水化装置３５は下層に配置されてもよい。なお、第２処理ブロックＧ２における装置の配置及び数は、特に限定されない。 As shown primarily in Figures 2 and 4, the second processing block G2 is equipped with, for example, a reduced pressure conveying device 32, a surface modification device 34, and a surface hydrophilization device 35. As shown in Figure 4, the reduced pressure conveying device 32 and the surface modification device 34 are arranged on different levels from the surface hydrophilization device 35. For example, the reduced pressure conveying device 32 and the surface modification device 34 are arranged on the lower level, and the surface hydrophilization device 35 is arranged on the upper level. This arrangement may be reversed, with the reduced pressure conveying device 32 and the surface modification device 34 arranged on the upper level, and the surface hydrophilization device 35 arranged on the lower level. The arrangement and number of devices in the second processing block G2 are not particularly limited.
減圧搬送装置３２（図２参照）は、減圧下で第１基板Ｗ１又は第２基板Ｗ２を搬送する。減圧搬送装置３２は、ロードロック装置３１とドライ洗浄装置３３と表面改質装置３４に隣接して配置される。減圧搬送装置３２は、減圧室３２ａと、搬送アーム３２ｂと、を有する。減圧室３２ａは、異なるゲートバルブＧＶを介して、ロードロック装置３１とドライ洗浄装置３３と表面改質装置３４に接続されている。搬送アーム３２ｂは、第１基板Ｗ１又は第２基板Ｗ２を保持する。搬送アーム３２ｂは、鉛直方向及び水平方向に移動可能に、且つ鉛直軸周りに回転可能に配置される。搬送アーム３２ｂは、減圧室３２ａに隣接する所定の装置に第１基板Ｗ１又は第２基板Ｗ２を搬送する。搬送アーム３２ｂの数は複数であってもよい。 The reduced-pressure transfer device 32 (see FIG. 2) transfers the first substrate W1 or the second substrate W2 under reduced pressure. The reduced-pressure transfer device 32 is arranged adjacent to the load lock device 31, the dry cleaning device 33, and the surface modification device 34. The reduced-pressure transfer device 32 has a reduced-pressure chamber 32a and a transfer arm 32b. The reduced-pressure chamber 32a is connected to the load lock device 31, the dry cleaning device 33, and the surface modification device 34 via different gate valves GV. The transfer arm 32b holds the first substrate W1 or the second substrate W2. The transfer arm 32b is arranged to be movable vertically and horizontally and rotatable around a vertical axis. The transfer arm 32b transfers the first substrate W1 or the second substrate W2 to a predetermined device adjacent to the reduced-pressure chamber 32a. There may be multiple transfer arms 32b.
表面改質装置３４（図２参照）は、減圧下で第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ｊ又は第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ｊをプラズマで改質する。例えば、表面改質装置３４は、接合面Ｗ１ｊ、Ｗ２ｊにおけるＳｉＯ２の結合を切断し、Ｓｉの未結合手を形成し、その後の親水化を可能にする。表面改質装置３４では、例えば減圧下において処理ガスである酸素ガスが励起されてプラズマ化され、イオン化される。酸素イオンが接合面Ｗ１ｊ、Ｗ２ｊに照射されることにより、接合面Ｗ１ｊ、Ｗ２ｊがプラズマ処理されて改質される。処理ガスは、酸素ガスには限定されず、例えば窒素ガスなどでもよい。 The surface modification device 34 (see FIG. 2) modifies the bonding surface W1j of the first substrate W1 or the bonding surface W2j of the second substrate W2 with plasma under reduced pressure. For example, the surface modification device 34 breaks SiO2 bonds on the bonding surfaces W1j and W2j, forming dangling Si bonds and enabling subsequent hydrophilization. In the surface modification device 34, oxygen gas, which is a processing gas, is excited to plasma and ionized under reduced pressure, for example. The oxygen ions are irradiated onto the bonding surfaces W1j and W2j, thereby subjecting the bonding surfaces W1j and W2j to plasma processing and modification. The processing gas is not limited to oxygen gas and may be, for example, nitrogen gas.
表面親水化装置３５（図４参照）は、常圧下で第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ｊ又は第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ｊにＯＨ基を付与する。表面親水化装置３５は、例えばスピンチャックに保持されている第１基板Ｗ１又は第２基板Ｗ２を回転させながら、当該第１基板Ｗ１又は第２基板Ｗ２上に純水（例えば脱イオン水）を供給する。純水は、遠心力によって接合面Ｗ１ｊ、Ｗ２ｊ上を拡散し、Ｓｉの未結合手にＯＨ基を付与し、接合面Ｗ１ｊ、Ｗ２ｊを親水化する。表面親水化装置３５は、接合面Ｗ１ｊ、Ｗ２ｊを洗浄する役割も有する。 The surface hydrophilization device 35 (see FIG. 4) adds OH groups to the bonding surface W1j of the first substrate W1 or the bonding surface W2j of the second substrate W2 under normal pressure. The surface hydrophilization device 35 supplies pure water (e.g., deionized water) onto the first substrate W1 or the second substrate W2 while rotating the first substrate W1 or the second substrate W2, which is held, for example, on a spin chuck. The pure water diffuses over the bonding surfaces W1j, W2j by centrifugal force, adding OH groups to the dangling Si bonds and hydrophilizing the bonding surfaces W1j, W2j. The surface hydrophilization device 35 also serves to clean the bonding surfaces W1j, W2j.
図４に示すように、第３処理ブロックＧ３には、例えば、ドライ洗浄装置３３と、第２常圧搬送装置５０と、が配置される。ドライ洗浄装置３３と、第２常圧搬送装置５０とは異なる階層に配置される。例えば、ドライ洗浄装置３３は下層に配置され、第２常圧搬送装置５０は上層に配置される。その配置は逆でもよく、ドライ洗浄装置３３は上層に配置され、第２常圧搬送装置５０は下層に配置されてもよい。ドライ洗浄装置３３が減圧搬送装置３２及び表面改質装置３４と同じ階層に配置されればよい。なお、第３処理ブロックＧ３における装置の配置及び数は、特に限定されない。 As shown in FIG. 4, the third processing block G3 is provided with, for example, a dry cleaning device 33 and a second atmospheric pressure transfer device 50. The dry cleaning device 33 and the second atmospheric pressure transfer device 50 are arranged on different levels. For example, the dry cleaning device 33 is arranged on the lower level and the second atmospheric pressure transfer device 50 is arranged on the upper level. The arrangement may be reversed, with the dry cleaning device 33 arranged on the upper level and the second atmospheric pressure transfer device 50 arranged on the lower level. It is sufficient that the dry cleaning device 33 is arranged on the same level as the reduced pressure transfer device 32 and the surface modification device 34. There are no particular restrictions on the arrangement and number of devices in the third processing block G3.
