JP7648831B2 - 二次電池の異常検知装置及び二次電池 - Google Patents
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Description
本発明の一様態は、物、方法、又は、製造方法に関する。または、本発明は、プロセス、
マシン、マニュファクチャ、又は、組成物(コンポジション・オブ・マター)に関する。
本発明の一態様は、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、照明装置または電子機
器の製造方法に関する。また、本発明の一様態は、蓄電装置の充電制御方法、蓄電装置の
状態推定方法、及び蓄電装置の異常検知方法に関する。特に、蓄電装置の充電システム、
蓄電装置の状態推定システム、および蓄電装置の異常検知システムに関する。
マシン、マニュファクチャ、又は、組成物(コンポジション・オブ・マター)に関する。
本発明の一態様は、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、照明装置または電子機
器の製造方法に関する。また、本発明の一様態は、蓄電装置の充電制御方法、蓄電装置の
状態推定方法、及び蓄電装置の異常検知方法に関する。特に、蓄電装置の充電システム、
蓄電装置の状態推定システム、および蓄電装置の異常検知システムに関する。
なお、本明細書中において、蓄電装置とは、蓄電機能を有する素子及び装置全般を指すも
のである。例えば、リチウムイオン二次電池などの蓄電池(二次電池ともいう)、リチウ
ムイオンキャパシタ、ニッケル水素電池、全固体電池、及び電気二重層キャパシタなどを
含む。
のである。例えば、リチウムイオン二次電池などの蓄電池(二次電池ともいう)、リチウ
ムイオンキャパシタ、ニッケル水素電池、全固体電池、及び電気二重層キャパシタなどを
含む。
また、本発明の一態様は、ニューラルネットワークを用いた蓄電装置の異常検知システム
及び蓄電装置の状態推定装置に関する。また、本発明の一態様は、ニューラルネットワー
クを用いた車両に関する。また、本発明の一態様は、ニューラルネットワークを用いた電
子機器に関する。また、本発明の一態様は、車両に限定されず、構造体などに設置された
太陽光発電パネルなどの発電設備から得られた電力を貯蔵するための蓄電装置にも適用で
きる状態推定システム及び設備異常検知システムに関する。
及び蓄電装置の状態推定装置に関する。また、本発明の一態様は、ニューラルネットワー
クを用いた車両に関する。また、本発明の一態様は、ニューラルネットワークを用いた電
子機器に関する。また、本発明の一態様は、車両に限定されず、構造体などに設置された
太陽光発電パネルなどの発電設備から得られた電力を貯蔵するための蓄電装置にも適用で
きる状態推定システム及び設備異常検知システムに関する。
近年、リチウムイオン二次電池、リチウムイオンキャパシタ、空気電池等、種々の蓄電装
置の開発が盛んに行われている。特に高出力、高エネルギー密度であるリチウムイオン二
次電池は、携帯電話、スマートフォン、タブレット、もしくはノート型コンピュータ等の
携帯情報端末、ゲーム装置、携帯音楽プレーヤ、デジタルカメラ、医療機器、ハイブリッ
ド車(HEV)、電気自動車(EV)、もしくはプラグインハイブリッド車(PHEV)
等の次世代クリーンエネルギー自動車、又は、電動バイクなど、半導体産業の発展と併せ
て急速にその需要が拡大し、充電可能なエネルギーの供給源として現代の情報化社会に不
可欠なものとなっている。
置の開発が盛んに行われている。特に高出力、高エネルギー密度であるリチウムイオン二
次電池は、携帯電話、スマートフォン、タブレット、もしくはノート型コンピュータ等の
携帯情報端末、ゲーム装置、携帯音楽プレーヤ、デジタルカメラ、医療機器、ハイブリッ
ド車(HEV)、電気自動車(EV)、もしくはプラグインハイブリッド車(PHEV)
等の次世代クリーンエネルギー自動車、又は、電動バイクなど、半導体産業の発展と併せ
て急速にその需要が拡大し、充電可能なエネルギーの供給源として現代の情報化社会に不
可欠なものとなっている。
また、電気自動車は電動モータのみを駆動部とする車両であるが、エンジンなどの内燃機
関と電動モータの両方を備えたハイブリッド自動車もある。自動車に用いられる二次電池
も複数個を一つの電池パックとして、複数セットの電池パックが自動車の下部に配置され
ている。
関と電動モータの両方を備えたハイブリッド自動車もある。自動車に用いられる二次電池
も複数個を一つの電池パックとして、複数セットの電池パックが自動車の下部に配置され
ている。
電気自動車やハイブリッド自動車や電動バイクに用いる二次電池は、充電回数、放電深度
、充電電流、充電する環境(温度変化)などによって劣化が生じる。使用者の使い方にも
依存し、充電時の温度や、急速充電する頻度や、回生ブレーキによる充電量や、回生ブレ
ーキによる充電タイミングなども劣化に関係する可能性がある。また、電気自動車やハイ
ブリッド自動車に用いる二次電池は、経時劣化などにより、短絡などの異常が発生する恐
れがある。
、充電電流、充電する環境(温度変化)などによって劣化が生じる。使用者の使い方にも
依存し、充電時の温度や、急速充電する頻度や、回生ブレーキによる充電量や、回生ブレ
ーキによる充電タイミングなども劣化に関係する可能性がある。また、電気自動車やハイ
ブリッド自動車に用いる二次電池は、経時劣化などにより、短絡などの異常が発生する恐
れがある。
また、電気自動車やハイブリッド自動車や電動バイクに用いる二次電池は、長期間使用す
ることが前提であるため、十分な信頼性を有することが望まれている。
ることが前提であるため、十分な信頼性を有することが望まれている。
リチウムイオン二次電池は、設計容量(DC)のうち、電池の残容量(RC)が満充電容
量(FCC(Full Charge Capacity))にしめる割合、即ち充電率
(SOC)が設計容量の0%から100%全て使用する設定になっておらず、過放電を防
ぐため0%ではなくマージンが5%(または10%)程度とられている。また、過充電を
防ぐため100%ではなくマージン5%(または10%)程度がとられており、結果とし
て、設計容量の5%から95%の範囲内(または10%から90%の範囲内)で使用して
いるといわれている。実際には二次電池に接続されるBMS(Battery Mana
gement System)を用いて上限電圧Vmaxと下限電圧Vminの電圧範囲
を設定することで設計容量の5%から95%の範囲内(または10%から90%の範囲内
)で使用する。
量(FCC(Full Charge Capacity))にしめる割合、即ち充電率
(SOC)が設計容量の0%から100%全て使用する設定になっておらず、過放電を防
ぐため0%ではなくマージンが5%(または10%)程度とられている。また、過充電を
防ぐため100%ではなくマージン5%(または10%)程度がとられており、結果とし
て、設計容量の5%から95%の範囲内(または10%から90%の範囲内)で使用して
いるといわれている。実際には二次電池に接続されるBMS(Battery Mana
gement System)を用いて上限電圧Vmaxと下限電圧Vminの電圧範囲
を設定することで設計容量の5%から95%の範囲内(または10%から90%の範囲内
)で使用する。
二次電池は使用することや経時変化や温度変化により劣化が生じる。二次電池の内部の状
態、特にSOC(充電率)を正確に知ることで二次電池を管理する。SOCを正確に知る
ことで上限電圧Vmaxと下限電圧Vminの電圧範囲を広くすることもできる。従来で
はクーロンカウント法によりSOC推定がされている。
態、特にSOC(充電率)を正確に知ることで二次電池を管理する。SOCを正確に知る
ことで上限電圧Vmaxと下限電圧Vminの電圧範囲を広くすることもできる。従来で
はクーロンカウント法によりSOC推定がされている。
特許文献1には、二次電池の残容量の演算に、ニューラルネットワークを用いる一例が示
されている。
されている。
二次電池の異常を検出し、例えば二次電池の安全性を低下させる現象を早期に検出し、使
用者に警告、または二次電池の動作条件を変更することにより、安全性を確保することを
課題の一つとしている。
用者に警告、または二次電池の動作条件を変更することにより、安全性を確保することを
課題の一つとしている。
また、従来の二次電池の異常検知は、二次電池の劣化が生じて誤差が発生すると補正が必
要であるが、フィードバックによる補正も入らず、不十分であるため精度が低く、精度を
高めることも課題の一つとしている。
要であるが、フィードバックによる補正も入らず、不十分であるため精度が低く、精度を
高めることも課題の一つとしている。
また、二次電池に大きなノイズが発生した場合、二次電池の内部抵抗やSOCなどをモニ
タリングすると、入力されたノイズデータによって、後に推定されるSOCの数値に誤差
が生じる。理想的には、異常検知をおこないつつ、他のパラメータ(内部抵抗やSOCな
ど)も高い精度で予測する二次電池の制御システムを課題の一つとしている。
タリングすると、入力されたノイズデータによって、後に推定されるSOCの数値に誤差
が生じる。理想的には、異常検知をおこないつつ、他のパラメータ(内部抵抗やSOCな
ど)も高い精度で予測する二次電池の制御システムを課題の一つとしている。
リチウムイオン電池では、電流・電圧・温度のパラメータのみが測定でき、内部抵抗やS
OC(充電率)は直接測定することが困難である。そこで、回帰モデル(回帰的な式)、
例えば、回帰分析や、カルマンフィルタや、重回帰分析で計算処理して内部抵抗やSOC
を推定する。
OC(充電率)は直接測定することが困難である。そこで、回帰モデル(回帰的な式)、
例えば、回帰分析や、カルマンフィルタや、重回帰分析で計算処理して内部抵抗やSOC
を推定する。
カルマンフィルタは、無限インパルス応答フィルタの一種である。また、重回帰分析は多
変量解析の一つであり、回帰分析の独立変数を複数にしたものである。重回帰分析として
は、最小二乗法などがある。回帰分析では観測値の時系列が多く必要とされる一方、カル
マンフィルタは、ある程度のデータの蓄積さえあれば、逐次的に最適な補正係数が得られ
るメリットを有する。また、カルマンフィルタは、非定常時系列に対しても適用できる。
変量解析の一つであり、回帰分析の独立変数を複数にしたものである。重回帰分析として
は、最小二乗法などがある。回帰分析では観測値の時系列が多く必要とされる一方、カル
マンフィルタは、ある程度のデータの蓄積さえあれば、逐次的に最適な補正係数が得られ
るメリットを有する。また、カルマンフィルタは、非定常時系列に対しても適用できる。
二次電池の内部抵抗及びSOCを推定する方法として、非線形カルマンフィルタ(具体的
には無香料カルマンフィルタ(UKFとも呼ぶ))を利用することができる。また、拡張
カルマンフィルタ(EKFともよぶ)を用いることもできる。
には無香料カルマンフィルタ(UKFとも呼ぶ))を利用することができる。また、拡張
カルマンフィルタ(EKFともよぶ)を用いることもできる。
カルマンフィルタを用いて二次電池の内部抵抗及びSOCを推定することは知られており
、その手法のみでは突発的な異常、具体的にはマイクロショートなどを検出することが困
難となっている。二次電池の内部抵抗及びSOCを推定する場合には事後状態推定値を出
力として扱うが、本発明では、状態推定値は直接使わず、観測値と事前状態推定値の差分
を用いることで突発的な異常の検出を可能とする。
、その手法のみでは突発的な異常、具体的にはマイクロショートなどを検出することが困
難となっている。二次電池の内部抵抗及びSOCを推定する場合には事後状態推定値を出
力として扱うが、本発明では、状態推定値は直接使わず、観測値と事前状態推定値の差分
を用いることで突発的な異常の検出を可能とする。
上記課題を解決するために、本明細書で開示する二次電池の異常検知装置及び異常検知シ
ステム及び異常検知方法は、以下の手段を用いる。
ステム及び異常検知方法は、以下の手段を用いる。
カルマンフィルタを用い、ある時点における観測値(電圧)と事前状態変数を用いて推定
した電圧との差を検出する。あらかじめしきい値電圧を設定し、検出された差電圧により
突発的な異常、具体的にはマイクロショートなどを検出する。マイクロショートなどを検
出することによって二次電池の異常を早期に検知することができる。
した電圧との差を検出する。あらかじめしきい値電圧を設定し、検出された差電圧により
突発的な異常、具体的にはマイクロショートなどを検出する。マイクロショートなどを検
出することによって二次電池の異常を早期に検知することができる。
マイクロショートとは、二次電池の内部の微小な短絡のことを指しており、二次電池の正
極と負極が短絡して充放電不可能の状態になるというほどではなく、微小な短絡部でわず
