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JP7665871B2 - 発光モジュール、発光モジュールの製造方法及び表示装置 - Google Patents

発光モジュール、発光モジュールの製造方法及び表示装置 Download PDF

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Description

本願は半導体の関連技術分野に関し、特に、発光モジュール、発光モジュールの製造方法及び表示装置に関する。
発光ダイオードは、信頼性が高く、寿命が長く、低消費電力であるため、表示装置、車両用灯具、一般照明灯等、多くの分野で広く用いられており、例えば、発光ダイオードは各種の表示装置のバックライト光源として用いられる。発光ダイオードに対して効果的な機械的保護を行うために、常に発光ダイオードをパッケージして発光モジュールを形成し、それは放熱性を補強し、光取り出し効率を向上させ、光束分布を最適化することができる。しかし、従来の方法で得られた発光モジュールの信頼性が比較的低く、どのように信頼性の高い発光モジュールを得るかは依然として難題である。
本願により開示される実施例による発光モジュールは、間隔を置いて配置される複数の発光素子であって、各発光素子の厚さが１５μｍ以下であるものと、隣接する発光素子の間に充填される充填層と、複数の発光素子上に形成され、発光素子に電気的に接続するために用いられる配線層と、配線層の発光素子から離れた側に形成され、配線層に電気的に接続される導電パッドと、を含んでもよく、ここで、充填層は黒色充填成分を含有し、黒色充填成分の粒径は発光素子の厚さの１／１０以下であり、又は、黒色充填成分の粒径は１μｍ以下である。
本願により開示されるもう１つの実施例による発光モジュールは、間隔を置いて配置された複数の発光素子と、複数の発光素子上に形成され、発光素子に電気的に接続するために用いられる配線層と、配線層の発光素子から離れた側に形成され、配線層に電気的に接続され、厚さが５μｍより大きい導電パッドと、を含んでもよく、ここで、配線層は導電パッドに直接接触する。
本願により開示されるもう１つの実施例による発光モジュールは、間隔を置いて配置された複数の発光素子と、複数の発光素子上に形成され、発光素子に電気的に接続するために用いられる配線層と、配線層の発光素子から離れた側に形成され、配線層に電気的に接続される導電パッドと、を含んでもよく、ここで、配線層は第１の領域及び第２の領域を有し、第１の領域は、導電パッドと垂直方向に重なる領域であり、第２の領域は、第１の領域と発光素子を接続する領域であり、第１の領域と第２の領域との間は、第１の領域と第２の領域の接続箇所を有し、第１の領域と第２の領域の接続箇所の長さは２０μｍより大きく、又は、第１の領域と第２の領域の接続箇所の長さは導電パッドのいずれか一辺の長さの４０％以上である。
本願により開示されるもう１つの実施例の発光モジュールは、間隔を置いて配置された複数の発光素子と、隣接する発光素子の間に充填される充填層と、複数の発光素子上に形成され、発光素子に電気的に接続するために用いられる配線層と、配線層の発光素子から離れた側に形成され、配線層に電気的に接続される導電パッドと、発光素子と充填層との間に位置する付着層と、を含んでもよい。
本願により開示されるもう１つの実施例の発光モジュールは、間隔を置いて配置された複数の発光素子と、複数の発光素子上に形成され、発光素子に電気的に接続するために用いられる配線層と、配線層の発光素子から離れた側に形成され、配線層に電気的に接続される導電パッドと、導電パッドの周りに位置するパッケージ層と、パッケージ層の発光素子から離れた側に形成し、発光モジュールのエジェクトピン作業領域に位置する保護パッドと、を含んでもよい。
本願により開示されるもう１つの実施例の発光モジュールは、間隔を置いて配置された複数の発光素子と、複数の発光素子上に形成され、発光素子に電気的に接続するために用いられる配線層と、配線層の発光素子から離れた側に形成され、配線層に電気的に接続される導電パッドと、導電パッドと配線層との間に位置する導電保護層と、を含んでもよい。
本願により開示されるもう１つの実施例の発光モジュールの製造方法は、第１の透明層を提供するステップと、第１の透明層の表面上に間隔を置いて配置された複数の発光素子を固定するステップと、発光素子の周りに充填層を形成するステップと、充填層上に配線層を作製するステップと、配線層上に導電パッドを形成するステップであって、導電パッドは厚さが５μｍ以上であり、配線層に直接接触するステップと、導電パッドの周りにパッケージ層を形成するステップと、を含む。
本願の実施例における技術的解決手段をより明確に説明するために、以下は実施例の説明に必要な図面を簡単に説明し、なお、以下の図面は本願のいくつかの実施例を示すものに過ぎないため、範囲を限定するものと見なされるべきではなく、当業者であれば、創造的な仕事なしで、これらの図面に基づいて他の関連図面を取得することができる。
本願における実施例１に示される発光モジュールの平面図である。 図１におけるＡ－Ａ’線に沿った断面図である。 本願における実施例２に示される発光モジュールの断面図である。 本願における実施例２に示される発光モジュールの断面図である。 本願における実施例３に示される発光モジュールの断面図である。 本願における実施例４に示される発光モジュールの製造方法のフローチャートである。 本願における実施例４に示される発光モジュールの各製造フローの断面図及び一部の製造フローに対応する平面図である。 本願における実施例４に示される発光モジュールの各製造フローの断面図及び一部の製造フローに対応する平面図である。 本願における実施例４に示される発光モジュールの各製造フローの断面図及び一部の製造フローに対応する平面図である。 本願における実施例４に示される発光モジュールの各製造フローの断面図及び一部の製造フローに対応する平面図である。 本願における実施例４に示される発光モジュールの各製造フローの断面図及び一部の製造フローに対応する平面図である。 本願における実施例４に示される発光モジュールの各製造フローの断面図及び一部の製造フローに対応する平面図である。 本願における実施例４に示される発光モジュールの各製造フローの断面図及び一部の製造フローに対応する平面図である。 本願における実施例４に示される発光モジュールの各製造フローの断面図及び一部の製造フローに対応する平面図である。 本願における実施例４に示される発光モジュールの各製造フローの断面図及び一部の製造フローに対応する平面図である。 本願における実施例４に示される発光モジュールの各製造フローの断面図及び一部の製造フローに対応する平面図である。 本願における実施例４に示される発光モジュールの各製造フローの断面図及び一部の製造フローに対応する平面図である。 本願における実施例４に示される発光モジュールの各製造フローの断面図及び一部の製造フローに対応する平面図である。 本願における実施例４に示される発光モジュールの各製造フローの断面図及び一部の製造フローに対応する平面図である。 本願における実施例５に示される発光モジュールの平面図である。 図１６における配線層を表記しやすいように導電パッドを省略した平面図である。 本願における実施例６に示される発光モジュールの断面図である。 本願における実施例６に示される発光モジュールの断面図である。 本願における実施例７に示される発光モジュールの平面図である。 本願における実施例７に示される発光モジュールの平面図である。
