JP7742945B1 - サセプタ - Google Patents

Abstract

ＲＦ機能を有しながらも、セラミックプレートの表面とＲＦ電極との間の距離の面内ばらつきを抑制するのに適した安価な構成のサセプタが提供される。このサセプタは、第一面及び第二面を有する、円板状のセラミックプレートと、セラミックプレート内に埋設された内部電極と、セラミックプレートの第二面の全体又は一部にＲＦ電極として設けられる金属層と、セラミックプレートの第二面から所定距離離間して設けられる、円板状の冷却プレートと、金属層と冷却プレートとの間に存在する、ガスを介した熱伝達を可能とする伝熱空間と、セラミックプレートと冷却プレートとの間において、セラミックプレート及び冷却プレートの外周に沿って、伝熱空間に気密性をもたらすように設けられるシール部材と、セラミックプレートと冷却プレートとの間において、シール部材の内周側の位置に設けられ、金属層及び冷却プレート間の電気的接続を確保する、ＲＦ伝導部材とを備える。

Description

本開示は、サセプタに関するものである。

半導体製造プロセス用の成膜装置やエッチング装置において、ウェハを支持するためにサセプタが用いられている。そのようなサセプタとして、ウェハが載置されるためのセラミックプレートと、高周波プラズマの発生を誘起するＲＦ電極と、冷却プレートとを備えたものが広く用いられている。セラミックプレートは、耐熱性や耐食性に優れた窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等で構成されたセラミック基体の内部に、ヒータ電極、ＲＦ電極、静電チャック（ＥＳＣ）電極等の内部電極が埋設された構成を有するのが一般的である。

特許文献１（特開２０２３－５２０３号公報）には、基板を支持する基板支持体であって、基板を保持するための吸着電極を備えた基板吸着部と、ＲＦ電力が供給されるＲＦ電極部と、基板の温度を調節するためのヒータ電極を備えた基板温調部とを有するものが開示されており、ＲＦ電極部が基板吸着部と基板温調部との間に挟まれた積層構造が開示されている。

特許文献２（特許第６８８４１１０号公報）には、上部パックプレートと、第１の金属接合によって上部パックプレートに接合された下部パックプレートと、 第２の金属接合によって下部パックプレートの底面に接合されたバッキングプレートと、導電性ガスケットとを含む静電パックアセンブリが開示されている。上部パックプレートは、ＡｌＮ又はＡｌ_２Ｏ_３を含み、第１の熱膨張係数を有する。また、上部パックプレートは、１以上の加熱要素と、基板を静電的に固定するための１以上の電極とを更に含む。 下部パックプレートは、第１の熱膨張係数又は第２の熱膨張係数を有する材料を含む。バッキングプレートは、ＡｌＮ又はＡｌ_２Ｏ_３を含む円盤形状のプレートであり、下部パックプレートの第２の直径よりも小さい第１の直径を有している。導電性ガスケットは、 バッキングプレートの第１の直径の外側で、下部パックプレートの底面に配置されている。

特開２０２３－５２０３号公報 特許第６８８４１１０号公報

従来のサセプタにおけるＲＦ電極の典型例として、セラミックプレートに埋設された金属メッシュ（例えばモリブデンメッシュ）が知られている。このような従来の構造では、金属メッシュがその可撓性に起因してうねり形状を生じやすい。このため、望ましいＲＦ機能を実現する上で重要とされる、セラミックプレートの表面と金属メッシュとの間の距離を面内で均一にする制御が難しく、当該距離の面内分布の偏りに起因して、ＲＦ電極への電圧印加により発生する入射イオン濃度にばらつきが生じてしまう。このため、セラミックプレートの表面と金属メッシュとの間の距離の面内でのばらつきを抑制しやすい構成が望まれる。

また、エッチング用の半導体製造装置においてプラズマからの入熱を素早くサセプタから逃がすため、サセプタには高い抜熱性が望まれる。しかし、抜熱性の高いサセプタにおいては、セラミックプレートと冷却プレートとの接続に、金属拡散接合（例えばＴＣＢ接合）のような高価な接合手法が採用されているのが現状である。そこで、セラミックプレートと冷却プレートをより安価な手法で接続できれば好都合である。