かに短絡電流が流れてしまう現象を指している。マイクロショートの原因の一つは、充放
電が複数回行われることによって、正極活物質の不均一な分布により、正極の一部と負極
の一部で局所的な電流の集中が生じ、セパレータの一部が機能しなくなる箇所が発生、ま
たは副反応による副反応物の発生によりミクロな短絡が生じていると言われている。
極と負極が短絡して充放電不可能の状態になるというほどではなく、微小な短絡部でわず
かに短絡電流が流れてしまう現象を指している。マイクロショートの原因の一つは、充放
電が複数回行われることによって、正極活物質の不均一な分布により、正極の一部と負極
の一部で局所的な電流の集中が生じ、セパレータの一部が機能しなくなる箇所が発生、ま
たは副反応による副反応物の発生によりミクロな短絡が生じていると言われている。
理想的な二次電池としては、二次電池の小型化のため、セパレータの薄化が望まれており
、さらに、高い電圧での急速給電による充電が望まれており、どちらも二次電池にマイク
ロショートが生じやすい構成となっている。また、マイクロショートが繰り返し発生する
ことで二次電池の異常発熱、及び発火などの重大事故に繋がる可能性がある。
、さらに、高い電圧での急速給電による充電が望まれており、どちらも二次電池にマイク
ロショートが生じやすい構成となっている。また、マイクロショートが繰り返し発生する
ことで二次電池の異常発熱、及び発火などの重大事故に繋がる可能性がある。
従って、マイクロショートが発生した場合に早期に検出し、未然に重大事故を防ぐための
異常検知システム、または二次電池の制御システム、または二次電池の充電システムを構
成する。マイクロショートは二次電池特有の異常であり、従来、マイクロショートに注目
し、マイクロショートを検出する方法及びシステムは存在していなかった。本発明者らは
、マイクロショートが発生した時に大きく変動する値を見出し、その値を算出する方法お
よびシステムを構築する。さらに、AI(AI:Artificial Intelli
gence)のシステム(ニューラルネットワーク)を用いてフィードバックによる補正
を入れて二次電池の異常発生の検出を行う。
異常検知システム、または二次電池の制御システム、または二次電池の充電システムを構
成する。マイクロショートは二次電池特有の異常であり、従来、マイクロショートに注目
し、マイクロショートを検出する方法及びシステムは存在していなかった。本発明者らは
、マイクロショートが発生した時に大きく変動する値を見出し、その値を算出する方法お
よびシステムを構築する。さらに、AI(AI:Artificial Intelli
gence)のシステム(ニューラルネットワーク)を用いてフィードバックによる補正
を入れて二次電池の異常発生の検出を行う。
二次電池の異常発生の検出を行う測定モデルを以下に示す。ここでモデルとは二次電池の
異常検知システムのモデルであり、システムへの入力に対して予め定められた手順に従っ
て計算もしくはシミュレーションを行うことによってシステムからの出力を決定する。回
帰や学習などの手段によって、システムの入力に対して最適な出力を決定することができ
る仕組み(例えば、ニューラルネットワーク、隠れマルコフモデル、多項式関数近似など
)をモデルとする。これらのモデルは一例であり、限定されない。
異常検知システムのモデルであり、システムへの入力に対して予め定められた手順に従っ
て計算もしくはシミュレーションを行うことによってシステムからの出力を決定する。回
帰や学習などの手段によって、システムの入力に対して最適な出力を決定することができ
る仕組み(例えば、ニューラルネットワーク、隠れマルコフモデル、多項式関数近似など
)をモデルとする。これらのモデルは一例であり、限定されない。
事前推定予測ステップではモデル及び入力値を利用し、事後推定ステップ(フィルタリン
グステップとも呼ぶ)では観測値を利用する。
グステップとも呼ぶ)では観測値を利用する。
上記式は、システムの状態の遷移を記述する状態方程式である。
ある時点(時刻k)において観測値y(k)はx(k)と以下のような関係にある。
cTは状態空間を観測空間に線形写像する役割を担う観測モデルである。w(k)は観測
雑音である。上記式は観測方程式である。
雑音である。上記式は観測方程式である。
状態方程式と観測方程式を合わせて状態空間モデルと呼ぶ。
また、事前状態推定値(左辺)は以下の式で表せる。
なお、kは0、1、2、などの整数、kは時間である。u(k)は入力信号であり二次電
池の場合電流値となり、x(k)は状態変数を表している。
池の場合電流値となり、x(k)は状態変数を表している。
また、事前誤差共分散(左辺であるP-(k)は共分散行列の逆行列である)は以下の式
で表せる。
で表せる。
事前推定予測ステップでは状態方程式に基づき、事前状態推定値及び状態の事前共分散行
列を算出する。時刻kにおける事後状態推定値及び状態の事後共分散行列と状態方程式に
基づき、時刻k+1における事前状態推定値及び事前共分散行列を算出する。
列を算出する。時刻kにおける事後状態推定値及び状態の事後共分散行列と状態方程式に
基づき、時刻k+1における事前状態推定値及び事前共分散行列を算出する。
推定値と実測の電圧(観測値)を比較し、カルマンフィルタにより、誤差の重み付け係数
であるカルマンゲインを算出して、推定値を補正する。フィルタリングステップで用いる
カルマンゲインg(k)は以下の式で表すことができる。
であるカルマンゲインを算出して、推定値を補正する。フィルタリングステップで用いる
カルマンゲインg(k)は以下の式で表すことができる。
フィルタリングステップで用いる事後状態推定値(左辺)は、以下の式で表すことができ
る。
る。
また、フィルタリングステップで用いる事後誤差共分散行列P(k)は以下の式で表すこ
とができる。
とができる。
上述した二次電池の異常発生の検出を行う測定モデルにより、以下の式の値、即ちある時
点における観測値(電圧)と事前状態変数を用いて推定した電圧との差(差電圧)を監視
し、その値の挙動が大きく変化した場合をマイクロショートなどの異常が発生したとみな
すことで検出する。
点における観測値(電圧)と事前状態変数を用いて推定した電圧との差(差電圧)を監視
し、その値の挙動が大きく変化した場合をマイクロショートなどの異常が発生したとみな
すことで検出する。
比較器などにより上記式の差電圧の値が、あるしきい値を越えたとして信号を出力し、異
常を検出した場合、ディスプレイに異常信号を外部に連絡する表示ための信号、またはス
ピーカにブザーなどの警告のための信号を出力する。本明細書では、「検出」と「検知」
の用語は使い分ける。「検知」は、異常データを検出し、その異常データが正しい場合に
、外部に連絡する、即ち、他の回路への信号を出力することを検知と呼ぶこととする。「
検出」は、異常データをピックアップすることのみを指し、ノイズ(正しくない異常デー
タ)も含む、と定義する。従って、「検出」は「検知」の一部であるが、イコールではな
く、「検知」は他の回路への通知(信号出力)を少なくとも含む。
常を検出した場合、ディスプレイに異常信号を外部に連絡する表示ための信号、またはス
ピーカにブザーなどの警告のための信号を出力する。本明細書では、「検出」と「検知」
の用語は使い分ける。「検知」は、異常データを検出し、その異常データが正しい場合に
、外部に連絡する、即ち、他の回路への信号を出力することを検知と呼ぶこととする。「
検出」は、異常データをピックアップすることのみを指し、ノイズ(正しくない異常デー
タ)も含む、と定義する。従って、「検出」は「検知」の一部であるが、イコールではな
く、「検知」は他の回路への通知(信号出力)を少なくとも含む。
また、充電状態から放電状態への切り替え時、または放電状態から充電状態への切り替え
時に差電圧が大きく変動し、ノイズが発生する。このノイズの発生は二次電池の異常に繋
がる現象ではないため、このノイズを除去するために比較器を複数設けてもよい。
時に差電圧が大きく変動し、ノイズが発生する。このノイズの発生は二次電池の異常に繋
がる現象ではないため、このノイズを除去するために比較器を複数設けてもよい。
本明細書で開示する発明の構成は、第1観測値となる二次電池の電圧値を検出する第1の
検出手段と、第2観測値となる二次電池の電流値を検出する第2の検出手段と、状態方程
式に基づくカルマンフィルタを用いて事前状態推定値(推定電圧値)を算出する算出部と
、第1観測値の電圧値と、前の時刻に得た推定電圧値との差分を求め、あるしきい値範囲
を超えると二次電池が異常(マイクロショートなど)であると判定する判定部と、を有す
る異常検知装置である。
検出手段と、第2観測値となる二次電池の電流値を検出する第2の検出手段と、状態方程
式に基づくカルマンフィルタを用いて事前状態推定値(推定電圧値)を算出する算出部と
、第1観測値の電圧値と、前の時刻に得た推定電圧値との差分を求め、あるしきい値範囲
を超えると二次電池が異常(マイクロショートなど)であると判定する判定部と、を有す
る異常検知装置である。
上記構成において、判定部は1つまたは複数の比較器を有する。複数の比較器を用いるこ
とでノイズを除去でき、異常検出の誤差が低減できる。
とでノイズを除去でき、異常検出の誤差が低減できる。
さらに、ニューラルネットワークを用いて時系列の差電圧のデータを学習し、異常か正常
かを判断し検知することが好ましい。上記構成において、第1観測値の電圧値と、前の時
刻に得た推定電圧値との差分を入力するニューラルネットワーク構成部と、を有する。
かを判断し検知することが好ましい。上記構成において、第1観測値の電圧値と、前の時
刻に得た推定電圧値との差分を入力するニューラルネットワーク構成部と、を有する。
また、本明細書で開示する他の構成は、二次電池が異常であるかを判定する異常検知方法
であって、状態方程式に基づくカルマンフィルタを用いて推定電圧値を出力する事前推定
予測ステップと、事後状態推定値及び事後誤差共分散行列を算出するフィルタリングステ
ップとを有する異常検知方法である。
であって、状態方程式に基づくカルマンフィルタを用いて推定電圧値を出力する事前推定
予測ステップと、事後状態推定値及び事後誤差共分散行列を算出するフィルタリングステ
ップとを有する異常検知方法である。
また、本明細書で開示する他の構成は、コンピュータを、状態方程式に基づくカルマンフ
ィルタを用いて事前状態推定値(推定電圧値)を算出する算出部、前記観測値の電圧値と
、前の時刻に得た推定電圧値との差分を求め、あるしきい値範囲を超えると二次電池が異
常であると判定する判定部、として機能させるためのプログラムである。
ィルタを用いて事前状態推定値(推定電圧値)を算出する算出部、前記観測値の電圧値と
、前の時刻に得た推定電圧値との差分を求め、あるしきい値範囲を超えると二次電池が異
常であると判定する判定部、として機能させるためのプログラムである。
上記異常検知装置や、上記方法や、上記プログラムを実行するコンピュータを用いて、二
次電池の異常検知システムを構成することもできる。コンピュータは、例えば電気自動車
の制御装置、スマートフォン、ノート型のパーソナルコンピュータであり、その構成とし
て制御部、記憶部、及び入出力部を有する。制御部はCPU(またはMPU、MCU(M
icro Controller Unit))などを有する。また、制御部は、GPU
(Graphics Processing Unit)を用いることもできる。また、
CPUとGPUを一つに統合したチップをAPU(Accelerated Proce
ssing Unit)と呼ぶこともあり、このAPUチップを用いることもできる。ま
た、AIシステムを組み込んだIC(推論チップとも呼ぶ)を用いてもよい。AIシステ
ムを組み込んだICは、ニューラルネット演算を行う回路(マイクロプロセッサ)と呼ぶ
場合もある。
次電池の異常検知システムを構成することもできる。コンピュータは、例えば電気自動車
の制御装置、スマートフォン、ノート型のパーソナルコンピュータであり、その構成とし
て制御部、記憶部、及び入出力部を有する。制御部はCPU(またはMPU、MCU(M
icro Controller Unit))などを有する。また、制御部は、GPU
(Graphics Processing Unit)を用いることもできる。また、
CPUとGPUを一つに統合したチップをAPU(Accelerated Proce
ssing Unit)と呼ぶこともあり、このAPUチップを用いることもできる。ま
た、AIシステムを組み込んだIC(推論チップとも呼ぶ)を用いてもよい。AIシステ
ムを組み込んだICは、ニューラルネット演算を行う回路(マイクロプロセッサ)と呼ぶ
場合もある。
記憶部はRAM、ROM、及びHDDなどを有する。入出力部は操作部、表示部、及び通
信部などを有する。また、上記プログラムは、コンピュータの記憶部に記憶されているこ