以下、特定の具体的な実施例によって本願の実施形態を説明し、当業者であれば、本明細書に開示された内容に基づいて本願の他の利点及び効果を容易に理解することができる。本願はさらに異なる具体的な実施形態によって実施又は営業することができ、本願における各詳細も異なる観点及び応用に基づき、本願の精神から逸脱することなく様々な修飾又は変更を行うことができる。
なお、本願の説明において、用語の「上」及び「下」等で示される方位又は位置関係は、図面に示す方位又は位置関係に基づくものであり、又は本願の製品の使用時によく配置される方位又は位置関係であり、本願を説明し、説明を簡略化するためのものに過ぎず、言われる装置又は素子が特定の方位を持たなければならず、特定の方位で構築及び操作されなければならないことを示したり暗示したりするものではなく、したがって、本願の限定として理解されることはできない。さらに、用語の「第１」及び「第２」等は、区別して説明するためだけに用いられ、相対的な重要性を示したり暗示したりすると理解されるべきではない。
（実施例１）
図１は本願における実施例１の発光モジュールを説明するための概略的な平面図であり、図２は図１におけるＡ－Ａ’線に沿った断面図である。
図１及び図２を参照して、当該発光モジュールは、間隔を置いて配置され且つ異なる波長域を有する複数の発光素子２００を含み、隣接する発光素子２００の間を電気的に分離させるように隣接する発光素子２００の間の隙間に充填層２１０が充填される。配線層３００は複数の発光素子２００上に形成され、発光素子２００に電気的に接続するために用いられる。導電パッド５００は配線層３００の発光素子２００から離れた側に形成され、配線層３００を介して発光素子２００に電気的に接続される。
一実施形態では、発光素子２００は主にミクロンオーダーの発光ダイオードを指し、その幅及び長さの範囲は２～５μｍ、５～１０μｍ、１０～２０μｍ、２０～５０μｍ又は５０～１００μｍであり、その厚さ範囲は２～１５μｍであり、好ましくは５～１０μｍである。本実施例では、発光モジュールは第１の発光素子２０１、第２の発光素子２０２及び第３の発光素子２０３を含む。
具体的には、各発光素子２００はいずれも半導体積層層を含み、半導体積層層は順に配列された第１の半導体層、第２の半導体層及び両者の間に設けられた活性層を含み、そのうち、第１の半導体層はＮ型半導体層であり、第２の半導体層はＰ型半導体層であり、活性層は多層量子井戸層であり、それは赤色光又は緑色光又は青色光の放射を提供することができる。Ｎ型半導体層、多層量子井戸層、Ｐ型半導体層は発光素子２００の基本的な構成ユニットに過ぎず、その上で、発光素子２００は、発光素子２００の性能に対して最適化作用を有する他の機能構造層をさらに含んでもよい。
第１の発光素子２０１、第２の発光素子２０２及び第３の発光素子２０３は、異なる波長域の光をそれぞれ放射し、例えば、第１の発光素子２０１は青色の光線を放射し、第２の発光素子２０２は緑色の光線を放射し、第３の発光素子２０３は赤色の光線を放射する。一実施例では、異なる発光素子２００は異なる半導体積層層を有してもよく、それにより異なる波長域の光線を直接放射し、半導体積層層の具体的な材料は放射光線の波長に応じて選択され、それはアルミニウムガリウムヒ素 、ガリウム砒素リン、アルミニウムインジウムガリウムリン、窒化ガリウム、窒化インジウムガリウム、セレン化亜鉛又はリン化ガリウムを含むがそれらに限定されない。もう１つの実施例では、異なる発光素子２００は同じ半導体積層層を有してもよく、例えば、第１の発光素子２０１、第２の発光素子２０２及び第３の発光素子２０３における半導体積層層はいずれも青色の光線を放射し、第２の発光素子２０２の光取り出し面には、放射された青色の光線を緑色の光線に変換する波長変換層が設けられ、第３の発光素子２０３の光取り出し面には、放射された青色の光線を赤色の光線に変換する波長変換層が設けられる。
各発光素子２００は、第１の電極及び第２の電極をさらに含む。半導体積層層は、第１の半導体層を露出させるメサを有し、第１の電極は、メサ上に形成され第１の半導体層に電気的に接続され、第２の電極は、第２の半導体層上に形成され第２の半導体層に電気的に接続される。
好ましくは、発光素子２００の間の厚さの差は５μｍ以下であり、発光モジュールが後述する透明層１００に転写される転写歩留まりを効果的に向上させて、発光モジュールの光取り出し効果を向上させることができる。
一実施形態では、図１及び図２を参照して、発光モジュールは透明層１００をさらに含み、発光素子２００は透明層１００上に設けられ、透明層１００の発光素子２００から離れた面は発光モジュールの光取り出し面であり、すなわち発光素子２００から出射された光はいずれも透明層１００を介して外部に出射される。透明層１００は、可視光領域における光透過率が６０％以上である。
一実施形態では、図２を参照して、透明層１００は第１の透明層１００１及び第２の透明層１００２を含み、第２の透明層１００２は第１の透明層１００１と発光素子２００との間に位置する。
第１の透明層１００１は、ガラス、透明セラミックス、サファイア等の無機透光性材料から選択されてもよい。好ましくは、発光モジュールは、クライアントで使用しやすいように一定の厚さを有する必要があり、そのため第１の透明層１００１の厚さは、好ましくは１０μｍより大きく、具体的には、好ましくは３０μｍ～５０μｍ、５０μｍ～１００μｍ又は１００μｍ～３００μｍである。
第２の透光層１００２は、発光素子２００が第２の透光層１００２を介して第１の透光層１００１に付着できるように、第１の透光層１００１と発光素子２００との間に位置する。第２の透光層１００２は、第１の透光層１００１の表面全体を完全に被覆してもよいが、これに限定されず、発光素子２００が第２の透光層１００２を介して第１の透光層１００１に付着できるように、発光素子２００の下方のみに位置してもよい。
異なる発光素子２００は通常、異なる厚さを有し、第１の透明層１００１と発光素子２００との間に第２の透明層１００２を設けることにより、各発光素子２００の光取り出し面の高さの差を小さくし、発光素子２００の側面から出射された光を後述する充填層２１０にできる限り吸収させ、発光モジュールのコントラストを向上させることができる。第２の透明層１００２の厚さは、好ましくは１μｍ～１５μｍ又は３μｍ～１０μｍである。第２の透明層１００２の厚さが１５μｍより大きければ、発光素子２００の位置合わせ精度に影響を及ぼす可能性がある。
