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JP7680372B2 - フレキシブル表示パネル及びその製造方法、並びにフレキシブル表示装置 - Google Patents

フレキシブル表示パネル及びその製造方法、並びにフレキシブル表示装置 Download PDF

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Description

本開示の実施例はフレキシブル表示パネル及びその製造方法、並びにフレキシブル表示装置に関する。
アクティブマトリクス有機発光ダイオード（ＡＭＯＬＥＤ）の表示技術の発展に伴って、フレキシブルＡＭＯＬＥＤ製品のフレームが徐々に減少し、スクリーン対ボディ比が徐々に増加し、且つ製品の厚さも徐々に減少する。ユーザの製品厚さ及びタッチエクスペリエンスに対するニーズを満たすために、如何に製品の厚さを減少させ且つより良いタッチエクスペリエンスを実現するかは業界で研究ホットスポットになっている。
本開示の実施例はフレキシブル表示パネル及びその製造方法、並びにフレキシブル表示装置を提供する。
本開示の第１態様によれば、フレキシブル表示パネルを提供する。該フレキシブル表示パネルは、
表示領域と、前記表示領域の周囲を取り囲む周辺領域と、前記周辺領域の前記表示領域から離れる側に位置するパッド領域と、前記周辺領域と前記パッド領域との間に位置し、曲げ軸に沿って曲がるように配置され、第１エッジを含む曲げ領域と、を含むフレキシブル基板を含み、
該フレキシブル表示パネルは、
前記フレキシブル基板上に設置され、前記周辺領域に位置し且つ前記表示領域の周囲を取り囲むバリアと、
前記フレキシブル基板上に設置される有機絶縁層と、をさらに含み、
周辺領域は、前記曲げ領域と前記表示領域との間に位置する周辺遷移領域を含み、前記周辺遷移領域内の前記有機絶縁層に第１凹溝が設置され、前記第１凹溝は前記バリアの前記表示領域から離れる側に位置し且つ前記曲げ軸と略平行である方向に沿って延伸し、前記第１凹溝は前記第１エッジの前記表示領域に近い側に位置する。
少なくともいくつかの実施例では、前記周辺遷移領域は第１ファンアウト領域を含み、前記第１凹溝の前記フレキシブル基板での正投影は前記第１ファンアウト領域と部分的に重なる。
少なくともいくつかの実施例では、前記フレキシブル基板は、前記曲げ領域と前記パッド領域との間に位置し且つ前記曲げ領域と隣接する第２ファンアウト領域をさらに含み、前記曲げ領域と前記パッド領域との間の前記有機絶縁層には、前記フレキシブル基板での正投影が前記第２ファンアウト領域と部分的に重なる第２凹溝がさらに設置されている。
少なくともいくつかの実施例では、前記曲げ領域は、前記第１エッジと対向して設置され、前記第１エッジの延伸方向と同じである第２エッジをさらに含み、前記第２凹溝は、前記第２エッジの前記パッド領域に近い側に位置し、前記曲げ軸と略平行である方向に沿って延伸する。
少なくともいくつかの実施例では、前記曲げ領域内の前記有機絶縁層には、前記曲げ軸に垂直な方向に沿って延伸する第３凹溝及び第４凹溝がさらに設置されている。
少なくともいくつかの実施例では、前記第３凹溝及び前記第４凹溝のそれぞれは第１端部及び第２端部を含み、前記第３凹溝及び前記第４凹溝は前記曲げ領域を横切って延伸し、前記第３凹溝の第１端部及び前記第４凹溝の第１端部はそれぞれ前記第１凹溝の対向する両端と接続され、前記第３凹溝の第２端部及び第４凹溝の第２端部はそれぞれ前記第２凹溝の対向する両端と接続される。
少なくともいくつかの実施例では、前記フレキシブル表示パネルは、前記フレキシブル基板上に設置され、前記表示領域から引き出され、少なくとも一部が前記曲げ軸に垂直な方向に沿って前記第１ファンアウト領域及び前記曲げ領域を通過して前記パッド領域に延伸する信号線をさらに含み、前記第１凹溝、前記第２凹溝、前記第３凹溝及び前記第４凹溝のそれぞれの前記フレキシブル基板での正投影と前記信号線の前記フレキシブル基板での正投影との間には重なる領域がなく、前記第１凹溝及び前記第２凹溝のそれぞれは前記信号線と交差する位置で切断され、前記第１凹溝は前記交差位置で第１間隔を有し、前記第２凹溝は前記交差位置で第２間隔を有し、前記信号線は延伸して前記第１間隔及び前記第２間隔を貫通する。
少なくともいくつかの実施例では、前記信号線は複数の信号線を含み、前記第３凹溝及び前記第４凹溝のそれぞれは、複数の前記信号線のうち前記第２ファンアウト領域から最も遠い信号線と前記フレキシブル基板のエッジとの間に位置する。
少なくともいくつかの実施例では、前記フレキシブル表示パネルは、前記表示領域に位置し、前記表示領域でのタッチの発生を検出するように配置されるタッチ電極をさらに含み、前記信号線は、前記表示領域内の前記タッチ電極と電気的に接続されるように配置されるタッチ信号線を含み、前記タッチ信号線は、前記曲げ領域に位置する第１タッチ部分と、前記曲げ領域外に位置する第２タッチ部分とを含み、前記タッチ信号線の前記第１タッチ部分と前記タッチ信号線の前記第２タッチ部分とは異なる膜層に位置する。
少なくともいくつかの実施例では、前記表示領域は複数の画素領域を含み、各前記画素領域に有機発光素子が設けられ、前記信号線は、前記有機発光素子と電気的に接続されるように配置される共通信号線をさらに含み、前記共通信号線は、前記曲げ領域内に位置する第１共通部分と、前記曲げ領域外に位置する第２共通部分とを含み、前記共通信号線の前記第１共通部分と前記共通信号線の前記第２共通部分とは異なる膜層に位置し、前記共通信号線の前記第１共通部分の前記フレキシブル基板での正投影と前記タッチ信号線の第１タッチ部分の前記フレキシブル基板での正投影との間には重なる領域がなく、前記共通信号線の前記第２共通部分の前記フレキシブル基板での正投影と前記タッチ信号線の第２タッチ部分の前記フレキシブル基板での正投影との間には重なる領域がある。
少なくともいくつかの実施例では、各前記画素領域に画素回路がさらに設けられ、前記信号線は、前記共通信号線の前記第２ファンアウト領域から離れる側に位置し、前記画素回路と電気的に接続されるように配置される駆動信号線をさらに含み、前記駆動信号線は、前記曲げ領域内に位置する第１駆動部分と、前記曲げ領域外に位置する第２駆動部分とを含み、前記駆動信号線の前記第１駆動部分と前記駆動信号線の前記第２駆動部分とは異なる膜層に位置する。
少なくともいくつかの実施例では、前記フレキシブル表示パネルは、前記フレキシブル基板上に設置される第１ゲート電極層と、前記第１ゲート電極層の前記フレキシブル基板から離れる側に設置される第１ゲート絶縁層と、前記第１ゲート絶縁層の前記フレキシブル基板から離れる側に設置される第２ゲート電極層と、をさらに含み、前記第１凹溝は、前記第２ゲート電極層の前記フレキシブル基板から離れる側に位置する。
少なくともいくつかの実施例では、前記有機絶縁層は、前記第２ゲート電極層の前記フレキシブル基板から離れる側に設置される第１平坦化層と、前記第１平坦化層の前記フレキシブル基板から離れる側に設置される第２平坦化層と、を含み、前記第１凹溝は前記第１平坦化層及び前記第２平坦化層を貫通し、前記第１凹溝は前記第１平坦化層を被覆する前記第２平坦化層の側壁を含む。
少なくともいくつかの実施例では、前記第１凹溝は、前記第２平坦化層に対してツートンマスクでパターン化プロセスを行うことにより形成され、前記側壁の接線と前記フレキシブル基板との間の夾角は約２０度～４０度である。
少なくともいくつかの実施例では、前記側壁は円弧状の傾斜面を有し、前記円弧状の傾斜面は前記第１凹溝の周縁に位置する前記第２平坦化層の上面と接続され、且つ前記円弧状の傾斜面は該上面と前記接続部で相接する。
少なくともいくつかの実施例では、前記第１凹溝の延伸方向に垂直する平面内に、前記側壁は、それぞれが円弧状の傾斜面を有する複数の側部を含み、複数の前記円弧状の傾斜面は互いに接続して前記側壁を形成する。
少なくともいくつかの実施例では、前記フレキシブル表示パネルは、前記第２ゲート電極層上に設置される第２ゲート絶縁層と、前記第２ゲート絶縁層と前記第１平坦化層との間に設置される第１ソースドレイン導電層と、第１平坦化層と前記第２平坦化層との間に設置される第２ソースドレイン導電層と、前記第２平坦化層の前記フレキシブル基板から離れる側に設置される第１タッチ導電層と、前記第１タッチ導電層の前記フレキシブル基板から離れる側に設置される第２タッチ導電層と、前記第１タッチ導電層と前記第２タッチ導電層との間に設置されるタッチ絶縁層と、をさらに含み、前記タッチ信号線の前記第１部分は前記第２ソースドレイン導電層を含み、前記タッチ信号線の第２部分は前記第１タッチ導電層と、前記第２タッチ導電層とを含む。
少なくともいくつかの実施例では、前記タッチ信号線の前記第２部分の前記第２タッチ導電層は、前記第２平坦化層の開口部を介し、前記タッチ信号線の前記第１部分の前記第２ソースドレイン導電層と接する。
少なくともいくつかの実施例では、前記共通信号線の前記第１共通部分は前記第２ソースドレイン導電層を含み、前記共通信号線の前記第２共通部分は前記第１ソースドレイン導電層を含む。
少なくともいくつかの実施例では、前記駆動信号線の前記第１駆動部分は前記第２ソースドレイン導電層を含み、前記駆動信号線の前記第２駆動部分は前記第１ソースドレイン導電層を含む。
少なくともいくつかの実施例では、前記フレキシブル表示パネルは、前記第２平坦化層と前記第１タッチ導電層との間に位置するカプセル化層と、複数の画素領域を定義するように配置され、前記第２平坦化層と前記カプセル化層との間に設置される画素定義層と、をさらに含み、前記バリアは、前記周辺領域に位置し且つ前記表示領域を取り囲み、前記周辺遷移領域に位置する第１バリア部と前記周辺領域の周辺遷移領域以外の他の領域に設置される第２バリア部とを含む第１バリアと、前記周辺領域に位置し且つ前記表示領域を取り囲み、前記第１バリアの前記表示領域から離れる側に位置し、前記周辺遷移領域に位置する第３バリア部と前記周辺領域の周辺遷移領域以外の他の領域に設置される第４バリア部とを含む第２バリアと、を含み、前記第１バリア部は前記第２平坦化層と、前記画素定義層とを含み、前記第３バリア部は、前記第１平坦化層と、前記第１平坦化層を被覆する前記第２平坦化層と、前記第２平坦化層を被覆する前記画素定義層と、を含む。
少なくともいくつかの実施例では、前記第１バリア部及び前記第３バリア部における前記第２平坦化層はツートンマスクでパターン化プロセスを行うことにより形成される。
少なくともいくつかの実施例では、前記フレキシブル表示パネルは、前記画素定義層と前記カプセル化層との間に位置するスペーサー層をさらに含み、前記第２バリア部は前記第２平坦化層と、前記画素定義層と、前記スペーサー層とを含み、前記第４バリア部は、前記第１平坦化層と、前記第１平坦化層を被覆する前記第２平坦化層と、前記第２平坦化層を被覆する前記画素定義層と、前記スペーサー層とを含む。
少なくともいくつかの実施例では、前記周辺遷移領域は第１ファンアウト領域を含み、前記第１凹溝の前記フレキシブル基板での正投影は前記第１ファンアウト領域と部分的に重なり、前記フレキシブル基板は、前記曲げ領域と前記パッド領域との間に位置し且つ前記曲げ領域と隣接する第２ファンアウト領域をさらに含み、前記フレキシブル表示パネルは、前記表示領域から前記第１ファンアウト領域、前記曲げ領域及び前記第２ファンアウト領域を経て前記パッド領域に到達するデータ接続線をさらに含み、前記第１ファンアウト領域及び前記第２ファンアウト領域における前記データ接続線の部分は、前記第１ゲート電極層及び前記第２ゲート電極層を交互に設置することにより構成される。
少なくともいくつかの実施例では、前記フレキシブル基板は、前記第２ファンアウト領域と前記パッド領域との間に順に設置される検知領域と、制御回路領域と、第３ファンアウト領域と、集積回路領域とをさらに含む。
本開示の第２態様によれば、フレキシブル表示パネルをさらに提供し、
表示領域と、前記表示領域の周囲を取り囲む周辺領域と、前記周辺領域の前記表示領域から離れる側に位置するパッド領域と、前記周辺領域と前記パッド領域との間に位置する曲げ領域と、前記曲げ領域と前記パッド領域との間に位置し且つ前記曲げ領域と隣接するファンアウト領域と、を含むフレキシブル基板を含み、
該フレキシブル表示パネルは、
前記フレキシブル基板上に設置される有機絶縁層をさらに含み、
前記曲げ領域と前記パッド領域との間の前記有機絶縁層には、前記フレキシブル基板での正投影が前記ファンアウト領域と部分的に重なる凹溝が設置されている。
本開示の第３態様によれば、フレキシブル表示パネルをさらに提供し、
表示領域と、前記表示領域の周囲を取り囲む周辺領域と、前記周辺領域の前記表示領域から離れる側に位置するパッド領域と、前記周辺領域と前記パッド領域との間に位置し、曲げ軸に沿って曲がるように配置される曲げ領域と、を含むフレキシブル基板を含み、
該フレキシブル表示パネルは、
前記フレキシブル基板上に設置される有機絶縁層をさらに含み、
前記曲げ領域内の前記有機絶縁層には、前記曲げ軸に垂直な方向に沿って延伸する少なくとも１つの凹溝が設置される。
本開示の第４態様によれば、上記フレキシブル表示パネルを含むフレキシブル表示装置を提供する。
本開示の第５態様によれば、フレキシブル表示パネルの製造方法を提供する。該製造方法は、
フレキシブル基板を提供するステップであって、前記フレキシブル基板は、表示領域と、前記表示領域の周囲を取り囲む周辺領域と、前記周辺領域の前記表示領域から離れる側に位置するパッド領域と、前記周辺領域と前記パッド領域との間に位置し、曲げ軸に沿って曲がるように配置され、第１エッジを含む曲げ領域と、を含み、前記周辺領域は、前記曲げ領域と前記パッド領域との間に位置する周辺遷移領域を含む、ステップを含み、
該製造方法は、
前記フレキシブル基板上に、前記周辺領域に位置し且つ前記表示領域の周囲を取り囲むバリアを形成するステップと、
前記フレキシブル基板上に有機絶縁層を形成するステップと、
前記周辺遷移領域内の前記有機絶縁層に第１凹溝を形成するステップであって、前記第１凹溝は、前記バリアの前記表示領域から離れる側に位置し、前記曲げ軸と平行である方向に沿って延伸し、前記第１凹溝は前記第１エッジの前記表示領域に近い側に位置する、ステップと、をさらに含み、
前記第１凹溝は、前記有機絶縁層に対してツートンマスクでパターン化プロセスを行うことにより形成される。