とに限定されず、コンピュータが読み取り可能な記憶媒体に記憶されたプログラムをコン
ピュータが読みだして実行するようにしてもよい。コンピュータが読み取り可能な記憶媒
体は、例えばCD-ROMなどのディスク、磁気テープ、USBメモリ、フラッシュメモ
リなどである。また、インターネット、LAN(Local Area Network
)、無線LAN等の接続回線に接続された装置に上記プログラムを記憶させておき、コン
ピュータがこれらの接続回線からプログラムを読みだして実行するようにしてもよい。
信部などを有する。また、上記プログラムは、コンピュータの記憶部に記憶されているこ
とに限定されず、コンピュータが読み取り可能な記憶媒体に記憶されたプログラムをコン
ピュータが読みだして実行するようにしてもよい。コンピュータが読み取り可能な記憶媒
体は、例えばCD-ROMなどのディスク、磁気テープ、USBメモリ、フラッシュメモ
リなどである。また、インターネット、LAN(Local Area Network
)、無線LAN等の接続回線に接続された装置に上記プログラムを記憶させておき、コン
ピュータがこれらの接続回線からプログラムを読みだして実行するようにしてもよい。
また、本明細書で開示する他の構成は、マイクロショートを検知する異常検知システムで
あって、第1観測値となる二次電池の電圧値を検出する第1の検出手段と、第2観測値と
なる二次電池の電流値を検出する第2の検出手段と、状態方程式に基づくカルマンフィル
タを用いて事前状態推定値(推定電圧値)を算出する算出部と、第1観測値の電圧値と、
前の時刻に得た推定電圧値との差分を求め、あるしきい値範囲を超えると二次電池が異常
(マイクロショートなど)であると判定する判定部と、を有し、マイクロショート起因の
データの異常を検知する異常検知システムである。
あって、第1観測値となる二次電池の電圧値を検出する第1の検出手段と、第2観測値と
なる二次電池の電流値を検出する第2の検出手段と、状態方程式に基づくカルマンフィル
タを用いて事前状態推定値(推定電圧値)を算出する算出部と、第1観測値の電圧値と、
前の時刻に得た推定電圧値との差分を求め、あるしきい値範囲を超えると二次電池が異常
(マイクロショートなど)であると判定する判定部と、を有し、マイクロショート起因の
データの異常を検知する異常検知システムである。
本明細書で開示する二次電池の異常検知システムは、常時または定期的に二次電池の監視
を行う。サンプリング周期(及び演算周期)は適宜設定することができる。また、本明細
書で開示する二次電池の異常検知システムは、二次電池の監視システムとも呼べる。さら
に、温度センサや、カメラや、ガスセンサなどを用いて二次電池の外表面温度の異常、外
形変形などの異常を検出することも二次電池の異常検知システムに含めると、より確実に
異常検出を可能とすることもできる。
を行う。サンプリング周期(及び演算周期)は適宜設定することができる。また、本明細
書で開示する二次電池の異常検知システムは、二次電池の監視システムとも呼べる。さら
に、温度センサや、カメラや、ガスセンサなどを用いて二次電池の外表面温度の異常、外
形変形などの異常を検出することも二次電池の異常検知システムに含めると、より確実に
異常検出を可能とすることもできる。
異常と判断した予測誤差をそのままカルマンフィルタに入力せずに代わりに正常と判断し
た予測誤差を入力する。異常値を用いず二次電池の内部抵抗及びSOCを算出することで
推定の精度を高める。
た予測誤差を入力する。異常値を用いず二次電池の内部抵抗及びSOCを算出することで
推定の精度を高める。
本明細書で開示する発明の他の構成は、二次電池の充電状態を推定する二次電池の状態推
定方法であって、二次電池から観測値のデータを取得し、回帰モデルを用いて事前状態推
定値を算出し、観測値と事前状態推定値の差である予測誤差電圧Vdを算出し、予測誤差
電圧Vdのデータが予め設定したしきい値を超えるか否かに基づいてデータがノイズかど
うかを判定し、ノイズと判定されたデータに代えて、異常検出前のk個のデータの平均値
を回帰モデルに入れ替えて入力して補正し、ノイズ検出後も異常検知を続ける二次電池の
状態推定方法である。
定方法であって、二次電池から観測値のデータを取得し、回帰モデルを用いて事前状態推
定値を算出し、観測値と事前状態推定値の差である予測誤差電圧Vdを算出し、予測誤差
電圧Vdのデータが予め設定したしきい値を超えるか否かに基づいてデータがノイズかど
うかを判定し、ノイズと判定されたデータに代えて、異常検出前のk個のデータの平均値
を回帰モデルに入れ替えて入力して補正し、ノイズ検出後も異常検知を続ける二次電池の
状態推定方法である。
マイクロショートの問題は充電中に発生する。例えば1本のみの電池で構成されている場
合は、充電器で電流が制御されるため、マイクロショート時には見た目の電流値は変化せ
ず、電圧値に変化が現れる。ただし並列電池になると、電圧変化は小さくなり検出が難し
くなる。また、この電圧変化は電池使用の上下限電圧範囲内にあるため、特別な検知機構
が必要である。また、電流に関しては並列電池では、マイクロショートが発生すると内部
抵抗が低くなるため、健常電池に流れる電流量は相対的に小さくなり、異常電池に多くの
電流が流れることになり危険である。ただし、組電池全体の電流は制御された値が保たれ
る為、異常を検知することが難しい。また、一般的な組電池の構成であれば、各直列段の
電圧をモニターすることが普通であるが、全電池の電流をモニターすることはコスト、配
線の煩雑さから採用するのは難しい。
合は、充電器で電流が制御されるため、マイクロショート時には見た目の電流値は変化せ
ず、電圧値に変化が現れる。ただし並列電池になると、電圧変化は小さくなり検出が難し
くなる。また、この電圧変化は電池使用の上下限電圧範囲内にあるため、特別な検知機構
が必要である。また、電流に関しては並列電池では、マイクロショートが発生すると内部
抵抗が低くなるため、健常電池に流れる電流量は相対的に小さくなり、異常電池に多くの
電流が流れることになり危険である。ただし、組電池全体の電流は制御された値が保たれ
る為、異常を検知することが難しい。また、一般的な組電池の構成であれば、各直列段の
電圧をモニターすることが普通であるが、全電池の電流をモニターすることはコスト、配
線の煩雑さから採用するのは難しい。
図14にフロー図を示したように、比較回路で信号REFと比較して小さい、即ち、式8
の値<REFとなった時をマイクロショートなどの異常発生とみなし、この異常を検出し
た後、予測誤差のデータを作成、例えば1ステップから4ステップ前までの正常な予測誤
差の平均をカルマンフィルタに投入する。異常を検知した後も正確にSOCを求めること
ができる。カルマンフィルタの利点は、高精度に残容量予測が可能であり、さらに初期残
容量が未知であったとしても残容量予測が可能であるといえる。
の値<REFとなった時をマイクロショートなどの異常発生とみなし、この異常を検出し
た後、予測誤差のデータを作成、例えば1ステップから4ステップ前までの正常な予測誤
差の平均をカルマンフィルタに投入する。異常を検知した後も正確にSOCを求めること
ができる。カルマンフィルタの利点は、高精度に残容量予測が可能であり、さらに初期残
容量が未知であったとしても残容量予測が可能であるといえる。
従来、マイクロショート発生前後で推定値に誤差が生じ、真の容量値とずれが発生する問
題があった。マイクロショート発生に起因するデータを取り除き、正常な値を入力するこ
とで推定の結果の精度を上げることができる。
題があった。マイクロショート発生に起因するデータを取り除き、正常な値を入力するこ
とで推定の結果の精度を上げることができる。
そこで、異常検知の元となったデータを異常検知後の推測に用いないようにすることで、
異常検知後にもマイクロショートが繰り返し発生するまでは、二次電池の使用を可能とす
ることができる。
異常検知後にもマイクロショートが繰り返し発生するまでは、二次電池の使用を可能とす
ることができる。
二次電池の充電状態の推定を行う推定方法を以下に示す。二次電池の異常発生の検出を行
った後、引き続き推定を行う手順を繰り返す。推定には、回帰や学習などの手段によって
、システムの入力に対して最適な出力を決定することができる仕組み(例えば、ニューラ
ルネットワーク、隠れマルコフモデル、多項式関数近似など)を用いる。学習を行うため
には学習のための大量のデータ及び分析を用いることが好ましいため、ワークステーショ
ンまたはサーバアプライアンス上のサイト内で実施してもよく、その場合には1以上のサ
ーバを用い、データの蓄積、及び分析を自動化またはオペレータの連携を伴う半自動化で
行う。また、予め大量のデータの記憶及び分析が終了し結果が得られている場合には、そ
れらの結果をシステム、具体的にはプログラムまたはICチップのメモリに組み込むこと
でサーバを用いることなく異常検出及び充電状態の推定を行うこともできる。
った後、引き続き推定を行う手順を繰り返す。推定には、回帰や学習などの手段によって
、システムの入力に対して最適な出力を決定することができる仕組み(例えば、ニューラ
ルネットワーク、隠れマルコフモデル、多項式関数近似など)を用いる。学習を行うため
には学習のための大量のデータ及び分析を用いることが好ましいため、ワークステーショ
ンまたはサーバアプライアンス上のサイト内で実施してもよく、その場合には1以上のサ
ーバを用い、データの蓄積、及び分析を自動化またはオペレータの連携を伴う半自動化で
行う。また、予め大量のデータの記憶及び分析が終了し結果が得られている場合には、そ
れらの結果をシステム、具体的にはプログラムまたはICチップのメモリに組み込むこと
でサーバを用いることなく異常検出及び充電状態の推定を行うこともできる。
また、二次電池を充電するために無線で電力を給電する場合においても、本明細書で開示
する二次電池の異常検知システムを用いることもできる。数W以上の電力を、数十センチ
以下に離した距離で無線伝送する方式としては、電磁誘導方式、磁界共鳴方式がある。電
磁誘導方式としては、Qi(チー)規格がある。また磁界共鳴方式としては、WiPow
er規格がある。送電装置からの電力を受電コイルで受け取り、その受電コイルと二次電
池の間に異常検知装置を設ければよい。異常検知装置が異常検知した場合には、送電装置
からの電力をストップする指示を通信機能(無線LANやブルートゥース(Blue t
ooth(登録商標)))を用いて行う。
する二次電池の異常検知システムを用いることもできる。数W以上の電力を、数十センチ
以下に離した距離で無線伝送する方式としては、電磁誘導方式、磁界共鳴方式がある。電
磁誘導方式としては、Qi(チー)規格がある。また磁界共鳴方式としては、WiPow
er規格がある。送電装置からの電力を受電コイルで受け取り、その受電コイルと二次電
池の間に異常検知装置を設ければよい。異常検知装置が異常検知した場合には、送電装置
からの電力をストップする指示を通信機能(無線LANやブルートゥース(Blue t
ooth(登録商標)))を用いて行う。
本明細書で以下に説明される実施形態は、種々のコンピュータハードウェア、若しくはソ
フトウェアを含む、専用コンピュータまたは汎用コンピュータの使用を含む。また、本明
細書で以下に説明される実施形態は、コンピュータが読み取り可能な記録媒体を使用して
実装することができる。また、記録媒体は、RAM、ROM、光ディスク、磁気ディスク
、またはコンピュータによってアクセスされうる任意の他のストレージ媒体を含んでもよ
い。また、本明細書で以下に説明される実施形態に一例として示されているアルゴリズム
、構成要素、フロー、プログラムなどはソフトウェアにおいて実装される、或いはハード
ウェア及びソフトウェアの組み合わせにおける実装が可能である。
フトウェアを含む、専用コンピュータまたは汎用コンピュータの使用を含む。また、本明
細書で以下に説明される実施形態は、コンピュータが読み取り可能な記録媒体を使用して
実装することができる。また、記録媒体は、RAM、ROM、光ディスク、磁気ディスク
、またはコンピュータによってアクセスされうる任意の他のストレージ媒体を含んでもよ
い。また、本明細書で以下に説明される実施形態に一例として示されているアルゴリズム
、構成要素、フロー、プログラムなどはソフトウェアにおいて実装される、或いはハード
ウェア及びソフトウェアの組み合わせにおける実装が可能である。
上述の数式8の値(差電圧)を監視することにより容易、且つ、精度の高い二次電池の異
常検出が可能となる。さらにニューラルネットワークを用いてフィードバックによる補正
を入れて二次電池の異常検出を行うことで、より精度の高い二次電池の異常検出が可能と
なる。
常検出が可能となる。さらにニューラルネットワークを用いてフィードバックによる補正
