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JP7674012B1 - Laser dicing device and method for manufacturing substrate - Google Patents

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JP7674012B1
JP7674012B1 JP2024102122A JP2024102122A JP7674012B1 JP 7674012 B1 JP7674012 B1 JP 7674012B1 JP 2024102122 A JP2024102122 A JP 2024102122A JP 2024102122 A JP2024102122 A JP 2024102122A JP 7674012 B1 JP7674012 B1 JP 7674012B1
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laser
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Abstract

Figure 0007674012000001

【課題】本開示は、所望する溝を有する基板を容易に得ることができるレーザダイシング装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本開示の一態様に係るレーザダイシング装置は、レーザ光を照射することで基板を個片化するための溝を形成するレーザダイシング装置であって、基板を載置するステージと、上記ステージに載置された基板にレーザ光を照射するレーザ光照射部とを備え、上記レーザ光照射部がパルスファイバレーザを含む。
【選択図】図1

Figure 0007674012000001

The present disclosure has an object to provide a laser dicing device that can easily obtain a substrate having a desired groove.
[Solution] A laser dicing apparatus according to one aspect of the present disclosure is a laser dicing apparatus that forms grooves for singulating a substrate by irradiating laser light, and includes a stage on which the substrate is placed and a laser light irradiation unit that irradiates laser light onto the substrate placed on the stage, the laser light irradiation unit including a pulsed fiber laser.
[Selected Figure] Figure 1

Description

本開示は、レーザダイシング装置および基板の製造方法に関する。 This disclosure relates to a laser dicing device and a method for manufacturing a substrate.

半導体デバイスは、半導体デバイス用チップに装着されて様々な製品に搭載されている。ウエハなどの半導体基板を個片化して半導体デバイス用チップを得る技術が知られている(特開2023-091141号公報)。 Semiconductor devices are attached to semiconductor device chips and installed in various products. A technology is known for obtaining semiconductor device chips by dicing semiconductor substrates such as wafers (JP Patent Publication No. 2023-091141).

特開2023-091141号公報JP 2023-091141 A

特許文献1では、ウエハにおける分割予定ラインに沿って、ブレードによる切削加工またはレーザ光の照射によるアブレーション加工で溝を形成し、上記ウエハを分割して半導体デバイス用チップを得ている。ブレードによるウエハの切削加工では、切削によって発生する切粉の洗浄、摩耗したブレードの交換などを要するため、半導体デバイス用チップを効率的に生産できないおそれがある。レーザ光の照射によるウエハのアブレーション加工では、ウエハの洗浄、ブレードの交換などは要しないが、高速で加工すると十分に深い溝を形成できないおそれがあり、また形成された溝にレーザエネルギによるバリが発生し、あるいは熱による黒色化が発生するおそれがある。バリや黒色化の発生を抑制するために、レーザ光の出力を低減するとスリップ(部分的に溝が形成されないこと)が発生するおそれがあり、スリップを抑制するために加工速度(溝を形成する速度)を低減すると溝を形成する効率性が低下するおそれがある。 In Patent Document 1, grooves are formed along the planned dividing lines in the wafer by cutting with a blade or ablation processing by irradiating laser light, and the wafer is divided to obtain chips for semiconductor devices. In cutting the wafer with a blade, it is necessary to clean the chips generated by cutting and replace worn blades, so there is a risk that chips for semiconductor devices cannot be produced efficiently. In ablation processing of the wafer by irradiating laser light, it is not necessary to clean the wafer or replace the blade, but if the processing is performed at high speed, there is a risk that a sufficiently deep groove cannot be formed, and burrs may be generated in the formed groove due to laser energy or blackening may occur due to heat. If the output of the laser light is reduced to suppress the occurrence of burrs or blackening, slippage (partial failure to form grooves) may occur, and if the processing speed (speed at which the grooves are formed) is reduced to suppress slippage, there is a risk that the efficiency of forming the grooves may decrease.

上述のような事情を鑑み、本開示は、所望する溝を有する基板を容易に得ることができるレーザダイシング装置を提供することを目的とする。 In view of the above circumstances, the present disclosure aims to provide a laser dicing device that can easily produce a substrate with the desired grooves.

上記課題を解決するためになされた本開示の一態様に係るレーザダイシング装置は、レーザ光を照射することで基板を個片化するための溝を形成するレーザダイシング装置であって、基板を載置するステージと、上記ステージに載置された基板にレーザ光を照射するレーザ光照射部とを備え、上記レーザ光照射部がパルスファイバレーザを含む。 The laser dicing device according to one aspect of the present disclosure, which has been made to solve the above problems, is a laser dicing device that forms grooves for singulating a substrate by irradiating the substrate with laser light, and includes a stage on which the substrate is placed, and a laser light irradiation unit that irradiates the substrate placed on the stage with laser light, and the laser light irradiation unit includes a pulsed fiber laser.

本開示の一態様に係るレーザダイシング装置は、所望する溝を有する基板を容易に得ることができる。 The laser dicing device according to one aspect of the present disclosure can easily produce a substrate with the desired grooves.

図1は、本開示の一実施形態に係るレーザダイシング装置を示す模式的平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view showing a laser dicing apparatus according to an embodiment of the present disclosure. 図2は、図1のレーザダイシング装置の模式的正面図である。FIG. 2 is a schematic front view of the laser dicing apparatus of FIG. 図3は、図1のレーザダイシング装置が基板に溝を形成する状態を示す模式的平面図である。FIG. 3 is a schematic plan view showing a state in which the laser dicing apparatus of FIG. 1 forms grooves in a substrate. 図4は、図3のレーザダイシング装置の模式的正面図である。FIG. 4 is a schematic front view of the laser dicing apparatus of FIG.

[本開示の実施形態の説明]
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。
[Description of the embodiments of the present disclosure]
First, the embodiments of the present disclosure will be listed and described.

