JP7630295B2 - プラズマ処理用載置部、およびプラズマ処理装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、プラズマ処理用載置部、およびプラズマ処理装置に関する。

プラズマを利用したドライプロセスは、例えば、微細構造体を製造する際に活用されている。例えば、半導体装置、フラットパネルディスプレイ、フォトマスクなどの製造においては、エッチング処理、アッシング処理、ダメージの除去などの各種のプラズマ処理が行われている。

この様なプラズマ処理を行うプラズマ処理装置には、例えば、チャンバ、チャンバの内部を減圧する排気部、チャンバの内部にプラズマを発生させるプラズマ発生部、チャンバの内部のプラズマを発生させる領域に、プロセスガスを供給するガス供給部、チャンバの内部に設けられ、処理物が載置される載置部、載置部に設けられた電極などを備えたものがある。（例えば、特許文献１を参照）

この様なプラズマ処理装置は、発生させたプラズマを用いてプロセスガスからプラズマ生成物を生成し、プラズマ生成物に含まれているラジカルやイオンなどを用いて、処理物に処理を施す。この場合、載置部に電極が設けられていれば、例えば、処理物に入射するイオンのエネルギーを制御することができる。イオンのエネルギーを制御することができれば、例えば、イオンによる物理的な処理の制御を行うことができる。

ここで、近年においては、処理部分の微細化や材料の多様化などが進んでおり、プラズマ処理の特性（例えば、処理レート、処理の面内均一性、加工形状のプロファイルなど）を制御することができる技術の開発が望まれていた。

特開２００７－１２６６３号公報

本発明が解決しようとする課題は、プラズマ処理の特性を制御することができるプラズマ処理用載置部、およびプラズマ処理装置を提供することである。

実施形態に係るプラズマ処理用載置部は、プラズマ処理に用いられる載置部であって、 電極と、
前記電極の上に設けられた複数の電極プレートと、
を備え、
前記電極の上面には、複数のピンが設けられ、
前記電極プレートの一方の面には、前記電極の前記複数のピンのそれぞれが挿入される凹部が設けられ、
前記電極の上に設けられる第１の電極プレートの他方の面には、複数の第１のピンが設けられ、
前記第１の電極プレートの上に設けられる第２の電極プレートの、前記第１の電極プレート側の面には、前記複数の第１のピンのそれぞれが挿入される凹部が設けられている。
他の実施形態に係るプラズマ処理用載置部は、プラズマ処理に用いられる載置部であって、
電極と、
前記電極の上に設けられた複数の電極プレートと、
を備え、
前記電極の上面には、複数のピンが設けられ、
前記電極プレートの一方の面には、前記電極の前記複数のピンのそれぞれが挿入される凹部が設けられ、
前記電極プレートの他方の面には、複数の第１のピンが設けられている。

本発明の実施形態によれば、プラズマ処理の特性を制御することができるプラズマ処理用載置部、およびプラズマ処理装置が提供される。

本実施の形態に係るプラズマ処理装置を例示するためのレイアウト図である。 （ａ）、（ｂ）は、マスクリング収納部を例示するための模式断面図である。 （ａ）は、マスクリングの模式平面図である。（ｂ）は、マスクリングの模式側面図である。 （ａ）、（ｂ）は、電極プレート収納部を例示するための模式断面図である。 （ａ）は、電極プレートの模式平面図である。（ｂ）は、電極プレートの模式側面図である。 （ａ）は、電極プレートの模式平面図である。（ｂ）は、電極プレートの模式側面図である。 （ａ）は、電極プレートの模式平面図である。（ｂ）は、電極プレートの模式側面図である。 （ａ）は、ハンドを例示するための模式平面図である。（ｂ）は、ハンドを例示するための模式側面図である。 ハンドに載置された電極プレートを例示するための模式平面図である。 ハンドと、電極プレート収納部の棚との間における電極プレートの受け渡しを例示するための模式平面図である。 処理部の一例を例示するための模式断面図である。 （ａ）、（ｂ）は、載置部の模式斜視図である。 （ａ）は、電極の模式平面図である。（ｂ）は、電極の上面近傍の模式側面図である。 プッシャの作用を例示するための模式平面図である。 プッシャの作用を例示するための模式平面図である。 プッシャの作用を例示するための模式平面図である。 プッシャの作用を例示するための模式平面図である。 プッシャの作用を例示するための模式平面図である。 電極プレートの受け渡しを例示するための模式図である。 電極プレートの受け渡しを例示するための模式図である。 他の実施形態に係る移載部を例示するための模式平面図である。 図２１における移載部のＢ－Ｂ線断面図である。 他の実施形態に係る処理部を例示するための模式断面図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

図１は、本実施の形態に係るプラズマ処理装置１を例示するためのレイアウト図である。
図１に示すように、プラズマ処理装置１は、例えば、コントローラ２、収納部３、搬送部４、ロードロック部５、マスクリング収納部６、電極プレート収納部７、受け渡し部８、および処理部９を有する。

コントローラ２は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）などの演算部と、メモリなどの記憶部とを有する。コントローラ２は、例えば、コンピュータなどである。コントローラ２は、例えば、記憶部に格納されている制御プログラムに基づいて、プラズマ処理装置１に設けられた各要素の動作を制御する。

収納部３は、例えば、処理物１００を積層状（多段状）に収納する。収納部３は、例えば、いわゆるポッドや、正面開口式キャリアであるＦＯＵＰ(Front-Opening Unified Pod)などである。ただし、収納部３は、例示をしたものに限定されるわけではなく、処理物１００を収納することができるものであればよい。収納部３は、少なくとも１つ設けることができる。

処理物１００は、板状を呈し、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）を主成分として含む。処理物１００は、例えば、石英などから形成することができる。処理物１００の平面形状は、例えば、四角形とすることができる。ただし、処理物１００の材料や形状は、例示をしたものに限定されるわけではない。

搬送部４は、収納部３と、ロードロック部５との間に設けられている。搬送部４は、収納部３とロードロック部５との間における処理物１００の搬送と受け渡しを行う。この場合、搬送部４は、プラズマ処理を施す際の圧力よりも高い圧力（例えば、大気圧）の環境において、処理物１００の搬送と受け渡しを行う。搬送部４は、例えば、処理物１００を支持するアームを有する搬送ロボットである。

ロードロック部５は、搬送部４と受け渡し部８との間に設けられている。ロードロック部５は、雰囲気の圧力が異なる、搬送部４と受け渡し部８との間で、処理物１００の受け渡しを行う。そのため、ロードロック部５は、チャンバ５１、排気部５２、および、ガス供給部５３を有する。

チャンバ５１は、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な気密構造を有している。チャンバ５１の側壁には、処理物１００の搬入と搬出を行うための開口が設けられている。また、開口を開閉するゲートバルブ５１ａ１、５１ａ２が設けられている。チャンバ５１の一方の側壁側は、ゲートバルブ５１ａ１を介して、受け渡し部８のチャンバ８１（第２のチャンバの一例に相当する）に接続されている。また、チャンバ５１の他方の側壁側は、ゲートバルブ５１ａ２介して、搬送部４に接続されている。

排気部５２は、チャンバ５１の内部を排気して、チャンバ５１の内部の圧力が、受け渡し部８のチャンバ８１の内部の圧力と略同等となるようにする。排気部５２は、例えば、ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）と、圧力制御部（ＡＰＣ：Auto Pressure Controller）などを有することができる。圧力制御部は、チャンバ５１の内圧を検出する図示しない圧力計の出力に基づいて、チャンバ５１の内圧が所定の圧力となるように制御する。

ガス供給部５３は、チャンバ５１の内部にガスを供給して、チャンバ５１の内部の圧力が、搬送部４の圧力と略同等となるようにする。供給されるガスは、例えば、空気や窒素ガスなどとすることができる。