代替的な実施形態として、サファイア等の無機透光性材料のコストが高く、且つ製造工程が複雑であるため、第１の透明層１００１は、例えばエポキシ樹脂、シリカゲル、ポリイミド等、コストが低い熱硬化性の有機材料から選択されてもよい。一実施例では、第１の透明層１００１は、二酸化ジルコニウム、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ホウ素等のナノ粒子がエポキシ樹脂、シリカゲル、ポリイミド等の透光性有機材料に分散して形成された部材であってもよく、ここで、二酸化ジルコニウム、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ホウ素等のナノ粒子は第１の透明層１００１の強度を向上させることができる。また、ジルコニア、シリカ、アルミナ、窒化ホウ素等のナノ粒子の含有量を調節することにより、発光モジュールのコントラストを調整することができる。一実施例では、第１の透明層１００１が熱硬化性の有機材料である場合、第２の透明層１００２は無視されてもよい。
一実施形態では、図１及び図２を参照して、発光モジュールは充填層２１０をさらに含み、充填層２１０は、隣接する発光素子２００の間又は発光素子２００の側壁の周りに充填され、隣接する発光素子２００の間の混色又は光の干渉を防止することができ、それにより発光モジュールのコントラストを向上させる。充填層２１０は、光を吸収する黒色ゴム層として提供される。
発光素子２００の厚さ範囲は、好ましくは２～１５μｍであり、且つ隣接する発光素子２００の間のピッチは５０μｍより小さいため、充填層２１０を形成する際に、好ましくは、流動性の高い材料を用いて硬化する。充填層２１０内に充填される黒色充填成分の粒径は、好ましくは発光素子２００の厚さの１／１０以下であり、それは黒色充填成分の粒径が大きすぎることによる、充填層２１０の発光素子２００に対する被覆効果が悪く、さらに発光モジュールのコントラストに影響を与えるという問題を回避することができる。充填層２１０は具体的には粒径が１μｍ以下の黒色充填成分がシリカゲル、エポキシ樹脂、ポリイミド、低温ガラス、ポリシロキサン、ポリシラザン等の透明又は半透明の材料に分散して形成された部材であってもよく、充填層２１０における黒色充填成分はカーボンブラック、窒化チタン、酸化鉄、四三酸化鉄、鉄粉等を含むがそれらに限定されない。黒色充填成分の粒径範囲は１０～１００ｎｍであり、又は１００～２００ｎｍであり、又は２００～３００ｎｍであり、又は３００ｎｍ～５００ｎｍであることが好ましい。充填層２１０は、黒色染料を用いてもよい。
充填層２１０は少なくとも発光素子２００の光取り出し面に近い側壁の５０％以上を被覆し、好ましくは発光素子２００の全ての側壁を被覆し、隣接する発光素子２００の間の混色又は光の干渉を防止することができ、それにより発光モジュールのコントラストを向上させる。代替的な実施例として、充填層２１０の厚さは発光素子２００の厚さより大きくてもよく、発光素子２００の底部における光漏れによる光の干渉を防止することができる。充填層２１０の厚さは、好ましくは１５μｍより小さい。
一実施形態では、図１及び図２を参照して、配線層３００は複数の発光素子２００上に形成され、発光素子２００に電気的に接続するために用いられる。配線層３００は複数の配線を含み、且つ隣接する配線の間を電気的に分離させるように配線層の周りに絶縁層３３０が充填される。
配線層３００は第１のサブ配線３０１、第２のサブ配線３０２、第３のサブ配線３０３及び第４のサブ配線３０４を含み、そのうち、第１のサブ配線３０１は共通配線として、第１の発光素子２０１、第２の発光素子２０２及び第３の発光素子２０３における第１の電極は共同で当該第１のサブ配線３０１に接続され、第１の発光素子２０１における第２の電極は第２のサブ配線３０２に接続され、第２の発光素子２０２における第２の電極は第３のサブ配線３０３に接続され、第３の発光素子２０３における第２の電極は第４のサブ配線３０４に接続される。配線層３００は、充填層２１０上に一括して形成されてもよい。
又は、第１のサブ配線３０１は共通配線として、第１の発光素子２０１、第２の発光素子２０２及び第３の発光素子２０３における第２の電極は共同で当該第１のサブ配線３０１に接続され、第１の発光素子２０１における第１の電極は第２のサブ配線３０２に接続され、第２の発光素子２０２における第１の電極は第３のサブ配線３０３に接続され、第３の発光素子２０３における第１の電極は第４のサブ配線３０４に接続される。配線層３００は、充填層２１０上に一括して形成されてもよい。
配線層３００は対向する上面及び下面を有し、そのうち、配線層３００の下面は充填層２１０及び発光素子２００に接触し、配線層３００の上面は絶縁層３３０を形成するために用いられる。
配線層３００は、チタン、銅、クロム、ニッケル、金、白金、アルミニウム、窒化チタン、窒化タンタル又はタンタル等のうちの少なくとも１つの材料で製造される単層又は多層であってもよい。本実施例では、配線層３００は第１の層３１０及び第２の層３２０を含んでもよく、第１の層３１０は発光素子２００に直接接触し、第２の層３２０は第１の層３１０の上に形成される。第１の層３１０は第２の層３２０を発光素子２００及び充填層２１０上に付着するために用いられ、第２の層３２０は主に導電機能をする。第１の層３１０の材料はチタン、ニッケル、窒化チタン、窒化タンタル又はタンタルのうちの一種又は複数種を含むがそれらに限定されず、第２の層３２０の材料は銅、アルミニウム又は金のうちの一種又は複数種を含むがそれらに限定されない。配線層３００は、スパッタリング、蒸着等により製造されてもよい。
好ましくは、配線層３００の厚さは、好ましくは５０ｎｍ～１０００ｎｍである、ここで、第１の層３１０の厚さは、好ましくは１０ｎｍ～２００ｎｍであり、第２の層３２０の厚さは、好ましくは２００ｎｍ～８００ｎｍであり、第１の層３１０の厚さは、好ましくは第２の層３２０の厚さより小さい。
一実施形態では、図１及び図２を参照して、導電パッド５００は配線層３００の発光素子２００から離れた側に形成され、配線層３００を介して発光素子２００に電気的に接続される。
導電パッド５００は第１のパッド５０１、第２のパッド５０２、第３のパッド５０３及び第４のパッド５０４を含み、第１のパッド５０１は共通パッドとして、第１の発光素子２０１、第２の発光素子２０２及び第３の発光素子２０３における第１の電極は第１のサブ配線３０１を介して共同で当該第１のパッド５０１に接続され、第１の発光素子２０１の第２の電極は第２のサブ配線３０２を介して第２のパッド５０２に接続され、第２の発光素子２０２における第２の電極は第３のサブ配線３０３を介して第３のパッド５０３に接続され、第３の発光素子２０３における第２の電極は第４のサブ配線３０４を介して第４のパッド５０４に接続される。