(1)本開示の一態様に係るレーザダイシング装置は、レーザ光を照射することで基板を個片化するための溝を形成するレーザダイシング装置であって、基板を載置するステージと、上記ステージに載置された基板にレーザ光を照射するレーザ光照射部とを備え、上記レーザ光照射部がパルスファイバレーザを含む。 (1) A laser dicing device according to one aspect of the present disclosure is a laser dicing device that forms grooves for singulating a substrate by irradiating the substrate with laser light, and includes a stage for placing the substrate thereon and a laser light irradiating unit that irradiates the substrate placed on the stage with laser light, the laser light irradiating unit including a pulsed fiber laser.

当該レーザダイシング装置は、レーザ光を照射するレーザ光照射部がパルスファイバレーザを含み、このパルスファイバレーザが出射したレーザ光をステージに載置された基板に照射して個片化するための溝を形成する。パルスファイバレーザはエネルギ変換効率が高いため、ピーク強度の大きいレーザ光を照射することができ、上記基板に十分に深い溝を容易に形成できる。また、ピーク強度の大きいレーザ光を短時間で照射するため、上記溝を形成するための上記基板表面の破砕が短時間で行われ、上記溝におけるバリを抑制することができ、上記基板表面での加熱が抑制されるため、形成される上記溝が黒色化することも抑制できる。 In this laser dicing device, the laser light irradiation unit that irradiates the laser light includes a pulsed fiber laser, and the laser light emitted by this pulsed fiber laser is irradiated onto a substrate placed on a stage to form grooves for singulation. Since the pulsed fiber laser has high energy conversion efficiency, it can irradiate laser light with a high peak intensity, and can easily form sufficiently deep grooves in the substrate. In addition, since the laser light with a high peak intensity is irradiated in a short time, the fracture of the substrate surface to form the grooves is performed in a short time, and burrs in the grooves can be suppressed, and since heating of the substrate surface is suppressed, blackening of the formed grooves can also be suppressed.

(2)上記(1)において、上記パルスファイバレーザが出射するレーザ光の平均出力が70W以上であってもよい。上記レーザ光の平均出力が70W以上であることで、加工速度を向上でき、十分な深さの溝を形成することの効率性を向上できる。 (2) In the above (1), the average output of the laser light emitted by the pulsed fiber laser may be 70 W or more. By having the average output of the laser light be 70 W or more, the processing speed can be improved, and the efficiency of forming grooves of sufficient depth can be improved.

(3)上記(1)または上記(2)において、上記パルスファイバレーザが出射するレーザ光のパルス幅が2.0μ秒以下であってもよい。上記レーザ光のパルス幅を2.0μ秒以下とすることで、十分な深さの溝を形成することの確実性をより向上できる。 (3) In the above (1) or (2), the pulse width of the laser light emitted by the pulsed fiber laser may be 2.0 μsec or less. By setting the pulse width of the laser light to 2.0 μsec or less, the reliability of forming a groove of sufficient depth can be further improved.

(4)本開示の一態様に係る基板の製造方法は、個片化するための溝を有する基板の製造方法であって、基板をステージに載置する工程と、上記ステージによって移動している上記基板にレーザ光を照射して深さ30μm以上の溝を形成する工程とを備え、上記レーザ光がパルスファイバレーザから出射されている。 (4) A method for manufacturing a substrate according to one aspect of the present disclosure is a method for manufacturing a substrate having grooves for singulation, comprising the steps of placing the substrate on a stage and irradiating the substrate, which is being moved by the stage, with laser light to form grooves having a depth of 30 μm or more, the laser light being emitted from a pulsed fiber laser.

当該基板は、パルスファイバレーザが出射するレーザ光によって溝が形成されるため、深さが30μm以上の溝を容易にかつ確実に形成することかでき、個片化するために十分な深さの溝を有する基板を容易に得ることができ、かつ上記溝の表面(内面)におけるバリおよび黒色化を容易に抑制できる。 Since the grooves in the substrate are formed by the laser light emitted by the pulsed fiber laser, grooves with a depth of 30 μm or more can be easily and reliably formed, making it easy to obtain a substrate having grooves deep enough for individualization, and easily suppressing burrs and blackening on the surface (inner surface) of the grooves.

(5)本開示の一態様に係るレーザダイシング装置は、レーザ光を照射することで基板に個片化するための溝を形成するレーザダイシング装置であって、複数の基板を収容する基板収容部と、載置された基板の表面と平行な面内で一方向および上記一方向に直交する方向に移動するステージと、上記基板収容部から上記ステージに基板を搬送する搬送部と、上記搬送部が搬送する基板を撮影する撮影部と、上記ステージに載置された基板にレーザ光を照射するレーザ光照射部と、上記ステージの移動を制御する制御部とを備え、上記制御部が、上記撮影部で撮影した画像から上記面内における基板の向きを検出し、検出した上記向きに基づいて上記ステージの移動を制御する。 (5) A laser dicing device according to one aspect of the present disclosure is a laser dicing device that forms grooves in a substrate for singulating by irradiating the substrate with laser light, and includes a substrate accommodation unit that accommodates multiple substrates, a stage that moves in one direction within a plane parallel to the surface of the substrate placed thereon and in a direction perpendicular to the one direction, a transport unit that transports the substrate from the substrate accommodation unit to the stage, an imaging unit that photographs the substrate transported by the transport unit, a laser light irradiation unit that irradiates the substrate placed on the stage with laser light, and a control unit that controls the movement of the stage, and the control unit detects the orientation of the substrate within the plane from an image captured by the imaging unit and controls the movement of the stage based on the detected orientation.

当該レーザダイシング装置は、ステージの移動を制御する制御部が撮影部で撮影した画像から基板の表面と平行な面内における基板の向きを検出し、検出した上記向きに基づいて上記ステージの移動を制御する。当該レーザダイシング装置は、基板の上記向きを修正することなく、上記ステージが上記向きに沿って移動するため、上記基板に所望する向きの溝を効率的に形成できる。 In this laser dicing device, a control unit that controls the movement of the stage detects the orientation of the substrate in a plane parallel to the surface of the substrate from an image captured by the imaging unit, and controls the movement of the stage based on the detected orientation. Since the stage moves along the orientation of the substrate without correcting it, this laser dicing device can efficiently form grooves in the desired orientation on the substrate.

