JP7578429B2

JP7578429B2 - 基板処理装置

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Publication number: JP7578429B2
Application number: JP2020121418A
Authority: JP
Inventors: 真樹鰍場
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd
Priority date: 2020-07-15
Filing date: 2020-07-15
Publication date: 2024-11-06
Anticipated expiration: 2040-07-15
Also published as: US20220020616A1; JP2022018359A; US12106982B2

Description

本願は、基板処理装置に関する。

従来より、基板にウェット処理を行う大気圧処理モジュールと、基板にドライ処理を行う真空処理モジュールとが混在したウエハ処理システムが提案されている（例えば特許文献１）。特許文献１のウエハ処理システムは、いわゆるクラスターツール型のシステムである。

このウエハ処理システムにおいては、外部とのウエハの搬出入に用いられる搬入用エアロックおよび搬出用エアロックが真空搬送モジュールに接続される。真空搬送モジュール内の圧力は非常に小さくなっており、その真空度は高い。真空搬送モジュール内には、真空搬送ロボットが設けられており、該真空搬送ロボットは搬入用エアロックからウエハを取り出し、搬出用エアロックにウエハを受け渡す。

この真空搬送モジュールの周囲には、複数の真空処理モジュールおよび複数の大気圧処理モジュールが配置される。各真空処理モジュールは真空搬送モジュールに直接に接続される。真空搬送ロボットはウエハを各真空処理モジュールに搬入し、各真空処理モジュールからウエハを搬出する。

一方、各大気圧処理モジュールは、大気圧搬送ロボットを収容する大気圧搬送モジュール、および、エアロックを直列に介して、真空搬送モジュールに接続される。真空搬送ロボットはエアロックを介して大気圧搬送ロボットにウエハを一旦搬送し、大気圧搬送ロボットがこのウエハを各大気圧処理モジュールに搬入する。また、大気圧搬送ロボットはウエハを各大気圧処理モジュールから搬出し、このウエハを、エアロックを介して真空搬送モジュールに搬送する。

特開２０１７－１８３７１２号公報

特許文献１の技術においては、ドライ処理を行う真空処理モジュールへの搬送でも、ウェット処理を行う大気圧処理モジュールへの搬送でも、ウエハは必ず真空搬送モジュールを経由する。よって、ある真空処理モジュールからある大気圧処理モジュールへウエハを搬送している期間では、他の真空処理モジュールと他の大気圧処理モジュールとの間のウエハの搬送は制限される。よって、ウェット処理とドライ処理との間の処理の移行を速やかに行うことは困難である。つまり、特許文献１の技術では、ドライ処理後に速やかにウェット処理を行うこと、および、ウェット処理後に速やかにドライ処理を行うことが、困難である。したがって、基板処理のスループットは低い。

また特許文献１の技術では、エアロックを経由したウエハの搬送が行われる。エアロックは、異なる圧力を有するモジュール間での搬送を行うために設けられる。このエアロックでは、ウエハの搬送時に、エアロック内の圧力を減圧する処理と、当該圧力を大気圧に戻す処理とが行われる。この点でも、ウェット処理とドライ処理との間の処理の移行を速やかに行うことは困難となる。つまり、基板処理のスループットは低い。

またエアロックは、真空モジュール内の圧力と同程度まで圧力を低減する必要があるので、真空モジュール内の圧力が低いほど、圧力の調整に要する時間は長くなる。例えば、真空処理モジュールで行われるドライ処理としては、プラズマまたはイオンビームを用いたドライエッチング、アッシング、もしくは、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）に代表される成膜処理が挙げられる。これらのドライ処理では、空気中の水分、酸素および二酸化炭素などの不純物を低減させるために、その前処理として、一旦、圧力を１０^－６Ｔｏｒｒ以下に減圧させる。この場合には、エアロックでも圧力を１０^－６Ｔｏｒｒ以下に減圧させるとよい。しかしながら、このように真空度を高くするほど、エアロックにおいて減圧に要する時間が長くなり、また大気圧に戻す時間も長くなる。これにより、スループットは大きく低下する。

そこで、本願は、上記課題に鑑みてなされたものであり、複数のウェット処理ユニットおよび複数のドライ処理ユニットを含む基板処理装置において、スループットを向上できる技術を提供することを目的とする。

基板処理装置の第１の態様は、基板に対してウェット処理およびドライ処理を連続的に行う基板処理装置であって、搬送機構を備えた搬送空間と、前記搬送空間に隣接する複数の処理モジュールと、を備え、前記複数の処理モジュールの各々は、基板に対してウェット処理を行う単一のウェット処理ユニットと、基板に対してドライ処理を行う単一のドライ処理ユニットと、前記ウェット処理ユニットと前記ドライ処理ユニットとの間に位置し、前記ウェット処理ユニットと前記ドライ処理ユニットとの間で基板を移載する単一の移載ユニットと、前記ウェット処理ユニット、前記ドライ処理ユニットおよび前記移載ユニットを収容する筐体とを含み、前記筐体は、天井部と、床部と、側壁と、第１内壁と、第２内壁とを有し、前記天井部と前記床部により区画される内部空間は、前記第１内壁および前記第２内壁により、前記ウェット処理ユニットを含むウェット処理空間と、前記ドライ処理ユニットを含むドライ処理空間とに区画され、前記側壁は、前記ウェット処理空間に隣接する第１シャッタと、前記ドライ処理空間に隣接する第２シャッタとを備え、前記搬送機構は、前記第１シャッタが開いた状態で形成された前記側壁の第１開口を通じて、前記複数の処理モジュールの各々の前記ウェット処理ユニットに基板を搬送し、前記第２シャッタが開いた状態で形成された前記側壁の第２開口を通じて、前記複数の処理モジュールの各々の前記ドライ処理ユニットに基板を搬送するように構成されている。

基板処理装置の第２の態様は、第１の態様にかかる基板処理装置であって、前記ドライ処理は、オゾンガスを用いた酸化処理またはレジスト除去処理、フッ素を含むエッチングガスを用いた気相エッチング処理、および、水素ガスを用いた水素還元処理の少なくともいずれか一つを含み、前記ウェット処理は、基板の洗浄処理を含む。

基板処理装置の第３の態様は、第１または第２のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記複数の処理モジュールの各々は、前記第１内壁に設けられた、基板の移載のための第３シャッタと、前記第２内壁に設けられた、基板の移載のための第４シャッタとを含む。

基板処理装置の第４の態様は、第３の態様にかかる基板処理装置であって、前記ウェット処理ユニットは、前記ウェット処理空間内に設けられ、前記ウェット処理空間内のガスを吸引するウェット吸引管を含み、前記ウェット吸引管の吸引口は、前記第３シャッタが開いたときに前記第１内壁に形成される第３開口の近傍に配置される。

基板処理装置の第５の態様は、第４の態様にかかる基板処理装置であって、前記ウェット吸引管の前記吸引口の幅は前記第３開口の幅よりも広い。

基板処理装置の第６の態様は、第３から第５のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記ドライ処理ユニットは、前記ドライ処理空間内に設けられ、前記ドライ処理空間内のガスを吸引するドライ吸引管を含み、前記ドライ吸引管の吸引口は、前記第４シャッタが開いたときに前記第２内壁に形成される第４開口の近傍に配置される。

基板処理装置の第７の態様は、第６の態様にかかる基板処理装置であって、前記ドライ吸引管の前記吸引口の幅は前記第４開口の幅よりも広い。

基板処理装置の第８の態様は、第３から第７のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記移載処理ユニットを収容する移載空間の圧力は、前記ウェット処理空間および前記ドライ処理空間の圧力の両方よりも高い。

基板処理装置の第９の態様は、第３から第８のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記複数の処理モジュールの各々は、前記移載処理ユニットを収容する移載空間内に不活性ガスを供給するガス供給部をさらに含む。

基板処理装置の第１０の態様は、第３から第９のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記複数の処理モジュールの各々は、前記移載処理ユニットを収容する移載空間内のガスを吸引する移載吸引管をさらに含む。

基板処理装置の第１１の態様は、第１から第１０のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記基板は、減圧空間を経由せずに前記ドライ処理ユニットと前記ウェット処理ユニットとの間で移載される。

基板処理装置の第１２の態様は、基板に対してウェット処理およびドライ処理を連続的に行う基板処理装置であって、複数の処理モジュールを備え、前記複数の処理モジュールの各々は、基板に対してウェット処理を行う単一のウェット処理ユニットと、基板に対してドライ処理を行う単一のドライ処理ユニットと、前記ウェット処理ユニットと前記ドライ処理ユニットとの間に位置し、前記ウェット処理ユニットと前記ドライ処理ユニットとの間で基板を移載する単一の移載ユニットと、前記ウェット処理ユニット、前記ドライ処理ユニットおよび前記移載ユニットを収容する筐体と、前記筐体内において、前記ウェット処理ユニットを収容するウェット処理空間と前記移載ユニットを収容する移載空間との間の第１内壁に設けられた、基板の移載のための第１シャッタと、前記筐体内において、前記移載空間と、前記ドライ処理ユニットを収容するドライ処理空間との間の第２内壁に設けられた、基板の移載のための第２シャッタとを含み、前記ウェット処理ユニットは、前記ウェット処理空間内に設けられ、前記ウェット処理空間内のガスを吸引するウェット吸引管を含み、前記ウェット吸引管の吸引口は、前記第１シャッタが開いたときに前記第１内壁に形成される第１開口の近傍に配置される。
基板処理装置の第１３の態様は、第１２の態様にかかる基板処理装置であって、前記ウェット吸引管の前記吸引口の幅は前記第１開口の幅よりも広い。
基板処理装置の第１４の態様は、基板に対してウェット処理およびドライ処理を連続的に行う基板処理装置であって、複数の処理モジュールを備え、前記複数の処理モジュールの各々は、基板に対してウェット処理を行う単一のウェット処理ユニットと、基板に対してドライ処理を行う単一のドライ処理ユニットと、前記ウェット処理ユニットと前記ドライ処理ユニットとの間に位置し、前記ウェット処理ユニットと前記ドライ処理ユニットとの間で基板を移載する単一の移載ユニットと、前記ウェット処理ユニット、前記ドライ処理ユニットおよび前記移載ユニットを収容する筐体と、前記筐体内において、前記ウェット処理ユニットを収容するウェット処理空間と前記移載ユニットを収容する移載空間との間の第１内壁に設けられた、基板の移載のための第１シャッタと、前記筐体内において、前記移載空間と、前記ドライ処理ユニットを収容するドライ処理空間との間の第２内壁に設けられた、基板の移載のための第２シャッタとを含み、前記ドライ処理ユニットは、前記ドライ処理空間内に設けられ、前記ドライ処理空間内のガスを吸引するドライ吸引管を含み、前記ドライ吸引管の吸引口は、前記第２シャッタが開いたときに前記第２内壁に形成される第２開口の近傍に配置される。
基板処理装置の第１５の態様は、第１４の態様にかかる基板処理装置であって、前記ドライ吸引管の前記吸引口の幅は前記第２開口の幅よりも広い。

基板処理装置の第１の態様によれば、ウェット処理ユニットおよびドライ処理ユニットに対応して移載ユニットが設けられている。よって、例えば、移載ユニットはウェット処理の終了後に、速やかに基板をドライ処理ユニットに移載できる。よって、ウェット処理の後に速やかにドライ処理を開始することができる。また、移載ユニットはドライ処理の終了後に、速やかに基板をウェット処理ユニットに移載できる。よって、ドライ処理の後に速やかにウェット処理を開始することができる。したがって、スループットを向上できる。しかも、処理モジュールに基板を搬送できる。