マスクリング収納部６（チャンバ６１）は、後述する受け渡し部８（チャンバ８１）に接続されている。
図２（ａ）、（ｂ）は、マスクリング収納部６を例示するための模式断面図である。
なお、図２（ａ）は、後述する棚６２が上昇端にある場合である。図２（ｂ）は、棚６２が下降端にある場合である。
図２（ａ）、（ｂ）に示すように、マスクリング収納部６は、複数のマスクリング１０１を積層状（多段状）に収納する。なお、マスクリング１０１については後述する。
マスクリング収納部６には、例えば、チャンバ６１、棚６２、および昇降部６３を設けることができる。

チャンバ６１は、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な気密構造を有している。チャンバ６１の側壁には、マスクリング１０１の搬入と搬出を行うための開口６１ａが設けられている。また、開口６１ａを開閉するゲートバルブ６１ｂが設けられている。チャンバ６１は、ゲートバルブ６１ｂを介して、受け渡し部８のチャンバ８１に接続されている。なお、ゲートバルブ６１ｂは省略することもできる。ただし、ゲートバルブ６１ｂが設けられていれば、マスクリング収納部６（チャンバ６１）と受け渡し部８（チャンバ８１）との間におけるパーティクルなどの移動を抑制することができる。

棚６２は、チャンバ６１の内部に設けられている。例えば、棚６２は、昇降方向（上下方向）に所定の距離をあけて並べて設けられた複数の支持部６２ａを有する。例えば、１つの支持部６２ａの上に、１つのマスクリング１０１を載置することができる。複数の支持部６２ａが設けられていれば、マスクリング収納部６（チャンバ６１）の内部に複数のマスクリング１０１、あるいは、複数種類のマスクリング１０１を収納することができる。

１つの支持部６２ａは、一対の支持プレート６２ａ１、および位置決め部６２ａ２を有する（例えば、後述する図１０を参照）。一対の支持プレート６２ａ１は、所定の間隔をあけて、水平方向に並べて設けられている。一対の支持プレート６２ａ１には、マスクリング１０１を保持するための凹部６２ａ１ａが設けられている。凹部６２ａ１ａの開口部分にはテーパをつけることができる。この様にすれば、凹部６２ａ１ａの内部にマスクリング１０１を誘い込むことができる。そのため、一対の支持プレート６２ａ１の上にマスクリング１０１を載置する際に、位置ズレがあったとしても、凹部６２ａ１ａの内部にマスクリング１０１を収納するのが容易となる。

位置決め部６２ａ２は、一対の支持プレート６２ａ１の間に設けられている。位置決め部６２ａ２には、マスクリング１０１に設けられた、後述する凹部１０１ｃに挿入されるピン１０２ａ６（第３のピンの一例に相当する）が設けられている。凹部１０１ｃに挿入されるピン１０２ａ６が設けられていれば、支持部６２ａに載置されたマスクリング１０１の位置がズレるのを抑制することができる。なお、凹部１０１ｃとピン１０２ａ６に関する詳細は後述する。

昇降部６３は、棚６２を昇降方向に移動させる。例えば、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、昇降部６３は、マスクリング１０１の受け渡しを行う支持部６２ａが、開口６１ａの位置に来るように、棚６２を昇降方向に移動させる。昇降部６３は、例えば、棚６２の移動を案内するガイド機構、サーボモータなどの駆動機構、ガイド機構と駆動機構との間の動力伝達を行うボールネジなどの伝動機構などを有することができる。

なお、昇降部６３は省略することもできる。例えば、チャンバ６１の内部に、固定式の棚６２を設けることもできる。ただし、昇降部６３が設けられていれば、受け渡しを行う支持部６２ａを開口６１ａの位置まで移動させることができる。したがって、開口６１ａの大きさを小さくすることができる。そのため、マスクリング収納部６（チャンバ６１）と受け渡し部８（チャンバ８１）との間におけるパーティクルなどの発生と発生したパーティクルなどの移動を抑制することができる。また、ゲートバルブ６１ｂを介してマスクリング収納部６と接続される受け渡し部８の対応する開口の大きさも小さくすることができる。このため、受け渡し部８の大型化を抑制することもできる。

次に、マスクリング１０１について説明する。
マスクリング１０１は、後述する載置部９７に設けられた電極プレート１０２ａ～１０２ｃの上に設けられ、処理物１００を支持する。
図３（ａ）は、マスクリング１０１の模式平面図である。
図３（ｂ）は、マスクリング１０１の模式側面図である。
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、マスクリング１０１は、例えば、円板状を呈している。例えば、マスクリング１０１の平面寸法は、後述する電極プレート１０２ａ～１０２ｃの平面寸法と略同じとすることができる。例えば、マスクリング１０１の厚みは、処理物１００厚みと略同じとすることができる。マスクリング１０１は、例えば、プラズマ処理に対する耐性を有する材料から形成される。マスクリング１０１は、例えば、石英などから形成することができる。

マスクリング１０１の中央部分には、厚み方向を貫通する孔１０１ａが設けられている。孔１０１ａの内部には、処理物１００が収納される。例えば、孔１０１ａは、処理物１００の支持、および処理物１００の位置合わせを行うために設けられている。そのため、マスクリング１０１は、処理物１００の平面形状と平面寸法に応じて複数種類設けることができる。

マスクリング１０１の一方の面には、凹部１０１ｂ、１０１ｃが設けられている。凹部１０１ｂ、１０１ｃは、マスクリング１０１と、後述する電極プレート１０２ａ～１０２ｃとの位置合わせを行うために設けられている。そのため、電極プレート１０２ａ～１０２ｃの上にマスクリング１０１を載置した際に、電極プレート１０２ａ～１０２ｃに設けられたピン１０２ａ５が凹部１０１ｂの内部に挿入され、ピン１０２ａ６が凹部１０１ｃの内部に挿入される。また、凹部１０１ｂ、１０１ｃの開口の縁は、テーパをつけることができる。この様にすれば、凹部１０１ｂ、１０１ｃの内部にピン１０２ａ５、１０２ａ６を誘い込むことができる。そのため、電極プレート１０２ａ～１０２ｃの上にマスクリング１０１を載置する際に、位置ズレがあったとしても、凹部１０１ｂ、１０１ｃの内部にピン１０２ａ５、１０２ａ６を挿入すること、ひいては、マスクリング１０１の位置を、電極プレート１０２ａ～１０２ｃの位置に合わせるのが容易となる。

次に、図１に戻って、電極プレート収納部７について説明する。
図１に示すように、電極プレート収納部７（チャンバ７１（第３のチャンバの一例に相当する）は、後述する受け渡し部８（チャンバ８１）に接続されている。
図４（ａ）、（ｂ）は、電極プレート収納部７を例示するための模式断面図である。
なお、図４（ａ）は、棚７２が上昇端にある場合である。図４（ｂ）は、棚７２が下降端にある場合である。
電極プレート収納部７は、複数の電極プレートを収納することができる。例えば、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、電極プレート収納部７は、電極プレート１０２ａ～１０２ｃを積層状（多段状）に収納する。なお、電極プレート１０２ａ～１０２ｃについては後述する。

電極プレート収納部７には、例えば、チャンバ７１、棚７２、および昇降部７３（第３の昇降機構の一例に相当する）を設けることができる。棚７２は、チャンバ７１の内部に設けられ、電極プレート１０２ａ～１０２ｃを支持する。昇降部７３は、棚７２を昇降する。棚７２は、１つの電極プレートを支持可能な支持部６２ａを昇降方向に複数有している。複数の支持部６２ａのそれぞれは、電極プレートに設けられた凹部１０１ｃに挿入可能なピン１０２ａ６（第３のピンの一例に相当する）を有する。