を入れて二次電池の異常検出を行うことで、より精度の高い二次電池の異常検出が可能と
なる。
また、一つの二次電池に対しての異常検知にかぎらず、直列接続された複数の二次電池に
対して異常検知を行うこともできる。
対して異常検知を行うこともできる。
また、二次電池は電解液を用いるリチウムイオン二次電池に限定されず、固体電解質を用
いる全固体電池、ナトリウムイオン二次電池、カリウムイオン二次電池なども用いること
ができる。カリウムイオン二次電池は、リチウムやナトリウムに比べて溶媒を引き寄せる
力が弱く、イオンが自由に電解液中を移動できる。二次電池の種類やサイズが変更される
場合には、しきい値もその二次電池に合わせて適宜設定する。全固体電池においてもマイ
クロショートは発生しうるため、本明細書で開示する異常検知システムは、有用である。
いる全固体電池、ナトリウムイオン二次電池、カリウムイオン二次電池なども用いること
ができる。カリウムイオン二次電池は、リチウムやナトリウムに比べて溶媒を引き寄せる
力が弱く、イオンが自由に電解液中を移動できる。二次電池の種類やサイズが変更される
場合には、しきい値もその二次電池に合わせて適宜設定する。全固体電池においてもマイ
クロショートは発生しうるため、本明細書で開示する異常検知システムは、有用である。
本明細書で開示する異常検知システムは、ICチップなどに搭載し、車両のシステムの一
部に組み込むこともでき、有用である。また、他の機能回路(ランダムアクセスメモリ(
Random Access Memory:RAM)、GPU(Graphics P
rocessing Unit)、PMU(Power Management Uni
t)など)と統合した一つのICチップで構成されてもよい。
部に組み込むこともでき、有用である。また、他の機能回路(ランダムアクセスメモリ(
Random Access Memory:RAM)、GPU(Graphics P
rocessing Unit)、PMU(Power Management Uni
t)など)と統合した一つのICチップで構成されてもよい。
本明細書で開示する異常検知システムは、検出タイミングを短縮することができ、リアル
タイムでの異常検出を実現できる。また、充電時または放電時など二次電池の状態にかか
わらず異常検出を実現できる。
タイムでの異常検出を実現できる。また、充電時または放電時など二次電池の状態にかか
わらず異常検出を実現できる。
また、リアルタイムで二次電池の異常を検知し、異常の検知に用いたノイズを除去して他
のパラメータ(内部抵抗やSOCなど)も高い精度で予測する二次電池の制御システムを
実現できる。
のパラメータ(内部抵抗やSOCなど)も高い精度で予測する二次電池の制御システムを
実現できる。
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は
以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれ
ば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈さ
れるものではない。
以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれ
ば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈さ
れるものではない。
(実施の形態1)
図1は、異常検出に用いる電池の等価回路モデル(電池モデルとも呼ぶ)の一例である。
図1中に示すR0は直列抵抗成分、R1、R2、R3、R4は抵抗である。また、C2、
C3、C4は容量である。
図1は、異常検出に用いる電池の等価回路モデル(電池モデルとも呼ぶ)の一例である。
図1中に示すR0は直列抵抗成分、R1、R2、R3、R4は抵抗である。また、C2、
C3、C4は容量である。
図1中のマイクロショートモデル400にパルス信号をある一定時間間隔で印加してマイ
クロショートを疑似的に発生させて電池モデルの数値シミュレーションを行う。本実施の
形態では数値シミュレーションを用いて説明するが、実際には異常のある電池の電圧を監
視する。
クロショートを疑似的に発生させて電池モデルの数値シミュレーションを行う。本実施の
形態では数値シミュレーションを用いて説明するが、実際には異常のある電池の電圧を監
視する。
図1中に示すOCVは、開回路電圧(Open Circuit Voltage)の略
称であり、電池が外部回路から切り離されて十分時間が経ち、電池内部の電気化学反応が
平衡状態となった時の正極と負極の電位差としている。
称であり、電池が外部回路から切り離されて十分時間が経ち、電池内部の電気化学反応が
平衡状態となった時の正極と負極の電位差としている。
図2(A)は機能ブロックの一例を示す図であり、推定ロジックとも呼べる。
図2(A)において遅延回路402は、時刻kでの状態推定値を時刻(k+1)での推定
に用いるための回路である。図2(A)においてAとbはモデルから得られる行列である
。CTは、観測係数ベクトルである。Z-1は遅延回路である。
に用いるための回路である。図2(A)においてAとbはモデルから得られる行列である
。CTは、観測係数ベクトルである。Z-1は遅延回路である。
図2(A)において符号401で示した部分が観測値(電圧)と事前状態変数を用いて推
定した電圧との差(差電圧)の部分である。差電圧が急峻に変化するとマイクロショート
が発生したとみなすことができるため、この差電圧の値を比較器403に入力し、比較器
403にて参照信号(REF)で与えられたしきい値と比較することで異常かどうかの判
定を行う。比較器403において入力された2つの値のうち、比較して低い方を出力LO
とする。1ステップ期間内に数回にわたりREFを変更してマルチレベルで比較を行って
もよい。
定した電圧との差(差電圧)の部分である。差電圧が急峻に変化するとマイクロショート
が発生したとみなすことができるため、この差電圧の値を比較器403に入力し、比較器
403にて参照信号(REF)で与えられたしきい値と比較することで異常かどうかの判
定を行う。比較器403において入力された2つの値のうち、比較して低い方を出力LO
とする。1ステップ期間内に数回にわたりREFを変更してマルチレベルで比較を行って
もよい。
図2(B)に二次電池の端子電圧と、差電圧と時間の関係グラフを示す。横軸が時間、縦
軸が電圧である。端子電圧の値では変動がそれほど大きくないため、マイクロショートの
発生タイミングを特定することが困難である。一方、図2(B)に示すように中央に急峻
な変動が差電圧(観測値と事前状態推定値の電圧差)に表れており、マイクロショートの
発生のタイミングと一致している。従って差電圧を監視することでマイクロショートの発
生を判定できる。
軸が電圧である。端子電圧の値では変動がそれほど大きくないため、マイクロショートの
発生タイミングを特定することが困難である。一方、図2(B)に示すように中央に急峻
な変動が差電圧(観測値と事前状態推定値の電圧差)に表れており、マイクロショートの
発生のタイミングと一致している。従って差電圧を監視することでマイクロショートの発
生を判定できる。
さらに、同じ入力データを用いて図2(A)で示される推定ロジックを一部共通させて用
いることでSOC推定値も出力することもできる。回路規模を大きくすることなくSOC
推定値を出力することができる。
いることでSOC推定値も出力することもできる。回路規模を大きくすることなくSOC
推定値を出力することができる。
(実施の形態2)
本実施の形態では、さらにニューラルネットワーク(NN)を用いて精度を高める構成に
ついて以下に説明する。
本実施の形態では、さらにニューラルネットワーク(NN)を用いて精度を高める構成に
ついて以下に説明する。
図3は機能ブロックの一例を示す図である。実施の形態1とはニューラルネットワーク部
404を有している点で異なっている。図3(A)中のNNはニューラルネットワーク部
であり、出力LO(k)としている。
404を有している点で異なっている。図3(A)中のNNはニューラルネットワーク部
であり、出力LO(k)としている。
図3(A)において符号401で示した部分が観測値(電圧)と事前状態変数を用いて推
定した電圧との差(差電圧)の部分であり、この差電圧の値をニューラルネットワーク部
404に入力し、学習データと比較することで異常かどうかの判定を行う。また、ニュー
ラルネットワーク部404に入力されたデータを蓄積し、学習データの一部とすることで
さらに精度を上げることもできる。
定した電圧との差(差電圧)の部分であり、この差電圧の値をニューラルネットワーク部
404に入力し、学習データと比較することで異常かどうかの判定を行う。また、ニュー
ラルネットワーク部404に入力されたデータを蓄積し、学習データの一部とすることで
さらに精度を上げることもできる。
また、図3(B)は他のバリエーションの一つである。図3(B)に示す機能ブロックは
、比較器とニューラルネットワーク(NN)の両方に差電圧の値を入力し、両方の出力の
ORをとる。また、ORではなく、ANDとしてもよい。
、比較器とニューラルネットワーク(NN)の両方に差電圧の値を入力し、両方の出力の
ORをとる。また、ORではなく、ANDとしてもよい。
また、図4(A)は他のバリエーションの一つである。図4(A)に示す機能ブロックは
、比較器の出力をニューラルネットワーク(NN)に入力し、出力された値で異常かどう
かの判定を行う。
、比較器の出力をニューラルネットワーク(NN)に入力し、出力された値で異常かどう
かの判定を行う。
また、図4(B)は他のバリエーションの一つである。図4(B)に示す機能ブロックは
、比較器の出力をニューラルネットワーク(NN)に入力し、比較器とニューラルネット
ワーク(NN)のANDをとった値で異常かどうかの判定を行う。
、比較器の出力をニューラルネットワーク(NN)に入力し、比較器とニューラルネット
ワーク(NN)のANDをとった値で異常かどうかの判定を行う。
また、図5(A)は、他のバリエーションの一つである。図5(A)に示す機能ブロック
は、カルマンゲインg(k)を通過後のデータを用いて異常検出する構成としている。
は、カルマンゲインg(k)を通過後のデータを用いて異常検出する構成としている。
(実施の形態3)
本実施の形態では、さらにもう一つの比較器を用いて精度を高める構成について以下に説
明する。
本実施の形態では、さらにもう一つの比較器を用いて精度を高める構成について以下に説
明する。
時間の経過と差電圧の値の関係を調べ、マイクロショートの発生時とは異なる誤差がある
。本発明者らは、二次電池において充電と放電の切り替え時に誤差が発生することを見出
した。図6(A)に示すように端子電流が放電のタイミングで変化しているようすがわか
る。
。本発明者らは、二次電池において充電と放電の切り替え時に誤差が発生することを見出
した。図6(A)に示すように端子電流が放電のタイミングで変化しているようすがわか
る。
充電と放電の切り替え時にはプラス側のオーバーシュートが見られない。これに対し、図
6(B)に示したようにマイクロショートが発生するとプラス側とマイナス側の両方にオ
ーバーシュートが生じている。プラス側のオーバーシュートは予測誤差分の修正が次のス
テップに反映されたためである。先にマイナス側のオーバーシュートが生じた後、プラス
側にオーバーシュートが生じている。この違いにより、プラス側のオーバーシュートのみ
の場合には誤差としてマイクロショート発生と判定しない構成とする。
6(B)に示したようにマイクロショートが発生するとプラス側とマイナス側の両方にオ
ーバーシュートが生じている。プラス側のオーバーシュートは予測誤差分の修正が次のス
テップに反映されたためである。先にマイナス側のオーバーシュートが生じた後、プラス
側にオーバーシュートが生じている。この違いにより、プラス側のオーバーシュートのみ
の場合には誤差としてマイクロショート発生と判定しない構成とする。
図5(B)に示したように比較器を2つ設け、比較器1にマイナス側のオーバーシュート
の値(REF1)を入力し、比較器2にプラス側のオーバーシュートの値(REF2)を
入力し、遅延回路を用いて1ステップ前の比較器の出力と現時点での比較器の出力をAN
D演算する。
の値(REF1)を入力し、比較器2にプラス側のオーバーシュートの値(REF2)を
入力し、遅延回路を用いて1ステップ前の比較器の出力と現時点での比較器の出力をAN
D演算する。
上記構成により充電と放電の切り替え時などのノイズを除去し、マイクロショートの異常
検出の精度を高めることができる。
検出の精度を高めることができる。
本実施の形態は他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
(実施の形態4)
本実施の形態では、図10を用いて電気自動車(EV)に適用する例を示す。