少なくともいくつかの実施例では、前記フレキシブル基板上に有機絶縁層を形成するステップは、前記フレキシブル基板上に第１平坦なフィルムを形成するステップと、前記第１平坦なフィルムをパターン化して前記第１平坦化層を形成するステップと、前記第１平坦化層の前記フレキシブル基板から離れる側に、前記第１平坦化層を被覆する第２平坦なフィルムを形成するステップと、ツートンマスクで前記第２平坦なフィルムをパターン化して前記第１凹溝を有する前記第２平坦化層を形成するステップと、を含み、前記第１凹溝は、前記周辺領域内の前記第２平坦化層に対してツートンマスクでパターン化プロセスを行うことにより形成され、且つ前記第１凹溝は前記第１平坦化層及び前記第２平坦化層を貫通する。
本開示の実施例の技術案を明確に説明するために、以下、実施例の図面を簡単に紹介し、明らかなように、以下に説明される図面は本開示のいくつかの実施例に関するものに過ぎず、本開示を制限するものではない。
図１は本開示の実施例に係るフレキシブル表示パネルの平面模式図である。 図２は本開示の実施例に係るフレキシブル表示パネルの画素回路の等価回路図である。 図３は図１のフレキシブル表示パネルの別の平面模式図である。 図４は本開示の実施例に係るフレキシブル表示パネルの曲げられた状態での局所構造模式図である。 図５は本開示の実施例に係るフレキシブル表示パネルの複数の凹溝の平面模式図である。 図６は本開示の実施例に係るフレキシブル表示パネルの第１凹溝及び第２凹溝の平面模式図である。 図７は図３のＩ－Ｉ線に沿う断面模式図である。 図８は図３のフレキシブル表示パネルのＱ１領域の拡大平面模式図である。 図９は図８のＡ－Ａ線に沿う断面模式図である。 図１０は図８のＢ－Ｂ線に沿う断面模式図である。 図１１は本開示の実施例に係る第１タッチ導電層及び第２タッチ導電層の断面模式図である。 図１２は本開示の実施例に係る共通信号線の平面模式図である。 図１３は図１２のＣ－Ｃ線に沿う断面図である。 図１４は図３のフレキシブル表示パネルのＱ２領域の拡大平面模式図である。 図１５は図１０のＥ領域の拡大平面模式図である。 図１６は本開示の実施例に係る第１凹溝の側壁の別の変形の模式図である。 図１７は本開示の実施例に係る第１凹溝の側壁のさらに別の変形の模式図である。 図１８は図３のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面模式図である。 図１９Ａは本開示の実施例に係る第１凹溝を形成する各ステップの模式図である。 図１９Ｂは本開示の実施例に係る第１凹溝を形成する各ステップの模式図である。 図１９Ｃは本開示の実施例に係る第１凹溝を形成する各ステップの模式図である。 図１９Ｄは本開示の実施例に係る第１凹溝を形成する各ステップの模式図である。
本開示の実施例の目的、技術案、及び利点をより明確にするために、以下、本開示の実施例の図面を参照しながら、本開示の実施例の技術案について明確で、完全に説明する。明らかなように、説明される実施例は本開示の一部の実施例に過ぎず、全部の実施例ではない。説明される本開示の実施例に基づいて、当業者が創造的な労働を必要とすることなく得る他の実施例は、いずれも本開示の保護範囲に属する。
特に定義されない限り、ここで使用される技術用語又は科学用語は当業者が理解できる通常の意味であるべきである。本開示の特許出願明細書及び特許請求の範囲に使用される「第１」、「第２」及び類似の用語は、いかなる順序、数量又は重要性を示すものではなく、異なる構成要素を区別するためのものに過ぎない。「含む」又は「包含」等の類似の用語は、「含む」又は「包含」の前に記載される素子又は要素が「含む」又は「包含」の後に挙げられる素子又は要素及びそれらの同等物をカバーするが、他の素子又は要素を排除しないことを意味する。「接続」又は「連結」等の類似の用語は、物理的又は機械的接続に限定されず、直接接続されるか間接的に接続されるかに関わらず、電気的接続を含んでもよい。「上」、「下」、「左」、「右」等は、相対位置関係のみを示し、説明される対象の絶対位置は変化すると、該相対位置関係も対応して変化する可能性がある。
以下の説明において、素子又は層が他の素子又は層「上」に位置し又は他の素子又は層「に接続される」と記載される場合、該素子又は層は前記他の素子又は層上に直接位置するか、前記他の素子又は層に直接接続されてもよく、又は中間素子又は中間層が存在してもよい。しかし、素子又は層が他の素子又は層「上」に「直接位置する」、他の素子又は層「に直接接続される」と記載される場合、中間素子又は中間層が存在しない。「及び／又は」という用語は、１つ以上の関連する列挙された項目の任意及び全部の組み合わせを含む。
ここで第１、第２等の用語でさまざまな素子、ユニット、領域、層及び／又は部分を説明できるが、それらの素子、ユニット、領域、層及び／又は部分はそれらの用語により制限されるべきではない。それらの用語は１つの素子、ユニット、領域、層及び／又は部分を他の素子、ユニット、領域、層及び／又は部分を区別することに用いられる。従って、本開示の教示から逸脱することなく、以下に検討される第１素子、第１ユニット、第１領域、第１層及び／又は第１部分は、第２素子、第２ユニット、第２領域、第２層及び／又は第２部分と呼ばれてもよい。
説明のために、ここで「…の下」、「…下方」、「下」、「…上方」、「上」等の空間的相対用語を使用でき、それにより、図に示される１つの素子又は特徴と他の（別の）素子又は特徴との関係を説明する。図面に示される方位以外、空間的相対用語は装置の使用中、操作中及び／又は製造中の異なる方位を含むことを意図している。例えば、図面における装置は反転される場合、他の素子又は特徴の「下方」又は「下」に「ある」と説明される素子はその後に前記他の素子又は特徴の「上方」に「ある」と配向される。従って、「…下方」という例示的な用語は上方及び下方の２つの方位を含む。
従来、ＡＭＯＬＥＤフレキシブル表示装置のバックプレーン（ｂａｃｋ Ｐｌａｎｅ 、ＢＰ）は、膜層が多く、厚さが薄いため、割れが発生しやすく、特に曲げ領域で、金属配線が破断しやすい。
本開示の実施例はフレキシブル表示パネルを提供し、表示領域と、前記表示領域の周囲を取り囲む周辺領域と、前記周辺領域の前記表示領域から離れる側に位置するパッド領域と、前記周辺領域と前記パッド領域との間に位置し、曲げ軸に沿って曲がるように配置され、第１エッジを含む曲げ領域と、を含むフレキシブル基板を含む。該フレキシブル表示パネルは、前記フレキシブル基板上に設置され、前記周辺領域に位置し且つ前記表示領域の周囲を取り囲むバリアと、前記フレキシブル基板上に設置される有機絶縁層と、をさらに含む。周辺領域は、前記曲げ領域と前記表示領域との間に位置する周辺遷移領域を含む、前記周辺遷移領域内の前記有機絶縁層に第１凹溝が設置され、前記第１凹溝は前記バリアの前記表示領域から離れる側に位置し且つ前記曲げ軸と略平行である方向に沿って延伸し、前記第１凹溝は前記第１エッジの前記表示領域に近い側に位置する。
上記フレキシブル表示パネルでは、周辺遷移領域内の有機絶縁層に第１凹溝が設置され、且つ前記第１凹溝は前記バリアの前記表示領域から離れる側に位置し且つ前記曲げ軸と略平行である方向に沿って延伸し、特に、第１凹溝は曲げ領域の第１エッジの前記表示領域に近い側に位置する。このように、曲げ応力の解放を容易にし、曲げ領域の破断を防止する。
図１は本開示の実施例に係るフレキシブル表示パネルの平面模式図である。図２は本開示の実施例に係るフレキシブル表示パネルの画素回路の等価回路図である。図３は図１のフレキシブル表示パネルの別の平面模式図である。
図１に示すように、本開示の実施例が提供するフレキシブル表示パネル１００は、表示領域ＤＡ（Ｄｉｓｐｌａｙ Ａｒｅａ）及び周辺領域ＰＡ（Ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ Ａｒｅａ）を含むフレキシブル基板ＳＵＢを含む。例えば、フレキシブル基板ＳＵＢ上には、ｘ方向に沿って延伸する複数のゲート線ＧＬ（Ｇａｔｅ Ｌｉｎｅ）及びｙ方向に沿って延伸する複数のデータ線ＤＬ（Ｄａｔａ Ｌｉｎｅ）が設置されている。複数のゲート線ＧＬは周辺領域ＰＡ内の駆動回路ＤＣ（Ｄｒｉｖｉｎｇ Ｃｉｒｃｕｉｔ）に電気的に接続される。複数のゲート線ＧＬ及び複数のデータ線ＤＬは交差して複数の画素領域を限定し、各画素領域に画素Ｐ（Ｐｉｘｅｌ）が設置され、各画素Ｐは有機発光ダイオードＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ－Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）のような有機発光素子を有する。有機発光ダイオードが発する光は画像表示に用いることができるため、複数の画素領域Ｐが位置する領域は表示領域ＤＡとして限定される。周辺領域ＰＡは表示領域ＤＡの外部に配置される。例えば、周辺領域ＰＡは表示領域ＤＡの周囲を取り囲んでもよく、且つ周辺領域ＰＡは画像を表示できず、非表示領域である。
図２に示すように、各画素Ｐは、該画素Ｐのゲート線ＧＬ及びデータ線ＤＬに接続される画素回路ＰＣ（Ｐｉｘｅｌ Ｃｉｒｃｕｉｔ）と、画素回路ＰＣに接続される有機発光ダイオードＯＬＥＤと、を含む。画素回路ＰＣは、駆動薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ－ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）Ｔｄと、スイッチングＴＦＴ Ｔｓと、記憶コンデンサＣｓｔと、を含む。スイッチングＴＦＴ Ｔｓは、ゲート線ＧＬ及びデータ線ＤＬに接続され、ゲート線ＧＬによって受信された走査信号に基づいてデータ線ＤＬによって受信されたデータ信号を駆動ＴＦＴ Ｔｄに送信するように配置される。記憶コンデンサＣｓｔは、スイッチングＴＦＴ Ｔｓ及び駆動電圧線ＰＬに接続され、スイッチングＴＦＴ Ｔｓから受信された電圧と駆動電圧線ＰＬに供給される駆動電圧ＥＬＶＤＤとの間の差に対応する電圧を記憶するように構成される。駆動ＴＦＴ Ｔｄは、駆動電圧線ＰＬ及び記憶コンデンサＣｓｔに接続され、記憶コンデンサＣｓｔに記憶された電圧値に基づいて駆動電圧線ＰＬから有機発光ダイオードＯＬＥＤへ流れる駆動電流を制御することに用いることができる。有機発光ダイオードＯＬＥＤは、駆動電流によって希望の輝度の光を発することができる。有機発光ダイオードＯＬＥＤは、例えば赤色光、緑色光、青色光又は白色光を発することができる。図２には画素Ｐが２つのＴＦＴ及び１つの記憶コンデンサＣｓｔを含む状況が示されているが、本開示の例示的実施例ではトランジスタ及びメモリの異なる設置方式を使用することができる。他の実施例では、画素Ｐの画素回路ＰＣは３つ以上のＴＦＴ又は２つ以上の記憶コンデンサを含んでもよい。
図１に示すように、フレキシブル基板ＳＵＢは、周辺領域ＰＡの表示領域ＤＡから離れる側に位置するパッド領域ＷＡ（Ｗｅｌｄｉｎｇ Ａｒｅａ）をさらに含む。例えば、図３に示すように、パッド領域ＷＡは、表示領域ＤＡの一方側に位置し、複数の接触パッド（又はパッド）４を含み、各接触パッド４は、表示領域ＤＡ又は周辺領域ＰＡから延び出す信号線と電気的に接続されるように配置される。接触パッド４は、パッド領域ＷＡの表面に露出されてもよく、すなわち、任意の層に被覆されず、このように、フレキシブルプリント基板ＦＰＣＢ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）に電気的に接続されやすい。フレキシブルプリント基板ＦＰＣＢは外部コントローラと電気的に接続され、外部コントローラからの信号又は電力を送信するように配置される。例えば、接触パッド４１は共通信号線６と電気的に接続され、接触パッド４２はタッチ信号線５と電気的に接続され、接触パッド４３は駆動信号線７と電気的に接続され、接触パッド４４はデータ接続線ＤＣＬ（データ接続線ＤＣＬは表示領域ＤＡ内のデータ線ＤＬと電気的に接続される）と電気的に接続される。接触パッド４は各信号線と電気的に接続され、このように、信号線とフレキシブルプリント基板ＦＰＣＢとの相互通信を実現できる。接触パッド４の数及び配置方式については、ここで具体的に制限されず、実際の需要に応じて設定できる。
図１に示すように、フレキシブル基板ＳＵＢは、周辺領域ＰＡとパッド領域ＷＡとの間に位置する曲げ領域ＢＡをさらに含む。曲げ領域ＢＡは、周辺領域ＰＡと隣り合い、曲げ軸ＢＸ（Ｂｅｎｄｉｎｇ ａｘｉｓ）に沿って曲がるように配置される。説明の便宜上、本開示では、曲げ領域ＢＡとパッド領域ＷＡとの間の領域をパッド遷移領域ＷＴＡ（Ｗｅｌｄｉｎｇ Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ Ａｒｅａ）として定義し、曲げ領域ＢＡと表示領域ＤＡとの間の周辺領域ＰＡの部分を周辺遷移領域ＰＴＡ（Ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ Ａｒｅａ）として定義し、図１及び図３に示すとおりである。さらに、周辺遷移領域ＰＴＡは、曲げ領域ＢＡに近い側にあり、信号線を周辺遷移領域ＰＴＡから曲げ領域ＢＡへ層を変更することに用いることができる第１層変更領域ＲＡ１（Ｒｅｐｌａｃｉｎｇ ａｒｅａ）を含んでもよく、さらに、パッド遷移領域ＷＴＡは、曲げ領域ＢＡに近く、信号線を曲げ領域ＢＡからパッド遷移領域ＷＴＡへ層を変更することに用いる第２層変更領域ＲＡ２を含んでもよく、図８に示すとおりである。フレキシブル基板ＳＵＢは曲げ軸ＢＸの周りで曲げられる時、フレキシブル基板ＳＵＢの曲げ領域ＢＡはどこでも曲げられた状態にあり、つまり、曲率はどこでもゼロではない。図４は本開示の実施例に係るフレキシブル表示パネル１００の曲げられた状態での局所構造模式図である。図４に示すように、曲げ領域ＢＡは曲げ軸ＢＸに沿って曲げられ、曲げ領域ＢＡはどこでも曲げられた状態にあり、すなわち、曲率はゼロではなく、表示領域ＤＡ、周辺領域ＰＡ、パッド遷移領域ＷＴＡ、パッド領域ＷＡ等を含むフレキシブル基板ＳＵＢの他の領域は、いずれも曲げられた状態ではない。曲げ領域ＢＡが曲げられると、曲げ領域ＢＡの表示領域ＤＡから離れる側に位置するパッド遷移領域ＷＴＡ及びパッド領域ＷＡはいずれもフレキシブル表示パネル１００の裏側（通常、フレキシブル表示パネルの表示側はデフォルトで前面側であり、表示側の対向側は後側又は裏側である）に位置し、このように、空間利用率を向上させ、非表示領域の占用面積を減らすことができる。