基板処理装置の第２の態様によれば、ドライ処理の後に速やかに基板を洗浄できる。

基板処理装置の第３の態様によれば、第１シャッタを開くことで、移載ユニットがウェット処理ユニットと基板を受け渡すことができる。また第２シャッタを開くことで、移載ユニットがドライ処理ユニットと基板を受け渡すことができる。

基板処理装置の第４、第１２および第１３の態様によれば、ウェット処理空間から移載空間への雰囲気ガスの流出を抑制することができる。よって、ウェット処理空間内の雰囲気ガスが移載空間を経由してドライ処理空間に流出することも抑制できる。したがって、ウェット処理空間内の雰囲気ガスが移載空間およびドライ処理空間内の各種構成に付着して生じる不具合を抑制できる。

基板処理装置の第５の態様によれば、ウェット処理空間から移載空間への雰囲気ガスの流出をさらに抑制することができる。

基板処理装置の第６、第１４および第１５の態様によれば、ドライ処理空間から移載空間へのガスの流出を抑制することができる。よって、ドライ処理空間内の雰囲気ガスが移載空間を経由してウェット処理空間に流出することも抑制できる。したがって、ドライ処理空間内の雰囲気ガスが移載空間およびウェット処理空間内の各種構成に付着して生じる不具合を抑制できる。

基板処理装置の第７の態様によれば、ドライ処理空間から移載空間への雰囲気ガスの流出をさらに抑制することができる。

基板処理装置の第８の態様によれば、ウェット処理空間から移載空間への雰囲気ガスの流出およびドライ処理空間から移載空間への雰囲気ガスの流出を抑制することができる。

基板処理装置の第９の態様によれば、移載空間内の圧力とウェット処理空間内の圧力との圧力差をより大きな値に調整でき、移載空間内の圧力とドライ処理空間内の圧力との圧力差をより大きな値に調整できる。

基板処理装置の第１０の態様によれば、移載空間内の雰囲気ガスを外部に排気することができる。よって、移載ユニットの作動に伴って移載空間内に生じるパーティクルを外部に排出することができる。

基板処理装置の第１１の態様によれば、スループットを向上することができる。

基板処理装置の構成の一例を概略的に示す平面図である。処理モジュールの構成の一例を概略的に示す側面図である。基板処理装置の構成の他の一例を概略的に示す平面図である。ウェット処理ユニットの構成の一例を概略的に示す図である。ドライ処理ユニットの構成の一例を概略的に示す図である。移載ユニットの構成の一例を概略的に示す機能ブロック図である。基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。基板に形成される膜構成の一部を概略的に示す図である。ドライ処理ユニットの構成の一例を概略的に示す図である。ウェット吸引管およびドライ吸引管の構成の一例を概略的に示す斜視図である。移載ユニットの構成の他の一例を概略的に示す図である。

以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略および構成の簡略化がなされるものである。また、図面に示される構成の大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。

また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。

また、以下に記載される説明において、「第１」または「第２」などの序数が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、これらの序数によって生じ得る順序などに限定されるものではない。

相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば「一方向に」「一方向に沿って」「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」など）は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。等しい状態であることを示す表現（例えば「同一」「等しい」「均質」など）は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。形状を示す表現（例えば、「四角形状」または「円筒形状」など）は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸や面取りなどを有する形状も表すものとする。一の構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。「Ａ，ＢおよびＣの少なくともいずれか一つ」という表現は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、Ａ，ＢおよびＣのうち任意の２つ、ならびに、Ａ，ＢおよびＣの全てを含む。

＜基板処理装置の概略構成＞
図１は、基板処理装置１の構成の一例を概略的に示す平面図である。この基板処理装置１は、基板Ｗに対して１枚ずつ処理を行う枚葉式の処理装置である。例えば、基板Ｗは半導体デバイス用の基板であり、円板形状を有する。この基板処理装置１は、基板Ｗに対してウェット処理およびドライ処理を連続的に行うことができる。

図１の例では、基板処理装置１は、搬入部の一例であるロードポートＬＰと、インデクサロボットＩＲと、搬送機構の一例である搬送ロボットＴＲと、複数の処理モジュール１００と、制御部２００とを含んでいる。

ロードポートＬＰは、基板処理装置１の外部と基板Ｗを受け渡すためのインターフェース部である。ロードポートＬＰには、複数の基板Ｗを収納したキャリアが搬入される。キャリアとしては、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッド、または、基板Ｗを外気にさらすＯＣ（Open Cassette）が採用されてもよい。ロードポートＬＰは、例えば、複数のキャリアを水平な配列方向Ｄ１に沿って並べた状態で、複数のキャリアを保持する。

インデクサロボットＩＲは、配列方向Ｄ１に直交する水平な方向Ｄ２において、ロードポートＬＰと隣り合う位置に設けられている。インデクサロボットＩＲは、例えばボールねじ機構等の移動機構により、配列方向Ｄ１に沿って移動可能に設けられている。インデクサロボットＩＲは、ロードポートＬＰに保持された各キャリアと向かい合う位置で停止することができる。図１の例では、インデクサロボットＩＲは、配列方向Ｄ１におけるロードポートＬＰの中央部と向かい合う中央位置で停止している。

インデクサロボットＩＲは例えばハンドを有しており、当該ハンドを、例えばアーム機構等の駆動機構により水平方向に移動させることができ、また、例えばボールねじ機構等の昇降機構により鉛直方向に移動させることもできる。インデクサロボットＩＲは、取り出し対象となるキャリアと向かい合う位置に移動し、ハンドを水平方向および鉛直方向に移動させて基板Ｗをキャリアから取り出したり、基板Ｗをキャリアに収納したりすることができる。

また、インデクサロボットＩＲはモータ等の回転機構により、ハンドの向きを変化させることができる。インデクサロボットＩＲは回転機構により、ハンドを搬送ロボットＴＲと向かい合わせることができる。インデクサロボットＩＲはこの状態でハンドを水平方向および鉛直方向に移動させて、搬送ロボットＴＲと基板Ｗを受け渡すことができる。搬送ロボットＴＲは、インデクサロボットＩＲに対してロードポートＬＰとは反対側に設けられている。図１の例では、搬送ロボットＴＲは、中央位置で停止するインデクサロボットＩＲと方向Ｄ２において並んで配置されている。

なお、インデクサロボットＩＲは必ずしも基板Ｗを直接に搬送ロボットＴＲと受け渡す必要はなく、基板通過部１１０を経由して基板Ｗを受け渡してもよい。この基板通過部１１０は、中央位置で停止したインデクサロボットＩＲと、搬送ロボットＴＲとの間に設けられている。つまり、中央位置で停止したインデクサロボットＩＲ、基板通過部１１０および搬送ロボットＴＲは方向Ｄ２において、この順で並んで配置されている。基板通過部１１０は、基板Ｗを載置または保持する部材を含む。インデクサロボットＩＲは基板Ｗを当該部材に渡し、搬送ロボットＴＲは当該部材から基板Ｗを取り出す。また逆に、搬送ロボットＴＲは基板Ｗを当該部材に渡し、インデクサロボットＩＲは基板Ｗを当該部材から取り出す。

搬送ロボットＴＲは各処理モジュール１００とインデクサロボットＩＲ（もしくは基板通過部１１０）との間で基板Ｗを搬送する。以下では、搬送ロボットＴＲが収容された空間を搬送空間５５と呼ぶ。

図１の例では、２つの処理モジュール１００が示されている。２つの処理モジュール１００は配列方向Ｄ１において搬送空間５５を隔てて配置されている。つまり、２つの処理モジュール１００は搬送空間５５に対して互いに反対側に設けられている。

処理モジュール１００の各々は、単一のウェット処理ユニット１０と、単一のドライ処理ユニット２０と、移載機構の一例である単一の移載ユニット３０とを含んでいる。言い換えれば、単一のウェット処理ユニット１０、単一のドライ処理ユニット２０および単一の移載ユニット３０が単一の処理モジュール１００を構成する。

ウェット処理ユニット１０は基板Ｗにウェット処理を行う。ウェット処理とは、基板Ｗに対して処理液を供給することで行われる処理をいう。例えばウェット処理は、処理液を用いた洗浄処理である。処理液は、例えば、ＳＣ１、ＳＣ２、フッ酸、硫酸、アンモニア水、硫酸および過酸化水素水の混合液、リン酸、オゾン水およびポリマー洗浄液等の洗浄薬液、ならびに、純水およびイソプロピルアルコール等のリンス液の少なくともいずれかを含む。ＳＣ１はアンモニア過酸化水素水混合液である。ＳＣ２は塩酸過酸化水素水混合液である。このウェット処理は、大気圧に近い雰囲気中において行われる。

ドライ処理ユニット２０は平面視において、ウェット処理ユニット１０と異なる位置に設けられ、基板Ｗにドライ処理を行う。ここでいうドライ処理とは、基板Ｗに向かって処理ガスを供給することで行われる処理をいう。例えばドライ処理は、処理ガスとしてオゾン（Ｏ_３）ガスを用いた処理、処理ガスとしてエッチングガスを用いた気相エッチング処理、または、水素（Ｈ_２）ガスを用いた酸化膜に対する還元処理を含む。オゾンガスを用いた処理は、例えば、酸化処理またはレジスト除去処理を含む。気相エッチング処理は、プラズマを用いないエッチング処理であり、例えば、フッ化水素（ＨＦ）ガス、三フッ化塩素（ＣｌＦ_３）ガス、アンモニア（ＮＨ_３）ガスおよびフッ化ヨウ素（ＩＦ_７）ガス等のエッチングガスを用いたエッチング処理を含む。あるいは、気相エッチング処理は、フッ素（Ｆ_２）ガスおよび水素ガスの混合ガスまたは三フッ化窒素（ＮＦ_３）ガス等のエッチングガスに紫外線を照射して発生するラジカルを用いたエッチング処理を含んでもよい。これらのドライ処理も、大気圧に近い雰囲気中において行われる。

移載ユニット３０は、同一平面内に配置されたウェット処理ユニット１０とドライ処理ユニット２０との間に設けられている。移載ユニット３０は、同一平面内に配置されたウェット処理ユニット１０とドライ処理ユニット２０との間で基板Ｗを移載する。つまり、移載ユニット３０はウェット処理ユニット１０からドライ処理ユニット２０に基板Ｗを移載することができ、また、ドライ処理ユニット２０からウェット処理ユニット１０に基板Ｗを移載することもできる。図１の例では、ウェット処理ユニット１０、移載ユニット３０およびドライ処理ユニット２０は方向Ｄ２に沿ってこの順で並んで配置されている。なおここでは、処理モジュール１００内における基板Ｗの搬送を「移載」と呼んでいるものの、ここでいう「移載」は技術的な意味で「搬送」と区別される必要はない。

移載ユニット３０の構成は特に制限されないものの、例えばハンドと、当該ハンドを移動させるハンド駆動機構とを含む。当該ハンド駆動機構は、ハンドを水平に移動させる水平駆動機構と、ハンドを鉛直方向に移動させる鉛直駆動機構とを含む。水平駆動機構は例えばアーム機構、ボールねじ機構およびシリンダ機構などの機構を含む。鉛直駆動機構は例えばボールねじ機構およびシリンダ機構などの機構を含む。移載ユニット３０はハンドを移動させることにより、ウェット処理ユニット１０およびドライ処理ユニット２０の各々と基板Ｗを受け渡す。