本発明者らは、今般、内部電極が埋設されたセラミックプレートの裏面側に、ＲＦ電極としての金属層、シール部材で密閉された伝熱空間、及び冷却プレートを順に配置し、かつ、金属層と冷却プレートとを電気的に接続するＲＦ伝導部材を伝熱空間内に配置することで、セラミックプレートの表面とＲＦ電極との間の距離の面内ばらつきを抑制するのに適した安価な構成のサセプタを提供できることを見出した。

したがって、本発明の目的は、ＲＦ機能を有しながらも、セラミックプレートの表面とＲＦ電極との間の距離の面内ばらつきを抑制するのに適した安価な構成のサセプタを提供することにある。

本開示によれば、以下の態様が提供される。
［態様１］
第一面及び第二面を有する、円板状のセラミックプレートと、
前記セラミックプレート内に埋設された内部電極と、
前記セラミックプレートの第二面の全体又は一部にＲＦ電極として設けられる金属層と、
前記セラミックプレートの第二面から所定距離離間して設けられる、円板状の冷却プレートと、
前記金属層と前記冷却プレートとの間に存在する、ガスを介した熱伝達を可能とする伝熱空間と、
前記セラミックプレートと前記冷却プレートとの間において、前記セラミックプレート及び前記冷却プレートの外周に沿って、前記伝熱空間に気密性をもたらすように設けられるシール部材と、
前記セラミックプレートと前記冷却プレートとの間において、前記シール部材の内周側の位置に設けられ、前記金属層及び前記冷却プレート間の電気的接続を確保する、ＲＦ伝導部材と、
を備えた、サセプタ。
［態様２］
前記金属層の厚さが、３～５００μｍである、態様１に記載のサセプタ。
［態様３］
前記金属層が、印刷又はめっきにより形成された層であるか、又は金属シートである、態様１又は２に記載のサセプタ。
［態様４］
前記セラミックプレートが、窒化アルミニウム及び／又は酸化アルミニウムを含む、態様１～３のいずれか一つに記載のサセプタ。
［態様５］
前記冷却プレートが、金属、又は金属基複合材料製である、態様１～４のいずれか一つに記載のサセプタ。
［態様６］
前記ＲＦ伝導部材が、スパイラル状に巻かれた長尺状の金属部品を含む、態様１～５のいずれか一つに記載のサセプタ。
［態様７］
前記内部電極に接続され、前記第二面、前記金属層、前記伝熱空間及び前記冷却プレートを横切って、前記第二面から離れる方向に延在する端子ロッドをさらに備えた、態様１～６のいずれか一つに記載のサセプタ。
［態様８］
前記冷却プレートが、前記端子ロッドを通すための開口穴を有しており、前記開口穴の表面が絶縁部材で覆われており、それにより前記端子ロッドが前記冷却プレートと絶縁されている、態様７に記載のサセプタ。
［態様９］
前記冷却プレートが、前記冷却プレートの内部に冷却媒体を流すための内部空間を備える、態様１～８のいずれか一つに記載のサセプタ。
［態様１０］
前記サセプタの外周に沿って設けられる固定部材をさらに備え、前記固定部材が、前記セラミックプレート、前記金属層、前記シール部材、前記ＲＦ伝導部材及び前記冷却プレートを互いに密着させる方向に固定する、態様１～９のいずれか一つに記載のサセプタ。
［態様１１］
前記セラミックプレートが、前記第一面を与える比較的小さい直径を有する小径部と、前記第二面を与える比較的大きい直径を有する大径部とを有し、それにより前記大径部及び前記小径部が段差部を形成しており、
前記固定部材が、前記段差部と係合可能に構成される、態様１０に記載のサセプタ。