本実施の形態では、図10を用いて電気自動車(EV)に適用する例を示す。
図10(A)に電気自動車のブロック図の一例を示す。
電気自動車には、メインの駆動用の二次電池として第1のバッテリ301と、モータ30
4を始動させるインバータ312に電力を供給する第2のバッテリ311が設置されてい
る。本実施の形態では、第2のバッテリ311の電源で駆動する異常監視ユニット300
が第1のバッテリ301を構成する複数の二次電池をまとめて監視する。
4を始動させるインバータ312に電力を供給する第2のバッテリ311が設置されてい
る。本実施の形態では、第2のバッテリ311の電源で駆動する異常監視ユニット300
が第1のバッテリ301を構成する複数の二次電池をまとめて監視する。
第1のバッテリ301は、主に42V系(高電圧系)の車載機器に電力を供給し、第2の
バッテリ311は14V系(低電圧系)の車載機器に電力を供給する。第2のバッテリ3
11は鉛蓄電池がコスト上有利のため採用されることが多い。鉛蓄電池はリチウムイオン
二次電池と比べて自己放電が大きく、サルフェーションとよばれる現象により劣化しやす
い欠点がある。第2のバッテリ311をリチウムイオン二次電池とすることでメンテナン
スフリーとするメリットがあるが、長期間の使用、例えば3年以上となると、製造時には
判別できない異常発生が生じる恐れがある。特にインバータを起動する第2のバッテリ3
11が動作不能となると、第1のバッテリ301に残容量があってもモータを起動させる
ことができなくなることを防ぐため、第2のバッテリ311が鉛蓄電池の場合は、第1の
バッテリから第2のバッテリに電力を供給し、常に満充電状態を維持するように充電され
ている。
バッテリ311は14V系(低電圧系)の車載機器に電力を供給する。第2のバッテリ3
11は鉛蓄電池がコスト上有利のため採用されることが多い。鉛蓄電池はリチウムイオン
二次電池と比べて自己放電が大きく、サルフェーションとよばれる現象により劣化しやす
い欠点がある。第2のバッテリ311をリチウムイオン二次電池とすることでメンテナン
スフリーとするメリットがあるが、長期間の使用、例えば3年以上となると、製造時には
判別できない異常発生が生じる恐れがある。特にインバータを起動する第2のバッテリ3
11が動作不能となると、第1のバッテリ301に残容量があってもモータを起動させる
ことができなくなることを防ぐため、第2のバッテリ311が鉛蓄電池の場合は、第1の
バッテリから第2のバッテリに電力を供給し、常に満充電状態を維持するように充電され
ている。
本実施の形態では、第1のバッテリ301と第2のバッテリ311の両方にリチウムイオ
ン二次電池を用いる一例を示す。第2のバッテリ311は鉛蓄電池や全固体電池を用いて
もよい。
ン二次電池を用いる一例を示す。第2のバッテリ311は鉛蓄電池や全固体電池を用いて
もよい。
円筒型の二次電池の例について図12(A)及び図12(B)を参照して説明する。円筒
型の二次電池600は、図12(A)に示すように、上面に正極キャップ(電池蓋)60
1を有し、側面および底面に電池缶(外装缶)602を有している。これら正極キャップ
と電池缶(外装缶)602とは、ガスケット(絶縁パッキン)610によって絶縁されて
いる。
型の二次電池600は、図12(A)に示すように、上面に正極キャップ(電池蓋)60
1を有し、側面および底面に電池缶(外装缶)602を有している。これら正極キャップ
と電池缶(外装缶)602とは、ガスケット(絶縁パッキン)610によって絶縁されて
いる。
図12(B)は、円筒型の二次電池の断面を模式的に示した図である。中空円柱状の電池
缶602の内側には、帯状の正極604と負極606とがセパレータ605を間に挟んで
捲回された電池素子が設けられている。図示しないが、電池素子はセンターピンを中心に
捲回されている。電池缶602は、一端が閉じられ、他端が開いている。電池缶602に
は、電解液に対して耐腐食性のあるニッケル、アルミニウム、チタン等の金属、又はこれ
らの合金やこれらと他の金属との合金(例えば、ステンレス鋼等)を用いることができる
。また、電解液による腐食を防ぐため、ニッケルやアルミニウム等を被覆することが好ま
しい。電池缶602の内側において、正極、負極およびセパレータが捲回された電池素子
は、対向する一対の絶縁板608、609により挟まれている。また、電池素子が設けら
れた電池缶602の内部は、非水電解液(図示せず)が注入されている。二次電池は、コ
バルト酸リチウム(LiCoO2)やリン酸鉄リチウム(LiFePO4)などの活物質
を含む正極と、リチウムイオンの吸蔵・放出が可能な黒鉛等の炭素材料からなる負極と、
エチレンカーボネートやジエチルカーボネートなどの有機溶媒に、LiBF4やLiPF
6等のリチウム塩からなる電解質を溶解させた非水電解液などにより構成される。
缶602の内側には、帯状の正極604と負極606とがセパレータ605を間に挟んで
捲回された電池素子が設けられている。図示しないが、電池素子はセンターピンを中心に
捲回されている。電池缶602は、一端が閉じられ、他端が開いている。電池缶602に
は、電解液に対して耐腐食性のあるニッケル、アルミニウム、チタン等の金属、又はこれ
らの合金やこれらと他の金属との合金(例えば、ステンレス鋼等)を用いることができる
。また、電解液による腐食を防ぐため、ニッケルやアルミニウム等を被覆することが好ま
しい。電池缶602の内側において、正極、負極およびセパレータが捲回された電池素子
は、対向する一対の絶縁板608、609により挟まれている。また、電池素子が設けら
れた電池缶602の内部は、非水電解液(図示せず)が注入されている。二次電池は、コ
バルト酸リチウム(LiCoO2)やリン酸鉄リチウム(LiFePO4)などの活物質
を含む正極と、リチウムイオンの吸蔵・放出が可能な黒鉛等の炭素材料からなる負極と、
エチレンカーボネートやジエチルカーボネートなどの有機溶媒に、LiBF4やLiPF
6等のリチウム塩からなる電解質を溶解させた非水電解液などにより構成される。
円筒型の二次電池に用いる正極および負極は捲回するため、集電体の両面に活物質を形成
することが好ましい。正極604には正極端子(正極集電リード)603が接続され、負
極606には負極端子(負極集電リード)607が接続される。正極端子603および負
極端子607は、ともにアルミニウムなどの金属材料を用いることができる。正極端子6
03は安全弁機構612に、負極端子607は電池缶602の底にそれぞれ抵抗溶接され
る。安全弁機構612は、PTC(Positive Temperature Coe
fficient)素子611を介して正極キャップ601と電気的に接続されている。
安全弁機構612は電池の内圧の上昇が所定の閾値を超えた場合に、正極キャップ601
と正極604との電気的な接続を切断するものである。また、PTC素子611は温度が
上昇した場合に抵抗が増大する熱感抵抗素子であり、抵抗の増大により電流量を制限して
異常発熱を防止するものである。PTC素子には、チタン酸バリウム(BaTiO3)系
半導体セラミックス等を用いることができる。
することが好ましい。正極604には正極端子(正極集電リード)603が接続され、負
極606には負極端子(負極集電リード)607が接続される。正極端子603および負
極端子607は、ともにアルミニウムなどの金属材料を用いることができる。正極端子6
03は安全弁機構612に、負極端子607は電池缶602の底にそれぞれ抵抗溶接され
る。安全弁機構612は、PTC(Positive Temperature Coe
fficient)素子611を介して正極キャップ601と電気的に接続されている。
安全弁機構612は電池の内圧の上昇が所定の閾値を超えた場合に、正極キャップ601
と正極604との電気的な接続を切断するものである。また、PTC素子611は温度が
上昇した場合に抵抗が増大する熱感抵抗素子であり、抵抗の増大により電流量を制限して
異常発熱を防止するものである。PTC素子には、チタン酸バリウム(BaTiO3)系
半導体セラミックス等を用いることができる。
電解液を用いるリチウムイオン二次電池は、正極と、負極と、セパレータと、電解液と、
外装体とを有する。なお、リチウムイオン二次電池では、充電と放電でアノード(陽極)
とカソード(陰極)が入れ替わり、酸化反応と還元反応とが入れ替わることになるため、
反応電位が高い電極を正極と呼び、反応電位が低い電極を負極と呼ぶ。したがって、本明
細書においては、充電中であっても、放電中であっても、逆パルス電流を流す場合であっ
ても、充電電流を流す場合であっても、正極は「正極」または「+極(プラス極)」と呼
び、負極は「負極」または「-極(マイナス極)」と呼ぶこととする。酸化反応や還元反
応に関連したアノード(陽極)やカソード(陰極)という用語を用いると、充電時と放電
時とでは、逆になってしまい、混乱を招く可能性がある。したがって、アノード(陽極)
やカソード(陰極)という用語は、本明細書においては用いないこととする。仮にアノー
ド(陽極)やカソード(陰極)という用語を用いる場合には、充電時か放電時かを明記し
、正極(プラス極)と負極(マイナス極)のどちらに対応するものかも併記することとす
る。
外装体とを有する。なお、リチウムイオン二次電池では、充電と放電でアノード(陽極)
とカソード(陰極)が入れ替わり、酸化反応と還元反応とが入れ替わることになるため、
反応電位が高い電極を正極と呼び、反応電位が低い電極を負極と呼ぶ。したがって、本明
細書においては、充電中であっても、放電中であっても、逆パルス電流を流す場合であっ
ても、充電電流を流す場合であっても、正極は「正極」または「+極(プラス極)」と呼
び、負極は「負極」または「-極(マイナス極)」と呼ぶこととする。酸化反応や還元反
応に関連したアノード(陽極)やカソード(陰極)という用語を用いると、充電時と放電
時とでは、逆になってしまい、混乱を招く可能性がある。したがって、アノード(陽極)
やカソード(陰極)という用語は、本明細書においては用いないこととする。仮にアノー
ド(陽極)やカソード(陰極)という用語を用いる場合には、充電時か放電時かを明記し
、正極(プラス極)と負極(マイナス極)のどちらに対応するものかも併記することとす
る。
図12(C)に示す2つの端子には充電器が接続され、蓄電池1400が充電される。図
12(C)中において1406は、電解液、1408はセパレータである。蓄電池140
0の充電が進めば、電極間の電位差は大きくなる。図12(C)では、蓄電池1400の
外部の端子から、正極1402の方へ流れ、蓄電池1400の中において、正極1402
から負極1404の方へ流れ、負極から蓄電池1400の外部の端子の方へ流れる電流の
向きを正の向きとしている。つまり、充電電流の流れる向きを電流の向きとしている。
12(C)中において1406は、電解液、1408はセパレータである。蓄電池140
0の充電が進めば、電極間の電位差は大きくなる。図12(C)では、蓄電池1400の
外部の端子から、正極1402の方へ流れ、蓄電池1400の中において、正極1402
から負極1404の方へ流れ、負極から蓄電池1400の外部の端子の方へ流れる電流の
向きを正の向きとしている。つまり、充電電流の流れる向きを電流の向きとしている。
本実施の形態では、リチウムイオン二次電池の例を示すが、リチウムイオン二次電池に限
定されず、二次電池の正極材料として例えば、元素A、元素X、及び酸素を有する材料を
用いることができる。元素Aは第1族の元素および第2族の元素から選ばれる一以上であ
ることが好ましい。第1族の元素として例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム等のア
ルカリ金属を用いることができる。また、第2族の元素として例えば、カルシウム、ベリ
リウム、マグネシウム等を用いることができる。元素Xとして例えば金属元素、シリコン
及びリンから選ばれる一以上を用いることができる。また、元素Xはコバルト、ニッケル
、マンガン、鉄、及びバナジウムから選ばれる一以上であることが好ましい。代表的には
、リチウムコバルト複合酸化物(LiCoO2)や、リン酸鉄リチウム(LiFePO4
)が挙げられる。
定されず、二次電池の正極材料として例えば、元素A、元素X、及び酸素を有する材料を
用いることができる。元素Aは第1族の元素および第2族の元素から選ばれる一以上であ
ることが好ましい。第1族の元素として例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム等のア
ルカリ金属を用いることができる。また、第2族の元素として例えば、カルシウム、ベリ
リウム、マグネシウム等を用いることができる。元素Xとして例えば金属元素、シリコン
及びリンから選ばれる一以上を用いることができる。また、元素Xはコバルト、ニッケル