[発明を実施するための形態の詳細]
以下、図面を参照しつつ、本開示の実施の形態を詳説する。なお、図面は実施の形態を例示的に示す図であって、各構成(部材)の形状、大きさ、縮尺、配置などは実際のものと異なることがある。
[Details of the embodiment of the invention]
Hereinafter, embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. Note that the drawings are illustrative of the embodiments, and the shape, size, scale, arrangement, etc. of each component (member) may differ from the actual ones.

<レーザダイシング装置>
図1ないし図4で示すように、当該レーザダイシング装置は、基板を載置するステージ10と、ステージ10に載置された基板にレーザ光Lを照射するレーザ光照射部20とを備える。また、当該レーザダイシング装置は、複数の基板Pを収容する基板収容部と、この基板収容部からステージ10に基板Pを搬送する搬送部40と、搬送部40が搬送する基板Pを撮影する撮影部と、ステージ10の移動を制御する制御部(不図示)とを備える。ステージ10は、載置された基板Pの表面(上面および下面)と平行な面内で一方向(X方向)および上記一方向に直交する方向(Y方向)に移動する。ステージ10、レーザ光照射部20、上記基板収容部、搬送部40、上記撮影部および上記制御部は筐体(不図示)内に収容されている。
<Laser dicing device>
As shown in Fig. 1 to Fig. 4, the laser dicing device includes a stage 10 on which a substrate is placed, and a laser light irradiation unit 20 that irradiates the substrate placed on the stage 10 with laser light L. The laser dicing device also includes a substrate accommodation unit that accommodates a plurality of substrates P, a transport unit 40 that transports the substrate P from the substrate accommodation unit to the stage 10, an imaging unit that photographs the substrate P transported by the transport unit 40, and a control unit (not shown) that controls the movement of the stage 10. The stage 10 moves in one direction (X direction) and in a direction perpendicular to the one direction (Y direction) within a plane parallel to the surface (upper and lower surfaces) of the substrate P placed thereon. The stage 10, the laser light irradiation unit 20, the substrate accommodation unit, the transport unit 40, the imaging unit, and the control unit are housed in a housing (not shown).

<基板>
基板Pの上面(ステージ10に載置される面の反対面)には、個片化(複数の小片に分割)されるための溝P1が当該レーザダイシング装置によって深さ30μm以上で形成される。この基板Pは、基板Pをステージ10に載置する工程と、ステージ10によって移動している基板Pにレーザ光Lを照射して深さ30μm以上の溝P1を形成する工程とを備える製造方法によって得ることができる。レーザ光Lは、パルスファイバレーザから出射されている。基板Pには、上記上面に互いに直交する複数の溝P1が形成される。
<Substrate>
On the top surface of the substrate P (the surface opposite to the surface placed on the stage 10), grooves P1 for singulation (division into a plurality of small pieces) are formed to a depth of 30 μm or more by the laser dicing device. This substrate P can be obtained by a manufacturing method including a step of placing the substrate P on the stage 10 and a step of irradiating the substrate P moving by the stage 10 with laser light L to form grooves P1 to a depth of 30 μm or more. The laser light L is emitted from a pulse fiber laser. A plurality of grooves P1 perpendicular to each other are formed on the top surface of the substrate P.

基板Pとしては、形成された溝で個片化される基板であれば特に限定されるものではなく、例えば、半導体用基板などであってもよい。基板Pの形状としては、略円形状、略矩形状、略楕円形状、あるいは略多角形状などであってもよい。図1ないし図4では半導体用で矩形状の基板Pを示している。個片化された基板Pの端面(分割面)の少なくとも一部は電極として使用される。具体的には、基板Pは、形成された溝P1上に電極材(不図示)が塗布などされて個片化され、または溝P1が形成されて個片化された後に電極材が塗布などされることで端面の一部または全部に電極が形成される。 The substrate P is not particularly limited as long as it is a substrate that is singulated by the formed grooves, and may be, for example, a semiconductor substrate. The shape of the substrate P may be substantially circular, substantially rectangular, substantially elliptical, or substantially polygonal. In Figs. 1 to 4, a rectangular substrate P for semiconductor use is shown. At least a part of the end face (split surface) of the singulated substrate P is used as an electrode. Specifically, the substrate P is singulated by coating an electrode material (not shown) on the formed grooves P1, or by forming the grooves P1 and singulating the substrate P, and then coating an electrode material to form an electrode on a part or all of the end face.

基板Pの材質としては、レーザ光Lの照射によって溝P1が形成可能なものであれば特に限定されるものではなく、例えば、アルミナ(Al)セラミクス、窒化アルミ(AlN)セラミクスなどであってもよい。基板Pの大きさ(外形寸法)としては、当該レーザダイシング装置で加工可能なサイズであれば特に限定されるものではない。 The material of the substrate P is not particularly limited as long as it is capable of forming the grooves P1 by irradiation with the laser light L, and may be, for example, alumina (Al 2 O 3 ) ceramics, aluminum nitride (AlN) ceramics, etc. The size (external dimensions) of the substrate P is not particularly limited as long as it is a size that can be processed by the laser dicing device.

〔基板収容部〕
上記基板収容部は、複数の基板Pを収容する。本実施形態のレーザダイシング装置は、溝P1が形成される前の基板Pを収容する第1基板収容部31と、溝P1が形成された後の基板Pを収容する第2基板収容部32とを有する。
[Substrate accommodating section]
The substrate accommodating section accommodates a plurality of substrates P. The laser dicing apparatus of this embodiment has a first substrate accommodating section 31 that accommodates the substrate P before the grooves P1 are formed, and a second substrate accommodating section 32 that accommodates the substrate P after the grooves P1 are formed.

基板収容部31,32が複数の基板Pを収容する態様としては、特に限定されるものではなく、例えば複数の基板Pを厚み方向に積み重ねてもよい。基板収容部31,32は、当該レーザダイシング装置に脱着可能に構成されてもよいし、脱着不可能に固定されたものであってもよい。当該レーザダイシング装置は、複数の第1基板収容部31と、複数の第2基板収容部32とを備えてもよい。 The manner in which the substrate accommodating sections 31, 32 accommodate multiple substrates P is not particularly limited, and for example, multiple substrates P may be stacked in the thickness direction. The substrate accommodating sections 31, 32 may be configured to be detachable from the laser dicing device, or may be fixed so that they cannot be detached. The laser dicing device may include multiple first substrate accommodating sections 31 and multiple second substrate accommodating sections 32.