この場合、チャンバ７１の構成は、前述したチャンバ６１の構成と同様とすることができる。棚７２の構成は、前述した棚６２の構成と同様とすることができる。昇降部７３の構成は、前述した昇降部６３の構成と同様とすることができる。
例えば、前述したチャンバ６１、棚６２、および昇降部６３を２組設け、一方をマスクリング１０１を収納するマスクリング収納部６とし、他方を電極プレート１０２ａ～１０２ｃを収納する電極プレート収納部７とすることができる。
そのため、電極プレート収納部７の構成に関する詳細な説明は省略する。

次に、電極プレート１０２ａ～１０２ｃについて説明する。なお、以下においては、一例として、３種類の電極プレート１０２ａ～１０２ｃを説明するが、電極プレートの種類は、１種類以上であればよい。すなわち、後述する載置部９７の電極９７ａの上には、少なくとも１つの電極プレートが設けられる。

図５（ａ）は、電極プレート１０２ａの模式平面図である。
図５（ｂ）は、電極プレート１０２ａの模式側面図である。
図５（ａ）、（ｂ）に示すように、電極プレート１０２ａは、例えば、円板状を呈している。例えば、電極プレート１０２ａの平面寸法は、後述する載置部９７の電極９７ａの平面寸法と略同じとすることができる。電極９７ａに載置された電極プレート１０２ａは、電極として機能する。そのため、電極プレート１０２ａは金属などの導電性材料から形成することができる。例えば、電極プレート１０２ａの材料は電極９７ａの材料と同じとすることができる。

電極プレート１０２ａの中央部分には、厚み方向を貫通する複数の孔１０２ａ１が設けられている。複数の孔１０２ａ１は、処理物１００の受け渡しを行うための、後述するリフトピン９８ａ１を挿通させるために設けられている。処理物１００の受け渡しの際の、処理物１００の姿勢の安定性を考慮すると、３つ以上の孔１０２ａ１を、円周上に等間隔で設けることが好ましい。

電極プレート１０２ａの、複数の孔１０２ａ１が設けられた領域の外側には、厚み方向を貫通する複数の孔１０２ａ２が設けられている。複数の孔１０２ａ２は、マスクリング１０１の受け渡しを行うための、後述するリフトピン９８ａ２を挿通させるために設けられている。マスクリング１０１の受け渡しの際の、マスクリング１０１の姿勢の安定性を考慮すると、３つ以上の孔１０２ａ２を、円周上に等間隔で設けることが好ましい。

電極プレート１０２ａの、複数の孔１０２ａ１が設けられた領域の外側には、厚み方向を貫通する複数の孔１０２ａ３が設けられている。複数の孔１０２ａ３は、電極プレート１０２ｃの受け渡しを行うための、後述するリフトピン９８ａ２を挿通させるために設けられている。電極プレート１０２ｃの受け渡しの際の、電極プレート１０２ｃの姿勢の安定性を考慮すると、３つ以上の孔１０２ａ３を、円周上に等間隔で設けることが好ましい。

電極プレート１０２ａの、複数の孔１０２ａ１が設けられた領域の外側には、厚み方向を貫通する複数の孔１０２ａ４が設けられている。複数の孔１０２ａ４は、電極プレート１０２ｂの受け渡しを行うための、後述するリフトピン９８ａ２を挿通させるために設けられている。電極プレート１０２ｂの受け渡しの際の、電極プレート１０２ｂの姿勢の安定性を考慮すると、３つ以上の孔１０２ａ４を、円周上に等間隔で設けることが好ましい。

電極プレート１０２ａの一方の面には、マスクリング１０１に設けられた凹部１０１ｂ、１０１ｃと同じ凹部を設けることができる。平面視において、電極プレート１０２ａに設けられた凹部１０１ｂ、１０１ｃの位置は、マスクリング１０１に設けられた凹部１０１ｂ、１０１ｃの位置と略同じとすることができる。凹部１０１ｂ、１０１ｃは、電極プレート１０２ａと、後述する電極９７ａとの位置合わせを行うために設けられている。そのため、電極９７ａの上に電極プレート１０２ａを載置した際に、電極９７ａに設けられたピン１０２ａ５が凹部１０１ｂの内部に挿入され、ピン１０２ａ６が凹部１０１ｃの内部に挿入される。

電極プレート１０２ａの他方の面には、ピン１０２ａ５、１０２ａ６（第１のピンの一例に相当する）が設けられている。平面視において、ピン１０２ａ５、１０２ａ６の位置は、マスクリング１０１に設けられた凹部１０１ｂ、１０１ｃの位置と略同じとすることができる。ピン１０２ａ５、１０２ａ６は、電極プレート１０２ａと、電極プレート１０２ｂまたは電極プレート１０２ｃとの位置合わせを行うために設けられている。そのため、ピン１０２ａ５は、電極プレート１０２ｂ、１０２ｃに設けられた凹部１０１ｂに挿入される。ピン１０２ａ６は、電極プレート１０２ｂ、１０２ｃに設けられた凹部１０１ｃに挿入される。

また、ピン１０２ａ５、１０２ａ６の先端には、テーパをつけることができる。この様にすれば、凹部１０１ｂ、１０１ｃの内部にピン１０２ａ５、１０２ａ６を誘い込むことができる。電極プレート１０２ａの上に、電極プレート１０２ｂまたは電極プレート１０２ｃを載置する際に、位置ズレがあったとしても、凹部１０１ｂ、１０１ｃの内部にピン１０２ａ５、１０２ａ６を挿入すること、ひいては、電極プレート１０２ｂまたは電極プレート１０２ｃの位置を、電極プレート１０２ａの位置に合わせるのが容易となる。

図６（ａ）は、電極プレート１０２ｂの模式平面図である。
図６（ｂ）は、電極プレート１０２ｂの模式側面図である。
図６（ａ）、（ｂ）に示すように、電極プレート１０２ｂは、例えば、円板状を呈している。例えば、電極プレート１０２ｂの平面寸法は、後述する載置部９７の電極９７ａの平面寸法と略同じとすることができる。電極９７ａに載置された電極プレート１０２ｂは、電極として機能する。そのため、電極プレート１０２ｂは金属などの導電性材料から形成することができる。例えば、電極プレート１０２ｂの材料は電極９７ａの材料と同じとすることができる。

前述した電極プレート１０２ａと同様に、電極プレート１０２ｂにも、複数の孔１０２ａ１～１０２ａ３が設けられている。ただし、電極プレート１０２ｂには、複数の孔１０２ａ４が設けられていない。そのため、電極プレート１０２ｂの下方に設けられた電極プレート１０２ａの複数の孔１０２ａ４から突出したリフトピン９８ａ２により電極プレート１０２ｂを持ち上げることができる。電極プレート１０２ｂを持ち上げることができれば、後述する受け渡し部８のハンド８２ａを電極プレート１０２ｂの下方に挿入することができるので、電極プレート１０２ｂの受け渡しを行うことができる。

電極プレート１０２ｂの一方の面には、電極プレート１０２ａと同様に、凹部１０１ｂ、１０１ｃが設けられている。平面視において、電極プレート１０２ｂに設けられた凹部１０１ｂ、１０１ｃの位置は、マスクリング１０１に設けられた凹部１０１ｂ、１０１ｃの位置と略同じとすることができる。凹部１０１ｂ、１０１ｃは、電極プレート１０２ｂと、後述する電極９７ａ、または電極プレート１０２ａとの位置合わせを行うために設けられている。

電極プレート１０２ｂの他方の面には、電極プレート１０２ａと同様に、ピン１０２ａ５、１０２ａ６（第１のピンの一例に相当する）が設けられている。平面視において、ピン１０２ａ５、１０２ａ６の位置は、マスクリング１０１に設けられた凹部１０１ｂ、１０１ｃの位置と略同じとすることができる。ピン１０２ａ５、１０２ａ６は、電極プレート１０２ｂと、電極プレート１０２ｃまたはマスクリング１０１との位置合わせを行うために設けられている。