ドライ洗浄装置３３は、減圧下で第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ｊ又は第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ｊにガスクラスターを照射することで、接合面Ｗ１ｊ、Ｗ２ｊをドライ洗浄する。ドライ洗浄装置３３は、常圧よりも低い圧力に減圧される処理室を内部に形成する処理容器と、処理室にて基板を保持する保持部と、保持部で保持されている基板表面に向けてガスを噴射するノズルと、を備える。ガスは、原料ガスを含む。原料ガスは、ノズルから噴射され、予め減圧された処理室で断熱膨張することで、凝縮温度まで冷却され、分子または原子の集合体であるガスクラスターを形成する。原料ガスは、例えば二酸化炭素（ＣＯ２）ガスおよびアルゴン（Ａｒ）ガスから選ばれる少なくとも１つを含む。 The dry cleaning apparatus 33 dry-cleans the bonding surfaces W1j, W2j of the first substrate W1 or the second substrate W2 by irradiating the bonding surface W1j, W2j of the second substrate W2 with gas clusters under reduced pressure. The dry cleaning apparatus 33 includes a processing vessel having a processing chamber formed therein that is depressurized to a pressure lower than atmospheric pressure, a holder that holds the substrate in the processing chamber, and a nozzle that sprays gas toward the surface of the substrate held by the holder. The gas includes a source gas. The source gas is sprayed from the nozzle and adiabatically expands in the pre-depressurized processing chamber, thereby being cooled to a condensation temperature and forming gas clusters, which are aggregates of molecules or atoms. The source gas includes, for example, at least one selected from carbon dioxide (CO 2 ) gas and argon (Ar) gas.
ガスは、原料ガスに加えて、キャリアガスを含んでもよい。キャリアガスは、原料ガスの分圧を下げることで、ノズルの内部での原料ガスの液化を抑制する。また、キャリアガスは、ノズルに対するガスの供給圧を所望の気圧まで高めることで、原料ガスの加速を高め、ガスクラスターの成長を促す。キャリアガスは、原料ガスよりも小さな分子量または原子量を有する。それゆえ、キャリアガスは、原料ガスよりも高い凝縮温度を有する。従って、キャリアガスは、ガスクラスターを形成しない。キャリアガスは、例えば水素（Ｈ２）ガスおよびヘリウム（Ｈｅ）ガスから選ばれる少なくとも１つを含む。 The gas may contain a carrier gas in addition to the source gas. The carrier gas reduces the partial pressure of the source gas, thereby suppressing liquefaction of the source gas inside the nozzle. The carrier gas also increases the gas supply pressure to the nozzle to a desired pressure, thereby increasing the acceleration of the source gas and promoting the growth of gas clusters. The carrier gas has a smaller molecular weight or atomic weight than the source gas. Therefore, the carrier gas has a higher condensation temperature than the source gas. Therefore, the carrier gas does not form gas clusters. The carrier gas includes, for example, at least one selected from hydrogen (H 2 ) gas and helium (He) gas.
ガスクラスターは、接合面Ｗ１ｊ、Ｗ２ｊに付着したパーティクルに衝突し、パーティクルを吹き飛ばす。ガスクラスターは、パーティクルに直接衝突しなくてもよい。ガスクラスターは、衝突位置周辺のパーティクルをも吹き飛ばすことができる。ガスクラスターは、衝突によって高温になるので、バラバラに分解され、処理容器の排気口から排気される。吹き飛ばしたパーティクルも、処理容器の排気口から排出される。 The gas clusters collide with particles adhering to the bonding surfaces W1j and W2j, blowing them away. The gas clusters do not have to collide directly with the particles. They can also blow away particles around the collision point. The gas clusters become so hot upon collision that they break down into pieces and are exhausted from the exhaust port of the processing vessel. The blown-away particles are also discharged from the exhaust port of the processing vessel.
ドライ洗浄装置３３は、接合面Ｗ１ｊ、Ｗ２ｊに対して垂直にガスクラスターを照射する。接合面Ｗ１ｊ、Ｗ２ｊには、複数の電子回路が予め形成されており、凹凸パターンが予め形成されている。接合面Ｗ１ｊ、Ｗ２ｊに対して垂直にガスクラスターを照射すれば、ガスクラスターの衝突による凹凸パターンの倒壊を抑制でき、また、凸部のみならず凹部の内部からもパーティクルを除去できる。 The dry cleaning device 33 irradiates the bonding surfaces W1j and W2j with gas clusters perpendicular to the bonding surfaces. Multiple electronic circuits are pre-formed on the bonding surfaces W1j and W2j, and a concave-convex pattern is pre-formed on the surfaces. By irradiating the bonding surfaces W1j and W2j with gas clusters perpendicular to the bonding surfaces, it is possible to prevent the concave-convex pattern from collapsing due to the collision of gas clusters, and it is also possible to remove particles not only from the convex portions but also from inside the concave portions.
近年、電子回路の微細化が進んでいる。ガスクラスターを照射することで基板表面を洗浄すれば、基板表面に形成される微細な凹凸パターンの倒壊を抑制でき、また、幅の狭い凹部の内部に入り込んだパーティクルをも除去できる。さらに、ウェット洗浄ではなくドライ洗浄であるので、基板表面を乾燥する工程を省略できる。さらにまた、ウェット洗浄ではなくドライ洗浄であるので、真空を破ることなく、接合面Ｗ１ｊ、Ｗ２ｊのドライ洗浄と表面改質を続けて実施できる。 In recent years, electronic circuits have become increasingly miniaturized. Cleaning the substrate surface by irradiating it with gas clusters can prevent the collapse of the fine uneven patterns formed on the substrate surface and can also remove particles that have become lodged inside narrow recesses. Furthermore, because dry cleaning is used rather than wet cleaning, the process of drying the substrate surface can be omitted. Furthermore, because dry cleaning is used rather than wet cleaning, dry cleaning and surface modification of the bonding surfaces W1j and W2j can be performed consecutively without breaking the vacuum.
第２常圧搬送装置５０は、Ｘ軸方向に延在する搬送路５０ａと、この搬送路５０ａに沿って移動可能な搬送アーム５０ｂと、を有する。搬送アーム５０ｂは、Ｘ軸方向だけではなくＹ軸方向にも移動可能であり、また、Ｚ軸周りに旋回可能である。搬送アーム５０ｂは、第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２又は重合基板Ｔを保持する。搬送アーム５０ｂの数は、複数であってもよい。搬送アーム５０ｂは、搬送路５０ａに隣接する所定の装置に第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２又は重合基板Ｔを搬送する。搬送路５０ａは、常圧雰囲気である。 The second atmospheric pressure transfer device 50 has a transfer path 50a extending in the X-axis direction and a transfer arm 50b that can move along this transfer path 50a. The transfer arm 50b can move not only in the X-axis direction but also in the Y-axis direction, and can also rotate around the Z-axis. The transfer arm 50b holds the first substrate W1, the second substrate W2, or the superimposed substrate T. There may be multiple transfer arms 50b. The transfer arm 50b transfers the first substrate W1, the second substrate W2, or the superimposed substrate T to a predetermined device adjacent to the transfer path 50a. The transfer path 50a is in an atmospheric pressure atmosphere.