〔搬送部〕
搬送部40は、第1基板収容部31が収容している複数の基板Pのうちの一の基板Pを取り出してステージ10に搬送して載置する。また、搬送部40は、溝P1が形成された基板Pをステージ10から第2基板収容部32に搬送する。
[Transportation section]
The transport unit 40 takes out one of the multiple substrates P accommodated in the first substrate accommodating unit 31, transports it to the stage 10, and places it thereon. The transport unit 40 also transports the substrate P with the groove P1 formed therein from the stage 10 to the second substrate accommodating unit 32.

搬送部40が基板Pを保持する手段としては、特に限定されるものではなく、例えば基板Pの上面を吸着保持してもよく、基板Pを厚み方向で把持してもよく、あるいは基板Pの外縁を把持してもよい。本実施形態の搬送部40は、X-Y面内での移動とZ方向(X方向とY方向とに直交する方向)での昇降とが可能に構成され、基板Pの上面を吸着保持してステージ10の上面(基板Pを載置する面)と基板Pの表面とが平行になるように搬送する。 The means by which the transport unit 40 holds the substrate P is not particularly limited, and may, for example, adsorb and hold the top surface of the substrate P, grip the substrate P in the thickness direction, or grip the outer edge of the substrate P. The transport unit 40 of this embodiment is configured to be capable of movement within the XY plane and of rising and lowering in the Z direction (a direction perpendicular to the X and Y directions), and adsorbs and holds the top surface of the substrate P, transporting it so that the top surface of the stage 10 (the surface on which the substrate P is placed) and the surface of the substrate P are parallel.

〔撮影部〕
撮影部は、例えば公知のカメラ50などを含み、搬送部40が搬送する基板Pを撮影する。搬送部40は、第1基板収容部31からステージ10までの間に基板Pが上記撮影部のカメラ50の撮影領域を通過するように搬送する。カメラ50は、搬送されている基板Pの下面を撮影するように配置されるとよい。
[Photography Department]
The photographing section includes, for example, a known camera 50, and photographs the substrate P being transported by the transport section 40. The transport section 40 transports the substrate P so that it passes through an imaging area of the camera 50 of the photographing section between the first substrate accommodation section 31 and the stage 10. The camera 50 is preferably positioned so as to photograph the underside of the substrate P being transported.

カメラ50は、例えば基板Pの下面に形成された2つのマーキングの位置を撮影してもよいし、略矩形状の基板Pであれば、2つの角の位置を撮影し、または一辺を撮影してもよい。このように基板Pを撮影することでステージ10に搬送される基板Pにおける上記平面(X-Y面)の向き(基板Pの厚さ方向視(Z方向視)におけるX方向またはY方向に対する傾き)を確認することができる。 The camera 50 may, for example, photograph the positions of two markings formed on the underside of the substrate P, or, if the substrate P is substantially rectangular, may photograph the positions of two corners or one side. By photographing the substrate P in this way, it is possible to confirm the orientation of the above-mentioned plane (X-Y plane) of the substrate P being transported to the stage 10 (the inclination with respect to the X or Y direction when viewed in the thickness direction of the substrate P (viewed in the Z direction)).

〔ステージ〕
ステージ10は、搬送部40が載置した基板PをX-Y方向に移動させる。ステージ10が基板PをX-Y方向に移動させつつレーザ光照射部20がレーザ光を基板Pに照射することで基板Pの表面に溝P1が形成される。ステージ10としては、特に限定されるものではなく、公知のリニアステージなどであってもよい。ステージ10は、X方向とY方向との2方向に同時に移動可能に構成されている。すなわち、ステージ10は、X-Y面内で任意の方向に移動できる。ステージ10は、X-Y面内で任意の方向に移動することで、レーザ光照射部20が照射するレーザ光Lに対する基板Pの相対位置を調整する。ステージ10が基板Pを保持する手段としては、特に限定されるものではなく、例えば、基板Pの下面を吸着保持してもよい。
〔stage〕
The stage 10 moves the substrate P placed by the transport unit 40 in the XY directions. The stage 10 moves the substrate P in the XY directions while the laser light irradiation unit 20 irradiates the substrate P with laser light, thereby forming a groove P1 on the surface of the substrate P. The stage 10 is not particularly limited, and may be a known linear stage or the like. The stage 10 is configured to be capable of moving simultaneously in two directions, the X direction and the Y direction. That is, the stage 10 can move in any direction within the XY plane. The stage 10 adjusts the relative position of the substrate P with respect to the laser light L irradiated by the laser light irradiation unit 20 by moving in any direction within the XY plane. The means by which the stage 10 holds the substrate P is not particularly limited, and may hold the lower surface of the substrate P by suction, for example.

ステージ10の移動速度(X方向およびY方向の少なくとも一方に溝P1を形成する速度)は、80mm/s以上であるとよい。上記移動速度の下限値としては、100mm/sであってもよく、150mm/sあるいは200mm/sであってもよい。上記移動速度の上限値としては、特に限定されるものではなく、例えば、1000mm/sであってもよく、800mm/sあるいは500mm/sであってもよい。ステージ10の移動速度を上記範囲とすることで、溝P1を効率的に形成できる。 The movement speed of the stage 10 (the speed at which the groove P1 is formed in at least one of the X and Y directions) is preferably 80 mm/s or more. The lower limit of the movement speed may be 100 mm/s, 150 mm/s, or 200 mm/s. The upper limit of the movement speed is not particularly limited and may be, for example, 1000 mm/s, 800 mm/s, or 500 mm/s. By setting the movement speed of the stage 10 within the above range, the groove P1 can be formed efficiently.

〔制御部〕
上記制御部は、上記撮像部が撮影した基板Pの画像を受信して基板Pの向きを検出し、検出した上記向きに基づいてステージ10の移動を制御する。上記制御部は、ステージ10の移動の制御と共に、レーザ光照射部20のレーザ光の照射および上記照射の停止を制御してもよい。
[Control Unit]
The control unit receives the image of the substrate P captured by the imaging unit, detects the orientation of the substrate P, and controls the movement of the stage 10 based on the detected orientation. The control unit may control the irradiation of the laser light from the laser light irradiation unit 20 and the cessation of the irradiation, in addition to controlling the movement of the stage 10.