図７（ａ）は、電極プレート１０２ｃの模式平面図である。
図７（ｂ）は、電極プレート１０２ｃの模式側面図である。
図７（ａ）、（ｂ）に示すように、電極プレート１０２ｃは、例えば、円板状を呈している。例えば、電極プレート１０２ｃの平面寸法は、後述する載置部９７の電極９７ａの平面寸法と略同じとすることができる。電極９７ａに載置された電極プレート１０２ｃは、電極として機能する。そのため、電極プレート１０２ｃは金属などの導電性材料から形成することができる。例えば、電極プレート１０２ｃの材料は電極９７ａの材料と同じとすることができる。

前述した電極プレート１０２ａと同様に、電極プレート１０２ｃにも、複数の孔１０２ａ１、１０２ａ２が設けられている。ただし、電極プレート１０２ｃには、複数の孔１０２ａ３、１０２ａ４が設けられていない。そのため、電極プレート１０２ｃの下方に設けられた電極プレート１０２ａまたは電極プレート１０２ｂの複数の孔１０２ａ３から突出したリフトピン９８ａ２により電極プレート１０２ｃを持ち上げることができる。電極プレート１０２ｃを持ち上げることができれば、後述する受け渡し部８のハンド８２ａを電極プレート１０２ｃの下方に挿入することができるので、電極プレート１０２ｃの受け渡しを行うことができる。

電極プレート１０２ｃの一方の面には、電極プレート１０２ａと同様に、凹部１０１ｂ、１０１ｃが設けられている。平面視において、電極プレート１０２ｃに設けられた凹部１０１ｂ、１０１ｃの位置は、マスクリング１０１に設けられた凹部１０１ｂ、１０１ｃの位置と略同じとすることができる。凹部１０１ｂ、１０１ｃは、電極プレート１０２ｃと、電極プレート１０２ａ、または電極プレート１０２ｂとの位置合わせを行うために設けられている。

電極プレート１０２ｃの他方の面には、電極プレート１０２ａと同様に、ピン１０２ａ５、１０２ａ６（第１のピンの一例に相当する）が設けられている。平面視において、ピン１０２ａ５、１０２ａ６の位置は、マスクリング１０１に設けられた凹部１０１ｂ、１０１ｃの位置と略同じとすることができる。ピン１０２ａ５、１０２ａ６は、電極プレート１０２ｃと、マスクリング１０１との位置合わせを行うために設けられている。

なお、２種類の電極プレートが電極９７ａの上に重ねて載置される場合には、後述する電極９７ａの上に設けられる電極プレートを第１の電極プレート、第１の電極プレートの上に設けられる電極プレートを第２の電極プレートと呼ぶ。例えば、電極プレート１０２ａが電極９７ａの上に載置され、電極プレート１０２ｂまたは電極プレート１０２ｃが電極プレート１０２ａの上に載置される場合、電極プレート１０２ａが第１の電極プレートとなり、電極プレート１０２ｂまたは電極プレート１０２ｃが第２の電極プレートとなる。あるいは、例えば、電極プレート１０２ｂが電極９７ａの上に載置され、電極プレート１０２ｃが電極プレート１０２ｂの上に載置される場合、電極プレート１０２ｂが第１の電極プレートとなり、電極プレート１０２ｃが第２の電極プレートとなる。

以上に説明した様に、第１の電極プレートの一方の面には、複数のピン１０２ａ５、１０２ａ６が設けられている。第１の電極プレートの上に設けられる第２の電極プレートの、第１の電極プレート側の面には、複数のピン１０２ａ５、１０２ａ６のそれぞれが挿入される凹部１０１ｂ、１０１ｃが設けられている。

電極プレート１０２ａ～１０２ｃの平面形状は、略円とすることができる。電極プレート１０２ａ～１０２ｃの平面寸法は、略同じとすることができる。

電極プレート１０２ａ～１０２ｃの厚みは、例えば、後述する処理部９のチャンバ９１（第１のチャンバの一例に相当する）の開口９１ｂを通過できるのであれば特に限定がない。また、電極プレート１０２ａ～１０２ｃの厚みは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。

次に、図１に戻って、受け渡し部８について説明する。
図１に示すように、受け渡し部８は、ロードロック部５、マスクリング収納部６、電極プレート収納部７、および処理部９に接続されている。
受け渡し部８は、チャンバ８１、搬送部８２、排気部８３、およびガス供給部８４を有する。

チャンバ８１は、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な気密構造を有している。 搬送部８２は、チャンバ８１の内部に設けられている。
搬送部８２は、処理部９とロードロック部５との間における処理物１００の受け渡しと搬送を行う。また、搬送部８２は、処理部９とマスクリング収納部６との間におけるマスクリング１０１の受け渡しと搬送を行う。また、搬送部８２は、処理部９と電極プレート収納部７との間における電極プレート１０２ａ～１０２ｃの受け渡しと搬送を行う。
例えば、搬送部８２は、処理物１００、マスクリング１０１、および電極プレート１０２ａ～１０２ｃを支持するハンド８２ａを有する搬送ロボット（例えば、多関節ロボット）とすることができる。

図８（ａ）は、ハンド８２ａを例示するための模式平面図である。
図８（ｂ）は、ハンド８２ａを例示するための模式側面図である。
図８（ａ）、（ｂ）に示すように、ハンド８２ａには、マスクリング１０１、および電極プレート１０２ａ～１０２ｃを支持するための凹部８２ａ１（第２の支持部の一例に相当する）と、処理物１００を支持するための凹部８２ａ２（第１の支持部の一例に相当する）とが設けられている。

また、ハンド８２ａには、ピン１０２ａ５（第２のピンの一例に相当する）が設けられている。ハンド８２ａに、マスクリング１０１、および電極プレート１０２ａ～１０２ｃを載置した際には、これらに設けられた凹部１０１ｂに、ハンド８２ａに設けられたピン１０２ａ５が挿入される。そのため、ハンド８２ａに対する、マスクリング１０１、および電極プレート１０２ａ～１０２ｃの位置を決めることができる。また、搬送中に、マスクリング１０１、および電極プレート１０２ａ～１０２ｃの位置がズレるのを抑制することができる。

図９は、ハンド８２ａに載置された電極プレート１０２ａを例示するための模式平面図である。
図９に示すように、平面視において、孔１０２ａ１～１０２ａ４は、ハンド８２ａと重なっていない。そのため、電極９７ａとハンド８２ａとの間における、処理物１００、マスクリング１０１、および電極プレート１０２ａ～１０２ｃの受け渡しの際、あるいは、これらの搬送の際に、リフトピン９８ａ１、９８ａ２と、ハンド８２ａとが干渉するのを抑制することができる。

図１０は、ハンド８２ａと、電極プレート収納部７の棚６２との間における電極プレート１０２ａの受け渡しを例示するための模式平面図である。
なお、ハンド８２ａと、電極プレート収納部７の棚６２との間における電極プレート１０２ｂ、１０２ｃの受け渡しも同様である。また、ハンド８２ａと、マスクリング収納部６の棚６２との間におけるマスクリング１０１の受け渡しも同様である。

図１０に示すように、一対の支持プレート６２ａ１の間には、ハンド８２ａが挿入可能となっているので、ハンド８２ａを上昇させることで、一対の支持プレート６２ａ１に載置されている電極プレート１０２ａ（電極プレート１０２ｂ、１０２ｃ、マスクリング１０１）を受け取ることができる。また、ハンド８２ａを下降させることで支持している電極プレート１０２ａ（電極プレート１０２ｂ、１０２ｃ、マスクリング１０１）を一対の支持プレート６２ａ１の上に載置することができる。なお、ハンド８２ａを昇降させる場合を説明したが、昇降部６３により、棚６２（一対の支持プレート６２ａ１）を昇降させてもよい。

図１に示すように、排気部８３は、チャンバ８１の内部を所定の圧力まで減圧する。排気部８３は、例えば、圧力制御部（ＡＰＣ）を介して、チャンバ８１の底面に接続することができる。排気部８３は、例えば、前述した排気部５２と同様とすることができる。