図１に例示されるように、ウェット処理ユニット１０、移載ユニット３０およびドライ処理ユニット２０の配列順序は複数の処理モジュール１００において同じでもよい。図１の例では、一方の処理モジュール１００に属するウェット処理ユニット１０は、他方の処理モジュール１００に属するウェット処理ユニット１０と、配列方向Ｄ１において搬送空間５５を隔てて向かい合っている。同様に、両移載ユニット３０は配列方向Ｄ１において搬送空間５５を隔てて互いに向かっており、両ドライ処理ユニット２０は配列方向Ｄ１において搬送空間５５を隔てて互いに向かい合っている。

搬送ロボットＴＲは搬送空間５５内に設けられる。搬送ロボットＴＲは、例えばボールねじ機構等の移動機構により、方向Ｄ２に沿って移動可能である。搬送ロボットＴＲは、ウェット処理ユニット１０およびドライ処理ユニット２０の各々と向かい合う位置で停止することができる。

搬送ロボットＴＲの構成は特に制限されないものの、例えばハンドと、当該ハンドを移動させるハンド駆動機構とを含む。ハンド駆動機構は、ハンドを水平に移動させる水平駆動機構と、ハンドを鉛直方向に移動させる鉛直駆動機構とを含む。水平駆動機構は例えばアーム機構、ボールねじ機構およびシリンダ機構などの機構を含む。鉛直駆動機構は例えばボールねじ機構およびシリンダ機構などの機構を含む。搬送ロボットＴＲは当該ハンドを用いて、各処理モジュール１００におけるウェット処理ユニット１０およびドライ処理ユニット２０の各々と基板Ｗを受け渡す。

ところで、ハンドおよびハンド駆動機構を含む搬送ロボットＴＲは、方向Ｄ２に沿って移動可能である。これにより、搬送ロボットＴＲは、方向Ｄ２において互いに離れて配置されたウェット処理ユニット１０およびドライ処理ユニット２０の各々と、配列方向Ｄ１において向かい合うことができる。搬送ロボットＴＲはウェット処理ユニット１０およびドライ処理ユニット２０の各々と基板Ｗを受け渡すことができる。

一方で、移載ユニット３０はウェット処理ユニット１０とドライ処理ユニット２０との間に配置されている。よって、移載ユニット３０（例えばハンドおよびハンド駆動機構）は方向Ｄ２において移動しなくてもよい。つまり、移載ユニット３０を移動させる移動機構は設けられなくてよい。

図１の例では、平面視において、複数の処理モジュール１００が配置されている。しかしながら、複数段の処理モジュール１００が鉛直方向に積層されてもよい。図２は、複数の処理モジュール１００の構成の一例を概略的に示す側断面図である。この場合、鉛直方向に積層された複数段の処理モジュール１００が１つのタワーＴＷを構成する。図１の例では、平面視において、２つのタワーＴＷが搬送空間５５を隔てて互いに向かい合って配置される。

この場合、搬送ロボットＴＲ（例えばハンドおよびハンド駆動機構）は、例えばボールねじ機構等の昇降機構により昇降可能であり、各段の処理モジュール１００と向かい合う位置で停止することができる。搬送ロボットＴＲは各段の処理モジュール１００のウェット処理ユニット１０およびドライ処理ユニット２０の各々と基板Ｗを受け渡すことができる。

制御部２００は基板処理装置１の動作を制御する。例えば制御部２００はインデクサロボットＩＲ、搬送ロボットＴＲおよび処理モジュール１００の各種構成を制御する。制御部２００は、基板処理装置１に設けられた上記の種々の動作機構を制御する。

制御部２００のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部２００は、各種演算処理を行うＣＰＵ（Central Processing Unit）、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ（Read Only Memory）、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭ（Random Access Memory）および制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクを備えて構成される。制御部２００のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって基板処理装置１における基板Ｗに対する処理が進行する。なお、制御部２００の機能の一部または全部は専用のハードウェア回路によって実現されてもよい。

＜複数の処理モジュールの構成＞
＜筐体＞
図２に例示されるように、処理モジュール１００の各々は、ウェット処理ユニット１０、ドライ処理ユニット２０および移載ユニット３０を収容する筐体４０を含んでいる。筐体４０は例えば直方体の箱形形状を有しており、その長手方向は方向Ｄ２に沿っている。

筐体４０は、天井部４１と、床部４２と、側壁４３と、内壁４４と、内壁４５とを有している。天井部４１、床部４２および側壁４３は互いに連結され、内部空間を形成する。この内部空間は例えば密閉空間である。

内壁４４および内壁４５は内部空間内に設けられており、方向Ｄ２において互いに向かい合って設けられる。内壁４４および内壁４５は、内部空間をウェット処理空間５１、ドライ処理空間５２および移載空間５３に仕切るための壁である。具体的には、内壁４４はウェット処理空間５１と移載空間５３とを仕切る壁であり、例えば、その厚み方向が方向Ｄ２に沿う姿勢で設けられる。内壁４５は移載空間５３とドライ処理空間５２とを仕切る壁であり、例えば、その厚み方向が方向Ｄ２に沿う姿勢で設けられる。これらウェット処理空間５１、移載空間５３およびドライ処理空間５２は方向Ｄ２に沿ってこの順に並ぶこととなる。ウェット処理空間５１、ドライ処理空間５２および移載空間５３は例えば密閉空間である。

なお、筐体４０の形状は特に制限されず、ウェット処理空間５１、ドライ処理空間５２および移載空間５３の形状も特に制限されない。例えば、ドライ処理空間５２が円柱形状を有するように、筐体４０および内壁４６の形状が設計されてもよい。

ウェット処理空間５１にはウェット処理ユニット１０が収容され、移載空間５３には移載ユニット３０が収容され、ドライ処理空間５２にはドライ処理ユニット２０が収容される。

内壁４４には、開口４４ａが形成されている。開口４４ａは方向Ｄ２に沿って内壁４４を貫通しており、移載ユニット３０のハンドおよび基板Ｗが通過可能なサイズを有している。内壁４４には、開口４４ａを開閉するシャッタ６１も設けられている。シャッタ６１は制御部２００によって制御される。シャッタ６１が開口４４ａを閉じることで、ウェット処理空間５１と移載空間５３とが互いに仕切られる。シャッタ６１が開くことで、ウェット処理空間５１と移載空間５３とが開口４４ａを介して互いに繋がる。移載ユニット３０は開口４４ａを介してウェット処理ユニット１０と基板Ｗを受け渡すことができる。

内壁４５には、開口４５ａが形成されている。開口４５ａは方向Ｄ２に沿って内壁４５を貫通しており、移載ユニット３０のハンドおよび基板Ｗが通過可能なサイズを有している。内壁４５には、開口４５ａを開閉するシャッタ６２も設けられている。シャッタ６２は制御部２００によって制御される。シャッタ６２が開口４５ａを閉じることで、移載空間５３とドライ処理空間５２とが互いに仕切られる。シャッタ６２が開くことで、移載空間５３とドライ処理空間５２とが開口４５ａを介して互いに繋がる。移載ユニット３０は開口４５ａを介してドライ処理ユニット２０と基板Ｗを受け渡すことができる。

図１に例示されるように、側壁４３のうち搬送空間５５に接する側壁４３１には、搬送ロボットＴＲとウェット処理ユニット１０との間の基板Ｗの搬送用の開口４３ａおよびシャッタ６３が設けられている。具体的には、側壁４３１のうち、ウェット処理空間５１に接する一部に開口４３ａおよびシャッタ６３が設けられている。開口４３ａは側壁４３１を配列方向Ｄ１に沿って貫通しており、搬送ロボットＴＲのハンドおよび基板Ｗが通過可能なサイズを有している。シャッタ６３は制御部２００によって制御される。シャッタ６３が開口４３ａを閉じることにより、ウェット処理空間５１および搬送空間５５が互いに仕切られる。またシャッタ６３が開くことにより、ウェット処理空間５１および搬送空間５５が開口４３ａを介して互いに繋がる。搬送ロボットＴＲは開口４３ａを介してウェット処理ユニット１０と基板Ｗを受け渡すことができる。

同様に、側壁４３１のうち、ドライ処理空間５２に接する一部には、開口４３ｂおよびシャッタ６４が設けられている。開口４３ｂも側壁４３１を配列方向Ｄ１に沿って貫通しており、搬送ロボットＴＲのハンドおよび基板Ｗが通過可能なサイズを有している。シャッタ６４は制御部２００によって制御される。シャッタ６４が開口４３ｂを閉じることにより、ドライ処理空間５２および搬送空間５５が互いに仕切られる。またシャッタ６４が開くことにより、ドライ処理空間５２および搬送空間５５が開口４３ｂを介して互いに繋がる。搬送ロボットＴＲは開口４３ｂを介してドライ処理ユニット２０と基板Ｗを受け渡すことができる。

なお図２の例では、３段の処理モジュール１００が設けられているものの、これに限らない。１段または２段の処理モジュール１００が設けられてもよく、あるいは、４段以上の処理モジュール１００が設けられてもよい。

また、図２では図示省略しているものの、ウェット処理ユニット１０およびドライ処理ユニット２０の各種の配管（後述）を配策するための空間が形成されていてもよい。例えば、鉛直方向において隣り合う天井部４１と床部４２との間には、配管配策用の内部空間が形成され、その内部空間に配管が収容されてもよい。

また、複数の処理モジュール１００が方向Ｄ２に沿って並んで配置されてもよい。図３は、基板処理装置１の構成の他の一例を概略的に示す平面図である。図３の例では、平面視において、４つの処理モジュール１００として、処理モジュール１００ａ～１００ｄが設けられている。処理モジュール１００ａ，１００ｂは方向Ｄ２において互いに隣接して配置されており、処理モジュール１００ｃ，１００ｄは方向Ｄ２において互いに隣接して配置されている。処理モジュール１００ａ，１００ｂの一組と処理モジュール１００ｃ，１００ｄの一組との間には、搬送空間５５が形成される。処理モジュール１００ａ，１００ｃは配列方向Ｄ１において互いに向かい合っており、処理モジュール１００ｂ，１００ｄは配列方向Ｄ１において互いに向かい合っている。

この場合、搬送ロボットＴＲの方向Ｄ２における移動可能量は、図１に比して大きい。搬送ロボットＴＲは、処理モジュール１００ａのウェット処理ユニット１０およびドライ処理ユニット２０ならびに処理モジュール１００ｂのウェット処理ユニット１０およびドライ処理ユニット２０の各々と向かい合う位置で停止できる程度に、方向Ｄ２に沿って移動可能である。搬送ロボットＴＲは、処理モジュール１００ｃ，１００ｄのウェット処理ユニット１０およびドライ処理ユニット２０の各々と向かい合う位置でも停止できる。

図３の例では、２つの処理モジュール１００が方向Ｄ２において互いに隣接しているものの、３つ以上の処理モジュール１００が方向Ｄ２において互いに隣接していてもよい。

＜ウェット処理ユニット＞
図２に例示されるように、ウェット処理ユニット１０は、基板保持部１１と、ノズル１２と、カップ１３とを含んでいる。基板保持部１１、ノズル１２およびカップ１３はウェット処理空間５１内に収容される。