図３及び図４に示すように、フレキシブル表示パネル１００は、フレキシブル基板ＳＵＢ上に設置され、周辺領域ＰＡに位置し、表示領域ＤＡの周囲を取り囲むバリア２をさらに含む。少なくとも１つの例では、バリア２はコッファダム構造を有し、該コッファダム構造は外部の水蒸気又は酸素ガスが表示領域ＤＡに入るのを阻止し、それにより表示効果への影響を回避することができる。例えば、バリア２は１つ以上あってもよい。さらに、バリア２は複数ある場合、阻止能力を強化できる。例えば、図３に示すように、バリア２は第１バリア２１と、第２バリア２２とを含み、第２バリア２２は、第１バリア２１の表示領域ＤＡから離れる側に位置し、このように、外部の水蒸気又は酸素ガスが表示領域ＤＡに入るのをさらに防止でき、表示領域ＤＡのために二重保護を提供する。少なくとも１つの例では、第１バリア２１のフレキシブル基板ＳＵＢに対する高さは、第２バリア２２のフレキシブル基板ＳＵＢに対する高さ未満である。このように、外部の水蒸気及び酸素ガスが表示領域ＤＡに入るルートが長くなり、表示領域ＤＡに入る難度が増加し、バリアの阻止能力がさらに向上する。
図４に示すように、フレキシブル表示パネル１００は、フレキシブル基板ＳＵＢ上に設置される有機絶縁層ＯＩＬをさらに含む。例示的に、図４のフレキシブル表示パネル１００はフレキシブル基板ＳＵＢ及びその上の有機絶縁層ＯＩＬのみを示しているが、フレキシブル基板ＳＵＢ上に位置する他の層は省略される。少なくともいくつかの実施例では、周辺遷移領域ＰＴＡの有機絶縁層ＯＩＬに少なくとも１つの凹溝が設置され、それにより、曲げ領域ＢＡの破断リスクを低減させることができる。例えば、図３に示すように、周辺遷移領域ＰＴＡの有機絶縁層ＯＩＬに第１凹溝３１が設置され、第１凹溝３１の延伸方向は曲げ軸ＢＸと平行であってもよく、曲げ軸ＢＸと平行ではなくてもよい。第１凹溝３１の延伸方向が曲げ軸ＢＸと平行である場合、第１凹溝３１はどこでも曲げ応力を均一に分散でき、曲げ領域ＢＡの局所的な破断を防止でき、従って、これは好ましい。例えば、図３及び図４に示すように、第１凹溝３１はバリア２の表示領域ＤＡから離れる側に位置し、曲げ軸ＢＸと略平行である方向に沿って延伸する。さらに、少なくとも１つの例では、第１凹溝３１の延伸方向と曲げ軸ＢＸの延伸方向との間の夾角は１７５°～１８５°の間にある。例えば、周辺遷移領域ＰＴＡは、曲げ領域に近い側に位置する第１層変更領域（Ｒｅｐｌａｃｅｍｅｎｔ ａｒｅａ）を含み、該第１層変更領域は信号線の層変更に用いることができ、図８に示すとおりである。
例えば、図３に示すように、曲げ領域ＢＡは、曲げ軸ＢＸと略平行である方向に沿って延伸する第１エッジＥ１を含む。第１凹溝３１は第１エッジＥ１の表示領域ＤＡに近い側に位置し、曲げ領域ＢＡに隣接する。曲げ領域ＢＡは曲げられた状態にある場合、曲げ領域ＢＡの表面に応力集中が形成し、第１凹溝３１が曲げ領域ＢＡの第１エッジＥ１に隣接するため、曲げ領域ＢＡに生じた応力を早めに分散しやすく、それにより、曲げ領域ＢＡの破断リスクを迅速に低減させる。本開示の実施例では、第１凹溝３１は曲げ領域ＢＡに位置せず、従って、第１凹溝３１を形成する時に曲げ領域ＢＡ内の層構造への影響を回避でき、第１凹溝３１を容易に製造できるようになる。
少なくともいくつかの実施例では、周辺遷移領域ＰＴＡは、第１ファンアウト領域ＦＡ１（Ｆａｎｏｕｔ ａｒｅａ）を含み、第１凹溝３１の一部は第１ファンアウト領域ＦＡ１に位置する。例えば、図１及び図３に示すように、第１ファンアウト領域ＦＡ１はそれぞれ表示領域ＤＡ及び曲げ領域ＢＡに隣接し、本開示で使用される「隣接」という用語とは、隣り合い且つ互いに直接接続することを指し、すなわち、第１ファンアウト領域ＦＡ１は表示領域ＤＡに隣り合い且つ互いに直接接続し、第１ファンアウト領域ＦＡ１はさらに曲げ領域ＢＡに隣り合い且つ互いに直接接続する。表示領域ＤＡから引き出される複数の信号線は第１ファンアウト領域ＦＡ１で集められた後にパッド領域ＷＡへ延伸する。例えば、図３に示すように、第１凹溝３１のフレキシブル基板ＳＵＢでの正投影は第１ファンアウト領域ＦＡ１と部分的に重なり、すなわち、第１凹溝３１の少なくとも一部のフレキシブル基板ＳＵＢでの正投影は第１ファンアウト領域ＦＡ１に位置する。表示領域ＤＡから引き出される信号線は第１凹溝３１と互いに交差し且つ第１凹溝３１の上（すなわち、第１凹溝３１のフレキシブル基板ＳＵＢから離れる側）に位置する場合、曲げ領域ＢＡの曲げによる信号線の破断を回避でき、それにより、信号線の安全性を向上させ、信号の安定性を確保する。
少なくともいくつかの実施例では、曲げ領域ＢＡとパッド領域ＷＡとの間の有機絶縁層ＯＩＬに少なくとも１つの凹溝がさらに設置され、曲げ領域ＢＡの破断リスクを低減させることができる。例えば、図３に示すように、パッド遷移領域ＷＴＡの有機絶縁層ＯＩＬに第２凹溝３２がさらに設置され、第２凹溝３２の延伸方向は曲げ軸ＢＸと平行であってもよく、曲げ軸ＢＸと平行ではなくてもよい。第２凹溝３２の延伸方向は曲げ軸ＢＸと平行である場合、第２凹溝３２はどこでも曲げ応力を均一に分散し、局所的な破断を防止でき、従って、曲げ軸ＢＸと平行であるように設置することは好ましい。例えば、図３及び図４に示すように、第２凹溝３２は、曲げ軸ＢＸと略平行である方向に沿って延伸し且つ曲げ領域ＢＡに隣接する。さらに、少なくとも１つの例では、第２凹溝３２の延伸方向と曲げ軸ＢＸの延伸方向との間の夾角は１７５°～１８５°の間にある。
例えば、図３に示すように、曲げ領域ＢＡは、第１エッジＥ１と対向して設置され、第１エッジＥ１の延伸方向と同じ、曲げ軸ＢＸと略平行である方向に沿って延伸する第２エッジＥ２をさらに含む。例えば、第２凹溝３２は、第２エッジＥ２の表示領域ＤＡから離れる側に位置し且つ曲げ領域ＢＡに隣接する。曲げ領域ＢＡは曲げられた状態にある場合、曲げ領域ＢＡの表面に応力集中が形成し、第２凹溝３２が曲げ領域ＢＡの第２エッジＥ２に隣接するため、曲げ領域ＢＡに生じた応力を早めに分散しやすく、それにより、曲げ領域ＢＡの破断リスクを迅速に低減させる。本開示の実施例では、第２凹溝３２は曲げ領域ＢＡに位置せず、従って、第２凹溝３２を形成する時に曲げ領域ＢＡ内の層構造への影響を回避でき、第２凹溝３２を容易に製造できるようになる。
少なくともいくつかの実施例では、パッド遷移領域ＷＴＡは第２ファンアウト領域ＦＡ２を含み、第２凹溝３２の一部は第２ファンアウト領域ＦＡ２に位置する。例えば、図１及び図３に示すように、フレキシブル基板ＳＵＢは第２ファンアウト領域ＦＡ２をさらに含み、第２ファンアウト領域ＦＡ２はパッド遷移領域ＷＴＡに位置し且つ曲げ領域ＢＡに隣接し、すなわち、第２ファンアウト領域ＦＡ２は曲げ領域ＢＡに隣り合い且つ互いに直接接続し、２つの領域の間に他の領域がない。例えば、図３に示すように、第２凹溝３２のフレキシブル基板ＳＵＢでの正投影は第２ファンアウト領域ＦＡ２と部分的に重なり、すなわち、第２凹溝３２の少なくとも一部のフレキシブル基板ＳＵＢでの正投影は第２ファンアウト領域ＦＡ２に位置する。曲げ領域ＢＡから延び出す信号線は第２凹溝３２と互いに交差し且つ第２凹溝３２の上（すなわち、第２凹溝３２のフレキシブル基板ＳＵＢから離れる側）に位置する場合、曲げ領域ＢＡの曲げによる信号線の破断を回避でき、それにより、信号線の安全性を向上させ、信号の安定性を確保する。本開示の実施例では、曲げ軸ＢＸに垂直な方向における第１凹溝３１及び第２凹溝３２の幅は同じであってもよく、異なってもよく、曲げ軸ＢＸに垂直な方向における第１凹溝３１及び第２凹溝３２の幅は互いに同じである場合、プロセス製造の複雑性を低減させることができる。
少なくともいくつかの実施例では、曲げ領域ＢＡ内の有機絶縁層ＯＩＬ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）に少なくとも１つの凹溝が設置されている。さらに、少なくとも１つの例では、曲げ領域ＢＡ内の有機絶縁層ＯＩＬには、曲げ軸ＢＸと略垂直である方向に沿って延伸する少なくとも１つの凹溝が設置されている。曲げ領域ＢＡが曲げられる時にその表面に各方向における張力（すなわち曲げ応力）が生じ、曲げ軸ＢＸに垂直な方向に凹溝を設置することにより、曲げ領域ＢＡの縦方向における曲げ応力の分散に有利である。図３に示すように、曲げ領域ＢＡ内の有機絶縁層ＯＩＬには、曲げ軸ＢＸと略垂直である方向に沿って延伸する第３凹溝３３が設置されている。例えば、曲げ領域ＢＡは第３エッジＥ３をさらに含み、第３凹溝３３は第３エッジＥ３と密着される。さらに、少なくとも１つの例では、曲げ領域ＢＡ内の有機絶縁層ＯＩＬには、曲げ軸ＢＸと略垂直である方向に沿って延伸する第４凹溝３４がさらに設置され、図３に示すとおりである。曲げ領域ＢＡは第４エッジＥ３をさらに含み、第４凹溝３４は第４エッジＥ３と密着される。曲げ軸ＢＸに垂直な方向における第３凹溝３３及び第４凹溝３４の幅は同じであってもよく、異なってもよく、曲げ軸ＢＸと平行である方向における第３凹溝３３及び第４凹溝３４の幅は互いに同じである場合、プロセス製造の複雑性を低減させることができる。
本開示の実施例では、第１凹溝３１、第２凹溝３２、第３凹溝３３及び第４凹溝３４のうちの任意２つの隣り合う凹溝は連通しなくてもよく、互いに連通してもよい。「連通」は、隣り合う２つの凹溝が互いに直接接続し、両者が互いに貫通することを示す。図５は本開示の実施例に係るフレキシブル表示パネルの複数の凹溝の平面模式図である。図５に示すように、第１凹溝３１は第１端部３１０と、第２端部３１２とを含み、第２凹溝３２は第１端部３２０と、第２端部３２２とを含み、第３凹溝３３は第１端部３３０と、第２端部３３２とを含み、第４凹溝３４は第１端部３４０と、第２端部３４２とを含む。４つの凹溝は互いに分離している状態にあり、すなわち、任意２つの隣り合う凹溝は互いに連通していない。図５の４つの凹溝は互いに連通している状態にある場合、閉ループ凹溝の構造を形成する。このように、曲げ応力は複数の凹溝に伝達して分散でき、曲げ領域ＢＡの破断をさらに回避する。１つの例では、図３に示すように、第３凹溝３３及び第４凹溝３４は曲げ軸ＢＸに垂直な方向に沿って曲げ領域ＢＡを横切って延伸し、且つ第３凹溝３３の第１端部３３０及び第４凹溝３４の第１端部３４０はそれぞれ第１凹溝３１の対向する両端３１０、３１２と接続され、第３凹溝３３の第２端部３３２及び第４凹溝３４の第２端部３３４はそれぞれ第２凹溝３２の対向する両端３２０、３２４と接続される。４つの凹溝を互いに連通することにより、集中した応力を凹溝の間に伝達できるようになり、それにより、曲げ領域ＢＡの破断リスクをさらに低減させる。
図３に示すように、フレキシブル基板ＳＵＢ上に、タッチ信号線５、共通信号線６、駆動信号線７、及びデータ接続線ＤＣＬ（Ｄａｔａ Ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ Ｌｉｎｅ）のような複数の信号線が設置されている。それらの信号線は表示領域ＤＡから引き出され且つ少なくとも一部は、曲げ軸ＢＸに垂直な方向に沿って第１ファンアウト領域ＦＡ１及び曲げ領域ＢＡを通過してパッド領域ＷＡに延伸する。少なくともいくつかの実施例では、第１凹溝３１、第２凹溝３２、第３凹溝３３及び第４凹溝３４のそれぞれのフレキシブル基板ＳＵＢでの正投影と、各信号線のフレキシブル基板ＳＵＢでの正投影との間には重なる領域がなく、このように、上記凹溝による従来の信号線の配線方式への影響を回避できる。例えば、本開示の実施例では、図６に示すように、第１凹溝３１は、タッチ信号線５、共通信号線６及び駆動信号線７と交差する位置で切断され、同様に、第２凹溝３２は、タッチ信号線５、共通信号線６及び駆動信号線７と交差する位置で切断される。
少なくともいくつかの実施例では、第１凹溝３１及び第２凹溝３２は、信号線と交差する位置で所定の間隔がある。図６は本開示の実施例に係るフレキシブル表示パネルの第１凹溝及び第２凹溝の平面模式図である。図６に示すように、例えば、第１凹溝３１はタッチ信号線５と交差する位置で間隔３１４を有し、第１凹溝３１は駆動信号線７と交差する位置で間隔３１６を有する。第２凹溝３２は、タッチ信号線５と交差する位置で間隔３２４を有し、第２凹溝３２は駆動信号線７と交差する位置で間隔３２６を有する。このように、表示領域ＤＡから引き出されるタッチ信号線５は、まず第１凹溝３１の間隔３１４を貫通し、次に第２凹溝３２の間隔３２４を貫通する。第１凹溝３１及び第２凹溝３２にそれぞれ間隔３１４、３１６を設置することにより、２つの凹溝による従来のタッチ信号線５の配線への影響を回避でき、特に、タッチ信号線５の層変更への影響を回避できる。タッチ信号線５が複数あるため、複数のタッチ信号線５に対して複数の間隔を設置してもよく、図６に示すように、複数のタッチ信号線５を収容できる１つの間隔３１４を設置してもよい。製造プロセスを簡略化させるために、複数の信号線を収容できる１つの間隔を設置することは好ましい実施形態である。本実施例では、信号干渉を回避するために、駆動信号線７とタッチ信号線５とは互いに分離しており、従って、駆動信号線７は、まず第１凹溝３１の間隔３２４を貫通し、次に第２凹溝３２の間隔３２６を貫通し、第１凹溝３１及び第２凹溝３２に間隔３２４、３２６を設置することにより、２つの凹溝による従来の駆動信号線７の配線への影響を回避でき、特に駆動信号線７の層変更への影響を回避できる。
共通信号線６については、第１凹溝３１及び第２凹溝３２に共通信号線６を収容するための他の間隔を単独で設置してもよく、単独で設置せず、共通信号線６がタッチ信号線５と同一間隔を使用してもよい。レイアウトを合理的にし、且つ空間占用率を高くするために、本実施例の共通信号線６及びタッチ信号線５はいずれも間隔３１４、３１６に設置され、図６に示すように、共通信号線６は、まず第１凹溝３１の間隔３１４を貫通し、次に第２凹溝３２の間隔３２４を貫通する。理解できるように、第１凹溝３１及び第２凹溝３２の設計が従来の信号線の配線方式に影響を与えない場合、信号線のために隙間又は間隔を予め残さなくてもよい。例えば、図５に示される第１凹溝３１及び第２凹溝３２にはいずれも信号線のために予め残された間隔がないが、同様に曲げによる応力を分散できる。
少なくともいくつかの実施例では、例えば、図３に示すように、タッチ信号線５、共通信号線６及び駆動信号線７のそれぞれのフレキシブル基板ＳＵＢでの正投影と、第３凹溝３３のフレキシブル基板ＳＵＢでの正投影との間には重なる領域がなく、タッチ信号線５、共通信号線６及び駆動信号線７のそれぞれのフレキシブル基板ＳＵＢでの正投影と、第４凹溝３４のフレキシブル基板ＳＵＢでの正投影との間には重なる領域がない。さらに、第３凹溝３３及び第４凹溝３４のそれぞれは、複数の信号線のうち第２ファンアウト領域ＦＡ２から最も遠い信号線とフレキシブル基板ＳＵＢのエッジとの間に位置する。例えば、図３に示すように、データ接続線ＤＣＬは第２ファンアウト領域ＦＡ２を貫通するが、タッチ信号線５、共通信号線６及び駆動信号線７はいずれも第２ファンアウト領域ＦＡ２を貫通せず、且つ第２ファンアウト領域ＦＡ２から最も遠い信号線は共通信号線６である。第３凹溝３３及び第４凹溝３４のそれぞれは、フレキシブル基板ＳＵＢのエッジと共通信号線６との間に位置する。
