JP7590455B2 - 回路基板および電子装置 - Google Patents

Description

本開示は、回路基板および電子装置に関する。

セラミックスからなる基板は、優れた絶縁性および熱伝導率を有することから、回路基板として利用される場合がある。

特許文献１には、第１の配線層と第２の配線層とに跨がる抵抗体を有し、第１の配線層と第２の配線層と抵抗体とをガラス層（オーバーコートガラス）で覆った配線基板が開示されている。また、特許文献１には、抵抗体の一部をトリミング加工することにより、抵抗体の抵抗値を調整する技術が記載されている。

特開２０００－２０８８９５号公報

本開示の一態様による回路基板は、基板本体と、一対の電極と、抵抗体と、ガラス層とを有する。基板本体は、セラミックスからなる。一対の電極は、基板本体上において間隔をあけて位置する。抵抗体は、一対の電極に跨がるように位置する。ガラス層は、一対の電極および抵抗体を覆う。また、抵抗体は、六硼化ランタンを含有する。また、抵抗体の外周部におけるガラス層の厚みは、抵抗体の中央部におけるガラス層の厚みよりも厚い。

図１は、第１実施形態に係る照明装置の模式的な側面図である。 図２は、第１実施形態に係るソケットの模式的な斜視図である。 図３は、第１実施形態に係る回路基板の模式的な平面図である。 図４は、図３に示すＩＶ－ＩＶ線矢視における模式的な断面図である。 図５は、第２実施形態に係る回路基板の模式的な断面図である。 図６は、第３実施形態に係る回路基板の模式的な断面図である。

以下に、本開示による回路基板および電子装置を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示による回路基板および電子装置が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。

また、以下に示す実施形態では、「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」といった表現が用いられる場合があるが、これらの表現は、厳密に「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」であることを要しない。すなわち、上記した各表現は、例えば製造精度、設置精度などのずれを許容するものとする。

また、以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示す場合がある。

また、以下に示す実施形態では、本開示による回路基板を電子装置の一例である照明装置に適用した場合の例について説明する。

セラミックスからなる基板と、この基板の上に位置する２つの配線層と、これら２つの配線層を電気的に接続する抵抗体と、配線層および抵抗体を覆うガラス層とを有する回路基板が知られている。この種の回路基板において、抵抗体の一部をトリミング加工することによって抵抗体の抵抗値を調整する技術が知られている。

上述した従来技術には、ガラス層の剥離を抑制するという点でさらなる改善の余地がある。そこで、ガラス層の剥離を抑制することができる回路基板および電子装置の提供が期待されている。

（第１実施形態）
まず、第１実施形態に係る照明装置の構成について図１～図３を参照して説明する。図１は、第１実施形態に係る照明装置の模式的な側面図である。図２は、第１実施形態に係るソケットの模式的な斜視図である。図３は、第１実施形態に係る回路基板の模式的な平面図である。

図１に示すように、第１実施形態に係る照明装置１は、回路基板１０と、回路基板１０を収容するソケット２０と、回路基板１０に接続される複数の導電端子３０とを有する。実施形態に係る照明装置１は、たとえば車載用の照明装置として用いられる。たとえば、照明装置１は、リアランプ、ターンランプ、ポジションランプ、フォグランプ等の光源として用いられる。

（ソケットについて）
図１および図２に示すように、ソケット２０は、収容部２１と、フランジ部２２と、複数の放熱フィン２３とを有していてもよい。

収容部２１は、たとえば平面視略円形状の外形を有する有底筒状の部位であってもよい。収容部２１は、後述するフランジ部２２における複数の放熱フィン２３が位置する面とは反対側の面に位置していてもよい。収容部２１は、ソケット２０の一端面、具体的には、収容部２１のフランジ部２２に接する面とは反対側の面からソケット２０の他端側に向かって凹む凹部２１０を有していてもよい。回路基板１０は、かかる凹部２１０に収容されてもよい。

凹部２１０は、複数の側壁部２１１を有していてもよい。複数の側壁部２１１は、たとえば平面視弓形の形状を有していてもよい。この場合、複数の側壁部２１１は、回路基板１０を取り囲むように回路基板１０の周囲に周方向に沿って並べられてもよい。周方向に隣り合う２つの側壁部２１１の間には、それぞれ隙間２１２が設けられていてもよい。