例えば、基板Pが略矩形状であり、この基板Pの一辺に平行な溝P1(X方向の溝P1)を形成する場合、上記制御部は、上記一辺とX方向とが平行(基板Pに上記傾きがない)と判断すると、レーザ光照射部20にレーザ光を照射させつつ、X方向にのみ基板Pが所定の距離を移動するようにステージ10を移動させる。上記制御部は、上記一辺とX方向とが非平行(基板Pに上記傾きがある)と判断すると、X方向に対する傾きに沿うように(検出した上記向きの方向に)ステージ10をX方向に移動させつつY方向にも移動させて上記一辺に平行な溝P1を形成する。上記一辺に直交する溝P1(Y方向の溝P1)を形成する場合も同様に、上記制御部は、上記一辺とY方向とが直交している(基板Pに上記傾きがない)と判断するとY方向にのみステージ10を移動させ、上記一辺とY方向とが非直交(基板Pに上記傾きがある)と判断するとY方向と同時にX方向にもステージ10を移動させて上記一辺に直交する溝P1を形成する。 For example, if the substrate P is substantially rectangular and a groove P1 (groove P1 in the X direction) parallel to one side of the substrate P is to be formed, the control unit, when determining that the side is parallel to the X direction (the substrate P does not have the above-mentioned inclination), causes the laser light irradiation unit 20 to irradiate the laser light while moving the stage 10 so that the substrate P moves a predetermined distance only in the X direction. If the control unit, when determining that the side is not parallel to the X direction (the substrate P has the above-mentioned inclination), moves the stage 10 in the X direction and also in the Y direction so as to follow the inclination with respect to the X direction (in the direction of the detected orientation) to form a groove P1 parallel to the side. Similarly, when forming a groove P1 (groove P1 in the Y direction) perpendicular to the one side, if the control unit determines that the one side and the Y direction are perpendicular (the substrate P does not have the above-mentioned inclination), it moves the stage 10 only in the Y direction, and if the control unit determines that the one side and the Y direction are not perpendicular (the substrate P has the above-mentioned inclination), it moves the stage 10 in the X direction as well as the Y direction to form a groove P1 perpendicular to the one side.

例えば、基板を載置しているステージが、上記基板の向きを調整(修正)するために、上記基板の表面と平行な面内で回転可能に構成されている場合、上記ステージの重量が増大して移動速度が低減することがある。また、上記基板の向きを調整することでタクト(基板収容部から取り出した基板に対する溝の形成が完了するまでの時間)が増大することがある。当該レーザダイシング装置は、上記制御部が基板Pの向きに沿ってステージ10が移動するように制御し、基板Pの向きを調整する機構(部材)を備えないため、構成を簡略化してコスト低減と加工速度向上とを図ることができ、基板Pの向きを調整しないことで溝P1を形成する効率性を向上してタクトを低減できる。 For example, if the stage on which the substrate is placed is configured to be rotatable in a plane parallel to the surface of the substrate in order to adjust (correct) the orientation of the substrate, the weight of the stage may increase and the movement speed may decrease. Adjusting the orientation of the substrate may also increase the tact time (the time it takes to complete the formation of grooves in the substrate removed from the substrate storage unit). In this laser dicing device, the control unit controls the stage 10 to move along the orientation of the substrate P and does not include a mechanism (member) for adjusting the orientation of the substrate P, so that the configuration can be simplified to reduce costs and improve processing speed, and by not adjusting the orientation of the substrate P, the efficiency of forming the grooves P1 can be improved and the tact time can be reduced.

〔レーザ光照射部〕
レーザ光照射部20は、パルスファイバレーザ(不図示)を含み、ステージ10に載置された基板Pにレーザ光Lを照射する。レーザ光照射部20は、上記パルスファイバレーザを含むレーザ出射部21と、レーザ出射部21から出射されたパルスレーザ光を導光して基板Pに向けて照射する導光部22とを含む。導光部22は、上記パルスレーザ光を基板Pの表面に向けて反射する反射鏡(不図示)、基板Pの表面上での上記パルスレーザ光(レーザ光L)のスポット径を調整するレンズ(不図示)などを含む。
[Laser light irradiation unit]
The laser light irradiation unit 20 includes a pulsed fiber laser (not shown) and irradiates the substrate P placed on the stage 10 with laser light L. The laser light irradiation unit 20 includes a laser emission unit 21 including the pulsed fiber laser, and a light guiding unit 22 that guides the pulsed laser light emitted from the laser emission unit 21 and irradiates it toward the substrate P. The light guiding unit 22 includes a reflecting mirror (not shown) that reflects the pulsed laser light toward the surface of the substrate P, a lens (not shown) that adjusts the spot diameter of the pulsed laser light (laser light L) on the surface of the substrate P, and the like.