少なくともいくつかの実施例では、フレキシブル表示パネル１００はタッチ構造をさらに含む。作動原理に従い、タッチ構造は抵抗式、静電容量式、赤外線式等に分けられてもよい。それらのタッチ構造において、静電容量式タッチ構造は、感度が高く、耐用年数が長く、光透過率が高い等の利点がある。通常、静電容量式タッチ構造は相互静電容量型のものであってもよく、自己静電容量型のものであってもよい。静電容量式タッチ構造は相互静電容量型のものである場合、静電容量式タッチ電極はタッチ駆動電極と、タッチ誘導電極とを含み、静電容量式タッチ構造は自己静電容量型のものである場合、静電容量式タッチ電極は自己静電容量電極を含む。本開示の実施例は相互静電容量型のタッチ構造を例として説明する。
例えば、図３に示すように、フレキシブル表示パネル１００はタッチ電極ＴＥ（Ｔｏｕｃｈｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）と、タッチ信号線５とを含み、タッチ電極ＴＥは表示領域ＤＡに位置し、表示領域ＤＡでのタッチの発生を検出するように配置される。例えば、タッチ電極ＴＥは第１タッチ電極ＴＥ１と、第２タッチ電極ＴＥ２とを含む。複数の第１タッチ電極ＴＥ１はｘ方向に沿って延伸する第１タッチ電極線を構成し、複数の第２タッチ電極ＴＥ２はｙ方向に沿って延伸する第２タッチ電極線を構成する。複数の第１タッチ電極線と複数の第２タッチ電極線とは互いに交差し、それにより、第１タッチ電極線と第２タッチ電極線が交差する位置でタッチ静電容量が形成される。タッチする時に指等の接近による該タッチ静電容量の変化を検出することによりタッチ位置の検出を実現する。フレキシブル表示パネル１００は複数のタッチ信号線５をさらに含み、各タッチ信号線５は表示領域ＤＡ内のタッチ電極ＴＥと電気的に接続されるように配置される。例えば、図３に示すように、タッチ信号線５は第１タッチ信号線５２と、第２タッチ信号線５４とを含む。各第１タッチ信号線５２はｘ方向に沿って延伸する第１タッチ電極線と電気的に接続され、各第２タッチ信号線５４はｙ方向に沿って延伸する第２タッチ電極線と電気的に接続される。簡略化のために、図３の第１タッチ信号線５２及び第２タッチ信号線５４はそれぞれ３つのみを示しており、具体的に実現する時、各第１タッチ電極線は１つの第１タッチ信号線５２と電気的に接続され、各第２タッチ電極線は１つの第２タッチ信号線５４と電気的に接続され、このように、各タッチ電極ＴＥによるタッチ信号はタッチ信号線５を介してパッド領域ＷＡに伝送でき、パッド領域ＷＡの接触パッド４を介して外部のタッチチップと電気的に接続される。
図７は図３のＩ－Ｉ線に沿う断面模式図である。図８は図３のフレキシブル表示パネルのＱ１領域の拡大平面模式図である。図９は図８のＡ－Ａ線に沿う断面模式図である。
例えば、フレキシブル基板ＳＵＢはフレキシブル有機材料で製造されてもよく、該有機材料は、例えば、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート及びポリエチレンナフタレート等の樹脂類材料である。
例えば、第１バリア層ＢＲＬ１（Ｂａｒｒｉｅｒ Ｌａｙｅｒ）はフレキシブル基板ＳＵＢ上に設置される。第１バリア層ＢＲＬ１はフレキシブル基板ＳＵＢの曲げ領域ＢＡに位置する一部の上面を露出させることができる。第１バリア層ＢＲＬ１は、湿気及び／又は酸素がフレキシブル基板ＳＵＢを浸透して貫通することを阻止するように配置され、且つ酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）及び／又は窒素酸化ケイ素（ＳｉＯＮ）等の無機材料を含んでもよく、且つ多層又は単一層として形成されてもよい。そして、フレキシブル基板ＳＵＢの表面は相対的に平坦ではない場合、第１バリア層ＢＲＬ１はフレキシブル基板ＳＵＢの表面平坦度を改善できる。
例えば、バッファ層ＢＦＬ（Ｂｕｆｆｅｒ Ｌａｙｅｒ）は第１バリア層ＢＲＬ１上に設置される。バッファ層ＢＦＬは金属原子及び／又は不純物がフレキシブル基板ＳＵＢから半導体層へ拡散するのを防止又は減少させることができる。本開示の実施例では、バッファ層ＢＦＬは基板の曲げ領域ＢＡに位置する一部の上面を露出させることができる。例えば、バッファ層ＢＦＬは、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）及び／又は窒素酸化ケイ素（ＳｉＯＮ）等の無機材料を含んでもよく、且つ多層又は単一層として形成されてもよい。
例えば、活性層はバッファ層ＢＦＬ上に設置される。活性層は、例えば無機半導体材料（例えば、多結晶シリコン、アモルファスシリコン等）、有機半導体材料、酸化物半導体材料を含んでもよい。活性層は半導体層１１８を含む。半導体層１１８はゲート電極１１２と重なるチャネル領域と、それぞれチャネル領域の両側に設置されるソース領域及びドレイン領域とを含んでもよい。ソース領域及びドレイン領域はいずれもチャネル領域の不純物の濃度よりも高い不純物を含んでもよい。不純物はＮ型不純物又はＰ型不純物を含んでもよい。
例えば、第１ゲート絶縁層ＧＩ１は活性層上に設置される。第１ゲート絶縁層ＧＩ１は活性層を被覆できる。例えば、第１ゲート絶縁層ＧＩ１は活性層の厚さを十分に被覆する。本開示の実施例では、第１ゲート絶縁層はフレキシブル基板ＳＵＢの曲げ領域ＢＡに位置する一部の上面を露出させることができる。第１ゲート絶縁層は、例えばシリコン化合物、金属酸化物を含んでもよい。例えば、第１ゲート絶縁層ＧＩ１は窒素酸化ケイ素（ＳｉＯＮ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、カーボン酸化ケイ素（ＳｉＯｘＣｙ ）、窒素炭化ケイ素（ＳｉＣｘＮｙ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮｘ）、酸化タンタル（ＴａＯｘ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯｘ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯｘ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）等を含んでもよい。第１ゲート絶縁層ＧＩ１は単一層又は多層として形成されてもよい。
例えば、第１ゲート電極層Ｇ１は第１ゲート絶縁層ＧＩ１上に設置される。例えば、第１ゲート電極層Ｇ１は表示領域ＤＡ内のゲート電極、表示領域ＤＡ内の第１記憶コンデンサ電極板１２２及び第１ファンアウト領域ＦＡ１内の複数の第１データ接続線ＤＣＬ１を含む。ゲート電極層は、例えば金属、金属合金、金属窒素化物、導電性金属酸化物、透明導電性材料等を含んでもよい。例えば、ゲート電極層は金（Ａｕ）、金の合金、銀（Ａｇ）、銀の合金、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウムの合金、窒化アルミニウム（ＡｌＮｘ）、タングステン（Ｗ）、窒化タングステン（ＷＮｘ）、銅（Ｃｕ）、銅の合金、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、窒化クロム（ＣｒＮｘ）、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデンの合金、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮｘ）、白金（Ｐｔ）、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮｘ）、ネオジム（Ｎｄ）、スカンジウム（Ｓｃ）、酸化ストロンチウムルテニウム（ＳＲＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯｘ）、酸化錫（ＳｎＯｘ）、酸化インジウム（ＩｎＯｘ）、酸化ガリウム（ＧａＯｘ）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等を含んでもよい。ゲート電極は単一層又は多層を有してもよい。本開示の実施例では、第１ゲート電極層Ｇ１は互いに絶縁される複数のパターンを含み、ゲート電極、第１記憶コンデンサ電極板１２２及び複数の第１データ接続線ＤＣＬ１は第１ゲート電極層Ｇ１における異なるパターンであり、それらは互いに絶縁され、複数の第１データ接続線ＤＣＬ１の間も互いに絶縁される。
例えば、第２ゲート絶縁層ＧＩ２は第１ゲート電極層Ｇ１上に設置される。第２ゲート絶縁層ＧＩ２はゲート電極、第１記憶コンデンサ電極板１２２及び複数の第１データ接続線ＤＣＬ１を被覆することができる。本開示の実施例では、第２ゲート絶縁層はフレキシブル基板ＳＵＢの曲げ領域ＢＡに位置する一部の上面を露出させることができる。第２ゲート絶縁層は、例えばシリコン化合物、金属酸化物を含んでもよい。例えば、第２ゲート絶縁層ＧＩ２は、窒素酸化ケイ素（ＳｉＯＮ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、カーボン酸化ケイ素（ＳｉＯｘＣｙ ）、窒素炭化ケイ素（ＳｉＣｘＮｙ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮｘ）、酸化タンタル（ＴａＯｘ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯｘ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯｘ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）等を含んでもよい。第２ゲート絶縁層ＧＩ２は単一層又は多層として形成されてもよい。
例えば、第２ゲート電極層Ｇ２は第２ゲート絶縁層ＧＩ２上に設置される。第２ゲート電極層Ｇ２は、例えば、表示領域ＤＡ内の第２コンデンサ電極及び周辺領域ＰＡ内の複数の第２データ接続線ＤＣＬ２を含む。本開示の実施例では、第２ゲート電極層Ｇ２は互いに絶縁される複数のパターンを含み、第２コンデンサ電極及び複数の第２データ接続線ＤＣＬ２は第２ゲート電極層Ｇ２における異なるパターンであり、それらは互いに絶縁され、複数の第２データ接続線ＤＣＬ２の間も互いに絶縁される。図９から分かるように、第１データ接続線ＤＣＬ１及び第２データ接続線ＤＣＬ２は周辺遷移領域ＰＴＡにおいてフレキシブル基板ＳＵＢが位置する平面と平行である方向に沿って交互に設置され、このように、空間利用率を向上させ、周辺領域ＰＡの膜層の厚さを減少させることができる。図７では、記憶コンデンサ１２０は第１コンデンサ電極及び第２コンデンサ電極を含む。図７の記憶コンデンサ１２０は、図２を参照して説明された上記記憶コンデンサＣｓｔに対応してもよい。他の例では、図７に示される記憶コンデンサの変形として、記憶コンデンサの第１コンデンサ電極は依然としてゲート電極と同じ層に設置されるが、記憶コンデンサの第２コンデンサ電極はソース電極１１４及びドレイン電極１１６と同じ層に設置され（すなわち、第１ソースドレイン導電層ＳＤ１にも位置する）、それにより、第１コンデンサ電極及び第２コンデンサ電極は層間絶縁層ＩＬＤ及び第２ゲート絶縁層ＧＩ２の積層を誘電体材料として記憶コンデンサを形成する。
例えば、層間絶縁層ＩＬＤは第２ゲート電極層Ｇ２上に設置される。層間絶縁層ＩＬＤは第２記憶コンデンサ電極板１２４及び複数の第２データ接続線ＤＣＬ２を被覆する。本開示の実施例では、層間絶縁層ＩＬＤはフレキシブル基板ＳＵＢの曲げ領域ＢＡに位置する一部の上面を露出させることができる。層間絶縁層ＩＬＤは、例えばシリコン化合物、金属酸化物等を含んでもよい。
例えば、第１ソースドレイン導電層ＳＤ１は層間絶縁層ＩＬＤ上に設置される。第１ソースドレイン導電層ＳＤ１は、例えば、表示領域ＤＡ内に位置するソース電極１１４及びドレイン電極１１６を含み、例えば、ソース電極１１４はソース領域と電気的に接続され、ドレイン電極１１６はドレイン領域と電気的に接続される。本開示の実施例では、第１ソースドレイン導電層ＳＤ１は、周辺遷移領域ＰＴＡ及びパッド遷移領域ＷＴＡに位置する第１ソースドレイン導電性パターンをさらに含み、それにより、第１ソースドレイン導電性パターンは第１層変更領域ＲＡ１、曲げ領域ＢＡ及び第２層変更領域ＲＡ２を露出させる。本開示の実施例では、第１ソースドレイン導電層ＳＤ１は複数のパターンを含み、ソース電極１１４、ドレイン電極１１６、及び第１ソースドレイン導電性パターンは第１ソースドレイン導電層ＳＤ１における異なるパターンであり、それらは互いに絶縁されてもよく、互いに導通してもよい。第１ソースドレイン導電層ＳＤ１は金属、合金、金属窒素化物、導電性金属酸化物、透明導電性材料等を含んでもよく、例えば、第１ソースドレイン導電層ＳＤ１は金属で構成される単一層又は多層であってもよく、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ又はＴｉ／Ａｌ／Ｔｉである。図７では、ＴＦＴ１１０はゲート電極１１２、ソース電極１１４、ドレイン電極１１６、及び半導体層１１８を含む。図７のＴＦＴ１１０は図２を参照して説明された上記画素回路ＰＣに含まれるＴＦＴのうちの１つ（例えば、駆動ＴＦＴ Ｔｄ）に対応してもよい。
少なくともいくつかの実施例では、有機絶縁層ＯＩＬは少なくとも１つの平坦化層を含む。例えば、図７及び図９に示すように、有機絶縁層ＯＩＬは、第１ソースドレイン導電層ＳＤ１上に設置される第１平坦化層ＰＬＮ１を含む。例えば、第１平坦化層ＰＬＮ１は表示領域ＤＡに位置する第１平坦化パターンを含み、第１平坦化パターンは表示領域ＤＡ内のソース電極１１４及びゲート電極１１２を被覆し、且つ第１平坦化パターンは基本的に平坦な上面を有してもよい。本開示の実施例では、第１平坦化層ＰＬＮ１は、周辺領域ＰＡに位置する第１バリアパターン２４１をさらに含む。例えば、第１バリアパターン２４１は、表示領域ＤＡの周囲を取り囲み、第２バリア２２の一部とする。本開示の実施例では、第１平坦化パターン及び第１バリアパターン２４１は第１平坦化層ＰＬＮ１における異なるパターンである。本開示の実施例では、第１平坦化層ＰＬＮ１は、基板の曲げ領域ＢＡに位置する、露出した上面を被覆し、このように、曲げ領域ＢＡの弾性を強化でき、曲げ領域ＢＡは破断されにくい。第１平坦化層ＰＬＮ１は有機絶縁材料を含んでもよく、該有機絶縁材料は、例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル、ポリエステル、フォトレジスト、ポリアクリレート、ポリアミド、シロキサン等の樹脂類材料等を含む。また例えば、該有機絶縁材料は、例えばカルバミン酸エチル、熱可塑性ポリウレタン（ＴＰＵ）等の弾性材料を含む。