フランジ部２２は、たとえば円板状の部位であってもよい。フランジ部２２は、収容部２１と複数の放熱フィン２３との間に位置していてもよい。フランジ部２２は、収容部２１よりも大径であり、たとえば車体に設けられた取付孔に照明装置１を挿入させた際に、かかる取付孔の周縁に当たるようになっていてもよい。収容部２１の外周面には、たとえば、ツイストロック用のバヨネット（図示せず）が位置しており、フランジ部２２を取付孔の周縁に当接させた状態でソケット２０を回転させることにより、バヨネットが車体側の溝に嵌まり込んで照明装置１が車体に固定された状態となる。

複数の放熱フィン２３は、フランジ部２２における収容部２１が位置する面とは反対側の面に位置していてもよい。この場合、回路基板１０において発生した熱は、主に複数の放熱フィン２３から放出される。ここでは、ソケット２０が４個の放熱フィン２３を有する場合の例を示したが、ソケット２０が有する放熱フィン２３の個数は、４個に限定されない。

なお、凹部２１０の底部と回路基板１０との間には、たとえばアルミ等の金属で形成された伝熱部材（図示せず）が位置していてもよい。伝熱部材は、回路基板１０と凹部２１０の底部とに接するように位置しており、回路基板１０において発生した熱を放熱フィン２３へ伝える。

（回路基板について）
図３に示すように、回路基板１０は、セラミックスからなる基板本体１１を有する。基板本体１１は、たとえば、回路形成面である第１面、第１面の反対に位置する第２面、第１面および第２面のそれぞれに繋がる複数の第３面（側面）を有する平板状の部材であってもよい。基板本体１１は、凹部２１０の底面に第２面を向けた状態で、言い換えれば、回路形成面である第１面をおもてに向けた状態で収容部２１に収納される。

基板本体１１としては、たとえば、酸化アルミニウム質セラミックス、酸化ジルコニウム質セラミックス、酸化アルミニウムおよび酸化ジルコニウムの複合セラミックス、窒化珪素質セラミックス、窒化アルミニウム質セラミックス、炭化珪素質セラミックスまたはムライト質セラミックス等のセラミックスを用いてもよい。なお、酸化アルミニウム質セラミックス製の基板本体１１は、基板本体１１に要求される機械的強度を有しつつ、加工性に優れる。また、窒化アルミニウム質セラミックス製の基板本体１１は、熱伝導性が高いため、放熱性に優れる。

（配線について）
基板本体１１の第１面には、たとえば銅および銀等の金属を主成分とする配線４０が位置していてもよい。配線４０は、ろう材または半田等の導電性の接合部材（図示せず）を介して導電端子３０と電気的に接続される。

配線４０上には、電子部品の一例である発光素子５０が位置していてもよい。発光素子５０は、たとえばＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）やＬＤ（Laser Diode：レーザダイオード）等である。配線４０は、導電端子３０と発光素子５０とを電気的に接続する。

配線４０の中途部（導電端子３０と発光素子５０との間の一部）には、一対の電極４１，４２が位置していてもよい。一対の電極４１，４２は、基板本体１１上に互いに間隔をあけて位置していてもよい。また、一対の電極４１，４２は、互いに平行に延在していてもよい。なお、ここでは、一対の電極４１，４２が、Ｙ軸方向に沿って延在する場合の例を示している。一対の電極４１，４２は、たとえば配線４０の一部である。一対の電極４１，４２は、配線４０と同一の材質（たとえば銅や銀等）で形成されてもよい。なお、基板本体１１との接合性を向上させるために、一対の電極４１，４２には、ガラスが含有されていてもよい。

（抵抗体について）
一対の電極４１，４２の間には、抵抗体６０が位置していてもよい。抵抗体６０は、配線４０よりも高い電気抵抗を有しており、発光素子５０にかかる電圧を調整する。

抵抗体６０としては、導電成分と抵抗値調整成分とを含有していてもよい。具体的には、抵抗体６０は、導電成分として、六硼化ランタン（ＬａＢ_６）を含有していてもよい。なお、六硼化ランタンは、必ずしも抵抗体６０の主成分であることを要しない。抵抗体６０は、六硼化ランタン以外の導電成分として、たとえば、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｓｎ，Ｐｄ，Ｒｕ，ＲｕＯ_２，Ａｇ，Ｂｉ_２Ｒｕ_２Ｏ_７，Ｐｄ_２Ｒｕ_２Ｏ_６，ＳｒＲｕＯ_３，ＣａＲｕＯ_３，ＢａＲｕＯ_３，Ｔａ，ＴａＮ，Ｔａ_２Ｎ，ＷＣ，ＭｏＳｉ_２，ＴａＳｉ_２，ＳｎＯ_２およびＴａ_２Ｏ_５等を含有していてもよい。また、抵抗体６０は、抵抗値調整成分として、たとえばガラスを含有していてもよい。