、マンガン、鉄、及びバナジウムから選ばれる一以上であることが好ましい。代表的には
、リチウムコバルト複合酸化物(LiCoO2)や、リン酸鉄リチウム(LiFePO4
)が挙げられる。
負極は、負極活物質層および負極集電体を有する。また、負極活物質層は、導電助剤およ
びバインダを有していてもよい。
びバインダを有していてもよい。
負極活物質として、リチウムとの合金化・脱合金化反応により充放電反応を行うことが可
能な元素を用いることができる。例えば、シリコン、スズ、ガリウム、アルミニウム、ゲ
ルマニウム、鉛、アンチモン、ビスマス、銀、亜鉛、カドミウム、インジウム等のうち少
なくとも一つを含む材料を用いることができる。このような元素は炭素と比べて容量が大
きく、特にシリコンは理論容量が4200mAh/gと高い。
能な元素を用いることができる。例えば、シリコン、スズ、ガリウム、アルミニウム、ゲ
ルマニウム、鉛、アンチモン、ビスマス、銀、亜鉛、カドミウム、インジウム等のうち少
なくとも一つを含む材料を用いることができる。このような元素は炭素と比べて容量が大
きく、特にシリコンは理論容量が4200mAh/gと高い。
また、二次電池は、セパレータを有することが好ましい。セパレータとしては、例えば、
紙をはじめとするセルロースを有する繊維、不織布、ガラス繊維、セラミックス、或いは
ナイロン(ポリアミド)、ビニロン(ポリビニルアルコール系繊維)、ポリエステル、ア
クリル、ポリオレフィン、ポリウレタンを用いた合成繊維等で形成されたものを用いるこ
とができる。
紙をはじめとするセルロースを有する繊維、不織布、ガラス繊維、セラミックス、或いは
ナイロン(ポリアミド)、ビニロン(ポリビニルアルコール系繊維)、ポリエステル、ア
クリル、ポリオレフィン、ポリウレタンを用いた合成繊維等で形成されたものを用いるこ
とができる。
また、タイヤ316の回転による回生エネルギーは、ギア305を介してモータ304に
送られ、モータコントローラ303やバッテリーコントローラ302から第2のバッテリ
311に充電、または第1のバッテリ301に充電される。
送られ、モータコントローラ303やバッテリーコントローラ302から第2のバッテリ
311に充電、または第1のバッテリ301に充電される。
また、第1のバッテリ301は主にモータ304を回転させることに使用されるが、DC
DC回路306を介して42V系の車載部品(電動パワステ307、ヒーター308、デ
フォッガ309など)に電力を供給する。後輪にリアモータを有している場合にも、第1
のバッテリ301がリアモータを回転させることに使用される。
DC回路306を介して42V系の車載部品(電動パワステ307、ヒーター308、デ
フォッガ309など)に電力を供給する。後輪にリアモータを有している場合にも、第1
のバッテリ301がリアモータを回転させることに使用される。
また、第2のバッテリ311は、DCDC回路310を介して14V系の車載部品(オー
ディオ313、パワーウィンドウ314、ランプ類315など)に電力を供給する。
ディオ313、パワーウィンドウ314、ランプ類315など)に電力を供給する。
また、第1のバッテリ301は、複数の二次電池を含むモジュールの集合で構成される。
例えば、図12(A)に示した円筒形の二次電池600を用いる。図10(B)に示すよ
うに、円筒形の二次電池600を、導電板613および導電板614の間に挟んでモジュ
ールを構成してもよい。図10(B)には二次電池間にスイッチを図示していない。複数
の二次電池600は、並列接続されていてもよいし、直列接続されていてもよいし、並列
に接続された後、さらに直列に接続されていてもよい。複数の二次電池600を有するモ
ジュールを構成することで、大きな電力を取り出すことができる。
例えば、図12(A)に示した円筒形の二次電池600を用いる。図10(B)に示すよ
うに、円筒形の二次電池600を、導電板613および導電板614の間に挟んでモジュ
ールを構成してもよい。図10(B)には二次電池間にスイッチを図示していない。複数
の二次電池600は、並列接続されていてもよいし、直列接続されていてもよいし、並列
に接続された後、さらに直列に接続されていてもよい。複数の二次電池600を有するモ
ジュールを構成することで、大きな電力を取り出すことができる。
車載の二次電池において、複数の二次電池からの電力を遮断するため、工具を使わずに高
電圧を遮断できるサービスプラグまたはサーキットブレーカを有しており、第1のバッテ
リ301に設けられる。例えば、2個から10個のセルを有する電池モジュールを48個
直接に接続する場合には、24個目と25個目の間にサービスプラグまたはサーキットブ
レーカを有している。
電圧を遮断できるサービスプラグまたはサーキットブレーカを有しており、第1のバッテ
リ301に設けられる。例えば、2個から10個のセルを有する電池モジュールを48個
直接に接続する場合には、24個目と25個目の間にサービスプラグまたはサーキットブ
レーカを有している。
図11において、本発明の一態様である二次電池の異常検知システムを用いた車両を例示
する。図11(A)に示す自動車8400の二次電池8024は、電気モーター8406
を駆動するだけでなく、ヘッドライト8401やルームライト(図示せず)などの発光装
置に電力を供給することができる。自動車8400の二次電池8024は、図10(B)
に示した円筒形の二次電池600を、導電板613および導電板614の間に挟んでモジ
ュールとしたものを用いてもよい。
する。図11(A)に示す自動車8400の二次電池8024は、電気モーター8406
を駆動するだけでなく、ヘッドライト8401やルームライト(図示せず)などの発光装
置に電力を供給することができる。自動車8400の二次電池8024は、図10(B)
に示した円筒形の二次電池600を、導電板613および導電板614の間に挟んでモジ
ュールとしたものを用いてもよい。
図11(B)に示す自動車8500は、自動車8500が有する二次電池にプラグイン方
式や非接触給電方式等により外部の充電設備から電力供給を受けて、充電することができ
る。図11(B)に、地上設置型の充電装置8021から自動車8500に搭載された二
次電池8024に、ケーブル8022を介して充電を行っている状態を示す。充電に際し
ては、充電方法やコネクターの規格等はCHAdeMO(登録商標)やコンボ等の所定の
方式で適宜行えばよい。充電装置8021は、商用施設に設けられた充電ステーションで
もよく、また家庭の電源であってもよい。例えば、プラグイン技術によって、外部からの
電力供給により自動車8500に搭載された二次電池8024を充電することができる。
充電は、ACDCコンバータ等の変換装置を介して、交流電力を直流電力に変換して行う
ことができる。
式や非接触給電方式等により外部の充電設備から電力供給を受けて、充電することができ
る。図11(B)に、地上設置型の充電装置8021から自動車8500に搭載された二
次電池8024に、ケーブル8022を介して充電を行っている状態を示す。充電に際し
ては、充電方法やコネクターの規格等はCHAdeMO(登録商標)やコンボ等の所定の
方式で適宜行えばよい。充電装置8021は、商用施設に設けられた充電ステーションで
もよく、また家庭の電源であってもよい。例えば、プラグイン技術によって、外部からの
電力供給により自動車8500に搭載された二次電池8024を充電することができる。
充電は、ACDCコンバータ等の変換装置を介して、交流電力を直流電力に変換して行う
ことができる。
また、図示しないが、受電装置を車両に搭載し、地上の送電装置から電力を非接触で供給
して充電することもできる。この非接触給電方式の場合には、道路や外壁に送電装置を組
み込むことで、停車中に限らず走行中に充電を行うこともできる。また、この非接触給電
の方式を利用して、車両どうしで電力の送受信を行ってもよい。さらに、車両の外装部に
太陽電池を設け、停車時や走行時に二次電池の充電を行ってもよい。このような非接触で
の電力の供給には、電磁誘導方式や磁界共鳴方式を用いることができる。
して充電することもできる。この非接触給電方式の場合には、道路や外壁に送電装置を組
み込むことで、停車中に限らず走行中に充電を行うこともできる。また、この非接触給電
の方式を利用して、車両どうしで電力の送受信を行ってもよい。さらに、車両の外装部に
太陽電池を設け、停車時や走行時に二次電池の充電を行ってもよい。このような非接触で
の電力の供給には、電磁誘導方式や磁界共鳴方式を用いることができる。
また、図11(C)は、本発明の一態様の二次電池を用いた二輪車の一例である。図11
(C)に示すスクータ8600は、二次電池8602、サイドミラー8601、方向指示
灯8603を備える。二次電池8602は、方向指示灯8603に電気を供給することが
できる。
(C)に示すスクータ8600は、二次電池8602、サイドミラー8601、方向指示
灯8603を備える。二次電池8602は、方向指示灯8603に電気を供給することが
できる。
また、図11(C)に示すスクータ8600は、座席下収納8604に、二次電池860
2を収納することができる。二次電池8602は、座席下収納8604が小型であっても
、座席下収納8604に収納することができる。
2を収納することができる。二次電池8602は、座席下収納8604が小型であっても
、座席下収納8604に収納することができる。
二次電池8602は、全固体電池を用いることができる。二次電池8602は、複数のラ
ミネート型の二次電池で構成する。ここでは全固体電池を用いたラミネート型の二次電池
の一例を図13(D)に示す。
ミネート型の二次電池で構成する。ここでは全固体電池を用いたラミネート型の二次電池
の一例を図13(D)に示す。
図13(D)に示すラミネート型の二次電池500は、正極リード電極510と負極リー
ド電極511を有する。
ド電極511を有する。
ラミネート型の二次電池の作製手順を簡単に説明する。まず、正極と負極を用意する。正
極は正極集電体を有し、正極活物質層は正極集電体の表面に形成されている。また、正極
は正極集電体が一部露出する領域(以下、タブ領域という)を有する。負極は負極集電体
を有し、負極活物質層は負極集電体の表面に形成されている。また、負極は負極集電体が
一部露出する領域、すなわちタブ領域を有する。
極は正極集電体を有し、正極活物質層は正極集電体の表面に形成されている。また、正極
は正極集電体が一部露出する領域(以下、タブ領域という)を有する。負極は負極集電体
を有し、負極活物質層は負極集電体の表面に形成されている。また、負極は負極集電体が
一部露出する領域、すなわちタブ領域を有する。
そして、負極、固体電解質層及び正極を積層する。ここでは負極を5組、正極を4組使用
する例を示す。次に、正極のタブ領域同士の接合と、最表面の正極のタブ領域への正極リ
ード電極510の接合を行う。接合には、例えば超音波溶接等を用いればよい。同様に、
負極のタブ領域同士の接合と、最表面の負極のタブ領域への負極リード電極511の接合
を行う。
する例を示す。次に、正極のタブ領域同士の接合と、最表面の正極のタブ領域への正極リ
ード電極510の接合を行う。接合には、例えば超音波溶接等を用いればよい。同様に、
負極のタブ領域同士の接合と、最表面の負極のタブ領域への負極リード電極511の接合
を行う。
次に外装体上に、負極、固体電解質層及び正極を配置する。固体電解質層としては、リチ
ウムイオンを伝導できる固体成分を含む材料層(セラミックなど)であればよい。例えば
、固体電解質層はセラミック粉末またはガラス粉末をスラリー化してシートを成型する。
セラミックの定義は金属、非金属を問わず、酸化物、炭化物、窒化物、ホウ化物などの無
機化合物の材料である。ガラスは非晶質であり、ガラス転移現象を有する材料と定義され
るが、微結晶体化させたものをセラミックガラスと呼ぶこともある。セラミックガラスは
結晶性を有するため、X線回析法により確認することができる。固体電解質としては酸化
物固体電解質、硫化物固体電解質などを用いることができる。また、正極活物質層や負極
活物質層にも固体電解質を含ませており、導電助剤を含ませてもよい。導電助剤は、電子
伝導性を有している材料であればよく、例えば、炭素材料、金属材料などを用いることが
できる。
ウムイオンを伝導できる固体成分を含む材料層(セラミックなど)であればよい。例えば
、固体電解質層はセラミック粉末またはガラス粉末をスラリー化してシートを成型する。
セラミックの定義は金属、非金属を問わず、酸化物、炭化物、窒化物、ホウ化物などの無
機化合物の材料である。ガラスは非晶質であり、ガラス転移現象を有する材料と定義され
るが、微結晶体化させたものをセラミックガラスと呼ぶこともある。セラミックガラスは
結晶性を有するため、X線回析法により確認することができる。固体電解質としては酸化