又は、第１のパッド５０１は共通パッドとして、第１の発光素子２０１、第２の発光素子２０２及び第３の発光素子２０３における第２の電極はいずれも第１のサブ配線３０１を介して当該第１のパッド５０１に接続され、第１の発光素子２０１の第１の電極は第２のサブ配線３０２を介して第２のパッド５０２に接続され、第２の発光素子２０２における第１の電極は第３のサブ配線３０３を介して第３のパッド５０３に接続され、第３の発光素子２０３における第１の電極は第４のサブ配線３０４を介して第４のパッド５０４に接続される。
一実施形態では、導電パッド５００は導電層５１０を含み、導電層５１０はチタン、銅、金、白金等のうちの少なくとも１つの材料で製造される単層又は多層であってもよく、その厚さは、好ましくは１０～５０μｍであり、例えば２０μｍ、３０μｍ、４０μｍである。
代替的な実施形態として、導電パッド５００は配線層３００の上に順次形成された導電層５１０及び保護層５３０を含む。当該発光モジュールが表示装置に取付けられる前に、保護層５３０は導電層５１０の上面を完全に被覆し、導電層５１０が酸化されることを効果的に防止し、発光モジュールの安定性を向上させることができ、当該発光モジュールが表示装置に取付けられる時、保護層５３０が破壊され又は除去される。保護層５３０は、導電パッド５００の結合性及び導電性に影響を与えることがなく、その厚さは、好ましくは２５～５０ｎｍである。
保護層５３０は金、白金等の金属材料で製造されてもよく、当該発光モジュールが表示装置に取付けられるプロセスでは、予め設定された温度で溶接材料を利用して導電パッド５００と回路基板を溶接し、溶接プロセスでは、溶接材料は流動し変形が発生し、溶接材料の変形は金、白金等の金属材料で製造される保護層５３０の完全性を破壊することができる。
又は、保護層５３０はＯＳＰ等の有機材料であってもよく、当該発光モジュールが表示装置に取付けられるプロセスでは、予め設定された温度で溶接材料を利用して導電パッド５００と回路基板を溶接し、ＯＳＰ等の有機材料は当該温度で溶解して除去される。
好ましくは、導電層５１０と保護層５３０との間にさらに接着層５２０が設けられる。接着層５２０は、クロム、チタン、ニッケル、窒化タンタル、タンタル等のうちの少なくとも１つの材料で製造される単層又は多層であってもよい。接着層５２０の厚さは、好ましくは３～５μｍである。
一実施形態では、図２を参照して、隣接するサブパッドの間を電気的に分離させるように、パッケージ層６００は導電パッド５００の周りに充填される。パッケージ層６００は、光を吸収するゴム層として提供され、具体的には、好ましくは黒色充填成分がシリカゲル、エポキシ樹脂、ポリイミド、低温ガラス、ポリシロキサン、ポリシラザン等の透明又は半透明の材料に分散して形成された部材であり、パッケージ層６００における黒色充填成分はカーボンブラック、窒化チタン、酸化鉄、四三酸化鉄、鉄粉等を含むがこれらに限定されない。
発光素子２００及び配線層３００の厚さが薄いため、パッケージ層６００は、発光素子２００及び配線層３００を外部要因によるダメージを回避するように保護するために、一定の厚さを有することが好ましく、パッケージ層６００の厚さは、好ましくは２０μｍより大きく、この場合、導電パッド５００の厚さも２０μｍより大きい。粒径が１μｍより大きいドープ粒子は、パッケージ層６００に添加されており、例えばシリカが挙げられ、それはパッケージ層６００の機械的特性を向上させることができ、それにより発光素子２００及び配線層３００をより良く保護することができる。
好ましくは、パッケージ層６００の配線層３００から離れた表面は、導電パッド５００における導電層５１０の配線層３００から離れた表面と面一である。
好ましくは、導電パッド５００は、厚さが５μｍ以上であることが好ましく、それはめっき方式を用いて形成されてもよい。
一実施例では、図２を参照して、絶縁層３３０は配線層３００の上面に位置し、配線層３００における配線の周りを充填する。絶縁層３３０には、配線層３００の上方に位置し、且つ導電パッド５００を形成するための貫通孔が開設される。上記貫通孔の数は導電パッド５００の数と同じであり、すなわち１つの導電パッド５００は１つの貫通孔に対応する。
絶縁層３３０はエポキシ樹脂、ポリシロキサン又はフォトレジスト等の材料で形成された部材であってもよく、配線層３００が酸化されることを回避し、異なる配線の間を電気的に分離させ、発光モジュールに漏電故障が発生する現象を回避することができる。
配線層３００の上面にシード層７００が設けられ、シード層７００が導電して電気めっきにより導電パッド５００を製造する。シード層７００は、チタン、銅、金、白金のうちの少なくとも１つの材料で製造される単層又は多層であってもよい。本実施例では、シード層７００は、好ましくはＴｉ／Ｃｕ積層であり、その厚さは、好ましくは１００～２０００ｎｍである。
（実施例２）
図３は本願の実施例２の発光モジュールを説明するための概略的な断面図である。実施例１とは異なり、導電パッド５００は配線層３００の上に順次形成された導電層５１０、接着層５２０及び共晶層５４０を含む。
導電層５１０はチタン、銅、金、白金等のうちの少なくとも１つの材料で製造される単層又は多層であってもよく、その厚さは。好ましくは１０～５０μｍであり、例えば２０μｍ、３０μｍ、４０μｍである。
接着層５２０は導電層５１０と保護層５３０との間に位置し、それはクロム、チタン、ニッケル、窒化タンタル、タンタル等のうちの少なくとも１つの材料で製造される単層又は多層であってもよい。接着層５２０の厚さは、好ましくは３～５μｍである。
共晶層５４０は、Ｓｎ、ＳｎＡｇ、ＡｕＳｎ等のうちの少なくとも１つの材料で製造される単層又は多層であってもよく、その厚さは１０～５０ｎｍである。共晶層５４０は、発光モジュールが回路基板に適用される場合の結合力を効果的に向上させることができ、適用時に半田ペーストを再印刷する必要がなく又は少量の半田ペーストを印刷するだけでよく、クライアントの使用利便性を向上させる。
好ましくは、パッケージ層６００の配線層３００から離れた表面は導電パッド５００における共晶層５４０の配線層３００から離れた表面と面一であり、それにより、発光モジュールの表面は平坦になってクライアントの使用に有利である。
好ましくは、図４に示すように、導電パッド５００は、共晶層５４０上に設けられた保護層５３０をさらに含む。当該発光モジュールが表示装置に取付けられる前に、保護層５３０は共晶層５４０、導電層５１０の上面を完全に被覆し、共晶層５４０、導電層５１０が酸化されることを効果的に防止し、発光モジュールの安定性を向上させることができ、当該発光モジュールが表示装置に取付けられる時、保護層５３０が破壊され又は除去される。保護層５３０は、導電パッド５００の結合性や導電性に影響を与えることがなく、その厚さは、好ましくは２５～５０ｎｍである。
保護層５３０は金、白金等の金属材料で作製されてもよく、当該発光モジュールが表示装置に取付けられるプロセスでは、予め設定された温度で溶接材料を利用して導電パッド５００と回路基板を溶接し、溶接プロセスでは、溶接材料は流動し変形が発生し、溶接材料の変形は金、白金等の金属材料で製造された保護層５３０の完全性を破壊することができる。