例えば、第２ソースドレイン導電層ＳＤ２は第１平坦化層ＰＬＮ１上に設置される。第２ソースドレイン導電層ＳＤ２は、例えば、表示領域ＤＡ内に位置する中継電極１４０を含む。図７に示すように、中継電極は、第１平坦化層ＰＬＮ１に形成された接触孔を介してドレイン電極と電気的に接続され、同時に、中継電極は第２平坦化層ＰＬＮ２に形成された他の接触孔を介して第１電極１３２と電気的に接続される。本実施例では、中継電極は第１平坦化層ＰＬＮ１及び第２平坦化層ＰＬＮ２に孔径が比較的大きな接触孔を直接形成することを回避でき、それにより接触孔の電気的接続の品質を改善する。本開示の実施例では、第２ソースドレイン導電層ＳＤ２は、第１層変更領域ＲＡ１、曲げ領域ＢＡ、第２層変更領域ＲＡ２及びパッド遷移領域ＷＴＡに位置する第２ソースドレイン導電性パターンをさらに含み、このように、第２ソースドレイン導電性パターンが第１層変更領域ＲＡ１及び第２層変更領域ＲＡ２内の２つの開口部に位置するため、タッチ信号線５の層変更設計に有利である。本開示の実施例では、第２ソースドレイン導電層ＳＤ２は複数のパターンを含み、中継電極、第２ソースドレイン導電性パターンは第２ソースドレイン導電層ＳＤ２における異なるパターンであり、それらは互いに絶縁されてもよく、互いに導通してもよい。例えば、第２ソースドレイン導電層ＳＤ２は、金属、合金、金属窒素化物、導電性金属酸化物、透明導電性材料等を含んでもよく、例えば、第２ソースドレイン導電層ＳＤ２は、金属で構成される単一層又は多層であってもよく、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ又はＴｉ／Ａｌ／Ｔｉである。第２ソースドレイン導電層ＳＤ２の材料は、第１ソースドレイン導電層ＳＤ１の材料と同じであってもよく、又は異なってもよい。
少なくともいくつかの実施例では、有機絶縁層ＯＩＬは第２平坦化層ＰＬＮ２をさらに含む。例えば、図７及び図９に示すように、第２平坦化層ＰＬＮ２は第２ソースドレイン導電層ＳＤ２上に設置される。例えば、第２平坦化層ＰＬＮ２は表示領域ＤＡに位置する第２平坦化パターンを含み、第２平坦化パターンは中継電極を被覆し、且つ第２平坦化パターンは基本的に平坦な上面を有してもよい。本開示の実施例では、第２平坦化層ＰＬＮ２は、周辺領域ＰＡに位置する２つの第２バリアパターン２４２をさらに含み、各第２バリアパターン２４２は表示領域ＤＡの周囲を取り囲み、図９の左側の第２バリアパターン２４２ａは第１ソースドレイン電極層と直接接触し、第１バリア２１の一部とすることができ、右側の第２バリアパターン２４２ｂは第１バリアパターン２４１を被覆し、第２バリア２２の一部とすることができる。本開示の実施例では、第２平坦化層ＰＬＮ２は第１層変更領域ＲＡ１及び第２層変更領域ＲＡ２を露出させる。本開示の実施例では、第２平坦化パターン及び第２バリアパターン２４２は第２平坦化層ＰＬＮ２における異なるパターンである。第２平坦化層ＰＬＮ２は有機絶縁材料を含んでもよく、該有機絶縁材料は、例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル、ポリエステル、フォトレジスト、ポリアクリレート、ポリアミド、シロキサン等の樹脂類材料等を含む。また例えば、該有機絶縁材料は、例えばカルバミン酸エチル、熱可塑性ポリウレタン（ＴＰＵ）等の弾性材料を含む。第２平坦化層ＰＬＮ２の材料は、第１平坦化層ＰＬＮ１の材料と同じであってもよく、又は異なってもよい。
例えば、図７に示すように、有機発光ダイオード１３０は第１電極１３２と、有機機能層１３４と、第２電極１３６とを含む。図７の有機発光ダイオード１３０は図２を参照して説明された上記有機発光ダイオードＯＬＥＤに対応してもよい。
例えば、第１電極１３２は第２平坦化層ＰＬＮ２の上に設置される。第１電極１３２は第２平坦化層ＰＬＮ２における接触孔を介して中継電極と電気的に接続され、それによりＴＦＴ１１０のドレイン電極と電気的に接続される。第１電極１３２は導電性材料を含んでもよい。導電性材料は、例えば、金属、金属合金、金属窒素化物、導電性金属酸化物、透明導電性材料等を含んでもよい。第１電極１３２は多層構造を有してもよい。
例えば、画素定義層ＰＤＬ（Ｐｉｘｅｌ Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）は第２平坦化層ＰＬＮ２上に設置される。例えば、図７に示すように、画素定義層ＰＤＬは表示領域ＤＡに位置する第１画素定義パターンを含み、該第１画素定義パターンは第１電極１３２の一部を露出させることができる。例えば、有機機能層１３４は第１電極１３２の第１画素定義パターンにより露出される部分上に設置されてもよい。本開示の実施例では、画素定義層ＰＤＬは、周辺領域ＰＡに設置される２つの第２画素定義パターン２４３ａ、２４３ｂをさらに含み、各第２画素定義パターンは表示領域ＤＡの周囲を取り囲み、図９の左側の第２画素定義パターン２４３ａは左側の第２バリアパターン２４２ａを被覆し、第１バリア２１の一部とし、右側の第２画素定義パターン２４３ｂは右側の第２バリアパターン２４２ｂを被覆し、第２バリア２２の一部とする。本開示の実施例では、画素定義層ＰＤＬは第１層変更領域ＲＡ１及び第２層変更領域ＲＡ２を露出させることができ、このように、信号線の層変更設計に有利である。画素定義層ＰＤＬは有機材料又は無機材料を含んでもよい。画素定義層ＰＤＬの材料は、ポリイミド、ポリフタルイミド、ポリフタルアミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン又はフェノール樹脂等の有機絶縁材料を含んでもよく、又は酸化ケイ素、窒化ケイ素等の無機絶縁材料を含む。画素定義層ＰＤＬは多層構造を有してもよく、例えば、図７に示すように、画素定義層ＰＤＬは積層した第１画素定義層ＰＤＬ１及び第２画素定義層ＰＤＬ２を含む。
例えば、有機機能層１３４は発光層を含んでもよい。発光層は小分子有機材料又は重合体分子有機材料を含んでもよく、蛍光発光材料又は燐光発光材料であってもよく、赤色光、緑色光、青色光を発してもよく、又は白色光を発してもよい。さらに、需要に応じて、有機機能層１３４は正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等をさらに含んでもよい。
第２電極１３６は導電性材料を含んでもよく、例えば、導電性材料は金属、金属合金、金属窒素化物、導電性金属酸化物、透明導電性材料等を含んでもよい。本開示の実施例では、有機発光ダイオードＯＬＥＤはトップエミッション型又はボトムエミッション型のものを用いてもよい。トップエミッション型ＯＬＥＤを用いる場合、第１電極１３２は光反射性能を有する導電性材料を含み又は光反射膜を含み、第２電極１３６は透明又は半透明導電性材料を含む。ボトムエミッション型ＯＬＥＤを用いる場合、第２電極１３６は光反射性能を有する導電性材料を含み又は光反射膜を含み、第１電極１３２は透明又は半透明導電性材料を含む。
例えば、カプセル化層ＥＰＬ（Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）は画素定義層ＰＤＬ上に設置される。図７に示すように、カプセル化層ＥＰＬは表示領域ＤＡ内の有機発光ダイオード及び表示領域ＤＡ内の第１画素定義パターンを被覆して、有機発光ダイオードを密封し、それにより環境にある湿気及び／又は酸素による有機発光ダイオードの劣化を減少又は防止することができる。カプセル化層ＥＰＬは単一層構造であってもよく、多層構造であってもよく、該多層構造は無機層及び有機層を積層した構造を含む。例えば、カプセル化層ＥＰＬは、順に設置される第１無機カプセル化層ＥＰＬ１、有機カプセル化層ＥＰＬ２、第２無機カプセル化層ＥＰＬ３を含んでもよい。さらに、カプセル化層ＥＰＬは周辺領域ＰＡに延伸して周辺領域ＰＡに位置する第１バリア２１及び第２バリア２２を被覆する。本開示の実施例では、カプセル化層ＥＰＬは第１層変更領域ＲＡ１、曲げ領域ＢＡ、第２層変更領域ＲＡ２、パッド遷移領域ＷＴＡ及びパッド領域ＷＡを露出させる。
例えば、カプセル化層ＥＰＬの材料は窒素酸化ケイ素（ＳｉＯＮ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、高分子樹脂等の絶縁材料を含んでもよい。窒素酸化ケイ素（ＳｉＯＮ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）等の無機材料の緻密性が高く、水、酸素等の侵入を防止でき、有機カプセル化層の材料は、乾燥剤含有の高分子材料又は水蒸気を阻止可能な高分子材料等、例えば高分子樹脂等であってもよく、それにより表示基板の表面を平坦化処理し、且つ第１無機カプセル化層及び第２無機カプセル化層の応力を緩和でき、乾燥剤等の吸水性材料をさらに含んでもよく、それにより内部に侵入する水、酸素等の物質を吸収する。
例えば、第２バリア層ＢＲＬ２はカプセル化層ＥＰＬ上に設置される。第２バリア層ＢＲＬ２は表示領域ＤＡに位置し且つ周辺領域ＰＡに延伸してカプセル化層ＥＰＬを被覆する。本開示の実施例では、第２バリア層ＢＲＬ２は第１層変更領域ＲＡ１、曲げ領域ＢＡ、及び第２層変更領域ＲＡ２を露出させる。該第２バリア層ＢＲＬ２は上記第１バリア層ＢＲＬ１と同じ材料を用いてもよく、ここで詳しい説明を省略する。本開示の実施例のフレキシブル基板ＳＵＢ上に第１ゲート絶縁層ＧＩ１、第２ゲート絶縁層ＧＩ２、バッファ層ＢＦＬ、第２バリア層ＢＲＬ２及び第１バリア層ＢＲＬ１が設置されており、しかし、理解できるように、いくつかの例では、それらの層は実際の需要に応じて減少又は増加でき、本開示はこれを具体的に限定しない。
少なくともいくつかの実施例では、第１タッチ導電層ＴＬ１は第２平坦化層ＰＬＮ２のフレキシブル基板ＳＵＢから離れる側に設置される。例えば、図７に示すように、第１タッチ導電層ＴＬ１は第２バリア層ＢＲＬ２上に設置される。タッチ絶縁層ＴＩＬは第１タッチ導電層ＴＬ１と第２タッチ導電層ＴＬ２との間に設置される。例えば、本開示の実施例では、表示領域ＤＡ内の各タッチ電極ＴＥは上層と下層とを含み、下層は第１タッチ導電層ＴＬ１であり、上層は第２タッチ導電層ＴＬ２であり、両者の間はタッチ絶縁層ＴＩＬによって互いに絶縁される。周辺領域ＰＡでは、各タッチ信号線５も上層と下層とを含見、下層は第１タッチ導電層ＴＬ１であり、上層は第２タッチ導電層ＴＬ２であり、両者の間はタッチ絶縁層ＴＩＬによって互いに絶縁される。各タッチ信号線５のタッチ絶縁層ＴＩＬには、第１タッチ導電層ＴＬ１及び第２タッチ導電層ＴＬ２と電気的に接続される接触孔が設置され、このように、２つのタッチ導電層は同じ信号を伝送し、且つ伝送抵抗を低減させることができる。さらに、少なくとも１つの例では、図１１に示すように、表示領域ＤＡでは、第１絶縁層１０１上に第１タッチ導電層ＴＬ１及び第２タッチ導電層ＴＬ２が設置され、第２絶縁層１０２は第１タッチ導電層ＴＬ１と第２タッチ導電層ＴＬ２との間に設置され、例えば、第１タッチ導電層ＴＬ１はブリッジ電極１５４を含み、第２タッチ導電層ＴＬ２はタッチ電極（ＴＸ電極）１５８及び誘導電極（ＲＸ電極）１５２を含み、ＲＸ電極１５２は第２絶縁層１０２に設置されるビア１０３を介してブリッジ電極１５４と電気的に接続される。少なくとも１つの例では、単一のタッチ導電層（第１タッチ導電層ＴＬ１又は第２タッチ導電層ＴＬ２）のみをタッチ信号線５として用いてもよく、同様に信号伝送の目的を達成できる。本開示の実施例では、第１タッチ導電層ＴＬ１は曲げ領域ＢＡを露出させ、第２タッチ導電層ＴＬ２は第１層変更領域ＲＡ１、曲げ領域ＢＡ及び第２層変更領域ＲＡ２を露出させる。第１タッチ導電層ＴＬ１及び第２タッチ導電層ＴＬ２のそれぞれは導電性材料を含んでもよい。導電性材料は、例えば、金属、金属合金、金属窒素化物、導電性金属酸化物、透明導電性材料等を含んでもよい。
少なくともいくつかの実施例では、オーバーコート層ＯＣは第２タッチ導電層ＴＬ２のフレキシブル基板ＳＵＢから離れる側に設置される。オーバーコート層ＯＣは表示領域ＤＡから周辺領域ＰＡに延伸し、オーバーコート層ＯＣは周辺遷移領域ＰＴＡ内のタッチ信号線５を保護できる。オーバーコート層の材料は無機絶縁材料又は有機絶縁材料を含んでもよい。
少なくともいくつかの実施例では、表示領域ＤＡからパッド領域ＷＡへ延伸する信号線は周辺遷移領域ＰＴＡの第１層変更領域ＲＡ１及びパッド遷移領域ＷＴＡ内の第２層変更領域ＲＡ２に層変更を実現し、それにより、信号線の曲げ領域ＢＡ内の部分と曲げ領域ＢＡ外の部分とは異なる配線方式を有し、しかし、両部分は依然として電気的接続を維持する。このように、空間の使用率を向上させることができるだけでなく、非表示領域内（表示領域ＤＡ以外の領域）の膜層の厚さを減少させることもできる。
少なくともいくつかの実施例では、タッチ信号線５の曲げ領域ＢＡ内の部分と曲げ領域ＢＡ外の部分とは異なる配線方式を有してもよい。例えば、図８及び図９に示すように、各タッチ信号線５は、曲げ領域ＢＡに位置する第１タッチ部分５０２と、曲げ領域ＢＡ外に位置する第２タッチ部分５０４とを含み、且つタッチ信号線５の第１タッチ部分５０２及びタッチ信号線５の第２タッチ部分５０４は異なる膜層に位置する。つまり、第１タッチ部分５０２及び第２タッチ部分５０４は異なるレベル（ｌｅｖｅｌ）上に位置する。例えば、図９に示すように、第１タッチ部分５０２は第１平坦化層ＰＬＮ１と第２平坦化層ＰＬＮ２との間に位置し、第２タッチ部分５０４は第２平坦化層ＰＬＮ２上に位置し、例えば、カプセル化層ＥＰＬ上に位置する。さらに、本開示の実施例では、第１タッチ部分５０２及び第２タッチ部分５０４は異なる膜層を含む。例えば、タッチ信号線５の第１タッチ部分５０２は曲げ領域ＢＡ内の第２ソースドレイン導電層ＳＤ２を含み、さらに、該第１タッチ部分５０２は曲げ領域ＢＡ内の第２ソースドレイン導電層ＳＤ２で構成される。周辺遷移領域ＰＴＡ及びパッド遷移領域ＷＴＡでは、第２タッチ部分５０４は第１タッチ導電層ＴＬ１及び第２タッチ導電層ＴＬ２を含み、さらに、第２タッチ部分５０４は第１タッチ導電層ＴＬ１及び第２タッチ導電層ＴＬ２を並列接続することで構成される。それから分かるように、第１タッチ部分５０２及び第２タッチ部分５０４は異なる膜層で構成される。例えば、第１層変更領域ＲＡ１では、タッチ信号線５の第２タッチ部分５０４の第２タッチ導電層ＴＬ２は第２平坦化層ＰＬＮ２の開口部５１１を介してタッチ信号線５の第１タッチ部分５０２の第２ソースドレイン導電層ＳＤ２と接する。また例えば、第２層変更領域ＲＡ２では、タッチ信号線５の第２タッチ部分５０４の第２タッチ導電層ＴＬ２は第２平坦化層ＰＬＮ２の開口部５１２を介してタッチ信号線５の第１タッチ部分５０２の第２ソースドレイン導電層ＳＤ２と接する。上記タッチ信号線５の層変更設計により、曲げ領域ＢＡ内の導電性膜層の厚さを減少させ、曲げによる信号伝送への影響を回避できるだけでなく、信号線の安全性及び空間使用率を向上させることもできる。