物固体電解質、硫化物固体電解質などを用いることができる。また、正極活物質層や負極
活物質層にも固体電解質を含ませており、導電助剤を含ませてもよい。導電助剤は、電子
伝導性を有している材料であればよく、例えば、炭素材料、金属材料などを用いることが
できる。
また、正極活物質として用いられる酸化物固体電解質としては、Li3PO4、Li3B
O3、Li4SiO4、Li4GeO4、LiNbO3、LiVO2、LiTiO3、L
iZrO3などを用いることができる。また、これらの複合化合物であってもよく、例え
ばLi3BO3-Li4SiO4などを挙げることができる。また、固体電解質の表面は
1nm以上20nm以下のコート層で少なくとも一部覆われていてもよく、コート層の材
料は、Liイオン伝導性酸化物を用いる。
O3、Li4SiO4、Li4GeO4、LiNbO3、LiVO2、LiTiO3、L
iZrO3などを用いることができる。また、これらの複合化合物であってもよく、例え
ばLi3BO3-Li4SiO4などを挙げることができる。また、固体電解質の表面は
1nm以上20nm以下のコート層で少なくとも一部覆われていてもよく、コート層の材
料は、Liイオン伝導性酸化物を用いる。
負極活物質として用いられる酸化物固体電解質としては、Nb2O5、Li4Ti5O1
2、SiOなどを挙げることができる。本明細書等において、SiOは例えば一酸化シリ
コンを指す。あるいはSiOは、SiO2と比較してシリコンの組成が多い材料を指し、
SiOxと表すこともできる。ここでxは1近傍の値を有することが好ましい。例えばx
は、0.2以上1.5以下が好ましく、0.3以上1.2以下がより好ましい。
2、SiOなどを挙げることができる。本明細書等において、SiOは例えば一酸化シリ
コンを指す。あるいはSiOは、SiO2と比較してシリコンの組成が多い材料を指し、
SiOxと表すこともできる。ここでxは1近傍の値を有することが好ましい。例えばx
は、0.2以上1.5以下が好ましく、0.3以上1.2以下がより好ましい。
また、正極活物質として用いられる硫化物固体電解質としては、Li及びSを含む材料、
具体的にはLi7P3S11、Li2S-SiS2、Li2S-P2S5などを挙げるこ
とができる。
具体的にはLi7P3S11、Li2S-SiS2、Li2S-P2S5などを挙げるこ
とができる。
次に、外装体を折り曲げる。その後、外装体の外周部を接合する。外装体は金属箔と有機
樹脂フィルムとを積層したラミネートフィルム、例えば、アルミニウム箔やステンレス箔
を用い、接合には、例えば熱圧着等を用いればよい。このようにして、図13(D)に示
すラミネート型の二次電池500を作製することができる。また、ここでは1枚のラミネ
ートフィルムを用いて接合する例を示したが、2枚のラミネートフィルムを重ねて周縁部
を接着させて封止する構成としてもよい。
樹脂フィルムとを積層したラミネートフィルム、例えば、アルミニウム箔やステンレス箔
を用い、接合には、例えば熱圧着等を用いればよい。このようにして、図13(D)に示
すラミネート型の二次電池500を作製することができる。また、ここでは1枚のラミネ
ートフィルムを用いて接合する例を示したが、2枚のラミネートフィルムを重ねて周縁部
を接着させて封止する構成としてもよい。
また、図13(A)は、固体電池の概念を示す図であり、正極81と負極82の間に固体
電解質層83を有する。また、固体電池には薄膜型全固体電池とバルク型全固体電池があ
る。薄膜型全固体電池は、薄膜を積層することによって得られる全固体電池であり、バル
ク型全固体電池は微粒子を積層することによって得られる全固体電池である。
電解質層83を有する。また、固体電池には薄膜型全固体電池とバルク型全固体電池があ
る。薄膜型全固体電池は、薄膜を積層することによって得られる全固体電池であり、バル
ク型全固体電池は微粒子を積層することによって得られる全固体電池である。
図13(B)は、バルク型全固体電池の一例であり、正極81の近傍に粒子状の正極活物
質87と、負極82の近傍に粒子状の負極活物質88を有し、それらの隙間を埋めるよう
に固体電解質層83が配置される。正極81と負極82との間を加圧プレスによって空隙
がなくなるように複数種類の粒子を充填させている。
質87と、負極82の近傍に粒子状の負極活物質88を有し、それらの隙間を埋めるよう
に固体電解質層83が配置される。正極81と負極82との間を加圧プレスによって空隙
がなくなるように複数種類の粒子を充填させている。
また、図13(C)は、薄膜型全固体電池の一例である。薄膜型全固体電池は気相法(真
空蒸着法、溶射法、パルスレーザー堆積法、イオンプレーティング法、コールドスプレー
法、エアロゾルデポジション法、スパッタリング法)を用いて成膜する。図13(C)で
は基板84上に配線電極85、86を形成した後、配線電極85上に正極81を形成し、
正極81上に固体電解質層83を形成し、固体電解質層83及び配線電極86上に負極8
2を形成してリチウムイオン蓄電池を作製する例である。基板84としては、セラミック
ス基板、ガラス基板、プラスチック基板、金属基板などが挙げられる。
空蒸着法、溶射法、パルスレーザー堆積法、イオンプレーティング法、コールドスプレー
法、エアロゾルデポジション法、スパッタリング法)を用いて成膜する。図13(C)で
は基板84上に配線電極85、86を形成した後、配線電極85上に正極81を形成し、
正極81上に固体電解質層83を形成し、固体電解質層83及び配線電極86上に負極8
2を形成してリチウムイオン蓄電池を作製する例である。基板84としては、セラミック
ス基板、ガラス基板、プラスチック基板、金属基板などが挙げられる。
本実施の形態は、他の実施の形態の記載と適宜組み合わせることができる。
(実施の形態5)
二次電池のSOCを推定する方法の一例を図14に示す。図14は、フロー図であり、マ
イクロショートなどの異常を検知した後、予測誤差のデータを作成、例えば1ステップか
ら4ステップ前までの正常な予測誤差の平均をカルマンフィルタに投入する。異常を検出
した後も正確にSOCを求めることができる。
二次電池のSOCを推定する方法の一例を図14に示す。図14は、フロー図であり、マ
イクロショートなどの異常を検知した後、予測誤差のデータを作成、例えば1ステップか
ら4ステップ前までの正常な予測誤差の平均をカルマンフィルタに投入する。異常を検出
した後も正確にSOCを求めることができる。
比較器などにより上記式の差電圧の値が、あるしきい値を越えたとして信号を出力し、異
常を検知する。比較器に入力するしきい値の電圧信号REFと比較を行って異常を判断す
る。異常を検知したタイミングのデータは、後の推定で用いず、代わりに数ステップ前ま
での平均値を推定アルゴリズムに入力するようにする。上記数式8の差電圧の値が、電圧
信号REFを下回ると、前のステップの数回分の平均値と差し替える。従って、上記数式
8の差電圧の値が、比較器に入力される電圧信号REFを下回ると、その差電圧はカルマ
ンフィルタのループには投入されない。代わりに平均値が推定アルゴリズムに入力される
ことで、異常が発生してもSOCの推定などを精度高く行うことができる。マイクロショ
ートの異常を検知したタイミングのデータを用いず、代わりに数ステップ前までの平均値
を推定アルゴリズムに入力すれば、上記数式8の差電圧の値は、マイクロショートの発生
しない場合のデータと近似する。
常を検知する。比較器に入力するしきい値の電圧信号REFと比較を行って異常を判断す
る。異常を検知したタイミングのデータは、後の推定で用いず、代わりに数ステップ前ま
での平均値を推定アルゴリズムに入力するようにする。上記数式8の差電圧の値が、電圧
信号REFを下回ると、前のステップの数回分の平均値と差し替える。従って、上記数式
8の差電圧の値が、比較器に入力される電圧信号REFを下回ると、その差電圧はカルマ
ンフィルタのループには投入されない。代わりに平均値が推定アルゴリズムに入力される
ことで、異常が発生してもSOCの推定などを精度高く行うことができる。マイクロショ
ートの異常を検知したタイミングのデータを用いず、代わりに数ステップ前までの平均値
を推定アルゴリズムに入力すれば、上記数式8の差電圧の値は、マイクロショートの発生
しない場合のデータと近似する。
図14のフローを実行するための具体的なシステム図を図16に示す。図16において、
二次電池の充電状態推定装置は、少なくとも比較器403と、遅延回路と、AND回路4
05と、マルチプレクサ407を有している。AND回路にはクロック信号CLKを入力
する。また、比較器403には参照信号REFを入力する。図16は一例であり、特に限
定されず、二次電池の充電状態を推定する二次電池の充電状態推定装置は、第1観測値と
なる二次電池の電圧値を検出する検出手段と、回帰モデルを用いて推定電圧値を算出する
算出部と、第1観測値の電圧値と、前の時刻に得た推定電圧値との差分を求め、あるしき
い値範囲を超えると二次電池が異常であると判定する判定部と、を有し、判定部は、1つ
または複数の比較器と、マルチプレクサと、遅延回路を有する。図16中のMUXはマル
チプレクサである。二次電池の充電状態推定装置は、さらに第2観測値となる二次電池の
電流値を検出する第2の検出手段を有してもよい。図16では、FIR(Finite
Impulse Response)フィルタを用いている。また、図17にシステム図
の異なる一例を示す。図17では、IIR(Infinite Impulse Res
ponse)フィルタを用いている。図17中のNは時間kのうち十分大きな値である無
限時間とした場合を指している。
二次電池の充電状態推定装置は、少なくとも比較器403と、遅延回路と、AND回路4
05と、マルチプレクサ407を有している。AND回路にはクロック信号CLKを入力
する。また、比較器403には参照信号REFを入力する。図16は一例であり、特に限
定されず、二次電池の充電状態を推定する二次電池の充電状態推定装置は、第1観測値と
なる二次電池の電圧値を検出する検出手段と、回帰モデルを用いて推定電圧値を算出する
算出部と、第1観測値の電圧値と、前の時刻に得た推定電圧値との差分を求め、あるしき
い値範囲を超えると二次電池が異常であると判定する判定部と、を有し、判定部は、1つ
または複数の比較器と、マルチプレクサと、遅延回路を有する。図16中のMUXはマル
チプレクサである。二次電池の充電状態推定装置は、さらに第2観測値となる二次電池の
電流値を検出する第2の検出手段を有してもよい。図16では、FIR(Finite
Impulse Response)フィルタを用いている。また、図17にシステム図
の異なる一例を示す。図17では、IIR(Infinite Impulse Res
ponse)フィルタを用いている。図17中のNは時間kのうち十分大きな値である無
限時間とした場合を指している。
また、異常を検出したデータをカルマンフィルタのループに入力しないとしても、異常検
出時のマイクロショートにより消失した電流を正確に計算し、反映させることでSOCを
より正確な数値とすることができる。また、図18にフロー図を示す。図18に示したよ
うに、比較回路で信号REFと比較して小さい値をLOとして出力、即ち、式8の値<R
EFとなった時をマイクロショートなどの異常発生とみなし、この異常を検知する。
出時のマイクロショートにより消失した電流を正確に計算し、反映させることでSOCを
より正確な数値とすることができる。また、図18にフロー図を示す。図18に示したよ
うに、比較回路で信号REFと比較して小さい値をLOとして出力、即ち、式8の値<R
EFとなった時をマイクロショートなどの異常発生とみなし、この異常を検知する。
異常を検出したデータは予測誤差電圧であり、状態方程式を用いてマイクロショート時の
電流Imicroを求める。図15(A)及び図15(B)に示す等価回路モデルを用い
て以下に説明する。図15(A)及び図15(B)において、OCVは放電時の電位差で
あり、V0、V1、V2、V3は、各箇所での電圧である。
電流Imicroを求める。図15(A)及び図15(B)に示す等価回路モデルを用い
て以下に説明する。図15(A)及び図15(B)において、OCVは放電時の電位差で
あり、V0、V1、V2、V3は、各箇所での電圧である。
上記式は、図15(A)における回路の状態変数x(k)である。図15(A)において
はマイクロショート発生前の状態と対応する等価回路モデルである。
はマイクロショート発生前の状態と対応する等価回路モデルである。
また、u(k)は電流IBAT(k)である。u(k)は入力信号であり二次電池の場合
、電流値となる。
、電流値となる。
状態方程式を構成するbは定数であり、TSはサンプリング周期である。
上記式はカルマンフィルタの状態方程式である。なお、上記式中の抵抗R1、R2、R3
、容量C1、C2、C3、満充電容量FCCも式を拡張して状態変数x(k)に入れても