又は、保護層５３０はＯＳＰ等の有機材料であってもよく、当該発光モジュールが表示装置に取付けられるプロセスでは、予め設定された温度で溶接材料を利用して導電パッド５００と回路基板を溶接し、ＯＳＰ等の有機材料は当該温度で溶解して除去される。
（実施例３）
図５は本願の実施例３の発光モジュールを説明するための概略的な断面図である。
実施例１又は実施例２とは異なり、配線層３００上に導電保護層４００が設けられ、導電保護層４００は配線層３００と導電パッド５００との間に位置し、具体的には、好ましくは配線層３００とシード層７００との間に位置する。シード層７００や導電パッド５００を形成する前に、配線層３００は常に露出した状態にあり、空気によって酸化されやすいため、導電パッド５００と配線層３００との間に導電保護層４００を設け、導電保護層４００を用いて配線層３００を予め保護し、それにより配線層３００におけるシード層７００や導電パッド５００と接続するための部分が空気に曝されることによって酸化されることを防止し、さらに導電パッド５００に良好な結合性及び導電性を有させる。
図５に示すように、配線層３００における導電パッド５００と接続するための部分には、導電保護層４００が形成される。導電性保護層４００は絶縁層３３０における貫通孔内に設けられるが、これに限定されず、他の実施例では、導電性保護層４００は配線層３００を完全に被覆してもよい。
シード層４００は、ニッケル、金、白金、チタン等のうちの少なくとも１つの材料で製造される単層又は多層であってもよい。本実施例では、導電保護層４００は、好ましくはＮｉ／Ａｕ積層である。導電性保護層４００の厚さは、好ましくは１～１０ｎｍであり、又は１０～１００ｎｍであり、又は１００～２０００ｎｍである。導電保護層４００はさらに、スパッタリング、蒸着等により製造されてもよい。
好ましくは、導電保護層４００の垂直方向への投影面積は導電パッド５００の下面の垂直方向への投影面積以上であり、それにより導電パッド５００の下面全体はいずれも導電保護層４００を介して配線層３００に接触し、導電パッド５００に接続された配線層３００が酸化されることを防止することができ、それにより導電パッド５００の結合性及び導電性を効果的に向上させる。導電保護層４００の垂直方向への投影面積が導電パッド５００の下面の垂直方向への投影面積より小さいと、導電保護層４００に被覆されず且つ導電パッド５００に接続する必要がある配線層３００が酸化され、導電パッド５００は依然として脱落又は配線層３００との接触不良の現象が発生しやすく、導電パッド５００の結合性及び導電性を向上させる効果を達成できない。
（実施例４）
本実施例は発光モジュールの製造方法を開示する。図６は本願の実施例４の発光モジュールの製造方法を説明するための概略的な断面図である。
当該製造方法は、
第１の透明層１００１を提供するステップと、
第１の透明層１００１の表面上に間隔を置いて配置された複数の発光素子２００を固定するステップと、
発光素子２００の周りに充填層２１０を形成するステップと、
充填層２１０に配線層３００を作製するステップと、
配線層３００に導電パッド５００を形成するステップであって、導電パッド５００は厚さが５μｍ以上であり、配線層３００に直接接触するステップと、
導電パッド５００の周りにパッケージ層６００を充填するステップと、
単一化処理を行い、単一の発光モジュールを形成するステップと、を含む。
以下、図面に合わせて詳細に説明する。
Ｓ１において、第１の透明層１００１を提供し、当該第１の透明層１００１は実施例１を参照して設けられてもよい。当該第１の透明層１００１は第１の表面及び第２の表面を含み、そのうち、第１の表面は光取り出し面である。
Ｓ２において、図７ａ及び図７ｂに示すように、図７ｂは図７ａのＢ－Ｂ’線の断面図であり、第１の透明層１００１の第２の表面上に発光素子２００で構成される一連のアレイを固定する。当該アレイは一連の発光ユニットを含み、各発光ユニットは１つの画素点に対応し、異なる波長域の光線を放射する発光素子２００を少なくとも３つ含む。好ましい実施例では、当該第１の透明層１００１はサファイアサブストレートを選択し、発光素子２００は第２の透明層１００２を介して第１の透明層１００１に結合される。当該第２の透明層１００２は実施例１を参照して設けられてもよい。第２の透明層１００２は、第１の透明層１００１の第２の表面を被覆する。
Ｓ３において、図８に示すように、発光素子２００の周りに充填層２１０を形成し、充填層２１０は、隣接する発光素子２００の間又は発光素子２００の側壁の周りに充填される。
Ｓ４において、図９ａ及び図９ｂに示すように、図９ｂは図９ａのＢ－Ｂ’線の断面図であり、充填層２１０の上に総配線層３０００を作製する。総配線層３０００は、複数のユニット化された配線層３００を含んでもよく、ユニット化された配線層３００は第１の方向Ｘに沿って列に配列され、第２の方向Ｙに沿って行に配列され、第１の方向と第２の方向は垂直である。図９ｃを参照して、図９ｃは図９ｂの部分Ｉの拡大概略図であり、ユニット化された配線層３００は第１のサブ配線３０１、第２のサブ配線３０２、第３のサブ配線３０３及び第４のサブ配線３０４を含み、第１の発光素子２０１は第１のサブ配線３０１及び第２のサブ配線３０２に電気的に接続され、第２の発光素子２０２は第１のサブ配線３０１及び第３のサブ配線３０３に電気的に接続され、第３の発光素子２０３は第１のサブ配線３０１及び第４のサブ配線３０４に電気的に接続される。各サブ配線３０１～３０４はそれぞれ第１の領域３００１、第２の領域３００２及び第３の領域３００３を有し、そのうち、第１の領域３００１は導電パッド５００と垂直方向に重なる領域であり、第２の領域３００２は発光素子２００及び第１の領域３００１に接続され、第３の領域３００３は第１の領域３００１から発光モジュールのエッジに向かって延在する。
２列目２行目の配線層（Ｄ２２）３００を例に、各ユニット化された配線層間の接続関係を押し広げて説明する。なお、例えば、１行目１列目のユニット化された配線層はＤ１１と略記され、２行目３列目のユニット化された配線層はＤ２３と略記され、３行目５列目のユニット化された配線層はＤ３５と略記され、以下同様である。Ｄ２２の第１のサブ配線３０１Ｄ２２はＤ１２の第４のサブ配線３０４Ｄ１２、Ｄ２１の第２のサブ配線３０２Ｄ２１及びＤ２１の第３のサブ配線３０３Ｄ２１に接続され、Ｄ２２の第２のサブ配線３０２Ｄ２２はＤ１２の第３のサブ配線３０３Ｄ１２、Ｄ１２の第４のサブ配線３０４Ｄ１２及びＤ２３の第１のサブ配線３０１Ｄ２３に接続され、Ｄ２２の第３のサブ配線３０３Ｄ２２はＤ３２の第２のサブ配線３０２Ｄ３２、Ｄ２３の第１のサブ配線３０１Ｄ２３及びＤ２３の第４のサブ配線３０４Ｄ２３に接続され、Ｄ２２の第４のサブ配線３０４Ｄ２２はＤ２１の第３のサブ配線３０３Ｄ２１、Ｄ３２の第１のサブ配線３０１Ｄ３２及びＤ３２の第２のサブ配線３０２Ｄ３２に接続される。他のユニット化された配線層３００も同様である。各ユニット化された配線層３００がこの接続形態により接続されることで、総配線層３０００は相互接続状態となる。