（ガラス層について）
一対の電極４１，４２および抵抗体６０の上には、ガラス層７０が位置していてもよい。ガラス層７０は、抵抗体６０を覆うことで、抵抗体６０の酸化を抑制する。このため、抵抗体６０の上にガラス層７０を位置させることで、抵抗体６０の電気的信頼性を向上させることができる。

ガラス層７０としては、たとえば、Ｒ_２Ｏ－Ｂ_２Ｏ_３－ＳｉＯ_２系（Ｒ：アルカリ金属元素）、Ｒ_２Ｏ－ＳｉＯ_２－Ｂ_２Ｏ_３－Ｂｉ_２Ｏ_３系（Ｒ：アルカリ金属元素）、Ｒ’Ｏ－Ｂ_２Ｏ_３－ＳｉＯ_２系（Ｒ’：アルカリ土類金属元素）のいずれかを主成分とするものが用いられ得る。また、ガラス層７０は、たとえば酸化チタン（ＴｉＯ_２）および酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）等を含有していてもよい。この場合、ガラス層７０の反射率を向上させることができる。

ここで、第１実施形態に係るガラス層７０の具体的な構成について図４を参照して説明する。図４は、図３に示すＩＶ－ＩＶ線矢視における模式的な断面図である。

図４に示すように、抵抗体６０は、一対の電極４１，４２に跨がるように位置している。また、ガラス層７０は、これら一対の電極４１，４２および抵抗体６０を全体的に覆うように位置していてもよい。

ここで、本願発明者は、六硼化ランタンを含有する抵抗体を備えた回路基板において、抵抗体と電極とが重なり合う箇所である抵抗体の外周部付近にて、他の箇所と比較して頻繁にガラス層の剥離が生じることを確認した。これは、六硼化ランタンが持つ還元作用の影響によるものと考えられる。すなわち、六硼化ランタンは、熱電子放射体として知られており、加熱された場合に電子を放出する。この放出された電子が周囲の金属成分を還元させることで、ガラス層の剥離が生じると考えられる。

具体的には、製造工程等において回路基板が加熱されると、比較的熱伝導率が高いＣｕを含有する電極付近の温度が他の箇所と比較して相対的に高くなる。これにより、抵抗体の外周部における温度が抵抗体の他の箇所における温度よりも高くなる。この結果、抵抗体の外周部からより多くの電子が放出される。

電極のうち抵抗体と接する領域では、抵抗体から放出された電子が電極に供給されることによって、電極において以下の還元反応が生じる。
ＣｕＯ＋２ｅ^－→Ｃｕ＋Ｏ^２－
上記還元反応によって生じるＣｕ単体は、ＣｕＯと比較して、酸化物であるガラスとの親和性が低い。このため、電極のうち抵抗体と接する領域、すなわち、抵抗体の外周部付近において、電極とガラス層との密着強度が弱まることで、ガラス層が電極から剥離し易くなる。

また、ガラス層のうち抵抗体と接する領域、特に、多くの電子が放出される抵抗体の外周部付近では、抵抗体から放出された電子がガラス層に供給されることによってガラス層において以下の還元反応が生じる。
ＳｉＯ_２＋４ｅ^－→Ｓｉ＋２Ｏ^２－
上記還元反応によって生じるＳｉ単体は、ＳｉＯ_２と比較して抵抗体（六硼化ランタン）との親和性が低い。このため、抵抗体の外周部において、抵抗体とガラス層との密着強度が弱まり、この結果、ガラス層が抵抗体から剥離し易くなる。

そこで、第１実施形態に係る回路基板１０では、抵抗体６０の外周部におけるガラス層７０の厚みを、抵抗体６０の中央部におけるガラス層７０の厚みよりも厚くしてもよい。これにより、ガラス層７０の剥離を好適に抑制することができる。

すなわち、たとえばガラス層７０を全体的に厚くすることによっても、ガラス層７０の剥離をある程度抑制することは可能である。ガラス層７０を厚くした分だけガラス層７０の重量が増えることで、剥離を物理的に抑え込み易くなるためである。