基板保持部１１は基板Ｗを水平姿勢で保持する。ここでいう水平姿勢とは、基板Ｗの厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢である。例えば基板保持部１１として、基板Ｗの周縁を複数のチャックピンで保持する基板保持部を採用してもよく、あるいは、基板Ｗの下面を吸着して保持する基板保持部を採用してもよい。

基板保持部１１は、例えばモータ等の回転機構により、基板Ｗを回転軸線Ｑ１まわりで回転させる。回転軸線Ｑ１は、基板Ｗの中心部を通って鉛直方向に延びる軸線である。このような基板保持部１１はスピンチャックとも呼ばれる。基板保持部１１の保持動作および回転動作は制御部２００によって制御される。

ノズル１２は、基板保持部１１に保持された基板Ｗの主面に処理液を吐出する。図２の例では、ノズル１２は、基板保持部１１に保持された基板Ｗよりも鉛直上方に位置しており、基板Ｗの上面に処理液を吐出する。回転中の基板Ｗに処理液が吐出されると、基板Ｗの上面に着液した処理液は遠心力を受けて基板Ｗの周縁側に流れ、当該周縁から外側に飛散する。これにより、処理液の種類に応じたウェット処理を基板Ｗに対して行うことができる。

ノズル１２は処理液供給管１８を介して処理液供給源（不図示）に接続される。処理液供給管８１にはバルブ（不図示）が設けられ、バルブの開閉によって処理液の吐出および停止が切り替えられる。バルブは制御部２００によって制御される。

ノズル１２は複数種類の処理液を順次に基板Ｗに供給してもよい。つまり、処理液供給管１８は分岐路を含み、その分岐路の端部がそれぞれ複数種類の処理液供給源に接続されてもよい。この場合、分岐路のそれぞれにバルブが設けられる。また、複数のノズル１２が設けられ、それぞれが処理液供給管１８を介して、異なる処理液供給源に接続されてもよい。

カップ１３は筒状の形状を有しており、基板保持部１１を取り囲む。カップ１３は、基板Ｗの周縁から飛散した処理液を受け止める。カップ１３は昇降可能に設けられていてもよい。この場合、カップ１３の昇降は制御部２００によって制御される。

ところで、ノズル１２から処理液が吐出されると、処理液の一部が揮発したり、あるいは、処理液が飛散したりして、その揮発成分または処理液の微小液滴がウェット処理空間５１内に広がり得る。つまり、ウェット処理空間５１内には、処理液の揮発成分および微小液滴が含まれ得る。

そこで、ウェット処理ユニット１０は、ウェット処理空間５１内のガス（雰囲気ガスと呼ぶ）を排気するための機構を含んでいてもよい。図４は、ウェット処理ユニット１０の構成の一例を概略的に示す図であり、図４の例では、ノズル１２、カップ１３および処理液供給管１８の図示が省略される。

図４の例では、ウェット吸引管１４が設けられている。ウェット吸引管１４の吸引口１４ａはウェット処理空間５１内において開口している。具体的な一例として、ウェット吸引管１４の吸引口１４ａは筐体４０の床部４２の上面に形成されており、ウェット処理空間５１に開口する。吸引口１４ａは平面視において、例えば円形状を有する。

ウェット吸引管１４は吸引機構１６に接続されている。吸引機構１６は例えばポンプを含み、ウェット吸引管１４内の雰囲気ガスを吸引する。吸引機構１６は制御部２００によって制御される。吸引機構１６としては、基板処理装置１に専用の吸引機構（例えばポンプ）を採用してもよく、他の装置にも利用され得る工場ユーティリティ設備を採用してもよい。吸引機構１６の吸引動作により、ウェット処理空間５１内の雰囲気ガスが吸引口１４ａに吸引され、ウェット吸引管１４を通じて外部に排気される。これによれば、ウェット処理空間５１内で処理液の揮発成分または微小液滴が蓄積することを抑制できる。

図４の例では、２つのウェット吸引管１４が設けられている。一方のウェット吸引管１４の吸引口１４ａは、基板保持部１１に対して他方のウェット吸引管１４の吸引口１４ａと反対側に形成される。なお、ウェット吸引管１４は１つであってもよく、あるいは３つ以上のウェット吸引管１４が設けられてもよい。

吸引機構１６の吸引動作により、ウェット処理空間５１内の圧力は大気圧よりも僅かに小さい値（例えば７５０Ｔｏｒｒ）に調整されてもよい。これにより、ウェット処理空間５１内の圧力が搬送空間５５よりも低くなる。よって、シャッタ６３が開いたときに、ウェット処理空間５１から搬送空間５５に流出する雰囲気ガスの量を低減させることができる。ひいては、処理液の揮発成分または微小液滴が搬送空間５５内の各種構成に付着して不具合（例えば材料劣化）を生じさせることを抑制できる。

図４の例では、ウェット処理ユニット１０にはウェット吸引管１５も設けられているものの、これについては後に詳述する。

＜ドライ処理ユニット＞
図５は、ドライ処理ユニット２０の構成の一例を概略的に示す図である。ドライ処理ユニット２０は、基板載置部２１と、ガス供給部２２と、ドライ吸引管２３とを含んでいる。

基板載置部２１はドライ処理空間５２内に収容されている。基板載置部２１は、基板Ｗが水平姿勢で載置される部材である。基板載置部２１は載置面２１ａを有し、この載置面２１ａの上に基板Ｗが載置される。なお、基板載置部２１は、例えばチャックピンまたは吸着等により、基板Ｗを保持しても構わない。

図５の例では、ドライ処理ユニット２０には温度調整器２１１が設けられている。図５に例示されるように、温度調整器２１１は基板載置部２１に内蔵されてもよい。温度調整器２１１は、基板載置部２１の載置面２１ａの上に載置された基板Ｗの温度を調整する。より具体的には、温度調整器２１１は、基板Ｗの温度がドライ処理に適した温度範囲内になるように、基板Ｗの温度を調整する。温度調整器２１１は制御部２００によって制御される。

温度調整器２１１は例えばヒータを含む。ヒータは例えば電熱線を有しており、当該電熱線に電流が流れることによってジュール熱が生じる。当該熱が基板Ｗに伝達されて基板Ｗが加熱される。あるいは、温度調整器２１１は冷却ユニットを含む。冷却ユニットは例えばペルチェ素子または冷媒配管を含み、周囲の熱を吸収する。これにより、基板Ｗが冷却される。

ガス供給部２２は処理ガスをドライ処理空間５２に供給する。図５の例では、ガス供給部２２は、基板載置部２１に載置された基板Ｗよりも鉛直上方から、基板Ｗに向けて処理ガスを供給する。ガス供給部２２は、例えば筐体４０の天井部４１の下面に形成された供給口２２ａを有しており、供給口２２ａはドライ処理空間５２に向けて開口している。図５の例では、供給口２２ａは基板載置部２１と鉛直方向において向かい合う位置に形成される。

ガス供給部２２は、供給口２２ａを一端口とした内部流路を有する配管を含み、当該供給口２２ａからドライ処理空間５２に処理ガスを供給する。当該配管は処理ガス供給源（不図示）に接続され、当該配管にはバルブ（不図示）が設けられる。バルブは制御部２００によって制御される。バルブが開閉することにより、処理ガスの供給および停止が切り替えられる。

図５の例では、ガス供給部２２の供給口２２ａと基板載置部２１との間には、整流部２４が設けられている。整流部２４は例えば整流板２４１を含む。図５の例では、２枚の整流板２４１が鉛直方向において間隔を空けて設けられている。整流板２４１は例えばパンチングプレートであり、その厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢で設けられる。整流板２４１には、自身を厚み方向に貫通する複数の開口２４２が形成されている。複数の開口２４２は平面視において二次元に配列され、例えばマトリックス状に配列される。

供給口２２ａから供給された処理ガスは整流部２４（具体的には開口２４２）を通過することにより整流され、基板Ｗの上面に向かって流れる。処理ガスが基板Ｗの上面に作用することにより、処理ガスの種類に応じたドライ処理を行うことができる。

処理ガスとしては、例えばオゾンガスを採用することができる。オゾンガスを用いた処理としては、例えば酸化膜の成膜処理が挙げられる。例えば基板Ｗの上面にシリコン等が露出している場合、加熱中の基板Ｗの上面にオゾンガスが作用することにより、基板Ｗの上面にシリコン酸化膜を成膜することができる。

オゾンガスを用いた処理としては、レジスト除去処理も挙げられる。例えば炭素元素、水素元素および酸素元素などから構成されたレジストが基板Ｗの上面に形成されている場合、オゾンガスが基板Ｗのレジストと反応し、レジストを除去することができる。

ドライ吸引管２３は、ドライ処理空間５２内のガス（雰囲気ガスと呼ぶ）を排気するための配管である。ドライ吸引管２３の吸引口２３ａはドライ処理空間５２において開口する。図５の例では、ドライ吸引管２３の吸引口２３ａは筐体４０の床部４２の上面に形成されている。吸引口２３ａは平面視において、例えば円形状を有する。

ドライ吸引管２３は吸引機構２５に接続されている。吸引機構２５は例えばポンプを含み、ドライ吸引管２３内のガスを吸引する。吸引機構２５としては、基板処理装置１に専用の吸引機構（例えばポンプ）を採用してもよく、他の装置にも利用され得る工場ユーティリティ設備を採用してもよい。吸引機構２５は制御部２００によって制御される。吸引機構２５の吸引動作により、ドライ処理空間５２内の雰囲気ガスが吸引口２３ａに吸引され、ドライ吸引管２３を通じて外部に排気される。これにより、基板Ｗの反応に寄与しなかった処理ガス、および、処理ガスと基板Ｗとの反応により生成された不要なガスを外部に排気することができる。なお、図５の例では、１つのドライ吸引管２３が設けられているものの、２つ以上のドライ吸引管２３が設けられてもよい。

オゾンガスは漏洩すると危険であるために、排気ラインにオゾンガス検知器（不図示）を配置し、オゾンガス検知器がオゾンガスを検知した場合に、ガス供給部２２がオゾンガスの供給を停止してもよい。

吸引機構２５の吸引動作により、ドライ処理空間５２内の圧力は大気圧よりも僅かに小さい値（例えば７５０Ｔｏｒｒ）に調整されてもよい。これにより、ドライ処理空間５２内の圧力が搬送空間５５よりも低くなる。よって、シャッタ６４が開いたときに、ドライ処理空間５２から搬送空間５５に流出する雰囲気ガスの量を低減させることができる。ひいては、処理ガスなどのガスが搬送空間５５内の各種構成に付着して不具合（例えば材料劣化）を生じさせることを抑制できる。

また、図５の例では、ドライ処理ユニット２０にはドライ吸引管２６も設けられているものの、これについては後に詳述する。

＜移載ユニット＞
図６は、移載ユニット３０の構成の一例を示す図である。移載ユニット３０は移載空間５３に収容されている。図６に例示されるように、この移載空間５３には、ガス供給部３１によって不活性ガスが供給されてもよい。ここでいう不活性ガスとは、基板Ｗとの反応性が低いガスをいう。具体的な一例として、不活性ガスは、アルゴンガス等の希ガスおよび窒素ガスの少なくともいずれかを含む。

図６の例では、ガス供給部３１は、天井部４１の下面に形成された供給口３１ａを有しており、供給口３１ａは移載空間５３に開口している。ガス供給部３１は、供給口３１ａを一端口とした内部流路を有する配管を含み、当該供給口３１ａから移載空間５３に不活性ガスを供給する。当該配管は不活性ガス供給源（不図示）に接続され、当該配管にはバルブ（不図示）が設けられる。バルブは制御部２００によって制御され、当該バルブの開閉により不活性ガスの供給および停止が切り替えられる。