ガス供給部８４は、流量制御部を介して、チャンバ８１の内部にガスを供給する。流量制御部は、例えば、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）などとすることができる。チャンバ８１の内部に供給されるガスは、例えば、処理物１００や、チャンバ８１の内部に露出する要素と反応し難いガスとすることができる。例えば、ガスは、窒素ガス、アルゴンガスなどの希ガス、あるいは、これらの混合ガスなどとすることができる。

処理部９は、大気圧よりも減圧された雰囲気において、処理物１００にプラズマ処理を施す。
処理部９は、例えば、プラズマエッチング装置、プラズマアッシング装置などのプラズマ処理装置とすることができる。この場合、プラズマの発生方法には特に限定はなく、例えば、高周波やマイクロ波などを用いてプラズマを発生させるものとすることができる。 ただし、プラズマ処理装置の種類やプラズマ発生方法は例示をしたものに限定されるわけではない。すなわち、処理部９は、処理物１００に入射するイオンのエネルギーを制御する電極を有するものであればよい。

また、処理部９の数にも特に限定はない。処理部９は、少なくとも１つ設けられていればよい。処理部９を複数設ける場合には、同じ種類のプラズマ処理装置を設けることもできるし、異なる種類のプラズマ処理装置を設けることもできる。また、同じ種類のプラズマ処理装置を複数設ける場合には、処理条件がそれぞれ異なるようにすることもできるし、処理条件がそれぞれ同じになるようにすることもできる。

図１１は、処理部９の一例を例示するための模式断面図である。
図１１に例示をする処理部９は、誘導結合プラズマ処理装置である。すなわち、高周波エネルギーにより励起、発生させたプラズマＰを用いてプロセスガスＧからプラズマ生成物を生成し、処理物１００の処理を行うプラズマ処理装置の一例である。

図１１に示すように、処理部９は、例えば、チャンバ９１、アンテナ９２、高周波電源９３、高周波電源９４、ガス供給部９５、排気部９６、載置部９７、および、移載部９８を備えている。

チャンバ９１は、内部に載置部９７が設けられ、処理物１００にプラズマ処理を施す。チャンバ９１は、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な気密構造を有している。チャンバ９１の上部には、透過窓９１ａが気密となるように設けられている。透過窓９１ａは、板状を呈し、例えば、石英などの誘電体材料から形成することができる。

チャンバ９１の側壁には、処理物１００の搬入と搬出を行うための開口９１ｂが設けられている。また、開口９１ｂを開閉するゲートバルブ９１ｃが設けられている。チャンバ９１は、ゲートバルブ９１ｃを介して、受け渡し部８のチャンバ８１に接続されている。

アンテナ９２は、チャンバ９１の内部の、プラズマＰを発生させる領域に高周波エネルギー（電磁エネルギー）を供給する。例えば、アンテナ９２は、透過窓９１ａを介して、チャンバ９１の内部に高周波エネルギーを供給する。チャンバ９１の内部に供給された高周波エネルギーによりプラズマＰが発生する。

高周波電源９３は、アンテナ９２に電気的に接続されている。高周波電源９３は、プラズマＰを発生させるための電源である。高周波電源９３は、チャンバ９１の内部において高周波放電を生じさせてプラズマＰを発生させる。高周波電源９３は、１００ＫＨｚ～１００ＭＨｚ程度の周波数を有する高周波電力をアンテナ９２に印加する。また、高周波電源９３とアンテナ９２との間に、高周波電源９３側のインピーダンスと、プラズマＰ側のインピーダンスとの間で整合をとるための整合器を設けることができる。
本実施の形態においては、アンテナ９２および高周波電源９３が、プラズマＰを発生させるプラズマ発生部となる。

高周波電源９４は、載置部９７に設けられた電極９７ａに電気的に接続されている。高周波電源９４は、載置部９７に載置された処理物１００に引き込むイオンのエネルギーを制御する。高周波電源９４は、イオンを引き込むために適した比較的低い周波数（例えば、１３．５６ＭＨｚ以下）を有する高周波電力を。後述する電極９７ａに印加する。また、高周波電源９４と電極９７ａとの間に、高周波電源９４側のインピーダンスと、プラズマＰ側のインピーダンスとの間で整合をとるための整合器を設けることができる。

ガス供給部９５は、チャンバ９１の内部の、プラズマＰを発生させる領域にプロセスガスＧを供給する。また、ガス供給部９５は、プロセスガスＧの流量を制御する流量制御部を有することができる。流量制御部は、例えば、マスフローコントローラ（ＭＦＣ：Mass Flow Controller）などとすることができる。

プロセスガスＧは、処理の種類や、処理物１００の処理面の材料などに応じて適宜選択される。例えば、エッチング処理の場合には、反応性の高いラジカルが生成されるように、ＣＦ_４やＣＦ_３などのフッ素原子を含むプロセスガスＧとすることができる。この場合、プロセスガスＧは、例えば、フッ素原子を含むガスだけとすることもできるし、フッ素原子を含むガスと希ガスとの混合ガスとすることもできる。

排気部９６は、チャンバ９１の内部を所定の圧力まで減圧する。排気部９６は、例えば、ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）と、圧力制御部（ＡＰＣ）などを有することができる。

載置部９７は、チャンバ９１の内部に設けられている。載置部９７の上には、処理物１００が載置される。
載置部９７は、例えば、電極９７ａ、電極プレート１０２ａ～１０２ｃ、およびマスクリング１０１を有する。
電極９７ａは、例えば、チャンバ９１の底面に設けることができる。電極９７ａは、例えば、円柱状を呈し、金属などの導電性材料から形成されている。

ここで、アンテナ９２（透過窓９１ａ）と、載置部９７（電極９７ａ）との間の距離が変わると、プラズマ処理の特性（例えば、処理レート、処理の面内均一性、加工形状のプロファイルなど）が影響を受ける。このことは、アンテナ９２（透過窓９１ａ）と、載置部９７（電極９７ａ）との間の距離を変化させれば、プラズマ処理の特性を制御できることを意味する。

この場合、昇降装置により電極９７ａを上下させて、アンテナ９２（透過窓９１ａ）と、載置部９７（電極９７ａ）との間の距離を変化させると、チャンバ９１の内部においてパーティクルが発生するおそれがある。
また、チャンバ９１の内部において、透過窓９１ａとチャンバ上部との間に部材を取り付けて、アンテナ９２（透過窓９１ａ）と、載置部９７（電極９７ａ）との間の距離を変化させると、透過窓９１ａと同程度の大きさの部材が必要となる。この様な大きさの部材は、チャンバ９１の開口９１ｂを通過させることができない。そのため、部材の取り付けや取り外しの際に、処理部９の分解、組み立て、調整などが必要となる。

本発明者の得た知見によれば、処理物１００と同程度の厚みを有し、電極９７ａの平面寸法と同程度の平面寸法を有する電極プレートであれば、チャンバ９１の開口９１ｂを通過させることができる。
そこで、本実施の形態に係るプラズマ処理装置１においては、プラズマ処理の処理条件などに応じて、適切な電極プレートを選択し、選択された電極プレートを電極９７ａの上に載置するようにしている。例えば、プラズマ処理を行う際には、電極プレート１０２ａ～１０２ｃの少なくともいずれかが、チャンバ９１の内部に搬入され、電極９７ａの上に重ねて載置される（電極９７ａの上に積層される）。また、マスクリング１０１が、チャンバ９１の内部に搬入され、電極プレートの上に重ねて載置される。

この様にすれば、アンテナ９２（透過窓９１ａ）と、載置部９７（電極９７ａ）との間の距離を変える際に、チャンバ９１の内部においてパーティクルが発生するのを抑制することができる。また、チャンバ９１の開口９１ｂを介して、電極プレート１０２ａ～１０２ｃの搬入と搬出ができるので、アンテナ９２（透過窓９１ａ）と、載置部９７（電極９７ａ）との間の距離を変える際に、処理部９の分解、組み立て、調整などを行う必要がない。