一方で、電極４１，４２および抵抗体６０とガラス層７０との熱膨張係数差による熱応力は、ガラス層７０を厚くするほど大きくなる。上述したガラス層７０の重量によって剥離を押さえ込む効果は、この熱応力によって弱められるおそれがある。

ここで、抵抗体６０の中央部におけるガラス層７０の重量は、抵抗体６０の外周部に対しては直接的には加わらない。つまり、抵抗体６０の中央部におけるガラス層７０の厚みを厚くすることの剥離を押さえ込む効果への寄与度は小さい。そればかりでなく、抵抗体６０の中央部におけるガラス層７０を厚くした分だけ熱応力が増加することで、ガラス層７０の重さで剥離を押さえ込む効果を却って弱めてしまう結果となる。

これに対し、第１実施形態に係る回路基板１０によれば、抵抗体６０の中央部におけるガラス層７０の厚みを相対的に薄くすることで、熱応力の不要な増加を抑制することができる。したがって、第１実施形態に係る回路基板１０は、ガラス層７０の剥離を好適に抑制することができる。

また、回路基板においては、抵抗体の抵抗値を調整するために、たとえば製品出荷後に、抵抗体に対してトリミング加工が施される場合がある。トリミング加工とは、抵抗体の中央部またはその近傍にレーザー等により溝を形成して抵抗体の抵抗幅を狭めることにより、抵抗体の抵抗値を調整する手法である。第１実施形態に係る回路基板１０によれば、抵抗体６０の中央部におけるガラス層７０の厚みを相対的に薄くすることで、トリミング加工の容易性を確保しつつ、ガラス層７０の剥離を好適に抑制することができる。また、第１実施形態に係る回路基板１０によれば、抵抗体６０の中央部におけるガラス層７０の厚みを相対的に薄くすることで、ガラス層７０に要する材料コストを抑えることができる。

なお、抵抗体６０の外周部におけるガラス層７０の厚みを相対的に厚くするためには、抵抗体６０の外周部上に対してガラス層７０を塗布する回数を相対的に多くすればよい。たとえば、一対の電極４１，４２および抵抗体６０の上にガラスを一層塗布した後、抵抗体６０の外周部上に対してガラスをもう一層塗布すればよい。このとき、抵抗体６０の外周部に対応する箇所に開口を有するマスク部材を用いることで、抵抗体６０の外周部のみにガラスを適切に塗布することができる。

ガラス層７０の厚みについてさらに具体的に説明する。図４に示すように、電極４１（４２）、抵抗体６０およびガラス層７０の３つが互いに接する位置、具体的には、電極４１（４２）の上に位置する抵抗体６０の周縁Ｐにおけるガラス層７０の厚みＴ１は、抵抗体６０の中央部におけるガラス層７０の厚みＴ２よりも厚くてもよい。電極４１（４２）、抵抗体６０およびガラス層７０の３つが互いに接する位置は、他の位置と比べて熱応力による剥離が生じ易い。そこで、抵抗体６０の外周部の中でも、特に、上記３つが互いに接する位置におけるガラス層７０の厚みを厚くすることで、ガラス層７０の剥離をさらに好適に抑制することができる。

電極４１（４２）のみの上に位置するガラス層７０の厚みＴ３は、抵抗体６０の外周部におけるガラス層７０の厚みＴ４よりも薄くてもよい。具体的には、厚みＴ３は、たとえば電極４１（４２）の中央部におけるガラス層７０の厚みである。また、厚みＴ４は、たとえば、電極４１（４２）および抵抗体６０の合計厚みが最も厚い位置におけるガラス層７０の厚みである。電極４１（４２）および抵抗体６０の合計厚みが最も厚くなる位置は、熱膨張および熱収縮の繰り返しによる応力が最もかかり易い場所である。かかる位置におけるガラス層７０の厚みＴ４を厚くすることにより、ガラス層７０の剥離を好適に抑制することができる。また、Ｃｕを含有する電極４１（４２）は、抵抗体６０と比較して熱伝導率が高い。このため、電極４１（４２）のみの上に位置するガラス層７０の厚みＴ３を相対的に薄くすることで、抵抗体６０から電極４１（４２）へ伝えられた熱を効率よく外部へ放出することができる。