本開示によるサセプタの一例を示す模式断面図である。 図１に示されるサセプタの模式平面図である。 ＲＦ伝導部材の一例を示す模式斜視図である。

本発明によるサセプタは、半導体製造装置、特に半導体製造プロセス用の成膜装置又はエッチング装置に用いられる、ウェハを支持するための台である。好ましくは、本発明によるサセプタは、半導体成膜装置用のセラミックヒータを含む。成膜装置の典型的な例としては、ＣＶＤ（化学気相成長）装置（例えば、熱ＣＶＤ装置、プラズマＣＶＤ装置、光ＣＶＤ装置、及びＭＯＣＶＤ装置）並びにＰＶＤ（物理気相成長）装置が挙げられ、特に好ましくはプラズマＣＶＤ装置である。

図１及び２にサセプタ１０の一態様を示す。図１に示されるサセプタ１０は、セラミックプレート１２と、内部電極１４と、金属層１６と、冷却プレート１８と、伝熱空間２０と、シール部材２２と、ＲＦ伝導部材２４とを備える。セラミックプレート１２は、円板状であり、第一面１２ａ及び第二面１２ｂを有する。内部電極１４は、セラミックプレート１２内に埋設されている。金属層１６は、セラミックプレート１２の第二面１２ｂの全体又は一部にＲＦ電極として設けられる。冷却プレート１８は、円板状であり、セラミックプレート１２の第二面１２ｂから所定距離離間して設けられる。伝熱空間２０は、ガスを介した熱伝達を可能とする空間であり、金属層１６と冷却プレート１８との間に存在する。シール部材２２は、セラミックプレート１２と冷却プレート１８との間において、セラミックプレート１２及び冷却プレート１８の外周に沿って、伝熱空間２０に気密性をもたらすように設けられる。ＲＦ伝導部材２４は、金属層１６及び冷却プレート１８間の電気的接続を確保する部材であり、セラミックプレート１２と冷却プレート１８との間において、シール部材２２の内周側の位置に設けられる。このように内部電極１４が埋設されたセラミックプレート１２の第二面１２ｂ側に、ＲＦ電極としての金属層１６、シール部材２２で密閉された伝熱空間２０、及び冷却プレート１８を順に配置し、かつ、金属層１６と冷却プレート１８とを電気的に接続するＲＦ伝導部材２４を伝熱空間２０内に配置することで、セラミックプレート１２の第一面１２ａと金属層１６（ＲＦ電極）との間の距離の面内ばらつきを抑制するのに適した安価な構成のサセプタを提供することができる。

前述したとおり、従来の構造では、金属メッシュがその可撓性に起因してうねり形状を生じやすい。このため、望ましいＲＦ機能を実現する上で重要とされる、セラミックプレートの表面と金属メッシュとの間の距離を面内で均一にする制御が難しく、当該距離の面内分布の偏りに起因して、ＲＦ電極への電圧印加により発生する入射イオン濃度にばらつきが生じてしまう。すなわち、ＲＦ機能はセラミックプレートの表面とＲＦ電極との距離によって影響を受けるため、製品内で上記距離に面内ばらつきがあると、ウェハへの入射にばらつきが生じ、ウェハ面の特性ばらつきの要因となる。例えば、イオンやラジカルの入射によりウェハ面のエッチングを行う場合、上記面内ばらつきに起因する電子密度や温度のばらつきがあると、製品性能に与える影響が大きい。このため、セラミックプレートの表面と金属メッシュとの間の距離の面内ばらつきを抑制しやすい構成が望まれる。この点、本発明によれば、セラミックプレート１２内に金属メッシュ等のＲＦ電極を埋設するのではなく、セラミックプレート１２の第二面１２ｂの全体又は一部に金属層１６を形成し、この金属層１６をＲＦ電極として用いる。この構成においては、セラミックプレート１２の第二面１２ｂを平滑度を向上するように加工した後に、金属層１６を印刷、めっき、シート接着等の安価な手法により形成し、これをＲＦ電極として利用することができる。例えば、セラミックプレート１２の第二面１２ｂに所望の平面度及び（第一面１２ａに対する）平行度を一般的なマシニング加工等で付与しておき、その後、セラミックプレート１２の第二面１２ｂに金属層１６を形成することで、金属層１６の表面の、セラミックプレート１２の第一面１２ａに対する平行度を容易に確保することができる。また、こうしてセラミックプレート１２の形成と、金属層１６の形成とを別々の工程で行うことで製造コストの低減も図れる。こうして、セラミックプレート１２の第一面１２ａと金属層１６（ＲＦ電極）との間の距離の面内ばらつきを抑制することができ、その結果、望ましいＲＦ機能を安価に実現することができる。