図２に示すように、第４処理ブロックＧ４には、例えば、接合装置３６が配置される。なお、第４処理ブロックＧ４における装置の配置及び数は、特に限定されない。 As shown in FIG. 2, for example, a joining device 36 is arranged in the fourth processing block G4. Note that the arrangement and number of devices in the fourth processing block G4 are not particularly limited.
接合装置３６は、常圧下で接合面Ｗ１ｊ、Ｗ２ｊ同士を向かい合わせて第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とを接合し、重合基板Ｔを作製する。接合時に、第１基板Ｗ１は第２基板Ｗ２の上方に配置される。第１基板Ｗ１は予め上下反転されており、第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ｊは下向きになっている。第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ｊは上向きになっている。 The bonding device 36 bonds the first substrate W1 and the second substrate W2 under normal pressure with the bonding surfaces W1j and W2j facing each other, to produce a laminated substrate T. During bonding, the first substrate W1 is positioned above the second substrate W2. The first substrate W1 is previously inverted upside down, with the bonding surface W1j of the first substrate W1 facing downwards. The bonding surface W2j of the second substrate W2 facing upwards.
接合装置３６は、先ず、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２の少なくとも一方を変形させることで、接合面Ｗ１ｊ、Ｗ２ｊの中央部同士を接触させる。その後、接合装置３６は、接合面Ｗ１ｊ、Ｗ２ｊの互いに接触する領域を径方向内側から径方向外側に広げ、接合面Ｗ１ｊ、Ｗ２ｊ同士を全面で当接させる。 The bonding device 36 first deforms at least one of the first substrate W1 and the second substrate W2, bringing the central portions of the bonding surfaces W1j and W2j into contact with each other. The bonding device 36 then expands the contact area of the bonding surfaces W1j and W2j from the radially inner side to the radially outer side, bringing the entire surfaces of the bonding surfaces W1j and W2j into contact with each other.
接合面Ｗ１ｊ、Ｗ２ｊは改質済みであるので、接合面Ｗ１ｊ、Ｗ２ｊ間にファンデルワールス力（分子間力）が生じ、接合面Ｗ１ｊ、Ｗ２ｊ同士が結合する。さらに、接合面Ｗ１ｊ、Ｗ２ｊは親水化済みであるので、親水基（例えばＯＨ基）が水素結合し、接合面Ｗ１ｊ、Ｗ２ｊ同士が強固に結合する。 Because the bonding surfaces W1j and W2j have been modified, van der Waals forces (intermolecular forces) are generated between the bonding surfaces W1j and W2j, bonding the bonding surfaces W1j and W2j together. Furthermore, because the bonding surfaces W1j and W2j have been hydrophilized, hydrophilic groups (e.g., OH groups) form hydrogen bonds, firmly bonding the bonding surfaces W1j and W2j together.
接合装置３６は、内部搬送装置６０を有してもよい。内部搬送装置６０は、Ｘ軸方向に延在する搬送路６０ａと、この搬送路６０ａに沿って移動可能な搬送アーム６０ｂと、を有する。搬送アーム６０ｂは、第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２又は重合基板Ｔを保持する。搬送アーム６０ｂは、搬送路６０ａのＸ軸方向両端に設けられる所定の装置に第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２又は重合基板Ｔを搬送する。搬送路６０ａは、常圧雰囲気である。内部搬送装置６０は無くてもよいが、内部搬送装置６０が有れば、スループットを向上できる。 The bonding device 36 may have an internal transfer device 60. The internal transfer device 60 has a transfer path 60a extending in the X-axis direction and a transfer arm 60b that can move along this transfer path 60a. The transfer arm 60b holds the first substrate W1, the second substrate W2, or the superimposed substrate T. The transfer arm 60b transfers the first substrate W1, the second substrate W2, or the superimposed substrate T to a predetermined device provided at both ends of the transfer path 60a in the X-axis direction. The transfer path 60a is in a normal pressure atmosphere. The internal transfer device 60 is not necessary, but having the internal transfer device 60 can improve throughput.
基板処理システム１は、制御装置９０を備える。制御装置９０は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）９１と、メモリ等の記憶媒体９２とを備える。記憶媒体９２には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御装置９０は、記憶媒体９２に記憶されたプログラムをＣＰＵ９１に実行させることにより、基板処理システム１の動作を制御する。 The substrate processing system 1 includes a control device 90. The control device 90 is, for example, a computer, and includes a CPU (Central Processing Unit) 91 and a storage medium 92 such as a memory. The storage medium 92 stores programs that control the various processes performed in the substrate processing system 1. The control device 90 controls the operation of the substrate processing system 1 by having the CPU 91 execute the programs stored in the storage medium 92.
次に、図６を参照して、一実施形態に係る基板処理方法について説明する。基板処理方法は、例えばステップＳ１０１～Ｓ１０７を有する。ステップＳ１０１～Ｓ１０７は、制御装置９０による制御下で実施される。なお、基板処理方法は、ステップＳ１０１～Ｓ１０７の全てを有しなくてもよい。例えば、基板処理方法は、ステップＳ１０２とステップＳ１０４の少なくとも一方を有すればよい。また、基板処理方法は、ステップＳ１０１～Ｓ１０７以外の処理を有してもよい。 Next, a substrate processing method according to one embodiment will be described with reference to FIG. 6. The substrate processing method includes, for example, steps S101 to S107. Steps S101 to S107 are performed under the control of the control device 90. Note that the substrate processing method does not have to include all of steps S101 to S107. For example, the substrate processing method may include at least one of steps S102 and S104. Furthermore, the substrate processing method may include processes other than steps S101 to S107.
先ず、複数枚の第１基板Ｗ１を収容したカセットＣ１、複数枚の第２基板Ｗ２を収容したカセットＣ２、及び空のカセットＣ３が、搬入出ステーション２の載置台１０上に載置される。 First, a cassette C1 containing multiple first substrates W1, a cassette C2 containing multiple second substrates W2, and an empty cassette C3 are placed on the loading/unloading station 2's loading table 10.
次に、第１常圧搬送装置２０が、カセットＣ１内の第１基板Ｗ１を取り出し、第１処理ブロックＧ１のロードロック装置３１に搬送する。 Next, the first atmospheric pressure transfer device 20 removes the first substrate W1 from the cassette C1 and transfers it to the load lock device 31 in the first processing block G1.