図１２（ａ）、（ｂ）は、載置部９７の模式斜視図である。
例えば、図１２（ａ）に示すように、電極プレート１０２ｃを選択した場合には、電極プレート１０２ｃが電極９７ａの上に載置され、マスクリング１０１が電極プレート１０２ｃの上に載置される。すなわち、電極プレート１０２ｃとマスクリング１０１が、電極９７ａの上に積層される。なお、電極プレート１０２ａまたは電極プレート１０２ｂが選択された場合も同様である。

例えば、図１２（ｂ）および図１１に示すように、電極プレート１０２ａ～１０２ｃを選択した場合には、電極プレート１０２ａが電極９７ａの上に載置され、電極プレート１０２ｂが電極プレート１０２ａの上に載置され、電極プレート１０２ｃが電極プレート１０２ｂの上に載置され、マスクリング１０１が電極プレート１０２ｃの上に載置される。すなわち、電極プレート１０２ａ～１０２ｃとマスクリング１０１が、電極９７ａの上に積層される。

図１３（ａ）は、電極９７ａの模式平面図である。
図１３（ｂ）は、電極９７ａの上面近傍の模式側面図である。
前述したように、電極９７ａには、電極プレート１０２ａ～１０２ｃ、およびマスクリング１０１が重ねて載置される。そのため、図１３（ａ）に示すように、電極９７ａには、リフトピン９８ａ１が挿通する孔９７ａ１と、リフトピン９８ａ２が挿通する孔９７ａ２～９７ａ５が設けられている。孔９７ａ１～９７ａ５は、電極９７ａを厚み方向に貫通している。

孔９７ａ１は、電極９７ａの中央部分に複数設けられている。複数の孔９７ａ１には、処理物１００の受け渡しを行うための、後述するリフトピン９８ａ１が挿通する。複数の孔９７ａ１の数、配置、断面寸法は、電極プレート１０２ａ～１０２ｃに設けられた複数の孔１０２ａ１と略同じとすることができる。すなわち、平面視において、電極９７ａに設けられた複数の孔９７ａ１は、電極プレート１０２ａ～１０２ｃに設けられた複数の孔１０２ａ１と重なっている。

電極９７ａの、複数の孔９７ａ１が設けられた領域の外側には、複数の孔９７ａ２～９７ａ５が設けられている。
複数の孔９７ａ２には、マスクリング１０１の受け渡しを行うための、後述するリフトピン９８ａ２が挿通する。複数の孔９７ａ２の数、配置、断面寸法は、電極プレート１０２ａ～１０２ｃに設けられた複数の孔１０２ａ２と略同じとすることができる。すなわち、平面視において、電極９７ａに設けられた複数の孔９７ａ２は、電極プレート１０２ａ～１０２ｃに設けられた複数の孔１０２ａ２と重なっている。

複数の孔９７ａ３には、電極プレート１０２ｃの受け渡しを行うための、後述するリフトピン９８ａ２が挿通する。複数の孔９７ａ３の数、配置、断面寸法は、電極プレート１０２ａ、１０２ｂに設けられた複数の孔１０２ａ３と略同じとすることができる。すなわち、平面視において、電極９７ａに設けられた複数の孔９７ａ３は、電極プレート１０２ａ、１０２ｂに設けられた複数の孔１０２ａ３と重なっている。

複数の孔９７ａ４には、電極プレート１０２ｂの受け渡しを行うための、後述するリフトピン９８ａ２が挿通する。複数の孔９７ａ４の数、配置、断面寸法は、電極プレート１０２ａに設けられた複数の孔１０２ａ４と略同じとすることができる。すなわち、平面視において、電極９７ａに設けられた複数の孔９７ａ４は、電極プレート１０２ａに設けられた複数の孔１０２ａ４と重なっている。

複数の孔９７ａ５には、電極プレート１０２ａの受け渡しを行うための、後述するリフトピン９８ａ２が挿通する。

また、図１３（ａ）、（ｂ）に示すように、電極９７ａの上面には、電極プレート１０２ａ～１０２ｃに設けられたピン１０２ａ５、１０２ａ６と同じピンを設けることができる。平面視において、電極９７ａの上面に設けられたピン１０２ａ５、１０２ａ６の位置は、電極プレート１０２ａ～１０２ｃに設けられた凹部１０１ｂ、１０１ｃの位置と略同じとすることができる。すなわち、ピン１０２ａ５、１０２ａ６は、電極９７ａと、電極９７ａの上に載置される電極プレートとの位置合わせを行うために設けられている。そのため、ピン１０２ａ５は、電極９７ａの上に載置される電極プレートに設けられた凹部１０１ｂに挿入される。ピン１０２ａ６は、電極９７ａの上に載置される電極プレートに設けられた凹部１０１ｃに挿入される。

移載部９８は、載置部９７と、受け渡し部８のハンド８２ａとの間で、処理物１００、電極プレート１０２ａ～１０２ｃ、およびマスクリング１０１の受け渡しを行う。
図１１に示すように、移載部９８は、例えば、チャンバ９１の外部に設けることができる。
移載部９８は、例えば、複数のリフトピン９８ａ１、９８ａ２、複数のシール部９８ｂ、プッシャ９８ｃ、および駆動部９８ｄを有することができる。

複数のリフトピン９８ａ１、９８ａ２は、それぞれが個別に昇降可能となっている。
複数のリフトピン９８ａ１は、処理物１００の受け渡しを行うために設けられている。
複数のリフトピン９８ａ１の数、配置は、電極９７ａに設けられた複数の孔９７ａ１、および、電極プレート１０２ａ～１０２ｃに設けられた複数の孔１０２ａ１と略同じとなっている。そのため、リフトピン９８ａ１は、孔９７ａ１、および孔１０２ａ１を介して処理物１００を突き上げ可能となっている。
複数のリフトピン９８ａ１の、処理物１００の受け渡しに用いられる端部とは反対側の端部にはフランジが設けられる。

複数のリフトピン９８ａ２は、電極プレート１０２ａ～１０２ｃ、およびマスクリング１０１の受け渡しを行うために設けられている。
複数のリフトピン９８ａ２の数、配置は、電極９７ａに設けられた複数の孔９７ａ２～９７ａ５、および、電極プレート１０２ａ～１０２ｃに設けられた複数の孔１０２ａ２～１０２ａ４と略同じとなっている。そのため、リフトピン９８ａ２は、孔９７ａ２～９７ａ５、および孔１０２ａ２～１０２ａ４を介して、電極プレート１０２ａ～１０２ｃ、およびマスクリング１０１を突き上げ可能となっている。
複数のリフトピン９８ａ２の、電極プレート１０２ａ～１０２ｃ、およびマスクリング１０１の受け渡しに用いられる端部とは反対側の端部にはフランジが設けられる。

なお、図１１では、符号９８ａ２にカッコ書きで符号９８ａ１が併記されている。リフトピン９８ａ１は、リフトピン９８ａ２よりも電極９７ａの中央よりにある。しかしながら、図を簡略するために便宜的に９８ａ２との併記とした。

シール部９８ｂは、複数のリフトピン９８ａ１、９８ａ２のそれぞれに設けられている。複数のリフトピン９８ａ１、９８ａ２は、チャンバ９１の内部の雰囲気に露出する。そのため、シール部９８ｂは、チャンバ９１の内部の大気圧よりも低い雰囲気と、チャンバ９１の外部の大気圧の雰囲気との間を気密に封止する。また、シール部９８ｂは、複数のリフトピン９８ａ１、９８ａ２の昇降に伴い伸縮可能となっている。例えば、シール部９８ｂは、蛇腹管９８ｂ１と、蛇腹管９８ｂ１の端部に設けられたＯリング９８ｂ２などを有することができる。