ガス供給部３１は移載空間５３に不活性ガスを供給することにより、移載空間５３の圧力を大気圧よりも僅かに大きい値に調整する。この移載空間５３の圧力はウェット処理空間５１の圧力およびドライ処理空間５２の圧力の両方よりも高い。

なお、ガス供給部３１が設けられていなくても、ウェット吸引管１４およびドライ吸引管２３が設けられていれば、移載空間５３の圧力はウェット処理空間５１の圧力およびドライ処理空間５２の圧力の両方よりも高くなり得る。しかるに、シャッタ６１およびシャッタ６２の各々が開くたびに、移載空間５３内の雰囲気ガスが流出するので、移載空間５３内の圧力は徐々に低下し得る。よって、移載空間５３とウェット処理空間５１との間の圧力差および移載空間５３とドライ処理空間５２との間の圧力差が低下し得る。

これに対して、ガス供給部３１が設けられている場合には、各圧力差をより大きな値に維持することができる。

移載空間５３の圧力がウェット処理空間５１の圧力よりも高ければ、シャッタ６１が開いたときにウェット処理空間５１から移載空間５３に流出する雰囲気ガスの量を低減させることができる。ひいては、ウェット処理空間５１内の雰囲気ガスが移載空間５３を経由してドライ処理空間５２に流入することも抑制できる。これによれば、処理液の揮発成分または微小液滴が移載空間５３およびドライ処理空間５２内の各種構成に付着して生じる不具合を抑制できる。

同様に、移載空間５３の圧力がドライ処理空間５２の圧力よりも高ければ、シャッタ６２が開いたときにドライ処理空間５２から移載空間５３に流出する雰囲気ガスの量を低減させることができる。ひいては、ドライ処理空間５２内の雰囲気ガスが移載空間５３を経由してウェット処理空間５１に流入することも抑制できる。これによれば、処理ガスなどのガスが移載空間５３およびウェット処理空間５１内の各種構成に付着して生じる不具合を抑制できる。

＜基板処理装置１の動作の一例＞
次に、基板処理装置１の動作の流れの一例について述べる。ここでは一例として、基板Ｗの上面にはレジストが形成されており、基板処理装置１は当該レジストを除去するものとする。

図７は、基板処理装置１の動作の一例を示すフローチャートである。まず、ロードポートＬＰに保持されたキャリア内の基板Ｗがドライ処理ユニット２０に搬送される（ステップＳ１）。具体的には、インデクサロボットＩＲが、ロードポートＬＰに保持されたキャリアから基板Ｗを１枚ずつ順次に取り出し、基板Ｗを搬送ロボットＴＲに順次に搬送する。搬送ロボットＴＲは、複数のドライ処理ユニット２０のうち空いているドライ処理ユニット２０に基板Ｗを順次に搬送する。具体的には、搬送ロボットＴＲが、空いているドライ処理ユニット２０と向かい合う位置に移動しつつ、そのドライ処理ユニット２０のシャッタ６４が開く。そして、搬送ロボットＴＲは開口４３ｂを介して基板Ｗを当該ドライ処理ユニット２０に搬入する。これにより、基板Ｗが基板載置部２１の載置面２１ａ上に載置される。次に、シャッタ６４が閉じる。

このようにして搬送ロボットＴＲが基板Ｗを、空いているドライ処理ユニット２０に順次に搬送する。これにより、複数のドライ処理ユニット２０に基板Ｗが搬入される。

なお、ここでは、ドライ処理空間５２内の雰囲気ガスはドライ吸引管２３を通じて外部に排気されており、ドライ処理空間５２内の圧力は大気圧よりも僅かに小さい値に調整されている。よって、ドライ処理ユニット２０への基板Ｗの搬入時において、ドライ処理空間５２から搬送空間５５への雰囲気ガスの流出が抑制される。

基板Ｗが搬入された各ドライ処理ユニット２０は、基板Ｗにドライ処理を行う（ステップＳ２）。具体的には、まず温度調整器２１１は基板Ｗの温度を、レジスト除去処理に適した規定範囲内に調整する。基板Ｗの温度が規定範囲内となると、ガス供給部２２は処理ガスとしてオゾンガスを基板Ｗの上面に向かって供給する。オゾンガスが基板Ｗの上面のレジストと反応することにより、当該レジストが除去される。

温度調整器２１１が基板Ｗの温度を規定範囲内に調整することにより、オゾンガスとレジストとの反応を促進することができる。言い換えれば、温度調整器２１１は当該反応の促進に適した温度範囲に基板Ｗの温度を調整する。

オゾンガスの供給開始から所定時間が経過すると、ガス供給部２２はオゾンガスの供給を停止する。これにより、レジスト除去処理が終了する。また温度調整器２１１は基板Ｗの温度調整を停止してもよい。

このレジスト除去処理により、基板Ｗの上面のレジストが除去されるものの、レジストを構成していた炭素が基板Ｗの上面に残留し得る。この残留炭素は不要であるので、基板Ｗからの除去が望まれる。そこで、ウェット処理によって基板Ｗの残留炭素を洗浄除去する。

まず、移載ユニット３０は基板Ｗをドライ処理ユニット２０からウェット処理ユニット１０に移載する（ステップＳ３）。具体的には、シャッタ６２が開いた後に、移載ユニット３０がドライ処理ユニット２０から基板Ｗを搬出し、シャッタ６２が閉じる。またシャッタ６１が開いた後に、移載ユニット３０がウェット処理ユニット１０に基板Ｗを搬入する。これにより、基板Ｗが基板保持部１１によって保持される。そして、シャッタ６１が閉じる。

ここでは、ガス供給部３１が移載空間５３に不活性ガスを供給しており、移載空間５３内の圧力は大気圧よりも僅かに大きな値に調整されている。また、ウェット処理空間５１内の雰囲気ガスはウェット吸引管１４を通じて外部に排気されており、ウェット処理空間５１内の圧力は大気圧よりも僅かに小さい値に調整されている。また、ドライ処理空間５２内の雰囲気ガスはドライ吸引管２３を通じて外部に排気されており、ドライ処理空間５２内の圧力は大気圧よりも僅かに小さい値に調整されている。よって、ドライ処理ユニット２０からウェット処理ユニット１０への基板Ｗの移載時において、ドライ処理空間５２内の雰囲気ガスの流出およびウェット処理空間５１内の雰囲気ガスの流出が抑制される。

基板Ｗが搬入されたウェット処理ユニット１０は、基板Ｗにウェット処理を行う（ステップＳ４）。具体的には、基板保持部１１が基板Ｗを水平に保持しつつ、基板Ｗを回転軸線Ｑ１のまわりで回転させる。そして、回転中の基板Ｗの主面（ここでは上面）の中央部に向けてノズル１２から処理液が吐出される。処理液は、基板Ｗの残留炭素を除去するための洗浄薬液であって、例えばＳＣ１、フッ酸または硫酸である。

基板Ｗの上面に着液した処理液は、遠心力を受けて基板Ｗの上面を広がり、基板Ｗの周縁から外側に飛散する。これにより、基板Ｗの上面の残留炭素が除去される。

なお、ノズル１２は必要に応じて種々の処理液を順次に吐出してもよい。例えば洗浄薬液の吐出後にノズル１２はリンス液を基板Ｗの上面に吐出して洗浄薬液を洗い流す。その後、ノズル１２からの処理液の供給を停止し、基板保持部１１が基板Ｗの回転速度を増加させて、基板Ｗを乾燥させる（いわゆるスピンドライ）。これにより、基板Ｗを洗浄して乾燥させることができる。

ウェット処理ユニット１０における処理が終了すると、基板ＷはロードポートＬＰに搬送される（ステップＳ５）。具体的には、シャッタ６３が開き、搬送ロボットＴＲがウェット処理ユニット１０から基板Ｗを搬出する。そして、シャッタ６３が閉じる。

なおここでは、ウェット処理空間５１内の圧力は大気圧よりも僅かに小さい値に調整されている。よって、搬送ロボットＴＲによるウェット処理ユニット１０からの基板Ｗの搬出時において、ウェット処理空間５１から移載空間５３への雰囲気ガスの流出は抑制される。

搬送ロボットＴＲは、処理が終了したウェット処理ユニット１０から順に基板Ｗを搬出し、都度、当該基板ＷをインデクサロボットＩＲに渡し、インデクサロボットＩＲは基板ＷをロードポートＬＰのキャリアに順次に搬入する。

以上のようにして、基板処理装置１は基板Ｗに対してドライ処理およびウェット処理を連続的に行う。

＜実施の形態の効果＞
この基板処理装置１によれば、各処理モジュール１００において、移載ユニット３０がウェット処理ユニット１０とドライ処理ユニット２０との間で基板Ｗを移載する。

比較のために、搬送ロボットＴＲがウェット処理ユニット１０とドライ処理ユニット２０との間で基板Ｗを搬送する場合について考慮する。この場合、搬送ロボットＴＲがロードポートＬＰと処理モジュール１００との間で基板Ｗを搬送している期間では、ウェット処理ユニット１０とドライ処理ユニット２０との間で基板Ｗの搬送はできない。

これに対して、基板処理装置１によれば、搬送ロボットＴＲによるロードポートＬＰと処理モジュール１００との間の基板Ｗの搬送中でも、各処理モジュール１００において移載ユニット３０がウェット処理ユニット１０とドライ処理ユニット２０との間で基板Ｗを移載することができる。よって、ウェット処理ユニット１０とドライ処理ユニット２０との間で基板Ｗを速やかに移載することができる。

図７の動作例では、ドライ処理ユニット２０が基板Ｗにドライ処理（ステップＳ２）を行った後に、速やかに、移載ユニット３０がドライ処理ユニット２０からウェット処理ユニット１０に基板Ｗを移載する（ステップＳ３）。よって、ドライ処理（ステップＳ２）の後に速やかにウェット処理（ステップＳ４）を開始することができる。

上述の動作例では、ドライ処理として、オゾンガスを用いたレジスト除去処理が採用されている。レジストは、炭素を含む有機化合物であり、オゾンと反応することで、分解除去される。このようなレジスト除去処理後には、基板Ｗの上面に炭素が残留し得る。このような残留炭素は、その下地膜（例えばシリコン）が空気中の酸素と反応して酸化することにより、その酸化膜に取り込まれ得るので、時間の経過とともにとともに、炭素の除去が困難となり得る。

基板処理装置１によれば、ドライ処理ユニット２０によるレジスト除去処理の後に速やかに基板Ｗをウェット処理ユニット１０に移載し、基板Ｗに対してウェット処理を行うことができる。よって、残留炭素が除去しやすい状態でウェット処理を開始することができる。したがって、基板Ｗの残留炭素を適切に除去することができる。

また、基板処理装置１によれば、ウェット処理ユニット１０とドライ処理ユニット２０との間には、いわゆるロードロックまたはエアロックと呼ばれる高真空の減圧室が設けられていない。つまり、基板Ｗは減圧室内の減圧空間を経由せずに、ウェット処理ユニット１０とドライ処理ユニット２０との間で移載される。これによっても、ウェット処理ユニット１０とドライ処理ユニット２０との間の基板Ｗの搬送時間を短縮することができる。