次に、ロードロック装置３１が、第１基板Ｗ１の周辺雰囲気を常圧雰囲気から減圧雰囲気に切り替える（ステップＳ１０１）。その後、減圧搬送装置３２が、ロードロック装置３１から第１基板Ｗ１を取り出し、ドライ洗浄装置３３に搬送する。減圧搬送装置３２は、減圧下で第１基板Ｗ１を搬送する。 Next, the load lock device 31 switches the ambient atmosphere around the first substrate W1 from normal pressure to a reduced pressure atmosphere (step S101). The reduced pressure transfer device 32 then removes the first substrate W1 from the load lock device 31 and transfers it to the dry cleaning device 33. The reduced pressure transfer device 32 transfers the first substrate W1 under reduced pressure.
次に、ドライ洗浄装置３３が、減圧下で第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ｊに対してガスクラスターを照射することで、接合面Ｗ１ｊをドライ洗浄する（ステップＳ１０２）。表面改質（ステップＳ１０３）の前に、真空を破ることなく、減圧雰囲気のまま接合面Ｗ１ｊの清浄度を向上でき、表面改質の効果を向上できる。その後、減圧搬送装置３２が、ドライ洗浄装置３３から第１基板Ｗ１を取り出し、表面改質装置３４に搬送する。 Next, the dry cleaning device 33 irradiates the bonding surface W1j of the first substrate W1 with gas clusters under reduced pressure, thereby dry-cleaning the bonding surface W1j (step S102). Prior to the surface modification (step S103), the cleanliness of the bonding surface W1j can be improved in a reduced pressure atmosphere without breaking the vacuum, thereby improving the effectiveness of the surface modification. The reduced pressure transfer device 32 then removes the first substrate W1 from the dry cleaning device 33 and transfers it to the surface modification device 34.
次に、表面改質装置３４が、減圧下で第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ｊをプラズマで改質する（ステップＳ１０３）。その後のＯＨ基の付与（ステップＳ１０６）が可能になる。表面改質（ステップＳ１０３）の後、減圧搬送装置３２が、表面改質装置３４から第１基板Ｗ１を取り出し、ドライ洗浄装置３３に搬送する。 Next, the surface modification device 34 modifies the bonding surface W1j of the first substrate W1 with plasma under reduced pressure (step S103). This enables the subsequent addition of OH groups (step S106). After the surface modification (step S103), the reduced-pressure transfer device 32 removes the first substrate W1 from the surface modification device 34 and transfers it to the dry cleaning device 33.
次に、ドライ洗浄装置３３が、減圧下で第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ｊに対してガスクラスターを照射することで、接合面Ｗ１ｊをドライ洗浄する（ステップＳ１０４）。表面改質（ステップＳ１０３）の後に、真空を破ることなく、減圧雰囲気のまま接合面Ｗ１ｊの清浄度を向上でき、表面改質の効果を向上できる。その後、減圧搬送装置３２が、ドライ洗浄装置３３から第１基板Ｗ１を取り出し、ロードロック装置３１に搬送する。 Next, the dry cleaning device 33 irradiates the bonding surface W1j of the first substrate W1 with gas clusters under reduced pressure, thereby dry-cleaning the bonding surface W1j (step S104). After the surface modification (step S103), the cleanliness of the bonding surface W1j can be improved in the reduced pressure atmosphere without breaking the vacuum, thereby improving the effectiveness of the surface modification. The reduced pressure transfer device 32 then removes the first substrate W1 from the dry cleaning device 33 and transfers it to the load lock device 31.
次に、ロードロック装置３１が、第１基板Ｗ１の周辺雰囲気を減圧雰囲気から常圧雰囲気に切り替える（ステップＳ１０５）。その後、第１常圧搬送装置２０が、ロードロック装置３１から第１基板Ｗ１を取り出し、第１トランジション装置４１に搬送する。続いて、第２常圧搬送装置５０が、第１トランジション装置４１から第１基板Ｗ１を取り出し、表面親水化装置３５に搬送する。 Next, the load lock device 31 switches the ambient atmosphere around the first substrate W1 from a reduced pressure atmosphere to an atmospheric pressure atmosphere (step S105). The first atmospheric pressure transfer device 20 then removes the first substrate W1 from the load lock device 31 and transfers it to the first transition device 41. The second atmospheric pressure transfer device 50 then removes the first substrate W1 from the first transition device 41 and transfers it to the surface hydrophilization device 35.
次に、表面親水化装置３５が、常圧下で第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ｊにＯＨ基を付与する（ステップＳ１０６）。その後、第２常圧搬送装置５０が、表面親水化装置３５から第１基板Ｗ１を取り出し、第１アライメント装置４２に搬送する。 Next, the surface hydrophilization device 35 provides OH groups to the bonding surface W1j of the first substrate W1 under normal pressure (step S106). After that, the second normal pressure transfer device 50 removes the first substrate W1 from the surface hydrophilization device 35 and transfers it to the first alignment device 42.
第１アライメント装置４２は、第１基板Ｗ１を鉛直軸周りに回転することで第１基板Ｗ１の水平方向の向きを調節すると共に、第１基板Ｗ１を上下反転することで第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ｊを下向きにする。その後、第２常圧搬送装置５０が、第１アライメント装置４２から第１基板Ｗ１を取り出し、接合装置３６に搬送する。 The first alignment device 42 adjusts the horizontal orientation of the first substrate W1 by rotating the first substrate W1 around a vertical axis, and also turns the first substrate W1 upside down so that the bonding surface W1j of the first substrate W1 faces downward. The second atmospheric pressure transfer device 50 then removes the first substrate W1 from the first alignment device 42 and transfers it to the bonding device 36.
なお、表面親水化装置３５から接合装置３６までの第１基板Ｗ１の搬送経路は、上記の搬送経路には限定されない。例えば、第１アライメント装置４２は、接合装置３６に内蔵されてもよい。また、第２常圧搬送装置５０は、表面親水化装置３５から取り出した第１基板Ｗ１を、第１トランジション装置４１に搬送してもよい。その後、第１常圧搬送装置２０が、第１トランジション装置４１から第１基板Ｗ１を取り出し、第２トランジション装置４４に搬送する。その後、接合装置３６の内部搬送装置６０が、第２トランジション装置４４から第１基板Ｗ１を取り出し、接合装置３６の第１チャックに搬送する。第１チャックは、第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ｊを下に向けて第１基板Ｗ１を上方から水平に吸着保持する。 The transport path of the first substrate W1 from the surface hydrophilization device 35 to the bonding device 36 is not limited to the above-described transport path. For example, the first alignment device 42 may be built into the bonding device 36. The second atmospheric pressure transfer device 50 may transport the first substrate W1 removed from the surface hydrophilization device 35 to the first transition device 41. The first atmospheric pressure transfer device 20 then removes the first substrate W1 from the first transition device 41 and transports it to the second transition device 44. The internal transfer device 60 of the bonding device 36 then removes the first substrate W1 from the second transition device 44 and transports it to the first chuck of the bonding device 36. The first chuck horizontally suction-holds the first substrate W1 from above with the bonding surface W1j of the first substrate W1 facing downward.