なお、シール部９８ｂが蛇腹管９８ｂ１とＯリング９８ｂ２から成る場合、チャンバ９１内を減圧したときにリフトピン９８ａ１と電極の孔９７ａ１との隙間を介して蛇腹管９８ｂ１の中も負圧になる。リフトピン９８ａ２に設けられた蛇腹管９８ｂ１も同様である。の中も負圧になる。蛇腹管９８ｂ１の内部が負圧になると、蛇腹管９８ｂ１が収縮する。蛇腹管９８ｂ１が収縮すると、リフトピン９８ａ１およびリフトピン９８ａ２が引き上げられてしまう。このため、リフトピン９８ａ１およびリフトピン９８ａ２のフランジ部分の重量を負圧による蛇腹管９８ｂ１を収縮しようとする力を打ち消せる程度に重くすることが好ましい。

プッシャ９８ｃは、駆動部９８ｄからの駆動力を、受け渡しの対象に応じて選択されたリフトピン９８ａ１、９８ａ２に伝達する。
図１４～図１８は、プッシャ９８ｃの作用を例示するための模式平面図である。
なお、図１４～図１８は、図１１におけるプッシャ９８ｃのＡ－Ａ線方向の模式平面図である。

図１４～図１８に示すように、プッシャ９８ｃは、回転可能に設けられている。プッシャ９８ｃは、複数のリフトピン９８ａ１、９８ａ２の数と配置に対応する複数のアーム９８ｃ１を有する。例えば、図１４～図１８に例示をしたプッシャ９８ｃには、プッシャ９８ｃの回転中心を中心として、３つのアーム９８ｃ１が等間隔で配置されている。例えば、プッシャ９８ｃの平面形状は、Ｙ字状とすることができる。

処理物１００の受け渡しを行う場合には、図１４に示すように、３つの孔９７ａ１のそれぞれの下方に、アーム９８ｃ１が位置するようにする。この状態でプッシャ９８ｃを上昇させると、処理物１００に当接する３つのリフトピン９８ａ１が同時に上昇する。プッシャ９８ｃを下降させると、３つのリフトピン９８ａ１が自重で下降する。

マスクリング１０１の受け渡しを行う場合には、図１５に示すように、３つの孔９７ａ２のそれぞれの下方に、アーム９８ｃ１が位置するようにする。この状態でプッシャ９８ｃを上昇させると、マスクリング１０１に当接する３つのリフトピン９８ａ２が同時に上昇する。プッシャ９８ｃを下降させると、３つのリフトピン９８ａ２が自重で下降する。

電極プレート１０２ｃの受け渡しを行う場合には、図１６に示すように、３つの孔９７ａ３のそれぞれの下方に、アーム９８ｃ１が位置するようにする。この状態でプッシャ９８ｃを上昇させると、電極プレート１０２ｃに当接する３つのリフトピン９８ａ２が同時に上昇する。プッシャ９８ｃを下降させると、３つのリフトピン９８ａ２が自重で下降する。

電極プレート１０２ｂの受け渡しを行う場合には、図１７に示すように、３つの孔９７ａ４のそれぞれの下方に、アーム９８ｃ１が位置するようにする。この状態でプッシャ９８ｃを上昇させると、電極プレート１０２ｂに当接する３つのリフトピン９８ａ２が同時に上昇する。プッシャ９８ｃを下降させると、３つのリフトピン９８ａ２が自重で下降する。

電極プレート１０２ａの受け渡しを行う場合には、図１８に示すように、３つの孔９７ａ５のそれぞれの下方に、アーム９８ｃ１が位置するようにする。この状態でプッシャ９８ｃを上昇させると、電極プレート１０２ａに当接する３つのリフトピン９８ａ２が同時に上昇する。プッシャ９８ｃを下降させると、３つのリフトピン９８ａ２が自重で下降する。

駆動部９８ｄは、複数のリフトピン９８ａ１、９８ａ２を昇降する。例えば、駆動部９８ｄは、プッシャ９８ｃの、回転と昇降を行う。駆動部９８ｄは、例えば、エアシリンダやサーボモータなどを備えたものとすることができる。
プッシャ９８ｃと駆動部９８ｄが設けられていれば、複数のリフトピン９８ａ１、９８ａ２ごとに昇降機構を設けた場合と比べて、機能の簡易化を図ることができる。

以上に説明した様に、平面視において、リフトピン９８ａ２は、例えば、電極プレート１０２ａ～１０２ｃ毎に、円周上に、等間隔で３つ設けることができる。駆動部９８ｄは、平面形状がＹ字状であって、３つのリフトピン９８ａ２に当接可能なプッシャ９８ｃと、円周の中心を中心として、プッシャ９８ｃを回転可能な回転機構と、プッシャ９８ｃを昇降可能な第１の昇降機構と、を有することができる。

図１９および図２０は、電極プレート１０２ａの受け渡しを例示するための模式図である。
まず、図１９に示すように、受け渡し部８のハンド８２ａに支持された電極プレート１０２ａが、チャンバ９１の開口９１ｂを介してチャンバ９１に内部に搬入される。

次に、図２０に示すように、駆動部９８ｄによりプッシャ９８ｃを上昇させる。プッシャ９８ｃが上昇することで、３つのリフトピン９８ａ２が上昇して電極プレート１０２ａの下面に当接する。この際、電極プレート１０２ａが、ハンド８２ａの上方に持ち上げられる。なお、ハンド８２ａを下降させて、電極プレート１０２ａが、ハンド８２ａの上方に位置する様にしてもよい。

続いて、ハンド８２ａがチャンバ９１の外部に退避する。
続いて、駆動部９８ｄによりプッシャ９８ｃを下降させることで、３つのリフトピン９８ａ２とともに電極プレート１０２ａを下降させる。下降した電極プレート１０２は、電極９７ａの上に載置される。

電極プレート１０２ａをチャンバ９１の外部に搬出させる際には、上記の手順と逆の手順により行うことができる。また、処理物１００、マスクリング１０１、および電極プレート１０２ｂ、１０２ｃも同様にして載置、または搬出することができる。

図２１は、他の実施形態に係る移載部１９８を例示するための模式平面図である。
図２２は、図２１における移載部１９８のＢ－Ｂ線断面図である。
移載部１９８は、載置部１９７（電極１９７ａ）と、受け渡し部８のハンド８２ａとの間で、処理物１００、電極プレート１０２ａ～１０２ｃ、およびマスクリング１０１の受け渡しを行う。

図２１および図２２に示すように、移載部１９８は、例えば、複数のリフトピン９８ａ１、９８ａ２、複数のシール部９８ｂ、ベース１９８ｃ１～１９８ｃ５、および駆動部１９８ｄを有することができる。

ベース１９８ｃ１は、環状を呈し、処理物１００の受け渡しを行う複数のリフトピン９８ａ１の下端に接続されている。

ベース１９８ｃ２は、環状を呈し、マスクリング１０１の受け渡しを行う複数のリフトピン９８ａ２の下端に接続されている。

ベース１９８ｃ３は、環状を呈し、電極プレート１０２ｃの受け渡しを行う複数のリフトピン９８ａ２の下端に接続されている。
ベース１９８ｃ４は、環状を呈し、電極プレート１０２ｂの受け渡しを行う複数のリフトピン９８ａ２の下端に接続されている。
ベース１９８ｃ５は、環状を呈し、電極プレート１０２ａの受け渡しを行う複数のリフトピン９８ａ２の下端に接続されている。

図２２に示すように、駆動部１９８ｄは、移動部１９８ｄ１、および昇降部１９８ｄ２を有する。
移動部１９８ｄ１は、受け渡しを行うリフトピン９８ａ１、９８ａ２の下方に昇降部１９８ｄ２を移動させる。移動部１９８ｄ１は、例えば、サーボモータとガイド機構などを有することができる。