例えば、図３に示すように、共通信号線６は周辺領域ＰＡに設置され、且つ開ループ方式で表示領域ＤＡを部分的に取り囲む。共通信号線６は、有機発光素子と電気的に接続されて図２に示される共通電圧ＥＬＶＳＳを提供するように配置される。
少なくともいくつかの実施例では、周辺領域ＰＡからパッド領域ＷＡへ引き出される共通信号線６の曲げ領域ＢＡ内の部分と曲げ領域ＢＡ外の部分とは異なる配線方式を有してもよい。図１２は本開示の実施例に係る共通信号線の平面模式図である。図１３は図１２のＣ－Ｃ線に沿う断面図である。例えば、図１２及び図１３に示すように、各共通信号線６は、曲げ領域ＢＡに位置する第１共通部分６０２と、曲げ領域ＢＡ外に位置する第２共通部分６２とを含み、且つ第１共通部分６０２及び第２共通部分６２は異なる膜層に位置する。つまり、第１共通部分６０２及び第２共通部分６２は異なるレベル上に位置する。例えば、図１３に示すように、第１共通部分６０２は第１平坦化層ＰＬＮ１上に位置し且つ第１平坦化層ＰＬＮ１と第２平坦化層ＰＬＮ２との間に位置し、第２共通部分６２は層間絶縁層ＩＬＤ上に位置する。上記共通信号線６の層変更設計により、曲げ領域ＢＡ内の導電性膜層の厚さを減少させ、曲げによる信号伝送への影響を回避できるだけでなく、信号線の安全性及び空間使用率を向上させることもできる。さらに、少なくとも１つの例では、第２共通部分６２は、周辺遷移領域ＰＴＡに位置する第１サブ共通部分６０４と、パッド遷移領域ＷＴＡに位置する第２サブ共通部分６０６とを含む。本開示の実施例では、第１共通部分６０２、第１サブ共通部分６０４及び第２サブ共通部分６０６は異なる膜層で構成される。例えば、該第１共通部分６０２は曲げ領域ＢＡ内の第２ソースドレイン導電層ＳＤ２で構成される。第２サブ共通部分６０６は第１サブ共通部分６０４と同じ単一層構造を有してもよく、すなわち、第１ソースドレイン導電層ＳＤ１で構成され、第１サブ共通部分６０４と異なる構造を有してもよく、例えば二重層構造を有する。図１３に示すように、第２サブ共通部分６０６は第１ソースドレイン導電層ＳＤ１及び第２ソースドレイン導電層ＳＤ２で構成される場合、信号伝送の抵抗を減少させることができるため、これは好ましい。
本開示の実施例では、図１２に示すように、共通信号線６の第２共通部分６２の前記フレキシブル基板ＳＵＢでの正投影と、タッチ信号線５の第２タッチ部分５０４の前記フレキシブル基板ＳＵＢでの正投影との間には重なる領域があり、このように、異なる信号線の間が互いに干渉を回避できるだけでなく、空間使用率を向上させることもできる。本開示の実施例では、第１共通部分６０２は第１共通分岐６１１及び第２共通分岐６１２を含んでもよく、第１共通分岐６１１及び第２共通分岐６１２は同じ配線方式を用い、このように、製作しやすい。また、第１共通分岐６１１及び第２共通分岐６１２を設置することにより、第１共通部分６０２及び第１タッチ部分５０２を曲げ領域ＢＡ内の同じ層（すなわち第２ソースドレイン電極層）に設置し且つ両者の間が互いに絶縁され、つまり、共通信号線６の第１共通部分６０２の前記フレキシブル基板ＳＵＢでの正投影と、前記タッチ信号線５の第１タッチ部分５０２の前記フレキシブル基板ＳＵＢでの正投影との間には重なる領域がなく、このように、曲げ領域ＢＡ内の膜層の厚さを最大限に減少させ、曲げ領域ＢＡの破断リスクを低減させることができる。
少なくともいくつかの実施例では、周辺領域ＰＡからパッド領域ＷＡへ引き出される駆動信号線７の曲げ領域ＢＡ内の部分と曲げ領域ＢＡ外の部分とは異なる配線方式を有してもよい。図３に示すように、駆動信号線７は共通信号線６の第２ファンアウト領域ＦＡ２から離れる側に位置し、駆動信号線７は画素回路ＰＣと電気的に接続されるように配置される。図１４は図３のフレキシブル表示パネルのＱ２領域の拡大平面模式図である。例えば、図１４に示すように、駆動信号線７は、曲げ領域ＢＡ内に位置する第１駆動部分７０２と、曲げ領域ＢＡ外に位置する第２駆動部分７４とを含み、第１駆動部分７０２及び第２駆動部分７４は異なる膜層に位置する。少なくとも１つの例では、駆動信号線７の第２駆動部分７４は、周辺遷移領域ＰＴＡに位置する第１サブ駆動部７０４と、パッド遷移領域ＷＴＡに位置する第２サブ駆動部７０６とを含む。駆動信号線７の層変更方式は図１３に示される共通信号線６の層変更方式と同じであり、駆動信号線７と共通信号線６との相違点は、駆動信号線７の第１駆動部分７０２が分岐構造を有さないことである。従って、駆動信号線７の第１駆動部分７０２は曲げ領域ＢＡ内の第２ソースドレイン導電層ＳＤ２で構成され、駆動信号線７の第１サブ駆動部７０４は第１ソースドレイン導電層ＳＤ１で構成され、駆動信号線７の第２サブ駆動部７０６は第１ソースドレイン導電層ＳＤ１及び第２ソースドレイン導電層ＳＤ２で構成される。
少なくともいくつかの実施例では、周辺領域ＰＡからパッド領域ＷＡへ引き出されるデータ接続線ＤＣＬの曲げ領域ＢＡ内の部分と曲げ領域ＢＡ外の部分とは異なる配線方式を有してもよい。データ接続線ＤＣＬは前記表示領域ＤＡから前記第１ファンアウト領域ＦＡ１、前記曲げ領域ＢＡ及び前記第２ファンアウト領域ＦＡ２を経て前記パッド領域ＷＡに到達する。例えば、前記第１ファンアウト領域ＦＡ１及び前記第２ファンアウト領域ＦＡ２のそれぞれにおける前記データ接続線ＤＣＬの部分は前記第１ゲート電極層Ｇ１及び前記第２ゲート電極層Ｇ２を交互に設置することにより構成される。曲げ領域ＢＡにおける前記データ接続線ＤＣＬの部分は第２ソースドレイン導電層で構成される。
少なくともいくつかの実施例では、第１凹溝３１は有機絶縁層ＯＩＬを貫通する。例えば、有機絶縁層ＯＩＬは第１平坦化層ＰＬＮ１のみを含み、第１凹溝３１は該第１平坦化層ＰＬＮ１を貫通する。また例えば、有機絶縁層ＯＩＬは第１平坦化層ＰＬＮ１及び第２平坦化層ＰＬＮ２を含み、第１凹溝３１は該第１平坦化層ＰＬＮ１及び第２平坦化層ＰＬＮ２を貫通する。図１０は図８のＢ－Ｂ線に沿う断面模式図である。例えば、図１０に示すように、第１凹溝３１及び第２凹溝３２のそれぞれは第１平坦化層ＰＬＮ１及び第２平坦化層ＰＬＮ２を貫通する。例えば、第１凹溝３１は、第１平坦化層ＰＬＮ１を被覆する第２平坦化層ＰＬＮ２の側表面である側壁を含む。以下、第１凹溝３１の側壁についての説明は、第２平坦化層ＰＬＮ２の側表面についての説明であると理解でき、本開示の実施例では、第２平坦化層ＰＬＮ２の側表面について繰り返し説明しない。少なくともいくつかの実施例では、側壁は、フレキシブル基板ＳＵＢが位置する平面に対して傾斜する平面傾斜面であってもよく、円弧状の傾斜面であってもよい。図１５は図１０のＥ領域の拡大模式図である。図１５に示すように、側壁３０２は円弧状の傾斜面である。図１６は本開示の実施例に係る第１凹溝の側壁の別の変形の模式図である。図１６に示すように、側壁３１２は傾斜する平面傾斜面である。図１６では、側壁３１２とフレキシブル基板ＳＵＢが位置する平面との間の夾角θ１は約２０度～４０度であり、このように、側壁は上面３１４から凹溝の底部へできるだけスムーズに遷移でき、曲げ応力を分散しやすいだけでなく、凹溝による段差を減少させることができる。しかし、図１６の側壁３１２と凹溝周縁の上面３１４との接続部に凸稜（破線枠）を形成する可能性があり、それにより曲げ領域ＢＡによる曲げ応力が効果的に分散できないことを引き起こす。該凸稜の形成を回避するために、好ましくは、第１凹溝３１の側壁３０２は円弧状の傾斜面であり、さらに、少なくとも１つの例では、図１５に示すように、円弧状の傾斜面は第１凹溝３１の周縁に位置する第２平坦化層ＰＬＮ２の上面３０４と接続され、且つ円弧状の傾斜面は該上面３０４と接続部Ｆで相接する。このように、側壁３０２と上面３０４との間の接続部Ｆに凸稜が形成せず、すなわち、応力集中点を形成できず、曲げ領域ＢＡが曲げられる時、曲げ応力はＦに集中できず、それにより曲げ領域ＢＡによる曲げ応力をより効果的に分散できる。さらに、少なくとも１つの例では、側壁は円弧状の傾斜面である時、側壁の接線とフレキシブル基板ＳＵＢとの間の夾角の最大値θ２は約２０度～４０度の間にある。このように、凹溝による段差を減少させることができる。
少なくともいくつかの実施例では、第１凹溝３１の側壁は階段状を有してもよい。図１７は本開示の実施例に係る第１凹溝の側壁のさらに別の変形の模式図である。例えば、図１７に示すように、第１凹溝３１の延伸方向に垂直する平面内に、側壁３２２は複数の側部３２２ａ、３２２ｂ及び３２２ｃを含む。各側部は円弧状の傾斜面を有し、複数の円弧状の傾斜面は互いに接続されて側壁３２２を形成し、それにより階段状の側壁を形成する。複数の側部を設置することにより、曲げ応力を複数の側部に分散することができる。図１７では、フレキシブル基板ＳＵＢから最も遠い側部３２２ａの円弧状の傾斜面は上面３２４と接続部で相接し、このように、接続部に凸稜を形成するのを回避でき、それにより上面が側壁にスムーズに遷移し、応力集中点の形成を回避する。理解できるように、本開示の実施例の第２凹溝３２、第３凹溝３３及び第４凹溝３４の構造は上記第１凹溝３１の構造を参照して設置してもよく、ここで詳しい説明を省略する。
少なくともいくつかの実施例では、図３に示すように、バリア２は第１バリア２１及び第２バリア２２を含む。第１バリア２１は周辺領域ＰＡに位置し、表示領域ＤＡを取り囲む。第２バリア２２は周辺領域ＰＡに位置し、表示領域ＤＡを取り囲み、第２バリア２２は第１バリア２１の表示領域ＤＡから離れる側に位置し、このように、外部の水蒸気又は酸素ガスが表示領域ＤＡに入ることをさらに防止でき、表示領域ＤＡのために二重の保護を提供する。
少なくとも１つの例では、図３に示すように、第１バリア２１は、周辺遷移領域ＰＴＡに位置する第１バリア部２１０と、周辺領域ＰＡの周辺遷移領域ＰＴＡ以外の他の領域に設置される第２バリア部２１２とを含む。第２バリア２２は周辺遷移領域ＰＴＡに位置する第３バリア部２２０と、周辺領域ＰＡの周辺遷移領域ＰＴＡ以外の他の領域に設置される第４バリア部２２２とを含む。図９に示すように、第１バリア部２１０は第２平坦化層ＰＬＮ２及び画素定義層ＰＤＬを含む。少なくとも１つの例では、第１バリア部２１０は第２平坦化層ＰＬＮ２及び画素定義層ＰＤＬで構成される。図９に示すように、第３バリア部２２０は第１平坦化層ＰＬＮ１、第１平坦化層ＰＬＮ１を被覆する第２平坦化層ＰＬＮ２と、第２平坦化層ＰＬＮ２を被覆する画素定義層ＰＤＬとを含む。少なくとも１つの例では、第３バリア部２２０は、第１平坦化層ＰＬＮ１、第１平坦化層ＰＬＮ１を被覆する第２平坦化層ＰＬＮ２及び第２平坦化層ＰＬＮ２を被覆する画素定義層ＰＤＬで構成される。本開示の実施例では、第３バリア部２２０に比べて、第１バリア部２１０は第１平坦化層ＰＬＮ１がないため、第１バリア部２１０のフレキシブル基板ＳＵＢに対する高さは第３バリア部２２０のフレキシブル基板ＳＵＢに対する高さよりも低く、このように、外部の水蒸気及び酸素ガスが表示領域ＤＡに入るルートが長くなり、表示領域ＤＡに入る難度が増加し、バリアの阻止能力がさらに向上する。
少なくともいくつかの実施例では、第１バリア部２１０及び／又は第２バリア部２１２の第２平坦化層ＰＬＮ２の側表面は上記第１凹溝３１の側壁の構造を有してもよい。さらに、少なくとも１つの例では、第１バリア部２１０及び第２バリア部２１２のそれぞれの第２平坦化層ＰＬＮ２の側表面は上記第１凹溝３１の側壁の構造を有してもよい。例えば、図７に示すように、第１バリア部２１０の第２平坦化層ＰＬＮ２の側表面４１０及び第２バリア部２１２の第２平坦化層ＰＬＮ２の側表面４１２は円弧状の傾斜面であってもよく、又は、第１バリア部２１０の第２平坦化層ＰＬＮ２の側表面４１０及び第２バリア部２１２の第２平坦化層ＰＬＮ２の側表面４１２はフレキシブル基板ＳＵＢが位置する平面に対して傾斜する平面傾斜面であり、例えば、図１６に示される平面傾斜面を有する。少なくとも１つの例では、第２平坦化層ＰＬＮ２の側表面は傾斜する平面傾斜面である場合、第２平坦化層ＰＬＮ２の側表面とフレキシブル基板ＳＵＢが位置する平面との間の夾角は約２０度～４０度であり、このように、側壁は第２平坦化層ＰＬＮ２の上面から第１ソースドレイン導電層ＳＤ１にできるだけスムーズに遷移でき、それにより、傾斜面と第１ソースドレイン導電層ＳＤ１との間の傾斜角を小さくする。少なくとも１つの例では、第２平坦化層ＰＬＮ２の側表面は円弧状の傾斜面である場合、第２平坦化層ＰＬＮ２の側表面の接線とフレキシブル基板ＳＵＢとの間の夾角の最大値は約２０度～４０度の間にある。このように、側壁の傾斜角を徐々に小さくすることができる。傾斜角を小さくすることにより、バリアの上に形成される信号線の関連膜層の段差を低減させることができ、それにより製造プロセスに余分な信号線材料の残留を回避できる。例えば、図７に示すように、第１バリア部２１０及び第２バリア部２１２上には第１タッチ信号線５２を構成する第１タッチ導電層ＴＬ１及び第２タッチ導電層ＴＬ２が形成される場合、第２平坦化層ＰＬＮ２の側表面の傾斜角を小さくするため、第１タッチ導電層ＴＬ１と第２タッチ導電層ＴＬ２との段差を減少させ、それにより第１タッチ導電層ＴＬ１及び第２タッチ導電層ＴＬ２を製造する時に基板に余分なタッチ導電性材料を残留するのを回避する。