第１基板Ｗ１に対する上記の処理（ステップＳ１０１～Ｓ１０６）と並行して、第２基板Ｗ２に対しても同様の処理（ステップＳ１０１～Ｓ１０６）が実施される。なお、第２基板Ｗ２は、表面親水化装置３５でＯＨ基を付与した後、第２常圧搬送装置５０によって第２アライメント装置４３と接合装置３６にこの順番で搬送される。第２アライメント装置４３は、接合装置３６に内蔵されてもよい。また、第２常圧搬送装置５０は、表面親水化装置３５から取り出した第２基板Ｗ２を、第１トランジション装置４１に搬送してもよい。その後、第１常圧搬送装置２０が、第１トランジション装置４１から第２基板Ｗ２を取り出し、第２トランジション装置４４に搬送する。その後、接合装置３６の内部搬送装置６０が、第２トランジション装置４４から第２基板Ｗ２を取り出し、接合装置３６の第２チャックに搬送する。第２チャックは、第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ｊを上に向けて第２基板Ｗ２を下方から水平に吸着保持する。 In parallel with the above-described processing (steps S101 to S106) for the first substrate W1, similar processing (steps S101 to S106) is performed for the second substrate W2. After the second substrate W2 has been given OH groups in the surface hydrophilization device 35, it is transported by the second atmospheric pressure transfer device 50 to the second alignment device 43 and the bonding device 36, in that order. The second alignment device 43 may be built into the bonding device 36. Alternatively, the second atmospheric pressure transfer device 50 may transport the second substrate W2 removed from the surface hydrophilization device 35 to the first transition device 41. The first atmospheric pressure transfer device 20 then removes the second substrate W2 from the first transition device 41 and transports it to the second transition device 44. The internal transfer device 60 of the bonding device 36 then removes the second substrate W2 from the second transition device 44 and transports it to the second chuck of the bonding device 36. The second chuck horizontally suction-holds the second substrate W2 from below with the bonding surface W2j of the second substrate W2 facing upward.
次に、接合装置３６が、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２を接合し、重合基板Ｔを製造する（ステップＳ１０７）。接合時に、第１基板Ｗ１は第２基板Ｗ２の上方に配置される。第１基板Ｗ１は予め上下反転されており、第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ｊは下向きになっている。第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ｊは上向きになっている。 Next, the bonding device 36 bonds the first substrate W1 and the second substrate W2 to produce a laminated substrate T (step S107). During bonding, the first substrate W1 is positioned above the second substrate W2. The first substrate W1 has been inverted in advance, with the bonding surface W1j of the first substrate W1 facing downward. The bonding surface W2j of the second substrate W2 facing upward.
その後、内部搬送装置６０が、接合装置３６から重合基板Ｔを取り出し、第２トランジション装置４４に搬送する。最後に、第１常圧搬送装置２０が、第２トランジション装置４４から重合基板Ｔを取り出し、載置台１０上のカセットＣ３に搬送する。これにより、一連の処理が終了する。 Then, the internal transfer device 60 removes the laminated substrate T from the bonding device 36 and transfers it to the second transition device 44. Finally, the first atmospheric pressure transfer device 20 removes the laminated substrate T from the second transition device 44 and transfers it to cassette C3 on the mounting table 10. This completes the series of processes.
なお、接合装置３６からカセットＣ３までの重合基板Ｔの搬送経路は、上記の搬送経路には限定されない。例えば、接合装置３６の内部搬送装置６０は無くてもよい。この場合、第２常圧搬送装置５０が、接合装置３６から重合基板Ｔを取り出し、第１トランジション装置４１に搬送する。最後に、第１常圧搬送装置２０が、第１トランジション装置４１から重合基板Ｔを取り出し、載置台１０上のカセットＣ３に搬送する。 The transport path of the superposed substrate T from the bonding device 36 to the cassette C3 is not limited to the transport path described above. For example, the internal transport device 60 of the bonding device 36 may not be required. In this case, the second atmospheric pressure transport device 50 removes the superposed substrate T from the bonding device 36 and transports it to the first transition device 41. Finally, the first atmospheric pressure transport device 20 removes the superposed substrate T from the first transition device 41 and transports it to the cassette C3 on the mounting table 10.
次に、図７を参照して、第１変形例に係る基板処理システム１について説明する。以下、主に相違点について説明する。図７に示すように、第１常圧搬送装置２０は、載置台１０と第１トランジション装置４１の間に挟んで配置され、且つ載置台１０と第１トランジション装置４１に隣接して配置される。第２常圧搬送装置５０は、第１トランジション装置４１とロードロック装置３１に隣接して配置される。ロードロック装置３１は、第１常圧搬送装置２０ではなく、第２常圧搬送装置５０に隣接して配置される。 Next, a substrate processing system 1 according to a first modified example will be described with reference to FIG. 7. Differences will be mainly described below. As shown in FIG. 7, the first atmospheric pressure transfer device 20 is disposed between the mounting table 10 and the first transition device 41, and is disposed adjacent to the mounting table 10 and the first transition device 41. The second atmospheric pressure transfer device 50 is disposed adjacent to the first transition device 41 and the load lock device 31. The load lock device 31 is disposed adjacent to the second atmospheric pressure transfer device 50, not the first atmospheric pressure transfer device 20.
基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２は、載置台１０と、第１常圧搬送装置２０とを備える。処理ステーション３には、例えば４つの処理ブロックＧ１～Ｇ４が設けられる。第１処理ブロックＧ１は、第１常圧搬送装置２０に隣接して配置される。第１処理ブロックＧ１を挟んで第１常圧搬送装置２０とは反対側（Ｘ軸正方向側）には、第２処理ブロックＧ２と第３処理ブロックＧ３と第４処理ブロックＧ４がこの順番でＹ軸負方向に沿って設けられる。 The substrate processing system 1 includes a loading/unloading station 2 and a processing station 3. The loading/unloading station 2 includes a mounting table 10 and a first atmospheric pressure transfer device 20. The processing station 3 is provided with, for example, four processing blocks G1 to G4. The first processing block G1 is arranged adjacent to the first atmospheric pressure transfer device 20. On the opposite side of the first processing block G1 from the first atmospheric pressure transfer device 20 (the positive X-axis side), the second processing block G2, third processing block G3, and fourth processing block G4 are arranged in this order along the negative Y-axis.
第１処理ブロックＧ１には、例えば、第１トランジション装置４１と、第１アライメント装置４２と、第２アライメント装置４３と、第２トランジション装置４４と、バッファ装置４５が配置される。なお、第１処理ブロックＧ１における装置の配置及び数は、特に限定されない。第１アライメント装置４２と第２アライメント装置４３は、接合装置３６に内蔵されてもよい。 In the first processing block G1, for example, a first transition device 41, a first alignment device 42, a second alignment device 43, a second transition device 44, and a buffer device 45 are arranged. Note that the arrangement and number of devices in the first processing block G1 are not particularly limited. The first alignment device 42 and the second alignment device 43 may be built into the bonding device 36.