基板の表面に連続波のレーザ光を照射すると、上記表面がレーザエネルギの熱によって溶融して溝の表面(レーザ光が照射された箇所の面)が黒色化し易い。この黒色化部分(溶融部分)では、電極材との接合強度が低減するため、この電極材で形成された電極が剥離することがある。上記表面にパルスレーザ光を照射することで、レーザエネルギによる熱溶融が抑制され、形成される溝P1の上記表面の黒色化を抑制でき、電極材との接合強度を十分なものとして上記表面に形成した電極が剥離することを抑制できる。また、パルスレーザ光とすることで、基板Pにおけるレーザエネルギの吸収効率が向上し、上記表面の破砕(掘削)が促進されて、溝P1の幅が増大することを抑制しつつ十分な深さの溝P1を容易に形成できる。また、レーザエネルギの吸収効率が向上することで、上記表面におけるバリの発生(上記表面における最大高さRz)を効果的に抑制でき、上記電極材との接合強度を向上して上記電極が剥離することをより抑制できる。パルスファイバレーザは、光ファイバ内で光を増幅し、かつ光ファイバによる冷却効率が高いため、出射するパルスレーザ光の高出力化が図り易く、レーザ光Lを安定して照射でき、メンテナンス性の向上、長寿命化、低ランニングコスト化などを図ることができる。また、パルスレーザ光のピーク出力を向上しても出射安定性に優れるため、スリップを効果的に抑制でき、狭い幅かつ十分な深を有する溝P1を確実かつ容易に形成できる。 When a continuous wave laser beam is irradiated onto the surface of the substrate, the surface is melted by the heat of the laser energy, and the surface of the groove (the surface where the laser beam is irradiated) is likely to be blackened. In this blackened portion (melted portion), the bonding strength with the electrode material is reduced, and the electrode formed from this electrode material may peel off. By irradiating the surface with a pulsed laser beam, thermal melting due to the laser energy is suppressed, blackening of the surface of the groove P1 formed can be suppressed, and the bonding strength with the electrode material can be sufficient to suppress the electrode formed on the surface from peeling off. In addition, by using a pulsed laser beam, the absorption efficiency of the laser energy in the substrate P is improved, the fracture (drilling) of the surface is promoted, and the groove P1 can be easily formed to a sufficient depth while suppressing the increase in the width of the groove P1. In addition, by improving the absorption efficiency of the laser energy, the generation of burrs on the surface (maximum height Rz on the surface) can be effectively suppressed, and the bonding strength with the electrode material can be improved to further suppress the electrode from peeling off. Pulsed fiber lasers amplify light within the optical fiber, and the optical fiber provides high cooling efficiency, making it easy to increase the output of the pulsed laser light, stably irradiating the laser light L, improving maintainability, extending the life span, and reducing running costs. In addition, even if the peak output of the pulsed laser light is increased, the output stability is excellent, so slippage can be effectively suppressed, and grooves P1 that are narrow and sufficiently deep can be reliably and easily formed.

上記パルスファイバレーザが出射するレーザ光Lの平均出力は70W以上であるとよい。上記平均出力の下限値としては、80Wであってもよく、90Wあるいは100Wであってもよい。上記平均出力の上限値としては、特に限定されるものではなく、300Wであってもよく、250Wあるいは200Wであってもよい。上記平均出力を上記範囲内とすることで十分な深さの溝P1を容易に形成でき、かつ上記端面の黒色化を効果的に抑制できる。 The average output of the laser light L emitted by the pulsed fiber laser is preferably 70 W or more. The lower limit of the average output may be 80 W, 90 W, or 100 W. The upper limit of the average output is not particularly limited and may be 300 W, 250 W, or 200 W. By keeping the average output within the above range, a groove P1 of sufficient depth can be easily formed and blackening of the end surface can be effectively suppressed.

レーザ光Lのピーク出力は7kW以上であるとよい。上記ピーク出力の下限値としては、8kWであってもよく、9kWあるいは10kWであってもよい。上記ピーク出力の上限値としては、特に限定されるものではなく、20kWであってもよく、18kWあるいは15kWであってもよい。 The peak output of the laser light L is preferably 7 kW or more. The lower limit of the peak output may be 8 kW, 9 kW, or 10 kW. The upper limit of the peak output is not particularly limited and may be 20 kW, 18 kW, or 15 kW.

上記パルスファイバレーザのレーザ光Lは、マイクロ秒(μs)パルスで出射されるものであってもよく、ナノ秒(ns)パルスで出射されるものであってもよく、ピコ秒(ps)パルスあるいはフェムト秒(fs)パルスで出射されるものであってもよい。具体的には、上記パルスファイバレーザが出射するレーザ光Lのパルス幅は2.0μs以下であるとよい。上記パルス幅の上限値としては、1.5μsであってもよく、1.0μsあるいは0.5μsであってもよい。上記パルス幅の下限値としては、特に限定されるものではなく、10fsであってもよく、10psあるいは10nsであってもよい。上記パルス幅を上記範囲内とすることで十分な深さの溝P1をより容易に形成でき、かつ上記表面の黒色化をより効果的に抑制できる。 The laser light L of the pulsed fiber laser may be emitted in microsecond (μs) pulses, nanosecond (ns) pulses, picosecond (ps) pulses, or femtosecond (fs) pulses. Specifically, the pulse width of the laser light L emitted by the pulsed fiber laser may be 2.0 μs or less. The upper limit of the pulse width may be 1.5 μs, 1.0 μs, or 0.5 μs. The lower limit of the pulse width is not particularly limited and may be 10 fs, 10 ps, or 10 ns. By setting the pulse width within the above range, a groove P1 of sufficient depth can be more easily formed, and blackening of the surface can be more effectively suppressed.

上記パルスファイバレーザが出射するレーザ光Lの繰り返し周波数としては、特に限定されるものではなく、上記パルスファイバレーザのレーザ光Lの出力、パルス幅、基板の材質などに応じて選択してもよい。例えば、上記繰り返し周波数の下限値としては、50kHzであってもよく、70kHzあるいは80kHzであってもよい。上記繰り返し周波数の上限値としては、特に限定されるものではなく、500kHzであってもよく、300kHzあるいは250kHzであってもよい。上記繰り返し周波数を上記範囲とすることで十分な深さの溝P1をさらに容易に形成でき、かつ上記表面の黒色化をさらに効果的に抑制できる。 The repetition frequency of the laser light L emitted by the pulsed fiber laser is not particularly limited, and may be selected according to the output of the laser light L of the pulsed fiber laser, the pulse width, the material of the substrate, and the like. For example, the lower limit of the repetition frequency may be 50 kHz, 70 kHz, or 80 kHz. The upper limit of the repetition frequency is not particularly limited, and may be 500 kHz, 300 kHz, or 250 kHz. By setting the repetition frequency within the above range, a groove P1 of sufficient depth can be formed more easily, and blackening of the surface can be more effectively suppressed.

上記パルスファイバレーザが出射するレーザ光Lの波長としては、特に限定されるものではなく、基板の材質などに応じて選択してもよく、例えば、1059nm以上1065nm以下としてもよい。 The wavelength of the laser light L emitted by the pulsed fiber laser is not particularly limited and may be selected depending on the material of the substrate, for example, 1059 nm or more and 1065 nm or less.