昇降部１９８ｄ２は、受け渡しを行うリフトピン９８ａ１、９８ａ２に接続されたベース１９８ｃ１～１９８ｃ５を上昇させる。昇降部１９８ｄ２は、例えば、エアシリンダなどを有することができる。

以上に説明した様に、平面視において、複数のリフトピン９８ａ１、９８ａ２は、受け渡しの対象ごとに、円周上に、等間隔で設けられている。複数のリフトピン９８ａ１、９８ａ２の下端は、受け渡しの対象ごとに、ベース１９８ｃ１～１９８ｃ５に接続されている。
前記駆動部１９８ｄは、ベース１９８ｃ１～１９８ｃ５を昇降可能な昇降部１９８ｄ１（第２の昇降機構の一例に相当する）と、昇降部１９８ｄ１を水平方向に移動可能な移動部１９８ｄ１と、を備えている。
移動部１９８ｄ１および昇降部１９８ｄ２が設けられていれば、複数のリフトピン９８ａ１、９８ａ２ごとに昇降機構を設けた場合と比べて、機能の簡易化を図ることができる。

図２３は、他の実施形態に係る処理部１９０を例示するための模式断面図である。
図２３に示すように、処理部１９０は、例えば、チャンバ１９１、アンテナ９２、高周波電源９３、高周波電源９４、ガス供給部９５、排気部１９２、載置部９７、移載部９８、支持部１９３、およびカバー１９４を備えている。

チャンバ１９１は、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な気密構造を有している。チャンバ１９１の上部には、透過窓９１ａが気密となるように設けられている。透過窓９１ａは、板状を呈し、例えば、石英などの誘電体材料から形成することができる。

排気部１９２は、載置部９７の下方に位置し、チャンバ１９１の内部が所定の圧力となるように減圧する。排気部１９２は、例えば、ターボ分子ポンプやポペットバルブなどを備えたものとすることができる。

支持部１９３は、チャンバ１９１の内部空間に載置部９７を支持する。支持部１９３は、チャンバ１９１の側面と、載置部９７の下方との間を延びるように配置されている。支持部１９３の、載置部９７が設けられる部分には、移載部９８が設けられている。

カバー１９４は、支持部１９３の、載置部９７が設けられる部分に設けられている。カバー１９４は、チャンバ１９１の内部の大気圧よりも低い雰囲気と、支持部１９３の内部の大気圧の雰囲気との間を気密に封止する。
支持部１９３およびカバー１９４が設けられていれば、移載部９８をチャンバ１９１の内部に設けることができる。

以上、本実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
例えば、プラズマ処理装置１が備える各要素の形状、寸法、材質、配置、数などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
例えば、電極９７ａと電極プレート１０２ａとの間の導電性を向上させるために、電極プレート１０２ａの凹部１０１ｂの中に位置決めピン１０２ａ５を挟み込むような弾性のある導電性の板を設けてもよい。また、電極プレート１０２ａの凹部１０１ｃの中に位置決めピン１０２ａ６を挟み込むような弾性のある導電性の板を設けてもよい。また、電極プレート１０２ａの下面に、電極９７ａと接したときに撓み変形して密着する導電性の板バネが設けられていてもよい。電極プレート１０２ｂおよび電極プレート１０２ｃにも電極プレート１０２ａと同様の導電性を向上させる機構を設けても良い。

１ プラズマ処理装置、２ コントローラ、３ 収納部、４ 搬送部、５ ロードロック部、６ マスクリング収納部、７ 電極プレート収納部、８ 受け渡し部、９ 処理部、６１ チャンバ、６２ 棚、６３ 昇降部、８１ チャンバ、８２ 搬送部、９７ 載置部、９７ａ 電極、９８ 移載部、９８ａ１ リフトピン、９８ａ２ リフトピン、９８ｃ プッシャ、９８ｄ 駆動部、１００ 処理物、１０１ マスクリング、１０１ｂ 凹部、１０１ｃ 凹部、１０２ａ～１０２ｃ 電極プレート、１０２ａ５ ピン、１０２ａ６ ピン、１９０ 処理部、１９７ 載置部、１９７ａ 電極、１９８ 移載部、１９８ｃ１～１９８ｃ５ ベース、１９８ｄ 駆動部、１９８ｄ１ 移動部、１９８ｄ２ 昇降部

Claims (8)

1. プラズマ処理に用いられる載置部であって、
   電極と、
   前記電極の上に設けられた複数の電極プレートと、
   を備え、
   前記電極の上面には、複数のピンが設けられ、
   前記電極プレートの一方の面には、前記電極の前記複数のピンのそれぞれが挿入される凹部が設けられ、
   前記電極の上に設けられる第１の電極プレートの他方の面には、複数の第１のピンが設けられ、
   前記第１の電極プレートの上に設けられる第２の電極プレートの、前記第１の電極プレート側の面には、前記複数の第１のピンのそれぞれが挿入される凹部が設けられている、
   プラズマ処理用載置部。
2. プラズマ処理に用いられる載置部であって、
   電極と、
   前記電極の上に設けられた複数の電極プレートと、
   を備え、
   前記電極の上面には、複数のピンが設けられ、
   前記電極プレートの一方の面には、前記電極の前記複数のピンのそれぞれが挿入される凹部が設けられ、
   前記電極プレートの他方の面には、複数の第１のピンが設けられているプラズマ処理用載置部。
3. 前記電極プレートは、複数設けられ、
   前記複数の電極プレートの平面形状は、略円であり、
   前記複数の電極プレートの平面寸法は、略同じである請求項１または２に記載のプラズマ処理用載置部。
4. 前記電極には前記電極の厚み方向に貫通する複数の孔が設けられ、
   前記電極に設けられた前記複数の孔を介して、前記電極プレートを突き上げ可能な複数のリフトピンと、
   前記複数のリフトピンを昇降可能な駆動部と、
   を備えた請求項１～３のいずれか１つに記載のプラズマ処理用載置部。
5. 平面視において、前記複数のリフトピンは、円周上に、等間隔で３つ設けられ、
   前記駆動部は、
   平面形状がＹ字状であって、前記３つのリフトピンに当接可能なプッシャと、
   前記円周の中心を中心として、前記プッシャを回転可能な回転機構と、
   前記プッシャを昇降可能な第１の昇降機構と、
   を有する請求項４記載のプラズマ処理用載置部。
6. 平面視において、前記複数のリフトピンは、円周上に、等間隔で設けられ、
   前記複数のリフトピンの下端は、ベースに接続され、
   前記駆動部は、
   前記ベースを昇降可能な第２の昇降機構と、
   前記第２の昇降機構を水平方向に移動可能な移動部と、
   を備えた請求項４記載のプラズマ処理用載置部。
7. 請求項１～６のいずれか１つに記載の載置部と、
   内部に前記載置部が設けられ、処理物にプラズマ処理を施す第１のチャンバと、
   前記載置部に設けられた電極プレートの上に設けられ、前記処理物を支持可能なマスクリングと、
   前記第１のチャンバと接続された第２のチャンバと、
   前記第２のチャンバの内部に設けられ、ハンドを有する搬送部と、
   を備え、
   前記ハンドは、
   前記処理物を支持する第１の支持部と、
   前記電極プレート、または前記マスクリングを支持する第２の支持部と、
   前記電極プレート、または前記マスクリングの位置を決める第２のピンと、
   を有するプラズマ処理装置。
8. 複数の前記電極プレートを収納可能な電極プレート収納部をさらに備え、
   前記電極プレート収納部は、
   前記第２のチャンバと接続された第３のチャンバと、
   前記第３のチャンバの内部に設けられ、前記複数の電極プレートを支持可能な棚と、
   前記棚を昇降可能な第３の昇降機構と、
   を有し、
   前記棚は、１つの前記電極プレートを支持可能な支持部を昇降方向に複数有し、
   前記複数の支持部のそれぞれは、前記電極プレートに設けられた凹部に挿入可能な第３のピンを有する請求項７記載のプラズマ処理装置。

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