一例として、電極４１，４２の厚みは、１０μｍ以上３０μｍ以下であり、抵抗体６０の厚みは、１５μｍ以上３５μｍ以下であり、ガラス層７０の厚みは、１０μｍ以上４０μｍ以下であってもよい。これら電極４１，４２、抵抗体６０およびガラス層７０の厚みは、たとえば、電極４１，４２、抵抗体６０およびガラス層７０の断面が得られるように回路基板１０を切断し、その切断面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）を用いて観察することにより求めることができる。

抵抗体６０の中央部におけるボイド率は、抵抗体６０の外周部におけるボイド率よりも高くてもよい。上述したように、抵抗体６０の中央部付近はトリミング加工が施される場合がある。抵抗体６０の中央部におけるボイド率を外周部におけるボイド率よりも高くすることで、トリミング加工の容易性を高めることができる。

また、抵抗体６０は、外周部にボイドを有していてもよい。抵抗体６０の外周部にボイドがあることで、抵抗体６０の外周部付近に生じる熱応力が緩和されるため、回路基板１０の信頼性を向上させることができる。

なお、抵抗体６０は、基板本体１１上に電極４１（４２）を形成した後に形成される。抵抗体６０の形成時において、電極４１（４２）が加熱されて、電極４１（４２）付近の抵抗体６０中に存在するガスが抜けやすくなったり、焼結が促進したりする結果、抵抗体６０の外周部におけるボイド率が相対的に低くなるものと考えられる。

抵抗体６０の中央部におけるボイド径は、抵抗体６０の外周部におけるボイド径よりも大きくてもよい。抵抗体６０の中央部におけるボイド径を外周部におけるボイド径よりも大きくすることで、トリミング加工の容易性を高めることができる。

抵抗体６０のボイド率は、たとえば、以下のようにして求めることができる。まず、抵抗体６０の断面が得られるように回路基板１０を切断し、その切断面をＳＥＭを用いて観察して、所定の倍率の画像を撮像する。そして、得られた画像（ＳＥＭ画像）に対して、画像処理を施して画像全体の面積に対するボイド箇所の合計面積を算出することにより、抵抗体６０のボイド率を求めることができる。

一例として、抵抗体６０のボイド率は、５面積％以上４０面積％以下であってもよい。また、一例として、抵抗体６０の中央部におけるボイド径（円相当径）は、５μｍ以上１１μｍ以下であり、抵抗体６０の外周部におけるボイド径（円相当径）は、３μｍ以上６μｍ以下であってもよい。ボイドの円相当径についても、上記ＳＥＭ画像を解析することにより求めることができる。たとえば、上記ＳＥＭ画像においてボイドをトレースし、このトレースした画像を画像解析ソフト「Ａ像くん」（登録商標、旭化成エンジニアリング（株）製であり、以降に画像解析ソフト「Ａ像くん」と記した場合、旭化成エンジニアリング（株）製の画像解析ソフトを示すものとする。）の粒子解析という手法を適用して画像解析を行なうことで、ボイドの円相当径の平均値を算出すればよい。

（第２実施形態）
次に、第２実施形態に係る回路基板の構成について図５を参照して説明する。図５は、第２実施形態に係る回路基板の模式的な断面図である。

図５に示すように、第２実施形態に係る回路基板１０Ａは、抵抗体６０Ａおよびガラス層７０Ａを有していてもよい。抵抗体６０Ａおよびガラス層７０Ａには、抵抗体６０Ａおよびガラス層７０Ａを上下に貫通するトリミング溝８０が形成されていてもよい。トリミング溝８０は、抵抗体６０Ａの抵抗値を調整するために形成される。

トリミング溝８０は、抵抗体６０Ａの中央部に位置していてもよい。抵抗体６０Ａの中央部とは、図５に示す断面視における中央部、すなわち、一対の電極４１，４２の並び方向（ここではＸ軸方向）における中央部を意味する。トリミング溝８０の位置は、厳密に抵抗体６０Ａの中央である必要はなく、抵抗体６０Ａの中央から僅かにずれていてもよい。トリミング溝８０は、たとえば、一対の電極４１，４２と平行に直線状に延びている。また、トリミング溝８０は、たとえば、一対の電極４１，４２と平行に直線状に延びる部分と、一対の電極４１，４２と直交する方向に延びる部分とを有するＬ字状であってもよい。