図２０は図３のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面図である。少なくともいくつかの実施例では、図２０に示すように、フレキシブル基板ＳＵＢは、画素定義層ＰＤＬとカプセル化層ＥＰＬとの間に位置するスペーサー層ＯＳＬをさらに含み、該スペーサー層ＯＳＬは外部の水蒸気又は酸素ガスが表示領域ＤＡに入るルートをさらに増加させ、それにより表示領域ＤＡ内の有機発光素子を保護することができる。少なくともいくつかの実施例では、該スペーサー層ＯＳＬは周辺領域ＰＡの周辺遷移領域ＰＴＡ以外の領域に位置する。さらに、少なくとも１つの例では、スペーサー層ＯＳＬは周辺領域ＰＡ内の２つの第２画素定義パターンを被覆することで、第２バリア部２１２及び第４バリア部２２２のそれぞれの一部を構成する。図１８は図３のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面模式図である。例えば、図１８に示すように、第２バリア部２１２は第２平坦化層ＰＬＮ２と、画素定義層ＰＤＬと、スペーサー層ＯＳＬとを含み、第４バリア部２２２は第１平坦化層ＰＬＮ１と、第１平坦化層ＰＬＮ１を被覆する第２平坦化層ＰＬＮ２と、第２平坦化層ＰＬＮ２を被覆する画素定義層ＰＤＬと、スペーサー層ＯＳＬとを含む。周辺遷移領域ＰＴＡにスペーサー層ＯＳＬが設置されないため、非表示領域内の膜層の厚さをさらに減少させ、曲げ応力による関連膜層への影響を減少させる。本開示の実施例では、スペーサー層ＯＳＬは有機材料を含み、例えば、画素定義層ＰＤＬの材料はポリイミド、ポリフタルイミド、ポリフタルアミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン又はフェノール樹脂等の有機絶縁材料を含んでもよい。
本開示の実施例では、フレキシブル基板ＳＵＢの第２ファンアウト領域ＦＡ２とパッド領域ＷＡとの間に検知領域ＤＴＡ（Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ ａｒｅａ）、制御回路領域ＣＣＡ（Ｃｏｎｔｒｏｌｌｉｎｇ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ａｒｅａ）、第３ファンアウト領域ＦＡ３、集積回路領域ＩＣがさらに設置されている。少なくとも１つの例では、検知領域ＤＴＡは外部検知装置と接続して画面、曲げ領域ＢＡの断線等を検出するように配置される。少なくとも１つの例では、制御回路領域ＳＣＡは単極双投スイッチ等のセレクターＭＵＸを含み、入力回路と出力回路との間に切り替えることに用いられる。
本開示の実施例によれば、フレキシブル基板を含むフレキシブル表示パネルをさらに提供し、前記フレキシブル基板は、表示領域と、前記表示領域の周囲を取り囲む周辺領域と、前記周辺領域の前記表示領域から離れる側に位置するパッド領域と、前記周辺領域と前記パッド領域との間に位置する曲げ領域と、前記曲げ領域と前記パッド領域との間に位置し且つ前記曲げ領域と隣接するファンアウト領域と、を含む。該フレキシブル表示パネルは前記フレキシブル基板上に設置される有機絶縁層をさらに含み、前記曲げ領域と前記パッド領域との間の前記有機絶縁層には、前記フレキシブル基板での正投影が前記ファンアウト領域と部分的に重なる凹溝が設置されている。
本実施例の凹溝の構造及び設置方式は上記実施例における第２凹溝についての説明を参照でき、ファンアウト領域の設置方式は上記実施例における第２ファンアウト領域についての説明を参照でき、表示領域、周辺領域、パッド領域、曲げ領域、バリア、有機絶縁層等を含む他の用語は上記実施例における同じ用語についての説明を参照でき、ここで詳しい説明を省略する。上記フレキシブル表示パネルには、曲げ領域とパッド領域との間の有機絶縁層に凹溝が設置され、凹溝の前記フレキシブル基板での正投影は前記ファンアウト領域と部分的に重なる。このように、曲げ応力の解放を容易にし、曲げ領域の破断を防止する。
本開示の実施例によれば、フレキシブル基板を含むフレキシブル表示パネルをさらに提供し、前記フレキシブル基板は、表示領域と、前記表示領域の周囲を取り囲む周辺領域と、前記周辺領域の前記表示領域から離れる側に位置するパッド領域と、前記周辺領域と前記パッド領域との間に位置し、曲げ軸に沿って曲がるように配置される曲げ領域と、を含む。該フレキシブル表示パネルは、前記フレキシブル基板上に設置される有機絶縁層をさらに含み、前記曲げ領域内の前記有機絶縁層には、前記曲げ軸に垂直な方向に沿って延伸する少なくとも１つの凹溝が設置される。
本実施例の少なくとも１つの凹溝構造及び設置方式は上記実施例における第３凹溝及び／又は第４凹溝についての説明を参照でき、表示領域、周辺領域、パッド領域、曲げ領域、バリア、有機絶縁層等を含む他の用語は上記実施例における同じ用語についての説明を参照でき、ここで詳しい説明を省略する。上記フレキシブル表示パネルには、曲げ領域内の有機絶縁層に前記曲げ軸に垂直な方向に沿って延伸する少なくとも１つの凹溝が設置される。このように、曲げ応力の解放を容易にし、曲げ領域の破断を防止する。
本開示の実施例によれば、上記いずれかの実施例のフレキシブル表示パネルを含むフレキシブル表示装置をさらに提供する。
本開示の実施例によれば、フレキシブル表示パネルの製造方法をさらに提供し、フレキシブル基板を提供するステップであって、フレキシブル基板は、表示領域と、表示領域の周囲を取り囲む周辺領域と、周辺領域の表示領域から離れる側に位置するパッド領域と、周辺領域とパッド領域との間に位置し、曲げ軸に沿って曲がるように配置され、第１エッジを含む曲げ領域と、を含み、周辺領域は、曲げ領域とパッド領域との間に位置する周辺遷移領域を含む、ステップを含み、上記方法は、フレキシブル基板上に、周辺領域に位置し且つ表示領域の周囲を取り囲むバリアを形成するステップと、フレキシブル基板上に有機絶縁層を形成するステップと、周辺遷移領域内の有機絶縁層に第１凹溝を形成するステップであって、第１凹溝はバリアの表示領域から離れる側に位置し、曲げ軸と平行である方向に沿って延伸し、第１凹溝は第１エッジの表示領域に近い側に位置する、ステップと、をさらに含み、第１凹溝は有機絶縁層に対してツートンマスクでパターン化プロセスを行うことにより形成される。
上記フレキシブル表示パネルの製造方法において、周辺遷移領域内の有機絶縁層に第１凹溝を形成し、且つ前記第１凹溝は、前記バリアの前記表示領域から離れる側に位置し、前記曲げ軸と略平行である方向に沿って延伸し、特に、第１凹溝を曲げ領域の第１エッジの前記表示領域に近い側に位置させる。このように、曲げ応力の解放を容易にし、曲げ領域の破断を防止する。
少なくともいくつかの実施例では、有機絶縁層は、第１平坦化層及び第２平坦化層を含み、第１凹溝は第１平坦化層及び第２平坦化層を貫通するように形成される。
有機絶縁層に第１凹溝を形成する方法は複数あってもよく、フォトエッチングプロセス、スパッタリング、蒸着のような物理的方法を含み、スピンコーティングのような化学的方法も含む。それらの方法において、好ましくは、フォトエッチングプロセスを用い、フォトエッチングプロセスにより形成される第１凹溝の側壁は弧状又は略弧状の傾斜面を有するためであり、このように、さらに曲げ応力の分散に有利である。
図１９Ａ～図１９Ｄは本開示の実施例に係る第１凹溝を形成する各ステップの模式図である。少なくとも１つの例では、周辺遷移領域内の有機絶縁層に第１凹溝を形成するステップは以下を含む。
例えば、図１９Ａに示すように、第１バリア層ＢＲＬ１、バッファ層ＢＦＬ、第１ゲート絶縁層ＧＩ１、第２ゲート絶縁層ＧＩ２、層間絶縁層ＩＬＤが形成されるフレキシブル基板ＳＵＢ上に第１平坦なフィルム１６０を形成する。
例えば、図１９Ｂに示すように、第１平坦なフィルム１６０をパターン化して第１平坦化パターン１０６を形成し、凹溝を形成しようとする領域に対応して、該第１平坦化パターンは第１開口部３０６を有する。次に、第１平坦化パターン１０６のフレキシブル基板ＳＵＢから離れる側に、第１平坦化パターン１０６を被覆する第２平坦化フィルム１７０を形成し、その後、第２平坦化フィルム１７０上にフォトレジスト１８０を堆積する。
マスクＭでフォトレジスト１８０を露光する。例えば、マスクＭはグレーマスク又はハーフトーンマスクである。図１９Ｂに示すように、例えば、マスクＭは完全に透明な領域Ｍ１と、部分的に透明な領域Ｍ２と、不透明な領域Ｍ３とを含む。フォトレジスト１８０は、例えば、ポジ型フォトレジストである。部分的に透明な領域Ｍ２の光透過率は完全に透明な領域Ｍ１の光透過率未満である。このように、露光過程において、完全に透明な領域Ｍ１に対応するフォトレジスト１８０の部分は完全に露光され、部分的に透明な領域Ｍ２に対応するフォトレジスト１８０の部分は部分的に露光され、不透明な領域Ｍ３に対応するフォトレジスト１８０の部分は露光されていない。
次に、図１９Ｃに示すように、フォトレジスト１８０を現像して、フォトレジストパターン１８０’を得る。該フォトレジストパターン１８０’は、不透明な領域Ｍ３に対応する完全除去領域と、部分的に透明な領域Ｍ２に対応する部分保持領域と、完全に透明な領域Ｍ１に対応する完全保持領域とを含む。
その後、このフォトレジストパターン１８０’を利用して第２平坦化フィルム１７０をエッチングする。例えば、第２平坦化フィルム１７０の完全除去領域に対応する部分を完全にエッチングし、次に、フォトレジストパターン１８０’に対してアッシングプロセスを行うことにより、完全保持領域内のフォトレジストを薄くし且つ部分保持領域内のフォトレジストを全て除去し、その後、第２平坦化フィルム１７０の部分保持領域に対応する部分をエッチングし、最後に残りのフォトレジストを剥離する。最終的に、図１９Ｄに示される第２平坦化層を得る。図１９Ｄから分かるように、第１凹溝３は第１平坦化パターン１０６及び第２平坦化パターン１０７を貫通し、且つ第１凹溝３の側壁は円弧状の傾斜面を有し、このように、側壁は第２平坦化パターンの上面から第１凹溝３の底部にできるだけスムーズに遷移でき、曲げ応力の分散を容易にし、且つ凹溝による段差を減少させることができる。
上記パターン化プロセスでは、ネガ型フォトレジストを用いてもよく、その場合、用いられるマスクは、例えば、上記マスクＭとパターン上で補完するマスクである。本開示の実施例の製造方法では、フレキシブル基板ＳＵＢ、第１バリア層ＢＲＬ１、バッファ層ＢＦＬ、第１ゲート絶縁層ＧＩ１、第２ゲート絶縁層ＧＩ２、層間絶縁層ＩＬＤ、有機絶縁層ＯＩＬ、第１平坦化層ＰＬＮ１、第２平坦化層ＰＬＮ２（第２平坦化フィルムを含む）等の各層の具体的な材料、及び第１凹溝、第２凹溝、第３凹溝、第４凹溝の設置方式は上記実施例における説明を参照でき、ここで詳しい説明を省略する。
少なくともいくつかの実施例では、有機絶縁層は第１平坦化層のみで構成され、この時、第１凹溝は第１平坦化層のみを貫通するように形成される。この場合、第１平坦化層に第１凹溝を形成する具体的な方法は第２平坦化層に第１凹溝を形成する上記ステップを参照でき、ここで詳しい説明を省略する。
少なくともいくつかの実施例では、上記製造方法は、パッド遷移領域の有機絶縁層に第２凹溝を形成するステップをさらに含む。第２凹溝も有機絶縁層に対してツートンマスクでパターン化プロセスを行うことにより形成されてもよい。さらに、少なくとも１つの例では、第１凹溝及び第２凹溝は同一プロセスで、同一ツートンマスクで形成され、このように、製造ステップを簡略化させることができる。理解できるように、第２凹溝を形成する方法は上記実施例における第１凹溝を形成する方法を参照でき、ここで詳しい説明を省略する。
少なくともいくつかの実施例では、上記製造方法は、曲げ領域に第３凹溝及び第４凹溝を形成するステップをさらに含み、第３凹溝、第４凹溝を形成する方法は同様に上記実施例における第１凹溝を形成する方法を参照でき、ここで詳しい説明を省略する。
少なくともいくつかの実施例では、上記製造方法は、曲げ領域に第３凹溝及び第４凹溝を形成するステップをさらに含み、第３凹溝、第４凹溝を形成する方法は同様に上記実施例における第１凹溝を形成する方法を参照でき、ここで詳しい説明を省略する。
少なくともいくつかの実施例では、第１凹溝を形成する上記方法によって、さらに上記実施例に係る第２平坦化層の第２バリアパターンを形成することができ、第２平坦化層の側表面が第１凹溝の側壁と同じ構造を有し、ここで詳しい説明を省略する。
本明細では、以下の点を説明する必要がある。
（１）本開示の実施例の図面は本開示の実施例に係る構造のみに関し、他の構造は通常の設計を参照すればよい。
（２）明確のために、本開示の実施例を説明するための図面において、層又は領域の厚さは拡大又は縮小され、すなわち、それらの図面は実際の縮尺関係で作成されていない。
（３）矛盾しない場合、本開示の実施例及び実施例の特徴を互いに組み合わせて、新しい実施例を得ることができる。
以上は、本開示の例示的な実施形態に過ぎず、本開示の保護範囲を制限するためのものではなく、本開示の保護範囲は特許請求の範囲により決められる。

Claims (28)

  1. フレキシブル表示パネルであって、
    表示領域、
    前記表示領域の周囲を取り囲む周辺領域、
    前記周辺領域の前記表示領域から離れる側に位置するパッド領域、及び
    前記周辺領域と前記パッド領域との間に位置し、曲げ軸に沿って曲がるように配置され、前記曲げ軸と略平行である方向に沿って延伸する第１エッジを含む曲げ領域を含むフレキシブル基板と、
    前記フレキシブル基板上に設置され、前記周辺領域に位置し且つ前記表示領域の周囲を取り囲むバリアと、
    前記フレキシブル基板上に設置される有機絶縁層と、を含み、
    前記周辺領域は、前記曲げ領域と前記表示領域との間に位置する周辺遷移領域を含み、
    前記周辺遷移領域内の前記有機絶縁層に第１凹溝が設置され、前記第１凹溝は前記バリアの前記表示領域から離れる側に位置し且つ前記曲げ軸と略平行である方向に沿って延伸し、前記第１凹溝は前記第１エッジの前記表示領域に近い側に位置し、
    前記表示領域に近い側の前記第１凹溝のエッジと、前記表示領域から離れる側のエッジとが、両方とも前記曲げ領域の前記第１エッジの同じ側に位置し、前記第１凹溝の２つのエッジは、いずれも前記曲げ軸と略平行である方向に沿って延伸し、
    前記曲げ領域内の前記有機絶縁層には、前記曲げ軸に垂直な方向に沿って延伸する第３凹溝及び第４凹溝がさらに設置されているフレキシブル表示パネル。
  2. 前記周辺遷移領域は第１ファンアウト領域を含み、前記第１凹溝の前記フレキシブル基板での正投影は前記第１ファンアウト領域と部分的に重なる請求項１に記載のフレキシブル表示パネル。
  3. 前記フレキシブル基板は、
    前記曲げ領域と前記パッド領域との間に位置し且つ前記曲げ領域と隣接する第２ファンアウト領域をさらに含み、
    前記曲げ領域と前記パッド領域との間の前記有機絶縁層には、前記フレキシブル基板での正投影が前記第２ファンアウト領域と部分的に重なる第２凹溝がさらに設置されている請求項２に記載のフレキシブル表示パネル。