Ｓ５において、図１０ａ及び図１０ｂに示すように、図１０ｂは図１０ａのＢ－Ｂ’線の断面図であり、配線層３００上に導電パッド５００を形成する。電気めっきにより、配線層３００の第１の領域３００１に導電パッド５００を形成し、導電パッド５００は厚さが５μｍ以上であり、配線層３００に直接接触する。
Ｓ６において、図１１に示すように、導電パッド５００の周りにパッケージ層６００を充填し、当該パッケージ層６００は実施例１を参照して設けられてもよい。
Ｓ７において、単一化処理を行い、単一の発光モジュールを形成する。
図１２は当該方法で形成された発光モジュールの概略的な平面図を示し、対応する断面図は図１３を参照する。当該発光モジュールは、第１の透明層１００１、発光素子２００、充填層２１０、配線層３００、導電パッド５００及びパッケージ層６００を含み、そのうち、配線層３００は第１のサブ配線３０１、第２のサブ配線３０２、第３のサブ配線３０３及び第４のサブ配線３０４を含む。第１の発光素子２０１は第１のサブ配線３０１及び第２のサブ配線３０２に電気的に接続され、第２の発光素子２０２は第１のサブ配線３０１及び第３のサブ配線３０３に電気的に接続され、第３の発光素子２０３は第１のサブ配線３０１及び第４のサブ配線３０４に電気的に接続される。各サブ配線３０１～３０４はそれぞれ第１の領域３００１、第２の領域３００２及び第３の領域３００３を有し、そのうち、第１の領域３００１は導電パッド５００と垂直方向に重なる領域であり、第２の領域３００２は発光素子２００及び第１の領域３００１に接続され、第３の領域３００３は第１の領域３００１から発光モジュールのエッジに向かって延在する。好ましくは、第３の領域３００３は第１の領域３００１から発光モジュールのエッジへ延在するピン３０５を少なくとも３本含むが、これに限定されず、第３の領域３００３は、隣接する３つの発光モジュールに接続される、発光モジュールのエッジへ延在する領域を十分に有すればよい。且つ、第３の領域３００３のピン３０５の側面は、好ましくはパッケージ層６００の側面と面一である。
第１の透明層１００１、発光素子２００、充填層２１０、導電パッド５００、パッケージ層６００は実施例１を参照して設計されてもよい。
本実施例に記載の製造方法では、単一化処理を行う前に、各ユニット化された配線層３００が相互接続を形成するように配線層３００を設計し、このように、シード層を設けることなく、各ユニット化された配線層３００における対応する位置に電気めっき等により導電パッド５００を形成することができ、製造プロセスを簡略化する。さらに、電気めっきにより導電パッド５００を製造するプロセスでは、ウェットエッチングを用いて配線層３００の表面をエッチングし、配線層３００の表面の酸化層を除去し、配線層３００を導電パッド５００に直接接触させることができ、配線層３００の酸化による電気的結合不良を回避する。
代替的な実施例として、図１４に示すように、パッケージ層６００は配線層３００の側壁を被覆し、発光モジュールのエッジに露出した配線層３００の酸化による電気的不良を回避することができる。
代替的な実施例として、図１５に示すように、配線層３００のエッジへ延在するピン３０５を部分的にエッチングすることができ、発光モジュールのエッジに露出した配線層３００の酸化による電気的不良を回避する。
（実施例５）
図１６は本願の第５の実施例による発光モジュールの概略的な平面図を示し、対応する断面図は図１３を参照する。図１７は図１６における配線層３００を表記しやすいように導電パッド５００を省略した平面図である。当該発光モジュールは、第１の透明層１００１、発光素子２００、充填層２１０、配線層３００、導電パッド５００及びパッケージ層６００を含む。ここで、第１の透明層１００１、発光素子２００、充填層２１０、導電パッド５００、パッケージ層６００は実施例１を参照して設けられてもよい。
図１６及び図１７を参照して、配線層３００は第１の領域３００１及び第２の領域３００２を含んでもよい。第１の領域３００１は、導電パッド５００と垂直方向に重なる領域であり、第２の領域３００２は第１の領域３００１と発光素子２００との間を接続する領域であり、第１の領域３００１と第２の領域３００２との間に第１の領域と第２の領域の接続箇所３００４がある。パッケージ層６００と導電パッド５００との熱膨張係数の差が大きいため、パッケージ層６００と導電パッド５００との間の界面は残留応力を有し、第１の領域と第２の領域の接続箇所３００４の長さＨ１が小さすぎると、第１の領域と第２の領域の接続箇所３００４は、残留応力によって第２の領域３００２における配線層が破断することで、第１の領域３００１と第２の領域３００２との間が破断しやすくなり、導電パッド５００と発光素子２００との電気的接続が故障する。本実施例では、好ましくは第１の領域と第２の領域の接続箇所３００４の長さＨ１は２０μｍ以上であることが好ましく、第２の領域３００２における配線層にクラックが発生しても、第２の領域３００２には発光素子２００と完全な電気的接続を保証できる部分が依然としてあることを保証することができる。
一実施例では、第１の領域と第２の領域の接続箇所３００４の長さＨ１は導電パッド５００のいずれか一辺の長さＨ２の４０％以上を占め、第２の領域３００２における配線層にクラックが発生しても、第２の領域３００２には発光素子２００と完全な電気的接続を保証できる部分が依然としてあることを保証することができる。好ましくは、第１の領域３００１と配線層３００の発光モジュールに近いエッジの距離は２０μｍ以下である。
クライアントの使用を容易にするために、第１のパッド５０１の形状は第２のパッド５０２、第３のパッド５０３、第４のパッド５０４の形状と一致せず、それは識別の役割を果たすことができる。なお、上記Ｈ１とＨ２との比は第１のパッド５０１における第１の領域３００１と第２の領域３００２の接続箇所の全長Ｈ１と第１のパッド５０１に対応する両辺の全長Ｈ２との比であってもよい。
（実施例６）
図１８は本願の実施例６の発光モジュールを説明するための概略的な断面図である。
実施例１～実施例５とは異なり、発光モジュールは絶縁性の付着層２２０をさらに含み、当該付着層２２０は発光素子２００と充填層２１０との間に設けられる。充填層２１０と発光素子２００との間の結合性が低いため、クライアントの使用中に発光素子２００は充填層２１０と分離する状況が発生する可能性があり、それにより発光モジュールの輝度が減衰する。そこで、発光素子２００と充填層２１０との間に付着層２２０を設け、その厚さを１μｍ以下、好ましくは５ｎｍ～１００ｎｍ、１００ｎｍ～３００ｎｍ又は３００ｎｍ～６００ｎｍにする。上記付着層２２０の厚さが小さく、発光モジュールの構造に影響を与えず、且つ発光素子２００と充填層２１０との間の結合力を向上させ、発光素子２００と充填層２１０との間に分離の状況が発生することを回避することができる。