また、第２実施形態に係る回路基板１０Ａは、樹脂層９０を有していてもよい。第２実施形態において、樹脂層９０は、一対の電極４１，４２、抵抗体６０Ａおよびガラス層７０Ａの全てを覆っている。なお、トリミング溝８０の内部は、樹脂が充填された状態となる。

このように、ガラス層７０Ａの上にさらに樹脂層９０が位置することで、樹脂層９０の重量により、剥離を物理的に抑え込む効果を高めることができる。

また、第２実施形態に係る回路基板１０Ａにおいて、抵抗体６０Ａの外周部、具体的には、抵抗体６０の周縁Ｐにおけるガラス層７０Ａおよび樹脂層９０の合計厚みＴ５は、抵抗体６０Ａの中央部におけるガラス層７０Ａおよび樹脂層９０の合計厚みＴ６よりも厚くてもよい。このように、抵抗体６０Ａの中央部におけるガラス層７０Ａおよび樹脂層９０の合計厚みＴ６を相対的に薄くすることで、熱応力の不要な増加が押さえられるため、ガラス層７０Ａの剥離を好適に抑制することができる。

なお、一例として、樹脂層９０の厚みは、１０μｍ以上４０μｍ以下である。樹脂層９０の厚みは、たとえば、電極４１，４２、抵抗体６０Ａ、ガラス層７０Ａおよび樹脂層９０の断面が得られるように回路基板１０Ａを切断し、その切断面をＳＥＭを用いて観察することにより求めることができる。

（第３実施形態）
次に、第３実施形態に係る回路基板の構成について図６を参照して説明する。図６は、第３実施形態に係る回路基板の模式的な断面図である。

図６に示すように、第３実施形態に係る回路基板１０Ｂは、樹脂層９０Ｂを有していてもよい。第３実施形態に係る樹脂層９０Ｂは、一対の電極４１，４２、抵抗体６０Ａおよびガラス層７０Ａのうち、抵抗体６０Ａの中央部を含む一部の領域のみを覆っていてもよい。具体的には、樹脂層９０Ｂは、一方の電極４１の上に位置する抵抗体６０Ａの周縁Ｐと、他方の電極４２の上に位置する抵抗体６０Ａの周縁Ｐとに挟まれる領域の内側に位置していてもよい。

このように、樹脂層９０Ｂは、少なくともトリミング溝８０を覆っていればよく、必ずしも一対の電極４１，４２、抵抗体６０Ａ、ガラス層７０Ａの全体を覆うことを要しない。

また、第３実施形態に係る回路基板１０Ｂにおいて、電極４１（４２）における抵抗体６０の周縁Ｐにおけるガラス層７０Ａおよび樹脂層９０Ｂの合計厚みＴ７（周縁Ｐにおけるガラス層７０Ａの厚みＴ１に相当）は、抵抗体６０Ａの中央部におけるガラス層７０Ａおよび樹脂層９０Ｂの合計厚みＴ８よりも厚くてもよい。このように、抵抗体６０Ａの中央部におけるガラス層７０Ａおよび樹脂層９０Ｂの合計厚みＴ８を相対的に薄くすることで、熱応力の不要な増加が押さえられるため、ガラス層７０Ａの剥離を好適に抑制することができる。

上述してきたように、実施形態に係る回路基板（一例として、回路基板１０，１０Ａ，１０Ｂ）は、基板本体（一例として、基板本体１１）と、一対の電極（一例として、一対の電極４１，４２）と、抵抗体（一例として、抵抗体６０，６０Ａ）と、ガラス層（一例として、ガラス層７０，７０Ａ）とを有する。基板本体は、セラミックスからなる。一対の電極は、基板本体上において互いに間隔をあけて位置する。抵抗体は、一対の電極に跨がるように位置する。ガラス層は、一対の電極および抵抗体を覆う。また、抵抗体は、六硼化ランタンを含有する。また、抵抗体の外周部におけるガラス層の厚みは、抵抗体の中央部におけるガラス層の厚みよりも厚い。

また、実施形態に係る回路基板（一例として、回路基板１０Ａ，１０Ｂ）は、基板本体（一例として、基板本体１１）と、一対の電極（一例として、一対の電極４１，４２）と、抵抗体（一例として、抵抗体６０Ａ）と、ガラス層（一例として、ガラス層７０Ａ）と、樹脂層（一例として、樹脂層９０）を有する。基板本体は、セラミックスからなる。一対の電極は、基板本体上において互いに間隔をあけて位置する。抵抗体は、一対の電極に跨がるように位置し、トリミング溝（一例として、トリミング溝８０）を有する。ガラス層は、一対の電極および抵抗体を覆う。樹脂層は、少なくともトリミング溝を覆う。また、抵抗体は、六硼化ランタンを含有する。また、抵抗体の外周部におけるガラス層の厚みは、抵抗体の中央部におけるガラス層の厚みよりも厚い。