また、ロードロックまたはエアロックを必要としないので、基板処理装置１のフットプリントを低減させることもできる。

＜ドライ処理＞
上述の例では、ドライ処理の一例としてレジスト除去処理を説明した。以下では、他のドライ処理について述べる。

＜気相エッチング処理（紫外線なし）＞
ドライ処理としては、エッチングガスを用いた気相エッチング処理を採用してもよい。この場合のドライ処理ユニット２０の構成は例えば図５と同様である。ただし、ガス供給部２２は処理ガスとしてエッチングガスをドライ処理空間５２に供給する。エッチングガスは基板Ｗの上面のエッチング対象をエッチング可能なガスであり、例えば、フッ化水素ガスまたはフッ素ガスなどのフッ素元素を含有する反応性ガスを含む。また、エッチングガスは、水蒸気またはアルコールガスなどの水酸基（ＯＨ基）を有する添加ガスをさらに含んでもよい。また、エッチングガスは不活性ガスをさらに含んでもよい。

温度調整器２１１は、基板Ｗの温度が気相エッチング処理に適した規定範囲内となるように、基板Ｗの温度を調整する。

基板Ｗの温度が規定範囲内に調整された状態で、ガス供給部２２がエッチングガスをドライ処理空間５２に供給する。エッチングガスが基板Ｗの上面に供給されると、エッチングガスがエッチング対象と反応し、エッチング対象を除去する。このような気相エッチング処理の終了後には、基板Ｗの上面にフッ素が残留し得る。

ウェット処理ユニット１０のノズル１２は、処理液として、フッ素を除去するための洗浄薬液（例えば硫酸）を吐出する。これにより、基板Ｗの上面の残留フッ素を洗浄除去することができる。

この基板処理装置１の動作の一例も図７と同様である。ただし、ステップＳ２にて、ドライ処理ユニット２０は上述のように気相エッチング処理を行う。これにより、基板Ｗの上面のエッチング対象をエッチングすることができる。気相エッチング処理の終了後において、基板Ｗの上面にはフッ素が残留し得る。

そこで、気相エッチング処理に続けて、残留フッ素を除去するためのウェット処理を行う。具体的には、移載ユニット３０はドライ処理ユニット２０からウェット処理ユニット１０に基板Ｗを移載し（ステップＳ３）、ウェット処理ユニット１０はノズル１２から硫酸などの洗浄薬液を基板Ｗの上面に供給して、残留フッ素を基板Ｗから除去する（ステップＳ４）。そして、ウェット処理ユニット１０は洗浄薬液の供給後にノズル１２からリンス液を基板Ｗの上面に供給し、続けて乾燥処理を行う。

以上のように、基板処理装置１は基板Ｗにエッチング処理を行うことができる。

さて、残留フッ素が水分と反応すると、基板Ｗに不具合（例えば欠陥またはパーティクル）を発生させ得るので、速やかに基板Ｗから残留フッ素を除去することが望まれる。

基板処理装置１によれば、各処理モジュール１００において、ウェット処理ユニット１０およびドライ処理ユニット２０に対応して移載ユニット３０が設けられている。よって、移載ユニット３０は気相エッチング処理の後、速やかに、ドライ処理ユニット２０からウェット処理ユニット１０に基板Ｗを移載することができる。よって、気相エッチング処理の後、速やかに、残留フッ素を除去する洗浄処理を開始することができる。ひいては、基板Ｗに生じる不具合をより適切に抑制することができる。

＜気相エッチング処理（紫外線あり）＞
ドライ処理として、紫外線を用いた気相エッチング処理を採用してもよい。この場合のドライ処理ユニット２０の構成は、例えば図５の構成に加えて、紫外線を照射する光源を含む。当該光源としては、例えば、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、エキシマランプ、メタルハライドランプおよびＵＶ（ultraviolet)－ＬＥＤ（Light Emitting Diode）などの光源が採用され得る。当該光源は、ドライ処理空間５２内に設けられ、エッチングガスに紫外線を照射する。当該光源は、エッチングガスが基板Ｗに到達する前に、当該エッチングガスに紫外線を供給可能な位置に設けられれば良い。

ガス供給部２２は、エッチングガスとして、例えば、フッ素ガスおよび水素ガスを含む混合ガスまたは三フッ化水素（ＮＦ_３）ガスなどの反応性ガスを含む。

基板Ｗの温度が規定範囲内に調整された状態で、ガス供給部２２がエッチングガスをドライ処理空間５２に供給しつつ、光源がエッチングガスに向かって紫外線を照射する。紫外線がエッチングガスに照射されると、紫外線がエッチングガスに吸収されてラジカル（例えばフッ素ラジカル）が発生し、当該ラジカルが基板Ｗの上面のエッチング対象と反応し、エッチング対象を除去する。

このような紫外線を用いた気相エッチング処理の後でも、基板Ｗの上面にはフッ素が残留し得る。基板処理装置１によれば、気相エッチング処理の後、速やかに、ウェット処理を開始することができるので、残留フッ素を速やかに除去することができる。ひいては、基板Ｗに生じる不具合をより適切に抑制できる。

＜水素還元処理＞
基板Ｗの上面には金属膜が形成される場合があり、しかも、その金属膜の表面が酸化している場合がある。図８は、基板Ｗに形成された膜構成の一部の一例を概略的に示す断面図である。図８の例では、基板Ｗの上面には金属膜９１、絶縁膜９２および絶縁膜９３が形成されている。図８の例では、絶縁膜９２の上面には凹部が形成されており、金属膜９１は当該凹部に埋設するように形成されている。金属膜９１が形成された部分以外の絶縁膜９２の上面には、絶縁膜９３が形成されている。言い換えれば、絶縁膜９３には、金属膜９１の上面に繋がるビアホール９３１が形成されている。図８の例では、金属膜９１の上面が酸化しており、金属酸化膜９１ａが形成されている。このような基板Ｗに対して洗浄薬液（例えばポリマー洗浄液）を供給すると、金属膜９１の表面の金属酸化膜９１ａが洗浄薬液に溶出し、金属膜９１が薄膜化する。これにより、金属膜９１の抵抗値が規定値よりも高くなり得る。

そこで、基板Ｗを洗浄するウェット処理に先立って、水素ガスを用いた水素還元処理を基板Ｗに行う。この場合のドライ処理ユニット２０の構成は例えば図５と同様である。ただし、ガス供給部２２は、水素ガスを含む処理ガスをドライ処理空間５２に供給する。なお、処理ガスには、水素ガス以外のガス（例えば窒素ガスなどの不活性ガス）が含まれてもよい。この処理ガスにおいて、水素ガスの濃度は例えば４ｖｏｌ％以下に設定される。

温度調整器２１１は、基板Ｗの温度が水素還元処理に適した規定範囲内となるように、基板Ｗの温度を調整する。

基板Ｗの温度が規定範囲内に調整された状態で、ガス供給部２２が処理ガスをドライ処理空間５２に供給する。処理ガスが基板Ｗの上面に供給されると、水素ガスが金属酸化膜９１ａと反応し、金属酸化膜９１ａを還元する。これにより、金属酸化膜９１ａは金属膜９１の一部に戻る。

また、ウェット処理ユニット１０において、ノズル１２は処理液として、ポリマー洗浄液等の洗浄薬液を吐出する。

この基板処理装置１の動作の一例も図７と同様である。ただし、ステップＳ２にて、ドライ処理ユニット２０は上述のように基板Ｗに水素還元処理を行う。これにより、金属酸化膜９１ａが金属膜９１の一部に戻る。

次に、移載ユニット３０は基板Ｗをドライ処理ユニット２０からウェット処理ユニット１０に移載する（ステップＳ３）。次に、ウェット処理ユニット１０はノズル１２からポリマー洗浄液などの洗浄薬液を基板Ｗの上面に供給し、基板Ｗを洗浄する（ステップＳ４）。ウェット処理ユニット１０は洗浄薬液の供給後にノズル１２からリンス液を基板Ｗの上面に供給し、続けて乾燥処理を行う。

以上のように、基板処理装置１は金属膜９１の薄膜化を抑制しつつ、基板Ｗに洗浄処理を行うことができる。

さて、水素還元処理の後に金属膜９１の表面が再び酸化すると、洗浄処理においてその金属酸化膜が溶出する。よって、水素還元処理の後に速やかに洗浄処理を開始することが望ましい。基板処理装置１によれば、移載ユニット３０は水素還元処理の後、速やかに基板Ｗをドライ処理ユニット２０からウェット処理ユニット１０に移載することができる。よって、水素還元処理の後、速やかに基板Ｗに対する洗浄処理を開始することができる。ひいては、金属膜９１の不要な薄膜化を適切に抑制することができる。言い換えれば、金属膜９１が所定形状から逸脱することを適切に抑制できる。

＜異種酸化膜に対する選択エッチング＞
基板Ｗの上面には、異なる成膜方法で複数種類の酸化膜が形成されている場合がある。例えば、基板Ｗの上面には、熱酸化により成膜された熱酸化膜、および、ＣＶＤ法により成膜されたＣＶＤ酸化膜が混在して形成される場合がある。またこのＣＶＤ酸化膜には、不純物がドープされる場合もある。具体的な一例として、ボロンがＣＶＤ酸化膜にドープされてＢＳＧ膜（Boron Silicon Glass）を形成する場合がある。

ドライ処理としては、熱酸化膜およびＣＶＤ酸化膜（ここではＢＳＧ膜）の一方に対して他方を選択的にエッチングする気相エッチング処理を採用してもよい。ここでは一例として、熱酸化膜に対してＣＶＤ酸化膜をエッチングする。図９は、ドライ処理ユニット２０の構成の他の一例を概略的に示す図である。このドライ処理ユニット２０でも、図５と同様に、基板載置部２１、温度調整器２１１、ガス供給部２２およびドライ吸引管２３を含んでいる。

ガス供給部２２は処理ガス（エッチングガス）として、フッ化水素ガスおよび水蒸気をドライ処理空間５２に供給する。ガス供給部２２は、窒素などの不活性ガスをキャリアガスまたは圧力調整用のガスとして、エッチングガスとともに供給してもよい。

図９の例では、２つのドライ吸引管２３が設けられている。ドライ吸引管２３の吸引口２３ａは床部４２の上面に形成されており、ドライ処理空間５２に開口している。しかしながら、１つのドライ吸引管２３が設けられてもよく、３つ以上のドライ吸引管２３が設けられてもよい。

図９の例では、ドライ吸引管２３には、圧力調整バルブ２８が設けられている。圧力調整バルブ２８は、ドライ吸引管２３内の開度を調節することにより、ドライ処理空間５２内の圧力を調節する。圧力調整バルブ２８は制御部２００によって制御される。

図９の例では、ドライ処理ユニット２０には、圧力センサ２９も設けられている。圧力センサ２９は、ドライ処理空間５２内の真空度を検出する。圧力センサ２９によって検出される真空度が規定の範囲内となるように、制御部２００が圧力調整バルブ２８を制御してドライ処理空間５２内の圧力を調節する。

ドライ処理ユニット２０に基板Ｗが搬入されると、ドライ処理空間５２内の真空引きが開始される。圧力調整バルブ２８は、ドライ処理空間５２内の圧力を一旦、数十Ｔｏｒｒから数百Ｔｏｒｒに低減させ、その後、圧力を５００～７００Ｔｏｒｒに調整する。圧力を一旦より小さい値に低減させることにより、ドライ処理空間５２内の不純物を高い精度で排気し、ドライ処理空間５２を清浄化することができる。