また、エッチング用の半導体製造装置においてプラズマからの入熱を素早くサセプタから逃がすため、サセプタには高い抜熱性が望まれる。しかし、抜熱性の高いサセプタにおいては、セラミックプレートと冷却プレートとの接続に、金属拡散接合（例えばＴＣＢ接合）のような高価な接合手法が採用されているのが現状である。そこで、セラミックプレートと冷却プレートをより安価な手法で接続できれば好都合である。この点、本発明によれば、セラミックプレート１２の第二面１２ｂに高価な接合手法で冷却プレートを接合するのではなく、シール部材２２で密閉された伝熱空間２０を介して冷却プレート１８を配置する。この伝熱空間２０は、セラミックプレート１２及び冷却プレート１８の外周に沿ってシール部材２２が伝熱空間２０に気密性をもたらすように設けられることで形成されており、ガスを介した熱伝達を可能とする。そして、ＲＦ電極としての金属層１６と冷却プレート１８との電気的接続は、シール部材２２の内周側の位置に設けられるＲＦ伝導部材２４によって確保される。これらの構成は、金属拡散接合（例えばＴＣＢ接合）のような高価な接合手法を用いなくて済むことから、安価に構成することができる。そうでありながら、セラミックプレート１２で発生した熱を、伝熱空間２０及びその隣の冷却プレート１８を介して効率良く抜熱することができる。加えて、シール部材２２で伝熱空間２０が密閉されているため、チャンバ内でクリーニング用に使用される腐食ガスが伝熱空間２０内に侵入するのを阻止することができ、その結果、腐食ガスによって金属層１６が腐食するのを回避することができる。

セラミックプレート１２は、内部電極１４等の埋設部材以外の主要部分（すなわちセラミック基体）が、優れた熱伝導性、高い電気絶縁性、及びシリコンに近い熱膨張特性等の観点から、窒化アルミニウム及び／又は酸化アルミニウムを含むのが好ましく、より好ましくは窒化アルミニウムを含む。

セラミックプレート１２は円板状である。もっとも、円板状のセラミックプレート１２の平面視形状は、完全な円形である必要はなく、例えば、オリフラ（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ ｆｌａｔ）のように一部を欠いた不完全な円形であってもよい。セラミックプレート１２のサイズは、使用が想定されるウェハの直径に応じて適宜決定すればよく特に限定されないが、円形の場合、直径は典型的には１５０～４５０ｍｍであり、特に３００ｍｍシリコンウェハ用においては典型的には３２０～３８０ｍｍである。また、セラミックプレート１２の厚さは、典型的には１０～２５ｍｍである。

セラミックプレート１２の第一面１２ａ及び第二面１２ｂは平坦かつ平行であるのが好ましい。すなわち、前述のように、セラミックプレート１２の第二面１２ｂに所望の平面度及び（第一面１２ａに対する）平行度を一般的なマシニング加工等で付与しておき、その後、セラミックプレート１２の第二面１２ｂに金属層１６を形成することで、セラミックプレート１２の第一面１２ａと金属層１６（ＲＦ電極）との間の距離の面内ばらつきを効果的に抑制することができ、その結果、望ましいＲＦ機能を安価に実現することができる。例えば、第二面１２ｂの平面度は、５０μｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは２０μｍ以下である。第二面１２ｂの第一面１２ａに対する平行度は、５０μｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは２０μｍ以下である。平面度及び平行度は、ＪＩＳ Ｂ ０６２１－１９８４に定義される用語である。すなわち、平面度は、平面形体（第二面１２ｂ）を幾何学的平行二平面で挟んだとき、平行二平面の間隔が最小となる場合の、二平面の間隔として定義される。また、平面形体（第二面１２ｂ）のデータム平面（第一面１２ａに対応）に対する平行度は、データム平面（第一面１２ａに対応）に平行な幾何学的平行二平面でその平面形体（第二面１２ｂ）を挟んだときの、二平面の間隔として定義される。