  4. 前記曲げ領域は、前記第１エッジと対向して設置され、前記第１エッジの延伸方向と同じであり、前記曲げ軸と略平行である方向に沿って延伸する第２エッジをさらに含み、前記第２凹溝は、前記第２エッジの前記パッド領域に近い側に位置し、前記曲げ軸と略平行である方向に沿って延伸する請求項３に記載のフレキシブル表示パネル。
  5. 前記第３凹溝及び前記第４凹溝のそれぞれは第１端部及び第２端部を含み、前記第３凹溝及び前記第４凹溝は前記曲げ領域を横切って延伸し、前記第３凹溝の第１端部及び前記第４凹溝の第１端部はそれぞれ前記第１凹溝の対向する両端と接続され、前記第３凹溝の第２端部及び第４凹溝の第２端部はそれぞれ前記第２凹溝の対向する両端と接続される請求項４に記載のフレキシブル表示パネル。
  6. 前記フレキシブル表示パネルは、
    前記フレキシブル基板上に設置され、前記表示領域から引き出され、少なくとも一部が前記曲げ軸に垂直な方向に沿って前記第１ファンアウト領域及び前記曲げ領域を通過して前記パッド領域に延伸する信号線をさらに含み、
    前記第１凹溝、前記第２凹溝、前記第３凹溝及び前記第４凹溝のそれぞれの前記フレキシブル基板での正投影と前記信号線の前記フレキシブル基板での正投影との間には重なる領域がなく、
    前記第１凹溝及び前記第２凹溝のそれぞれは前記信号線と交差する交差位置で切断され、前記第１凹溝は前記交差位置で第１間隔を有し、前記第２凹溝は前記交差位置で第２間隔を有し、前記信号線は延伸して前記第１間隔及び前記第２間隔を貫通する請求項５に記載のフレキシブル表示パネル。
  7. 前記信号線は複数の信号線を含み、前記第３凹溝及び前記第４凹溝のそれぞれは、複数の前記信号線のうち前記第２ファンアウト領域から最も遠い信号線と前記フレキシブル基板のエッジとの間に位置する請求項６に記載のフレキシブル表示パネル。
  8. 前記フレキシブル表示パネルは、
    前記表示領域に位置し、前記表示領域でのタッチの発生を検出するように配置されるタッチ電極をさらに含み、
    前記信号線は、
    前記表示領域内の前記タッチ電極と電気的に接続されるように配置されるタッチ信号線を含み、
    前記タッチ信号線は、前記曲げ領域に位置する第１タッチ部分と、前記曲げ領域外に位置する第２タッチ部分とを含み、前記タッチ信号線の前記第１タッチ部分と前記タッチ信号線の前記第２タッチ部分とは異なる膜層に位置する請求項６又は７に記載のフレキシブル表示パネル。
  9. 前記表示領域は複数の画素領域を含み、各前記画素領域に有機発光素子が設けられ、前記信号線は、
    前記有機発光素子と電気的に接続されるように配置される共通信号線をさらに含み、
    前記共通信号線は、前記曲げ領域内に位置する第１共通部分と、前記曲げ領域外に位置する第２共通部分とを含み、前記共通信号線の前記第１共通部分と前記共通信号線の前記第２共通部分とは異なる膜層に位置し、
    前記共通信号線の前記第１共通部分の前記フレキシブル基板での正投影と前記タッチ信号線の第１タッチ部分の前記フレキシブル基板での正投影との間には重なる領域がなく、
    前記共通信号線の前記第２共通部分の前記フレキシブル基板での正投影と前記タッチ信号線の第２タッチ部分の前記フレキシブル基板での正投影との間には重なる領域がある請求項８に記載のフレキシブル表示パネル。
  10. 各前記画素領域に画素回路がさらに設けられ、前記信号線は、
    前記共通信号線の前記第２ファンアウト領域から近い側に位置し、前記画素回路と電気的に接続されるように配置される駆動信号線をさらに含み、
    前記駆動信号線は、前記曲げ領域内に位置する第１駆動部分と、前記曲げ領域外に位置する第２駆動部分とを含み、前記駆動信号線の前記第１駆動部分と前記駆動信号線の前記第２駆動部分とは異なる膜層に位置する請求項９に記載のフレキシブル表示パネル。
  11. 前記フレキシブル表示パネルは、
    前記フレキシブル基板上に設置される第１ゲート電極層と、
    前記第１ゲート電極層の前記フレキシブル基板から近い側に設置される第１ゲート絶縁層と、
    前記第１ゲート絶縁層の前記フレキシブル基板から離れる側に設置される第２ゲート電極層と、をさらに含み、
    前記第１凹溝は、前記第２ゲート電極層の前記フレキシブル基板から離れる側に位置する請求項１０に記載のフレキシブル表示パネル。
  12. 前記有機絶縁層は、
    前記第２ゲート電極層の前記フレキシブル基板から離れる側に設置される第１平坦化層と、
    前記第１平坦化層の前記フレキシブル基板から離れる側に設置される第２平坦化層と、
    を含み、
    前記第１凹溝は前記第１平坦化層及び前記第２平坦化層を貫通し、前記第１凹溝は前記第１平坦化層を被覆する前記第２平坦化層の側壁を含む請求項１１に記載のフレキシブル表示パネル。
  13. 前記第１凹溝は、前記第２平坦化層に形成され、前記側壁の接線と前記フレキシブル基板との間の夾角は約２０度～４０度である請求項１２に記載のフレキシブル表示パネル。
  14. 前記側壁は円弧状の傾斜面を有し、前記円弧状の傾斜面は前記第１凹溝の周縁に位置する前記第２平坦化層の上面と接続され、且つ前記円弧状の傾斜面は該上面と接続部で相接する請求項１２又は１３に記載のフレキシブル表示パネル。
  15. 前記第１凹溝の延伸方向に垂直する平面内に、前記側壁は、それぞれが円弧状の傾斜面を有する複数の側部を含み、複数の前記円弧状の傾斜面は互いに接続して前記側壁を形成する請求項１２～１４のいずれか１項に記載のフレキシブル表示パネル。
  16. 前記フレキシブル表示パネルは、
    前記第１ゲート電極層上に設置される第２ゲート絶縁層と、
    前記第２ゲート絶縁層と前記第１平坦化層との間に設置される第１ソースドレイン導電層と、
    第１平坦化層と前記第２平坦化層との間に設置される第２ソースドレイン導電層と、
    前記第２平坦化層の前記フレキシブル基板から離れる側に設置される第１タッチ導電層と、
    前記第１タッチ導電層の前記フレキシブル基板から離れる側に設置される第２タッチ導電層と、
    前記第１タッチ導電層と前記第２タッチ導電層との間に設置されるタッチ絶縁層と、をさらに含み、
    タッチ信号線の第１部分は前記第２ソースドレイン導電層を含み、前記タッチ信号線の第２部分は前記第１タッチ導電層と、前記第２タッチ導電層とを含む請求項１２に記載のフレキシブル表示パネル。
  17. 前記タッチ信号線の前記第２部分の前記第２タッチ導電層は、前記第２平坦化層の開口部を介し、前記タッチ信号線の前記第１部分の前記第２ソースドレイン導電層と接する請求項１６に記載のフレキシブル表示パネル。
  18. 共通信号線の第１共通部分は前記第２ソースドレイン導電層を含み、前記共通信号線の第２共通部分は前記第１ソースドレイン導電層を含む請求項１７に記載のフレキシブル表示パネル。
  19. 駆動信号線の第１駆動部分は前記第２ソースドレイン導電層を含み、前記駆動信号線の第２駆動部分は前記第１ソースドレイン導電層を含む請求項１８に記載のフレキシブル表示パネル。
  20. 前記フレキシブル表示パネルは、
    前記第２平坦化層と第１タッチ導電層との間に位置するカプセル化層と、
    複数の画素領域を定義するように配置され、前記第２平坦化層と前記カプセル化層との間に設置される画素定義層と、をさらに含み、
    前記バリアは、
    前記周辺領域に位置し且つ前記表示領域を取り囲み、前記周辺遷移領域に位置する第１バリア部と前記周辺領域の周辺遷移領域以外の他の領域に設置される第２バリア部とを含む第１バリアと、
    前記周辺領域に位置し且つ前記表示領域を取り囲み、前記第１バリアの前記表示領域から離れる側に位置し、前記周辺遷移領域に位置する第３バリア部と前記周辺領域の周辺遷移領域以外の他の領域に設置される第４バリア部とを含む第２バリアと、を含み、
    前記第１バリア部は前記第２平坦化層と、前記画素定義層とを含み、前記第３バリア部は、前記第１平坦化層と、前記第１平坦化層を被覆する前記第２平坦化層と、前記第２平坦化層を被覆する前記画素定義層と、を含む請求項１６に記載のフレキシブル表示パネル。
  21. 前記フレキシブル表示パネルは、
    前記画素定義層と前記カプセル化層との間に位置するスペーサー層をさらに含み、
    前記第２バリア部は前記第２平坦化層と、前記画素定義層と、前記スペーサー層とを含み、前記第４バリア部は、前記第１平坦化層と、前記第１平坦化層を被覆する前記第２平坦化層と、前記第２平坦化層を被覆する前記画素定義層と、前記スペーサー層とを含む請求項２０に記載のフレキシブル表示パネル。
  22. 前記第１凹溝の前記フレキシブル基板での正投影は前記第１ファンアウト領域と部分的に重なり、前記フレキシブル基板は、
    前記曲げ領域と前記パッド領域との間に位置し且つ前記曲げ領域と隣接する第２ファンアウト領域をさらに含み、
    前記フレキシブル表示パネルは、
    前記表示領域から前記第１ファンアウト領域、前記曲げ領域及び前記第２ファンアウト領域を経て前記パッド領域に到達するデータ接続線を含み、
    前記第１ファンアウト領域及び前記第２ファンアウト領域における前記データ接続線の部分は、前記第１ゲート電極層及び前記第２ゲート電極層を交互に設置することにより構成される請求項１１に記載のフレキシブル表示パネル。
  23. 前記フレキシブル基板は、第２ファンアウト領域と前記パッド領域との間に順に設置される検知領域と、制御回路領域と、第３ファンアウト領域と、集積回路領域とをさらに含む請求項２に記載のフレキシブル表示パネル。
  24. フレキシブル表示パネルであって、
    表示領域、
    前記表示領域の周囲を取り囲む周辺領域、
    前記周辺領域の前記表示領域から離れる側に位置するパッド領域、
    前記周辺領域と前記パッド領域との間に位置し、曲げ軸に沿って曲がるように配置され、前記曲げ軸と略平行である方向に沿って延伸する第１エッジを含む曲げ領域、及び
    前記曲げ領域と前記パッド領域との間に位置し且つ前記曲げ領域と隣接するファンアウト領域を含むフレキシブル基板と、
    前記フレキシブル基板上に設置される有機絶縁層と、を含み、
    前記曲げ領域と前記パッド領域との間の前記有機絶縁層には、前記フレキシブル基板での正投影が前記ファンアウト領域と部分的に重なる第１凹溝が設置され、
    前記表示領域に近い側の前記第１凹溝のエッジと、前記表示領域から離れる側のエッジとが両方とも前記曲げ領域の前記第１エッジの同じ側に位置し、前記第１凹溝の２つのエッジは、いずれも前記曲げ軸と略平行である方向に沿って延伸し、
    前記曲げ領域内の前記有機絶縁層には、前記曲げ軸に垂直な方向に沿って延伸する第３凹溝及び第４凹溝がさらに設置されているフレキシブル表示パネル。
  25. フレキシブル表示パネルであって、
    表示領域、
    前記表示領域の周囲を取り囲む周辺領域、
    前記周辺領域の前記表示領域から離れる側に位置するパッド領域、及び
    前記周辺領域と前記パッド領域との間に位置し、曲げ軸に沿って曲がるように配置される曲げ領域を含むフレキシブル基板と、
    前記フレキシブル基板上に設置される複数の信号線であって、各信号線が、前記表示領域から導出され、少なくとも部分的に前記曲げ軸に垂直な方向に前記パッド領域に向けて延伸する、信号線と、
    前記フレキシブル基板上に設置される有機絶縁層と、を含み、
    前記曲げ領域内の前記有機絶縁層には、前記曲げ軸に垂直な方向に沿って延伸する少なくとも１つの凹溝が設置され、前記フレキシブル基板上の前記少なくとも１つの凹溝の正投影は、前記フレキシブル基板上の前記複数の信号線の正投影と重ならない、フレキシブル表示パネル。
  26. 請求項１に記載のフレキシブル表示パネルを含むフレキシブル表示装置。
  27. フレキシブル表示パネルの製造方法であって、
    フレキシブル基板を提供するステップであって、前記フレキシブル基板は、
    表示領域と、
    前記表示領域の周囲を取り囲む周辺領域と、
    前記周辺領域の前記表示領域から離れる側に位置するパッド領域と、
    前記周辺領域と前記パッド領域との間に位置し、曲げ軸に沿って曲がるように配置され、前記曲げ軸と略平行である方向に沿って延伸する第１エッジを含む曲げ領域と、を含み、前記周辺領域は、前記曲げ領域と前記パッド領域との間に位置する周辺遷移領域を含む、フレキシブル基板を提供するステップと、
    前記フレキシブル基板上に、前記周辺領域に位置し且つ前記表示領域の周囲を取り囲むバリアを形成するステップと、
    前記フレキシブル基板上に有機絶縁層を形成するステップと、
    前記周辺遷移領域内の前記有機絶縁層に第１凹溝を形成するステップであって、前記第１凹溝は、前記バリアの前記表示領域から離れる側に位置し、前記曲げ軸と平行である方向に沿って延伸し、前記第１凹溝は前記第１エッジの前記表示領域に近い側に位置する、
    前記周辺遷移領域内の前記有機絶縁層に第１凹溝を形成するステップと、を含み、
    前記第１凹溝は、前記有機絶縁層に対してツートンマスクでパターン化プロセスを行うことにより形成され、
    前記表示領域に近い側の前記第１凹溝のエッジと、前記表示領域から離れる側のエッジとが、両方とも前記曲げ領域の前記第１エッジの同じ側に位置し、前記第１凹溝の２つのエッジは、いずれも前記曲げ軸と略平行である方向に沿って延伸し、
    前記曲げ領域内の前記有機絶縁層には、前記曲げ軸に垂直な方向に沿って延伸する第３凹溝及び第４凹溝がさらに設置されているフレキシブル表示パネルの製造方法。
  28. 前記フレキシブル基板上に有機絶縁層を形成するステップは、
    前記フレキシブル基板上に第１平坦なフィルムを形成するステップと、
    前記第１平坦なフィルムをパターン化して第１平坦化層を形成するステップと、
    前記第１平坦化層の前記フレキシブル基板から離れる側に、前記第１平坦化層を被覆する第２平坦なフィルムを形成するステップと、
    ツートンマスクで前記第２平坦なフィルムをパターン化して前記第１凹溝を有する第２平坦化層を形成するステップと、を含み、
    前記第１凹溝は、前記周辺領域内の前記第２平坦化層に対してツートンマスクでパターン化プロセスを行うことにより形成され、且つ前記第１凹溝は前記第１平坦化層及び前記第２平坦化層を貫通する請求項２７に記載の方法。
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