また、温度調整器２１１は、基板Ｗの温度を例えば２５～５０℃の範囲に調整する。この温度範囲は、熱酸化膜に対するＣＶＤ酸化膜のエッチング比を高めるのに適した範囲である。

圧力および温度が調整されると、ガス供給部２２は、フッ化水素ガス、窒素ガスおよび水蒸気をドライ処理空間５２に供給する。フッ化水素ガスおよび水蒸気が基板Ｗの上面に供給されると、フッ化水素ガスおよび水の反応により、フッ化水素イオンが生成され、当該フッ化水素イオンが基板ＷのＣＶＤ酸化膜のエッチングに寄与する。

このような気相エッチング処理後でも、基板Ｗの上面にフッ素が残留し得るので、速やかに、フッ素を除去するためのウェット処理を開始することが望ましい。基板処理装置１によれば、気相エッチング処理の後、速やかにウェット処理を開始することができるので、残留フッ素を速やかに除去することができる。ひいては、基板Ｗに生じる不具合をより適切に抑制できる。

＜ドライ処理およびウェット処理の順序＞
図７の動作例では、ドライ処理に連続してウェット処理を行っている。つまり、ドライ処理の後にウェット処理を行っている。しかしながら、ドライ処理の前にもウェット処理が行われてもよい。つまり、基板Ｗを洗浄するためのウェット処理を行った後に、続けてドライ処理を行ってもよい。基板Ｗを洗浄するウェット処理が行われた後には、基板Ｗの上面が時間の経過とともに例えばパーティクル等によって再び汚染され得るので、ウェット処理の後に速やかにドライ処理を開始することが望まれる。本基板処理装置１によれば、移載ユニット３０はウェット処理の後、速やかにドライ処理を開始することができる。

＜圧力＞
＜ウェット吸引管＞
図４の例では、ウェット処理ユニット１０はウェット吸引管１５をさらに含んでいる。ウェット吸引管１５の吸引口１５ａはウェット処理空間５１内において開口しており、内壁４４の開口４４ａの近傍に配置される。ここで、ウェット吸引管１５の吸引口１５ａと開口４４ａとの位置関係を、まず、ウェット吸引管１４の吸引口１４ａを用いて説明しておく。ウェット吸引管１５の吸引口１５ａは、水平方向において、吸引口１４ａの両方よりも開口４４ａに近い位置に設けられており、鉛直方向においても、吸引口１４ａの両方よりも開口４４ａに近い位置に設けられている。つまり、吸引口１５ａと開口４４ａとの間の水平方向における距離は、各吸引口１４ａと開口４４ａとの間の水平方向における距離よりも短く、吸引口１５ａと開口４４ａとの間の鉛直方向における距離は、各吸引口１４ａと開口４４ａとの間の鉛直方向における距離よりも短い。

図１０は、ウェット吸引管１５の構成の一例を概略的に示す斜視図である。図９では、開口４４ａも示されている。図１０の例では、開口４４ａは矩形状の形状を有しており、その一辺が鉛直方向に沿うように形成されている。

ウェット吸引管１５は、方向Ｄ２に沿った側面視において、開口４４ａよりも外側に位置している。これにより、移載ユニット３０による基板Ｗの搬出入の際に、ウェット吸引管１５が移載ユニット３０および基板Ｗと衝突することを回避できる。図１０の例では、ウェット吸引管１５の吸引口１５ａは開口４４ａよりも鉛直下方に配置されており、ウェット吸引管１５は吸引口１５ａから鉛直下方に延在している。

ウェット吸引管１５はウェット処理空間５１の外部において、吸引機構１７に接続される。吸引機構１７は例えばポンプを含み、ウェット吸引管１５内の雰囲気ガスを吸引する。吸引機構１７は制御部２００によって制御される。吸引機構１７としては、基板処理装置１に専用の吸引機構（例えばポンプ）を採用してもよく、他の装置にも利用され得る工場ユーティリティ設備を採用してもよい。吸引機構１７の吸引動作により、開口４４ａの近傍のガスが吸引口１５ａに吸引され、ウェット吸引管１５を通じて外部に排気される。

なお、図４の例では、ウェット吸引管１４に対応して吸引機構１６が設けられ、ウェット吸引管１５に対応して吸引機構１７が設けられているものの、ウェット吸引管１４およびウェット吸引管１５が共通に接続された吸引機構が設けられてもよい。

ところで、移載ユニット３０のハンドが開口４４ａを通過すると、当該ハンドの移動に伴って、当該ハンドの周囲の雰囲気ガスがハンドの移動方向と同じ方向に移動する。例えば、移載ユニット３０がウェット処理空間５１から移載空間５３へ向かってハンドを移動させると、当該ハンドの移動に伴って、ウェット処理空間５１内の雰囲気ガスが移載空間５３側に移動し得る。よって、当該ハンドが開口４４ａを通過する際に、当該通過に伴ってウェット処理空間５１内の雰囲気ガスが移載空間５３に少し流出し得る。

これに対して、図４の例では、ウェット吸引管１５の吸引口１５ａはウェット処理空間５１内の開口４４ａの近傍に配置されている。よって、ウェット処理空間５１において開口４４ａの近傍の雰囲気ガスを吸引することができる。したがって、ハンドが開口４４ａを通過する際のウェット処理空間５１から移載空間５３への雰囲気ガスの流出をさらに抑制することができる。

なお、ウェット吸引管１５による吸引動作は、シャッタ６１が開いた期間の少なくとも一部において行われればよい。例えば、吸引機構１７は、シャッタ６１が開き始める以前に吸引動作を開始し、シャッタ６１が閉じ終わる以後に吸引動作を終了してもよい。逆に言えば、吸引機構１７は、シャッタ６１が閉じている期間の少なくとも一部において吸引動作を行わなくてもよい。これによれば、基板Ｗの移載時におけるウェット処理空間５１内の雰囲気ガスの流出を抑制しつつ、吸引機構１７による消費電力を低減させることができる。

また図４の例では、ウェット吸引管１５は開口４４ａの下端よりも鉛直下方に位置しており、その吸引口１５ａは鉛直上方に向かって開口している。つまり、方向Ｄ２に沿った側面視において、ウェット吸引管１５の吸引口１５ａは開口４４ａに向かって開口している。これによれば、開口４４ａの近傍の雰囲気ガスを吸引しやすい。よって、ウェット処理空間５１から移載空間５３への雰囲気ガスの流出をさらに抑制することができる。

また、図１０の例では、ウェット吸引管１５の吸引口１５ａの幅Ｈ１１は開口４４ａの幅Ｈ２よりも広い。ここでいう開口４４ａの幅Ｈ２は、移載ユニット３０のハンドが開口４４ａを通過する方向（ここでは方向Ｄ２）に垂直、かつ、水平な方向（ここでは配列方向Ｄ１）に沿う幅である。吸引口１５ａの幅Ｈ１１は、幅Ｈ２と同方向に沿う幅である。

図の例では、吸引口１５ａの幅Ｈ１１は等幅であるものの、方向Ｄ２の各位置で幅Ｈ１１が相違する場合もあり得る。同様に、開口４４ａの幅Ｈ２も鉛直方向の各位置で相違する場合もあり得る。この場合、少なくとも、吸引口１５ａの幅Ｈ１１の最大値が開口４５ａの幅Ｈ２の最小値よりも広く設定され、より好ましくは、幅Ｈ１１の最小値が幅Ｈ２の最大値よりも広く設定される。

これによれば、開口４４ａを通過しようとする雰囲気ガスの全体を吸引口１５ａに効果的に流入させることができる。よって、ウェット処理空間５１から移載空間５３への雰囲気ガスの流出をさらに抑制することができる。

また図１０の例では、ウェット吸引管１５は扁平な筒状形状を有しており、その吸引口１５ａは長尺形状を有する。ここで、吸引口１５ａの幅Ｈ１２を導入する。幅Ｈ１２は、配列方向Ｄ１に直交する方向Ｄ２に沿う幅である。ここでいう長尺形状とは、幅Ｈ１１が幅Ｈ１２よりも長い形状である。図１０の例では、吸引口１５ａは長方形形状を有する。このように吸引口１５ａが配列方向Ｄ１に長い長尺形状を有している場合、幅Ｈ１１を確保しつつも吸引口１５ａの面積を低減させることができる。これにより、吸引口１５ａ近傍での雰囲気ガスの吸引速度を向上することができ、ウェット処理空間５１内の雰囲気ガスをより強力に吸引することができる。よって、ウェット処理空間５１から移載空間５３へのガスの流出をさらに抑制することができる。

＜ドライ吸引管＞
図５の例では、ドライ処理ユニット２０はドライ吸引管２６をさらに含んでいる。このドライ吸引管２６の吸引口２６ａはドライ処理空間５２内において開口しており、内壁４５の開口４５ａの近傍に配置される。ここで、ドライ吸引管２６の吸引口２６ａと開口４５ａとの位置関係を、まず、ドライ吸引管２３の吸引口２３ａを用いて説明しておく。ドライ吸引管２６の吸引口２６ａは、水平方向において、吸引口２３ａよりも開口４５ａに近い位置に設けられており、鉛直方向においても、吸引口２３ａよりも開口４５ａに近い位置に設けられている。つまり、吸引口２６ａと開口４５ａとの間の水平方向における距離は、吸引口２３ａと開口４５ａとの間の水平方向における距離よりも短く、吸引口２３ａと開口４５ａとの間の鉛直方向における距離は、吸引口２３ａと開口４５ａとの間の鉛直方向における距離よりも短い。

ドライ吸引管２６と開口４５ａとの関係は図１０のウェット吸引管１５と開口４４ａとの関係と同様である。また、ドライ吸引管２６の形状もウェット吸引管１５の形状と同様である。よって、ここでは繰り返しの説明を避ける。

ドライ吸引管２６はドライ処理空間５２の外部において、吸引機構２７に接続される。吸引機構２７は例えばポンプを含み、ドライ吸引管２６内の雰囲気ガスを吸引する。吸引機構２７は制御部２００によって制御される。吸引機構２７としては、基板処理装置１に専用の吸引機構（例えばポンプ）を採用してもよく、他の装置にも利用され得る工場ユーティリティ設備を採用してもよい。吸引機構２７の吸引動作により、開口４５ａの近傍の雰囲気ガスが吸引口２６ａに吸引され、ドライ吸引管２６を通じて外部に排気される。

なお、図５の例では、ドライ吸引管２３に対応して吸引機構２５が設けられ、ドライ吸引管２６に対応して吸引機構２７が設けられているものの、ドライ吸引管２３およびドライ吸引管２６が共通に接続された吸引機構が設けられてもよい。

吸引機構２７の吸引動作により、ドライ処理空間５２において開口４５ａの近傍の雰囲気ガスを吸引することができる。したがって、移載ユニット３０のハンドがドライ処理空間５２から移載空間５３に向かって開口４５ａを通過する際に、ドライ処理空間５２から移載空間５３への雰囲気ガスの流出をさらに抑制することができる。また図の例では、ドライ吸引管２６の吸引口２６ａはウェット吸引管１５の吸引口１５ａと同様の形状を有しているので、ドライ処理空間５２から移載空間５３への雰囲気ガスの流出をさらに抑制することができる。

＜移載空間５３のガス排気＞
上述のように、移載空間５３内には、駆動機構である移載ユニット３０が収容されている。この移載ユニット３０の作動によってパーティクルが発生し得る。当該パーティクルが基板Ｗに付着すると、製品不良を招き得る。そこで、移載空間５３内のパーティクルを除去するために、移載空間５３内の雰囲気ガスを排気してもよい。