好ましくは、セラミックプレート１２は、第一面１２ａを与える比較的小さい直径を有する小径部１２ｃと、第二面１２ｂを与える比較的大きい直径を有する大径部１２ｄとを有し、それにより大径部１２ｄ及び小径部１２ｃが段差部１２ｅを形成している。この形状のセラミックプレート１２は、後述する固定部材３０を取り付けやすい点で有利となる。

内部電極１４は、セラミックプレート１２内に埋設される電極であり、ヒータ電極、ＥＳＣ電極、又はそれらの両方を含む。ヒータ電極は、特に限定されないが、例えば導電性のコイルをセラミックプレート１２の全面にわたって一筆書きの要領で配線したものでありうる。ヒータ電極の両端には、給電のため端子ロッド２６が接続されており、端子ロッド２６を介してヒータ電源（図示せず）に接続されている。内部電極１４に接続された端子ロッド２６は、第二面１２ｂ、金属層１６、伝熱空間２０及び冷却プレート１８を横切って、第二面１２ｂから離れる方向に延在するのが好ましい。ヒータ電極は、ヒータ電源から電力が供給されると発熱してセラミックプレート１２の表面に載置されたウェハを加熱する。ヒータ電極は、コイルに限定されるものではなく、例えばリボン（細長い薄板）、メッシュ、又は印刷であってもよい。ＥＳＣ電極は、静電チャック（ＥＳＣ）電極の略称であり、静電電極とも称される。ＥＳＣ電極は、セラミックプレート１２よりもやや小径の円形の薄層電極であるのが好ましく、例えば、細い金属線を網状に編み込んでシート状にしたメッシュ状の電極でありうる。ＥＳＣ電極には、給電のため端子ロッド２６が接続されており、端子ロッドは外部電源（図示せず）に接続されうる。この場合においても、ＥＳＣ電極としての内部電極１４に接続された端子ロッド２６は、第二面１２ｂ、金属層１６、伝熱空間２０及び冷却プレート１８を横切って、第二面１２ｂから離れる方向に延在するのが好ましい。ＥＳＣ電極は、外部電源によって電圧が印加されるとセラミックプレート１２の表面に載置されたウェハをジョンソン・ラーベック力によりチャッキングする。内部電極１４は、ヒータ電極とＥＳＣ電極の両方を含むものであってもよい。この場合、ヒータ電極とＥＳＣ電極が別個の内部電極１４としてセラミックプレート１２内の異なる深さ位置に埋設されていてもよい。また、内部電極１４はヒータ電極又はＥＳＣ電極の一方のみがセラミックプレート１２内に埋設されていてもよい。

金属層１６は、セラミックプレート１２の第二面１２ｂの全体又は一部にＲＦ電極として設けられる。金属層１６の厚さは、３～５００μｍであるのが好ましく、より好ましくは２０～３００μｍ、さらに好ましくは５０～２００μｍである。このように薄い金属層１６であると、セラミックプレート１２の第二面１２ｂの表面形状にフィットさせやすく、それ故うねり等の変形が生じにくくなるため、セラミックプレート１２の第一面１２ａと金属層１６（ＲＦ電極）との間の距離の面内ばらつきをより効果的に抑制することができる。その意味で、金属層１６は印刷又はめっきにより形成された層であるのが好ましい。また、金属層１６は金属シートであってもよく、この場合は金属シートを接着剤等の安価な手法で第二面１２ｂに接着すればよい。

金属層１６は、ＲＦ電極として機能しうるかぎりその材質は特に限定されないが、熱膨張率が窒化アルミニウムや酸化アルミニウムと近い、モリブデン、タングステン、ジルコニウム等の金属、又はそれらの合金で構成されるのが好ましい。