第２処理ブロックＧ２には、例えば、減圧搬送装置３２と、ドライ洗浄装置３３と、表面改質装置３４と、が配置される。ドライ洗浄装置３３と表面改質装置３４とは、鉛直方向に積層されており、減圧搬送装置３２の同一の側面（Ｘ軸負方向側の側面）に隣接している。第２処理ブロックＧ２には、表面親水化装置３５も配置される。なお、第２処理ブロックＧ２における装置の配置及び数は、特に限定されない。ドライ洗浄装置３３と表面改質装置３４の配置は、逆でもよい。 In the second processing block G2, for example, a reduced pressure transport device 32, a dry cleaning device 33, and a surface modification device 34 are arranged. The dry cleaning device 33 and the surface modification device 34 are stacked vertically and adjacent to the same side (the side facing the negative X-axis) of the reduced pressure transport device 32. A surface hydrophilization device 35 is also arranged in the second processing block G2. Note that the arrangement and number of devices in the second processing block G2 are not particularly limited. The arrangement of the dry cleaning device 33 and the surface modification device 34 may be reversed.
第３処理ブロックＧ３には、例えば、第２常圧搬送装置５０と、ロードロック装置３１と、が配置される。ロードロック装置３１は、第２常圧搬送装置５０を挟んで第１トランジション装置４１とは反対側（Ｘ軸正方向側）に配置される。第２常圧搬送装置５０は、第１トランジション装置４１と第１アライメント装置４２と第２アライメント装置４３とロードロック装置３１と表面親水化装置３５と接合装置３６に隣接して配置される。 The third processing block G3 is equipped with, for example, a second atmospheric pressure transfer device 50 and a load lock device 31. The load lock device 31 is disposed on the opposite side of the second atmospheric pressure transfer device 50 from the first transition device 41 (on the positive X-axis side). The second atmospheric pressure transfer device 50 is disposed adjacent to the first transition device 41, the first alignment device 42, the second alignment device 43, the load lock device 31, the surface hydrophilization device 35, and the bonding device 36.
第４処理ブロックＧ４には、例えば、接合装置３６が配置される。接合装置３６は、内部搬送装置６０を有してもよい。なお、第４処理ブロックＧ４における装置の配置及び数は、特に限定されない。 For example, a joining device 36 is arranged in the fourth processing block G4. The joining device 36 may have an internal transport device 60. Note that the arrangement and number of devices in the fourth processing block G4 are not particularly limited.
次に、上記第１変形例に係る基板処理システム１の動作について、図６を再度参照して説明する。先ず、複数枚の第１基板Ｗ１を収容したカセットＣ１、複数枚の第２基板Ｗ２を収容したカセットＣ２、及び空のカセットＣ３が、搬入出ステーション２の載置台１０上に載置される。 Next, the operation of the substrate processing system 1 according to the first modified example will be described with reference again to FIG. 6. First, a cassette C1 containing a plurality of first substrates W1, a cassette C2 containing a plurality of second substrates W2, and an empty cassette C3 are placed on the mounting table 10 of the loading/unloading station 2.
次に、第１常圧搬送装置２０が、カセットＣ１内の第１基板Ｗ１を取り出し、第１処理ブロックＧ１の第１トランジション装置４１に搬送する。その後、第２常圧搬送装置５０が、第１トランジション装置４１から第１基板Ｗ１を取り出し、ロードロック装置３１に搬送する。 Next, the first atmospheric pressure transfer device 20 removes the first substrate W1 from the cassette C1 and transfers it to the first transition device 41 in the first processing block G1. After that, the second atmospheric pressure transfer device 50 removes the first substrate W1 from the first transition device 41 and transfers it to the load lock device 31.
次に、ロードロック装置３１が、第１基板Ｗ１の周辺雰囲気を常圧雰囲気から減圧雰囲気に切り替える（ステップＳ１０１）。その後、減圧搬送装置３２が、ロードロック装置３１から第１基板Ｗ１を取り出し、ドライ洗浄装置３３に搬送する。減圧搬送装置３２は、減圧下で第１基板Ｗ１を搬送する。 Next, the load lock device 31 switches the ambient atmosphere around the first substrate W1 from normal pressure to a reduced pressure atmosphere (step S101). The reduced pressure transfer device 32 then removes the first substrate W1 from the load lock device 31 and transfers it to the dry cleaning device 33. The reduced pressure transfer device 32 transfers the first substrate W1 under reduced pressure.
次に、ドライ洗浄装置３３が、減圧下で第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ｊに対してガスクラスターを照射することで、接合面Ｗ１ｊをドライ洗浄する（ステップＳ１０２）。その後、減圧搬送装置３２が、ドライ洗浄装置３３から第１基板Ｗ１を取り出し、表面改質装置３４に搬送する。 Next, the dry cleaning device 33 irradiates the bonding surface W1j of the first substrate W1 with gas clusters under reduced pressure, thereby dry-cleaning the bonding surface W1j (step S102). After that, the reduced-pressure transfer device 32 removes the first substrate W1 from the dry cleaning device 33 and transfers it to the surface modification device 34.
次に、表面改質装置３４が、減圧下で第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ｊをプラズマで改質する（ステップＳ１０３）。その後、減圧搬送装置３２が、表面改質装置３４から第１基板Ｗ１を取り出し、ドライ洗浄装置３３に搬送する。 Next, the surface modification device 34 modifies the bonding surface W1j of the first substrate W1 with plasma under reduced pressure (step S103). After that, the reduced-pressure transfer device 32 removes the first substrate W1 from the surface modification device 34 and transfers it to the dry cleaning device 33.
次に、ドライ洗浄装置３３が、減圧下で第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ｊに対してガスクラスターを照射することで、接合面Ｗ１ｊをドライ洗浄する（ステップＳ１０４）。その後、減圧搬送装置３２が、ドライ洗浄装置３３から第１基板Ｗ１を取り出し、ロードロック装置３１に搬送する。 Next, the dry cleaning apparatus 33 irradiates the bonding surface W1j of the first substrate W1 with gas clusters under reduced pressure, thereby dry-cleaning the bonding surface W1j (step S104). After that, the reduced-pressure transfer apparatus 32 removes the first substrate W1 from the dry cleaning apparatus 33 and transfers it to the load lock apparatus 31.
次に、ロードロック装置３１が、第１基板Ｗ１の周辺雰囲気を減圧雰囲気から常圧雰囲気に切り替える（ステップＳ１０５）。その後、第２常圧搬送装置５０が、ロードロック装置３１から第１基板Ｗ１を取り出し、表面親水化装置３５に搬送する。その後、ステップＳ１０６～Ｓ１０７が行われる。 Next, the load lock device 31 switches the ambient atmosphere around the first substrate W1 from a reduced pressure atmosphere to an atmospheric pressure atmosphere (step S105). The second atmospheric pressure transfer device 50 then removes the first substrate W1 from the load lock device 31 and transfers it to the surface hydrophilization device 35. Steps S106 and S107 are then performed.