図１１は、移載ユニット３０の一例を概略的に示す図である。図１１の例では、移載空間５３内の雰囲気ガスを排気する移載吸引管３２が設けられている。移載吸引管３２の吸引口３２ａは移載空間５３において開口している。具体的な一例として、移載吸引管３２の吸引口３２ａは筐体４０の床部４２の上面に形成されており、移載空間５３に開口する。

移載吸引管３２は吸引機構３３に接続されている。吸引機構３３は例えばポンプを含んでおり、移載吸引管３２内の雰囲気ガスを吸引する。吸引機構３３は制御部２００によって制御される。吸引機構３３の吸引動作により、移載空間５３内の雰囲気ガスが吸引口３２ａに吸引され、移載吸引管３２を通じて外部に排気される。なお、吸引機構３３としては、基板処理装置１に専用のポンプを採用してもよく、他の装置にも利用され得る工場ユーティリティ設備を採用してもよい。

図１１の例では、２つの移載吸引管３２が設けられている。一方の移載吸引管３２の吸引口３２ａは、平面視において、移載ユニット３０に対して他方の移載吸引管３２の吸引口３２ａと反対側に形成される。なお、移載吸引管３２は１つであってもよく、あるいは３つ以上の移載吸引管３２が設けられてもよい。

吸引機構３３は、移載ユニット３０が基板Ｗを保持しておらず、かつ、シャッタ６１，６２が閉じている状態で、吸引動作を行う。これによれば、移載空間５３内に基板Ｗが存在していない状態で、移載空間５３内の雰囲気ガスが外部に排気され、移載空間５３内の圧力が低下する。吸引機構３３は、例えば、移載空間５３内の圧力がウェット処理空間５１およびドライ処理空間５２の圧力よりも低い閾値以下となるまで、移載空間５３内の雰囲気ガスを吸引する。当該閾値は適宜に設定されればよい。

このような減圧処理により、移載ユニット３０の作動によって移載空間５３内に生じたパーティクルを外部に排出することができる。したがって、パーティクルが基板Ｗに付着する可能性を低減させることができる。

パーティクルを外部に排出した後には、吸引機構３３は吸引動作を終了する。そして、ガス供給部３１による不活性ガスの供給により、移載空間５３内の圧力は再び大気圧よりも僅かに大きい値に調整される。これにより、移載空間５３内の圧力は再びウェット処理ユニット１０内の圧力およびドライ処理ユニット２０内の圧力の両方よりも高くなる。移載ユニット３０はこの状態で基板Ｗを移載する。つまり、基板Ｗの移載時には、基板Ｗは減圧空間を経由しない。

＜処理モジュール間の連結＞
隣り合う２つの処理モジュール１００の筐体４０どうしは互いに着脱可能に連結されてもよい。図２を参照して、例えば筐体４０の天井部４１は、その上段の筐体４０の床部４２と着脱可能に連結されてもよい。あるいは、図３を参照して、方向Ｄ２において隣接する筐体４０の側壁４３どうしは互いに着脱可能に連結されてもよい。筐体４０を着脱可能に連結する連結部材としては、種々の構成を採用することができ、例えばねじ止め構造などを採用できる。

筐体４０どうしが着脱可能であれば、基板処理装置１における処理モジュール１００に関する構成を容易に変更することができる。例えば、ある１つの処理モジュール１００を容易に取り換えることができる。また処理モジュール１００の増設または削減も容易である。

以上のように、基板処理装置１は詳細に説明されたが、上記の説明は、全ての局面において、例示であって、この基板処理装置１がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施の形態および各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。

例えば、ドライ処理として、大気圧プラズマを用いたプラズマ処理を採用してもよい。この場合、ドライ処理ユニット２０は、大気圧プラズマを生成するための電極と、当該電極に電圧を印加する電圧印加回路とを含む。また、複数のウェット処理ユニット１０は互いに同じ種類のウェット処理を行ってもよく、あるいは、少なくとも一つのウェット処理ユニット１０が他のウェット処理ユニット１０と異なる種類のウェット処理を行ってもよい。ドライ処理ユニット２０も同様である。

１基板処理装置
１０ウェット処理ユニット
１４ウェット吸引管
１４ａ吸引口
１００処理モジュール
２０ドライ処理ユニット
２６ドライ吸引管
２６ａ吸引口
３０移載ユニット
３１ガス供給部
３２移載吸引管
４０筐体
４４第１内壁（内壁）
４４ａ第１開口（開口）
４５第２内壁（内壁）
４５ａ第２開口（開口）
５１ウェット処理空間
５２ドライ処理空間
５３移載空間
６１第１シャッタ（シャッタ）
６２第２シャッタ（シャッタ）
ＴＲ搬送機構（搬送ロボット）
Ｗ基板

Claims

基板に対してウェット処理およびドライ処理を連続的に行う基板処理装置であって、
搬送機構を備えた搬送空間と、前記搬送空間に隣接する複数の処理モジュールと、を備え、
前記複数の処理モジュールの各々は、
基板に対してウェット処理を行う単一のウェット処理ユニットと、
基板に対してドライ処理を行う単一のドライ処理ユニットと、
前記ウェット処理ユニットと前記ドライ処理ユニットとの間に位置し、前記ウェット処理ユニットと前記ドライ処理ユニットとの間で基板を移載する単一の移載ユニットと、
前記ウェット処理ユニット、前記ドライ処理ユニットおよび前記移載ユニットを収容する筐体と
を含み、
前記筐体は、天井部と、床部と、側壁と、第１内壁と、第２内壁とを有し、
前記天井部と前記床部により区画される内部空間は、前記第１内壁および前記第２内壁により、前記ウェット処理ユニットを含むウェット処理空間と、前記ドライ処理ユニットを含むドライ処理空間とに区画され、
前記側壁は、前記ウェット処理空間に隣接する第１シャッタと、前記ドライ処理空間に隣接する第２シャッタとを備え、
前記搬送機構は、
前記第１シャッタが開いた状態で形成された前記側壁の第１開口を通じて、前記複数の処理モジュールの各々の前記ウェット処理ユニットに基板を搬送し、
前記第２シャッタが開いた状態で形成された前記側壁の第２開口を通じて、前記複数の処理モジュールの各々の前記ドライ処理ユニットに基板を搬送するように構成されている、基板処理装置。
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記ドライ処理は、オゾンガスを用いた酸化処理またはレジスト除去処理、フッ素を含むエッチングガスを用いた気相エッチング処理、および、水素ガスを用いた水素還元処理の少なくともいずれか一つを含み、
前記ウェット処理は、基板の洗浄処理を含む、基板処理装置。
請求項１または請求項２のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記複数の処理モジュールの各々は、
前記第１内壁に設けられた、基板の移載のための第３シャッタと、
前記第２内壁に設けられた、基板の移載のための第４シャッタと
を含む、基板処理装置。
請求項３に記載の基板処理装置であって、
前記ウェット処理ユニットは、前記ウェット処理空間内に設けられ、前記ウェット処理空間内のガスを吸引するウェット吸引管を含み、
前記ウェット吸引管の吸引口は、前記第３シャッタが開いたときに前記第１内壁に形成される第３開口の近傍に配置される、基板処理装置。
請求項４に記載の基板処理装置であって、
前記ウェット吸引管の前記吸引口の幅は前記第３開口の幅よりも広い、基板処理装置。
請求項３から請求項５のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記ドライ処理ユニットは、前記ドライ処理空間内に設けられ、前記ドライ処理空間内のガスを吸引するドライ吸引管を含み、
前記ドライ吸引管の吸引口は、前記第４シャッタが開いたときに前記第２内壁に形成される第４開口の近傍に配置される、基板処理装置。
請求項６に記載の基板処理装置であって、
前記ドライ吸引管の前記吸引口の幅は前記第４開口の幅よりも広い、基板処理装置。
請求項３から請求項７のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記移載処理ユニットを収容する移載空間の圧力は、前記ウェット処理空間および前記ドライ処理空間の圧力の両方よりも高い、基板処理装置。
請求項３から請求項８のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記複数の処理モジュールの各々は、
前記移載処理ユニットを収容する移載空間内に不活性ガスを供給するガス供給部をさらに含む、基板処理装置。
請求項３から請求項９のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記複数の処理モジュールの各々は、
前記移載処理ユニットを収容する移載空間内のガスを吸引する移載吸引管をさらに含む、基板処理装置。
請求項１から請求項１０のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記基板は、減圧空間を経由せずに前記ドライ処理ユニットと前記ウェット処理ユニットとの間で移載される、基板処理装置。
基板に対してウェット処理およびドライ処理を連続的に行う基板処理装置であって、
複数の処理モジュールを備え、
前記複数の処理モジュールの各々は、
基板に対してウェット処理を行う単一のウェット処理ユニットと、
基板に対してドライ処理を行う単一のドライ処理ユニットと、
前記ウェット処理ユニットと前記ドライ処理ユニットとの間に位置し、前記ウェット処理ユニットと前記ドライ処理ユニットとの間で基板を移載する単一の移載ユニットと、
前記ウェット処理ユニット、前記ドライ処理ユニットおよび前記移載ユニットを収容する筐体と、
前記筐体内において、前記ウェット処理ユニットを収容するウェット処理空間と前記移載ユニットを収容する移載空間との間の第１内壁に設けられた、基板の移載のための第１シャッタと、
前記筐体内において、前記移載空間と、前記ドライ処理ユニットを収容するドライ処理空間との間の第２内壁に設けられた、基板の移載のための第２シャッタと
を含み、
前記ウェット処理ユニットは、前記ウェット処理空間内に設けられ、前記ウェット処理空間内のガスを吸引するウェット吸引管を含み、
前記ウェット吸引管の吸引口は、前記第１シャッタが開いたときに前記第１内壁に形成される第１開口の近傍に配置される、基板処理装置。
請求項１２に記載の基板処理装置であって、
前記ウェット吸引管の前記吸引口の幅は前記第１開口の幅よりも広い、基板処理装置。
基板に対してウェット処理およびドライ処理を連続的に行う基板処理装置であって、
複数の処理モジュールを備え、
前記複数の処理モジュールの各々は、
基板に対してウェット処理を行う単一のウェット処理ユニットと、
基板に対してドライ処理を行う単一のドライ処理ユニットと、
前記ウェット処理ユニットと前記ドライ処理ユニットとの間に位置し、前記ウェット処理ユニットと前記ドライ処理ユニットとの間で基板を移載する単一の移載ユニットと、
前記ウェット処理ユニット、前記ドライ処理ユニットおよび前記移載ユニットを収容する筐体と、
前記筐体内において、前記ウェット処理ユニットを収容するウェット処理空間と前記移載ユニットを収容する移載空間との間の第１内壁に設けられた、基板の移載のための第１シャッタと、
前記筐体内において、前記移載空間と、前記ドライ処理ユニットを収容するドライ処理空間との間の第２内壁に設けられた、基板の移載のための第２シャッタと
を含み、
前記ドライ処理ユニットは、前記ドライ処理空間内に設けられ、前記ドライ処理空間内のガスを吸引するドライ吸引管を含み、
前記ドライ吸引管の吸引口は、前記第２シャッタが開いたときに前記第２内壁に形成される第２開口の近傍に配置される、基板処理装置。
請求項１４に記載の基板処理装置であって、
前記ドライ吸引管の前記吸引口の幅は前記第２開口の幅よりも広い、基板処理装置。