したがって、実施形態に係る回路基板によれば、ガラス層の剥離を好適に抑制することができる。

なお、本開示による回路基板が搭載される電子装置は、照明装置に限定されるものではなく、照明装置以外の各種の電子装置に対して適用可能である。

たとえば、本開示による電子装置は、流量計、スマートウォッチ等に搭載されるディスプレイモニタ、インバータやコンバータ等のパワーモジュール、車載用パワーコントロールユニット等のパワー半導体、バッテリー部品、二次電池部品、エアコン（特に車載用）、光通信用デバイス、レーザーシネマ機等のレーザープロジェクタ、レーザー加工機、各種センサー部品、ＤＶＤ（Digital Versatile Disk）やＣＤ（Compact Disk）の読み書き等に用いられる光ピックアップ部品、レーザーダイオード部品、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＧＰＵ（Graphics Processing Unit）、ＴＰＵ（Tensor Processing Unit）等に適用可能である。

さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。

１ 照明装置
１０ 回路基板
１１ 基板本体
２０ ソケット
２１ 収容部
２２ フランジ部
２３ 放熱フィン
３０ 導電端子
４０ 配線
４１，４２ 電極
５０ 発光素子
６０ 抵抗体
７０ ガラス層
８０ トリミング溝
９０ 樹脂層

Claims (8)

1. セラミックスからなる基板本体と、
   前記基板本体上において間隔をあけて位置する一対の電極と、
   前記一対の電極に跨がるように位置する抵抗体と、
   前記一対の電極および前記抵抗体を覆うガラス層と
   を有し、
   前記抵抗体は、六硼化ランタンを含有し、
   前記抵抗体の外周部におけるガラス層の厚みＴ１は、前記抵抗体の中央部におけるガラス層の厚みＴ２よりも厚く、
   前記電極の中央部におけるガラス層の厚みＴ３は、前記電極と前記抵抗体との合計厚みが最も厚い位置におけるガラス層Ｔ４の厚みよりも薄い、回路基板。
2. セラミックスからなる基板本体と、
   前記基板本体上において間隔をあけて位置する一対の電極と、
   前記一対の電極に跨がるように位置し、トリミング溝を有する抵抗体と、
   前記一対の電極および前記抵抗体を覆うガラス層と、
   少なくとも前記トリミング溝を覆う樹脂層と
   を有し、
   前記抵抗体は、六硼化ランタンを含有し、
   前記抵抗体の外周部におけるガラス層の厚みＴ１は、前記抵抗体の中央部におけるガラス層の厚みＴ２よりも厚く、
   前記電極の中央部におけるガラス層の厚みＴ３は、前記電極と前記抵抗体との合計厚みが最も厚い位置におけるガラス層の厚みＴ４よりも薄い、回路基板。
3. 前記電極、前記抵抗体およびガラス層が接する位置におけるガラス層の厚みは、前記抵抗体の中央部に位置するガラス層の厚みよりも厚い、請求項１または２に記載の回路基板。
4. 前記電極、前記抵抗体およびガラス層が接する位置におけるガラス層および前記樹脂層の合計厚みは、前記抵抗体の中央部に位置するガラス層および前記樹脂層の合計厚みよりも厚い、請求項２に記載の回路基板。
5. 前記電極のみの上に位置するガラス層の厚みは、前記抵抗体の外周部におけるガラス層の厚みよりも薄い、請求項１～４のいずれか一つに記載の回路基板。
6. 前記抵抗体の中央部におけるボイド率は、前記抵抗体の外周部におけるボイド率よりも高い、請求項１～５のいずれか一つに記載の回路基板。
7. 前記抵抗体の中央部におけるボイド径は、前記抵抗体の外周部におけるボイド径よりも大きい、請求項１～６のいずれか一つに記載の回路基板。
8. 請求項１～７のいずれか一つに記載の回路基板と、
   前記基板本体上に位置し、前記一対の電極に接続される電子部品と
   を有する、電子装置。

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