ステージ10に載置された基板Pの上面(レーザ光Lの照射面)におけるレーザ光Lのスポット径の上限値としては、10μmであってもよく、8μmあるいは7μmであってもよい。上記スポット径の下限値としては、特に限定されるものではなく、1μmであってもよく、2μmであってもよい。上記スポット径を上記範囲とすることで基板Pの上記照射面におけるレーザエネルギの吸収効率を高めることができ、幅が増大することを抑制しつつ十分な深さの溝P1を形成できる。 The upper limit of the spot diameter of the laser light L on the upper surface (irradiation surface of the laser light L) of the substrate P placed on the stage 10 may be 10 μm, 8 μm, or 7 μm. The lower limit of the spot diameter is not particularly limited and may be 1 μm or 2 μm. By setting the spot diameter within the above range, the absorption efficiency of the laser energy on the irradiation surface of the substrate P can be increased, and a groove P1 of sufficient depth can be formed while suppressing an increase in width.

基板Pの表面における溝P1の幅の上限値としては、40μmが好ましく、35μmがより好ましく、30μmがさらに好ましい。溝P1の幅の下限値としては、特に限定されるものではなく、例えば、5μmであってもよく、10μmであってもよい。溝P1の幅を上記範囲とすることで、基板Pを個片化する容易性を向上しつつ、基板Pの損失(個片化した基板として使用できない部分)を低減できる。 The upper limit of the width of the groove P1 on the surface of the substrate P is preferably 40 μm, more preferably 35 μm, and even more preferably 30 μm. The lower limit of the width of the groove P1 is not particularly limited and may be, for example, 5 μm or 10 μm. By setting the width of the groove P1 within the above range, it is possible to improve the ease of singulating the substrate P while reducing loss of the substrate P (portions that cannot be used as singulated substrates).

当該レーザダイシング装置が基板Pに形成する溝P1の深さは30μm以上であることが好ましい。溝P1の深さの下限値としては、35μmであってもよく、40μmであってもよく、45μmあるいは50μmであってもよい。溝P1の深さの上限値としては、特に限定されるものではなく、200μmであってもよく、180μmあるいは150μmであってもよい。溝P1の深さを上記範囲とすることで、基板Pをより容易に個片化できる。 The depth of the grooves P1 formed in the substrate P by the laser dicing device is preferably 30 μm or more. The lower limit of the depth of the grooves P1 may be 35 μm, 40 μm, 45 μm, or 50 μm. The upper limit of the depth of the grooves P1 is not particularly limited and may be 200 μm, 180 μm, or 150 μm. By setting the depth of the grooves P1 within the above range, the substrate P can be more easily singulated.

当該レーザダイシング装置が形成した溝P1の内面(レーザ光Lが照射された面)における最大高さRzは18μm以下であることが好ましい。上記最大高さRzの上限値としては、15μmであってもよく、12μmあるいは10μmであってもよい。上記最大高さRzの下限値としては、特に限定されるものではなく、2μmであってもよく、3μmあるいは5μmであってもよい。溝P1における内面の最大高さRzを上記範囲とすることで、例えば上記表面に形成した電極の剥離を効果的に抑制できる。なお、最大高さRzとは、JIS B0601:2013に準拠して測定される値を意味する。 The maximum height Rz of the inner surface of the groove P1 formed by the laser dicing device (surface irradiated with the laser light L) is preferably 18 μm or less. The upper limit of the maximum height Rz may be 15 μm, 12 μm, or 10 μm. The lower limit of the maximum height Rz is not particularly limited and may be 2 μm, 3 μm, or 5 μm. By setting the maximum height Rz of the inner surface of the groove P1 within the above range, peeling of the electrode formed on the surface, for example, can be effectively suppressed. Note that the maximum height Rz means a value measured in accordance with JIS B0601:2013.

[その他の実施形態]
上記実施形態は、本発明の構成を限定するものではない。従って、上記実施形態は、本明細書の記載および技術常識に基づいて上記実施形態各部の構成要素の省略、置換または追加が可能であり、それらは全て本発明の範囲に属するものと解釈されるべきである。
[Other embodiments]
The above-mentioned embodiment does not limit the configuration of the present invention. Therefore, the above-mentioned embodiment may omit, replace or add components of each part of the above-mentioned embodiment based on the description in this specification and common technical knowledge, and it should be understood that all of these are within the scope of the present invention.

以下、実施例により本開示をさらに説明するが、本開示はこの実施例に限定されるものではない。 The present disclosure will be further explained below with reference to examples, but the present disclosure is not limited to these examples.

平均出力が20Wのパルスファイバレーザ(TRUMPF Laser UK社製 TruPulse 1002 nano)と、平均出力が100Wのパルスファイバレーザ(TRUMPF Laser UK社製 TruPulse 1010 nano)とを用いてアルミナセラミクス基板の表面に溝を形成した。レーザ光は、いずれもパルス幅200ns、波長1064μm、スポット径5μmとした。その結果を表1に示す。なお、表1中の「出力[W]」とは、パルスファイバレーザにおける出射口の平均出力値を示し、「電流値[%]」とは、レーザ発振器内部の出力調整用パラメータを示す。 A pulsed fiber laser with an average output of 20 W (TruPulse 1002 nano, manufactured by TRUMPF Laser UK) and a pulsed fiber laser with an average output of 100 W (TruPulse 1010 nano, manufactured by TRUMPF Laser UK) were used to form grooves on the surface of an alumina ceramic substrate. The laser light had a pulse width of 200 ns, a wavelength of 1064 μm, and a spot diameter of 5 μm. The results are shown in Table 1. In Table 1, "output [W]" refers to the average output value of the output port of the pulsed fiber laser, and "current value [%]" refers to the output adjustment parameter inside the laser oscillator.