好ましくは、図１８に示すように、付着層２２０は連続層であり、付着層２２０は発光素子２００の上面及び側壁、並びに隣接する発光素子２００の間の隙間を被覆するとともに、発光素子２００における第１の電極及び第２の電極を露出させる。
代替的な実施例として、図１９に示すように、付着層２２０は不連続層であり、付着層２２０は一部の発光素子２００の上面及び側壁、並びに隣接する発光素子２００の間の隙間を被覆するとともに、発光素子２００における第１の電極及び第２の電極を露出させる。
なお、発光素子２００における第１の電極及び第２の電極に付着層２２０が残されてもよく、当該付着層２２０は発光モジュールの導電性に影響を与えない。
（実施例７）
図２０は本願の実施例７の発光モジュールを説明するための概略的な平面図である。
実施例１～実施例６とはことなり、発光モジュールは保護パッド８００をさらに含み、保護パッド８００はパッケージ層６００の発光素子２００から離れた側に位置する。
保護パッド８００は発光モジュールのエジェクトピン作業領域に位置する。上記エジェクトピン作業領域は、エジェクトピンがパッケージ層６００の発光素子２００から離れた表面上で作業する際の範囲誤差がカバーする領域であり、例えば、半径３００μｍ以下の円形領域であり、好ましくは半径１５０μｍ以下の円形領域である。発光モジュールが表示パネルに貼付又はダイボンドされる際に、エジェクトピンがエジェクトピン作業領域を突き破って、パッケージ層６００の下方の発光素子２００を傷つけ、それにより発光モジュールの故障に繋がる恐れがある。
発光モジュールのエジェクトピン作業領域に保護パッド８００を増設することにより、エジェクトピンが上記領域に作用する時、エジェクトピンがパッケージ層６００を突き刺し、又は突き破ることを効果的に回避することができ、パッケージ層６００は依然として発光素子２００に対して良好な保護効果を有し、それにより発光素子２００の損傷を回避し、発光モジュールの故障を回避する。
好ましくは、保護パッド８００は、配線層３００に電気的に接続されない。保護パッド８００は、導電パッド５００と同一工程で共に形成され、保護パッド８００の材料は導電パッド５００の材料と同じである。保護パッド８００は良好な構造強度を有し、後続の貼付又はダイボンドプロセスにおいて様々なエジェクトピンを選択してそれに作用することができ、貼付又はダイボンドの速度をさらに向上させる。
一実施形態では、図２０を参照して、導電パッド５００は保護パッド８００の外周に環設され、導電パッド５００の保護パッド８００に向かった側は円弧状に配置され、且つ円弧の開口は保護パッド８００に向かう。導電パッド５００を上記構造に設置することにより、導電パッド５００と保護パッド８００との間の距離を大きくすることができ、さらに導電パッド５００と保護パッド８００との接触による短絡現象を回避する。本実施例では、第１のパッド５０１、第２のパッド５０２、第３のパッド５０３及び第４のパッド５０４の保護パッド８００に向かった側は円弧状に配置され、且つ円弧の開口はいずれも保護パッド８００に向かう。
好ましくは、第１のパッド５０１、第２のパッド５０２、第３のパッド５０３及び第４のパッド５０４の形状又はサイズが異なり、導電パッド５００のタイプを識別しやすく、後続で切断位置を決定しやすい。導電パッド５００の総面積は、好ましくは発光モジュールの面積の２０％～７０％である。
好ましくは、図２０を参照して、導電パッド５００と発光モジュールのエッジとの距離Ｄ１は２０μｍより大きい。保護パッド８００と発光モジュールのエッジとの距離Ｄ２は２０μｍより大きい。
好ましくは、保護パッド８００は第１のパッド５０１、第２のパッド５０２、第３のパッド５０３及び第４のパッド５０４といずれも間隔を置いて設けられる。
好ましくは、複数の発光素子は第１の発光素子２０１、第２の発光素子２０２及び第３の発光素子２０３の三種類を含み、保護パッド８００は少なくともその下方の第２の発光素子２０２の一部の領域を遮断し、又は、保護パッド８００は少なくともその下方の複数の発光素子２００を遮断する。
代替的な実施例として、図２１に示すように、保護パッド８００は第１のパッド５０１、第２のパッド５０２、第３のパッド５０３又は第４のパッド５０４の一部であってもよく、対応するパッドは一部を発光モジュールの中心領域に延伸させて保護パッド８００として形成して発光モジュールのエジェクトピン作業領域を保護し、エジェクトピンがパッケージ層６００を突き刺し、又は突き破ることを効果的に回避することができる。
以上の技術的解決手段から分かるように、本願では、隣接する発光素子２００の間に充填層２１０が形成され、それは良好な流動性を有する材料を用いて硬化して製造され、且つ充填層２１０内の黒色充填成分の粒径は発光素子２００の厚さの１／１０以下であり、充填層２１０の発光素子２００に対する被覆効果を改善し、発光モジュールのコントラストを向上させることができる。導電パッド５００の周りにパッケージ層６００が形成され、それは大きい厚さ及び強度を有し、外部要因によるダメージを回避するように発光素子２００及び配線層３００を保護することができる。そのため、発光モジュールの異なる位置に異なる絶縁構造を設置することにより、発光モジュールの異なる位置の要求を同時に満たし、さらに発光モジュールに高いコントラスト及び機械的特性を同時に備えさせる。
さらに、導電パッド５００は保護層５３０を含み、発光モジュールが表示装置に取付けられる前に、上記保護層５３０は導電層５１０の上面を完全に被覆し、導電層５１０が酸化されることを効果的に防止し、発光モジュールの安定性を向上させることができ、発光モジュールが表示装置に取付けられる時、上記保護層５３０が破壊され又は除去され、導電パッド５００の結合性及び導電性に影響を与えない。
さらに、導電パッド５００は共晶層５４０をさらに含み、発光モジュールの適用時の結合力を効果的に増加することができ、適用時に半田ペーストを再印刷する必要がなく、クライアントの使用利便性を向上させる。
さらに、配線層３００と導電パッド５００との間に導電保護層４００を増設することにより、配線層３００における導電パッド５００に接続するための部分が酸化されることを効果的に防止するとともに、配線層３００が酸化されることによる、導電パッド５００が脱落しやすく又は接触不良が発生しやすいという現象を改善することができ、導電パッド５００の結合性及び導電性を向上させる。
さらに、発光モジュールのエジェクトピン作業領域に保護パッド８００を増設することにより、エジェクトピンが上記領域に作用する時、エジェクトピンがパッケージ層６００を突き刺し、又は突き破ることを効果的に回避することができ、パッケージ層６００は依然として発光素子２００に対して良好な保護効果を有し、それにより発光素子２００の損傷を回避し、発光モジュールの故障を回避する。ここで、保護パッド８００は、導電パッド５００と同一工程で共に形成され、保護パッド８００の材料は導電パッド５００の材料と同じである。保護パッド８００は良好な構造強度を有し、後続の貼付又はダイボンドプロセスにおいて様々なエジェクトピンを選択してそれに作用することができ、貼付又はダイボンドの速度をさらに向上させる。