よい。
、容量C1、C2、C3、満充電容量FCCも式を拡張して状態変数x(k)に入れても
よい。
次にマイクロショート発生時の状態を図15(B)に示す等価回路モデルとみなして以下
に算出手順を示す。
に算出手順を示す。
上記式は、マイクロショート発生時を時刻k+1とした場合の関係式である。また、各箇
所での電流は以下に示すことができる。
所での電流は以下に示すことができる。
また、抵抗R1及び容量C1にかかる電圧V1は、以下の式となる。
また、抵抗R2及び容量C2にかかる電圧V2は、以下の式となる。
また、抵抗R3及び容量C3にかかる電圧V3は、以下の式となる。
上記式のうち以下に示す数値が1より非常に小さい場合や精度をそれほど求めない場合は
、以下に示す値を1としてもよい。
、以下に示す値を1としてもよい。
上記式を1とする場合、計算量を減らせることができる。
上記式を計算してマイクロショート時の電流(Imicro)を求めることができる。上
記式に示すように、1ステップ前で推定したR0、OCV、予測誤差電圧を含んだ電圧V
IN及び電流IBATの観測値を用いてマイクロショート時の電流を算出している。R0
(k)は観測誤差の共分散である。
記式に示すように、1ステップ前で推定したR0、OCV、予測誤差電圧を含んだ電圧V
IN及び電流IBATの観測値を用いてマイクロショート時の電流を算出している。R0
(k)は観測誤差の共分散である。
上記式中のSOC(k)は事前推定予測ステップ時のカルマンフィルタ内部のSOCデー
タに相当する。また、上記式中の左辺の値をフィルタリングステップ直前にカルマンフィ
ルタ内部のSOCデータに置き換えることでカルマンフィルタの内部のSOCにマイクロ
ショート時の電流を反映することができる。
タに相当する。また、上記式中の左辺の値をフィルタリングステップ直前にカルマンフィ
ルタ内部のSOCデータに置き換えることでカルマンフィルタの内部のSOCにマイクロ
ショート時の電流を反映することができる。
上述した演算を行うSOCの推定処理において、上記数式を実行できるプログラムをマイ
クロコンピュータもしくはマイクロプロセッサなどに移植することで、SOCを算出する
こともできる。
クロコンピュータもしくはマイクロプロセッサなどに移植することで、SOCを算出する
こともできる。
本実施の形態は他の実施の形態と組み合わせることができる。
図7は、カルマンフィルタの演算を行う機能ブロックの一例である。実施の形態1とは比
較器がない部分以外は同一である。図7中の符号401で示した差電圧の値が、マイクロ
ショートの発生にとって重要であり、その値を監視することで二次電池の異常検出を行う
。
較器がない部分以外は同一である。図7中の符号401で示した差電圧の値が、マイクロ
ショートの発生にとって重要であり、その値を監視することで二次電池の異常検出を行う
。
マイクロショートを定期的に発生させた電流を疑似的に作成したデータを用い、シミュレ
ーションを行う。
ーションを行う。
図8はシミュレーション結果を示しており、横軸に時間、縦軸に差電圧、具体的には観測
値(電圧)と事前状態変数を用いて推定した電圧との差(差電圧)を示している。
値(電圧)と事前状態変数を用いて推定した電圧との差(差電圧)を示している。
図8において、定期的にプラス側及びマイナス側にオーバーシュートが見られているデー
タがマイクロショート有りのデータである。また、マイナス側のみにオーバーシュートが
みられるデータがマイクロショートなしのデータであり、比較例である。また、マイナス
側のみにオーバーシュートがみられる点は、充電から放電に切り替える際に電圧が変動す
る点に対応している。図8において比較例の、マイナス側のみにオーバーシュートがみら
れる点は、-0.0213Vであるため、この値よりも大きい、例えば-0.03Vをし
きい値とすれば誤差として異常と検出しないようにすることもできる。
タがマイクロショート有りのデータである。また、マイナス側のみにオーバーシュートが
みられるデータがマイクロショートなしのデータであり、比較例である。また、マイナス
側のみにオーバーシュートがみられる点は、充電から放電に切り替える際に電圧が変動す
る点に対応している。図8において比較例の、マイナス側のみにオーバーシュートがみら
れる点は、-0.0213Vであるため、この値よりも大きい、例えば-0.03Vをし
きい値とすれば誤差として異常と検出しないようにすることもできる。
なお、図9は図8のデータを加工し、見やすくするために縦軸を左右に分けて表示してい
る。また、図8の検証に用いたデータは、マイクロショートの波形を定期的に入れたデー
タであり、図8において、13回発生させているが、実際の二次電池は、ランダムに発生
し、ピークの大きさも二次電池の使用状況(充電または放電)によっても変化しうる。い
ずれにおいてもマイクロショートが検出されれば、その二次電池は劣化が加速される、或
いは使用不可となるため、検出されたことの警告を使用者に通知できることは有用である
。マイクロショートの発生の原因はまだ特定されていないが、製造時の金属紛の混入とい
う説もあり、製造直後では異常検出できないが、充放電を繰り返すことによって異常部分
(導通部分)が成長形成され、マイクロショートが発生する可能性がある。マイクロショ
ートの発生する二次電池を充放電すると劣化が急激に進み、突然に使用不可能となる場合
がある。従って、マイクロショートの検出が可能な本発明の手法は有用である。
る。また、図8の検証に用いたデータは、マイクロショートの波形を定期的に入れたデー
タであり、図8において、13回発生させているが、実際の二次電池は、ランダムに発生
し、ピークの大きさも二次電池の使用状況(充電または放電)によっても変化しうる。い
ずれにおいてもマイクロショートが検出されれば、その二次電池は劣化が加速される、或
いは使用不可となるため、検出されたことの警告を使用者に通知できることは有用である
。マイクロショートの発生の原因はまだ特定されていないが、製造時の金属紛の混入とい
う説もあり、製造直後では異常検出できないが、充放電を繰り返すことによって異常部分
(導通部分)が成長形成され、マイクロショートが発生する可能性がある。マイクロショ
ートの発生する二次電池を充放電すると劣化が急激に進み、突然に使用不可能となる場合
がある。従って、マイクロショートの検出が可能な本発明の手法は有用である。
カルマンフィルタでは、バッテリ等価回路モデルにバッテリの入力値を入力し、それらの
出力を比較し、差があれば、この差にカルマンゲインをかけてフィードバックし、誤差が
最小になるようにバッテリ等価回路モデルを修正していく。これを逐次繰り返す。
出力を比較し、差があれば、この差にカルマンゲインをかけてフィードバックし、誤差が
最小になるようにバッテリ等価回路モデルを修正していく。これを逐次繰り返す。
なお、カルマンフィルタは逐次合わせていくシステムなので図8及び図9の開始付近の誤
差は無視できる。
差は無視できる。
図7中の符号401で示した差電圧の値は、-0.0631Vを最低値とし、+0.03
24Vを最大値としている。また、マイクロショートを発生させた点での0に近いピーク
点は、マイナス側で-0.0386V、プラス側で+0.0186Vであった。従って、
全てのマイクロショートを検出するのであれば、しきい値をマイナス側で-0.0386
V、プラス側で+0.0186Vとし、比較器などを用いて検出すればよい。これらの値
は用いる二次電池によって異なるため、用いる二次電池の特性データを用いて適宜予めシ
ミュレーションを行い、その結果に基づいて、しきい値などを決定すればよい。
24Vを最大値としている。また、マイクロショートを発生させた点での0に近いピーク
点は、マイナス側で-0.0386V、プラス側で+0.0186Vであった。従って、
全てのマイクロショートを検出するのであれば、しきい値をマイナス側で-0.0386
V、プラス側で+0.0186Vとし、比較器などを用いて検出すればよい。これらの値
は用いる二次電池によって異なるため、用いる二次電池の特性データを用いて適宜予めシ
ミュレーションを行い、その結果に基づいて、しきい値などを決定すればよい。
なお、図8、図9に示すシミュレーション結果は、アナログ・デバイセズ社が提供する回
路シミュレータであるLTspice(Simulation program wit
h integrated circuit emphasis)を用いて得たものであ
る。
路シミュレータであるLTspice(Simulation program wit
h integrated circuit emphasis)を用いて得たものであ
る。
1 比較器、2 比較器、81:正極、82:負極、83:固体電解質層、84:基板、
85:配線電極、86:配線電極、87:正極活物質、88:負極活物質、300:異常
監視ユニット、301:バッテリ、302:バッテリーコントローラ、303:モータコ
ントローラ、304:モータ、305:ギア、306:DCDC回路、307:電動パワ
ステ、308:ヒーター、309:デフォッガ、310:DCDC回路、311:バッテ
リ、312:インバータ、313:オーディオ、314:パワーウィンドウ、315:ラ
ンプ類、316:タイヤ、400:マイクロショートモデル、401:符号、402:遅
延回路、403:比較器、404:ニューラルネットワーク部、405:AND回路、4
07:マルチプレクサ、600:二次電池、601:正極キャップ、602:電池缶、6
03:正極端子、604:正極、605:セパレータ、606:負極、607:負極端子
、608:絶縁板、609:絶縁板、611:PTC素子、612:安全弁機構、613
:導電板、614:導電板、1400:蓄電池、1402:正極、1404:負極、80
21:充電装置、8022:ケーブル、8024:二次電池、8400:自動車、840
1:ヘッドライト、8406:電気モーター、8500:自動車、8600:スクータ、
8601:サイドミラー、8602:二次電池、8603:方向指示灯、8604:座席
下収納
85:配線電極、86:配線電極、87:正極活物質、88:負極活物質、300:異常
監視ユニット、301:バッテリ、302:バッテリーコントローラ、303:モータコ
ントローラ、304:モータ、305:ギア、306:DCDC回路、307:電動パワ
ステ、308:ヒーター、309:デフォッガ、310:DCDC回路、311:バッテ
リ、312:インバータ、313:オーディオ、314:パワーウィンドウ、315:ラ
ンプ類、316:タイヤ、400:マイクロショートモデル、401:符号、402:遅
延回路、403:比較器、404:ニューラルネットワーク部、405:AND回路、4
07:マルチプレクサ、600:二次電池、601:正極キャップ、602:電池缶、6
03:正極端子、604:正極、605:セパレータ、606:負極、607:負極端子
、608:絶縁板、609:絶縁板、611:PTC素子、612:安全弁機構、613
:導電板、614:導電板、1400:蓄電池、1402:正極、1404:負極、80
21:充電装置、8022:ケーブル、8024:二次電池、8400:自動車、840
1:ヘッドライト、8406:電気モーター、8500:自動車、8600:スクータ、
8601:サイドミラー、8602:二次電池、8603:方向指示灯、8604:座席
下収納
Claims (6)
- 第1観測値となる二次電池の電圧値を検出する第1の検出手段と、
第2観測値となる二次電池の電流値を検出する第2の検出手段と、
回帰モデルを用いて推定電圧値を算出する算出部と、
前記第1観測値の電圧値と前の時刻に得た推定電圧値との差分を、補正係数を用いて補正した値と、参照信号で与えられたしきい値と、を入力する比較器と、を有し、前記比較器に入力された2つの値に基づいて二次電池が異常かどうかを判定する判定部と、を有する二次電池の異常検知装置。 - 請求項1において、さらに、前記比較器の出力を入力するニューラルネットワーク構成部を有し、前記ニューラルネットワーク構成部の出力に基づいて二次電池が異常かどうかを判定する判定部と、を有する二次電池の異常検知装置。
- 請求項1又は請求項2において、前記回帰モデルは、状態方程式に基づくカルマンフィルタである二次電池の異常検知装置。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、前記二次電池は、リチウムイオン二次電池である二次電池の異常検知装置。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、前記二次電池は、全固体電池である二次電池の異常検知装置。
- 請求項1乃至請求項5のいずれか一に記載の前記異常検知装置を備えた二次電池。
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