Figure 0007674012000002
Figure 0007674012000002

平均出力が100Wのパルスファイバレーザ(試験例1ないし試験例3)では、加工速度(基板表面におけるレーザ光の移動速度)を200mm/sとしても深さが40μm以上の溝を形成することができ、加工速度を150mm/s以下とすることで深さが50μm以上の溝を形成することができた。また、試験例1ないし試験例3では、溝の深さを十分に深くしつつ幅は25μm以下と狭く形成することができ、スリップは確認できなかった。上記溝における内面の最大高さRzはいずれも10μm以下であり、黒色化は確認できなかった。平均出力が20Wのパルスファイバレーザ(試験例4ないし試験例6)では、加工速度を70mm/s以下にしないと深さが40μm以上の溝を形成できなかった。加工速度を70mm/sとした試験例4では、溝の深さを40μm以上にできたが、幅は25μm以下にできなかった。 With a pulsed fiber laser with an average output of 100 W (Test Examples 1 to 3), a groove with a depth of 40 μm or more could be formed even with a processing speed (movement speed of the laser light on the substrate surface) of 200 mm/s, and a groove with a depth of 50 μm or more could be formed by setting the processing speed to 150 mm/s or less. In addition, in Test Examples 1 to 3, the grooves could be formed with a sufficiently deep depth and a narrow width of 25 μm or less, and no slippage was observed. The maximum height Rz of the inner surface of the above grooves was 10 μm or less in all cases, and no blackening was observed. With a pulsed fiber laser with an average output of 20 W (Test Examples 4 to 6), a groove with a depth of 40 μm or more could not be formed unless the processing speed was 70 mm/s or less. In Test Example 4, where the processing speed was 70 mm/s, the grooves could be formed with a depth of 40 μm or more, but the width could not be made 25 μm or less.

本開示の一態様に係るレーザダイシング装置は、基板表面に効率的に溝を形成できるため、半導体チップの製造設備などに好適に用いられる。 The laser dicing device according to one aspect of the present disclosure can efficiently form grooves on the surface of a substrate, making it suitable for use in semiconductor chip manufacturing equipment, etc.

10 ステージ
20 レーザ光照射部
21 レーザ出射部
22 導光部
31 第1基板収容部
32 第2基板収容部
40 搬送部
50 撮影部
L レーザ光
P 基板
P1 溝

REFERENCE SIGNS LIST 10 stage 20 laser light irradiation section 21 laser emission section 22 light guide section 31 first substrate housing section 32 second substrate housing section 40 transport section 50 imaging section L laser light P substrate P1 groove

Claims (4)

レーザ光を照射することで基板を個片化するための溝を形成するレーザダイシング装置であって、
複数の基板を収容する基板収容部と、
上記基板を載置するステージと、
上記基板収容部から上記ステージに基板を搬送する搬送部と、
上記搬送部が搬送している基板を撮影する撮影部と、
上記ステージに載置された基板にレーザ光を照射するレーザ光照射部と、
上記基板が載置されたステージを、上記基板の表面と平行な面内における向きを維持しつつ上記溝の形成方向に沿って移動させる制御部と
を備え、
上記基板がアルミナセラミクスまたは窒化アルミセラミクスで形成され、
上記レーザ光照射部がパルスファイバレーザを含み、
上記制御部が、上記撮影部で撮影した画像から上記面内における基板の向きを検出し、検出した上記向きに基づいて上記ステージの移動を制御するレーザダイシング装置。
A laser dicing device that forms grooves for dividing a substrate by irradiating the substrate with laser light,
A substrate housing section for housing a plurality of substrates;
a stage on which the substrate is placed;
a transport unit that transports a substrate from the substrate accommodation unit to the stage;
an imaging unit that images the substrate being transported by the transport unit;
a laser light irradiation unit that irradiates a laser light onto the substrate placed on the stage;
a control unit that moves a stage on which the substrate is placed along a direction in which the grooves are formed while maintaining an orientation of the stage in a plane parallel to the surface of the substrate;
The substrate is made of alumina ceramics or aluminum nitride ceramics,
The laser light irradiation unit includes a pulsed fiber laser,
The control unit detects an orientation of the substrate within the plane from an image captured by the imaging unit, and controls movement of the stage based on the detected orientation .
上記パルスファイバレーザが出射するレーザ光の平均出力が70W以上である請求項1に記載のレーザダイシング装置。 The laser dicing device according to claim 1, wherein the average output of the laser light emitted by the pulsed fiber laser is 70 W or more. 上記パルスファイバレーザが出射するレーザ光のパルス幅が10ns以上2.0μ秒以下である請求項1に記載のレーザダイシング装置。 The laser dicing device according to claim 1, wherein the pulse width of the laser light emitted by the pulsed fiber laser is 10 ns or more and 2.0 μsec or less. 個片化するための溝を有する基板の製造方法であって、
複数の基板を収容している基板収容部から一の基板を取り出す工程と、
取り出した上記基板をステージに搬送する工程と、
搬送されている上記基板を撮影する工程と、
搬送した上記基板を上記ステージに載置する工程と、
上記ステージによって移動している上記基板にレーザ光を照射して深さ30μm以上かつ幅40μm以下の溝を形成する工程と
を備え、
上記基板がアルミナセラミクスまたは窒化アルミセラミクスで形成され、
上記レーザ光がパルスファイバレーザから出射され、
上記形成する工程で、上記撮影する工程で撮影した画像から上記基板の表面と平行な面内における上記基板の向きを検出し、検出した上記向きに基づいて上記ステージの移動を制御し、上記ステージが上記面内における向きを維持しつつ上記溝の形成方向に沿って移動する基板の製造方法。
A method for manufacturing a substrate having grooves for singulation, comprising the steps of:
removing one substrate from a substrate accommodating unit accommodating a plurality of substrates;
transporting the removed substrate to a stage;
taking an image of the substrate being transported;
placing the transported substrate on the stage;
and a step of irradiating the substrate moved by the stage with a laser beam to form a groove having a depth of 30 μm or more and a width of 40 μm or less,
The substrate is made of alumina ceramics or aluminum nitride ceramics,
The laser light is emitted from a pulsed fiber laser,
A method for manufacturing a substrate in which, in the forming process, an orientation of the substrate in a plane parallel to the surface of the substrate is detected from the image captured in the photographing process, the movement of the stage is controlled based on the detected orientation, and the stage moves along the groove formation direction while maintaining its orientation in the plane.
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