以上は本願の好ましい実施形態に過ぎず、当業者であれば、本願の技術的原理から逸脱しない前提で、さらにいくつかの改良及び置換を行うことができ、これらの改良及び置換も本願の保護範囲と見なされるべきであることが指摘されるべきである。
１００…透明層、１００１…第１の透明層、１００２…第２の透明層、２００…発光素子、２０１…第１の発光素子、２０２…第２の発光素子、２０３…第３の発光素子、２１０…充填層、３００…配線層、…３０００…総配線層、３００１…第１の領域、３００２…第２の領域、３００３…第３の領域、３００４…第１の領域と第２の領域の接続箇所、３０１…第１のサブ配線、３０２…第２のサブ配線、３０３…第３のサブ配線、３０４…第４のサブ配線、３１０…第１の層、３２０…第２の層、３３０…絶縁層、４００…導電保護層、５００…導電パッド、５０１…第１のパッド、５０２…第２のパッド、５０３…第３のパッド、５０４…第４のパッド、５１０…導電層、５２０…接着層、５３０…保護層、５４０…共晶層、６００…パッケージ層、７００…シード層、８００…保護パッド。

Claims (23)

  1. 間隔を置いて配置される複数の発光素子であって、各前記発光素子の厚さが１５μｍ以下であるものと、
    隣接する前記発光素子の間に充填される充填層と、
    前記複数の発光素子上に形成され、前記発光素子に電気的に接続するために用いられる配線層と、
    前記配線層の発光素子から離れた側に形成され、前記配線層に電気的に接続される導電パッドと、を含み、
    そのうち、前記充填層は黒色充填成分を含有し、前記黒色充填成分の粒径は前記発光素子の厚さの１／１０以下であり、又は、前記黒色充填成分の粒径は１μｍ以下であり、
    前記配線層は第１の領域及び第２の領域を有し、前記第１の領域は、前記導電パッドと垂直方向に重なる領域であり、前記第２の領域は、前記第１の領域と前記発光素子とを接続する領域であり、前記第１の領域と前記第２の領域との間には、第１の領域と第２の領域との接続箇所を有し、前記第１の領域と前記第２の領域との接続箇所の長さは２０μｍより大きく、又は、前記第１の領域と前記第２の領域との接続箇所の長さは前記導電パッドのいずれか一辺の長さの４０％以上である、ことを特徴とする発光モジュール。
  2. 前記充填層の黒色充填成分の粒径は１０～１００ｎｍであり、又は１００～２００ｎｍであり、又は２００～３００ｎｍであり、又は３００ｎｍ～５００ｎｍである、ことを特徴とする請求項１に記載の発光モジュール。
  3. 前記充填層の黒色充填成分はカーボンブラック、窒化チタン、酸化鉄、四三酸化鉄又は鉄粉のうちの少なくとも１つを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の発光モジュール。
  4. 前記充填層の厚さは１５μｍ以下である、ことを特徴とする請求項１に記載の発光モジュール。
  5. 前記充填層は少なくとも前記発光素子の光取り出し面に近い側壁の厚さの５０％以上を被覆する、ことを特徴とする請求項１に記載の発光モジュール。
  6. 隣接する前記発光素子の間のピッチは５０μｍより小さい、ことを特徴とする請求項１に記載の発光モジュール。
  7. 前記発光モジュールはパッケージ層をさらに含み、前記パッケージ層は前記導電パッドの周りに形成され、前記パッケージ層の厚さは２０μｍより大きい、ことを特徴とする請求項１に記載の発光モジュール。
  8. 前記パッケージ層はドープ粒子を含有し、前記ドープ粒子の粒径は１μｍより大きい、ことを特徴とする請求項７に記載の発光モジュール。
  9. 前記発光モジュールは透明層をさらに含み、前記透明層上に前記発光素子が設けられ、前記透明層は第１の透明層及び第２の透明層を含み、前記第２の透明層は前記第１の透明層と前記発光素子との間にあり、第１の透明層の厚さは１０μｍより大きく、前記第２の透明層の厚さは１０μｍより小さい、ことを特徴とする請求項１に記載の発光モジュール。
  10. 前記配線層は第１の層及び第２の層を含み、前記第１の層の材料はチタン、ニッケル、窒化チタン、窒化タンタル又はタンタルのうちの一種又は複数種を含み、前記第２の層の材料は銅、アルミニウム又は金のうちの一種又は複数種を含む、ことを特徴とする請求項１に記載の発光モジュール。
  11. 前記配線層の厚さは５０～１０００ｎｍである、ことを特徴とする請求項１に記載の発光モジュール。
  12. 前記配線層と前記導電パッドとの間はシード層をさらに含み、前記シード層の厚さは１００～２０００ｎｍである、ことを特徴とする請求項１に記載の発光モジュール。
  13. 前記発光モジュールは絶縁層をさらに含み、前記絶縁層は前記配線層の周りに充填される、ことを特徴とする請求項１に記載の発光モジュール。
  14. 前記導電パッドは導電層、接着層及び保護層を含み、前記導電層の厚さは２０μｍより大きく、前記接着層の厚さは３～５μｍであり、前記保護層の厚さは２５～５０ｎｍである、ことを特徴とする請求項１に記載の発光モジュール。
  15. 前記導電パッドは導電層、接着層及び共晶層を含み、前記導電層の厚さは２０μｍより大きく、前記接着層の厚さは３～５μｍであり、前記共晶層の厚さは１０～５０ｎｍである、ことを特徴とする請求項１に記載の発光モジュール。
  16. 前記導電パッドは導電層、接着層、共晶層及び保護層を含み、前記導電層の厚さは２０μｍより大きく、前記接着層の厚さは３～５μｍであり、前記共晶層の厚さは１０～５０ｎｍであり、前記保護層の厚さは２５～５０ｎｍである、ことを特徴とする請求項１に記載の発光モジュール。
  17. 前記発光モジュールはパッケージ層をさらに含み、前記パッケージ層は前記導電パッドの周りに充填され、前記パッケージ層の配線層から離れた表面は前記導電層の配線層から離れた表面と面一である、ことを特徴とする請求項１４～１６のいずれか一項に記載の発光モジュール。
  18. 前記導電パッドの総面積は前記発光モジュールの面積の２０％～７０％である、ことを特徴とする請求項１に記載の発光モジュール。
  19. 前記導電パッドの厚さは５μｍより大きく、前記配線層は前記導電パッドと直接接触する、ことを特徴とする請求項１に記載の発光モジュール。
  20. 前記発光素子と前記充填層との間に位置する付着層をさらに含む、ことを特徴とする請求項１に記載の発光モジュール。
  21. 前記パッケージ層の発光素子から離れた側に形成され、前記発光モジュールのエジェクトピン作業領域に位置する保護パッドをさらに含む、ことを特徴とする請求項１７に記載の発光モジュール。
  22. 前記導電パッドと前記配線層との間に位置する導電保護層をさらに含む、ことを特徴とする請求項１に記載の発光モジュール。
  23. 請求項１～２２のいずれか一項に記載の発光モジュールを含む、ことを特徴とする表示装置。
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