冷却プレート１８は、セラミックプレート１２の第二面１２ｂから所定距離離間して設けられる、円板状のプレートである。冷却プレート１８は、セラミックヒータや静電チャック用に一般的に用いられる構成の冷却プレートの構成であることができる。冷却プレート１８は、アルミニウムやアルミニウム合金等の金属製であるのがＲＦ供給、抜熱性及びコストの観点から好ましいが、ＳｉＳｉＣＴｉ（Ｓｉ、ＳｉＣ及びＴｉを含む複合材料）等の金属基複合材料（Ｍｅｔａｌ Ｍａｔｒｉｘ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ（ＭＭＣ））製であってもよい。典型的な冷却プレート１８は、冷却プレート１８の内部に冷却媒体を流すための流路１８ａをもたらす内部空間を備える。例えば、流路１８ａは、冷媒供給路及び冷媒排出路（図示せず）に接続されており、冷媒排出路から排出された冷媒は温度調整された後、再び冷媒供給路に戻されるように構成されうる。

好ましくは、冷却プレート１８は、端子ロッド２６を通すための開口穴を有しており、開口穴の表面が絶縁部材２８で覆われており、それにより端子ロッド２６が（例えば金属製の）冷却プレート１８と絶縁されている。

伝熱空間２０は、金属層１６と冷却プレート１８との間に存在する、ガスを介した熱伝達を可能とする空間である。典型的な伝熱空間２０は、金属層１６を第二面１２ｂに備えたセラミックプレート１２、冷却プレート１８、及びシール部材２２によって囲まれた密閉空間であり、使用時には伝熱空間２０内に熱伝達用のガスが充填される。伝熱空間２０に充填されるガスの好ましい例としては、ヘリウム（Ｈｅ）などが挙げられる。

シール部材２２は、セラミックプレート１２と冷却プレート１８との間において、セラミックプレート１２及び冷却プレート１８の外周に沿って、伝熱空間２０に気密性をもたらすように設けられる。こうして伝熱空間２０に気密性を持たせることで、チャンバ内でクリーニング用に使用される腐食ガスが伝熱空間２０内に侵入するのを阻止することができ、その結果、腐食ガスによって金属層１６が腐食するのを回避することができる。シール部材２２は、サセプタ１０に要求される耐熱性を備えたものであれば特に限定されず、Ｏリング、メタルシール等の一般的かつ安価なシール部材を使用することができる。したがって、本発明においては、シール部材２２として、特殊形状を有する及び／又は特殊材料で構成された高価なシール部品を用いなくて済む点においてもコスト的に有利といえる。

ＲＦ伝導部材２４は、金属層１６及び冷却プレート１８間の電気的接続を確保する部材であり、セラミックプレート１２と冷却プレート１８との間において、シール部材２２の内周側の位置に設けられる。すなわち、金属層１６をＲＦ電極として機能させるためには、金属層１６をＲＦ電源（図示せず）に接続させるか、又は接地させる必要がある。しかし、サセプタ１０においては伝熱空間２０が金属層１６の直下に存在するため、冷却プレート１８側において金属層１６にＲＦを供給する手段が必要となる。この点、金属層１６及び冷却プレート１８間にＲＦ伝導部材２４が介在することで、金属層１６と冷却プレート１８との間で電気的接続が確保される。このため、冷却プレート１８をＲＦ電源（図示せず）に接続させるか、又は接地させることで、金属層１６をＲＦ電極として機能させることができる。

ＲＦ伝導部材２４は、金属層１６及び冷却プレート１８間の電気的接続を確保可能な部材であれば特に限定されないが、図３に示されるようにスパイラル状に巻かれた長尺状の金属部品を含むのが好ましい。この長尺状の金属部品は、板状、棒状又はその他の任意の形状でありうる。スパイラル状に巻かれた長尺状の金属部品として、市販のスパイラル・スプリング・ガスケットを用いるのが安価に入手できる点で好ましい。