表面親水化装置３５から接合装置３６までの第１基板Ｗ１の搬送経路は、上記実施形態の搬送経路と同様であるので説明を省略する。また、接合装置３６からカセットＣ３までの重合基板Ｔの搬送経路も、上記実施形態の搬送経路と同様であるので説明を省略する。 The transport path for the first substrate W1 from the surface hydrophilization device 35 to the bonding device 36 is the same as the transport path in the above embodiment, so a description thereof will be omitted. Furthermore, the transport path for the laminated substrate T from the bonding device 36 to the cassette C3 is also the same as the transport path in the above embodiment, so a description thereof will be omitted.
次に、図８を参照して、第２変形例に係る基板処理システム１について説明する。上記第１変形例では、第２処理ブロックＧ２において、ドライ洗浄装置３３と表面改質装置３４とは、鉛直方向に積層されており、減圧搬送装置３２の同一の側面（Ｘ軸負方向側の側面）に隣接している。本変形例では、ドライ洗浄装置３３が直方体状の処理ステーション３の外側に設けられており、ドライ洗浄装置３３と表面改質装置３４とは減圧搬送装置３２の異なる側面に隣接している。 Next, with reference to Figure 8, a substrate processing system 1 according to a second modified example will be described. In the first modified example, in the second processing block G2, the dry cleaning apparatus 33 and the surface modification apparatus 34 are stacked vertically and adjacent to the same side (the side facing the negative X-axis) of the reduced-pressure transfer apparatus 32. In this modified example, the dry cleaning apparatus 33 is provided outside the rectangular parallelepiped processing station 3, and the dry cleaning apparatus 33 and the surface modification apparatus 34 are adjacent to different sides of the reduced-pressure transfer apparatus 32.
複数のドライ洗浄装置３３は、処理ステーション３の外側で、鉛直方向に積層されており、減圧搬送装置３２の同一の側面（Ｙ軸正方向側の側面）に隣接している。複数の表面改質装置３４は、処理ステーション３の内側で、鉛直方向に積層されており、減圧搬送装置３２の同一の側面（Ｘ軸負方向側の側面）に隣接している。 Multiple dry cleaning devices 33 are stacked vertically outside the processing station 3 and adjacent to the same side (the side facing the positive Y-axis) of the reduced-pressure transport device 32. Multiple surface modification devices 34 are stacked vertically inside the processing station 3 and adjacent to the same side (the side facing the negative X-axis) of the reduced-pressure transport device 32.
なお、ドライ洗浄装置３３と表面改質装置３４の配置は逆でもよい。ドライ洗浄装置３３が処理ステーション３の内側に配置され、表面改質装置３４が処理ステーション３の外側に配置されてもよい。 The dry cleaning device 33 and the surface modification device 34 may be arranged in reverse. The dry cleaning device 33 may be arranged inside the processing station 3, and the surface modification device 34 may be arranged outside the processing station 3.
上記第２変形例に係る基板処理システム１の動作は、上記第１変形例に係る基板処理システム１の動作と同様であるので説明を省略する。 The operation of the substrate processing system 1 according to the second modified example is similar to the operation of the substrate processing system 1 according to the first modified example, and therefore will not be described further.
以上、本開示に係る基板処理装置の実施形態等について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、及び組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。 The above describes embodiments of the substrate processing apparatus according to the present disclosure, but the present disclosure is not limited to the above embodiments. Various changes, modifications, substitutions, additions, deletions, and combinations are possible within the scope of the claims. Naturally, these also fall within the technical scope of the present disclosure.
１ 基板処理システム（基板処理装置）
３３ ドライ洗浄装置（ドライ洗浄部）
３４ 表面改質装置（表面改質部）
３６ 接合装置（接合部）
Ｗ１ 第１基板
Ｗ２ 第２基板
1. Substrate processing system (substrate processing apparatus)
33 Dry cleaning device (dry cleaning section)
34 Surface modification device (surface modification section)
36 Joining device (joint part)
W1: First substrate W2: Second substrate
Claims (6)
常圧下で前記基板を搬送する第１常圧搬送部と、
前記基板の周辺雰囲気を常圧雰囲気と減圧雰囲気とに切り替えるロードロック部と、
減圧下で前記基板を搬送する減圧搬送部と、
減圧下で前記基板の表面をプラズマで改質する表面改質部と、
前記改質することの前と後の少なくとも一方で、減圧下で前記基板の前記表面にガスクラスターを照射することで前記表面をドライ洗浄するドライ洗浄部と、
前記改質すること及び前記ドライ洗浄することの後に、前記表面同士を向かい合わせて前記基板同士を接合する接合部と、
制御部と、
を備え、
前記第１常圧搬送部は、前記載置部と前記ロードロック部の間に挟んで配置され、且つ前記載置部と前記ロードロック部に隣接して配置され、
前記減圧搬送部は、前記表面改質部と前記ドライ洗浄部と前記ロードロック部に隣接して配置され、
前記制御部は、前記第１常圧搬送部が前記基板を前記載置部から前記ロードロック部に搬送すること、前記減圧搬送部が前記ロードロック部から前記基板を取り出し、前記表面改質部と前記ドライ洗浄部に所望の順番で搬送し、前記ロードロック部に戻すこと、及び前記第１常圧搬送部が前記ロードロック部から前記基板を取り出すことを実施する、基板処理装置。 a placement section on which a cassette containing substrates is placed;
a first atmospheric pressure transfer unit that transfers the substrate under atmospheric pressure;
a load lock unit that switches the ambient atmosphere of the substrate between a normal pressure atmosphere and a reduced pressure atmosphere;
a reduced pressure transport unit that transports the substrate under reduced pressure;
a surface modification unit that modifies the surface of the substrate with plasma under reduced pressure;
a dry cleaning unit that dry-cleans the surface of the substrate by irradiating the surface with gas clusters under reduced pressure at least one time before and after the modification;
a bonding section that bonds the substrates together with the surfaces facing each other after the modification and the dry cleaning;
A control unit;
Equipped with
the first atmospheric pressure transfer unit is disposed between the placement unit and the load lock unit and adjacent to the placement unit and the load lock unit,
the reduced pressure transfer unit is disposed adjacent to the surface modification unit, the dry cleaning unit, and the load lock unit;
The control unit controls the first atmospheric pressure transfer unit to transfer the substrate from the placement unit to the load lock unit, the reduced pressure transfer unit to remove the substrate from the load lock unit, transport the substrate to the surface modification unit and the dry cleaning unit in a desired order, and return the substrate to the load lock unit, and the first atmospheric pressure transfer unit to remove the substrate from the load lock unit .