サセプタ１０は、サセプタ１０の外周に沿って設けられる固定部材３０をさらに備えるのが好ましく、固定部材３０が、セラミックプレート１２、金属層１６、シール部材２２、ＲＦ伝導部材２４及び冷却プレート１８を互いに密着させる方向に固定するように構成されるのが好ましい。例えば、前述したようにセラミックプレート１２が小径部１２ｃ及び大径部１２ｄを有することで段差部１２ｅを形成している場合、固定部材３０が、段差部１２ｅと係合可能に構成されるのが好ましい。固定部材３０は、セラミックプレート１２、金属層１６、シール部材２２、ＲＦ伝導部材２４及び冷却プレート１８を互いに密着させる方向に固定できるかぎり特に限定されないが、クランプ、（セラミックプレート１２の外周に沿って設けられる）リング状部材等の公知の固定手段を用いればよい。クランプの場合、クランプの固定機構によってセラミックプレート１２（例えば大径部１２ｄの段差部１２ｅとして延出した部分）、シール部材２２、冷却プレート１８等を挟み込んで固定すればよい。リング状部材の場合は、リング状部材をセラミックプレート１２（例えば大径部１２ｄの段差部１２ｅとして延出した部分）に載置し、このリング状部材を冷却プレート１８に向けて押圧するように冷却プレート１８又はその他の装置部材にネジ等の締結手段で固定すればよい。

Claims (11)

1. 第一面及び第二面を有する、円板状のセラミックプレートと、
   前記セラミックプレート内に埋設された内部電極と、
   前記セラミックプレートの第二面の全体又は一部にＲＦ電極として設けられる金属層と、
   前記セラミックプレートの第二面から所定距離離間して設けられる、円板状の冷却プレートと、
   前記金属層と前記冷却プレートとの間に存在する、ガスを介した熱伝達を可能とする伝熱空間と、
   前記セラミックプレートと前記冷却プレートとの間において、前記セラミックプレート及び前記冷却プレートの外周に沿って、前記伝熱空間に気密性をもたらすように設けられるシール部材と、
   前記セラミックプレートと前記冷却プレートとの間において、前記シール部材の内周側の位置に設けられ、前記金属層及び前記冷却プレート間の電気的接続を確保する、ＲＦ伝導部材と、
   を備えた、サセプタ。
2. 前記金属層の厚さが、３～５００μｍである、請求項１に記載のサセプタ。
3. 前記金属層が、印刷又はめっきにより形成された層であるか、又は金属シートである、請求項１又は２に記載のサセプタ。
4. 前記セラミックプレートが、窒化アルミニウム及び／又は酸化アルミニウムを含む、請求項１に記載のサセプタ。
5. 前記冷却プレートが、金属、又は金属基複合材料製である、請求項１又は２に記載のサセプタ。
6. 前記ＲＦ伝導部材が、スパイラル状に巻かれた長尺状の金属部品を含む、請求項１又は２に記載のサセプタ。
7. 前記内部電極に接続され、前記第二面、前記金属層、前記伝熱空間及び前記冷却プレートを横切って、前記第二面から離れる方向に延在する端子ロッドをさらに備えた、請求項１又は２に記載のサセプタ。
8. 前記冷却プレートが、前記端子ロッドを通すための開口穴を有しており、前記開口穴の表面が絶縁部材で覆われており、それにより前記端子ロッドが前記冷却プレートと絶縁されている、請求項７に記載のサセプタ。
9. 前記冷却プレートが、前記冷却プレートの内部に冷却媒体を流すための内部空間を備える、請求項１又は２に記載のサセプタ。
10. 前記サセプタの外周に沿って設けられる固定部材をさらに備え、前記固定部材が、前記セラミックプレート、前記金属層、前記シール部材、前記ＲＦ伝導部材及び前記冷却プレートを互いに密着させる方向に固定する、請求項１又は２に記載のサセプタ。
11. 前記セラミックプレートが、前記第一面を与える比較的小さい直径を有する小径部と、前記第二面を与える比較的大きい直径を有する大径部とを有し、それにより前記大径部及び前記小径部が段差部を形成しており、
    前記固定部材が、前記段差部と係合可能に構成される、請求項１０に記載のサセプタ。