前記制御部は、前記第１常圧搬送部が前記ロードロック部から取り出した前記基板を前記第１トランジション部に搬送すること、及び前記第２常圧搬送部が前記第１トランジション部から前記基板を取り出すことを実施する、請求項１に記載の基板処理装置。 a second atmospheric pressure transfer section that transfers the substrate under atmospheric pressure; and a first transition section that relays the substrate between the first atmospheric pressure transfer section and the second atmospheric pressure transfer section,
2. The substrate processing apparatus of claim 1, wherein the control unit controls the first atmospheric pressure transfer unit to transfer the substrate removed from the load lock unit to the first transition unit, and the second atmospheric pressure transfer unit to remove the substrate from the first transition unit.
常圧下で前記基板を搬送する第１常圧搬送部と、
常圧下で前記基板を搬送する第２常圧搬送部と、
前記第１常圧搬送部と前記第２常圧搬送部との間で前記基板を中継する第１トランジション部と、
前記基板の周辺雰囲気を常圧雰囲気と減圧雰囲気とに切り替えるロードロック部と、
減圧下で前記基板を搬送する減圧搬送部と、
減圧下で前記基板の表面をプラズマで改質する表面改質部と、
前記改質することの前と後の少なくとも一方で、減圧下で前記基板の前記表面にガスクラスターを照射することで前記表面をドライ洗浄するドライ洗浄部と、
前記改質すること及び前記ドライ洗浄することの後に、前記表面同士を向かい合わせて前記基板同士を接合する接合部と、
制御部と、
を備え、
前記第１常圧搬送部は、前記載置部と前記第１トランジション部の間に挟んで配置され、且つ前記載置部と前記第１トランジション部に隣接して配置され、
前記第２常圧搬送部は、前記第１トランジション部と前記ロードロック部に隣接して配置され、
前記減圧搬送部は、前記表面改質部と前記ドライ洗浄部と前記ロードロック部に隣接して配置され、
前記制御部は、前記第１常圧搬送部が前記基板を前記載置部から前記第１トランジション部に搬送すること、前記第２常圧搬送部が前記第１トランジション部から前記基板を取り出し前記ロードロック部に搬送すること、前記減圧搬送部が前記ロードロック部から前記基板を取り出し、前記表面改質部と前記ドライ洗浄部に所望の順番で搬送し、前記ロードロック部に戻すこと、及び前記第２常圧搬送部が前記ロードロック部から前記基板を取り出すことを実施する、基板処理装置。 a placement section on which a cassette containing substrates is placed;
a first atmospheric pressure transfer unit that transfers the substrate under atmospheric pressure;
a second atmospheric pressure transfer unit that transfers the substrate under atmospheric pressure;
a first transition section that relays the substrate between the first atmospheric pressure transfer section and the second atmospheric pressure transfer section;
a load lock unit that switches the ambient atmosphere of the substrate between a normal pressure atmosphere and a reduced pressure atmosphere;
a reduced pressure transport unit that transports the substrate under reduced pressure;
a surface modification unit that modifies the surface of the substrate with plasma under reduced pressure;
a dry cleaning unit that dry-cleans the surface of the substrate by irradiating the surface with gas clusters under reduced pressure at least one time before and after the modification;
a bonding section that bonds the substrates together with the surfaces facing each other after the modification and the dry cleaning;
A control unit;
Equipped with
the first atmospheric pressure transfer section is disposed between the placement section and the first transition section and adjacent to the placement section and the first transition section;
the second atmospheric pressure transfer section is disposed adjacent to the first transition section and the load lock section,
the reduced pressure transfer unit is disposed adjacent to the surface modification unit, the dry cleaning unit, and the load lock unit;
The control unit controls the first atmospheric pressure transfer unit to transfer the substrate from the placement unit to the first transition unit, the second atmospheric pressure transfer unit to remove the substrate from the first transition unit and transfer it to the load lock unit, the reduced pressure transfer unit to remove the substrate from the load lock unit and transport it to the surface modification unit and the dry cleaning unit in a desired order and return it to the load lock unit, and the second atmospheric pressure transfer unit to remove the substrate from the load lock unit .
前記接合部は、前記基板を搬送する内部搬送部を有し、
前記第２トランジション部は、前記第１常圧搬送部と前記内部搬送部との間で前記基板を中継する、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理装置。 a second transition section adjacent to the first atmospheric pressure conveying section;
the bonding unit has an internal transport unit that transports the substrate,
4. The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the second transition section relays the substrate between the first atmospheric pressure transfer section and the internal transfer section.
常圧下で前記基板を搬送する第１常圧搬送部と、
前記第１常圧搬送部に隣接される第２トランジション部と、
減圧下で前記基板の表面をプラズマで改質する表面改質部と、
前記改質することの前と後の少なくとも一方で、減圧下で前記基板の前記表面にガスクラスターを照射することで前記表面をドライ洗浄するドライ洗浄部と、
前記改質すること及び前記ドライ洗浄することの後に、前記表面同士を向かい合わせて前記基板同士を接合する接合部と、
を備え、
前記接合部は、前記基板を搬送する内部搬送部を有し、
前記第２トランジション部は、前記第１常圧搬送部と前記内部搬送部との間で前記基板を中継する、基板処理装置。 a placement section on which a cassette containing substrates is placed;
a first atmospheric pressure transfer unit that transfers the substrate under atmospheric pressure;
a second transition section adjacent to the first atmospheric pressure conveying section;
a surface modification unit that modifies the surface of the substrate with plasma under reduced pressure;
a dry cleaning unit that dry-cleans the surface of the substrate by irradiating the surface with gas clusters under reduced pressure at least one time before and after the modification;
a bonding section that bonds the substrates together with the surfaces facing each other after the modification and the dry cleaning;
Equipped with
the bonding unit has an internal transport unit that transports the substrate,
The second transition section relays the substrate between the first atmospheric pressure transfer section and the internal transfer section .
前記改質することの前と後の少なくとも一方で、減圧下で前記基板の前記表面にガスクラスターを照射することで前記表面をドライ洗浄するドライ洗浄部と、
前記改質すること及び前記ドライ洗浄することの後に、前記表面同士を向かい合わせて前記基板同士を接合する接合部と、
を備え、
前記表面改質部と前記ドライ洗浄部は、鉛直方向に積層されている、基板処理装置。 a surface modification unit that modifies the surface of the substrate with plasma under reduced pressure;
a dry cleaning unit that dry-cleans the surface of the substrate by irradiating the surface with gas clusters under reduced pressure at least one time before and after the modification;
a bonding section that bonds the substrates together with the surfaces facing each other after the modification and the dry cleaning;
Equipped with
The substrate processing apparatus , wherein the surface modification unit and the dry cleaning unit are stacked in a vertical direction .
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